專利名稱：保護芯片級封裝的t型接觸免受潮的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及保護芯片級封裝的T型接觸的方法。
背景技術(shù)：
將芯片級封裝用于形成基本上具有與半導(dǎo)體芯片相同的尺寸的外殼。CSP的應(yīng)用之一為互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CM0Q圖像傳感器芯片的封裝。在為圖像傳感器芯片的一部分的硅基板的前表面處形成可以由CMOS裝置形成的圖像傳感器。對于硅基板進行背側(cè)研磨直到硅基板的厚度薄到足以允許光從背側(cè)穿過硅基板以到達圖像傳感器。在圖像傳感器芯片的封裝中，為了保護圖像傳感器芯片，將玻璃粘結(jié)至圖像傳感器芯片的背側(cè)，而同時允許光到達圖像傳感器。通過T型接觸來制作圖像傳感器的電連接， 其中，將在硅基板的上方并且電連接至圖像傳感器的鋁焊盤連接至金屬線，其中，在各個封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成該金屬線。在切割開包括圖像傳感器芯片的晶圓以前，進行圖像傳感器芯片的封裝。在形成球柵陣列(BGA)球以連接至T型接觸以后，切割開生成的封裝結(jié)構(gòu)以分離圖形傳感器芯片。 然而，由于封裝需要切割開鋁焊盤，所以鋁焊盤的邊緣暴露在開放空間中，并且經(jīng)受水分侵襲。這可能導(dǎo)致各個鋁焊盤剝落。另外，由于在圖像傳感器芯片中的硅基板可以以例如2 μ m 的非常小的厚度接地，所以通過鋁腐蝕所導(dǎo)致的鋁焊盤的膨脹還會導(dǎo)致硅基板的破裂，并且因此，導(dǎo)致破裂的封裝結(jié)構(gòu)故障。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種方法，包括進行在封裝結(jié)構(gòu)上的第一芯片切割，所述封裝結(jié)構(gòu)包括裝置晶圓以及粘附至所述裝置晶圓的載具晶圓，其中，所述第一芯片切割形成在所述封裝結(jié)構(gòu)中的第一溝槽，并且其中，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤的側(cè)邊緣暴露于所述第一溝槽下，所述裝置晶圓包括第一芯片以及第二芯片，其中所述第一芯片包括第一接觸焊盤；所述第二芯片包括第二接觸焊盤；形成第一金屬引線和第二金屬引線，所述第一金屬引線和所述第二金屬引線延伸入所述第一溝槽中并且分別與所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤的側(cè)邊緣接觸，其中，通過連接金屬部件相互連接所述第一金屬引線和所述第二金屬引線；進行預(yù)切割，切割所述連接金屬部件以分離所述第一金屬引線和所述第二引線，其中，在所述預(yù)切割以后，所述連接金屬部件的剩余部分包括邊緣；形成在所述第一金屬引線和所述第二金屬引線上方的第一電介質(zhì)涂層；以及進行第二芯片切割以將所述封裝結(jié)構(gòu)切割開，其中，將所述第一芯片和所述第二芯片分別分入第一部分和第二部分，并且其中，在所述第一部分和所述第二部分中，通過所述第一電介質(zhì)涂層的剩余部來覆蓋所述連接金屬部件的所述剩余部分的所述邊緣。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，其中，所述封裝結(jié)構(gòu)進一步包括透明晶圓；以及壩體， 將所述透明晶圓連接至所述裝置晶圓，其中，所述第一溝槽延伸入所述壩體中。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，其中，在所述預(yù)切割中，切割所述透明晶圓的頂部，并且沒有切割所述透明晶圓的下部。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，進一步包括在形成所述第一金屬引線和所述第二金屬引線的所述步驟以前進行蝕刻以在所述載具晶圓和所述裝置晶圓中形成第二溝槽，其中，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤的頂面暴露于所述第二溝槽；以及形成延伸入所述第二溝槽中的第二電介質(zhì)涂層，其中，在所述第一芯片切割中去除所述第二電介質(zhì)涂層的一部分，并且其中，所述第一金屬引線和所述第二金屬引線形成在所述第二電介質(zhì)涂層的上方，并且與所述第二電介質(zhì)涂層接觸。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，其中，所述第二電介質(zhì)涂層包括焊料掩模。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，其中，所述預(yù)切割形成的溝槽的寬度小于所述第二芯片切割的寬度。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，其中，所述第一電介質(zhì)涂層包括焊料掩模。根據(jù)本發(fā)明所述的一種方法，包括提供封裝結(jié)構(gòu)；形成在所述載具晶圓和所述裝置晶圓中的第一溝槽直到露出在所述裝置晶圓中的接觸焊盤；形成第一電介質(zhì)涂層以延伸入所述第一溝槽中；進行第一芯片切割以切割所述第一電介質(zhì)涂層和所述裝置晶圓的所述劃片槽，其中在所述第一芯片切割以后露出所述接觸焊盤的側(cè)邊緣；形成在所述第一電介質(zhì)涂層的剩余部上方的金屬引線并且與所述接觸焊盤的所述側(cè)邊緣接觸；進行預(yù)切割以切割金屬引線的連接部分，其中所述每個連接部分與兩條所述金屬引線相互連接；形成第二電介質(zhì)涂層以覆蓋所述金屬引線；以及進行第二晶圓切割以將所述封裝結(jié)構(gòu)分成獨立部分，其中在所述獨立件中的所述金屬引線的剩余部沒有暴露于開放空間中，其中，所述封裝結(jié)構(gòu)包括裝置晶圓，包括多個裝置芯片、和在所述裝置晶圓之間的劃片槽；載具晶圓，在所述裝置晶圓的頂部側(cè)面的上方，并且粘結(jié)至所述裝置晶圓的所述頂部側(cè)面；玻璃晶圓，在所述裝置晶圓的下方；以及壩體，將所述裝置晶圓的底部側(cè)面粘結(jié)至所述玻璃晶圓，其中， 所述壩體與劃片槽重疊，但是與所述多個裝置芯片的中心區(qū)域不重疊。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，其中，形成所述金屬引線的所述步驟包括形成金屬層的覆蓋層；以及進行所述金屬層的圖案化以形成所述金屬引線。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，其中，所述第二芯片切割具有小于所述預(yù)切割寬度的切割寬度。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，其中，所述多個裝置芯片包括電連接至所述接觸焊盤的圖像傳感器，并且，其中，所述裝置芯片通過真空間隙與所述玻璃晶圓分離。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，其中，通過所述第一芯片切割所形成的第二溝槽延伸入所述壩體中但是沒有延伸入所述玻璃晶圓中。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，其中，通過所述預(yù)切割所形成的第三溝槽延伸入所述玻璃晶圓中，并且其中，所述預(yù)切割沒有割透所述玻璃晶圓。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，其中，形成所述第一溝槽的所述步驟包括蝕刻。根據(jù)本發(fā)明所述的一種裝置，包括裝置芯片，所述裝置芯片包括集成電路和接觸焊盤；載具芯片，在所述裝置芯片的頂部側(cè)面的上方并且與所述裝置芯片的頂部側(cè)面粘結(jié)； 第一電介質(zhì)涂層，在所述載具芯片的側(cè)壁上；金屬引線，在所述第一電介質(zhì)涂層的上方并且與所述第一電介質(zhì)涂層接觸，其中，所述金屬引線與所述接觸焊盤的側(cè)邊緣接觸以形成T 型接觸，并且其中，所述金屬引線延伸至所述載具芯片和所述裝置芯片的正上方；以及第二電介質(zhì)涂層，在所述金屬引線的上方并且與所述金屬引線接觸，其中，覆蓋所述金屬引線的所有邊緣，并且其中，沒有透過所述第二電介質(zhì)涂層露出所述金屬引線的邊緣。根據(jù)本發(fā)明所述的裝置，其中，所述第二電介質(zhì)涂層為單層涂層，沒有形成在所述第二電介質(zhì)涂層內(nèi)部的界面。根據(jù)本發(fā)明所述的裝置，其中，所述第一電介質(zhì)涂層和所述第二電介質(zhì)涂層由焊料掩模形成。根據(jù)本發(fā)明所述的裝置，進一步包括透明芯片，所述透明芯片位于所述裝置芯片的下方；壩體，所述壩體將所述裝置芯片粘結(jié)至所述透明芯片，其中，所述壩體形成與所述裝置芯片的邊緣區(qū)域重疊但是沒有與所述裝置芯片的中心區(qū)域重疊的環(huán)狀物；以及氣隙，所述氣隙將所述裝置芯片的所述中心區(qū)域與所述透明芯片分離。根據(jù)本發(fā)明所述的裝置，其中，所述金屬引線包括低于所述接觸焊盤的水平部，并且其中，所述第二電介質(zhì)涂層與所述金屬弓I線的所述水平部的邊緣接觸。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，進一步包括在所述裝置芯片和所述載具芯片正上方的金屬凸塊，其中，所述金屬凸塊通過在所述第二電介質(zhì)涂層中的開口與所述金屬引線接觸。


為了更徹底地理解實施例、和其優(yōu)勢，現(xiàn)在，參考結(jié)合附圖所進行的以下描述，其中，圖1至圖9為在制作包括T型接觸的封裝結(jié)構(gòu)中的中間階段的剖面圖；圖10示出了在制作T型接觸以前的封裝結(jié)構(gòu)的一部分的剖面圖；以及圖11示出了在T型接觸形成以后的封裝結(jié)構(gòu)的一部分的剖面圖。
具體實施例方式下文中，詳細論述了本發(fā)明的實施例的制作和使用。然而，應(yīng)該理解，本實施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應(yīng)用的發(fā)明概念。所討論的具體實施例僅為例證性的，并且沒有限制本發(fā)明的范圍。 根據(jù)實施例提供了包括T型接觸的新包裝結(jié)構(gòu)和用于形成新包裝結(jié)構(gòu)的方法。示出了制作實施例的中間級。然后，論述了本實施例的變化和操作。遍及多個示圖和說明性實施例，將相同的參照數(shù)字用于指出相同的部分。 圖1 圖9示意性地示出了 T型接觸在封裝結(jié)構(gòu)上形成的中間級。封裝結(jié)構(gòu)包括裝置晶圓20、載具晶圓30、以及粘結(jié)至裝置晶圓20的玻璃晶圓25。在圖1 圖9中，示意性地示出了裝置晶圓20，并且在圖10中示意性地示出了在裝置晶圓20中的更具體特征。 參照圖10，裝置晶圓20包括基板M、和形成在基板M的頂面24A處的裝置28。基板M可以為硅基板，但是該基板還可以由諸如III族氮化物半導(dǎo)體、GaAs、碳化硅等的其他半導(dǎo)體材料形成。在選擇實施例中，基板M可以由諸如有機材料、陶瓷等的介質(zhì)材料形成。裝置觀可以包括互補金屬氧化物(CM0Q晶體管、電阻器、電容器、電感器等。在實施例中，裝置觀包括CMOS圖像傳感器，響應(yīng)于接收到的光，該CMOS圖像傳感器可以生成其強度與光強度有關(guān)的電流。因此，下文中，有時還將裝置觀稱作圖像傳感器觀。在該實施例中，其中，裝置觀為圖像傳感器，可以在硅基板M上進行背側(cè)研磨，以使將硅基板M的厚度減小至例如小于約4μ m并且因此，光120可以透過硅基板M并且到達裝置28。裝置晶圓20包括芯片100、和在芯片100之間并且分離芯片100的劃片槽104?？梢栽谛酒?00中形成接觸焊盤沈并且將該接觸焊盤電連接至在芯片100中的裝置。在實施例中，如圖10所示，將接觸焊盤沈電連接至裝置28。接觸焊盤沈可以在劃片槽104中延伸。應(yīng)該理解，盡管圖10僅示出了在基板對的上方的一個金屬層，但是可以存在多個金屬層，并且接觸焊盤沈可以在多個金屬層中的任何一層中。在實施例中，接觸焊盤沈在第二金屬層中。多個金屬層的每層在介質(zhì)層之一中。例如，接觸焊盤26的金屬層在介質(zhì)層四中。接觸焊盤26可以由可以包括鋁、鎢、鎳、銅、或者其組合的金屬或者金屬合金形成?？梢詫⒀b置晶圓20粘結(jié)至載具晶圓30。在實施例中，該粘結(jié)是通過在氧化層 31 (裝置晶圓20的頂層)和載具晶圓30的氧化材料之間的擴散粘結(jié)?？梢栽诨錗的背側(cè)研磨以前進行該粘結(jié)。因此，載具晶圓30可以為基板M的背側(cè)研磨提供機械支撐以防止基板M破裂。還通過可以用作粘合劑的材料34將裝置晶圓20粘附在透明晶圓25上。透明晶圓25對于將圖像傳感器觀設(shè)計為檢測的光的波長為透明的。在實施例中，透明晶圓25為玻璃晶圓。粘合劑34形成與劃片槽104重疊的壩體。在某些實施例中，粘合劑34包括焊料掩模，并且因此，下文中還將壩體34稱作焊料掩模壩體(障礙壩)34，但是壩體34還可以由其他材料形成。焊料掩模壩體34還可以延伸至與芯片100的邊緣部重疊。然而，在實施例中，焊料掩模壩體；34沒有與芯片100的中心區(qū)域重疊。當(dāng)從封裝結(jié)構(gòu)的頂視圖觀看時， 焊料掩模壩體34與每個芯片100的所有邊緣部重疊，并且焊料掩模壩體34的重疊部形成環(huán)繞芯片100的中心區(qū)域的環(huán)狀物。此外，焊料掩模壩體34不可能與圖像傳感器觀重疊， 從而沒有通過焊料掩模壩體34來阻擋光120?？赡茉谕该骶A25和裝置晶圓20之間存在真空間隙36。因此，光120可以穿過透明晶圓25和真空間隙36，并且然后，在到達裝置28 以前穿透基板對。在示意性示圖1 圖9中，示意性地示出了基板M和接觸焊盤沈，而沒有示出在裝置晶圓20中的其他部件。然而，僅象征性地示出了接觸焊盤沈和基板M的相對位置。 返回參照圖1，在載具晶圓30的上方形成光阻劑40，并且然后，圖案化該光阻劑以在裝置晶圓20的劃片槽104的正上方形成開口 41。此外，開口 41至少與接觸焊盤沈部分重疊。接下來，如圖2所示，進行蝕刻步驟以通過開口 41蝕刻載具晶圓30的露出部分。因此形成溝槽42。可以繼續(xù)蝕刻步驟直到露出下層接觸焊盤沈。作為選擇，可以在接觸焊盤沈的上方的介質(zhì)層(未示出)上停止蝕刻。例如，可以使用干蝕刻來進行該蝕刻。接下來，如圖3所示，去除光阻劑40，并且形成電介質(zhì)涂層46以覆蓋載具晶圓30 并且在溝槽42中延伸(圖幻。電介質(zhì)涂層46還覆蓋溝槽42的底部和暴露于溝槽42中的載具晶圓30的側(cè)壁。因此，在某些實施例中，電介質(zhì)涂層46可以與接觸焊盤沈的頂面接觸。在實施例中，電介質(zhì)涂層46由焊料掩模形成，但是該電介質(zhì)涂層還可以由諸如環(huán)氧樹脂的其他介質(zhì)材料形成。參照圖4，進行芯片切割。生成的溝槽50具有低于接觸焊盤沈的底部表面，并且還切割開接觸焊盤26。接觸焊盤沈的剩余部分具有暴露于溝槽50中的側(cè)邊緣。溝槽50 還可以稍微延伸至焊料掩模壩體34中，從而芯片100彼此分離。然而，在某些實施例中，芯片切割不可以延伸到透明晶圓25中。由于將芯片100粘結(jié)至壩體34和透明晶圓25，所以在圖4中所示的封裝結(jié)構(gòu)沒有分成獨立件。在實施例中，溝槽50的寬度W2可以小于如圖2 所示的溝槽42的寬度W1，其中，可以在載具晶圓30的底部表面處測量寬度Wl和寬度W2。 結(jié)果，可能保留在載具晶圓30的側(cè)壁上的部分電介質(zhì)涂層46。圖5示出了金屬引線M的形成和圖案化，其中在電介質(zhì)涂層46的上方形成該金屬引線并且該金屬引線可能與電介質(zhì)涂層46接觸。在金屬引線M的形成中，首先，作為覆蓋層形成金屬層，該金屬層可以為單個金屬層或者包括由不同材料所形成的多個金屬層的復(fù)合層。形成方法包括物理氣相沉積(PVD)，但是還可以使用其他方法。在典型實施例中， 該金屬層(和因此生成的金屬引線54)為由鈦層、鎢層、AlCu層、鎳層、和/或金層所形成的復(fù)合層。在可選實施例中，可以將選自Ti/W/AlCu/Ni/Au層的較少層用于形成金屬層。在金屬層的覆蓋層形成以后，進行圖案化以蝕刻金屬層。因此形成金屬引線M，其中，使每條金屬引線M與接觸焊盤26之一的側(cè)邊緣接觸。因此，在水平方向上延伸的接觸焊盤沈形成與各自連接的金屬引線M的T型接觸，其中該金屬引線至少部分在垂直方向上延伸。名稱“T型接觸”是因在金屬引線M和接觸焊盤沈之間的接觸點處的T形而產(chǎn)生的。在圖案化以后，在溝槽50的相對側(cè)壁上的金屬引線M在溝槽50底部處互相連接。此外，金屬引線M的連接部54A低于接觸焊盤沈，并且可以在焊料掩模壩體34中延伸。接下來，如圖6所示，在金屬引線M的連接部54A上進行預(yù)切割。因此，作為溝槽 50的延伸形成溝槽60。溝槽60可以在焊料掩模壩體34和透明晶圓25的頂部中延伸以確保刺穿連接部54A。然而，沒有通過預(yù)切割來切割透明晶圓25的底部。在可選實施例中，溝槽60的底部保持在焊料掩模壩體34中并且沒有在透明晶圓25上延伸?？梢宰鳛樾酒懈畈襟E來進行預(yù)切割。參照圖7，形成電介質(zhì)涂層62以覆蓋金屬引線M，其中該電介質(zhì)涂層可以為焊料掩模，并且因此，下文中可選擇地，將該電介質(zhì)涂層稱作焊料掩模62。因此，焊料掩模62在金屬引線M的上方，并且可能與金屬引線M接觸。焊料掩模62可以形成與焊料掩模壩體 34的界面。焊料掩模62和焊料掩模壩體34可以由相同或者不同材料形成。應(yīng)該理解，即使焊料掩模62和焊料掩模壩體34由相同焊料掩模材料形成，由于在不同的處理步驟中形成焊料掩模62和焊料掩模壩體34，所以也仍存在明顯界面。然而，在焊料掩模62的內(nèi)部， 可能不存在明顯界面。然后，在焊料掩模62中形成開口 64以露出金屬引線M?？梢栽谳d具晶圓30的保持部的正上方并且在芯片100的正上方形成開口 64。然后，如圖8所示，在開口 64中形成金屬凸塊66。因此，例如，通過金屬引線M將金屬凸塊66電連接至接觸焊盤沈，并且可以將該金屬凸塊電連接至裝置觀(在圖8中沒有示出，請參照圖10)。在實施例中，金屬凸塊66為焊接凸塊，并且可以將該金屬凸塊稱作球柵陣列(BGA)球。在可選實施例中，金屬凸塊66為不可回流焊，并且可以由銅、鎳、鈀等形成。參照圖9，進行芯片切割以切割穿焊料掩模62、焊料掩模34、以及透明晶圓25。因此，將如圖9所示的封裝結(jié)構(gòu)分成分離芯片70。該芯片切割的寬度小于如圖6所示的預(yù)切割的寬度，從而在芯片切割以后，保持填充在溝槽60(圖8)中的部分電介質(zhì)涂層62 (圖7)。圖11示出了在圖9中的部件68的放大示圖?？梢钥闯?，焊料掩模62的剩余部覆蓋金屬引線M的邊緣55，并且金屬引線M的部件沒有暴露于開放空間中。因此，金屬引線M免受通過空氣中的水分所導(dǎo)致的腐蝕。每個生成的芯片70包括透明芯片25'，為透明晶圓25的一部分；芯片100、以及載具晶圓30'，為載具晶圓30的一部分。在圖9中所示的結(jié)構(gòu)的頂視圖中，在每個生成的芯片70中的壩體34形成環(huán)繞氣隙36的方形環(huán)。然后， 可以通過粘結(jié)至PCB的BGA球66將如圖9所示的芯片70粘結(jié)至例如印刷電路板(未示出的PCB)的其他封裝部件。通過使用實施例，金屬引線圖11)沒有露出部，并且因此，沒有經(jīng)受腐蝕。除焊料掩模以外，金屬引線M的保護不需要額外保護材料，并且因此，不需要與額外保護材料相關(guān)的額外制作成本。根據(jù)實施例，方法包括在封裝結(jié)構(gòu)上形成第一芯片切割并且包括在封裝結(jié)構(gòu)的溝槽中延伸的第一金屬引線和第二金屬引線，其中，第一金屬引線和第二金屬引線與在封裝結(jié)構(gòu)的裝置中的接觸焊盤的側(cè)邊緣接觸。第一金屬引線和第二金屬引線通過連接金屬部相互連接。進行預(yù)切割以切割連接金屬部以分離第一金屬引線和第二金屬引線，其中，在預(yù)切割以后，連接金屬部的剩余部具有邊緣。在第一金屬引線和第二金屬引線的上方形成電介質(zhì)涂層。進行芯片切割以切割開封裝結(jié)構(gòu)，從而將第一芯片和第二芯片分成隔離塊。在每個生成的塊中，通過第一電介質(zhì)涂層的剩余部件來覆蓋連接金屬部的剩余部的邊緣。根據(jù)其他實施例，方法包括提供包括裝置晶圓的封裝結(jié)構(gòu)，該裝置晶圓包括多個裝置芯片和在該裝置芯片之間的劃片槽。載具晶圓在裝置晶圓的頂部側(cè)面的上方并且將該載具晶圓粘結(jié)至裝置晶圓的頂部側(cè)面。玻璃晶圓在裝置晶圓的下方。壩體將裝置晶圓的頂部側(cè)面粘結(jié)至玻璃晶圓，其中，壩體與劃片槽重疊，并且沒有與多個裝置芯片的中心區(qū)域重疊。在載具晶圓和裝置晶圓中形成第一溝槽直到露出在裝置晶圓中的接觸焊盤。形成第一電介質(zhì)涂層以在第一溝槽中延伸。進行第一芯片切割以切割成第一電介質(zhì)涂層和裝置晶圓的劃片槽，其中，在第一芯片切割以后，露出接觸焊盤的側(cè)邊緣。在第一電介質(zhì)涂層的剩余部的上方形成金屬引線并且該金屬引線與接觸焊盤的側(cè)邊緣接觸。進行預(yù)切割以切割金屬引線的連接部，其中，每個連接部與兩條金屬引線相互連接。形成第二電介質(zhì)涂層以覆蓋金屬引線。進行第二芯片切割以將封裝結(jié)構(gòu)分成獨立件，其中，在獨立件中的金屬引線的剩余部沒有暴露于開放空間中。仍根據(jù)其他實施例，裝置芯片包括接觸電路和接觸焊盤。載具芯片在裝置芯片的頂部側(cè)面的上方并且將該載具芯片粘結(jié)至裝置芯片的頂部側(cè)面。在載具芯片的側(cè)壁上形成第一電介質(zhì)涂層。在第一電介質(zhì)涂層的上方形成金屬引線并且金屬引線與第一電介質(zhì)涂層接觸。金屬引線與接觸焊盤的側(cè)邊緣接觸以形成T型接觸，其中，金屬引線在載具芯片和裝置芯片的正上方延伸。第二電介質(zhì)涂層在金屬引線的上方并且第二電介質(zhì)涂層與金屬引線接觸。覆蓋金屬引線的所有邊緣，并且其中，沒有通過第二電介質(zhì)涂層露出金屬引線的邊緣。盡管已經(jīng)詳細描述了實施例和其優(yōu)點，但是應(yīng)該理解，在不背離如通過所附權(quán)利要求所限定的實施例的精神和范圍的情況下，可以在其中進行多種變化、替換、以及改變。 而且，本申請的范圍不是為了限制在說明書中所述的處理、機器、制作、物質(zhì)成分、裝置、方法、以及步驟的特定實施例。作為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員之一，將通過本發(fā)明容易理解當(dāng)前存在的或者稍后待被發(fā)展的處理、機器、物質(zhì)成分、裝置、方法、或者步驟，可以根據(jù)本發(fā)明利用進行與文中所述對應(yīng)實施例基本相同的功能或者實現(xiàn)與文中所述的對應(yīng)實施例基本相同的結(jié)果的這些處理、機器、制造、物質(zhì)成分、裝置、方法、或者步驟。因此，所附權(quán)利要求是為了包括在這些處理、機器、制造、物質(zhì)成分、裝置、方法、或者步驟的范圍內(nèi)。另外，每個權(quán)利要求構(gòu)成各自實施例，并且多個權(quán)利要求和實施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括進行在封裝結(jié)構(gòu)上的第一芯片切割，所述封裝結(jié)構(gòu)包括 器件晶圓，包括第一芯片，其中，所述第一芯片包括第一接觸焊盤；以及第二芯片，包括第二接觸焊盤；以及附接至所述裝置晶圓的載具晶圓，其中，所述第一芯片切割形成在所述封裝結(jié)構(gòu)中的第一溝槽，并且其中，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤的側(cè)邊緣暴露于所述第一溝槽下；形成第一金屬引線和第二金屬引線，所述第一金屬引線和所述第二金屬引線延伸入所述第一溝槽中并且分別與所述第一接觸墊焊盤和所述第二接觸墊焊盤的側(cè)邊緣接觸，其中，通過連接金屬部件相互連接所述第一金屬弓I線和所述第二金屬引線；進行預(yù)切割，切割所述連接金屬部件以分離所述第一金屬引線和所述第二引線，其中， 在所述預(yù)切割以后，所述連接金屬部件的剩余部分包括邊緣；形成在所述第一金屬引線和所述第二金屬引線上方的第一電介質(zhì)涂層；以及進行第二芯片切割以將所述封裝結(jié)構(gòu)切割開，其中，將所述第一芯片和所述第二芯片分別分成第一部分和第二部分，并且其中，在所述第一部分和所述第二部分中，通過所述第一電介質(zhì)涂層的剩余部來覆蓋所述連接金屬部件的所述剩余部分的所述邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述封裝結(jié)構(gòu)進一步包括 透明晶圓；以及壩體，將所述透明晶圓連接至所述裝置晶圓，其中，所述第一溝槽延伸入所述壩體中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述預(yù)切割中，切割所述透明晶圓的頂部，并不切割所述透明晶圓的下部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括在形成所述第一金屬引線和所述第二金屬引線的所述步驟之前進行蝕刻以在所述載具晶圓和所述裝置晶圓中形成第二溝槽，其中，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤的頂面暴露于所述第二溝槽；以及形成延伸入所述第二溝槽中的第二電介質(zhì)涂層，其中，在所述第一芯片切割中去除所述第二電介質(zhì)涂層的一部分，并且其中，所述第一金屬引線和所述第二金屬引線形成在所述第二電介質(zhì)涂層的上方，并且與所述第二電介質(zhì)涂層接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第二電介質(zhì)涂層包括焊料掩模。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述預(yù)切割形成的溝槽的寬度小于所述第二芯片切割的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一介質(zhì)涂層包括焊料掩模。
8.一種方法，包括提供封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括裝置晶圓，包括多個裝置芯片、和在所述裝置晶圓之間的劃片槽； 載具晶圓，在所述裝置晶圓的頂部側(cè)面的上方，并且接合至所述裝置晶圓的所述頂部側(cè)面；玻璃晶圓，在所述裝置晶圓的下方；以及壩體，將所述裝置晶圓的底部側(cè)面接合至所述玻璃晶圓，其中， 所述壩體與劃片槽重疊，但是與所述多個裝置芯片的中心區(qū)域不重疊； 形成在所述載具晶圓和所述裝置晶圓中的第一溝槽直到露出在所述裝置晶圓中的接觸焊盤；形成第一電介質(zhì)涂層以延伸入所述第一溝槽中；進行第一芯片切割以切割所述第一電介質(zhì)涂層和所述裝置晶圓的所述劃片槽，其中， 在所述第一芯片切割以后露出所述接觸焊盤的側(cè)邊緣；形成在所述第一介質(zhì)涂層的剩余部上方的金屬引線并且將所述金屬引線與所述接觸焊盤的所述側(cè)邊緣接觸；進行預(yù)切割以切割金屬引線的連接部分，其中，所述每個連接部分與兩條所述金屬引線相互連接；形成第二電介質(zhì)涂層以覆蓋所述金屬引線；以及進行第二晶圓切割以將所述封裝結(jié)構(gòu)分成獨立部分，其中，在所述獨立件中的所述金屬引線的剩余部份沒有暴露。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成所述金屬引線的所述步驟包括 覆蓋形成金屬層；以及進行所述金屬層的圖案化以形成所述金屬引線。
10.一種裝置，包括裝置芯片包括集成電路和接觸焊盤；載具芯片，在所述裝置芯片的頂部側(cè)面的上方并且與所述裝置芯片的頂部側(cè)面接合； 第一電介質(zhì)涂層，在所述載具芯片的側(cè)壁上；金屬引線，在所述第一電介質(zhì)涂層的上方并且與所述第一介質(zhì)涂層接觸，其中，所述金屬引線與所述接觸焊盤的側(cè)邊緣接觸以形成T型接觸，并且其中，所述金屬引線延伸至所述載具芯片和所述裝置芯片的正上方；以及第二電介質(zhì)涂層，在所述金屬引線的上方并且與所述金屬引線接觸，其中，覆蓋所述金屬引線的所有邊緣，并且其中，沒有透過所述第二電介質(zhì)涂層露出所述金屬引線的邊緣。
全文摘要
一種方法包括進行在封裝結(jié)構(gòu)上的第一芯片切割，并且包括形成在封裝結(jié)構(gòu)的溝槽中延伸的第一金屬引線和第二金屬引線，其中，所述第一金屬引線和所述第二金屬引線與在封裝結(jié)構(gòu)的裝置中的接觸焊盤的側(cè)邊緣接觸。第一金屬引線和第二金屬引線通過連接金屬部互相連接，進行預(yù)切割以切割連接金屬部來分離第一金屬引線和第二金屬引線，其中，在預(yù)切割以后，連接金屬部的剩余部具有邊緣。在第一金屬引線和第二金屬引線的上方形成電介質(zhì)涂層。進行芯片切割以將封裝結(jié)構(gòu)切割開，從而，將第一芯片和第二芯片分成分離件，在每個生成的分離件中，通過第一電介質(zhì)涂層的剩余部來覆蓋連接金屬部的剩余部的邊緣。
文檔編號H01L21/56GK102569194SQ20111032973
公開日2012年7月11日 申請日期2011年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月22日
發(fā)明者朱惠珍, 郭彥良 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司