專利名稱：中心布線雙圈排列單ic芯片封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子信息自動化元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及ー種IC芯片封裝件，具體說是ー種中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件。
背景技術(shù)：
長期以來，受蝕刻模板及蝕刻エ藝技術(shù)的限制，QFN產(chǎn)品一直延續(xù)著90年代開發(fā)出來的單圈引線框架模式。QFN(Quad Flat No Lead Package)型雙圈排列封裝的集成電路封裝技術(shù)是近幾年發(fā)展起來的ー種新型微小形高密度封裝技木，特別是2006年以來，市場需求増加，推動了 QFN封裝技術(shù)的快速發(fā)展，材料配套技術(shù)、制造エ藝技術(shù)和封裝應(yīng)用技術(shù)都有了突破性的進(jìn)展。目前，普通四邊扁平無引腳封裝(QFN)單面封裝時引腳數(shù)少、焊線長、造成焊線成本高。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供ー種在較為成熟的QFN集成電路封裝技術(shù)和單圈扁平的無引腳封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上吸取PCB設(shè)計制作特點(diǎn)，把中心布線環(huán)和雙圈排列巧妙結(jié)合的ー種中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件。為解決本實(shí)用新型的技術(shù)問題采用如下技術(shù)方案ー種中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，包括引線框架載體、框架引線內(nèi)引腳、IC芯片、鍵合線及塑封體，其特征在干所述引線框架載體上粘接IC芯片，所述IC芯片外側(cè)設(shè)有中心布線環(huán)，所述中心布線環(huán)的外部設(shè)有兩圏內(nèi)引腳，分別為第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳，所述第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳之間正面腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的第一凹坑；所述第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳下面設(shè)置第二凹坑；所述中心布線環(huán)上設(shè)有內(nèi)、外兩圈焊盤，所述內(nèi)圈焊盤組上設(shè)有多個焊盤，內(nèi)圈焊盤與IC芯片的焊盤打線，所述外圈焊盤組上也設(shè)有多個焊盤，分別與第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳打線。所述IC芯片與中心布線環(huán)的內(nèi)圈焊盤組的ー個焊盤打線連接形成第一鍵合線，與內(nèi)圈焊盤組的另一焊盤打線連接形成第二鍵合線，所述中心布線環(huán)的外圈焊盤組的ー個焊盤上打線后拉弧在第一內(nèi)引腳上打一月牙形焊點(diǎn)，形成第三鍵合線；所述中心布線環(huán)的外圈焊盤組的的另ー焊盤上打線后拉弧在第二內(nèi)引腳形成第四鍵合線；所述第一鍵合線和第二鍵合線通過中心布線環(huán)分別與第三鍵合線和第四鍵合線相導(dǎo)通。所述的中心布線環(huán)鑲嵌或使用高強(qiáng)度膠粘貼在引線框架載體上。本實(shí)用新型封裝件由引線框架載體、多內(nèi)引腳和心布線環(huán)構(gòu)成。在IC芯片外側(cè)設(shè)有中心布線環(huán)，中心布線環(huán)上設(shè)有內(nèi)、外兩圈焊盤組，通過PCB板內(nèi)部線路設(shè)計使內(nèi)焊盤和外焊盤對應(yīng)連接。IC芯片只與內(nèi)焊盤打線，內(nèi)引腳只與外焊盤打線。因此，中心布線環(huán)使IC芯片和內(nèi)引腳間通過內(nèi)部引線的轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。引線框架的中心布線環(huán)通過高強(qiáng)度膠與引線框架載體相接或鑲嵌，載體通過4個邊筋分別與中筋和框架相連；同列內(nèi)引腳通過連筋分別與中筋和相鄰框架的引腳相連；直線式第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳相連，通過連筋分別與中筋和相鄰框架的引腳相連。并且第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳上表面之間和底面都有凹坑，上表面凹坑(第一凹坑)增強(qiáng)了塑封料與框架的結(jié)合力，減少了分離引腳的厚度(1/2框架厚)；第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳的底面腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的凹坑，塑封料嵌入，增強(qiáng)了塑封料與框架的結(jié)合力，防止分層有利于提高產(chǎn)品的可靠性。中心布線環(huán)上2圈焊盤通過PCB設(shè)計線路相通，并作為IC芯片通過中心布線環(huán)內(nèi)部線路的轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)與內(nèi)引腳間導(dǎo)通，減少焊線長度，節(jié)約焊線成本，尤其是金線的使用成本。

圖I為本實(shí)用新型俯視示意圖；圖2為本實(shí)用新型分離引腳前剖面示意圖；圖3為本實(shí)用新型背面蝕刻減薄后的剖面示意圖；圖4為本實(shí)用新型磨削分離引腳后剖面示意圖圖5為本實(shí)用新型激光分離引腳后剖面示意圖；其中圖中1 一引線框架載體 2—中心布線環(huán) 3—第一粘片膠(導(dǎo)電膠)4一第一 IC芯片 5—第一鍵合線 6—第二鍵合線 7—第三鍵合線8—第四鍵合線17—第一內(nèi)引腳18—第一凹坑19一第二內(nèi)引腳20—塑封體21—激光切ロ22 —內(nèi)焊盤組23—外焊盤組24—連筋25—中筋 26—高強(qiáng)度膠 27—第二凹坑28一邊筋。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)ー步的說明ー種中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，包括引線框架載體、框架引線內(nèi)引腳、IC芯片、鍵合線及塑封體。引線框架載體I上粘接IC芯片4，IC芯片4外側(cè)設(shè)有中心布線環(huán)2，中心布線環(huán)2的外部設(shè)有兩圏內(nèi)引腳，分別為第一內(nèi)引腳17和第二內(nèi)引腳9。第一內(nèi)引腳17和第二內(nèi)引腳9之間正面腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的第一凹坑18 ;第一 內(nèi)引腳17和第二內(nèi)引腳19下面設(shè)置第二凹坑27。并且第一內(nèi)引腳17和第二內(nèi)引腳19上表面之間和底面都有第一凹坑18，第一凹坑18增強(qiáng)了塑封料與框架的結(jié)合力，減少了分離引腳的厚度(1/2框架厚)；第一內(nèi)引腳17和第二內(nèi)引腳19的底面腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的第二凹坑27，塑封料嵌入，增強(qiáng)了塑封料與框架的結(jié)合力，防止分層有利于提高產(chǎn)品的可靠性。中心布線環(huán)2上設(shè)有內(nèi)、外兩圈焊盤，內(nèi)圈焊盤組22上設(shè)有多個焊盤，內(nèi)圈焊盤與IC芯片4的焊盤打線，外圈焊盤組23上也設(shè)有多個焊盤，外圈焊盤分別與第一內(nèi)引腳17和第二內(nèi)引腳19打線。中心布線環(huán)2鑲嵌或使用高強(qiáng)度膠26粘貼在引線框架載體I上。IC芯片4與中心布線環(huán)2的內(nèi)圈焊盤組22的一個焊盤打線連接形成第一鍵合線5，與內(nèi)圈焊盤組22的另ー焊盤打線連接形成第二鍵合線6 ;中心布線環(huán)2的外圈焊盤組23的一個焊盤上打線后拉弧在第一內(nèi)引腳17上打一月牙形焊點(diǎn)，形成第三鍵合線7，所述中心布線環(huán)2的外圈焊盤組23的另ー焊盤上打線后拉弧在第二內(nèi)引腳19形成第四鍵合線8 ;第一鍵合線5和第二鍵合線6通過中心布線環(huán)2分別與第三鍵合線7和第四鍵合線8相導(dǎo)通。內(nèi)焊盤22組和外焊盤組23通過PCB板內(nèi)部的設(shè)計的布線對應(yīng)導(dǎo)通。如圖I所示，弓丨線框架的中心布線環(huán)2通過高強(qiáng)度膠26與引線框架載體I相接或鑲嵌，引線框架載體I通過4個邊筋28分別與中筋25和框架相連；同列內(nèi)引腳通過連筋28分別與中筋25和相鄰框架的引腳相連；直線式第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳相連，通過連筋28分別與中筋25和相鄰框架的引腳相連。IC芯片4的焊盤只與內(nèi)圈焊盤組22打線，內(nèi)引腳只與外圈焊盤組23打線，因此，中心布線環(huán)2為IC芯片通過內(nèi)部引線的轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)與內(nèi)引腳導(dǎo)通。其中IC芯片4、粘片膠(導(dǎo)電膠)3、IC芯片4上的焊盤、第一鍵合線5、第二鍵合線6、第三鍵合線7、第四鍵合線8、第一內(nèi)引腳17、第二內(nèi)引腳19構(gòu)成了電路的信號和電源通道。塑封體20包圍了雙圈引線框架載體I的上表面及側(cè)面、粘片膠(導(dǎo)電膠)3、IC芯片4及其焊盤上的焊點(diǎn)、中心布線環(huán)2、中心布線環(huán)2的內(nèi)圈焊盤組22、中心布線環(huán)2的外圈焊盤組23、第一內(nèi)引腳17、 第二內(nèi)引腳19的部分上表面和側(cè)面，第一凹坑18，第二凹坑27第一鍵合線5，第二鍵合線6，第三鍵合線7，第四鍵合線8，形成了電路整體，起到了保護(hù)和支撐作用。
權(quán)利要求1.ー種中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，包括引線框架載體、框架引線內(nèi)引腳、IC芯片、鍵合線及塑封體，其特征在于所述引線框架載體(I)上粘接IC芯片(4)，所述IC芯片(4)外側(cè)設(shè)有中心布線環(huán)(2)，所述中心布線環(huán)(2)的外部設(shè)有兩圏內(nèi)引腳，分別為第一內(nèi)引腳(17)和第二內(nèi)引腳(19)，所述第一內(nèi)引腳(17)和第二內(nèi)引腳(19)之間正面腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的第一凹坑(18);所述第一內(nèi)引腳(17)和第二內(nèi)引腳(19)下面設(shè)置第二凹坑(27);所述中心布線環(huán)(2)上設(shè)有內(nèi)、外兩圈焊盤組，所述內(nèi)圈焊盤組(22)上設(shè)有多個焊盤，內(nèi)圈焊盤與IC芯片(4)的焊盤打線，所述外圈焊盤組(23)上也設(shè)有多個焊盤，外圈焊盤分別與第一內(nèi)引腳(17)和第二內(nèi)引腳(19)打線。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，其特征在于所述IC芯片(4)與中心布線環(huán)(2)的內(nèi)圈焊盤組(22)的一個焊盤打線連接形成第一鍵合線(5)，與內(nèi)圈焊盤組(22)的另ー焊盤打線連接形成第二鍵合線(6);所述中心布線環(huán)(2)的外圈焊盤組(23)的一個焊盤上打線后拉弧在第一內(nèi)引腳(17)上打一月牙形焊點(diǎn)，形成第三鍵合線(7)，所述中心布線環(huán)(2)的外圈焊盤(23)的另ー焊盤上打線后拉弧在第二內(nèi)引腳(19)形成第四鍵合線(8);所述第一鍵合線(5)和第二鍵合線(6)通過中心布線環(huán)(2)分別與第三鍵合線(7)和第四鍵合線(8)相導(dǎo)通。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，其特征在于所述的中心布線環(huán)(2)鑲嵌或使用高強(qiáng)度膠(26)粘貼在弓I線框架載體(I)上。
專利摘要一種中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，引線框架載體上粘接有IC芯片，IC芯片外側(cè)設(shè)有中心布線環(huán)，中心布線環(huán)的外部設(shè)有兩圈內(nèi)引腳，中心布線環(huán)上設(shè)有內(nèi)、外兩圈焊盤，內(nèi)圈焊盤與IC芯片的焊盤打線，外圈焊盤分別與第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳打線。本實(shí)用新型把中心布線環(huán)和雙圈排列凸點(diǎn)巧妙結(jié)合，中心布線環(huán)通過高強(qiáng)度膠與引線框架載體相接或鑲嵌，增強(qiáng)了塑封料與框架的結(jié)合，減薄了框架厚度，防止分層，有利于提高產(chǎn)品的可靠性。中心布線環(huán)上2圈焊盤通過PCB設(shè)計線路相通，并作為IC芯片通過中心布線環(huán)內(nèi)部線路的轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)與內(nèi)引腳間導(dǎo)通，減少焊線長度，節(jié)約焊線成本，尤其是金線的使用成本。
文檔編號H01L23/495GK202394952SQ20112056821
公開日2012年8月22日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者慕蔚, 朱文輝, 李習(xí)周, 郭小偉 申請人:華天科技(西安)有限公司, 天水華天科技股份有限公司