專利名稱：光敏電阻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種光敏元件，特別是一種對發(fā)散光線靈敏度高的光敏電阻。
背景技術(shù)：
光敏電阻是一種常用的電路元件，電阻會隨著光線的變化而變化。可是現(xiàn)有的光敏電阻的光敏層通常是金屬的硫化物、硒化物和碲化物等半導(dǎo)體制成的片狀，對發(fā)散光線的敏感度比較低。

實用新型內(nèi)容本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種對發(fā)散光線靈敏度高的光敏電阻。本實用新型通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)光敏電阻，包括基座、光敏層和電極，所述基座的頂部設(shè)有一凹球面，光敏層為硫化鎘材料的薄膜，光敏層鍍在所述凹球面的表面上，電極連接于光敏層上。本實用新型的有益效果是光敏電阻的基座頂端為凹球面，光敏層為鍍在所述的凹球面上的硫化鎘材料的薄膜，因此與片狀光敏層相比對發(fā)散光線的靈敏度會更高。

圖I為本實用新型的示意圖。其中，附圖標(biāo)記I-基座2——電極3——光敏層
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型做進(jìn)一步說明。從圖I中可以看出，光敏電阻包括基座I、光敏層3和電極2，所述基座I的頂部設(shè)有一凹球面，光敏層3為硫化鎘材料的薄膜，光敏層3鍍在所述凹球面的表面上，電極2連接于光敏層3上。當(dāng)發(fā)散光線射在光敏電阻上時，籍由光敏電阻的基座I頂端為凹球面，光敏層3為鍍在所述的凹球面上的硫化鎘材料的薄膜，因此與片狀光敏層光敏電阻相比此光敏電阻對發(fā)散光線的靈敏度會更高。
權(quán)利要求1.光敏電阻，包括基座、光敏層和電極，其特征在于基座的頂部設(shè)有一凹球面，光敏層為硫化鎘材料的薄膜，光敏層鍍在所述凹球面的表面上，電極連接于光敏層上。
專利摘要本實用新型涉及一種光敏電阻，其包括基座、光敏層和電極，基座的頂部設(shè)有一凹球面，光敏層為硫化鎘材料的薄膜，光敏層鍍在所述凹球面的表面上，電極連接于光敏層上。本實用新型的光敏層為凹球面狀，有利于發(fā)散光的接收，因此與一般的光敏電阻相比，此結(jié)構(gòu)對發(fā)散光的靈敏度會更高，便于精確控制。
文檔編號H01L31/08GK202363505SQ201120480770
公開日2012年8月1日 申請日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者張習(xí)蓮 申請人:東莞市宇馳電子有限公司