專利名稱：發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件及包括其的照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施方案涉及一種發(fā)光器件、一種發(fā)光器件封裝件以及一種包括其的照明系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
由于薄膜生長工藝和用于發(fā)光器件的材料的發(fā)展，所以使用III-V族或II-VI族化合物半導(dǎo)體材料的發(fā)光器件如發(fā)光二極管可以發(fā)出具有各種顏色的光，如紅光、綠光、藍(lán)光以及紫外光。而且，所述發(fā)光器件可以通過使用磷光體或是通過顏色的組合來高效地發(fā)出白光。此外，與傳統(tǒng)的光源如熒光燈或白熾燈相比，所述發(fā)光器件具有功耗低、半永久性壽命、響應(yīng)時(shí)間快、安全以及環(huán)境友好的優(yōu)點(diǎn)。因此，所述發(fā)光器件的應(yīng)用擴(kuò)展到光通信裝置的傳輸模塊、可以替代構(gòu)成液晶顯示裝置的背光的冷陰極熒光燈的發(fā)光二極管背光、可以替代熒光燈或白熾燈的白光發(fā)光二極管照明裝置、車輛前燈以及信號(hào)燈。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施方案提供了一種發(fā)光器件，其中電流均勻地分布，從而提高了發(fā)光效率，并且防止了局部加熱發(fā)光器件，從而提高了發(fā)光器件的可靠性；一種發(fā)光器件封裝件；以及一種包括該發(fā)光器件封裝件的照明系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光器件包括襯底、設(shè)置在襯底上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分上的有源層、設(shè)置在有源層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、設(shè)置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第一電極以及設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的其它部分上的第二電極，其中第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層或第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分處形成有溝槽，使得溝槽設(shè)置在第一電極下。而且，溝槽可以為沿平行于襯底的延伸方向延伸。而且，溝槽可以形成為與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的其上形成有第二電極的表面處于同一水平，使得溝槽和第二電極相鄰設(shè)置?；蛘撸瑴喜劭梢孕纬蔀榕c第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的其上形成有第二電極的表面處于不同的水平，使得溝槽和第二電極相鄰設(shè)置。而且，發(fā)光器件還可以包括設(shè)置在襯底與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的反射層以及設(shè)置在有源層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的電子阻擋層。而且，從襯底到第一電極的上表面的距離可以與從襯底到第二電極的上表面的距離相等或不同。而且，溝槽的厚度可以大于或小于第二電極的厚度。此外，溝槽的厚度可以等于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的總厚度的0. 25%至25%。例如，溝槽的厚度可以為50人到10000人。而且，從第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的與襯底相對(duì)側(cè)的表面到溝槽的高度可以是第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的總厚度的30%至80%。例如，該高度可以是Ium至2iim。而且，溝槽的寬度可以等于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的總寬度的20%至40%。例如，溝槽的寬度可以是20 iim到40iim。
在另一實(shí)施方案中，發(fā)光器件包括襯底、設(shè)置在襯底上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分上的有源層、設(shè)置在有源層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、設(shè)置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的透光導(dǎo)電層、設(shè)置在透光導(dǎo)電層上的第一電極以及設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的其它部分上的第二電極，其中在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層或第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分處形成有溝槽，使得溝槽設(shè)置在第一電極下。而且，透光導(dǎo)電層可以設(shè)置為暴露出第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的上表面的一部分，并且第一電極可以設(shè)置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的暴露出部分上和透光導(dǎo)電層上。而且，透光導(dǎo)電層可以由選自銦錫氧化物(IT0)、銦鋅氧化物(IZ0)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ATO)以及鎵鋅氧化物(GZO)中的至少一種形成。而且，發(fā)光器件還可以包括設(shè)置在第一電極與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的絕緣層。例如，絕緣層可以由Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4或Al2O3形成。 此外，發(fā)光器件還可以包括覆蓋選自第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、透光導(dǎo)電層、第一電極以及第二電極中的至少之一的鈍化層。此外，溝槽可以在其表面處形成有粗糙結(jié)構(gòu)。


可以參考以下附圖對(duì)布置和實(shí)施方案進(jìn)行詳細(xì)描述，在附圖中，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件，其中圖I是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖；圖2是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖；圖3是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖；圖4是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖；圖5是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖；圖6是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖；圖7是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖；圖8是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖；圖9A至圖9C是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的溝槽的形狀的截面圖；圖10是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；以及圖11是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的具有發(fā)光模塊的照明系統(tǒng)的視圖。
具體實(shí)施例方式下文中，將參考附圖來描述實(shí)施方案。應(yīng)理解當(dāng)元件稱為在另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以直接在該另一元件上/下，也可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間元件。當(dāng)元件稱為在“上”或“下”時(shí)，可以基于元件包括“在元件下”以及“在元件上”。在附圖中，為了描述清楚和方便，放大、省略或示意性地示出各個(gè)層的尺寸。此外，各個(gè)元件的尺寸并不表示其實(shí)際尺寸。圖I是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件100的截面圖。
發(fā)光器件100可以包括襯底110和設(shè)置在襯底110上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層120、有源層130、電子阻擋層(EBL) 140以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150。襯底110 可以由例如藍(lán)寶石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3 或 GaAs 形成。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層120設(shè)置在襯底110上。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層120可以由具有組成式InxAlyGamN (0彡x彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡I)的半導(dǎo)體材料例如GaN、AlN、AlGaN, InGaN, InN或InAlGaN形成，并且可以摻雜有n型摻雜劑例如Si、Ge、Sn、Se或Te。有源層130設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層120的一部分上。有源層130可以由具有組成式例如InxAlyGa1IyN (0x+y ( I)的半導(dǎo)體材料形成,并且可以具有選自量子線結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)以及多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)中的至少一種。例如，有源層130可以由具有多量子阱結(jié)構(gòu)的InGaN/GaN層形成。由能帶隙大于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150的能帶隙的半導(dǎo)體形成的電子阻擋層140 可以設(shè)置在有源層130上。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150設(shè)置在電子阻擋層140上。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150可以由具有組成式InxAlyGamN(0 ^ x ^ 1,0 ^ y ^ 1,0 ^ x+y ^ I)的半導(dǎo)體材料例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN, InN或InAlGaN形成，并且可以摻雜有p型摻雜劑例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。同時(shí)，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150上可以設(shè)置有第一電極160。同時(shí)，通過臺(tái)面蝕刻部分移除第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150、電子阻擋層140、有源層130以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層120，以暴露出第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層120的一部分。在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層120的暴露出的部分上形成有第二電極170。發(fā)光器件100可以通過倒裝芯片接合電連接至在封裝件本體50上的引線框51和引線框52。S卩，釬料60接合在第一電極160的上表面與引線框51之間以及第二電極170的上表面與引線框52之間。通過第一電極160供給的電流經(jīng)由第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150、電子阻擋層140、有源層130以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層120流至第二電極170。由于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層120的高電阻，所以通過第一電極160供給的較大量的電流可以沿著最短路徑從第一電極160流至第二電極170，如箭頭所示。因此，較大量的電流流至發(fā)光器件100的靠近第二電極170的一側(cè)，而較少量的電流流至發(fā)光器件100的遠(yuǎn)離第二電極170的一側(cè)。圖I中，較粗的箭頭表示較大量的電流。電流的這種不均勻的流動(dòng)可以降低內(nèi)量子效率(IQE)并且使得發(fā)光器件100被局部加熱，從而使發(fā)光器件100的可靠性劣化。圖2是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件200的截面圖。發(fā)光器件200可以包括襯底210和設(shè)置在襯底210上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220、有源層230、電子阻擋層240以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250。襯底210 可以由例如藍(lán)寶石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP, Ga2O3 或者 GaAs形成。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220設(shè)置在襯底210上。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220可以由具有組成式InxAlyGamN(0彡x彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡I)的半導(dǎo)體材料如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN或InAlGaN形成，并且可以摻雜有n型摻雜劑如Si、Ge、Sn、Se或Te。例如，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220可以由摻雜有n型摻雜劑的GaN層或AlGaN層形成。有源層230設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220的一部分上。有源層230可以由具有組成式如InxAlyGa1IyN (0x+y ( I)的半導(dǎo)體材料形成，并且可以具有選自量子線結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)以及多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)中的至少一種。例如，有源層230可以由具有多量子阱結(jié)構(gòu)的InGaN/GaN層形成。如果有源層230構(gòu)造為具有量子阱結(jié)構(gòu)，則有源層230可以具有包括具有組成式InxAlyGa1IyN(0 : x : 1,0 : y : 1,0 : x+y彡I)的講層和具有組成式InaAlbGa1^bN(0彡a彡1，0彡b彡1，0彡a+b ( I)的勢壘層的單量子阱層結(jié)構(gòu)或多量子阱層結(jié)構(gòu)。阱層可以由能帶隙小于阻擋層的能帶隙的材料形成。有源層230使用在從第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220供給的電子與從第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250供給的空穴的復(fù)合期間產(chǎn)生的能量來發(fā)出光。
襯底210與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220之間可以設(shè)置有反射層211。反射層211可以防止從有源層230發(fā)出的光被吸收到襯底210中，從而可以提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。反射層211可以是反射具有特定波長帶的光的分布式布拉格反射(DBR)層。包括由具有不同折射率的兩種材料形成的交替堆疊的層的DBR層可以透射具有第一波長帶的光和反射具有第二波長帶的光。此外，反射層211可以由光敏阻焊劑(PSR)尤其是白色光敏阻焊劑(白色PSR)形成。由能帶隙大于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250的能帶隙的半導(dǎo)體形成的電子阻擋層240可以設(shè)置在有源層230上。在本實(shí)施方案中，電子阻擋層240可以由AlGaN形成。或者，可以省略電子阻擋層240。因?yàn)殡娮幼钃鯇?40的能帶隙大于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250的能帶隙，所以可以有效防止從第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220提供給第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250的電子溢出而未在有源層230處復(fù)合。因此，電子阻擋層240可以減小由于溢出而浪費(fèi)的電子的數(shù)量，從而提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250設(shè)置在電子阻擋層240上。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250可以由具有組成式InxAlyGa1IyN(0彡x彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡I)的半導(dǎo)體材料如GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN或InAlGaN形成，并且可以摻雜有p型摻雜劑如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。例如，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250可以由摻雜有p型摻雜劑的GaN層形成。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250上設(shè)置有第一電極260。同時(shí)，通過臺(tái)面蝕刻部分移除第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250、電子阻擋層240、有源層230以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220，以暴露出第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220的一部分。在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220的暴露出部分上，即第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220的未形成源層230的部分上設(shè)置有第二電極270。在本實(shí)施方案中，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220由n型半導(dǎo)體形成，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250由p型半導(dǎo)體形成?；蛘?，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220可以由p型半導(dǎo)體形成，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250可以由n型半導(dǎo)體形成。發(fā)光器件200可以以其中將發(fā)光器件200翻轉(zhuǎn)即襯底210在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250上的狀態(tài)安裝在封裝件本體50上。發(fā)光器件200可以通過倒裝芯片接合電連接至封裝件本體50上的引線框51和引線框52。S卩,釬料60接合在第一電極260的上表面與引線框51之間以及第二電極270的上表面與引線框52之間。從襯底210到第一電極260的上表面的距離可以與從襯底210到第二電極270的上表面的距離相等。或者，從襯底210到第一電極260的上表面的距離可以與從襯底210到第二電極270的上表面的距離不同。在本實(shí)施方案中，在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250、有源層230或第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220的一部分處形成有溝槽，使得溝槽設(shè)置在第一電極260下。例如，如圖2所示，可以沿水平方向移除第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220的與第二電極270相鄰的一部分，以在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220中形成溝槽280。如果從第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220的與襯底210相對(duì)側(cè)的表面到溝槽280的高度h太小，則增加了第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220的片電阻，使得電流不能平穩(wěn)地流動(dòng)，從而增加了功耗。另一方面，如果高度h太大，則電流不能均勻地流動(dòng)。為此，高度h可以等于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220的總厚度Tl的30%到80%。例如，高度h可以是Iiim到2iim。如果溝槽280的寬度w太小，則溝槽280可不能顯著地使得電流旁通。S卩，如果寬 度w太小，則電流可以流動(dòng)而不受溝槽280影響，如圖I所示。另一方面,如果寬度w太大，則溝槽280可能干擾電流的流動(dòng)。為此，溝槽280的寬度w可以等于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250的總寬度W的20%到40%。例如，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250的寬度W可以是100 y m，并且溝槽280的寬度w可以是20 ii m到40 u m。而且，如果溝槽280的厚度tl太大，則會(huì)過度地減小高度h，而引起與由于高度h太小所引起的問題相同的問題。另一方面，如果溝槽280的厚度tl太小，則會(huì)過度地增加高度h，而引起與由于高度h太大所引起的問題相同的問題。為此，溝槽280的厚度tl可以等于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220的總厚度Tl的0. 25%到25%。例如，溝槽280的厚度tl可以是50人至10000人。在本實(shí)施方案中，溝槽280可以沿著與堆疊第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220、有源層230、電子阻擋層240以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250的方向290垂直的方向294形成。S卩，溝槽280可以沿著與襯底210的延伸方向平行的方向延伸。而且，溝槽280可以形成在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220的其上形成有第二電極270的上表面292上，使得溝槽280和第二電極270沿著水平方向294相鄰設(shè)置。S卩，溝槽280可以形成為與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220的其上形成有第二電極270的上表面292處于同一水平，使得溝槽280和第二電極270可以相鄰設(shè)置。而且，如圖2所示，溝槽280的厚度tl可以小于第二電極270的厚度t2 ;但是，本實(shí)施方案不限于此。即，溝槽280的厚度tl可以等于或者大于第二電極270的厚度t2。因?yàn)闇喜?80與第二電極270相鄰，所以通過第一電極260供給的電流如圖2中的箭頭所示旁路通過溝槽280。因?yàn)橥ㄟ^第一電極260供給的電流旁路通過溝槽280，然后流至第二電極270，所以減小了與第二電極270相鄰的一側(cè)的電流集中，從而實(shí)現(xiàn)了電流的均勻流動(dòng)。電流的這種均勻流動(dòng)可以提高IQE，并且可以防止局部加熱發(fā)光器件200，從而提高發(fā)光器件200的可靠性。圖3是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件300的截面圖。發(fā)光器件300可以包括襯底310和設(shè)置在襯底310上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320、有源層330、電子阻擋層340以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層350。襯底310、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320、有源層330、電子阻擋層340以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層350與圖2所示的襯底210、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220、有源層230、電子阻擋層240以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250在構(gòu)造上是相同的，所以，將省略其具體描述。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層350上設(shè)置有第一電極360。同時(shí)，通過臺(tái)面蝕刻部分移除第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層350、電子阻擋層340、有源層330以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320，以暴露出第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320的一部分。在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320的暴露出的部分上，即第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320的未形成源層330的部分上設(shè)置有第二電極370。發(fā)光器件300可以經(jīng)由導(dǎo)線55電連接至封裝件本體50上的引線框51和引線框52。在本實(shí)施方案中，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320由n型半導(dǎo)體形成，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層350由p型半導(dǎo)體形成。或者，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320可以由p型半導(dǎo)體形成，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層350可以由n型半導(dǎo)體形成。
在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層350、有源層330或第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320的一部分處形成有溝槽，使得溝槽設(shè)置在第一電極360下。例如，如圖3所示，可以沿水平方向移除第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320的與第二電極370相鄰的一部分，以在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320中形成溝槽380。溝槽380的高度h、寬度w和厚度tl，溝槽380的高度h與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320的總厚度Tl之間的關(guān)系，溝槽380的寬度w與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層350的寬度W之間的關(guān)系，以及溝槽380的厚度tl與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320的總厚度Tl之間的關(guān)系與圖2所示的溝槽280中的那些相同，所以將省略其詳細(xì)描述。而且，圖3所示的溝槽380的厚度大于第二電極370的厚度；但是，本實(shí)施方案不限于此。即，溝槽380的厚度可以等于或者小于第二電極370的厚度。由于溝槽380與第二電極370相鄰，所以通過第一電極360供給的電流如箭頭所示旁路通過溝槽380。因此，減小了與第二電極370相鄰的一側(cè)上的通過第一電極360供給的電流的濃度，從而實(shí)現(xiàn)了電流的均勻流動(dòng)。因此，提高了發(fā)光器件300的IQE，并且防止了局部加熱發(fā)光器件300，從而提高了發(fā)光器件300的可靠性。圖4是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件400的截面圖。發(fā)光器件400可以包括襯底410和設(shè)置在襯底410上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420、有源層430、電子阻擋層440以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層450。襯底410 可以由如藍(lán)寶石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP, Ga2O3 或者 GaAs 形成。在襯底410上可以設(shè)置有反射層411。反射層411可以防止從有源層430發(fā)出光的被吸收到襯底410中，從而可以提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。反射層411可以是反射具有特定波長帶的光的分布式布拉格反射(DBR)層。包括由具有不同折射率的兩種材料形成的交替堆疊的層的DBR層可以透射具有第一波長帶的光并且反射具有第二波長帶的光。而且，反射層411可以由光敏阻焊劑(photo solderresist, PSR)尤其是白色光敏阻焊劑(白色PSR)形成。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420設(shè)置在反射層411上。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420可以由具有組成式InxAlyGamN(0彡x彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡I)的半導(dǎo)體材料如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN或InAlGaN形成，并且可以摻雜有n型摻雜劑如Si、Ge、Sn、Se或Te。例如，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420可以由摻雜有n型摻雜劑的GaN層或AlGaN層形成。有源層430設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420的一部分上。有源層430可以由具有組成式如InxAlyGa1IyN (0x+y ( I)的半導(dǎo)體材料形成，并且可以具有選自量子線結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)以及多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)中的至少一種。例如，有源層430可以由具有多量子阱結(jié)構(gòu)的InGaN/GaN層形成。如果有源層430構(gòu)造為具有量子阱結(jié)構(gòu)，則有源層430可以具有包括具有組成式InxAlyGa1IyN (0x+y彡I)的講層和具有組成式InaAlbGa1^bN(0彡a彡1，0彡b彡1，0彡a+b ( I)的勢壘層的單量子阱層結(jié)構(gòu)或多量子阱層結(jié)構(gòu)。阱層可以由能帶隙小于勢壘層的能帶隙的材料形成。由能帶隙大于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層450的能帶隙的半導(dǎo)體形成的電子阻擋層(EBL) 440可以設(shè)置在有源層430上。在本實(shí)施方案中，電子阻擋層440可以由AlGaN形成。或者，可以省略電子阻擋層440。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層450設(shè)置在電子阻擋層440上。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層450可以由具有組成式InxAlyGa1IyN(0彡x彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡I)的半導(dǎo)體材料如GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN或InAlGaN形成，并且可以摻雜有p型摻雜劑如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。例如,第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層450可以由摻雜有p型摻雜劑的GaN層形成。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層450上設(shè)置有第一電極460。同時(shí)，通過臺(tái)面蝕刻部分移除第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層450、電子阻擋層440、有源層430以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420，以暴露出第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420的一部分。在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420的暴露出的部分上，即第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420的未形成源層430的部分上設(shè)置有第二電極470?？梢蚤g隔開地移除第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層450、電子阻擋層440以及有源層430，以形成多個(gè)第二電極470。對(duì)應(yīng)地，形成多個(gè)第一電極460。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層450、有源層430或者第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420的一部分處形成有溝槽，使得溝槽設(shè)置在第一電極460下。例如，如圖4所示，可以沿著水平方向移除第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420的與第二電極470相鄰的一部分，以在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420中形成溝槽480。在圖2或者圖3中，溝槽280或者溝槽380可以形成為與其上形成有第二電極270或者第二電極370的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220或者第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320的上表面292處于同一水平，使得溝槽280或者溝槽380與第二電極270或第二電極370相鄰設(shè)置。但是，如圖4所示，溝槽480可以形成為與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420的其上形成有 第二電極470的上表面292處于不同的水平，使得溝槽480和第二電極470相鄰設(shè)置。除此以外，溝槽480與圖2所示的溝槽280在結(jié)構(gòu)上是相同的。S卩，溝槽480的高度h、寬度w和厚度tl，溝槽480的高度h與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420的總厚度Tl之間的關(guān)系，溝槽480的寬度w與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層450的寬度W之間的關(guān)系，以及溝槽480的厚度tl與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420的總厚度Tl之間的關(guān)系與圖2所示的溝槽280中的那些相同，所以將省略其詳細(xì)描述。在本實(shí)施方案中，在一個(gè)發(fā)光器件400中形成有多個(gè)第一電極460和多個(gè)第二電極470,使得第一電極460和第二電極470交替地設(shè)置。從而，各自均具有第一電極460和第二電極470的多個(gè)單元發(fā)光器件彼此連接以構(gòu)成發(fā)光器件400。在每個(gè)單元發(fā)光器件中，第二電極470定位在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420的相對(duì)側(cè)。從而，溝槽480可以設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420的相對(duì)側(cè)。發(fā)光器件400可以通過倒裝芯片接合以其中將發(fā)光器件400翻轉(zhuǎn)的狀態(tài)電連接至封裝件本體50上的引線框51和引線框52。在本實(shí)施方案中，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420由n型半導(dǎo)體形成，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層450由p型半導(dǎo)體形成?；蛘?，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層420可以由p型半導(dǎo)體形成，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層450可以由n型半導(dǎo)體形成。在根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝件中，實(shí)現(xiàn)了電流的均勻分布。從而，提高了發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝件的發(fā)光效率，并且防止了局部加熱發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝件，從而提高了發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝件的可靠性。 而且，在發(fā)光器件300經(jīng)由導(dǎo)線55電連接至封裝件本體50上的引線框51和引線框52時(shí)，如圖3所示，發(fā)光器件300的第一電極360可以具有如下各種形狀。圖5是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件500的截面圖。圖5所示的襯底510、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層520、有源層530、電子阻擋層540、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層550、第二電極570以及溝槽580與圖3所示的襯底310、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320、有源層330、電子阻擋層340、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層350、第二電極370以及溝槽380在構(gòu)造上是相同的，從而，將省略其詳細(xì)描述。與圖3所示的發(fā)光器件300不同，圖5所示的發(fā)光器件500還可以包括透光導(dǎo)電層590。在這種情況下，透光導(dǎo)電層590設(shè)置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層550上，并且在透光導(dǎo)電層590上設(shè)置有第一電極560。圖6是不出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件600的截面圖。圖6所示的襯底610、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層620、有源層630、電子阻擋層640、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層650、第二電極670以及溝槽680與圖3所示的襯底310、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320、有源層330、電子阻擋層340、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層350、第二電極370以及溝槽380在構(gòu)造上是相同的，從而，將省略其詳細(xì)描述。圖5所不的透光導(dǎo)電層590設(shè)置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層550的整個(gè)表面上,而圖6所不的透光導(dǎo)電層690可以設(shè)置為暴露出第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層650的上表面的一部分。在這種情況下，在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層650的暴露出的部分上和透光導(dǎo)電層690的上表面上設(shè)置有第一電極660。圖5所不的透光導(dǎo)電層590和圖6所不的透光導(dǎo)電層690可以由選自銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ATO)以及鎵鋅氧化物(GZO)中的至少一種形成。在圖5和圖6中，透光導(dǎo)電層590和透光導(dǎo)電層690的厚度T4可以為20nm到200nmo圖7是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件700的截面圖。圖7所示的襯底710、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層720、有源層730、電子阻擋層740、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層750、第二電極770以及溝槽780與圖3所示的襯底310、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層320、有源層330、電子阻擋層340、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層350、第二電極370以及溝槽380在構(gòu)造上是相同的，從而，將省略其詳細(xì)描述。圖7所示的發(fā)光器件700還可以包括部分設(shè)置在第一電極760與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層750之間以及透光導(dǎo)電層790與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層750之間的絕緣層792。除此之夕卜，圖7所示的發(fā)光器件700與圖6所示的發(fā)光器件600是相同的。例如，絕緣層792可以由Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4或Al2O3形成。而且，絕緣層792的厚度T5可以為IOnm到500nm ；但是，絕緣層792的厚度不限于此。圖8是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件800的截面圖。與圖7所示的發(fā)光器件700不同，圖8所示的發(fā)光器件800還可以包括鈍化層894，并且襯底810可以是在其上表面處形成有突起812的圖案化的藍(lán)寶石襯底(PSS)。例如，襯底810可以由選自藍(lán)寶石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP以及Ge中的至少一種形成；但是，用于襯底810的材料不限于此。 如果如上所述在襯底810的上表面處形成有突起，則從有源層830發(fā)出的光可以以散射的方式被有效地反射并且朝著發(fā)光面前進(jìn)。從而，可以提高光提取效率(LEE)。除此之外，圖8所示的發(fā)光器件800與圖7所示的發(fā)光器件700是相同的。圖8所不的鈍化層894覆蓋選自第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層820、有源層830、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層850、透光導(dǎo)電層890、第一電極860以及第二電極870中的至少之一。例如鈍化層894覆蓋第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層820、有源層830、電子阻擋層840、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層850以及透光導(dǎo)電層890的側(cè)面。而且，鈍化層894部分覆蓋第一電極860和第二電極870的側(cè)面和上表面以及透光導(dǎo)電層890的上部。鈍化層894用于防止電流從發(fā)光器件800泄露以及保護(hù)芯片免受粒子影響。在圖I至圖8所示的發(fā)光器件100至800中，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層120、220、320、420、520、620、720 或820 的厚度Tl 可以為 I U m至Ij 3 y m，有源層 130、230、330、430、530、630、730或830的厚度T2可以為IOnm到lOOnm，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150、250、350、450、550、650、750或850的厚度T3可以為50nm到300nm。而且，在圖I至圖8所示的發(fā)光器件100至800中，第一電極160、260、360、460、560,660,760或860可以由具有歐姆和反射功能的材料形成。而且，在圖2至圖8所示的發(fā)光器件200至800中，溝槽280、380、480、580、680、780或880形成在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220、320、420、520、620、720或820中。但是，這些實(shí)施方案不限于此。S卩，溝槽可以形成在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250、350、450、550、650、750或850、有源層230、330、430、530、630、730或830或者第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220、320、420、520、620、720或820的一部分處，使得溝槽設(shè)置在第一電極260、360、460、560、660、760或860 下。溝槽 280、380、480、580、680、780 或 880 可以形成為與第二電極 270、370、470、570、670、770 或 870 相鄰。例如，溝槽280、380、480、580、680、780 或 880 可以形成在有源層 230、330、430、530,630,730或830、電子阻擋層240、340、440、540、640、740或840或者第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250、350、450、550、650、750或850中，而不形成在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220、320、420、520、620、720或820中。或者，溝槽280、380、480、580、680、780或880可以形成在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 220、320、420、520、620、720 或 820 與有源層 230、330、430、530、630、730 或 830之間的界面處?；蛘?，溝槽280、380、480、580、680、780或880可以形成在有源層230、330、430、530、630、730或830與電子阻擋層240、340、440、540、640、740或840之間的界面處?；蛘撸瑴喜?280、380、480、580、680、780 或 880 可以形成在電子阻擋層 240、340、440、540、640、740或840與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層250、350、450、550、650、750或850之間的界面處。圖9A至圖9C是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的溝槽980的形狀的截面圖。圖2至圖8中所示的溝槽280、380、480、580、680、780或880具有垂直的內(nèi)側(cè)面；但是，溝槽的形狀不限于此。溝槽280、380、480、580、680、780或880可以具有各種形狀。例如，溝槽980的內(nèi)側(cè)面902可以不是垂直的而如圖9A所示是圓的?；蛘撸鐖D9B所示，溝槽980的內(nèi)側(cè)面904可以形成為關(guān)于拐點(diǎn)為三角形?；蛘?，如圖9C所示，溝槽980的表面可以不是平滑的而是在溝槽980的表面處形成有粗糙結(jié)構(gòu)。在溝槽980的表面處形成有粗糖結(jié)構(gòu)時(shí)，可以進(jìn)一步提聞發(fā)光效率。
圖10是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件1000的視圖。發(fā)光器件封裝件1000包括封裝件本體1010、引線框1012及1014、發(fā)光器件1020、反射板1025以及樹脂層1040。在封裝件本體1010的上表面處形成有腔。腔可以具有傾斜的側(cè)壁。封裝件本體可以由顯示出高的絕緣性和熱導(dǎo)率的襯底如硅基晶片級(jí)封裝件、硅襯底、碳化硅(SiC)或氮化鋁(AlN)形成。封裝件本體1010可以包括多個(gè)堆疊的襯底。封裝件本體1010的材料、結(jié)構(gòu)以及形狀不限于此。考慮到發(fā)光器件1012的散熱或絕緣，引線框1012和1014設(shè)置在封裝件本體1010上，使得引線框1012和1014彼此電絕緣。發(fā)光器件1020電連接至引線框1012和1014。發(fā)光器件1020可以是圖2所示至圖8所示的發(fā)光器件200至800中的一種。發(fā)光器件1020可以通過倒裝芯片接合電連接至在封裝件本體1010上的引線框1012和1014。這時(shí)，發(fā)光器件1020可以經(jīng)由釬料1021電連接至封裝件本體1010上的引線框1012和1014?；蛘?，如圖3及圖5至圖8所示，發(fā)光器件1020可以經(jīng)由引線55電連接至在封裝件本體1010上的引線框1012和1014。反射板1025設(shè)置在封裝件本體1010的腔的側(cè)壁處，以沿著預(yù)定方向引導(dǎo)從發(fā)光器件1020發(fā)出的光。反射板1025由反光材料形成。例如，反射板1025可以是金屬涂層或
薄金屬片。樹脂層1040包圍定位在封裝件本體1010的腔中的發(fā)光器件1020，以保護(hù)發(fā)光器件1020免受外部環(huán)境的影響。樹脂層1040可以由無色透明的聚合物樹脂材料如環(huán)氧樹脂或硅樹脂形成。樹脂層1040可以包含熒光材料以改變從發(fā)光器件1020發(fā)出的光的波長。在本實(shí)施方案中，板上可以設(shè)置有多個(gè)發(fā)光器件封裝件。發(fā)光器件封裝件的光學(xué)路徑上可以設(shè)置有光學(xué)構(gòu)件如導(dǎo)光板、棱鏡片或擴(kuò)散片。在其它實(shí)施方案中，可以實(shí)現(xiàn)包括根據(jù)以上實(shí)施方案之一的發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝件的顯示裝置、指示裝置以及照明系統(tǒng)。例如，照明系統(tǒng)可以包括燈和街燈。圖11是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的具有發(fā)光模塊的照明系統(tǒng)的視圖。該照明系統(tǒng)可以包括發(fā)光模塊1120和導(dǎo)光件1130，以調(diào)節(jié)從發(fā)光模塊1120發(fā)出的光的方向角。
發(fā)光模塊1120可以包括設(shè)置在印刷電路板(PCB)1121上的至少一個(gè)發(fā)光器件1122(或至少一個(gè)發(fā)光器件封裝件)。發(fā)光器件1122可以是圖I至圖8所示發(fā)光器件100至800中的之一或者是圖10所示的發(fā)光器件封裝件1000。多個(gè)發(fā)光器件1122可以間隔開地設(shè)置在PCB1121上。每個(gè)發(fā)光器件可以是如發(fā)光二極管(LED)。導(dǎo)光件1130聚集從發(fā)光模塊1120發(fā)出的光，使得光通過具有預(yù)定方向角的開口發(fā)出。導(dǎo)光件1130可以具有形成在其內(nèi)側(cè)的鏡面。發(fā)光模塊1120和導(dǎo)光件1130可以彼此間隔開預(yù)定的距離d。如上所述，照明系統(tǒng)可以用作通過多個(gè)發(fā)光器件1122發(fā)光的照明燈，尤其是用作埋在建筑物的天花板中或墻中使得導(dǎo)光件1130的開口暴露出的埋燈(筒燈)。雖然已經(jīng)參照大量示意性實(shí)施方案描述了實(shí)施方案，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在本公開內(nèi)容的原理的精神和范圍內(nèi)設(shè)計(jì)出大量其它的修改和實(shí)施方案。更具體地，可以在本公開內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對(duì)主題組合設(shè)置的部件和/或設(shè)置 進(jìn)行各種變化和修改。除了部件和/或設(shè)置方面的變化和修改，替選用途對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也是明顯的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括 襯底； 設(shè)置在所述襯底上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分上的有源層； 設(shè)置在所述有源層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 設(shè)置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第一電極；以及 設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的其它部分上的第二電極， 其中在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述有源層或所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分處形成有溝槽，使得所述溝槽設(shè)置在所述第一電極下。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽為沿平行于所述襯底的延伸方向延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽形成為與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的其上形成有所述第二電極的表面處于同一水平，使得所述溝槽和所述第二電極相鄰設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽形成為與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的其上形成有所述第二電極的表面處于不同的水平，使得所述溝槽和所述第二電極相鄰設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽的厚度大于所述第二電極的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽的厚度小于所述第二電極的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽的表面處形成有粗糙結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中從所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的與所述襯底相對(duì)側(cè)的表面到所述溝槽的高度是所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的總厚度的30%到 80%。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽的寬度等于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的總寬度的20%到40%。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽的厚度等于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的總厚度的O. 25%到25%。
11.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中從所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的與所述襯底相對(duì)側(cè)的表面到所述溝槽的高度是I μ m到2 μ m。
12.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽的寬度是20μ m到40 μ m0
13.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽的厚度是50Λ到ιοοοοΑ。
14.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述襯底與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的反射層。
15.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述有源層與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的電子阻擋層。
16.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中從所述襯底到所述第一電極的上表面的距離與從所述襯底到所述第二電極的上表面的距離相等。
17.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中從所述襯底到所述第一電極的上表面的距離與從所述襯底到所述第二電極的上表面的距離不同。
18.—種發(fā)光器件,包括 襯底； 設(shè)置在所述襯底上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分上的有源層； 設(shè)置在所述有源層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 設(shè)置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的透光導(dǎo)電層； 設(shè)置在所述透光導(dǎo)電層上的第一電極；以及 設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的其它部分上的第二電極； 其中在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述有源層或所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分處形成有溝槽，使得所述溝槽設(shè)置在所述第一電極下。
19.根據(jù)權(quán)利要求I或18所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽設(shè)置為與所述第二電極相鄰。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件，其中所述透光導(dǎo)電層設(shè)置為暴露出所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的上表面的一部分，并且所述第一電極設(shè)置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的所述暴露出的部分上和所述透光導(dǎo)電層的上部上。
21.根據(jù)權(quán)利要求18或20所述的發(fā)光器件，其中所述透光導(dǎo)電層由選自銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ATO)以及鎵鋅氧化物(GZO)中的至少一種形成。
22.根據(jù)權(quán)利要求I至7、18和20中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述第一電極與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的絕緣層。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的發(fā)光器件，還包括覆蓋選自所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述有源層、所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述透光導(dǎo)電層、所述第一電極以及所述第二電極中的至少之一的鈍化層。
24.一種發(fā)光器件封裝件，包括 封裝件本體； 根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，所述發(fā)光器件設(shè)置在所述封裝件本體上； 設(shè)置在所述封裝件本體上的引線框，使得所述弓I線框電連接至所述發(fā)光器件；以及 包圍所述發(fā)光器件的樹脂層。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述發(fā)光器件通過倒裝芯片接合電連接至所述引線框。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述發(fā)光器件經(jīng)由導(dǎo)線電連接至所述引線框。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述發(fā)光器件經(jīng)由釬料電連接至所述引線框。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述樹脂層包含熒光材料。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述封裝件本體具有腔，并且所述發(fā)光器件安裝在所述腔中。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的發(fā)光器件封裝件，其中在所述腔的側(cè)壁處設(shè)置有反射板。
31.一種照明系統(tǒng)，包括根據(jù)權(quán)利要求24所述的發(fā)光器件封裝件。
全文摘要
公開了一種發(fā)光器件、一種發(fā)光器件封裝件以及一種照明系統(tǒng)。該發(fā)光器件包括襯底、設(shè)置在襯底上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、設(shè)置第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分上的有源層、設(shè)置在有源層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、設(shè)置第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第一電極以及設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的其它部分上的第二電極，其中在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層或第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分處形成有溝槽，使得溝槽設(shè)置在第一電極下。
文檔編號(hào)H01L33/20GK102832307SQ20121010346
公開日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月13日
發(fā)明者黃盛珉 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司