一種實(shí)時監(jiān)控裝置及方法
【專利摘要】本申請?zhí)峁┝艘环N實(shí)時監(jiān)控裝置及方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)不能對離子注入劑量準(zhǔn)確性、劑量控制器穩(wěn)定性做實(shí)時監(jiān)控的技術(shù)問題，該裝置包括：信號獲得單元，能與一離子注入設(shè)備的束流調(diào)節(jié)控制器連接，在所述離子注入設(shè)備正在對一集成電路進(jìn)行離子注入的過程中，用于從所述束流調(diào)節(jié)控制器獲得第一束流信號、開始注入信號及注入完成信號；處理單元，與所述信號獲得單元連接，用于對所述第一束流信號，開始注入信號及注入完成信號進(jìn)行處理，獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預(yù)設(shè)條件的參數(shù)值。
【專利說明】—種實(shí)時監(jiān)控裝置及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及集成電路制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種實(shí)時監(jiān)控裝置及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路的制造中，離子注入設(shè)備廣泛應(yīng)用于當(dāng)前國內(nèi)集成電路生產(chǎn)線，離子注入設(shè)備用于摻雜工藝，并且滿足淺結(jié)、低溫和精確控制等要求，因此，離子注入設(shè)備是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，離子注入設(shè)備的主要工作:通過注入離子對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜的技術(shù)，其目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度來控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型，而對離子劑量的控制主要是由離子注入設(shè)備的劑量控制器來完成。
[0004]可見，離子注入設(shè)備中的劑量控制器是離子注入設(shè)備的一核心部件，它的精度、穩(wěn)定性直接決定著廣品的最終良品率。
[0005]在現(xiàn)有技術(shù)中，為了提高產(chǎn)品良品率，主要做法是:每天做一次對固定劑量的監(jiān)控片的檢測，通過測量監(jiān)控片注入離子后的方塊電阻值來評估離子注入設(shè)備是否穩(wěn)定。但本申請發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本申請實(shí)施例中發(fā)明技術(shù)方案的過程中，發(fā)現(xiàn)上述技術(shù)至少存在如下技術(shù)問題:
[0006]一為由于監(jiān)控間隔為一天，所以，當(dāng)發(fā)現(xiàn)監(jiān)控片出現(xiàn)異常時，那么在這一天做的所有已經(jīng)注入離子的產(chǎn)品都會成為不合格產(chǎn)品；二為監(jiān)控方式屬抽樣式監(jiān)測，存在因?yàn)闄z測不全面而存在發(fā)現(xiàn)不了偶發(fā)性異常的技術(shù)問題。可見，現(xiàn)有技術(shù)中存在不能對離子注入劑量準(zhǔn)確性、劑量控制器穩(wěn)定性做實(shí)時監(jiān)控的技術(shù)問題。
[0007]例如，對于使用年限已達(dá)十多年以上的離子注入設(shè)備，其劑量控制器難免會出現(xiàn)元件老化而引起精度或穩(wěn)定性下降等異常，若抽樣檢測未能抽到，則可能會繼續(xù)生產(chǎn)異常
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【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本申請實(shí)施例通過提供一種實(shí)時監(jiān)控裝置及方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)不能對離子注入劑量準(zhǔn)確性、劑量控制器穩(wěn)定性做實(shí)時監(jiān)控的技術(shù)問題。
[0009]一方面，本申請實(shí)施例提供一種實(shí)時監(jiān)控裝置，包括:
[0010]信號獲得單元，能與一離子注入設(shè)備的連接，在所述離子注入設(shè)備正在對一集成電路進(jìn)行離子注入的過程中，用于從所述獲得第一束流信號、開始注入信號及注入完成信號;
[0011]處理單元，與所述信號獲得單元連接，用于對所述第一束流信號，開始注入信號及注入完成信號進(jìn)行處理，獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預(yù)設(shè)條件的參數(shù)值。
[0012]可選的，所述信號獲得單元，具體包括:
[0013]束流信號獲得單元，連接在所述束流調(diào)節(jié)控制器與所述處理單元間，用于從所述束流調(diào)節(jié)控制器獲得所述第一束流信號；
[0014]注入信號獲得單元，連接所述束流調(diào)節(jié)控制器與所述處理單元間，用于從所述束流調(diào)節(jié)控制器獲得開始注入信號及注入完成信號。
[0015]可選的，所述束流信號獲得單元，具體包括:
[0016]模擬信號隔離電路，包括第一端和第二端，其中，所述第一端與所述束流調(diào)節(jié)控制器連接，用于從所述束流調(diào)節(jié)控制器接收格式為模擬格式的第二束流信號；
[0017]模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，包括第三端和第四端，其中，所述第三端與所述第二端連接，所述第四端與所述處理單元連接，用于將所述第二束流信號轉(zhuǎn)換為格式為數(shù)字格式的第一束流信號。
[0018]可選的，所述處理單元，具體包括:
[0019]輸入輸出單元，與所述信號獲得單元連接，用于從所述信號獲得單元獲得所述第一束流信號，所述開始注入信號及所述注入完成信號；
[0020]邏輯運(yùn)算單元，與所述輸入輸出單元連接，用于對所述第一束流信號，所述開始注入信號及所述注入完成信號進(jìn)行處理，獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預(yù)設(shè)條件的參數(shù)值。
[0021]可選的，所述邏輯運(yùn)算單元，具體用于:
[0022]基于公
【權(quán)利要求】
1.一種實(shí)時監(jiān)控裝置，其特征在于，包括: 信號獲得單元，能與一離子注入設(shè)備的束流調(diào)節(jié)控制器連接，在所述離子注入設(shè)備正在對一集成電路進(jìn)行離子注入的過程中，用于從所述束流調(diào)節(jié)控制器獲得第一束流信號、開始注入信號及注入完成信號； 處理單元，與所述信號獲得單元連接，用于對所述第一束流信號，開始注入信號及注入完成信號進(jìn)行處理，獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預(yù)設(shè)條件的參數(shù)值。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述處理單元具體包括: 束流信號獲得單元，連接在所述束流調(diào)節(jié)控制器與所述處理單元間，用于從所述束流調(diào)節(jié)控制器獲得所述第一束流信號； 注入信號獲得單元，連接所述束流調(diào)節(jié)控制器與所述處理單元間，用于從所述束流調(diào)節(jié)控制器獲得開始注入信號及注入完成信號。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述束流信號獲得單元具體包括: 模擬信號隔離電路，包括第一端和第二端，其中，所述第一端與所述束流調(diào)節(jié)控制器連接，用于從所述束流調(diào)節(jié)控制器接收格式為模擬格式的第二束流信號； 模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，包括第三端和第四端，其中，所述第三端與所述第二端連接，所述第四端與所述處理單元連接，用于將所述第二束流信號轉(zhuǎn)換為格式為數(shù)字格式的第一束流信號。
4.如權(quán)利要求1-3中任一權(quán)利要求所述的裝置，其特征在于，所述處理單元具體包括: 輸入輸出單元，與所述信號獲得單元連接，用于從所述信號獲得單元獲得所述第一束流信號，所述開始注入信號及所述注入完成信號； 邏輯運(yùn)算單元，與所述輸入輸出單元連接，用于對所述第一束流信號，所述開始注入信號及所述注入完成信號進(jìn)行處理，獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預(yù)設(shè)條件的參數(shù)值。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述邏輯運(yùn)算單元，具體用于:

基于公式
6.一種實(shí)時監(jiān)控的方法，其特征在于，包括: 在一離子注入設(shè)備正在對一集成電路進(jìn)行離子注入的過程中，用于從所述離子注入設(shè)備的束流調(diào)節(jié)控制器獲得第一束流信號，開始注入信號及注入完成信號； 對所述第一束流信號，開始注入信號及注入完成信號進(jìn)行處理，獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預(yù)設(shè)條件的參數(shù)值。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述在一離子注入設(shè)備正在對一集成電路進(jìn)行離子注入的過程中，用于從所述離子注入設(shè)備的束流調(diào)節(jié)控制器獲得第一束流信號，開始注入信號及注入完成信號，具體為:接收所述束流調(diào)節(jié)控制器生成的第一束流信號； 接收所述束流調(diào)節(jié)控制器生成的開始注入信號及注入完成信號。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述接收所述束流調(diào)節(jié)控制器生成的所述第一束流信號，具體為: 接收所述束流調(diào)節(jié)控制器生成的格式為模擬格式的第二束流信號； 將所述第二束流信號轉(zhuǎn)換為格式為數(shù)字格式的第一束流信號。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述對所述第一束流信號，開始注入信號及注入完成信號進(jìn)行處理，獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預(yù)設(shè)條件的參數(shù)值，具體為:
基于公式
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述基于所述集成電路的設(shè)定注入量和所述實(shí)際注入量，獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預(yù)設(shè)條件的參數(shù)值之后，所述方法還包括: 在所述參數(shù)值表明注入所述集成電路的劑量值不符合所述預(yù)設(shè)條件時，生成一第一控制指令。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在所述生成一第一控制指令之后，所述方法還包括: 獲得所述第一控制指令，并通過執(zhí)行所述第一控制指令使所述束流控制器暫停向所述集成電路注入離子。
12.如權(quán)利要求6-11中任一權(quán)項所述的方法，其特征在于，在所述獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預(yù)設(shè)條件的參數(shù)值之后，所述方法還包括: 接收用戶輸入的查詢信息； 將所述查詢信息輸入到所述處理單元； 顯示所述處理單元基于所述查詢信息而輸出的查詢結(jié)果。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，在所述獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預(yù)設(shè)條件的參數(shù)值之后，所述方法還包括: 將所述第一束流信號、所述開始注入信號、所述注入完成信號以及所述參數(shù)值存儲于一存儲設(shè)備。
14.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預(yù)設(shè)條件的參數(shù)值之后，所述方法還包括: 在所述參數(shù)值表明注入所述集成電路的劑量值不符合所述預(yù)設(shè)條件時，生成并輸出報警信號。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，在所述生成并輸出報警信號之后，所述方法還包括:響應(yīng)一復(fù)位操作，生成一上電復(fù)位信號，通過取消執(zhí)行所述第一控制指令使所述束流控制器繼續(xù)向所述集成電路注入離子。
【文檔編號】H01L21/66GK103632993SQ201210297518
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月20日
【發(fā)明者】林偉旺 申請人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司