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線繞電阻器的封裝方法

文檔序號:7170190閱讀:595來源:國知局
專利名稱:線繞電阻器的封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子元器件技術(shù)。
背景技術(shù)
線繞電阻器是用鎳鉻線或錳銅線、康銅線繞在絕緣骨架上制成的。絕緣骨架是由陶瓷、塑料、涂覆絕緣層的金屬等材料制成的管形、扁形等各種形狀。線繞電阻器具有阻值精度高,功率大,工作噪聲小,穩(wěn)定可靠,耐高溫等特點。線繞電阻的電阻絲外一般包覆一層密閉絕緣保護層,起防腐蝕,防氧化,提高使用壽命和耐熱穩(wěn)定性等保護器件的作用。通用的保護材料有玻璃釉和有機漆料。以環(huán)氧樹脂為代表的有機材料作絕緣保護層,由于其分解溫度低而受到使用限制。玻璃釉作絕緣保護層,在某些應(yīng)用環(huán)境有不可替代性。而且其原料易得,成本低廉,因而得到廣泛應(yīng)用?,F(xiàn)今工廠用玻璃釉作線繞電阻絕緣保護層一般有兩種工藝方法。其一是將玻璃粉均勻涂撒在電阻器上,然后在爐窯中加熱使玻璃熔化,冷卻固化后達到密封效果。但因粉料附著性差,一次熔制過程不能達到電阻器要求的絕緣層厚度,須多次重復(fù)撒粉熔制的過程。 這種工藝生產(chǎn)效率低,原料浪費嚴重,工人工作環(huán)境差,生產(chǎn)成本高。另一種工藝是將玻璃粉加入到溶劑中調(diào)漿成膏狀,然后涂覆在電阻器表面在爐窯中加熱熔制。溶劑一般為有機材料,具備一定的粘附性。這種方法中,加熱過程有機溶劑揮發(fā)分解放出氣體,部分氣體不能排出玻璃保護層,導(dǎo)致保護層氣孔多,致密性降低。而且有機溶劑的使用增加了生產(chǎn)成本。已有的封裝方法里,有如中國實用新型專利ZL 200920095240. 9號采用轉(zhuǎn)輪涂絕緣漆包封,發(fā)明專利ZL 200510096266. I號基于流化床涂覆方法將絕緣粉末涂覆在元件表面再烘烤成膜,發(fā)明專利ZL200610163612. 8號提出一種低溫玻璃膏涂布在待封表面再燒成玻璃膜,發(fā)明專利201010529622. 5號涉及的玻璃封裝方法也是先在器件表面涂覆玻璃然后燒結(jié)成膜,發(fā)明專利201010229393. 5號提出將待封裝LED芯片置于模具內(nèi)再向模具內(nèi)澆鑄熔融玻璃,實用新型專利ZL 201020294337. 5號的封裝方法是將共融玻璃粉熔融封裝在器件結(jié)合部。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是,提供一種高效、低成本的線繞電阻器的封裝方法。本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是,線繞電阻器的封裝方法,其特征在于,包括下述步驟A、將玻璃加熱至熔化;B、將線繞電阻預(yù)熱處理,然后浸入玻璃熔漿;C、取出帶有玻璃熔漿的線繞電阻,軸向水平放置并沿軸向旋轉(zhuǎn),緩慢冷卻至玻璃凝固。所述玻璃為低溫玻璃,更具體的說,鉍硼鋅系玻璃。
所述步驟A中,加熱至玻璃熔衆(zhòng)黏度約IO3 104dPa S。所述步驟B中,預(yù)熱處理的溫度為250 400°C?;蛘?,所述步驟C為取出帶有玻璃熔漿的線繞電阻,在從玻璃熔漿溫度到300°C 逐漸緩慢降低的溫度條件下軸向水平放置并沿軸向旋轉(zhuǎn),然后緩慢冷卻至玻璃凝固。本發(fā)明可直接在線繞電阻器上封裝玻璃保護層,不需使用有機溶劑或經(jīng)過反復(fù)撒粉燒制,提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本,具有較大的經(jīng)濟效益和社會效益。


圖I為線繞電阻器玻璃封裝的流程圖。圖2是本發(fā)明封裝后的電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是實施例采用的玻璃的DSC-TG曲線圖。
具體實施例方式參見圖I 3。圖I的原料熔融、急冷固化、粉碎制粉為常規(guī)的玻璃生產(chǎn)工藝。本發(fā)明包括下述步驟A、將玻璃加熱至熔化;B、將線繞電阻預(yù)熱處理,然后浸入玻璃熔漿;C、取出帶有玻璃熔漿的線繞電阻,在一定溫度下軸向水平放置并沿軸向旋轉(zhuǎn),緩慢冷卻至玻璃凝固。所述玻璃為具備熔化溫度低、相變溫度區(qū)間窄的特點的低溫玻璃,反映在DTA或 DSC曲線上就是熔化過程的吸熱峰溫度點低,小于700°C,且吸熱峰尖窄。步驟A中,加熱至玻璃熔漿黏度約IO3 104dPa .S。步驟B中,預(yù)熱處理的溫度為250 400°C。步驟C中, 一定溫度為從玻璃熔漿溫度到300°C逐漸緩慢降低,溫度降低速率為5 10°C /分鐘。作為一個實施例,本發(fā)明采用鉍硼鋅系玻璃,其DSC-TG曲線示例如圖2。封裝時,將玻璃粉料在爐窯中加熱至溫度達到成形范圍,黏度約IO3 104dPa S。 將待封裝的線繞電阻在250 400°C預(yù)熱,然后浸入到玻璃熔漿里,片刻后取出置于溫度從玻璃熔漿溫度逐漸緩慢降低至300°C的環(huán)境中,同時軸向水平放置,沿軸向旋轉(zhuǎn),至玻璃凝固,封裝完成。封裝后的線繞電阻器如圖I。具備如上所述特點的玻璃材料,由熔化狀態(tài)轉(zhuǎn)移到溫度緩慢降低的環(huán)境,降溫可致使黏度增加,但又具備一定流動性,軸向旋轉(zhuǎn)使玻璃漿料覆蓋均勻后逐漸凝為固態(tài)。與此相比,吸熱峰寬的玻璃材料,降溫過程黏度變化慢,其較大流動性可能導(dǎo)致玻璃拉絲或玻璃漿滴落的現(xiàn)象,致使封裝玻璃層不均勻或厚度過薄。較低的熔化溫度可保證電阻絲在封裝的環(huán)境中不被氧化導(dǎo)致器件失效。除上述特點外,玻璃材料還與電阻絲及其纏繞的絕緣基體有較好的浸潤性、結(jié)合性。
權(quán)利要求
1.線繞電阻器的封裝方法,其特征在于,包括下述步驟A、將玻璃加熱至熔化;B、將線繞電阻預(yù)熱處理,然后浸入玻璃熔漿;C、取出帶有玻璃熔漿的線繞電阻,軸向水平放置并沿軸向旋轉(zhuǎn),緩慢冷卻至玻璃凝固。
2.如權(quán)利要求I所述的線繞電阻器的封裝方法,其特征在于,步驟C中,溫度降低速率為5 10°C /分鐘。
3.如權(quán)利要求I所述的線繞電阻器的封裝方法,其特征在于,所述玻璃為低溫玻璃。
4.如權(quán)利要求I所述的線繞電阻器的封裝方法,其特征在于,所述玻璃為鉍硼鋅系玻3 。
5.如權(quán)利要求I所述的線繞電阻器的封裝方法,其特征在于,所述步驟A中,加熱至玻璃熔漿黏度約IO3 104dPa S。
6.如權(quán)利要求I所述的線繞電阻器的封裝方法,其特征在于,所述步驟B中,預(yù)熱處理的溫度為250 400°C。
7.如權(quán)利要求I所述的線繞電阻器的封裝方法,其特征在于,所述步驟C為取出帶有玻璃熔漿的線繞電阻,在從玻璃熔漿溫度到300°C逐漸緩慢降低的溫度條件下軸向水平放置并沿軸向旋轉(zhuǎn),然后緩慢冷卻至玻璃凝固。
全文摘要
線繞電阻器的封裝方法,涉及電子元器件技術(shù)。本發(fā)明包括下述步驟A、將玻璃加熱至熔化;B、將線繞電阻預(yù)熱處理,然后浸入玻璃熔漿;C、取出帶有玻璃熔漿的線繞電阻,軸向水平放置并沿軸向旋轉(zhuǎn),緩慢冷卻至玻璃凝固。本發(fā)明可直接在線繞電阻器上封裝玻璃保護層,不需使用有機溶劑或經(jīng)過反復(fù)撒粉燒制,提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本,具有較大的經(jīng)濟效益和社會效益。
文檔編號H01C17/02GK102543339SQ20111045560
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者張繼華, 楊傳仁, 趙強, 陳宏偉, 雷貫寰 申請人:電子科技大學(xué)
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