半導(dǎo)體封裝件及其制法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，該半導(dǎo)體封裝件的制法，通過于一表面依序具有第一與第二金屬層的承載結(jié)構(gòu)的第二金屬層上形成多個電性連接墊，再移除該第二金屬層外露的部分，以保留該些電性連接墊下的第二金屬層，接著進(jìn)行線路增層與置晶工藝，之后借由剝離方式，同時移除該承載結(jié)構(gòu)、第一與第二金屬層，而無需再進(jìn)行蝕刻工藝以移除殘留的金屬材，所以能節(jié)省工藝時間，且可省略蝕刻工藝所需的費(fèi)用。
【專利說明】半導(dǎo)體封裝件及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝技術(shù)，尤指一種半導(dǎo)體封裝件及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。為了滿足半導(dǎo)體封裝件微型化(miniaturization)的封裝需求,朝降低承載芯片的封裝基板的厚度發(fā)展。
[0003]早期半導(dǎo)體封裝件的制法中，以具有核心層10的封裝基板I提升整體結(jié)構(gòu)的剛性，如圖1所示，以利于后續(xù)置晶與封裝工藝。該封裝基板I還包含:形成于該核心層10的相對兩側(cè)上的多個介電層11、形成于該介電層11上的線路層12、形成于該介電層11中且電性連接該線路層12的多個導(dǎo)電盲孔13、形成于該最外側(cè)的介電層11上的多個電性接觸墊14、形成于該核心層10中且電性連接該線路層12的多個導(dǎo)電通孔100、及形成于該最外側(cè)的介電層11上的防焊層15，且該防焊層15外露該些電性接觸墊14。于后續(xù)置晶與封裝工藝中，先置放一芯片于該防焊層15上，且該芯片借由多個焊線電性連接該些電性接觸墊14，再以封裝膠體包覆該芯片與焊線。
[0004]然而，因該封裝基板I具有核心層10，所以該封裝基板I的厚度增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝件的整體厚度增加，而難以符合薄化的需求。再者，因使用該核心層10需制作該導(dǎo)電通孔100，致使導(dǎo)電路徑增長，導(dǎo)致信號傳遞較慢，所以難以符合電子產(chǎn)品的功能需求。
[0005]因此，遂發(fā)展出無核心層(coreless)的封裝基板，以縮短導(dǎo)電路徑及降低整體結(jié)構(gòu)厚度，而達(dá)到微小化及高頻化的需求。
[0006]圖2A至圖2F為現(xiàn)有核心層(coreless)的半導(dǎo)體封裝件2的制法的剖視示意圖。
[0007]如圖2A所示，提供一承載結(jié)構(gòu)20，該承載結(jié)構(gòu)20具有相對的第一側(cè)20a與第二側(cè)20b,且該第一側(cè)20a上依序形成有一第一金屬層21與一第二金屬層22,而該第二側(cè)20b上具有一第三金屬層23。其中，該第二金屬層22以電鍍方式形成于該第一金屬層21上。
[0008]如圖2B所示，形成多個電性連接墊24于該第二金屬層22上。
[0009]如圖2C所示，形成一線路增層結(jié)構(gòu)25于該第二金屬層22與該些電性連接墊24上。該線路增層結(jié)構(gòu)25具有至少一介電層250、形成于該介電層250上的線路層251、及形成于該介電層250中的多個導(dǎo)電盲孔252,且該導(dǎo)電盲孔252電性連接該線路層251與電性連接墊24，又該線路層251具有多個電性接觸墊253。
[0010]接著，形成一絕緣保護(hù)層26于該線路增層結(jié)構(gòu)25，且令該些電性接觸墊253外露于該絕緣保護(hù)層26的表面。
[0011]如圖2D所示，設(shè)置一半導(dǎo)體組件27于該線路增層結(jié)構(gòu)25上，且該半導(dǎo)體組件27借由焊線270電性連接該些電性接觸墊253。接著，形成封裝膠體28于該絕緣保護(hù)層26上，以包覆該半導(dǎo)體組件27。
[0012]如圖2E所示，借由剝離方式，移除該承載結(jié)構(gòu)20、第一金屬層21與第三金屬層23。[0013]如圖2F所示，借由蝕刻方式，移除該第二金屬層22，以外露該些電性連接墊24，以供后續(xù)進(jìn)行植球工藝。實際上，進(jìn)行蝕刻移除工藝中，會蝕刻該電性連接墊24的部分表面，使該電性連接墊24的部分表面形成不規(guī)則微凹陷表面。
[0014]然而，于現(xiàn)有制法中，該第二金屬層22與電性連接墊24黏接該介電層250的接著力大于該第二金屬層22與第一金屬層21的接著力，所以當(dāng)剝離移除該承載結(jié)構(gòu)20、第一金屬層21與第三金屬層23之后，仍會留下該第二金屬層22于該介電層250上，之后需再以蝕刻方式移除該第二金屬層22，導(dǎo)致工藝時間冗長，且需使用蝕刻工藝所需的設(shè)備及化學(xué)藥液，因而大幅增加制造成本。
[0015]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，實已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺陷，本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，能節(jié)省工藝時間，且可省略蝕刻工藝所需的費(fèi)用。
[0017]本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件，包括:線路增層結(jié)構(gòu)，其具有相對的第一表面與第二表面，且該線路增層結(jié)構(gòu)包含表面作為該第一與第二表面的至少一介電層、形成于該介電層上的線路層、及形成于該介電層中并電性連接該線路層的多個導(dǎo)電盲孔，且該第一表面上具有電性連接該導(dǎo)電盲孔的多個電性接觸墊；多個電性連接墊，其嵌設(shè)于該線路增層結(jié)構(gòu)的第二表面上并電性連接該導(dǎo)電盲孔，且該些電性連接墊與該第二表面形成有段差；以及至少一半導(dǎo)體組件，其設(shè)于該線路增層結(jié)構(gòu)的第一表面上，且該半導(dǎo)體組件電性連接該些電性接觸墊。
[0018]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括:提供一承載結(jié)構(gòu)，其表面依序具有第一金屬層與第二金屬層；形成多個電性連接墊于該第二金屬層上；移除該第二金屬層未被該電性連接墊覆蓋的部分，以保留該些電性連接墊下的第二金屬層，且外露該第一金屬層；形成一線路增層結(jié)構(gòu)于該第一金屬層與該些電性連接墊上，且該線路增層結(jié)構(gòu)上具有多個電性接觸墊；設(shè)置至少一半導(dǎo)體組件于該線路增層結(jié)構(gòu)上，且該半導(dǎo)體組件電性連接該些電性接觸墊；以及借由剝離方式，同時移除該承載結(jié)構(gòu)、第一金屬層與該電性連接墊下的第二金屬層。
[0019]本發(fā)明再提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括:提供一承載結(jié)構(gòu)，其表面依序具有第一金屬層與第二金屬層；圖案化該第二金屬層，以形成多個電性連接墊，且外露該第一金屬層；形成一線路增層結(jié)構(gòu)于該第一金屬層與該些電性連接墊上，且該線路增層結(jié)構(gòu)上具有多個電性接觸墊；設(shè)置至少一半導(dǎo)體組件于該線路增層結(jié)構(gòu)上，且該半導(dǎo)體組件電性連接該些電性接觸墊；以及借由剝離方式，移除該承載結(jié)構(gòu)與第一金屬層。
[0020]前述的制法中，其以蝕刻方式形成該些電性連接墊。
[0021]前述的兩種制法中，該承載結(jié)構(gòu)具有相對的第一側(cè)與第二側(cè)，且該第一側(cè)上具有該第一與第二金屬層，而該第二側(cè)上具有第三金屬層。該第一與第三金屬層為銅箔。
[0022]前述的兩種制法中，該第二金屬層以電鍍方式形成于該第一金屬層上。
[0023]前述的兩種制法中，該線路增層結(jié)構(gòu)具有至少一介電層、形成于該介電層上的線路層、及形成于該介電層中的多個導(dǎo)電盲孔，且該導(dǎo)電盲孔電性連接該線路層與電性連接墊，又該些電性接觸墊為該最外層的線路層的一部分。[0024]前述的半導(dǎo)體封裝件及兩種制法中，還包括形成絕緣保護(hù)層于該線路增層結(jié)構(gòu)的第一表面上，且令該些電性接觸墊外露于該絕緣保護(hù)層。又包括形成封裝膠體于該絕緣保護(hù)層上，以包覆該半導(dǎo)體組件。
[0025]另外，前述的半導(dǎo)體封裝件及兩種制法中，還包括形成封裝膠體于該線路增層結(jié)構(gòu)的第一表面上，以包覆該半導(dǎo)體組件。 [0026]由上可知，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，借由制作該電性連接墊時一并移除其外的第二金屬層，使該第二金屬層與該介電層的接觸面積極少因而結(jié)合力極小，所以當(dāng)剝離該承載結(jié)構(gòu)與該第一金屬層時，能順勢移除該第二金屬層。
[0027]此外，僅需以剝離方式移除承載結(jié)構(gòu)、第一與第二金屬層，而無需如現(xiàn)有技術(shù)于后續(xù)進(jìn)行蝕刻工藝，所以不僅能節(jié)省工藝時間，且可省略蝕刻工藝所需的設(shè)備及化學(xué)藥液，因而能大幅降低制造成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1為現(xiàn)有具有核心層的封裝基板的剖視示意圖；
[0029]圖2A至圖2F為現(xiàn)有無核心層的半導(dǎo)體封裝件的制法的剖視示意圖；以及
[0030]圖3A至圖3E為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的剖視示意圖；其中，圖3E’為圖3E’的另一實施例的首1J視不意圖。
[0031]主要組件符號說明
[0032]I封裝基板
[0033]10核心層
[0034]100導(dǎo)電通孔
[0035]11, 250, 350 介電層
[0036]12，251，351 線路層
[0037]13, 252, 352 導(dǎo)電盲孔
[0038]14，253，353 電性接觸墊
[0039]15防焊層
[0040]2，3半導(dǎo)體封裝件
[0041]20, 30承載結(jié)構(gòu)
[0042]20a, 30a第一側(cè)
[0043]20b, 30b第二側(cè)
[0044]21, 31第一金屬層
[0045]22，32，32’ 第二金屬層
[0046]23, 33第三金屬層
[0047]24，34，34’ 電性連接墊
[0048]25，35線路增層結(jié)構(gòu)
[0049]26，36絕緣保護(hù)層
[0050]27，37半導(dǎo)體組件
[0051]270,370焊線
[0052]28，38封裝膠體[0053]34a外露表面
[0054]35a第一表面
[0055]35b第二表面
[0056]h段差高度。
【具體實施方式】[0057]以下借由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功效。
[0058]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0059]圖3A至圖3E為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件3的制法的剖視示意圖。
[0060]如圖3A所示，提供一承載結(jié)構(gòu)30，該承載結(jié)構(gòu)30具有相對的第一側(cè)30a與第二側(cè)30b,且該第一側(cè)30a上依序形成有一第一金屬層31與一第二金屬層32,而該第二側(cè)30b上
具有一第三金屬層33。
[0061]于本實施例中，該承載結(jié)構(gòu)30的材質(zhì)為玻纖材質(zhì)(如FR4),且該第一與第三金屬層31，33為銅箔,使該承載結(jié)構(gòu)30作為銅箔基板(Copper clad laminate, CCL)。有關(guān)銅箔基板的種類繁多，且為業(yè)界所熟知，所以不再贅述。
[0062]此外，該第二金屬層32以電鍍方式形成于該第一金屬層31上。
[0063]如圖3B所示，進(jìn)行圖案化線路工藝，形成多個電性連接墊34于該第二金屬層32上。有關(guān)線路工藝的種類繁多，并無特別限制。
[0064]接著，移除該第二金屬層32未被該電性連接墊34覆蓋的部分，以保留該些電性連接墊34下的第二金屬層32’，且外露該第一金屬層31。
[0065]如圖3C所示，形成一線路增層結(jié)構(gòu)35于該第一金屬層31與該些電性連接墊34上，且該線路增層結(jié)構(gòu)35上具有多個電性接觸墊353。
[0066]于本實施例中，該線路增層結(jié)構(gòu)35具有一介電層350、形成于該介電層350上的線路層351、及形成于該介電層350中的多個導(dǎo)電盲孔352，且該導(dǎo)電盲孔352電性連接該線路層351與電性連接墊34，又該些電性接觸墊353為該最外層的線路層351的一部分，而該介電層350的材質(zhì)可例如為預(yù)浸材(prepreg, PP )。
[0067]此外，該線路增層結(jié)構(gòu)35具有相對的第一表面35a與第二表面35b,且該第一表面35a與第二表面35b為該介電層350表面,而且該些電性接觸墊353形成于該第一表面35a上，該線路增層結(jié)構(gòu)35并以該第二表面35b結(jié)合該第一金屬層31。
[0068]本發(fā)明借由蝕刻工藝，移除該些電性連接墊34下方以外的區(qū)域的第二金屬層32，以減少該第二金屬層32’與該介電層350的接觸面積(僅該第二金屬層32’的側(cè)面)而使兩者的結(jié)合力極小，且能增加該介電層350與該電性連接墊34間的附著力。[0069]此外，于本實施例中，該線路增層結(jié)構(gòu)35為單層線路結(jié)構(gòu)，所以該介電層350的上、下表面作為該第一表面35a與第二表面35b。于其它實施例中，該線路增層結(jié)構(gòu)亦可為多層線路結(jié)構(gòu)，而上、下最外側(cè)的介電層表面即作為第一與第二表面。
[0070]接著，形成一絕緣保護(hù)層36于該線路增層結(jié)構(gòu)35的第一表面35a上，且令該些電性接觸墊353外露于該絕緣保護(hù)層36的表面。
[0071]于本實施例中，該些電性接觸墊353與該絕緣保護(hù)層36的表面齊平，以令該些電性接觸墊353外露于該絕緣保護(hù)層36的表面。于其它實施例中，亦可于該絕緣保護(hù)層36上形成多個開孔(圖略)，以令該些電性接觸墊353對應(yīng)外露于該些開孔。
[0072]如圖3D所示，設(shè)置一半導(dǎo)體組件37于該線路增層結(jié)構(gòu)35的第一表面35a上(SP該絕緣保護(hù)層36上)，且該半導(dǎo)體組件37電性連接該些電性接觸墊353。接著，形成封裝膠體38于該絕緣保護(hù)層36上，以包覆該半導(dǎo)體組件37。
[0073]于本實施例中，該半導(dǎo)體組件37借由多個焊線370電性連接該些電性接觸墊353。于其它實施例中，該半導(dǎo)體組件37也可借由覆晶方式(即導(dǎo)電凸塊)(圖略)電性連接該些電性接觸墊353。
[0074]如圖3E所示，借由剝離方式，一并移除該承載結(jié)構(gòu)30、第一金屬層31、第三金屬層33與該電性連接墊34下的第二金屬層32’，使該些電性連接墊34的外露表面34a與該線路增層結(jié)構(gòu)35的第二表面35b形成一平整的段差，如圖所示的段差高度h。
[0075]本發(fā)明的制法借由該承載結(jié)構(gòu)30 (如玻纖材料)對該第一金屬層31的接著力大于該第一金屬層31對該介電層350的接著力，所以當(dāng)以剝離方式移除該承載結(jié)構(gòu)30時，能輕易將該第一金屬層31剝離。
[0076]此外，借由制作該電性連接墊34時，一并移除該電性連接墊34以外區(qū)域的第二金屬層32，使該第二金屬層32’與該介電層350間的結(jié)合力極小，所以當(dāng)剝離該第一金屬層31時，能順勢剝離該第二金屬層32’。
[0077]再者，本發(fā)明的制法中，僅需以剝離方式移除承載結(jié)構(gòu)30及其上的結(jié)構(gòu)，而無需采用蝕刻工藝，所以不僅能節(jié)省工藝時間，且可省略蝕刻工藝所需的設(shè)備及化學(xué)藥液費(fèi)用，因而能大幅降低制造成本。
[0078]另外，如圖3E’所示，于圖3B的工藝中，可直接圖案化該第二金屬層32，即蝕刻該第二金屬層32，以形成多個電性連接墊34’，且外露該第一金屬層31。于后續(xù)移除該承載結(jié)構(gòu)30、第一金屬層31與第三金屬層33時，需輕輕地剝離該承載結(jié)構(gòu)30及第一金屬層31,以避免順勢剝離該些電性連接墊34’。
[0079]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件3，其包括:一線路增層結(jié)構(gòu)35、多個電性連接墊34、一半導(dǎo)體組件37以及封裝膠體38。
[0080]所述的線路增層結(jié)構(gòu)35具有相對的第一表面35a與第二表面35b，且該線路增層結(jié)構(gòu)35包含表面作為該第一與第二表面35a, 35b的一介電層350、形成于該介電層350上的線路層351、及形成于該介電層350中以電性連接該線路層351的多個導(dǎo)電盲孔352，且該第一表面35a上具有電性連接該導(dǎo)電盲孔352的多個電性接觸墊353。
[0081]所述的電性連接墊34嵌設(shè)于該線路增層結(jié)構(gòu)35的第二表面35b上，且該些電性連接墊34與該第二表面35b形成有段差，并電性連接該導(dǎo)電盲孔352。
[0082]所述的半導(dǎo)體組件37設(shè)于該線路增層結(jié)構(gòu)35的第一表面35a上，且借由多個焊線370電性連接該些電性接觸墊353。
[0083]所述的封裝膠體38形成于該線路增層結(jié)構(gòu)35的第一表面35a上，以包覆該半導(dǎo)體組件37。
[0084]所述的半導(dǎo)體封裝件3還包括形成于該線路增層結(jié)構(gòu)35的第一表面35a上的絕緣保護(hù)層36，且令該些電性接觸墊353外露于該絕緣保護(hù)層36的表面，使該封裝膠體38形成于該絕緣保護(hù)層36上，以包覆該半導(dǎo)體組件37。
[0085]綜上所述，本發(fā)明半導(dǎo)體封裝件及其制法中，僅以剝離方式直接移除該承載結(jié)構(gòu)、第一與第二金屬層，而無需于剝離工藝后再進(jìn)行蝕刻移除工藝，所以不僅能節(jié)省工藝時間，且能大幅降低制作成本。
[0086]上述實施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝件，其包括: 線路增層結(jié)構(gòu)，其具有相對的第一表面與第二表面，且該線路增層結(jié)構(gòu)包含表面作為該第一與第二表面的至少一介電層、形成于該介電層上的線路層、及形成于該介電層中并電性連接該線路層的多個導(dǎo)電盲孔，且該第一表面上具有電性連接該導(dǎo)電盲孔的多個電性接觸墊； 多個電性連接墊，其嵌設(shè)于該線路增層結(jié)構(gòu)的第二表面上并電性連接該導(dǎo)電盲孔，且該些電性連接墊與該第二表面形成有段差；以及 至少一半導(dǎo)體組件，其設(shè)于該線路增層結(jié)構(gòu)的第一表面上，且該半導(dǎo)體組件電性連接該些電性接觸墊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件還包括絕緣保護(hù)層，其形成于該線路增層結(jié)構(gòu)的第一表面上，且令該些電性接觸墊外露于該絕緣保護(hù)層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件還包括封裝膠體，其形成于該絕緣保護(hù)層上，以包覆該半導(dǎo)體組件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件還包括封裝膠體，其形成于該線路增層結(jié)構(gòu)的第一表面上，以包覆該半導(dǎo)體組件。
5.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括: 提供一承載結(jié)構(gòu)，其表面依序具有第一金屬層與第二金屬層； 形成多個電性連接墊于該第二金屬層上； 移除該第二金屬層未被該電性連接墊覆蓋的部分，以保留該些電性連接墊下的第二金屬層，且外露該第一金屬層； 形成一線路增層結(jié)構(gòu)于該第一金屬層與該些電性連接墊上，且該線路增層結(jié)構(gòu)上具有多個電性接觸墊； 設(shè)置至少一半導(dǎo)體組件于該線路增層結(jié)構(gòu)上，且該半導(dǎo)體組件電性連接該些電性接觸墊；以及 借由剝離方式，同時移除該承載結(jié)構(gòu)、第一金屬層與該電性連接墊下的第二金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該承載結(jié)構(gòu)具有相對的第一側(cè)與第二側(cè)，且該第一側(cè)上具有該第一與第二金屬層，而該第二側(cè)上具有第三金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一與第三金屬層為銅箔。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第二金屬層以電鍍方式形成于該第一金屬層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該線路增層結(jié)構(gòu)具有至少一介電層、形成于該介電層上的線路層、及形成于該介電層中的多個導(dǎo)電盲孔，且該導(dǎo)電盲孔電性連接該線路層與電性連接墊，又該些電性接觸墊為該最外層的線路層的一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成絕緣保護(hù)層于該線路增層結(jié)構(gòu)，且令該些電性接觸墊外露于該絕緣保護(hù)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成封裝膠體于該絕緣保護(hù)層上，以包覆該半導(dǎo)體組件。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成封裝膠體于該線路增層結(jié)構(gòu)上，以包覆該半導(dǎo)體組件。
13.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括: 提供一承載結(jié)構(gòu)，其表面依序具有第一金屬層與第二金屬層； 圖案化該第二金屬層，以形成多個電性連接墊，且外露該第一金屬層； 形成一線路增層結(jié)構(gòu)于該第一金屬層與該些電性連接墊上，且該線路增層結(jié)構(gòu)上具有多個電性接觸墊； 設(shè)置至少一半導(dǎo)體組件于該線路增層結(jié)構(gòu)上，且該半導(dǎo)體組件電性連接該些電性接觸墊；以及 借由剝離方式，移除該承載結(jié)構(gòu)與第一金屬層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝基板的制法，其特征在于，該承載結(jié)構(gòu)具有相對的第一側(cè)與第二側(cè)，且該第一側(cè)上具有該第一與第二金屬層，而該第二側(cè)上具有第三金屬層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的封裝基板的制法，其特征在于，該第一與第三金屬層為銅箔。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝基板的制法，其特征在于，該第二金屬層以電鍍方式形成于該第一金屬層上。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝基板的制法，其特征在于，以蝕刻方式形成該些電性連接墊。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝基板的制法，其特征在于，該線路增層結(jié)構(gòu)具有至少一介電層、形成于該介電層上的線路層、及形成于該介電層中的多個導(dǎo)電盲孔，且該導(dǎo)電盲孔電性連接該線路層與電性連接墊，又該些電性接觸墊為該最外層的線路層的一部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括形成絕緣保護(hù)層于該線路增層結(jié)構(gòu)上，且令該些電性接觸墊外露于該絕緣保護(hù)層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成封裝膠體于該絕緣保護(hù)層上，以包覆該半導(dǎo)體組件。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于， 該制法還包括形成封裝膠體于該線路增層結(jié)構(gòu)上，以包覆該半導(dǎo)體組件。
【文檔編號】H01L23/522GK103579173SQ201210308022
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月10日
【發(fā)明者】王維賓, 林邦群, 陳泳良, 鄭坤一, 邱正文 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司