專(zhuān)利名稱：太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能硅片領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片。
背景技術(shù)：
目前在太陽(yáng)能硅片加工行業(yè)，切割硅錠時(shí)采用的是鋼線切割方法，通過(guò)鋼線與硅錠的高速摩擦切開(kāi)硅錠以獲取相應(yīng)厚度的硅片。由于國(guó)內(nèi)硅晶材料緊缺，價(jià)格昂貴，所以節(jié)省原料，提高硅片的成品率成為必須。傳統(tǒng)的太陽(yáng)能硅片為方形薄片，四角倒圓角，厚度都在200 μ m以上。此類(lèi)截面狀的硅片在加工時(shí)存在一定的問(wèn)題一是在滾磨圓角時(shí)會(huì)產(chǎn)生粉末狀廢屑，此廢屑會(huì)飄揚(yáng)在空氣中污染環(huán)境且不能回收再利用；二是在滾磨加工時(shí)容易產(chǎn)生棱角崩邊和爆裂等質(zhì)量問(wèn)題，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的合格率?，F(xiàn)有技術(shù)中，太陽(yáng)能硅片的四角為 45 °倒角，其減少了硅片的可用面積，降低了發(fā)電效率。

實(shí)用新型內(nèi)容發(fā)明目的本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種成本低、良品率高、發(fā)電效率高的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片。技術(shù)方案為了實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型所述的一種太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片，其本體為上、下兩平行平面組成的方形薄片，該方形薄片的四個(gè)角的倒角與棱邊成60°角。所述本體的厚度優(yōu)選為170 士 10 μ m。所述本體的厚度進(jìn)一步優(yōu)選為170 μ m。有益效果本實(shí)用新型提供的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)1、由精密機(jī)床加工而成，其工藝簡(jiǎn)單、精度高，切割的余料可繼續(xù)回收利用，很有效的節(jié)約了成本；2、避免了滾磨加工工序，防止了棱角崩邊和爆裂的發(fā)生，提高了良品率；3、倒角與棱邊成60°角，與現(xiàn)45°倒角相比增大了硅片的可用面積，提高了發(fā)電效率；4、硅片厚度為170士 10 μ m，與傳統(tǒng)200 μ m硅片相比，厚度大幅減小，大大提高了
硅片的出產(chǎn)率。

圖1為本實(shí)用新型的俯視圖；圖2為本實(shí)用新型的左視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本實(shí)用新型。如圖1、圖2所示的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片，其本體1為上、下兩平行平面組成的方形薄片，該方形薄片的四個(gè)角的倒角與棱邊成60°角，即角度(a)為60°。該本體1的厚度(d)為170 μ m(在160 180范圍內(nèi)均可)。本體1的翹曲度彡75 μ m，本體1表面光滑、平整、
無(wú)瑕疵。本實(shí)用新型加工方法是先將硅片切割成厚度為170μπι的超薄太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片，再采用倒角機(jī)，將切割后硅片的4個(gè)邊緣角磨削呈梯形，對(duì)硅片邊緣進(jìn)行倒角處理，直接將硅錠切割成四個(gè)倒角與棱邊成60°角，如圖1中角(a)為60°，邊長(zhǎng)為156*157mm，對(duì)角距離為219. 5mm的八角方形柱體。本實(shí)用新型的厚度比現(xiàn)有普通太陽(yáng)能級(jí)硅片薄，將太陽(yáng)能級(jí)硅片的厚度由原來(lái)的 200降低到170，出片率增加至55片/千克，提高了 9%的出片率，減少了硅料損耗8%，與原始出片率50片/千克，每千克多產(chǎn)5片，每噸多產(chǎn)5000片，若每片為15元，可增加收入 75000元。由于切割成60°倒角，切割后的硅錠余料成塊狀，可回爐再次利用，節(jié)省生產(chǎn)成本，每噸可節(jié)約材料20公斤，若每噸的價(jià)格為3000元，每噸可節(jié)約人民幣6萬(wàn)元。上述實(shí)施例只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的是讓熟悉該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此來(lái)限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作出的等同變換或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片，其本體(1)為上、下兩平行平面組成的方形薄片，其特征在于所述的方形薄片的四個(gè)角的倒角與棱邊成60°角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片，其特征在于所述本體(1)的厚度為 170 士 ΙΟμπι。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片，其特征在于所述本體(1)的厚度為170μπι。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片，其本體為上、下兩平行平面組成的方形薄片，該方形薄片的四個(gè)角的倒角與棱邊成60°角。本實(shí)用新型提供的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)由精密機(jī)床加工而成，其工藝簡(jiǎn)單、精度高，切割的余料可繼續(xù)回收利用，很有效的節(jié)約了成本；避免了滾磨加工工序，防止了棱角崩邊和爆裂的發(fā)生，提高了良品率；倒角與棱邊成60°角，與現(xiàn)45°倒角相比增大了硅片的可用面積，提高了發(fā)電效率；硅片厚度為170±10μm，與傳統(tǒng)200μm硅片相比，厚度大幅減小，大大提高了硅片的出產(chǎn)率。
文檔編號(hào)H01L31/04GK202205764SQ20112033287
公開(kāi)日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月6日
發(fā)明者劉坤, 張順怡, 甘大源, 黃志明 申請(qǐng)人:太倉(cāng)協(xié)鑫光伏科技有限公司