專利名稱：用于減少應(yīng)力的偽倒裝芯片凸塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，具體而言，本發(fā)明涉及偽倒裝芯片凸塊。
背景技術(shù)：
通常在半導(dǎo)體芯片上形成集成電路。為了增加生產(chǎn)量并降低制造成本，在半導(dǎo)體晶圓中制造集成電路，每一個半導(dǎo)體晶圓都包含許多完全相同的半導(dǎo)體芯片。當(dāng)制造集成電路之后，在半導(dǎo)體芯片可以使用之前將其從晶圓切割并進(jìn)行封裝。在一些封裝工藝中，將半導(dǎo)體芯片(在本領(lǐng)域中也被稱為管芯)接合于封裝襯底。通常包括環(huán)氧樹脂的底部填充物，用于進(jìn)一步固定接合。采用倒裝芯片接合或者引線接合 可以接合半導(dǎo)體芯片。在將管芯倒裝芯片接合至封裝襯底的工藝中，實(shí)施回流工藝以使管芯和封裝襯底之間的焊料熔化從而使焊盤連接至封裝襯底。常規(guī)接合工藝具有弊端。例如，在回流工藝期間，封裝襯底的溫度升高了。因?yàn)榉庋b襯底易于翹曲，回流之后，封裝襯底可能具有翹曲。隨著封裝襯底的翹曲，位于管芯和/或封裝襯底的中心和邊緣的凸塊被伸直或者壓縮。這導(dǎo)致應(yīng)力被分給管芯中的低k介電材料，并且對于低k介電層可能出現(xiàn)分層。另外，應(yīng)力可能進(jìn)一步引起管芯和封裝襯底之間的焊料出現(xiàn)碎裂。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種器件，包括襯底；金屬焊盤，位于所述襯底上方；鈍化層，包括位于所述金屬焊盤上方的一部分；鈍化后互連件(PPI)，電連接至所述金屬焊盤，其中所述PPI包括位于所述金屬焊盤和所述鈍化層上方的一部分；聚合物層，位于所述PPI上方；以及偽凸塊，位于所述聚合物層上方，其中所述偽凸塊與所述聚合物層下面的導(dǎo)電部件電絕緣。在上述器件中，其中，所述偽凸塊與所述聚合物層物理接觸。在上述器件中，其中所述偽凸塊包括非可回流凸塊和位于所述非可回流凸塊上方的焊料蓋頂。在上述器件中，進(jìn)一步包括在所述聚合物層中形成的非可回流電連接件，其中所述電連接件電連接至所述PPI。在上述器件中，進(jìn)一步包括在所述聚合物層中形成的非可回流電連接件，其中所述電連接件電連接至所述PPI，上述器件進(jìn)一步包括封裝元件，其中，所述封裝元件包括接合至所述非可回流的電連接件的另一電連接件；以及位于所述封裝元件的表面的介電層，其中所述偽凸塊與所述介電層相接觸，并且通過所述介電層與所述封裝元件中的導(dǎo)電部件電絕緣。在上述器件中，其中，所述聚合物層是聚酰亞胺層，并且其中，所述偽凸塊包含含銅材料。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種器件，包括第一封裝元件，包括電連接件；第二封裝元件，通過所述電連接件接合至所述第一封裝元件；以及偽凸塊，位于所述第一封裝元件和所述第二封裝元件之間，其中，所述偽凸塊與所述第一封裝元件和所述第二封裝元件至少之一中的導(dǎo)電部件電絕緣。在上述器件中，其中，所述第一封裝元件和所述第二封裝元件每一個都選自基本上由器件管芯、插件、封裝襯底、及其封裝件組成的組。在上述器件中，其中，所述偽凸塊是電浮置的。在上述器件中，其中，所述偽凸塊包含位于所述偽凸塊相對面上的第一表面和第二表面，并且其中，所述第一表面與位于所述第一封裝元件表面上的第一介電層相接觸，并且所述第二表面與位于所述第二封裝元件表面上的第二介電層相接觸。在上述器件中，其中，所述偽凸塊包含位于所述偽凸塊相對面上的第一表面和第二表面，并且其中，所述第一表面與位于所述第一封裝元件表面上的第一介電層相接觸，并 且所述第二表面與位于所述第二封裝元件表面上的第二介電層相接觸，其中，所述第一介電層包含聚酰亞胺，并且其中，所述第一封裝元件是器件管芯。在上述器件中，其中，所述偽凸塊包含位于所述偽凸塊相對面上的第一表面和第二表面，并且其中，所述第一表面與位于所述第一封裝元件表面上的第一介電層相接觸，并且所述第二表面與位于所述第二封裝元件表面上的第二介電層相接觸，其中，所述偽凸塊包括非可回流部分和焊料蓋頂，所述非可回流部分與所述第一介電層物理接觸，所述焊料蓋頂與所述第二介電層物理接觸。在上述器件中，進(jìn)一步包括底部填充物，所述底部填充物位于所述第一封裝元件和所述第二封裝元件之間，其中所述底部填充物與所述電連接件和所述偽凸塊物理接觸。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種方法，包括形成第一封裝元件，其中所述形成步驟包括下列步驟形成包括位于金屬焊盤上方的一部分的鈍化層；形成電連接至所述金屬焊盤的鈍化后互連件(PPI)，其中所述PPI包括位于所述金屬焊盤和所述鈍化層上方的一部分；在所述PPI上方形成聚合物層；形成位于所述PPI上方并電連接至所述PPI的電連接件，其中所述電連接件包括位于所述聚合物層的頂面上方的一部分；以及在所述聚合物層上方形成偽凸塊，其中所述偽凸塊與所述聚合物層下面的所有導(dǎo)電部件絕緣。在上述方法中，其中，形成所述電連接件和所述偽凸塊的步驟包括在所述聚合物層中形成開口 ；形成延伸至所述開口內(nèi)的凸塊下金屬化(UBM)層；在所述UBM層上方形成掩模；圖案化所述掩模以形成第一開口和第二開口，其中，所述第一開口的一部分位于一部分所述PPI的上方，并與該部分PPI垂直對準(zhǔn)，以及整個所述第二開口位于一部分所述聚合物層的上方，并與該部分所述聚合物層垂直對準(zhǔn)；在所述第一開口中形成第一凸塊；在所述第二開口中形成第二凸塊；去除所述掩模；以及去除被所述掩模覆蓋的所述UBM層的部分，其中，所述第一凸塊和直接位于所述第一凸塊下方的所述UBM層的第一部分形成所述電連接件，并且其中，所述第二凸塊和直接位于所述第二凸塊下方的所述UBM層的第二部分形成所述偽凸塊。在上述方法中，其中，所述UBM層的所述第二部分具有底部，所述底部與所述聚合物層物理接觸并且不電連接至所述第一封裝元件中的任何PPI。在上述方法中，其中，所述偽凸塊的整個底面與所述聚合物層物理接觸。在上述方法中，其中，同時形成所述電連接件和所述偽凸塊。
在上述方法中，進(jìn)一步包括接合所述第一封裝元件與第二封裝元件，其中所述電連接件接合至所述第一封裝元件中的另一電連接件。在上述方法中，進(jìn)一步包括接合所述第一封裝元件與第二封裝元件，其中所述電連接件接合至所述第一封裝元件中的另一電連接件，其中，所述第二封裝元件包括位于表面的介電層，并且其中，所述偽凸塊與所述介電層物理接觸。


為了更充分地理解實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參 考，其中圖I至圖7是根據(jù)各個實(shí)施例的制造封裝件的中間階段的剖面圖；圖8示出了芯片的俯視圖，其中偽凸塊被分配到芯片的高應(yīng)力區(qū)；以及圖9示出了根據(jù)可選實(shí)施例的封裝件。
具體實(shí)施例方式在下面詳細(xì)地討論本發(fā)明實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，實(shí)施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的概念。所討論的具體實(shí)施例僅僅是示例性的，并不限制本發(fā)明的范圍。根據(jù)實(shí)施例提供了包括偽凸塊的封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。示出了制造各個實(shí)施例的中間階段。然后討論了實(shí)施例的變體。貫穿各個視圖和示例性實(shí)施例，相同的參考編號用于指定相同的元件。參考圖1，提供了晶圓10，晶圓10包括半導(dǎo)體襯底20。在實(shí)施例中，晶圓10是器件晶圓，其中可以包括有源器件如晶體管。因此，半導(dǎo)體襯底20可以是體硅襯底或者絕緣體上硅襯底。也可以使用包括III族、IV族、和V族的其他半導(dǎo)體材料。在可選實(shí)施例中，例如，晶圓10可以是其中不包括有源器件的其他封裝元件的晶圓，并可以是插件晶圓。在其中晶圓10不包括有源器件的實(shí)施例中，晶圓10可以包括無源器件如電阻器和電容器，或者不包括無源器件。而且，在其中晶圓10不包括有源器件的實(shí)施例中，襯底20可以是介電襯底，如玻璃襯底、陶瓷襯底、或有機(jī)襯底等。當(dāng)晶圓10是器件晶圓時，在半導(dǎo)體襯底20的表面形成集成電路器件如晶體管(示意性示出為21)。晶圓10可以進(jìn)一步包括位于半導(dǎo)體襯底20上方的層間介電(ILD) 22和位于ILD 22上方的金屬層24。在介電層25中形成金屬層24,金屬層24包括金屬線26,其中金屬線26進(jìn)一步通過通孔28互連。在實(shí)施例中，介電層25由低k介電材料形成。例如，低k介電材料的介電常數(shù)(k值)可以小于約2. 8，或者小于約2. 5。金屬線26和通孔28可以由銅或者銅合金形成，但是它們也可以由其他金屬形成。金屬焊盤30形成于金屬層24的上方，并可以電連接至金屬線26和通孔28。金屬焊盤30可以是鋁焊盤或者鋁-銅焊盤，并因此在下文可選地被稱為鋁焊盤30，但是可以使用其他金屬材料。在金屬層24的上方形成鈍化層32。鈍化層32的一部分可以覆蓋鋁焊盤30的邊緣部分。通過鈍化層32中的開口暴露出鋁焊盤30的中心部分。鈍化層32可以是單層或者復(fù)合層，并可以由無孔材料形成。在實(shí)施例中，鈍化層32由包括氧化硅層(未示出)和位于氧化娃層上方的氮化娃層(未不出)的復(fù)合層形成。鈍化層32也可以由未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)、和/或氧氮化硅等形成。在鈍化層32的上方形成聚合物層36。聚合物層36可以由聚合物如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、和聚苯并噁唑(PBO)等形成。形成方法包括旋轉(zhuǎn)涂布或者其他方法。圖案化聚合物層36以形成開口，通過該開口暴露出鋁焊盤30。聚合物層36的圖案化可以包括光刻技術(shù)。然后可以實(shí)施固化以固定聚合物層36。形成鈍化后互連件(PPI)38以通過聚合物層36中的開口電連接至鋁焊盤30。因?yàn)镻PI 38是在鈍化層32形成之后形成的，所以這樣命名PPI 38。PPI 38可以由純銅、基本上純的銅、銅合金、或者其他金屬或者金屬合金形成。PPI 38可以進(jìn)一步包括含鎳層。形成方法包括電鍍、化學(xué)鍍、濺射、和化學(xué)汽相沉積方法等。圖2示出了聚合物層39的形成和圖案化。聚合物層39可以包括聚合物，該聚合物可以是聚酰亞胺或類似物，并可以采用與圖案化聚合物層36相同的方法進(jìn)行圖案化。在圖案化聚合物層39之后，通過開口 40暴露出一部分PPI 38。在其中PPI 38是由含銅材料形成的實(shí)施例中，可以通過聚合物層39中的開口 40暴露出含銅材料的表面?！⒖紙D3，形成凸塊下金屬化(UBM)層。在實(shí)施例中，UBM層45包括阻擋層42和位于阻擋層42上方的種子層44。阻擋層42延伸至開口 40內(nèi)，并電連接至PPI 38，并可以與PPI 38物理接觸。阻擋層42可以是鈦層、氮化鈦層、鉭層、氮化鉭層、或者是由鈦合金或鉭合金形成的層。種子層44的材料可以包括銅或者銅合金，并因此種子層44在下文中可選地被稱為銅種子層。然而，也可以包括其他金屬如銀、金、鋁、鈀、鎳、鎳合金、鎢合金、鉻、鉻合金、及其組合。在實(shí)施例中，采用物理汽相沉積(PVD)或者其他適用的方法形成阻擋層42和種子層44。阻擋層42可以具有處于約500人和約2,000 A之間的厚度。種子層44可以具有處于約1，000 A和約10,000 A之間的厚度，但是可以使用不同的厚度。圖4不出了掩模46的形成,例如,掩模46可以由在UBM層45上層壓的光刻膠或者干膜形成。圖案化掩模46，并且通過掩模46中的開口 47和48暴露部分UBM層45，同時UBM層45的一些部分被掩模46覆蓋。掩模46直接位于PPI 38的金屬焊盤的上方。另一方面，在一部分聚合物層39的上方形成開口 48，開口 48可以不具有下面的PPI焊盤。因此，通過開口 47暴露的暴露部分UBM 45A可以具有接觸PPI 38的底面45A1，同時通過開口48暴露的暴露部分UBM 45B可以具有不與任何PPI焊盤接觸的底面45B1。相反，底面45B1與下面的介電材料相接觸，在一些實(shí)施例中下面的介電材料可以是聚合物層39。接下來，也如圖5中所示，形成金屬凸塊50和52。在實(shí)施例中，將晶圓10置于鍍液(未示出)中，并實(shí)施鍍層步驟以分別在UBM層上和開口 47和48中形成金屬凸塊50和52。鍍層可以是電鍍、化學(xué)鍍、或浸鍍等。在示例性實(shí)施例中，金屬凸塊50和52每一個都包含在后續(xù)回流工藝中不熔化的非可回流(non-reflowable)部分。非可回流部分表示為銅凸塊50A和52A。可選地，金屬凸塊50和52可以包括在銅凸塊50A和52A上方形成的保護(hù)層(cap layer)，該保護(hù)層選自由鎳層、鎳合金、鈀層、金層、銀層、及其多層組成的組。金屬凸塊50和52分別可以進(jìn)一步包括焊料蓋頂(solder cap) 50B和52B，焊料蓋頂50B和52B可以由Sn-Ag合金、Sn-Cu合金、或Sn-Ag-Cu合金等形成,并可以是無鉛的或者含鉛的。參考圖6，在形成金屬凸塊50之后，去除掩模46，并將先前被掩模46覆蓋的UBM層45的部分暴露出來。然后實(shí)施蝕刻步驟以去除未被金屬凸塊(如金屬凸塊50和52)覆蓋的UBM層45的部分。在得到的結(jié)構(gòu)中，UBM部分45A和上面的金屬凸塊50合起來被稱為電連接件60，以及UBM部分45B和上面的金屬凸塊52合起來被稱為偽凸塊62。電連接件60電連接至金屬焊盤30。偽凸塊62直接位于聚合物層39的上方，并可以與聚合物層39物理接觸。因此，偽凸塊62不具有電連接至晶圓10中的部件的功能，并且不電連接至任何PPI。圖8示出了電連接件60和偽凸塊62形成之后的一部分晶圓10的俯視圖。示出的部分在下文中被稱為封裝元件100。當(dāng)晶圓10是器件晶圓時，封裝元件100可以是器件管芯。可選地，封裝元件100可以是插件。封裝元件100具有邊緣102。在封裝元件100的表面可以形成多個電連接件60和偽凸塊62。在實(shí)施例中，偽凸塊62被分配到封裝元件100中的多個部分，該多個部分在封裝器件100接合至其他封裝元件如封裝襯底之后受到高應(yīng)力。例如，偽凸塊62可以被分配到封裝元件100的中心和4個角落，封裝元件100的這些部分具有比其他部分更高的應(yīng)力。在封裝元件100的其他部分中，設(shè)置電連接件60，該電連接件60電連接至封裝元件100內(nèi)部的部件。在示出的實(shí)施例中，在封裝器件100的中心設(shè) 置4個偽凸塊62，以及在封裝元件100的每個角落設(shè)置2個偽凸塊62，但是在每個位置可以設(shè)置更多或者更少的偽凸塊62。剩余的凸塊可以是電連接件60。在電連接件60和偽凸塊62形成之后，可以將晶圓10切割成管芯，其中管芯之一被示出為圖8中的封裝元件100。然后，如圖7中所示，封裝元件100接合至封裝元件200。可選地，在晶圓10的管芯切割之前可以實(shí)施封裝元件100接合至封裝元件200，并因此，相應(yīng)的接合是晶圓至晶圓的接合。封裝元件200可以是其中包括有源器件如晶體管的器件管芯，或者是其中無有源器件的其他封裝元件，如封裝襯底、或插件等。封裝元件200也可以是以任意組合形式包括器件管芯、插件和/或封裝襯底中的一種或者多種的封裝件。電連接件60可以接合至電連接件202，電連接件202可以是金屬部件。電連接件202可以電連接至部件206，部件206相對于電連接件202位于封裝器件200的相對面上。在實(shí)施例中，部件206是焊料凸塊，并通過金屬線和通孔204連接至電連接件202。偽凸塊62可以與位于封裝元件200表面的介電層210物理接觸。因此，偽凸塊62可以與封裝元件200中的所有金屬部件絕緣，并可以是電浮置的?？蛇x地，偽凸塊62可以接合至封裝元件200中用虛線標(biāo)記的接合焊盤212。然而，接合焊盤212不電連接至位于封裝元件200相對面上的任何其他導(dǎo)電部件，并且可以不電連接至封裝元件200內(nèi)部的任何其他導(dǎo)電部件。圖7示出了跡線上凸塊(BOT)結(jié)構(gòu)，其中金屬部件202是金屬跡線，并且電連接件60接合至金屬跡線202，該接合結(jié)構(gòu)包括焊料220，該焊料220也接合至金屬跡線202的側(cè)壁。焊料220可以包括圖6中的焊料蓋頂50B，并可以可選地包括預(yù)涂覆到金屬部件202上的預(yù)焊料(pre-solder)。在可選實(shí)施例中，如圖9中所示，電連接件60可以接合至位于封裝元件200表面的接合焊盤214，同時，偽凸塊62仍是電浮置的，并可以與封裝元件200中的所有導(dǎo)電部件絕緣。在如圖7和圖9中接合封裝元件100和200之后，底部填充物230可以填充進(jìn)封裝元件100和200之間的間隔。底部填充物230可以與電連接件60和偽凸塊62物理接觸。在實(shí)施例中，偽凸塊62(圖7和圖9)可以不連接于封裝元件100中的任何PPI。在用于將封裝元件100接合至封裝元件200的回流工藝之后，封裝元件100和200可能具有翹曲。當(dāng)由于翹曲產(chǎn)生應(yīng)力時，偽凸塊62可以將應(yīng)力傳遞至聚合物層39，聚合物層39是相對柔軟的，使得應(yīng)力可以被聚合物層39吸收，而不是轉(zhuǎn)移到PPI 38和封裝元件100內(nèi)部的部件。因此改進(jìn)了封裝元件100的可靠性。類似地，在封裝元件200的面上，應(yīng)力部分地被介電層210吸收，而不是直接施加到封裝元件200中的金屬焊盤、金屬線和通孔。根據(jù)實(shí)施例，一種器件包括金屬焊盤，該金屬焊盤位于襯底上方；鈍化層，該鈍化層包括位于金屬焊盤上方的一部分；PPI，該P(yáng)PI電連接至金屬焊盤，其中PPI包括位于金屬焊盤和鈍化層上方的一部分；聚合物層，該聚合物層位于PPI上方；以及偽凸塊，該偽凸塊位于聚合物層的上方，其中偽凸塊與聚合物層下面的導(dǎo)電部件電絕緣。根據(jù)其他實(shí)施例，一種器件包括具有電連接件的第一封裝元件；通過電連接件接合至第一封裝元件的第二封裝元件；以及位于第一封裝 元件和第二封裝元件之間的偽凸塊，該偽凸塊與第一封裝元件和第二封裝元件至少之一中的導(dǎo)電部件電絕緣。根據(jù)又一個實(shí)施例，形成封裝元件的方法包括形成具有位于金屬焊盤上方的一部分的鈍化層；形成電連接至金屬焊盤的PPI，該P(yáng)PI具有位于金屬焊盤和鈍化層上方的一部分；在？ 1上方形成聚合物層；形成位于PPI上方并電連接至PPI的電連接件，其中該電連接件包括位于聚合物層的頂面上方的一部分；以及在聚合物層上方形成偽凸塊，其中偽凸塊與聚合物層下面的所有導(dǎo)電部件絕緣。盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了實(shí)施例及其優(yōu)勢，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的實(shí)施例的精神和范圍的情況下，進(jìn)行各種改變、替換和更改。而且，本申請的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明應(yīng)很容易理解，根據(jù)本發(fā)明可以利用現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與本文所述相應(yīng)實(shí)施例基本上相同的功能或者獲得基本上相同的結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求預(yù)期在其范圍內(nèi)包括這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。此外，每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨(dú)的實(shí)施例，并且多個權(quán)利要求和實(shí)施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種器件，包括 襯底； 金屬焊盤，位于所述襯底上方； 鈍化層，包括位于所述金屬焊盤上方的一部分； 鈍化后互連件(PPI)，電連接至所述金屬焊盤，其中所述PPI包括位于所述金屬焊盤和所述鈍化層上方的一部分； 聚合物層，位于所述PPI上方；以及 偽凸塊，位于所述聚合物層上方，其中所述偽凸塊與所述聚合物層下面的導(dǎo)電部件電絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件，其中，所述偽凸塊與所述聚合物層物理接觸；其中所述偽凸塊包括非可回流凸塊和位于所述非可回流凸塊上方的焊料蓋頂；所述聚合物層是聚酰亞胺層，并且其中，所述偽凸塊包含含銅材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件，進(jìn)一步包括在所述聚合物層中形成的非可回流電連接件，其中所述電連接件電連接至所述PPI ;所述器件進(jìn)一步包括封裝元件，其中，所述封裝元件包括接合至所述非可回流的電連接件的另一電連接件；以及位于所述封裝元件的表面的介電層，其中所述偽凸塊與所述介電層相接觸，并且通過所述介電層與所述封裝元件中的導(dǎo)電部件電絕緣。
4.一種器件，包括 第一封裝元件，包括電連接件； 第二封裝元件，通過所述電連接件接合至所述第一封裝元件；以及 偽凸塊，位于所述第一封裝元件和所述第二封裝元件之間，其中，所述偽凸塊與所述第一封裝元件和所述第二封裝元件至少之一中的導(dǎo)電部件電絕緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述第一封裝元件和所述第二封裝元件每一個都選自基本上由器件管芯、插件、封裝襯底、及其封裝件組成的組； 其中，所述偽凸塊是電浮置的； 其中，所述偽凸塊包含位于所述偽凸塊相對面上的第一表面和第二表面，并且其中，所述第一表面與位于所述第一封裝元件表面上的第一介電層相接觸，并且所述第二表面與位于所述第二封裝元件表面上的第二介電層相接觸其中，所述第一介電層包含聚酰亞胺，并且其中，所述第一封裝元件是器件管芯，且所述偽凸塊包括非可回流部分和焊料蓋頂，所述非可回流部分與所述第一介電層物理接觸，所述焊料蓋頂與所述第二介電層物理接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，進(jìn)一步包括底部填充物，所述底部填充物位于所述第一封裝元件和所述第二封裝元件之間，其中所述底部填充物與所述電連接件和所述偽凸塊物理接觸。
7.一種方法，包括 形成第一封裝元件，其中所述形成步驟包括下列步驟 形成包括位于金屬焊盤上方的一部分的鈍化層； 形成電連接至所述金屬焊盤的鈍化后互連件(PPI)，其中所述PPI包括位于所述金屬焊盤和所述鈍化層上方的一部分； 在所述PPI上方形成聚合物層；形成位于所述PPI上方并電連接至所述PPI的電連接件，其中所述電連接件包括位于所述聚合物層的頂面上方的一部分；以及 在所述聚合物層上方形成偽凸塊，其中所述偽凸塊與所述聚合物層下面的所有導(dǎo)電部件絕緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述電連接件和所述偽凸塊的步驟包括 在所述聚合物層中形成開口； 形成延伸至所述開口內(nèi)的凸塊下金屬化(UBM)層； 在所述UBM層上方形成掩模； 圖案化所述掩模以形成第一開口和第二開口，其中，所述第一開口的一部分位于一部分所述PPI的上方，并與該部分PPI垂直對準(zhǔn)，以及整個所述第二開口位于一部分所述聚合物層的上方，并與該部分所述聚合物層垂直對準(zhǔn)； 在所述第一開口中形成第一凸塊； 在所述第二開口中形成第二凸塊； 去除所述掩模；以及 去除被所述掩模覆蓋的所述UBM層的部分，其中，所述第一凸塊和直接位于所述第一凸塊下方的所述UBM層的第一部分形成所述電連接件，并且其中，所述第二凸塊和直接位于所述第二凸塊下方的所述UBM層的第二部分形成所述偽凸塊，其中，所述UBM層的所述第二部分具有底部，所述底部與所述聚合物層物理接觸并且不電連接至所述第一封裝元件中的任何PPI。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述偽凸塊的整個底面與所述聚合物層物理接觸，其中，同時形成所述電連接件和所述偽凸塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括接合所述第一封裝元件與第二封裝元件，其中所述電連接件接合至所述第一封裝元件中的另一電連接件，其中，所述第二封裝元件包括位于表面的介電層，并且其中，所述偽凸塊與所述介電層物理接觸。
全文摘要
一種器件包括金屬焊盤，該金屬焊盤位于襯底上方；鈍化層，該鈍化層包括位于金屬焊盤上方的一部分；鈍化后互連件(PPI)，該P(yáng)PI電連接至金屬焊盤，其中PPI包括位于金屬焊盤和鈍化層上方的一部分；聚合物層，該聚合物層位于PPI上方；以及偽凸塊，該偽凸塊位于聚合物層上方，其中偽凸塊與聚合物層下面的導(dǎo)電部件電絕緣。本發(fā)明提供用于減少應(yīng)力的偽倒裝芯片凸塊。
文檔編號H01L23/488GK102956590SQ20111040490
公開日2013年3月6日 申請日期2011年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月17日
發(fā)明者吳勝郁, 郭庭豪, 莊其達(dá), 陳承先 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司