專利名稱：成膜裝置和成膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及成膜裝置和成膜方法。本申請(qǐng)基于2010年10月8日在日本所申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2010-228917號(hào)主張優(yōu)先機(jī)，其內(nèi)容在此援引。
背景技術(shù)：
阻氣性膜能夠適合用作適于飲料食品、化妝品、洗滌劑這樣的物品的包裝的容器。近年來(lái)提出有以下一種阻氣性膜，其是在塑料膜等的基材膜的一方的表面上，形成氧化硅、氮化硅，氧氮化硅、氧化鋁等的無(wú)機(jī)化合物的薄膜而被形成的。作為這樣將無(wú)機(jī)化合物的薄膜成膜于塑料基材的表面上的方法，已知有真空蒸鍍法、濺射法、e( ^ )法等的物理氣相沉積法(PVD)，減壓化學(xué)氣相沉積法、等離子體化學(xué)氣相沉積法等的化學(xué)氣相沉積法(CVD)。另外，就通過(guò)這樣的成膜方法的使用所制造的阻氣性膜而言，例如，在特開(kāi)平4-89236號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)中，公開(kāi)有一種阻氣性膜，其是在塑料基材的表面上，設(shè)置有由通過(guò)蒸鍍形成的兩層以上的硅氧化物膜構(gòu)成的層疊蒸鍍膜層。先行技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:特開(kāi)平4-89236號(hào)公報(bào)但是，上述專利 文獻(xiàn)I所述這樣的阻氣性膜，雖然能夠作為飲料食品、化妝品、洗滌劑等這樣的即使包裝容器的阻氣性比較低也能夠滿足的物品的包裝用的阻氣性膜使用，但是作為有機(jī)EL元件和有機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池等的電子器件的包裝用的阻氣性膜，在阻氣性這一點(diǎn)上未必充分。另外，上述專利文獻(xiàn)I所述這樣的阻氣性膜，使其彎曲時(shí)對(duì)于氧氣和水蒸氣的阻氣性降低這樣的問(wèn)題點(diǎn)存在，作為可撓性液晶顯示器這樣要求有耐屈曲性的顯示器件所使用的阻氣性膜，在使膜彎曲時(shí)的阻氣性這一點(diǎn)上未必充分。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于這樣的情況而形成，其目的在于，提供一種可以制造具有充分的阻氣性、且即使在膜彎曲時(shí)也可以充分抑制阻氣性降低的阻氣性層疊膜的成膜裝置。另外，其目的還在于，提供一種能夠高效率地制造這樣的物性的阻氣性層疊膜的成膜方法。為了解決上述的課題，本發(fā)明提供第一成膜裝置(稱為“第一實(shí)施方式”)，其是在基材上形成薄膜的成膜裝置，該成膜裝置包括如下:真空室，其在內(nèi)部收容所述基材；氣體供給裝置，其向所述真空室內(nèi)供給成膜氣體，該成膜氣體含有作為所述薄膜的原料的有機(jī)金屬化合物、和與該有機(jī)金屬化合物發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)氣體；一對(duì)電極，其配置在所述真空室內(nèi)；等離子體發(fā)生用電源，其向所述這一對(duì)電極外加交流電力，使所述成膜氣體的等離子體發(fā)生；控制部，其控制所述氣體供給裝置或所述等離子體發(fā)生用電源的任意一方或兩方，切換第一反應(yīng)條件和第二反應(yīng)條件，該第一反應(yīng)條件是，通過(guò)所述有機(jī)金屬化合物和所述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，而使含形成所述有機(jī)金屬化合物的金屬元素或半金屬元素且不含碳的化合物生成的條件，該第二反應(yīng)條件是，通過(guò)所述有機(jī)金屬化合物和所述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，而使含形成所述有機(jī)金屬化合物的碳、和金屬元素或半金屬元素的含碳化合物生成的條件。在此說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求的范圍，“有機(jī)金屬化合物”的“金屬”包含金屬元素和半金屬素。以下進(jìn)一步記述在本說(shuō)明書(shū)中所使用的幾個(gè)用語(yǔ)和表現(xiàn)的定義。所謂“真空室”，就是用于使內(nèi)部成為減壓狀態(tài)、優(yōu)選成為接近真空的減壓狀態(tài)的容器。通常，通過(guò)使安裝在室內(nèi)的真空泵工作，從而在室內(nèi)建立起減壓環(huán)境、且優(yōu)選建立接近真空的減壓環(huán)境。所謂“基材”，就是在膜形成時(shí)構(gòu)成該膜的支承體的物體。所謂“成膜氣體”，就是將作為膜的原料的原料氣體作為必須要素而含有的氣體，根據(jù)需要，還含有與原料氣體反應(yīng)而形成化合物的反應(yīng)氣體、和雖然在所形成的膜中不包含但有助于等離子體發(fā)生和膜質(zhì)提高等的輔助氣體。所謂“原料氣體”，就是作為構(gòu)成膜的主要成分的材料的供給源的氣體。例如在SiOx膜形成時(shí)，HMDSO, TE0S、硅烷等含有Si的氣體為原料氣體。所謂“反應(yīng)氣體”，就是與原料氣體發(fā)生反應(yīng)、且在所形成的膜中被混入的氣體，例如在形成SiOx膜時(shí)，氧(O2)就相當(dāng)于此。還有，在本說(shuō)明書(shū)中 關(guān)于薄膜所使用的所謂表現(xiàn)“不含碳”是指，在對(duì)于該薄膜通過(guò)進(jìn)行XPS深度分布測(cè)量而擬定的，表示該薄膜的膜厚方向中距該薄膜的表面的距離、和構(gòu)成薄膜的碳原子的量對(duì)于構(gòu)成薄膜的原子的合計(jì)量的比率(碳的原子比)的關(guān)系的碳分布曲線中，碳含量在lat%以下。在此，關(guān)于上述碳分布曲線，“構(gòu)成薄膜的原子的合計(jì)量”，意思是構(gòu)成薄膜的原子的合計(jì)數(shù)量，“碳原子的量”意思是碳原子的數(shù)量。另外，單位“at%”是“原子的簡(jiǎn)碼。在本發(fā)明中，期望所述控制部其構(gòu)成為，以如下方式控制所述氣體供給裝置，gp，在所述第一反應(yīng)條件中，使由所述有機(jī)金屬化合物和所述反應(yīng)氣體生成所述不含碳的化合物的反應(yīng)中當(dāng)量以上的所述反應(yīng)氣體被包含在所述成膜氣體中，而且，在所述第二反應(yīng)條件中，使比生成所述不含碳的化合物的反應(yīng)中的當(dāng)量少的所述反應(yīng)氣體被包含在所述成膜氣體中。在本發(fā)明中，期望所述控制部其構(gòu)成為，在對(duì)于所述氣體供給裝置、進(jìn)行所述第一反應(yīng)條件和所述第二反應(yīng)條件的切換時(shí)，使所述成膜氣體中所包含的所述反應(yīng)氣體的量連續(xù)地變化。在本發(fā)明中，期望所述控制部其構(gòu)成為，以如下方式控制所述等離子體發(fā)生用電源，即，在所述第一反應(yīng)條件中，外加使所述不含碳的化合物生成之強(qiáng)度的所述等離子體發(fā)生的交流電力，在所述第二反應(yīng)條件中，外加使所述含碳化合物生成之強(qiáng)度的所述等離子體發(fā)生的交流電力。在本發(fā)明中，期望所述控制部其構(gòu)成為，在對(duì)于所述等離子體發(fā)生用電源、進(jìn)行所述第一反應(yīng)條件和所述第二反應(yīng)條件的切換時(shí)，使所述交流電力的電能量連續(xù)地變化。
另外，本發(fā)明提供第二成膜裝置(稱為“第二實(shí)施方式”)，其是一邊連續(xù)地搬送長(zhǎng)的基材、且一邊在所述基材上連續(xù)地成膜的成膜裝置，其中，該成膜裝置具有如下機(jī)構(gòu):將所述基材收容在內(nèi)部的真空室；在所述真空室內(nèi)連續(xù)地搬送所述基材的搬送機(jī)構(gòu)；在與所搬送的所述基材的一部分重疊的空間使放電等離子體發(fā)生的等離子體發(fā)生機(jī)構(gòu)；沿著所述空間的所述基材的搬送方向，在多處使磁場(chǎng)發(fā)生，且在空間中使等離子體強(qiáng)度有所不同的磁場(chǎng)發(fā)生機(jī)構(gòu)，所述搬送機(jī)構(gòu)其構(gòu)成為，在所述空間內(nèi)，一邊使所述基材平坦地保持一邊進(jìn)行搬送。另外，本發(fā)明提供第一成膜方法，其是在基材上形成薄膜的成膜方法，其中，具有如下工序:第一工序，其使用在由作為所述薄膜的原料的有機(jī)金屬化合物、和與該有機(jī)金屬化合物發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)氣體生成含形成所述有機(jī)金屬化合物的金屬元素或半金屬元素且不含碳的化合物的反應(yīng)中的當(dāng)量以上的所述反應(yīng)氣體，進(jìn)行等離子體CVD ;第二工序，其使用比生成所述不含碳的化合物的反應(yīng)中的當(dāng)量少的所述反應(yīng)氣體，進(jìn)行使含有形成有機(jī)金屬化合物的碳、和金屬元素或半金屬元素的含碳化合物生成的等離子體CVD。另外，本發(fā)明提供第二成膜方法，其是在基材上形成薄膜的成膜方法，其中，具有如下工序:第一工序，其使由作為所述薄膜的原料的有機(jī)金屬化合物和與該有機(jī)金屬化合物反應(yīng)的反應(yīng)氣體、生成含形成所述有機(jī)金屬化合物的金屬元素或半金屬元素且不含碳的化合物之強(qiáng)度的放電等離子體發(fā)生，進(jìn)行等離子體CVD ;第二工序，其使含形成所述有機(jī)金屬化合物的碳和金屬元素或半金屬元素的含碳化合物得以生成之強(qiáng)度的放電等離子體發(fā)生，進(jìn)行等離子體CVD。另外，本發(fā)明提供第三成膜方法，其是一邊連續(xù)地搬送長(zhǎng)的基材，一邊利用等離子體CVD法在所述基材上連續(xù)地成膜的成膜方法，其中，具有如下工序:沿著所述基材的搬送方向而使放電等離子體的強(qiáng)度在空間上 有所不同，并按照與所述放電等離子體的強(qiáng)度變化的空間重疊的方式，搬送所平坦保持的所述基材的工序。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供可以制造具有充分的阻氣性、且即使在使膜彎曲時(shí)也可以充分抑制阻氣性的阻氣性層疊膜的成膜裝置和成膜方法。


圖1是表示由本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的成膜裝置所制造的層疊膜的例子的模式圖。圖2是表示阻氣性層疊膜的碳分布曲線的示例的圖。圖3是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的成膜裝置的模式圖。圖4是說(shuō)明控制部的模式圖。圖5是表示由本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的成膜裝置所制造的層疊膜的變形例的模式圖。圖6是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的成膜裝置的模式圖。圖7是表示上述第二實(shí)施方式的成膜裝置的成膜的情況的模式圖。
具體實(shí)施例方式[第一實(shí)施方式]
以下，一邊參照?qǐng)D1 圖5，一邊對(duì)于本發(fā)明的第一實(shí)施方式的成膜裝置進(jìn)行說(shuō)明。還有，在以下的全部附圖中，為了容易閱看附圖，使各構(gòu)成要素的尺寸和比率等適宜有所不同。在以下的說(shuō)明中，就使用本實(shí)施方式的成膜裝置1000，在基材上形成具有阻氣性的薄膜，來(lái)制造阻氣性層疊膜而言，首先，對(duì)于作為目標(biāo)的阻氣性層疊膜進(jìn)行說(shuō)明，而且對(duì)于在阻氣性層疊膜制造上所使用的本實(shí)施方式的成膜裝置進(jìn)行說(shuō)明。<阻氣性層疊膜>圖1是表示由本實(shí)施方式的成膜裝置所制造的阻氣性層疊膜I的模式圖。就本實(shí)施方式的阻氣性層疊膜I而言，其是在基材2的表面形成了具有阻氣性的薄膜3，且成為整體上具有阻氣性的膜。(基材)由本實(shí)施方式的成膜裝置所制造的阻氣性層疊膜1，通過(guò)在基材2的一面?zhèn)刃纬杀∧?而獲得。作為用于本實(shí)施方式的基材2，可列舉由樹(shù)脂或含有樹(shù)脂的復(fù)合材料構(gòu)成的膜。這樣的膜具有透光性也可、另外不透明也可。作為用于這樣的基材2的樹(shù)脂，例如可`列舉如下:聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等的聚酯系樹(shù)脂；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、環(huán)狀聚烯烴等的聚烯烴系樹(shù)脂；聚酰胺系樹(shù)脂；聚碳酸酯系樹(shù)脂；聚苯乙烯系樹(shù)脂；聚乙烯醇系樹(shù)脂；乙烯-醋酸乙烯共聚物的皂化物；聚丙烯腈系樹(shù)脂；縮醛系樹(shù)脂；聚酰亞胺系樹(shù)脂；芳綸系樹(shù)脂；或使構(gòu)成這些樹(shù)脂的聚合物的重復(fù)單位組合兩種以上的共聚物等。另外，作為含有樹(shù)脂的復(fù)合材料，可列舉聚二甲基硅氧烷、聚倍半硅氧烷等的硅樹(shù)脂；玻璃復(fù)合基板、環(huán)氧玻璃基板等。這些樹(shù)脂之中，從耐熱性和線膨脹率高這一觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選聚酯系樹(shù)脂、聚烯烴系樹(shù)脂、玻璃復(fù)合基板、環(huán)氧玻璃基板。另外，這些樹(shù)脂能夠單獨(dú)使用一種或組合兩種以上使用。就基材2而言，從與形成的薄膜的密接性的觀點(diǎn)出發(fā)，也可以實(shí)施用于使其表面活性化的的表面活性處理。作為這樣的表面活性處理，例如可列舉電暈處理、等離子體處理、火焰處理。(薄膜)由本實(shí)施方式的成膜裝置所制造的薄膜3，是對(duì)基材2賦予阻氣性的層，且在基材2的至少一面形成。薄膜3包含組成不同的多個(gè)層。圖中，將薄膜3作為使第一層3a和第二層3b交替層疊的三層構(gòu)造加以示出。第一層3a，其具有與由在 Si0xCy(0 < X < 2、0 < y < 2、X + yN2)中y^O所表示的SiO2接近的組成。相對(duì)于此，第二層3b，其具有是在SiOxCy (O < X < 2、0 < y < 2、X十y^2.)中y古O、由Si02_yCy表示的組成。第二層3b,其不是均勻的組成,在表示膜厚方向中的距該層的表面的距離、和碳的原子比(碳原子的量對(duì)于硅原子、氧原子和碳原子的合計(jì)量之比率)的關(guān)系的碳分布曲線中，完全滿足下述條件(i)和(ii)。首先，(i)第二層3b，其碳分布曲線至少具有一個(gè)極值。在本說(shuō)明書(shū)中，就碳分布曲線等、薄膜的元素分布曲線的極大值而言，其是指:在使距薄膜3的表面的距離變化時(shí)元素的原子比的值從增加變?yōu)闇p少的點(diǎn)，并且相比這一點(diǎn)的元素的原子比的值、從該點(diǎn)使薄膜3的膜厚方向的距薄膜3的表面的距離進(jìn)一步變化20nm的位置的元素的原子比的值減少lat%以上的點(diǎn)。此外，在本說(shuō)明書(shū)中，就上述元素分布曲線的極小值而言，其是指:在使距薄膜3的表面的距離變化時(shí)元素的原子比的值從減少變成增加的點(diǎn)，并且相比這一點(diǎn)的元素的原子比的值、從該點(diǎn)使薄膜3的膜厚方向的距薄膜3的表面的距離進(jìn)一步變化20nm的位置的元素的原子比的值增加lat%以上的點(diǎn)。另外，(ii)第二層3b，其是第二層3b內(nèi)的碳的原子比的最大值和最小值的差為5%以上(即，(碳的原子比的最大值)_(碳的原子比的最小值)彡5%)的層。在這樣的第二層3b中，更優(yōu)選碳的原子比的最大值和最小值的差的絕對(duì)值為6at%以上，特別優(yōu)選為7at%以上。所述絕對(duì)值低于5at%的情況下，在使所得到的阻氣性層疊膜I彎曲時(shí)，薄膜3容易破損，而使阻氣性層疊膜I彎曲時(shí)的阻氣性不充分。在此，就碳分布曲線而言，能夠通過(guò)所謂的XPS深度分布測(cè)量來(lái)擬定，該XPS深度分布測(cè)量中，并用X射線光電子能譜法(XPS:Xray Photoelectron Spectroscopy)的測(cè)量和氬等的稀有氣體離子濺射，從而一邊使試料內(nèi)部露出，一邊依次進(jìn)行表面組成分析。通過(guò)這樣的XPS深度分布測(cè)量而得到的分布曲線，例如，能夠以縱軸為碳的原子比(單位:at%)，橫軸為蝕刻時(shí)間(濺射時(shí)間)而擬定。還有，在如此以橫軸作為蝕刻時(shí)間的元素的分布曲線中，由于蝕刻時(shí)間大體上與在膜厚方向上的薄膜3距膜厚方向的薄膜3的表面的距離相關(guān)，作為“薄膜3在膜厚方向上距薄膜3的表面的距離”，能夠采用根據(jù)在XPS深度分布測(cè)量時(shí)所采用的蝕刻速度和蝕刻時(shí)間的關(guān)系計(jì)算出的距薄膜3的表面的距離。另外，作為這樣的XPS深度分布測(cè)量時(shí)所采 用的濺射法，優(yōu)選作為蝕刻離子種而使用氬(Ar+)的稀有氣體離子濺射法，使其蝕刻速度為0.05nm/sec (SiO2熱氧化膜換算值)。圖2是模式化地表示第二層3b的碳分布曲線的圖。在表示距層的表面的距離的橫軸上，不是具體的距離，而是用第一層3a、第二層3b、薄膜3的各符號(hào)加以表示。在圖所示這樣組成的第二層3b中，具有I個(gè)極大值，碳原子的最大值和最小值的差超過(guò)5%。另外，第一層3a是:在碳分布曲線中碳含量為lat%以下、不含碳的層。另外，在本實(shí)施方式中，從整體上形成均勻且具有優(yōu)異的阻氣性的薄膜3的這一觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選薄膜3在膜面方向(與薄膜3的表面平行的方向)實(shí)質(zhì)上一樣。在本說(shuō)明書(shū)中，所謂薄膜3在膜面方向?qū)嵸|(zhì)上一樣是指，在通過(guò)XPS深度分布測(cè)量對(duì)于薄膜3的膜面的任意的兩處測(cè)量位置擬定碳分布曲線時(shí)，在這任意的兩處測(cè)量位置所得到的碳分布曲線擁有的極值的數(shù)量相同，各自的碳分布曲線中的碳的原子比的最大值和最小值的差的絕對(duì)值彼此相同或差在5at %以內(nèi)。此外，在本實(shí)施方式中，優(yōu)選所述碳分布曲線實(shí)質(zhì)上連續(xù)。在本說(shuō)明書(shū)中，所謂碳分布曲線實(shí)質(zhì)上連續(xù)，意思是不包含碳分布曲線中的碳的原子比不連續(xù)變化的部分，具體來(lái)說(shuō)是指，在根據(jù)蝕刻速度和蝕刻時(shí)間計(jì)算出的薄膜3之中的至少一層的距膜厚方向的該層的表面的距離U，單位mm)、與碳的原子比(C，單位:at%)的關(guān)系中，滿足由下述算式(Fl)表示的條件:|dC/dx| ≤ 1...(Fl)另外，薄膜3的厚度優(yōu)選為5nm 3000nm的范圍，更優(yōu)選為IOnm 2000nm的范圍，特別優(yōu)選為IOOnm IOOOnm的范圍。在薄膜3的厚度低于所述下限的情況下，氧阻氣性、水蒸氣阻隔性等的阻氣性有變差的傾向，另一方面，若超過(guò)所述上限，則容易由于屈曲導(dǎo)致薄膜3破損，因此使之彎曲時(shí)阻氣性容易降低的傾向存在。
在由本實(shí)施方式的成膜裝置1000所制造的阻氣性層疊膜I中，不含碳原子的第一層3a呈現(xiàn)出高阻氣性，并且含有碳原子的第二層3b相比第一層3a可以柔軟地彎曲，因此呈現(xiàn)出耐屈曲性。因此，阻氣性層疊膜I在整體上可以發(fā)揮出優(yōu)異的阻隔性和耐屈曲性。<成膜裝置>圖3是表示本實(shí)施方式的成膜裝置1000的模式圖。本實(shí)施方式的成膜裝置1000，具備如下:室11 ;配置在室11內(nèi)且載置基材2的載置臺(tái)12 ;在載置臺(tái)12的上方以與載置臺(tái)12相對(duì)的方式所配置的一對(duì)電極13 ;與電極13連接的等離子體發(fā)生用電源14 ;在電極13中與載置臺(tái)12的非對(duì)置側(cè)所配置的磁場(chǎng)發(fā)生部15。另外，還設(shè)置有向室11內(nèi)供給各種成膜氣體的氣體供給管16、和經(jīng)由配管16a而與氣體供給管16連接的氣體供給裝置17。此外，在室11中適宜設(shè)有:設(shè)置在室11天頂上的真空泵18和排氣口(圖示省略)。而且，在等離子體發(fā)生用電源14和氣體供給裝置17上，連接有控制等離子體發(fā)生用電源14和氣體供給裝置17的驅(qū)動(dòng)的控制部100。于是，在此裝置中，能夠通過(guò)等離子體發(fā)生用電源14在電極13和載置臺(tái)12之間的空間、使從氣體供給管16供給的成膜氣體的等離子體發(fā)生，由此使用所發(fā)生的等離子體進(jìn)行等離子體CVD成膜。以下，對(duì)于各構(gòu)成進(jìn)行依次說(shuō)明。就載置臺(tái)12而言，雖然是載置基材2的部件，但在內(nèi)部具備用于對(duì)基材2進(jìn)行加熱的加熱機(jī)構(gòu)也可。就一對(duì)電極13而言，其具有板狀的形狀，且按照一面?zhèn)扰c載置臺(tái)12對(duì)置的方式配置在室11內(nèi)的高度方向的規(guī)定位置。從與電極13連接的等離子體發(fā)生用電源14、向一對(duì)電極13外加例如高頻電功率，在此電極13之間和周邊的空間使電場(chǎng)發(fā)生，從而使從氣體供給管16供給的成膜氣體的等離子體發(fā)生。就磁場(chǎng)發(fā)生部15而言，其具有如下:在載置臺(tái)12側(cè)使極性交替顛倒地排列的多個(gè)磁體15a ;多個(gè)(圖中為3個(gè))磁體15a吸附的連接構(gòu)件15b。通過(guò)磁場(chǎng)發(fā)生部15,在載置臺(tái)12和電極13之間的空間形成磁場(chǎng)。在圖中，模式化地表示由磁場(chǎng)發(fā)生部15形成的磁力線LM。通過(guò)外加于電極13而產(chǎn)生的放電等離子體的強(qiáng)度，隨著磁場(chǎng)發(fā)生部15所形成的磁場(chǎng)的強(qiáng)度而有所不同，因此，形成等離子體強(qiáng)的區(qū)域即強(qiáng)等離子體區(qū)域AR1、和等離子體弱的區(qū)域即弱等離子體區(qū)域AR2。就磁場(chǎng)的強(qiáng)度而言，通過(guò)變更磁場(chǎng)發(fā)生部15的磁體15a的數(shù)量、磁體15a彼此的間隔(圖中，以符號(hào)L表示)、磁體15a的高度(圖中，以符號(hào)H表示)，能夠形成期望的磁場(chǎng)。例如，能夠使用將圖中所示的3個(gè)磁體15a之中的兩端的磁體15a比中央的要低、且遠(yuǎn)離電極13的磁場(chǎng)發(fā)生部15。還有，所發(fā)生的等離子體至到達(dá)基材2為止，因?yàn)榈入x子體擴(kuò)散，所以等離子體強(qiáng)度被平均化，在基材2上使用強(qiáng)度大體均勻的等離子體而完成成膜。就氣體供給管16而言，具有在一對(duì)電極13的下方以橫斷室11的方式延長(zhǎng)的管狀的形狀，從多處所設(shè)置的開(kāi)口部供給等離子體CVD的原料氣體等的成膜氣體。就氣體供給裝置17而言，具有蓄積成膜氣體(原料氣體、反應(yīng)氣體、載氣)的容器、和控制構(gòu)成成膜氣體的各氣體的供給量的閥等， 向室11內(nèi)供給恰當(dāng)量的成膜氣體。
原料氣體是有機(jī)金屬化合物，能夠根據(jù)所形成的阻隔膜的材質(zhì)適宜選擇使用。作為原料氣體，能夠使用例如含有硅的有機(jī)硅化合物。作為這樣的有機(jī)硅化合物，例如可列舉如下:六甲基二硅氧烷(HMDS0)、
1.1.3.3-四甲基二硅氧烷、乙烯基三甲基硅烷、四甲基硅烷、六甲基二硅烷、甲基硅烷、二甲基娃燒、二甲基娃燒、_■乙基娃燒、丙娃燒、苯娃燒、乙稀基二乙氧基娃燒、乙稀基二甲氧基娃燒、四甲氧基娃燒、四乙氧基娃燒、苯基二甲氧基娃燒、甲基二乙氧基娃燒、八甲基環(huán)四娃氧烷、二甲基二硅氮烷、三甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、五甲基二硅氮烷、六甲基二硅氮烷。這些有機(jī)硅化合物之中，從化合物的處理性和取得的阻隔膜的阻氣性等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選HMDS0、1，I, 3，3-四甲基二硅氧烷。另外，這些有機(jī)硅化合物，能夠單獨(dú)使用一種或組合兩種以上使用。此外，除上述的有機(jī)硅化合物以外，也可以將含有甲硅烷的原料氣體作為所形成的阻隔膜的硅源使用。作為成膜氣體，除了原料氣體以外還使用反應(yīng)氣體。作為這樣的反應(yīng)氣體，能夠適宜選擇通過(guò)與原料氣體發(fā)生反應(yīng)而與原料氣體所含的金屬元素或半金屬元素生成氧化物、氮化物等的不含碳的化合物的氣體使用。作為用于形成氧化物的反應(yīng)氣體，例如，能夠使用氧、臭氧。另外，作為用于形成氮化物的反應(yīng)氣體，例如，能夠使用氮、氨。這些反應(yīng)氣體能夠單獨(dú)使用一種或組合兩種以上使用，例如在形成氧氮化物時(shí)，能夠?qū)⒂糜谛纬裳趸锏姆磻?yīng)氣體和用于形成氮化物的反應(yīng)氣體組合使用。

為了將原料氣體供給到真空室內(nèi)，根據(jù)需要，將載氣作為成膜氣體的一部分使用也可。此外，為了使等離子體放電發(fā)生，根據(jù)需要，將放電用氣體作為成膜氣體的一部分使用也可。作為這樣的載氣和放電用氣體，能夠適宜使用公知的，例如，能夠使用氦、氬、氖、氙等的稀有氣體；氫。真空泵18用于控制室11內(nèi)的壓力(真空度)。室11內(nèi)的壓力，能夠根據(jù)原料氣體的種類(lèi)等適宜調(diào)整，但優(yōu)選基材2被載置的鄰域的壓力為0.1Pa 50Pa。出于抑制氣相反應(yīng)的目的，在等離子體CVD采用低壓等離子體CVD法時(shí)，通常為0.1Pa 10Pa。另外，等離子體發(fā)生裝置的鼓電極(電極卜'' 9 A )的電功率，能夠根據(jù)原料氣體的種類(lèi)和真空室內(nèi)的壓力等適宜調(diào)整，但優(yōu)選為0.1 10kW?？刂撇?00輸出控制等離子體發(fā)生用電源14和氣體供給裝置17的驅(qū)動(dòng)的控制信號(hào)。圖4是說(shuō)明控制部100的模式圖。如圖所示，控制部100包含如下:輸入部101 ；與輸入部101連接的運(yùn)算部102 ;與運(yùn)算部102連接的信號(hào)輸出部103和存儲(chǔ)部104。就輸入部101而言，是將等離子體發(fā)生用電源14和氣體供給裝置17的運(yùn)轉(zhuǎn)條件輸入運(yùn)算部102的輸入裝置。等離子體發(fā)生用電源14和氣體供給裝置17的運(yùn)轉(zhuǎn)條件，根據(jù)基板X(qián)上所形成的薄膜的厚度、使用的基板X(qián)的種類(lèi)、成膜氣體的組成等而變動(dòng)，因此適宜指定運(yùn)轉(zhuǎn)條件。就運(yùn)算部102而言，使用從輸入部101輸入的運(yùn)轉(zhuǎn)條件，擬定等離子體發(fā)生用電源14和氣體供給裝置17的控制信號(hào)，供給到信號(hào)輸出部103。就信號(hào)輸出部103而言，是用于分別輸出運(yùn)算部102所擬定的控制信號(hào)、即等離子體發(fā)生用電源14和氣體供給裝置17的控制信號(hào)的接口。另外，從輸入部101，可以輸入等離子體發(fā)生用電源14和氣體供給裝置17的運(yùn)轉(zhuǎn)條件本身，但也可以對(duì)于詳細(xì)的運(yùn)轉(zhuǎn)條件以查詢表等的形式預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部104、而輸入與所存儲(chǔ)的運(yùn)轉(zhuǎn)條件相關(guān)聯(lián)的指定信息。例如，若輸入“條件1”，則引出存儲(chǔ)部104所存儲(chǔ)的與條件I對(duì)應(yīng)的運(yùn)轉(zhuǎn)條件，若輸入“條件2”，則引出存儲(chǔ)部104所存儲(chǔ)的與條件2對(duì)應(yīng)的運(yùn)轉(zhuǎn)條件，如所述那樣輸入代用的信息也可。由此，能夠使運(yùn)轉(zhuǎn)條件的輸入操作簡(jiǎn)單化。(成膜工序)接著，對(duì)于使用這樣的成膜裝置，制造圖1所示的阻氣性層疊膜I時(shí)的反應(yīng)工序進(jìn)行說(shuō)明。在此，作為成膜氣體，使用HMDSO和氧的混合氣體進(jìn)行說(shuō)明。第一，示出控制氣體供給裝置17而制造阻氣性層疊膜I的情況。這種情況下，從控制部100向等離子體發(fā)生用電源14輸出控制信號(hào)，使得能夠使成膜氣體完全成為等離子體的程度的電功率以一定的電能量供給到電極13。另一方面，向氣體供給裝置17輸出控制信號(hào)，以在制造第一層3a和第二層3b時(shí)使HMDSO和氧的混合比不同。成膜氣體的混合比的變更，例如通過(guò)對(duì)于控制各個(gè)氣體的供給量的閥的開(kāi)度加以控制來(lái)進(jìn)行。首先，在第一層3a的成膜工序中，從控制部100向氣體供給裝置17輸出控制成膜氣體的混合比的控制信號(hào)，其控制方式為，達(dá)成在化學(xué)計(jì)量上HMDSO的完全氧化發(fā)生這樣的含氧率。例如，使氧為HMDSO的12倍而控制這些氣體的混合比，向室11內(nèi)供給這些氣體。使用這樣的混合比的成膜氣體時(shí)，在等離子體CVD的過(guò)程中，通過(guò)由下式I所示這樣的反應(yīng)而產(chǎn)生SiO2,因此能夠形成第一層3a。[化學(xué)式I](CH3) 6Si20+1202 — 6C02+9H20+2Si02...(I)其次，在第二層3b的成膜工序中，從控制部100向氣體供給裝置17輸出控制成膜氣體的混合比的控制信號(hào)，其控制方式為，達(dá)成在化學(xué)計(jì)量上HMDSO的完全氧化無(wú)法發(fā)生這樣氧不足的含氧率。具體 來(lái)說(shuō)，使氧低于HMDSO的12倍，如此控制這些氣體的混合比，向室11內(nèi)供給這些氣體。此外，成膜氣體的混合比，在第二層3b的成膜工序中，按照使含氧率連續(xù)地降低后、連續(xù)地提高直至氧成為HMDSO的12倍的方式，使之變化。若氧成為HMDSO的12倍，則第二層3b的成膜結(jié)束。使用這樣的混合比的成膜氣體時(shí)，在等離子體CVD的過(guò)程中，通過(guò)下式2所示這樣的反應(yīng)而生成作為含碳化合物的SiOxCy,因此能夠形成第二層3b。在式2中，作為例子，示出氧為HMDSO的9倍時(shí)的反應(yīng)式。[化學(xué)式2](CH3) 6Si20+902 — 4C02+9H20+2Si0C...(2)第二，示出通過(guò)控制等離子體發(fā)生用電源14而制造阻氣性層疊膜I的情況。這種情況下，向氣體供給裝置17輸入控制信號(hào)，其控制方式為，以在化學(xué)計(jì)量上HMDSO的完全氧化發(fā)生這樣的含氧率的一定的混合比供給成膜氣體。另一方面，從控制部100向等離子體發(fā)生用電源14輸出控制信號(hào)，其控制方式為，在制造第一層3a和第二層3b時(shí)，使電功率不同而使等離子體發(fā)生。首先，在第一層3a的成膜工序中，從控制部100向等離子體發(fā)生用電源14按照供給使HMDSO的完全氧化發(fā)生這樣的電功率的方式輸出控制信號(hào)。這種情況下，在等離子體CVD的過(guò)程中完全氧化發(fā)生，通過(guò)上式I所示這樣的反應(yīng)而生成SiO2,因此能夠形成第一層3a ο 其次，在第二層3b的成膜工序中，從控制部100向等離子體發(fā)生用電源14，按照供給使HMDSO的完全氧化不發(fā)生這樣的電功率(例如，第一層3a的成膜時(shí)的電功率的一半)的方式輸出控制信號(hào)。此外，所供給的電功率，在第二層3b的成膜工序中，按照連續(xù)地下降后再連續(xù)地上升、直至供給HMDSO的完全氧化發(fā)生這樣的電功率的方式，使之變化。若使供給電功率增加，直至HMDSO的完全氧化發(fā)生這樣的電功率，則第二層3b的成膜結(jié)束。這種情況下，在等離子體CVD的過(guò)程中，例如通過(guò)上式2所示這樣的反應(yīng)，SiOxCy生成，因此能夠形成第二層3b。此外，也可以控制氣體供給裝置17和等離子體發(fā)生用電源14雙方來(lái)制造阻氣性層疊膜I。這種情況下，也能夠通過(guò)上式1、2所示這樣的反應(yīng)，分別形成第一層3a、第二層3b ο在以上這樣的成膜裝置1000中，因?yàn)榭刂撇?00控制運(yùn)轉(zhuǎn)條件而進(jìn)行成膜，所以可以制造具有充分的阻氣性、且即使在膜彎曲時(shí)也可以充分抑制阻氣性降低的阻氣性層疊膜I。還有，在本實(shí)施方式中，對(duì)于薄膜3中層疊有第一層3a和第二層3b的合計(jì)為3層的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此。通過(guò)重復(fù)上述的成膜工序，例如如圖5所示，能夠制造出具有使第一層3a和第二層3b進(jìn)一步反復(fù)層疊(圖中合計(jì)為5層)的薄膜3的阻氣性層疊膜I。這樣的薄膜3的情況下，多個(gè)第二層3b的組成可以相同、也可以不同。另外，在具備這樣的薄膜3兩層以上時(shí),這樣的薄膜3可以形成于基材2的一側(cè)的表面上,也可以在基材2的兩側(cè)的表面上形成。

[第二實(shí)施方式]圖6是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的成膜裝置2000的說(shuō)明圖。本實(shí)施方式的成膜裝置2000，具有與第一實(shí)施方式的成膜裝置1000 —部分共通的構(gòu)成。因此，在本實(shí)施方式中，對(duì)于與第一實(shí)施方式共通的構(gòu)成要素附加相同的符號(hào)，這些構(gòu)成要素的詳細(xì)的說(shuō)明省略。圖6所示的成膜裝置2000，可以一邊搬送長(zhǎng)的基材2，一邊在搬送過(guò)程中連續(xù)地成膜。以下，依次進(jìn)行說(shuō)明。成膜裝置2000具有如下:送出卷繞成卷狀的長(zhǎng)的基材2的導(dǎo)出輥(搬送機(jī)構(gòu))21 ；搬送基材2的搬送輥(搬送機(jī)構(gòu))22,23 ;卷繞基材2的卷繞輥(搬送機(jī)構(gòu))24。就基材2而言，其以不撓曲而平坦的狀態(tài)在載置臺(tái)12的上方被搬送，在載置臺(tái)12的上方被搬送的過(guò)程中被連續(xù)地進(jìn)行等離子體CVD成膜。電極13以面向載置臺(tái)12的方式被設(shè)置在載置臺(tái)12的下方，磁場(chǎng)發(fā)生部15在電極13中與載置臺(tái)12非對(duì)置的一側(cè)被設(shè)置。氣體供給管16在載置臺(tái)12的上方以橫斷室11的方式延長(zhǎng)地設(shè)置。電極13和等離子體發(fā)生用電源14，構(gòu)成本發(fā)明的等離子體發(fā)生機(jī)構(gòu)。對(duì)于這樣的電極13，例如外加一定強(qiáng)度的高頻電功率，在電極13之間和周邊的空間使電場(chǎng)發(fā)生，從而使從氣體供給管16供給的成膜氣體的等離子體發(fā)生。成膜氣體例如以氧為HMDSO的9摩爾倍至12摩爾倍的方式被控制。這時(shí)，隨著由磁場(chǎng)發(fā)生部15形成的磁場(chǎng)的強(qiáng)度而不同強(qiáng)度的放電等離子體發(fā)生，在載置臺(tái)12的上方，形成等離子體強(qiáng)的區(qū)域即強(qiáng)等離子體區(qū)域AR1、和等離子體弱的區(qū)域即弱等離子體區(qū)域AR2。在強(qiáng)等離子體區(qū)域AR1，通過(guò)上式I所示這樣的反應(yīng)而生成SiO2，因此形成第一層3a。另外，在弱等離子體區(qū)域AR2，通過(guò)上式2所示這樣的反應(yīng)而生成SiOxCy,因此形成第二層3b。就基材2而言，按照其在如此形成的強(qiáng)等離子體區(qū)域ARl和弱等離子體區(qū)域AR2的鄰域通過(guò)的方式被搬送。在基板2上，在搬送過(guò)程中，遵循在各等離子體區(qū)域ARl、AR2所發(fā)生的反應(yīng)，被連續(xù)地進(jìn)行成膜。即，如圖7所示，在搬送基材2的過(guò)程中，在強(qiáng)等離子體區(qū)域ARl通過(guò)時(shí)形成第一層3a，在弱等離子體區(qū)域AR2通過(guò)時(shí)形成第二層3b。于是，因?yàn)樵趶?qiáng)等離子體區(qū)域ARl和弱 等離子體區(qū)域AR2交替通過(guò)，所以隨著搬送而使第一層3a和第二層3b被交替形成且層疊，并形成阻氣性層疊膜I。圖中，強(qiáng)等離子體區(qū)域ARl示出4處，弱等離子體區(qū)域AR2示出3處。因此，若使用本實(shí)施方式的成膜裝置2000，則所形成的阻氣性層疊膜1，成為使第一層3a和第二層3b交替層疊合計(jì)7層的結(jié)構(gòu)。在以上這樣的成膜裝置2000中，一邊使長(zhǎng)的基材2搬送一邊使之在等離子體強(qiáng)度不同的多個(gè)區(qū)域通過(guò)、且在各等離子體區(qū)域AR1、AR2進(jìn)行成膜。因此，可以容易地制造具有充分的阻氣性、且即使在使之彎曲時(shí)也可以充分抑制阻氣性降低的長(zhǎng)的阻氣性層疊膜I。另外，在成膜裝置2000中，以卷對(duì)卷的方式成膜薄膜3時(shí)，能夠在長(zhǎng)的基材2保持平坦的狀態(tài)下連續(xù)形成薄膜3。若在基材2彎曲的狀態(tài)下形成薄膜3，則所形成的阻氣性層疊膜平坦地延伸時(shí)，因?yàn)楸∧?nèi)部具有殘留應(yīng)力，所以容易破損。但是，由本實(shí)施方式的成膜裝置2000形成的阻氣性層疊膜沒(méi)有這樣的擔(dān)心。因此，可以容易而大量地制造更高品質(zhì)的阻氣性層疊膜。以上，一邊參照附圖，一邊對(duì)于本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施的方式例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明當(dāng)然不限定為此例。在上述示例中所示的各構(gòu)成構(gòu)件的諸形狀和組合等只是一例，可以在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)基于設(shè)計(jì)要求等進(jìn)行各種變更。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明提供的成膜裝置和成膜方法，由于可以制造具有充分的阻氣性、且即使在使膜彎曲時(shí)也可以充分抑制阻氣性降低的阻氣性層疊膜，所以在工業(yè)上極其有用。符號(hào)說(shuō)明2...基材,3...薄膜，11...真空室，13...電極,14...等離子體發(fā)生用電源，15...磁場(chǎng)發(fā)生部(磁場(chǎng)發(fā)生機(jī)構(gòu))，17…氣體供給裝置，21...導(dǎo)出輥(搬送機(jī)構(gòu))，22，23…搬送輥(搬送機(jī)構(gòu))，24…卷繞輥(搬送機(jī)構(gòu))，100…控制部，1000、2000…成膜裝置
權(quán)利要求
1.一種成膜裝置，其在基材上形成薄膜，其中， 所述成膜裝置具有: 真空室，其在內(nèi)部收容所述基材； 氣體供給裝置，其向所述真空室內(nèi)供給成膜氣體，該成膜氣體含有作為所述薄膜的原料的有機(jī)金屬化合物、和與該有機(jī)金屬化合物發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)氣體； 一對(duì)電極，其配置在所述真空室內(nèi)； 等離子體發(fā)生用電源，其向所述一對(duì)電極外加交流電力，使所述成膜氣體的等離子體發(fā)生； 控制部，其控制所述氣體供給裝置及所述等離子體發(fā)生用電源的任意一方或兩方，切換第一反應(yīng)條件和第二反應(yīng)條件，所述第一反應(yīng)條件是，通過(guò)所述有機(jī)金屬化合物和所述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)、而使含形成所述有機(jī)金屬化合物的金屬元素或半金屬元素且不含碳的化合物生成的條件，所述第二反應(yīng)條件是，通過(guò)所述有機(jī)金屬化合物和所述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，而使含形成所述有機(jī)金屬化合物的碳、和金屬元素或半金屬元素的含碳化合物生成的條件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其中， 所述控制部其構(gòu)成為，能夠以如下方式控制所述氣體供給裝置，即，在所述第一反應(yīng)條件中，使由所述有機(jī)金屬化合物和所述反應(yīng)氣體生成所述不含碳的化合物的反應(yīng)中的當(dāng)量以上的所述反應(yīng)氣體被包含在所述成膜氣體中，在所述第二反應(yīng)條件中，使比生成所述不含碳的化合物的反應(yīng)中的當(dāng)量少的所述反應(yīng)氣體被包含在所述成膜氣體中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置，其中， 所述控制部其構(gòu)成為，在對(duì)于所述氣體供給裝置、進(jìn)行所述第一反應(yīng)條件和所述第二反應(yīng)條件的切換時(shí)，能夠使所述成膜氣體中所包含的所述反應(yīng)氣體的量連續(xù)地變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其中， 所述控制部其構(gòu)成為，能夠以如下方式控制所述等離子體發(fā)生用電源，即，在所述第一反應(yīng)條件中，外加使所述不含碳的化合物生成之強(qiáng)度的所述等離子體發(fā)生的交流電力，在所述第二反應(yīng)條件中，外加使所述含碳化合物生成之強(qiáng)度的所述等離子體發(fā)生的交流電力。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜裝置，其中， 所述控制部其構(gòu)成方式為，在對(duì)于所述等離子體發(fā)生用電源、進(jìn)行所述第一反應(yīng)條件和所述第二反應(yīng)條件的切換時(shí)，能夠使所述交流電力的電能量連續(xù)地變化。
6.一種成膜裝置，其一邊連續(xù)地搬送長(zhǎng)的基材，一邊在所述基材上連續(xù)地成膜，其中， 所述成膜裝置具有: 真空室，其在內(nèi)部收容所述基材； 搬送裝置，其在所述真空室內(nèi)連續(xù)地搬送所述基材； 等離子體發(fā)生裝置，其在與所搬送的所述基材的一部分重疊的空間使放電等離子體發(fā)生； 磁場(chǎng)發(fā)生裝置，其沿著在所述空間的所述基材的搬送方向，在多處使磁場(chǎng)發(fā)生，且在該空間內(nèi)使等離子體強(qiáng)度有所不同， 所述搬送裝置其構(gòu)成為，在所述空間內(nèi)，將所述基材平坦地保持且進(jìn)行搬送。
7.一種成膜方法，其在基材上形成薄膜，其中， 所述成膜方法具有如下工序: 第一工序，其使用在由作為所述薄膜的原料的有機(jī)金屬化合物、和與該有機(jī)金屬化合物發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)氣體而使含形成所述有機(jī)金屬化合物的金屬元素或半金屬元素且不含碳的化合物生成的反應(yīng)中的當(dāng)量以上的所述反應(yīng)氣體，進(jìn)行等離子體CVD; 第二工序，其使用比生成所述不含碳的化合物的反應(yīng)中的當(dāng)量少的所述反應(yīng)氣體，進(jìn)行使含形成所述有機(jī)金屬化合物的碳、和金屬元素或半金屬元素的含碳化合物生成的等離子體CVD。
8.一種成膜方法，其在基材上形成薄膜，其中， 所述成膜方法具有如下工序: 第一工序，其通過(guò)由作為所述薄膜的原料的有機(jī)金屬化合物和與該有機(jī)金屬化合物反應(yīng)的反應(yīng)氣體而使含形成所述有機(jī)金屬化合物的金屬元素或半金屬元素且不含碳的化合物生成之強(qiáng)度的放電等離子體發(fā)生，進(jìn)行等離子體CVD ； 第二工序，其通過(guò)使含形成所述有機(jī)金屬化合物的碳和金屬元素或半金屬元素的含碳化合物生成之強(qiáng)度的放電等離子體發(fā)生，進(jìn)行等離子體CVD。
9.一種成膜方法，其一邊連續(xù)地搬送長(zhǎng)的基材，一邊利用等離子體CVD法在所述基材上連續(xù)地成膜，其中， 所述成膜方法具有如下工序:按照沿著所述基材的搬送方向而放電等離子體的強(qiáng)度在空間上有所不同的方式使等離子體放電，按照與所述放電等離子體的強(qiáng)度變化的空間重疊的方式使所平坦保持的所述基材得以搬送。
全文摘要
一種形成具有充分的阻氣性且具有耐屈曲性的阻氣性層疊膜的成膜裝置。該成膜裝置具有如下真空室，其在內(nèi)部收容基材；氣體供給裝置，其向該真空室內(nèi)供給成膜氣體，該成膜氣體包含作為薄膜的原料的有機(jī)金屬化合物和與該有機(jī)金屬化合物發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)氣體；一對(duì)電極，其配置在上述真空室內(nèi)；等離子體發(fā)生用電源，其向這一對(duì)電極外加交流電力，使成膜氣體的等離子體發(fā)生；控制部，其控制上述氣體供給裝置或上述等離子體發(fā)生用電源的任意一方或兩方，切換第一反應(yīng)條件和第二反應(yīng)條件，所述第一反應(yīng)條件是，通過(guò)所述有機(jī)金屬化合物和反應(yīng)氣體反應(yīng)，使含形成有機(jī)金屬化合物的金屬元素或半金屬元素且不含碳的化合物生成，所述第二反應(yīng)條件是，通過(guò)所述有機(jī)金屬化合物和所述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，使含形成有機(jī)金屬化合物的碳和金屬元素或半金屬元素的含碳化合物生成。
文檔編號(hào)H01L21/316GK103154313SQ20118004818
公開(kāi)日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2011年10月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月8日
發(fā)明者長(zhǎng)谷川彰, 黑田俊也, 真田隆 申請(qǐng)人:住友化學(xué)株式會(huì)社