用于大底座封裝和大管芯層疊封裝結(jié)構(gòu)的偏移中介層的制作方法
【專利摘要】一種偏移中介層包括：焊盤側(cè)，其包括焊盤側(cè)球柵陣列（BGA）；以及層疊封裝（POP）側(cè)，其包括POP側(cè)BGA。焊盤側(cè)BGA包括兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊，并且POP側(cè)BGA包括兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊，其通過該偏移中介層耦接到相應(yīng)的兩個焊盤側(cè)BGA。焊盤側(cè)BGA被配置為與第一級互連相連接。POP側(cè)BGA被配置為與POP基板相連接。兩個焊盤側(cè)焊墊中的每一個均具有與相應(yīng)的兩個POP側(cè)焊墊不同的足跡。
【專利說明】用于大底座封裝和大管芯層疊封裝結(jié)構(gòu)的偏移中介層
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]所公開的實施例涉及層疊封裝中介層。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0002]為了理解獲得實施例的方式，將參考附圖來呈現(xiàn)上面簡要描述的各種實施例的更具體的描述。這些附圖描繪了不一定按比例繪制的實施例，并且不應(yīng)該被認為是對范圍的限制。將通過使用附圖以附加特征和細節(jié)來描述和解釋一些實施例，在附圖中:
[0003]圖1a是根據(jù)示例實施例的偏移中介層的截面正視圖；
[0004]圖1b是根據(jù)示例實施例的被置于第一級互連上的偏移中介層的截面正視圖；
[0005]圖2是根據(jù)示例實施例的在圖1a中描繪的偏移中介層的俯視圖；
[0006]圖3是根據(jù)示例實施例的偏移中介層的截面正視圖；
[0007]圖4是根據(jù)示例實施例的具有偏移中介層的芯片封裝的截面正視圖；
[0008]圖5是根據(jù)示例實施例的在圖4中描繪的偏移中介層的俯視剖面圖；
[0009]圖6a是根據(jù)示例實施例的具有偏移中介層的芯片封裝的截面正視圖；
[0010]圖6b是根據(jù)示例實施例的具有偏移中介層的芯片封裝的截面正視圖；
[0011]圖7是根據(jù)示例實施例的具有偏移中介層的芯片封裝的截面正視圖；
[0012]圖8是根據(jù)示例實施例的具有偏移中介層的芯片封裝的截面正視圖；
[0013]圖9是根據(jù)示例實施例的過程和方法的流程圖；以及
[0014]圖10是根據(jù)示例實施例的計算機系統(tǒng)的示意圖。
【具體實施方式】
[0015]公開了偏移中介層(offset interposer)與微電子設(shè)備組裝和f禹接為芯片封裝的過程。偏移中介層實施例允許芯片封裝設(shè)計者在封裝過程中減輕諸如邏輯器件和存儲器件之間的連接任務(wù)。
[0016]現(xiàn)在將參考附圖，在附圖中可以給相似的結(jié)構(gòu)提供相似的后綴參考標記。為了更清楚地示出各個實施例的結(jié)構(gòu)，本文中包括的附圖是組裝到偏移中介層實施例的集成電路芯片的示意圖表示。因此，所制造的芯片基板(不管是單獨的還是在芯片封裝中的)的實際外觀，例如在顯微照片中，可能會顯示的不同，但仍然納入所示實施例的所要求保護的結(jié)構(gòu)。此外，附圖可能僅示出了對理解圖示的實施例有用的結(jié)構(gòu)。為了保持附圖的清晰，可能沒有包括本領(lǐng)域中已知的額外結(jié)構(gòu)。
[0017]圖1a是根據(jù)示例實施例的偏移中介層100的橫截面正視圖。偏移中介層100包括中央通孔108 (也被稱為內(nèi)邊緣108)，提供該中央通孔是為了允許第一級設(shè)備(例如處理器)的間隙。類似地，中介層側(cè)邊緣106 (也被稱為外邊緣106)定義偏移中介層100的外側(cè)表面和周界。
[0018]偏移中介層100還包括焊盤側(cè)(land-side) 112，焊盤側(cè)112被配置成與第一級互連(例如處理器的封裝)連接。與焊盤側(cè)112相對的是層疊封裝(POP)側(cè)110，諸如存儲器模塊之類的POP結(jié)構(gòu)被組裝到層疊封裝側(cè)110上。
[0019]兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊114和116(在橫截面中使用每一側(cè)出現(xiàn)兩次來指示)置于焊盤側(cè)112上。焊盤側(cè)焊墊114和116是被配置為與第一級互連連接的焊盤側(cè)球柵陣列(BGA)的一部分。類似地，兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊118和120 (在橫截面中使用每一側(cè)出現(xiàn)兩次來指示)置于POP側(cè)110上。可以看到，對于兩個焊盤側(cè)焊墊114和116來說，它們具有與兩個POP側(cè)焊墊118和120不同的X-Y朝向(其中Y方向與該圖的平面正交)。這意味著雖然POP側(cè)焊墊118和120通過中介層耦接到相應(yīng)的焊盤側(cè)焊墊114和116，但是它們在X或Y方向中的至少一個方向上(在這些圖示的實施例中，是在X方向上)是偏移的或“平移的”。
[0020]給定的POP側(cè)焊墊118通過第一跡線124和有用的過孔125耦接到給定的焊盤側(cè)焊墊114。類似地，給定的相鄰的且分隔開的POP側(cè)焊墊120通過第二跡線126和有用的過孔127耦接到相應(yīng)的給定的焊盤側(cè)焊墊116。
[0021]在偏移中介層100上如其右側(cè)所指示的，焊盤側(cè)焊墊間距128和POP側(cè)焊墊間距130定義了相應(yīng)側(cè)的焊墊中心到中心間距。在一個實施例中，焊盤側(cè)焊墊間距128被配置為與連接常規(guī)的第一級球柵陣列(BGA)互連的常規(guī)的焊墊間距相匹配。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距130等于焊盤側(cè)焊墊間距128。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距130為0.5mm。在一個實施例中，焊盤側(cè)焊墊間距128為0.5mm。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距130為
0.5mm,并且焊盤側(cè)焊墊間距128小于0.5mm。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距130為單位距離，并且焊盤側(cè)焊墊間距128小于單位距離(例如為單位距離的80%)。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距130為0.5mm,并且焊盤側(cè)焊墊間距128為0.4mm。
[0022]POP側(cè)焊墊118和120分別相對于焊盤側(cè)焊墊114和116在X方向偏移或平移。如圖所示，焊盤側(cè)焊墊114和116具有焊盤側(cè)的周界特征尺寸134，并且POP側(cè)焊墊118和120具有POP側(cè)的周界特征尺寸132。在該實施例中看到，焊盤側(cè)的周界特征尺寸134大于POP側(cè)的周界特征尺寸134。當在俯視圖(見圖2)中觀察時，POP側(cè)焊墊以小于焊盤側(cè)焊墊的周界但與之同心的周界進行排列。
[0023]在一個實施例中，POP側(cè)焊墊118和120的偏移使得POP側(cè)的周界特征尺寸132小于焊盤側(cè)的周界特征尺寸134，從而使得跡線124和126的X長度小于圖1a中所描繪的。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊118和120的偏移使得POP側(cè)的周界特征尺寸132小于焊盤側(cè)的周界特征尺寸134，從而使得不需要圖1a中所描繪的跡線124和126。例如，當不需要跡線124時,POP側(cè)焊墊118的足跡(footprint)與焊盤側(cè)焊墊114的足跡重疊。過孔125通過中介層100借由直接接觸來對兩個相應(yīng)的焊墊118和114進行互連(見圖3)。換句話說，POP側(cè)焊墊118具有與其相應(yīng)的焊盤側(cè)焊墊114不同的足跡。類似地，例如，當不需要跡線126時，POP側(cè)焊墊120的足跡與焊盤側(cè)焊墊116的足跡重疊，并且過孔127通過中介層100借由直接接觸來對兩個相應(yīng)的焊墊120和116進行互連。
[0024]圖2是根據(jù)示例實施例的在圖1a中描繪的偏移中介層100的俯視圖。用虛線來指示間隔開的但相鄰的焊盤側(cè)焊墊114和116中的每一個的兩次出現(xiàn)，這是因為它們在POP側(cè)柵格陣列(LGA)中在POP側(cè)110的下面。類似地，間隔開但相鄰的POP側(cè)焊墊118和120中的每一個的兩次出現(xiàn)被指示在焊盤側(cè)BGA中置于POP側(cè)110上。
[0025]如同在剖面線Ia處所看到的，POP側(cè)焊墊118和120分別相對于焊盤側(cè)焊墊114和116在X方向進行了偏移。如圖所示，焊盤側(cè)焊墊114和116具有焊盤側(cè)的周界特征尺寸134，并且POP側(cè)焊墊118和120具有POP側(cè)的周界特征尺寸132。在該實施例中看到，焊盤側(cè)的周界特征尺寸134大于POP側(cè)的周界特征尺寸134。還可以看到，沒有發(fā)生POP側(cè)焊墊118和120與焊盤側(cè)焊墊114和116的足跡重疊。然而，在一個實施例中，發(fā)生了 POP側(cè)焊墊118和120與焊盤側(cè)焊墊114和116的某些足跡重疊(參見圖3)。
[0026]因為在耦接到焊盤側(cè)焊墊的POP側(cè)焊墊之間可能存在一一對應(yīng)的關(guān)系，所以可能出現(xiàn)若干虛的焊盤側(cè)焊墊，然而這些虛的焊盤側(cè)焊墊可能用于增加的熱和物理沖擊增強以及用于額外的功率和/或地電流。作為圖示的實施例，在POP側(cè)110上描繪了 56個POP側(cè)焊墊，但是當中心到中心距和焊墊尺寸在POP側(cè)110與焊盤側(cè)112之間相匹配時，多達88個焊盤側(cè)焊墊位于焊盤側(cè)112上。
[0027]圖1b是根據(jù)示例實施例的具有偏移中介層100的芯片封裝101的截面正視圖。圖1a中示出的偏移中介層100被描繪為安裝在第一級互連136 (諸如電子設(shè)備138的安裝基板)上。由于POP側(cè)的周界特征尺寸132小于焊盤側(cè)的特征尺寸134，因此第一級互連136可以被稱為大底座封裝。
[0028]在一個實施例中，電子設(shè)備138是處理器(諸如由加利福尼亞州圣克拉拉的英特爾公司制造的處理器)。在一個實施例中，處理器是Atom?處理器。在一個實施例中，處理器是來自英特爾公司的代號為Penwell?的類型。電子設(shè)備138以倒裝芯片的方式安裝到第一級互連136上，并且其具有活動表面140和背面表面142。第一級互連136上的芯片的其它配置可以包括絲焊芯片，其活動表面背向第一級互連136。第一級互連136還被配置為:通過電陣列(諸如使用若干電凸塊146示出的球柵陣列)與基本基板144 (諸如智能電話主板)通信。用于連接第一級互連的其它方式包括代替電凸塊的焊盤柵格陣列。
[0029]偏移中介層100通過與圖1a和圖2中描繪的焊盤側(cè)焊墊114和116相對應(yīng)的一系列電凸塊115和117耦接到第一級互連136。電凸塊115和117被置于焊盤側(cè)112上。類似地，一系列電凸塊119和121被置于POP側(cè)110上。所述一系列電凸塊119和121分別與圖1a和圖2中描繪的POP側(cè)焊墊118和120相對應(yīng)。所述一系列電凸塊119和121是POP側(cè)的互連。出于說明的目的描述了電凸塊119和121，這是因為它們可能是POP封裝的一部分，從而使得POP側(cè)焊墊118和120是POP LGA的一部分。
[0030]因為偏移中介層100的平移效果，可以保持底部填充材料152的有用的排除區(qū)域(K0Z)150，并且較大的邏輯管芯138具有有用的底部填充量，而所述一系列凸塊115和117仍然被保護免于受到底部填充材料152的污染。
[0031]在一個實施例中，芯片封裝101被組裝到具有智能電話形式因子的計算系統(tǒng)。在一個實施例中，芯片封裝101被組裝到具有平板形式因子的計算系統(tǒng)。
[0032]圖3是根據(jù)示例實施例的偏移中介層300的截面正視圖。偏移中介層300包括中央通孔308，提供該中央通孔以便為第一級設(shè)備(例如處理器)提供間隙。類似地，中介層側(cè)邊緣306定義偏移中介層300的外側(cè)表面。偏移中介層300還包括焊盤側(cè)312，焊盤側(cè)312被配置成與第一級互連(諸如處理器的封裝)連接。與焊盤側(cè)312相對的是POP側(cè)310。
[0033]兩個相鄰的、間隔開的焊盤側(cè)焊墊314和316置于焊盤側(cè)312上。類似地，兩個相鄰的、間隔開的POP側(cè)焊墊318和320置于POP側(cè)310上。給定的POP側(cè)焊墊318通過有用的過孔325耦接到給定的焊盤側(cè)焊墊314。類似地，給定的相鄰且分隔開的POP側(cè)焊墊320通過有用的過孔327耦接到相應(yīng)的給定的焊盤側(cè)焊墊316。
[0034]在偏移中介層300上如同其右側(cè)所指示的，焊盤側(cè)焊墊間距328和POP側(cè)焊墊間距330定義了相應(yīng)側(cè)的中心到中心焊墊間距。在一個實施例中，焊盤側(cè)焊墊間距328被配置為與連接常規(guī)的第一級互連的常規(guī)的焊墊間距相匹配。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距330等于焊盤側(cè)焊墊間距328。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距330為0.5mm。在一個實施例中，焊盤側(cè)焊墊間距328為0.5mm。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距330為0.5mm,并且焊盤側(cè)焊墊間距328小于0.5mm。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距330為單位距離，并且焊盤側(cè)焊墊間距328小于單位距離(例如為單位距離的80%)。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距330為0.5mm,并且焊盤側(cè)焊墊間距328為0.4mm。
[0035]POP側(cè)焊墊318和320分別相對于焊盤側(cè)焊墊314和316在X方向上進行了偏移或平移。如圖所示，焊盤側(cè)焊墊314和316具有焊盤側(cè)的周界特征尺寸334，并且POP側(cè)焊墊318和320具有POP側(cè)的周界特征尺寸332。在該實施例中看到，焊盤側(cè)的周界特征尺寸334大于POP側(cè)的周界特征尺寸334。當在俯視圖中觀察時，POP側(cè)焊墊以小于焊盤側(cè)焊墊的周界但與之同心的周界進行排列。
[0036]如同根據(jù)實施例所示出的，POP側(cè)焊墊318和320的偏移使得POP側(cè)的周界特征尺寸332小于焊盤側(cè)的周界特征尺寸334，從而使得不需要圖1a中所描繪的跡線124和126。例如，POP側(cè)焊墊318的足跡與焊盤側(cè)焊墊314的足跡(當在Z方向上投影時在X方向上)重疊，并且過孔325通過直接接觸來對兩個相應(yīng)的焊墊318和314進行互連。類似地，例如，POP側(cè)焊墊320的足跡與焊盤側(cè)焊墊316的足跡重疊，并且過孔327通過直接接觸來對兩個相應(yīng)的焊墊320和318進行互連。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊與焊盤側(cè)焊墊的重疊是百分之百的。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊與焊盤側(cè)焊墊的重疊的范圍從百分之一到小于百分之百。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊與焊盤側(cè)焊墊的重疊小于百分之50。圖3中示出了該實施例。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊與焊盤側(cè)焊墊的重疊大于百分之50?，F(xiàn)在可以明白的是，一個實施例包括POP側(cè)焊墊114和116的X-Y足跡不包括兩個相應(yīng)的焊盤側(cè)焊墊118和120的X-Y足跡投影。這意味著任何POP側(cè)焊墊的X-Y足跡與其焊盤側(cè)焊墊的投影沒有重疊?？梢栽趫D1a和圖2中看到該實施例。
[0037]現(xiàn)在可以明白的是，與由焊盤側(cè)的周界特征尺寸134定義的周界相比，由POP側(cè)的周界特征尺寸132定義的周界更接近內(nèi)邊緣108。如圖所示，與POP側(cè)的周界特征尺寸132相比，焊盤側(cè)的周界特征尺寸134更接近外邊緣106。在一個實施例中，兩個特征尺寸132和134是相同的。在所有其它的實施例中，焊盤側(cè)的周界特征尺寸134更接近外邊緣106，并且POP側(cè)的周界特征尺寸132更接近內(nèi)邊緣108。
[0038]圖4是根據(jù)示例實施例的具有偏移中介層400的芯片封裝401的截面正視圖。在一個實施例中，芯片封裝401被組裝到具有平板形式因子的計算系統(tǒng)。在一個實施例中，芯片封裝401被組裝到具有智能電話形式因子的計算系統(tǒng)。
[0039]圖4中示出的偏移中介層400被描繪為安裝在第一級互連436 (諸如電設(shè)備438的安裝基板)上。電子設(shè)備438以倒裝芯片的方式安裝到第一級互連436上，并且其具有活動表面440和背面表面442。第一級互連436上的芯片的其它配置可以包括絲焊芯片，其活動表面背向第一級互連436。第一級互連436還被配置為與基本基板(諸如圖1a中描繪的基本基板144)通信?；净蹇梢允峭ㄟ^電陣列(諸如使用幾個電凸塊446示出的球柵陣列)通信的平板主板。
[0040]偏移中介層400通過與焊盤側(cè)表面410上的焊盤側(cè)焊墊相對應(yīng)的一系列電凸塊415和417耦接到第一級互連436。電凸塊415和417置于焊盤側(cè)412上。類似地，一系列電凸塊419、421和453置于POP側(cè)410上。出于說明的目的描述了電凸塊419、421和453，這是因為它們可能是POP封裝的一部分，從而使得POP側(cè)焊墊(諸如圖1a中描繪的POP側(cè)焊墊118和120)是POP LGA的一部分。
[0041]根據(jù)一個實施例，在剖面圖的左側(cè)看到三個電凸塊419、421和453，但是在其右偵牝在該剖面圖中僅看到兩個電凸塊419和421。對圖示的實施例進一步說明，POP側(cè)焊墊間距430大于焊盤側(cè)焊墊間距428。在焊盤側(cè)412和POP側(cè)410 二者上，凸塊計數(shù)可以是相同的，然而，由于焊盤側(cè)間距428較小，這允許焊盤側(cè)412上的凸塊陣列比POP側(cè)410上的凸塊陣列更密集。在一個示例實施例中，POP側(cè)410上的凸塊計數(shù)與焊盤側(cè)412上的凸塊計數(shù)是相同的。在一個示例實施例中，焊盤側(cè)412上的凸塊計數(shù)是88，并且其在POP側(cè)410上與在焊盤側(cè)412上是相同的。
[0042]在一個實施例中，POP側(cè)的凸塊419、421和453容納具有與偏移中介層400相同的X-Y維度的POP封裝(沒有示出，例如參見圖6、7和8)。然而，區(qū)別在于:與電連接的焊盤側(cè)的凸塊415和417相比，POP側(cè)410上的電連接的POP側(cè)凸塊419,421和453以較大的間隙設(shè)置。
[0043]在偏移中介層400上如同其左側(cè)所指示的，焊盤側(cè)焊墊間距428和POP側(cè)焊墊間距430定義了相應(yīng)側(cè)的焊墊間距。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距430為0.5mm,并且焊盤側(cè)焊墊間距428為0.4mm。在本公開內(nèi)容中闡述的其它相當?shù)腜OP到焊盤側(cè)焊墊間距實施例可以應(yīng)用于該實例。
[0044]在一個實施例中，焊盤側(cè)焊墊間距428被配置為與連接常規(guī)的第一級互連的常規(guī)的焊墊間距相匹配。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距430等于焊盤側(cè)焊墊間距428。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距430為0.5mmο在一個實施例中，焊盤側(cè)焊墊間距428為0.5mm。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距430為0.5mm,并且焊盤側(cè)焊墊間距428小于0.5mm。在一個實施例中，POP側(cè)焊墊間距430為單位距離，并且焊盤側(cè)焊墊間距428小于單位距離(例如為單位距離的80%)。
[0045]現(xiàn)在可以明白的是，偏移中介層400可以具有容納兩凸塊的電連接行的焊盤側(cè)焊墊，而POP側(cè)焊墊容納三凸塊的電連接行。在示例實施例中，通過使用被配置為兩凸塊的電連接行的更緊間隙焊盤側(cè)凸塊415和417陣列，使將要安裝到POP凸塊419、421和453上的存儲器模塊容納并且適于較大的邏輯管芯438。在一個實施例中，芯片封裝401被組裝到具有平板形式因子的計算系統(tǒng)。
[0046]圖5是根據(jù)示例實施例的在圖4中描繪的偏移中介層400的俯視剖面圖500。在剖面線4處示出了圖4中描繪的偏移中介層400。當沿X方向從左向右看時，可以看到在左側(cè)，一系列電凸塊419、421和453混合成具有三個凸塊的行，其位于交替的具有兩個凸塊的行之間。類似地，根據(jù)一個實施例，在右側(cè)，一系列電凸塊419和421混合成具有兩個凸塊的行，其位于交替的具有三個凸塊的行之間。在一個實施例中，可以混合和匹配兩凸塊的行、三凸塊的行的配置?？梢钥吹剑诘撞坑覀?cè)，兩個三凸塊的行間隔開并且彼此相鄰。
[0047]如圖所示，一系列電凸塊419、421、453 (以及從左到右連續(xù))421和419有助于定義POP側(cè)的周界特征尺寸432。
[0048]圖6a是根據(jù)示例實施例的具有偏移中介層600的芯片封裝601的截面正視圖。圖6中不出的偏移中介層600被描繪為安裝在第一級互連636 (諸如電設(shè)備638的安裝基板)上。根據(jù)本公開內(nèi)容中闡述的實施例中的任意一個，第一級互連636也被描繪為安裝在基本基板644上。電子設(shè)備638以倒裝芯片的方式安裝在第一級互連636上。
[0049]POP基板654安裝在偏移中介層600的POP側(cè)上的電凸塊上。POP基板654被描繪為具有諸如存儲器管芯656之類的POP設(shè)備658。
[0050]現(xiàn)在可以明白的是，偏移中介層600可以具有容納例如第一級互連636上的12x12mm大小的焊接點(landing)的焊盤側(cè)焊墊，并且POP側(cè)焊墊容納小于12x12大小示例的POP基板654。因此，當偏移中介層600在第一級互連636上的足跡是例如12x12mm時，并且當POP設(shè)備656較小時，偏移中介層600容納較小尺寸的POP設(shè)備656，而不破壞可能是中介層600在第一級互連636上的足跡的有用的12x12mm尺寸。
[0051]現(xiàn)在可以明白的是，偏移中介層600可以具有容納給定的電子設(shè)備638所需要的例如14x14mm大小的焊接點的焊盤側(cè)焊墊，同時第一級互連636上的焊接點的尺寸需要是14x14mm, POP側(cè)焊墊容納較小但可能有用的POP基板654，例如，12x12mm的足跡。在示例實施例中，需要較大的處理器638，但是POP基板654具有偏移中介層600上的12x12mm的足跡?，F(xiàn)在可以明白的是，所有相當?shù)暮笁|盤間距的實施例可以應(yīng)用到該實例。
[0052]圖6b是根據(jù)示例實施例的具有偏移中介層400的芯片封裝603的截面正視圖。圖6中不出的偏移中介層400被描繪為安裝在第一級互連636 (諸如電子設(shè)備638的安裝基板)上。根據(jù)本公開內(nèi)容中闡述的實施例中的任意一個，第一級互連636也被描繪為安裝在基本基板644上。電子設(shè)備638以倒裝芯片的方式安裝在第一級互連636上。
[0053]POP基板654安裝在偏移中介層600的POP側(cè)上的電凸塊上。POP基板654被描繪為具有諸如存儲器管芯656之類的POP設(shè)備658。
[0054]現(xiàn)在可以明白的是，偏移中介層400和POP基板654可以具有類似的X_Y形式因子?，F(xiàn)在可以明白的是，所有相當?shù)暮笁|間距的實施例可以應(yīng)用到該實例。
[0055]圖7是根據(jù)示例實施例的具有偏移中介層700的芯片封裝701的截面正視圖。圖7中示出的偏移中介層700被描繪為安裝在第一級互連736 (諸如電子設(shè)備738的安裝基板)上。根據(jù)本公開內(nèi)容中闡述的實施例中的任意一個，第一級互連736也被描繪為安裝在基本基板744上。電子設(shè)備738以倒裝芯片的方式安裝在第一級互連736上。根據(jù)一個實施例，堆疊管芯758安裝在電子設(shè)備738上。堆疊管芯754是通過芯片封裝701中描繪的第一級互連736與其它設(shè)備進行電通信的絲焊設(shè)備。
[0056]POP基板754安裝在偏移中介層700的POP側(cè)上的電凸塊上。POP基板754被描繪為具有諸如存儲器管芯756之類的POP設(shè)備。在一個實施例中，堆疊設(shè)備758是射頻(RF)管芯，并且POP設(shè)備756是存儲器管芯。
[0057]現(xiàn)在可以明白的是，偏移中介層700可以具有容納例如第一級互連736上的12x12mm大小的焊接點的焊盤側(cè)焊墊，并且POP側(cè)焊墊容納小于12x12尺寸示例的POP基板754，但是在第一級互連636與POP基板754之間提供了足夠的間隙以容納電子設(shè)備738和堆疊管芯758 二者。因此，當偏移中介層700在第一級互連736上的足跡是例如12x12mm時，并且當POP設(shè)備756較小時，偏移中介層700容納較小尺寸的POP設(shè)備756，而不破壞可能是中介層700在第一級互連736上的足跡的有用的尺寸。
[0058]現(xiàn)在可以明白的是，偏移中介層700可以具有容納給定的電子設(shè)備738所需要的例如14x14mm大小的焊接點的焊盤側(cè)焊墊，同時第一級互連736上的焊接點的尺寸需要是14x14mm, POP側(cè)焊墊容納較小但可能有用的POP基板754，例如，12x12mm大小的足跡。在示例實施例中，需要較大的處理器738，但是POP基板754在偏移中介層700上具有12x12mm大小的足跡?，F(xiàn)在可以明白的是，所有相當?shù)暮笁|間距的實施例可以應(yīng)用到該實例。
[0059]現(xiàn)在可以明白的是，諸如圖4中描繪的偏移中介層400之類的偏移中介層可以用在圖7中來替代偏移中介層700，其中，三球計數(shù)行配置從POP側(cè)轉(zhuǎn)換成焊盤側(cè)上的兩球計數(shù)行配置。
[0060]圖8是根據(jù)示例實施例的具有偏移中介層800的芯片封裝801的截面正視圖。圖8中示出的偏移中介層800被描繪為安裝在第一級互連836 (諸如電設(shè)備838的安裝基板)上。根據(jù)本公開內(nèi)容中闡述的實施例中的任意一個，第一級互連836也被描繪為安裝在基本基板844上。電子設(shè)備838以倒裝芯片的方式安裝在第一級互連836上。根據(jù)一個實施例，電子設(shè)備838被描繪為硅通(管芯通)孔(TSV)839設(shè)備838，并且堆疊管芯858以倒裝芯片的方式安裝在TSV電子設(shè)備838上。堆疊管芯854是經(jīng)由芯片封裝801中描繪的TSV839通過第一級互連836與其它設(shè)備進行電通信的倒裝芯片設(shè)備。
[0061]POP基板854安裝在偏移中介層800的POP側(cè)上的電凸塊上。POP基板854被描繪為具有諸如存儲器管芯756之類的POP設(shè)備。在一個實施例中，堆疊設(shè)備858是存儲器管芯，并且POP設(shè)備856是絲焊RF設(shè)備856。
[0062]現(xiàn)在可以明白的是，偏移中介層800可以具有容納例如第一級互連836上的12x12mm大小的焊接點的焊盤側(cè)焊墊，并且POP側(cè)焊墊容納小于12x12尺寸示例的POP基板854，但是在第一級互連836與POP基板854之間提供了足夠的間隙以容納TSV電子設(shè)備838和堆疊管芯858 二者。因此，當偏移中介層800在第一級互連836上的足跡是例如12x12mm時，并且當POP設(shè)備856較小時，偏移中介層800容納較小尺寸的POP設(shè)備856，而不破壞可能是中介層800在第一級互連836上的足跡的有用的尺寸。
[0063]現(xiàn)在可以明白的是，偏移中介層800可以具有容納給定的TSV電子設(shè)備838所需要的例如14x14mm大小的焊接點的焊盤側(cè)焊墊，同時第一級互連836上的焊接點的尺寸需要是14x14mm，POP側(cè)焊墊容納的POP基板854較小但可能是有用的12x12mm足跡。在示例實施例中，需要較大的TSV處理器838，但是POP基板854在偏移中介層800上具有12x12mm的足跡?，F(xiàn)在可以明白的是，所有相當?shù)暮笁|間距的實施例可以應(yīng)用到該實例。
[0064]現(xiàn)在可以明白的是，諸如圖4中描繪的偏移中介層400之類的偏移中介層可以用在圖8中以替代偏移中介層800，其中，三球計數(shù)行配置從POP側(cè)轉(zhuǎn)換成焊盤側(cè)上的兩球計數(shù)行配置。
[0065]圖9是根據(jù)示例實施例的過程和方法的流程圖。
[0066]在910處，過程實施例包括:形成偏移中介層。偏移中介層由已知技術(shù)來構(gòu)造以實現(xiàn)幾個公開的實施例。例如，偏移中介層的形成包括:當將POP側(cè)焊墊布局與焊盤側(cè)焊墊布局進行比較時，使用有用的平移焊墊配置將跡線和BGA焊墊層壓到核心上。
[0067]在912處，構(gòu)造偏移中介層的實施例包括:使POP側(cè)的球焊墊間距(pitch)與焊盤側(cè)的球焊墊間距相同。現(xiàn)在可以理解的是:一側(cè)上的球焊墊間距與另一側(cè)相比可以不同。[0068]在914處，構(gòu)造偏移中介層的實施例包括:使POP側(cè)焊墊與焊盤側(cè)焊墊重疊。在非限制性的示例實施例中，POP側(cè)焊墊318和320分別與其相對應(yīng)的焊盤側(cè)焊墊314和316重疊。
[0069]在915處，構(gòu)造偏移中介層的實施例包括:通過僅與過孔直接接觸將POP側(cè)焊墊與其相對應(yīng)的焊盤側(cè)焊墊耦接。
[0070]在920處，將偏移中介層組裝到第一級互連的方法包括:使焊盤側(cè)焊墊與置于第一級互連上的電凸塊配對。
[0071]在930處，方法實施例包括:將偏移中介層組裝到POP基板。
[0072]在940處，方法實施例包括:將偏移中介層組裝到計算系統(tǒng)。
[0073]圖10是根據(jù)實施例的計算機系統(tǒng)的示意圖。所描繪的計算機系統(tǒng)1000(也被稱為電子系統(tǒng)1000)可以根據(jù)在本公開內(nèi)容中闡述的幾個所公開的實施例及其等同形式中的任意一種來實現(xiàn)偏移中介層。一種包括被組裝到計算機系統(tǒng)的偏移中介層的裝置。計算機系統(tǒng)1000可以是智能電話。計算機系統(tǒng)1000可以是平板電腦。計算機系統(tǒng)1000可以是諸如上網(wǎng)本計算機之類的移動設(shè)備。計算機系統(tǒng)1000可以是臺式計算機。計算機系統(tǒng)1000可以是汽車的組成部分。計算機系統(tǒng)1000可以是電視機的組成部分。計算機系統(tǒng)1000可以是DVD播放器的組成部分。計算機系統(tǒng)1000可以是數(shù)碼攝像機的組成部分。
[0074]在一個實施例中，電子系統(tǒng)1000是計算機系統(tǒng)，其包括系統(tǒng)總線1020以便電耦接電子系統(tǒng)1000的各個組件。根據(jù)各個實施例，系統(tǒng)總線1020是單個總線或總線的任意組合。電子系統(tǒng)1000包括向集成電路1010提供功率的電壓源1030。在一些實施例中，電壓源1030通過系統(tǒng)總線1020向集成電路1010提供電流。
[0075]根據(jù)實施例，集成電路1010電耦接到系統(tǒng)總線1020，并且包括任意電路或電路的組合。在一個實施例中，集成電路1010包括處理器1012，處理器1012可以是包括偏移中介層實施例的任何類型的裝置。如本文中所使用的，處理器1012可以是指任何類型的電路，例如但不限于微處理器、微控制器、圖形處理器、數(shù)字信號處理器或其它處理器。在一個實施例中，在處理器1012的存儲器高速緩存中發(fā)現(xiàn)SRAM實施例。可以包括在集成電路1010中的其它類型的電路是定制電路或?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC)，例如用于非等同無線設(shè)備(諸如蜂窩電話、智能電話、尋呼機、便攜式計算機、雙向無線電和其它電子系統(tǒng))的通信電路1014。在一個實施例中，處理器1010包括諸如靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)之類的管芯上存儲器1016。在一個實施例中，處理器1010包括諸如嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(eSRAM)之類的嵌入式管芯上存儲器1016。
[0076]在一個實施例中，集成電路1010與隨后的集成電路1011(諸如本公開內(nèi)容中闡述的圖形處理器或射頻集成電路或者二者)互補。在一個實施例中，雙集成電路1010包括諸如eDRAM之類的嵌入式管芯上存儲器1017。雙集成電路1011包括RFIC雙處理器1013和雙通信電路1015和諸如SRAM之類的雙管芯上存儲器1017。在一個實施例中，雙通信電路1015被特定地配置為用于RF處理。
[0077]在一個實施例中，至少一個無源器件1080耦接到隨后的集成電路1011，從而使得集成電路1011和至少一個無源器件是包括偏移中介層(其包括集成電路1010和集成電路1011)的任意裝置實施例的一部分。在一個實施例中，至少一個無源器件是傳感器(諸如用于平板電腦或智能手機的加速計)。[0078]在一個實施例中，電子系統(tǒng)1000包括天線單元1082(諸如本公開內(nèi)容中闡述的任何無芯針柵陣列基板實施例)。通過使用天線單元1082，可以通過無線鏈路由裝置實施例來遠程操作遠程設(shè)備1084(諸如電視機)。例如，通過無線鏈路操作的智能電話上的應(yīng)用向距離遠達約30米的電視機廣播指令(諸如通過藍牙?技術(shù))。在一個實施例中，遠程設(shè)備包括天線單元被配置為接收機的全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)。
[0079]在一個實施例中，電子系統(tǒng)1000還包括外部存儲器1040，其進而可以包括適合于特定應(yīng)用的一個或多個存儲器單元(諸如RAM形式的主存儲器1042)、一個或多個硬盤驅(qū)動器1044和/或一個或多個處理可移動介質(zhì)1046 (諸如軟盤、光盤(⑶)、數(shù)字可變光盤(DVD)、閃存驅(qū)動器和本領(lǐng)域中已知的其它可移動介質(zhì))的驅(qū)動器。在一個實施例中，外部存儲器1040是根據(jù)任意公開實施例堆疊在偏移中介層上的POP封裝的一部分。在一個實施例中，外部存儲器1040是嵌入式存儲器1048，這種裝置包括根據(jù)任意公開實施例與第一級互連和POP存儲器模炔基板配對的偏移中介層。
[0080]在一個實施例中，電子系統(tǒng)1000還包括顯不設(shè)備1050和音頻輸出1060。在一個實施例中，電子系統(tǒng)1000包括諸如控制器1070的輸入設(shè)備，其可以是鍵盤、鼠標、觸摸板、小鍵盤、軌跡球、游戲控制器、麥克風(fēng)、語音識別設(shè)備、或者將信息輸入到電子系統(tǒng)1000的任何其它輸入設(shè)備。在一個實施例中，輸入設(shè)備1070包括照相機。在一個實施例中，輸入設(shè)備1070包括數(shù)字錄音機。在一個實施例中，輸入設(shè)備1070包括照相機和數(shù)字錄音機。
[0081]基本基板1090可以是計算系統(tǒng)1000的一部分。在一個實施例中，基本基板1090是主板，其支持包括偏移中介層的裝置。在一個實施例中，基本基板1090是支持包括偏移中介層的裝置的板。在一個實施例中，基本基板1090包括虛線1090內(nèi)所包含的功能體中的至少一個，并且其是諸如無線通信裝置的用戶外殼之類的基板。
[0082]如本文中所示，可以在多種不同的實施例、包括根據(jù)若干公開的實施例及其等價物中的任意一個的偏移中介層的裝置、電子系統(tǒng)、計算機系統(tǒng)、制造集成電路的一種或多種方法、以及制造和組裝包括根據(jù)如本文在各個實施例及其本領(lǐng)域公認的等價物中闡述的若干公開的實施例中的任意一個的偏移中介層的裝置的一種或多種方法中實現(xiàn)集成電路1010。元件、材料、幾何形狀、尺寸和操作順序都可以改變，以適應(yīng)包括偏移中介層實施例及其等同物的特定的I/o耦合的要求。
[0083]盡管管芯可以指處理器芯片、RF芯片、RFIC芯片、IPD芯片，或者可以在同一句子中提到存儲器芯片，但不應(yīng)當被解釋為它們是等同的結(jié)構(gòu)。貫穿本公開內(nèi)容提及“一個實施例”或“實施例”意指結(jié)合該實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個實施例中。在貫穿本公開內(nèi)容的各個地方出現(xiàn)短語“在一個實施例中”或“在實施例中”并不一定全部指的是相同的實施例。此外，特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何適當?shù)姆绞浇M合在一個或多個實施例中。
[0084]可以參照圖示的X-Z坐標來理解諸如“上部”和“下部” “以上”和“以下”之類的術(shù)語，可以參照X-Y坐標或參照非Z坐標來理解諸如“相鄰”之類的術(shù)語。
[0085]提供摘要以符合37C.F.R.§ 1.72 (b)，其要求將允許讀者快速確定本技術(shù)公開的本質(zhì)和要旨的摘要。提交摘要，并且理解其將不會被用來解釋或限制權(quán)利要求的范圍或含義。
[0086]在前面的【具體實施方式】中，出于精簡本公開內(nèi)容的目的，在單個實施例中將各種特征組合在一起。本公開內(nèi)容的方法不應(yīng)當被解釋為反映了以下意圖，即:本發(fā)明所要求保護的實施例需要比每一項權(quán)利要求中明確陳述的更多的特征。相反，如同后面的權(quán)利要求所反映的，發(fā)明主題在于少于單個所公開的實施例的所有特征。因此，在此將后面的權(quán)利要求并入【具體實施方式】中，其中每個權(quán)利要求作為單獨的優(yōu)選實施例代表其自己。
[0087] 本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易理解的是:可以在不背離所附權(quán)利要求書中所表達的本發(fā)明的原則和范圍的前提下，在為了解釋本發(fā)明的性質(zhì)而描述和示出的部件和方法步驟的細節(jié)、材料和布置上進行各種其它變化。
【權(quán)利要求】
1.一種中介層，包括: 焊盤側(cè)，其包括焊盤側(cè)球柵陣列(BGA)，所述焊盤側(cè)BGA包括兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊，其中，所述焊盤側(cè)BGA被配置為與第一級互連相連接；以及 層疊封裝(POP)側(cè)，其包括POP側(cè)BGA，所述POP側(cè)BGA包括兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊，其中，所述POP側(cè)BGA被配置為與POP互連相連接，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊中的每一個通過所述中介層分別耦接到所述兩個POP側(cè)焊墊，并且其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊中的每一個均具有與相應(yīng)的兩個POP側(cè)焊墊不同的足跡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層，其中，給定的焊盤側(cè)焊墊通過與過孔直接接觸耦接到相應(yīng)的POP側(cè)焊墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡不包括所述兩個POP側(cè)焊墊的足 跡。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡不包括所述兩個POP側(cè)焊墊的足跡，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是以第一間距配置的，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是以第二間距配置的，并且其中，所述第一間距小于所述第二間距。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡是小于百分之50的重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡是小于百分之50的重疊，并且其中，給定的焊盤側(cè)焊墊通過與過孔直接接觸耦接到相應(yīng)的POP側(cè)焊墊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡是小于百分之50的重疊，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是以第一間距配置的，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是以第二間距配置的，并且其中，所述第一間距小于所述第二間距。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡是大于百分之50的重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡是小于百分之50的重疊，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是以第一間距配置的，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是以第二間距配置的，并且其中，所述第一間距小于所述第二間距。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是以第一間距配置的，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是以第二間距配置的，并且其中，所述第一間距小于所述第二間距。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是全部以第一間距配置的焊盤側(cè)焊墊陣列的一部分，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是全部以第二間距配置的POP側(cè)焊墊陣列的一部分，并且其中，所述第一間距小于所述第二間距。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是以第一間距配置的，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是以第二間距配置的，并且其中，所述第一間距與所述第二間距相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是以第一間距配置的，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是以第二間距配置的，并且其中，所述第一間距是0.5mm的中心距，并且所述第二間距是0.4mm的中心距。
14.一種中介層，包括: 焊盤側(cè)，其包括焊盤側(cè)球柵陣列(BGA)，所述焊盤側(cè)BGA包括兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊，其中，所述焊盤側(cè)BGA被配置為與第一級互連相連接；以及 層疊封裝(POP)側(cè)，其包括POP側(cè)BGA，所述POP側(cè)BGA包括兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊，其中，所述POP側(cè)BGA被配置為與POP互連相連接，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊中的每一個通過所述中介層分別耦接 到所述兩個POP側(cè)焊墊，并且其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊中的每一個均具有與相應(yīng)的兩個POP側(cè)焊墊不同的足跡，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是以第一間距配置的，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是以第二間距配置的，還包括管芯側(cè)BGA，所述管芯側(cè)BGA被布置得具有交替的兩焊墊和三焊墊出現(xiàn)，并且所述焊盤側(cè)BGA被布置得僅具有兩焊墊出現(xiàn)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的中介層，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是以第一間距配置的，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是以第二間距配置的，還包括所述管芯側(cè)BGA，所述管芯側(cè)BGA被布置得具有交替的兩焊墊和三焊墊出現(xiàn)，并且所述焊盤側(cè)BGA被布置得僅具有兩焊墊出現(xiàn)，并且其中，所述第一間距是0.5mm的中心距，并且所述第二間距是0.4mm的中心距。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的中介層，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡不包括所述兩個POP側(cè)焊墊的足跡。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的中介層，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡不包括所述兩個POP側(cè)焊墊的足跡，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是以第一間距布置的，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是以第二間距配置的，并且其中，所述第一間距小于所述第二間距。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的中介層，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡是小于百分之50的重疊。
19.一種層疊封裝(POP)芯片封裝，其包括: 偏移中介層，其包括: 焊盤側(cè)，其包括焊盤側(cè)球柵陣列(BGA)，所述焊盤側(cè)BGA包括兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊，其中，所述焊盤側(cè)BGA被配置為與第一級互連相連接；以及 層疊封裝(POP)側(cè)，其包括POP側(cè)BGA，所述POP側(cè)BGA包括兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊，其中，所述POP側(cè)BGA被配置為與POP互連相連接，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊中的每一個通過所述中介層分別耦接到所述兩個POP側(cè)焊墊，并且其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊中的每一個均具有與相應(yīng)的兩個POP側(cè)焊墊不同的足跡； 所述POP側(cè)BGA上的耦接到POP互連的POP基板；以及 微電子設(shè)備，其置于所述POP基板上，其中，所述微電子設(shè)備通過所述POP基板電耦接到所述偏移中介層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的POP芯片封裝，其中，給定的焊盤側(cè)焊墊通過與過孔直接接觸耦接到相應(yīng)的POP側(cè)焊墊。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的POP芯片封裝，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡不包括所述兩個POP側(cè)焊墊的足跡。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的POP芯片封裝，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡不包括所述兩個POP側(cè)焊墊的足跡，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是以第一間距配置的，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是以第二間距配置的，并且其中，所述第一間距小于所述第二間距。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的POP芯片封裝，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是以第一間距配置的，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是以第二間距配置的，還包括管芯側(cè)BGA，所述管芯側(cè)BGA被布置得具有交替的兩焊墊和三焊墊出現(xiàn)，并且所述焊盤側(cè)BGA被布置得僅具有兩焊墊出現(xiàn)。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的POP芯片封裝，其中，所述微電子設(shè)備以倒裝芯片的方式置于所述POP基板上。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的POP芯片封裝，還包括: 耦接到所述偏移中介層的所述焊盤側(cè)的第一級互連；以及安裝在所述第一級互連上的電子設(shè)備。
26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的POP芯片封裝，還包括: 耦接到所述偏移中介層的所述焊盤側(cè)的第一級互連； 安裝在所述第一級互連上的電子設(shè)備；以及 安裝在所述電子設(shè)備上的堆疊管芯。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的POP芯片封裝，還包括: 耦接到所述偏移中介層的所述焊盤側(cè)的第一級互連； 安裝在所述第一級互連上的電子設(shè)備；以及 安裝在所述電子設(shè)備上的絲焊堆疊管芯。
28.根據(jù)權(quán)利要求19所述的POP芯片封裝，還包括: 耦接到所述偏移中介層的所述焊盤側(cè)的第一級互連； 安裝在所述第一級互連上的電子設(shè)備；以及 安裝在所述電子設(shè)備上的硅通孔堆疊管芯。
29.—種構(gòu)造偏移中介層的過程，包括: 形成焊盤側(cè)，所述焊盤側(cè)包括焊盤側(cè)球柵陣列(BGA)，所述焊盤側(cè)BGA包括兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊，其中，所述焊盤側(cè)BGA被配置為與第一級互連相連接；以及 形成層疊封裝(POP)側(cè)，所述POP側(cè)包括POP側(cè)BGA，所述POP側(cè)BGA包括兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊，其中，所述POP側(cè)BGA被配置為與POP互連相連接，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊中的每一個通過所述中介層分別耦接到所述兩個POP側(cè)焊墊，并且其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊中的每一個均具有與相應(yīng)的兩個POP側(cè)焊墊不同的足跡。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的過程，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊的不同足跡被形成為不包括所述兩個POP側(cè)焊墊的足跡，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊是以第一間距配置的，其中，所述兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊是以第二間距配置的，并且其中，所述第一間距小于所述第二間距。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的過程，還包括:將所述偏移中介層組裝到第一級互連的方法。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的過程，還包括:將所述偏移中介層組裝到POP基板的方法。
33.一種計算機系統(tǒng)，包括: 偏移中介層，其包括: 焊盤側(cè)，其包括焊盤側(cè)球柵陣列(BGA)，所述焊盤側(cè)BGA包括兩個相鄰的、分隔開的焊盤側(cè)焊墊，其中，所述焊盤側(cè)BGA被配置為與第一級互連相連接；以及 層疊封裝(POP)側(cè)，其包括POP側(cè)BGA，所述POP側(cè)BGA包括兩個相鄰的、分隔開的POP側(cè)焊墊，其中，所述POP側(cè)BGA被配置為與POP互連相連接，其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊中的每一個通過所述中介層分別耦接到所述兩個POP側(cè)焊墊，并且其中，所述兩個焊盤側(cè)焊墊中的每一個均具有與相應(yīng)的兩個POP側(cè)焊墊不同的足跡； 所述POP側(cè)BGA上的耦接到POP互連的POP基板； 微電子設(shè)備，其置于所述POP基板上，其中，所述微電子設(shè)備通過所述POP基板電耦接到所述偏移中介層； 在所述焊盤側(cè)耦接到所述偏移中介層的第一級互連； 置于所述第一級互連上的電子設(shè)備；以及 支撐所述第一級互連的基本基板。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的計算機系統(tǒng)，其中，所述基本基板是移動設(shè)備的一部分。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的計算機系統(tǒng)，其中，所述基本基板是智能電話設(shè)備的一部分。
36.根據(jù)權(quán)利要求33所述的計算機系統(tǒng)，其中，所述基本基板是平板計算機設(shè)備的一部分。
37.根據(jù)權(quán)利要求33所述的計算機系統(tǒng)，其中，所述基本基板是車輛的一部分。
38.根據(jù)權(quán)利要求33所述的計算機系統(tǒng)，其中，所述基本基板是電視機的一部分。
【文檔編號】H01L23/48GK103748678SQ201180072839
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2011年8月16日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月16日
【發(fā)明者】R·莫騰森, R·尼克森, N·沃茨 申請人:英特爾公司