專利名稱：半導(dǎo)體激光裝置及光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本專利申請基于如下的在先申請主張優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容在此引用，該在先申請?zhí)枮镴P2010-242440，半導(dǎo)體激光裝置及光裝置，2010年10月沘日，Yousuke Katsuki等。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光裝置及光裝置，尤其涉及具備經(jīng)由電極接合有多個(gè)半導(dǎo)體激光元件的基臺、受光元件的半導(dǎo)體激光裝置及光裝置。
背景技術(shù)：
目前，已知有具備經(jīng)由電極接合多個(gè)半導(dǎo)體激光元件的基臺、受光元件的半導(dǎo)體激光裝置。這樣的半導(dǎo)體激光裝置例如在日本特開2004-55744號公報(bào)中公開。在日本特開2004-55744號公報(bào)中公開了如下所述的半導(dǎo)體激光裝置，該半導(dǎo)體激光裝置具備基臺、在基臺的上表面上沿規(guī)定的方向(橫向)排列配置的多個(gè)半導(dǎo)體激光元件、配置在半導(dǎo)體激光元件的后方且監(jiān)視激光強(qiáng)度的受光元件。在該半導(dǎo)體激光裝置中， 在基臺的上表面上以橫向排列的方式形成有多個(gè)電極，在各電極的上表面上分別接合半導(dǎo)體激光元件。另外，在各電極上的半導(dǎo)體激光元件的接合區(qū)域外的部分設(shè)有引線接合部。此夕卜，多個(gè)半導(dǎo)體激光元件中橫向的端部(兩端部)以外的內(nèi)側(cè)的半導(dǎo)體激光元件所接合的電極的引線接合部在相鄰的半導(dǎo)體激光元件之間的區(qū)域橫向突出。然而，在日本特開2004-55744號公報(bào)中公開的半導(dǎo)體激光裝置中，對于橫向的端部(兩端部)以外的內(nèi)側(cè)的半導(dǎo)體激光元件所接合的電極而言，設(shè)有在相鄰的半導(dǎo)體激光元件之間的區(qū)域突出的引線接合部，因此電極彼此的配置間隔增加與引線接合部的寬度相應(yīng)的量。從而，在具有這樣的引線接合部的電極橫向反復(fù)排列的情況下，基臺的寬度增加， 因此存在半導(dǎo)體激光裝置大型化這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方面所涉及的半導(dǎo)體激光裝置具備基臺；沿著第一方向配置在基臺的上表面上的多個(gè)電極；接合到多個(gè)電極各自的上表面上，且向與第一方向交叉的第二方向射出激光的多個(gè)半導(dǎo)體激光元件；相對于多個(gè)半導(dǎo)體激光元件在與第二方向相反的基臺的第三方向側(cè)配置有受光面的受光元件，多個(gè)電極中的配置在沿著第一方向及與第一方向相反的第四方向的端部以外的位置上的電極包括配置在受光元件的受光面上的引出用配線部分。本發(fā)明的第二方面所涉及的光裝置具備第一方面所涉及的半導(dǎo)體激光裝置和控制半導(dǎo)體激光裝置的出射光的光學(xué)系統(tǒng)。


圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置的俯視圖。圖2是在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置中從放熱基臺拆下半導(dǎo)體激光元件的狀態(tài)下的俯視圖。
圖3是圖1的沿著910-910線的剖視圖。圖4是圖1的沿著920-920線的剖視圖。圖5是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置的制造流程的俯視圖。圖6是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置的制造流程的俯視圖。圖7是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置的制造流程的俯視圖。圖8是在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的第一變形例的三波長半導(dǎo)體激光裝置中從放熱基臺拆下半導(dǎo)體激光元件的狀態(tài)下的俯視圖。圖9是在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的第二變形例的三波長半導(dǎo)體激光裝置中從放熱基臺拆下半導(dǎo)體激光元件的狀態(tài)下的俯視圖。圖10是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置的俯視圖。圖11是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置的從激光的出射方向觀察而得到的主視圖。圖12是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的光拾取裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。(第一實(shí)施方式)首先，參照圖1 圖3，對本發(fā)明的第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。需要說明的是，三波長半導(dǎo)體激光裝置100是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光裝置” 的一例。如圖1及圖3所示，在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置100中，具有大約405nm的振蕩波長的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、具有大約650nm的振蕩波長的紅色半導(dǎo)體激光元件20及具有大約780nm的振蕩波長的紅外半導(dǎo)體激光元件30固定在由η型 Si構(gòu)成的平板狀的放熱基臺40的上表面40a上(C2側(cè))。另外，如圖3所示，放熱基臺40 的下表面?zhèn)?Cl側(cè))經(jīng)由AuSn焊料等導(dǎo)電性熔接層1接合到基體部50的上表面50a上。 需要說明的是，放熱基臺40是本發(fā)明的“基臺”的一例。另外，紅色半導(dǎo)體激光元件20是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”及“第一半導(dǎo)體激光元件”的一例，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10 是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”及“第三半導(dǎo)體激光元件”的一例，紅外半導(dǎo)體激光元件30 是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”及“第二半導(dǎo)體激光元件”的一例。藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30彼此具有間隔Ll (各元件的沿著A方向延伸的中心線間的B方向上的距離)而在寬度方向上 (B方向)上相鄰。另外，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30從放熱基臺40的寬度方向的一側(cè)(Bi側(cè))朝向另一側(cè)(B2側(cè))而沿箭頭B2 方向排列配置。需要說明的是，箭頭B2方向是本發(fā)明的“第一方向”的一例。需要說明的是，在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30上各自形成的一對共振器端面中，射出的激光的光強(qiáng)度相對大的端面為光出射面，射出的激光的光強(qiáng)度相對小的端面為光反射面。因此，激光沿圖1的箭頭Al方向射出。這里，Al方向和B方向相互正交。另外，各半導(dǎo)體激光元件的光出射面在從放熱基臺40的前表面40e(參照圖1)向前方(Al側(cè))離開規(guī)定的距離的位置處彼此在同一面上對齊。另外，在各半導(dǎo)體激光元件的光出射面及光反射面上，通過制造流程中的端面涂層處理而形成有AlN膜或Al2O3膜等構(gòu)成的電介質(zhì)多層膜(未圖示)。需要說明的是，Al箭頭方向是本發(fā)明的“第二方向，，的一例。另外，如圖1所示，在放熱基臺40的上表面40a側(cè)中的、藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件 10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30的光反射面的后方(箭頭A2方向) 側(cè)配置有用于監(jiān)視激光強(qiáng)度的光電二極管(PD)60。PD60以埋入放熱基臺40中的狀態(tài)嵌入， 上表面40a與PD60的構(gòu)成ρ型擴(kuò)散區(qū)域61 (參照圖4)的受光面60a在同一面上對齊。需要說明的是，受光面60a中與藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30各自的后方對應(yīng)的位置為激光的受光區(qū)域P、Q及R(用單點(diǎn)劃線表示)。 另外，PD60的B方向上的寬度比后述的焊盤電極41 43配置在上表面40a上的區(qū)域的B 方向上的寬度(從焊盤電極41的元件接合部分41a的Bl側(cè)的側(cè)端部至焊盤電極43的元件接合部分43a的B2側(cè)的側(cè)端部的長度)寬。并且，PD60對于藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、 紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30通用。另外，上表面40a及受光面60a 均由S^2所構(gòu)成的具有透光性的絕緣膜65覆蓋。從而，在圖1中，用虛線表示埋入絕緣膜 65的紙面里側(cè)而配置的PD60的外形形狀。需要說明的是，PD60是本發(fā)明的“受光元件”的一例。另外，箭頭A2方向是本發(fā)明的“第三方向，，的一例。在絕緣膜65上，在接合藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30的各位置，由Au等金屬材料構(gòu)成的焊盤電極41、42及43以與放熱基臺 40絕緣的狀態(tài)設(shè)置。另外，焊盤電極41、42及43在俯視觀察下沿著箭頭B2方向隔開規(guī)定的距離配置而彼此絕緣。需要說明的是，焊盤電極41 43是本發(fā)明中的“多個(gè)電極”的一例。另外，中央的焊盤電極42是“配置在端部以外的位置上的電極”的一例。詳細(xì)而言，如圖2所示，焊盤電極41具有大致矩形形狀的元件接合部分41a、向藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10 (參照圖1)的側(cè)方(Bi側(cè))突出的引出用配線部分41b、與引出用配線部分41b連接的引線接合部41c。另外，焊盤電極43具有大致矩形形狀的元件接合部分43a、向紅外半導(dǎo)體激光元件30 (參照圖1)的側(cè)方(B2側(cè))突出的引出用配線部分43b、 與引出用配線部分4 連接的引線接合部分43c。焊盤電極41與43沿寬度方向(B方向) 隔開規(guī)定的間隔而大致平行地設(shè)置，在焊盤電極41與43之間配置有焊盤電極42的具有大致矩形形狀的元件接合部分42a。從而，元件接合部分41a、4h及43a彼此沿B2方向隔開距離L2而配置。需要說明的是，距離L2設(shè)置在大約40 μ m以上且大約50 μ m以下的范圍內(nèi)。需要說明的是，引線接合部41c及43c分別是本發(fā)明的“第三引線接合部”及“第二引線接合部”的一例。這里，在第一實(shí)施方式中，焊盤電極42具有元件接合部分42a、一端與元件接合部分42a的A2側(cè)的端部連接且包括配置在PD60的受光面60a上的部分的引出用配線部分 42b、與引出用配線部分42b的另一端連接且配置在比PD60靠B2方向的外側(cè)的區(qū)域的引線接合部42c。另外，引出用配線部分42b隔著形成在PD60的受光面60a上的絕緣膜65而形成在絕緣膜65的上方。由此，實(shí)現(xiàn)ρ型擴(kuò)散區(qū)域61與焊盤電極42的絕緣。另外，引線接合部41c 43c在俯視觀察下設(shè)置在放熱基臺40上的PD60的形成區(qū)域、紅色半導(dǎo)體激光元件20及藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10各自的接合區(qū)域的側(cè)方(B2側(cè)及Bl側(cè))。需要說明的是，引出用配線部分42b是本發(fā)明的“引出用配線部分”的一例。另外，引線接合部分42c 是本發(fā)明的“第一引線接合部”的一例。另外，在第一實(shí)施方式中，引出用配線部分42b具有從元件接合部分42a向A2方向延伸的具有寬度Wl的第一部分42e、從第一部分42e的A2側(cè)的端部向B2方向延伸的具有寬度W2的第二部分42f。第一部分42e以元件接合部分4 的A2側(cè)的端部中的、比紅色半導(dǎo)體激光元件20 的中心線150朝向紅外半導(dǎo)體激光元件30而偏向B2方向的位置為起點(diǎn)，在受光面60a上向 A2方向延伸。另外，第一部分4 在與元件接合部分4 連接的連接部具有彎曲部42g，該彎曲部42g隨著向A2方向延伸而沿著從中心線150向B2方向傾斜的方向延伸。S卩，通過彎曲部42g將元件接合部分42a的角部與第一部分42e的向A2方向延伸的部分連接。并且，在第一部分42e中，彎曲部42g到達(dá)了沿著中心線150與紅外半導(dǎo)體激光元件30的中心線160的中間位置延伸的中間線170的位置后，其余部分沿著中間線170而向A2方向延伸至受光面60a的A2側(cè)的緣部。需要說明的是，中心線150及160分別是本發(fā)明的“第一中心線”及“第二中心線”的一例。另外，第二部分42f沿著與橫向(B方向)中的以中心線150為基準(zhǔn)第一部分42e 所配置的B2方向相同的方向在受光面60a上延伸。另外，第二部分42f沿著受光面60a的 A2側(cè)的緣部附近而配置。需要說明的是，第二部分42f在PD60外的區(qū)域中向Al方向稍延伸后與引線接合部42c連接。需要說明的是，第一部分42e的寬度Wl與第二部分42f的寬度W2大致相等。這種情況下，優(yōu)選寬度Wl及W2分別設(shè)定在大約20 μ m以上且大約30 μ m 以下的范圍內(nèi)。當(dāng)寬度W1(W2)小于30 μ m時(shí)，由引出用配線部分42b遮擋的受光面60a的面積增大，因此不優(yōu)選。另外，當(dāng)寬度Wl (W2)小于20 μ m時(shí)，與絕緣膜65的接觸面積不足而導(dǎo)致引出用配線部分42b容易剝離，因此不優(yōu)選。在第一實(shí)施方式中，如圖1所示，引出用配線部分42b構(gòu)成為不會遮擋PD60的受光區(qū)域Q及R中的任一個(gè)而引出至PD60的外側(cè)。另外，在與PD60的Al側(cè)且Bl側(cè)的角部對應(yīng)的區(qū)域的絕緣膜65上設(shè)有構(gòu)成向PD60 供電用引線的引線接合部的焊盤電極45。詳細(xì)而言，焊盤電極45形成在PD60的受光面60a 中的與配置有引出用配線部分42b的B2側(cè)相反的箭頭Bl方向的角部附近。另外，焊盤電極45具有在周圍被絕緣膜65包圍的狀態(tài)下沿厚度方向(C方向)貫通絕緣膜65的導(dǎo)通部 45a。導(dǎo)通部45a由Al等金屬材料構(gòu)成，焊盤電極45在放熱基臺40上經(jīng)由導(dǎo)通部4 與 P型擴(kuò)散區(qū)域61導(dǎo)通。需要說明的是，箭頭Bl方向是本發(fā)明的“第四方向”的一例。如圖3所示，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10在η型GaN基板11的下表面上形成有由 η型AWaN構(gòu)成的η型包覆層12。在η型包覆層12的下表面上形成有活性層13，該活性層13具有由InGaN構(gòu)成的量子阱層(未圖示)和由GaN構(gòu)成的勢壘層(未圖示)交替層疊而成的多重量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)。另外，在活性層13的下表面上形成有由ρ型AlGaN構(gòu)成的P型包覆層14。另外，在寬度方向(B方向)的大致中央的ρ型包覆層14上形成有沿著A方向呈條狀(細(xì)長狀)延伸的脊部(凸部)15。由此，在脊部15的上部(C2)側(cè)的活性層13的部分構(gòu)成有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的發(fā)光點(diǎn)。另外，在ρ型包覆層14的脊部15的下表面上形成有通過Pt層、Pd層及Au層從接近ρ型包覆層14的一側(cè)按順序?qū)盈B而成的ρ側(cè)歐姆電極16。另外，在ρ型包覆層14的脊部15以外的下表面上和脊部15的兩側(cè)面上形成有由SW2構(gòu)成的電流阻擋層17。另外，在ρ側(cè)歐姆電極16的下表面上及電流阻擋層17的下表面上形成有ρ側(cè)電極18。另外，在η型GaN基板11的上表面上的大致整個(gè)區(qū)域形成有η 側(cè)電極19。紅色半導(dǎo)體激光元件20在η型GaAs基板21的下表面上形成有由AlfetInP構(gòu)成的 η型包覆層22。在η型包覆層22的下表面上形成有活性層23，該活性層23具有由fe^nP 構(gòu)成的量子阱層(未圖示)和由AKialnP構(gòu)成的勢壘層(未圖示)交替層疊而成的MQW結(jié)構(gòu)。另外，在活性層23的下表面上形成有由AWaInP構(gòu)成的ρ型包覆層24。另外，在B方向的大致中央的ρ型包覆層M上形成有沿著A方向呈條狀延伸的脊部25。由此，在脊部25的上部的活性層23的部分構(gòu)成有紅色半導(dǎo)體激光元件20的發(fā)光點(diǎn)。另外，在P型包覆層M的脊部25以外的下表面上和脊部25的兩側(cè)面上形成有由SW2 構(gòu)成的電流阻擋層27。另外，在脊部25的下表面上及電流阻擋層27的下表面上形成有ρ 側(cè)電極28。另外，在η型GaAs基板21的上表面上的大致整個(gè)區(qū)域形成有η側(cè)電極四。紅外半導(dǎo)體激光元件30在η型GaAs基板31的下表面上形成有由AlGaAs構(gòu)成的 η型包覆層32。在η型包覆層32的下表面上形成有活性層33，該活性層33具有由Al組成低的AWaAs構(gòu)成的量子阱層和由Al組成高的AWaAs構(gòu)成的勢壘層交替層疊而成的MQW 結(jié)構(gòu)。另外，在活性層33的下表面上形成有由AWaAs構(gòu)成的ρ型包覆層34。另外，在B方向的大致中央的ρ型包覆層34上形成有沿著A方向呈條狀延伸的脊部35。由此，在脊部35的上部的活性層33的部分構(gòu)成有紅外半導(dǎo)體激光元件30的發(fā)光點(diǎn)。另外，在P型包覆層；34的脊部35以外的下表面上和脊部35的兩側(cè)面上形成有由SW2 構(gòu)成的電流阻擋層37。另外，在脊部35的下表面上及電流阻擋層37的下表面上形成有ρ 側(cè)電極38。另外，在η型GaAs基板31的上表面上的大致整個(gè)區(qū)域形成有η側(cè)電極39。藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30分別以光出射面朝向前表面40e側(cè)的方式通過結(jié)向下(junction-down)方式接合到放熱基臺 40上。即，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的ρ側(cè)電極18與焊盤電極41經(jīng)由AuSn焊料等導(dǎo)電性熔接層2而電連接，且紅色半導(dǎo)體激光元件20的ρ側(cè)電極觀與焊盤電極42經(jīng)由導(dǎo)電性熔接層2而電連接。另外，紅外半導(dǎo)體激光元件30的ρ側(cè)電極38與焊盤電極43經(jīng)由導(dǎo)電性熔接層2而電連接。由Au等構(gòu)成的金屬線91的一端與引線接合部41c連接，另一端與未圖示的引線端子(正極側(cè))連接。另外，金屬線92的一端與形成在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的基板的上表面上的η側(cè)電極19連接，另一端與和未圖示的負(fù)極端子導(dǎo)通的基體部50連接。由Au 等構(gòu)成的金屬線93的一端與引線接合部42c連接，另一端與未圖示的引線端子(正極側(cè)) 連接。另外，金屬線94的一端與形成在紅色半導(dǎo)體激光元件20的基板的上表面上的η側(cè)電極四連接，另一端與基體部50連接。由Au等構(gòu)成的金屬線95的一端與引線接合部43 連接，另一端與未圖示的引線端子(正極側(cè))連接。另外，金屬線96的一端與形成在紅外半導(dǎo)體激光元件30的基板的上表面上的η側(cè)電極39連接，另一端與基體部50連接。另外，由Au等構(gòu)成的金屬線97的一端與焊盤電極45連接，另一端與未圖示的引線端子(正極側(cè))連接。由此，能夠從正極的引線端子分別向各半導(dǎo)體激光元件及PD60供給電流，各半導(dǎo)體激光元件及PD60的η側(cè)電極與共用的端子(負(fù)極端子)連接。接下來，參照圖1 圖7，對第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置100的制造流程進(jìn)行說明。首先，準(zhǔn)備制有PD60的放熱基臺40(參照圖2)。具體而言，如圖5所示，通過對由 η型Si構(gòu)成的晶片狀態(tài)的基板140的上表面140a中的規(guī)定區(qū)域進(jìn)行離子注入而埋入形成 P型擴(kuò)散區(qū)域61。由此，形成受光面60a與上表面40a在同一面上對齊的狀態(tài)的PD60。此夕卜，在圖5中示出晶片狀態(tài)的基板140中的形成有多個(gè)(四個(gè))PD60的部分。之后，如圖6所示，使用真空蒸鍍法等在上表面140a(參照圖幻上以規(guī)定的厚度形成由Si2O構(gòu)成的絕緣膜65。由此，PD60的受光面60a(參照圖5)也完全被絕緣膜65覆蓋。之后，使用光刻法及干式蝕刻法在PD60的一處的角部(Al側(cè)且Bl側(cè))附近形成沿厚度方向(C方向)貫通絕緣膜65的孔部后，使用鍍敷法等將由Al構(gòu)成的配線材料埋入該孔部中而形成導(dǎo)通部45a。之后，在絕緣膜65上均勻地形成由金屬材料構(gòu)成的電極層(未圖示)，進(jìn)而在該電極層上形成掩膜層(未圖示)。然后，使用光刻法將掩膜層圖制(patterning)成焊盤電極41、42、43及45(參照圖7)的形狀，并且將圖制后的掩膜層作為掩膜而蝕刻除去下部的電極層。由此，如圖7所示，在除去多余的電極層后的區(qū)域以外的絕緣膜65上圖制出分別具有規(guī)定的平面形狀的焊盤電極41、42、43及45。此時(shí)，在元件接合部分4 配置在元件接合部分41a與43a之間的焊盤電極42上形成經(jīng)由PD60的受光面60a上而向PD60外的區(qū)域引出的引出用配線部分42b。由此，焊盤電極41 43各自的元件接合部分41a 43a 以在橫向(B方向)上隔開最小限度的間隔L2的狀態(tài)配置。另外，在焊盤電極41、42及43 上經(jīng)由引出用配線部分41b、^b及4 分別形成引線接合部41c、42c及43c。另外，焊盤電極45的下表面中的與絕緣膜65的上表面未接觸的部分與導(dǎo)通部45a(參照圖6)連接。之后，在元件接合部分41a、4h及43a的上表面(C2成為)形成糊狀的導(dǎo)電性熔接層2 (參照圖2)。在該狀態(tài)下，通過切割(dicing)等沿著相互正交的分離線190及195將基板140 分割，從而形成分離的各放熱基臺40 (參照圖2)。之后，如圖3所示，將使用規(guī)定的制造流程而形成的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的ρ 側(cè)電極18與焊盤電極41經(jīng)由導(dǎo)電性熔接層2接合。同樣地，將紅色半導(dǎo)體激光元件20的 P側(cè)電極觀與焊盤電極42經(jīng)由導(dǎo)電性熔接層2接合，并且將紅外半導(dǎo)體激光元件30的ρ 側(cè)電極38與焊盤電極43經(jīng)由導(dǎo)電性熔接層2接合。之后，經(jīng)由導(dǎo)電性熔接層1將基體部 50的上表面50a與放熱基臺40的下表面接合。之后，如圖1所示，使用金屬線91將引線接合部41c與引線端子(未圖示)連接。 另外，使用金屬線93將引線接合部42c與引線端子(未圖示)連接。另外，使用金屬線95 將引線接合部43c與引線端子(未圖示)連接。另外，使用金屬線97將焊盤電極45與引線端子(未圖示)連接。另外，使用金屬線92將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的η側(cè)電極10 與基體部50(參照圖幻連接。另外，使用金屬線94將紅色半導(dǎo)體激光元件20的η側(cè)電極 29與基體部50連接。另外，使用金屬線96將紅外半導(dǎo)體激光元件30的η側(cè)電極39與基體部50連接。這樣，形成三波長半導(dǎo)體激光裝置100。
在第一實(shí)施方式中，如上所述，焊盤電極42包括配置在PD60的受光面60a上的引出用配線部分42b，由此對于兩側(cè)被焊盤電極41及43夾持的內(nèi)側(cè)的焊盤電極42而言，無需使用焊盤電極42與焊盤電極41或焊盤電極43之間的區(qū)域(圖1的具有間隔L2的區(qū)域) 而能夠設(shè)置經(jīng)由后方的PD60的受光面60a上而向PD60的側(cè)方引出的配線部分。由此，由于不需要在彼此沿B方向相鄰的焊盤電極間設(shè)置引出用的配線部分或用于引線接合的引線接合部等，因此能夠在進(jìn)一步縮短配置間隔L2的狀態(tài)下沿著B方向配置焊盤電極41 43。其結(jié)果是，由于能夠縮小放熱基臺40的B方向上的寬度，因此能夠?qū)崿F(xiàn)搭載藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30的三波長半導(dǎo)體激光裝置100的小型化。另外，在第一實(shí)施方式中，焊盤電極42包括配置在PD60的受光面60a上的引出用配線部分42b，由此不使用與焊盤電極42相鄰的焊盤電極41與43之間的區(qū)域(圖1的具有間隔L2的區(qū)域)就能夠?qū)⒑副P電極42經(jīng)由后方的PD60的受光面60a上而容易地向 PD60的側(cè)方(B2側(cè))引出。這里，作為從焊盤電極42引出的引出配線圖案，例舉有與PD60 以外的區(qū)域的、例如相鄰的焊盤電極41或43的下部區(qū)域或上部區(qū)域交叉的配線圖案。另夕卜，也考慮有使用通過切除沿A方向延伸的焊盤電極41或43的一部分而確保的區(qū)域來將焊盤電極42向外部引出的配線圖案等。然而，在上述任一種情況下，都需要橫穿焊盤電極 41或藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、或者焊盤電極43或紅外半導(dǎo)體激光元件30的下部，因此需要另行設(shè)置絕緣機(jī)構(gòu)。另外，由此會導(dǎo)致在放熱基臺40上圖制的多個(gè)電極構(gòu)件彼此的層結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜。另一方面，在第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置100中，有效地利用受光面60a上的區(qū)域來設(shè)置引出用配線部分42b，相應(yīng)地能夠避免引出用配線部分42b與焊盤電極41或藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、或者焊盤電極43或紅外半導(dǎo)體激光元件30的平面上的交叉，因此在制造流程上能夠容易地進(jìn)行焊盤電極41 43的圖制。另外，由于能夠?qū)⒑副P電極42所具有的引線接合部42c遠(yuǎn)離相鄰的焊盤電極41及43或藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10及紅外半導(dǎo)體激光元件30而形成，因此在引線接合時(shí)也能夠容易地進(jìn)行向引線接合部41c 43c的引線接合。另外，在第一實(shí)施方式中，將引出用配線部分42b配置在避開PD60的受光面60a 接受從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30分別向A2方向出射的激光的受光區(qū)域P、Q及R(參照圖1)的位置。由此，能夠無損PD60的監(jiān)視功能且在進(jìn)一步縮短配置間隔L2的狀態(tài)下將焊盤電極41 43沿B方向配置。另外，在第一實(shí)施方式中，使用SiO2在放熱基臺40的上表面40a上形成絕緣膜65。 并且，引出用配線部分42b經(jīng)由覆蓋PD60的受光面60a的絕緣膜65而形成。由此，能夠容易地防止PD60的ρ型擴(kuò)散區(qū)域61與引出用配線部分42b的電接觸。其結(jié)果是，能夠?qū)⑾蚣t色半導(dǎo)體激光元件20供電的電力供給路與向PD60供電的電極供給路可靠地分離。另外， 由于絕緣膜65具有透光性，因此即使利用實(shí)現(xiàn)ρ型擴(kuò)散區(qū)域61與引出用配線部分42b的絕緣的絕緣膜65覆蓋受光面60a整體，也能夠使監(jiān)視用的激光可靠地向受光區(qū)域P、Q及R 入射。另外，在第一實(shí)施方式中，弓丨出用配線部分42b具有第一部分42e，該第一部分42e 以元件接合部分42a的A2側(cè)的端部中的、比紅色半導(dǎo)體激光元件20的中心線150偏向在 B2側(cè)相鄰的紅外半導(dǎo)體激光元件30的位置為起點(diǎn)，在受光面60a上向A2方向延伸。這種情況下，第一部分42e以元件接合部分42a的A2側(cè)且B2側(cè)的角部為起點(diǎn)而延伸。由此，在俯視觀察下，能夠配置成紅色半導(dǎo)體激光元件20所具有的出射端面中的形成在中心線150 附近的激光出射點(diǎn)與引出用配線部分42b的第一部分4 極力不重疊。由此，能夠容易地抑制第一部分4 遮擋位于激光出射點(diǎn)的后方(A2側(cè))PD60的受光區(qū)域Q(參照圖1)的情況。另外，在第一實(shí)施方式中，第一部分4 在與元件接合部分4 的連接部具有隨著向A2方向延伸而沿著從中心線150向B2方向傾斜的方向延伸的彎曲部42g。S卩，與第一部分4 構(gòu)成為從元件接合部分42a向B2方向正橫向延伸而到達(dá)中間線170、之后在中間線 170上向A2方向延伸這樣結(jié)構(gòu)的情況相比，通過設(shè)置從元件接合部分4 傾斜延伸的彎曲部42g，相應(yīng)地能夠使從元件接合部分4 突出的第一部分4 與相鄰的元件接合部分43a 在B方向上分開。由此，在接合半導(dǎo)體激光元件時(shí)，即使涂敷在元件接合部分4 上的導(dǎo)電性熔接層2 (參照圖2、熔化，也能夠容易地抑制熔化的導(dǎo)電性熔接層2從第一部分4 溢出而流向元件接合部分43a的情況。其結(jié)果是，能夠極力抑制元件接合時(shí)的焊盤電極間的短路(short)。另外，在第一實(shí)施方式中，第一部分42e的一部分在沿著中心線150與在B2側(cè)相鄰的紅外半導(dǎo)體激光元件30的沿A方向延伸的中心線160之間的中間位置延伸的中間線 170上向A2方向延伸。由此，能夠容易地抑制第一部分4 遮擋PD60的受光面60a中的紅色半導(dǎo)體激光元件20用的受光區(qū)域Q及在B2側(cè)相鄰的紅外半導(dǎo)體激光元件30用的受光區(qū)域R(參照圖1)。另外，在第一實(shí)施方式中，引出用配線部分42b具有以第一部分42e的A2側(cè)的端部為起點(diǎn)而沿著B方向延伸的第二部分42f，第二部分42f沿著B方向中的以中心線150為基準(zhǔn)第一部分4 所配置的B2方向而在PD60的受光面60a上延伸。由此，與將引出用配線部分42b的第二部分42f向B方向中的相對于中心線150而與第一部分4 所偏靠的B2 方向相反的Bl方向延伸的情況相比，能夠?qū)⒁鲇门渚€部分42b的第二部分42f向與相對于中心線150第一部分4 所偏靠的B2方向相同的方向延伸，因此能夠抑制配線圖案的往返所引起的損失，相應(yīng)地能夠?qū)⒌诙糠?2f的長度設(shè)計(jì)得更短。另外，由于第二部分42f 沒有橫穿紅色半導(dǎo)體激光元件20的受光區(qū)域Q的后方(A2側(cè))，因此能夠容易地避免受光區(qū)域Q被第二部分42f遮擋的情況。另外，在第一實(shí)施方式中，第二部分42f配置在PD60的A2側(cè)的緣部附近的受光面60a上。由此，能夠使第二部分42f在從位于紅外半導(dǎo)體激光元件30的后方(A2側(cè))的 PD60的受光面60a向A2方向極力遠(yuǎn)離的位置處沿B2方向橫穿并同時(shí)延伸。由此，能夠極力避免第二部分42f遮擋前方(Al側(cè))的受光區(qū)域R的情況。另外，在第一實(shí)施方式中，關(guān)于配置在與第二部分42f對置的位置上的紅外半導(dǎo)體激光元件30，使接近活性層33側(cè)的ρ側(cè)電極38的下表面與元件接合部分43a對置而以結(jié)向下方式接合。這樣，即使為第二部分42f在紅外半導(dǎo)體激光元件30的后方的受光面60a 上橫穿這樣的配線布局，也由于將紅外半導(dǎo)體激光元件30以結(jié)向下方式接合，因此能夠?qū)⑹芄鈪^(qū)域R(參照圖1)容易地確保在第二部分42f與紅外半導(dǎo)體激光元件30之間。另外，在第一實(shí)施方式中，構(gòu)成為第一部分42e的寬度Wl與第二部分42f的寬度 W2大致相等。由此，由于引出用配線部分42b的強(qiáng)度沿著延伸的方向大致均等，因此能夠容易地抑制引出用配線部分42b從絕緣膜65剝離或引出用配線部分42b斷開的情況。另外，在第一實(shí)施方式中，PD60的B方向上的寬度比配置有焊盤電極41 43的區(qū)域的B方向上的寬度寬，PD60對于藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30通用。這樣，有效地利用各半導(dǎo)體激光元件10 30所共用的具有寬廣的受光面60a的PD60，從而能夠形成焊盤電極42的引出用配線部分42b，因此能夠有效地進(jìn)行三波長半導(dǎo)體激光裝置100的小型化。另外，在第一實(shí)施方式中，PD60埋入到由η型Si構(gòu)成的放熱基臺40的內(nèi)部，將受光面60a配置在與放熱基臺40的上表面40a相同的面上，由此能夠?qū)⒕哂型腹庑缘慕^緣膜 65平坦地形成在上表面40a上。由此，能夠容易地將具有引出用配線部分42b的焊盤電極 42設(shè)置在放熱基臺40上。另外，在第一實(shí)施方式中，焊盤電極42具有從引出用配線部分42b (第二部分42f) 向比PD60的受光面60a靠B2方向的外部引出而設(shè)置的引線接合部42c。由此，與將引線接合部42c配置在比PD60靠A2側(cè)的放熱基臺40上的情況相比，能夠縮短放熱基臺40的 A方向上的長度。另外，由于引線接合部42c配置在沿著放熱基臺40的寬度方向(B方向) 的側(cè)方區(qū)域，因此無需使金屬線93接近PD60就能夠容易地進(jìn)行引線接合。另外，在第一實(shí)施方式中，焊盤電極41及43分別具有向焊盤電極42的相反側(cè)的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的側(cè)方(Bi側(cè))或紅外半導(dǎo)體激光元件30的側(cè)方(B2側(cè))引出而設(shè)置的引線接合部41c及43c。由此，除引線接合部42c之外，引線接合部41c及43c也配置在沿著放熱基臺40的寬度方向(B方向)的側(cè)方區(qū)域，因此無需使金屬線91及95接近PD60及各半導(dǎo)體激光元件就能夠容易地進(jìn)行引線接合。另外，在第一實(shí)施方式中，具備在PD60上的與配置有引出用配線部分42b的B2方向相反的Bl方向側(cè)形成且與ρ型擴(kuò)散區(qū)域61導(dǎo)通的焊盤電極45。另外，焊盤電極45配置在受光面60a的Al側(cè)及Bl側(cè)的角部附近。由此，能夠?qū)⒑副P電極45極力遠(yuǎn)離引出用配線部分42b而配置，因此能夠在受光面60a內(nèi)無障礙地確保藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的受光區(qū)域P及紅色半導(dǎo)體激光元件20的受光區(qū)域Q (參照圖1)。(第一實(shí)施方式的第一變形例)接下來，對第一實(shí)施方式的第一變形例進(jìn)行說明。如圖8所示，在該第一實(shí)施方式的第一變形例的三波長半導(dǎo)體激光裝置105中，在引出用配線部分72b的第一部分7 沒有設(shè)置像第一實(shí)施方式那樣的彎曲部42g。因此，將焊盤電極72的引出用配線部分72b如下圖制，即，具有寬度W3的第一部分7 從與元件接合部分42a的連接部向A2方向呈直線狀延伸后，具有寬度W4的第二部分72f以受光面60a的A2側(cè)的緣部為起點(diǎn)而向B2方向延伸。這種情況下，第一部分7 配置在中心線150與中間線170之間的區(qū)域。這里，優(yōu)選第一部分72e的寬度W3比第一部分42e的寬度Wl (參照圖1)小，但優(yōu)選為大約20 μ m以上。 另外，第二部分72f的寬度W4可以與第二部分42f(參照圖1)的寬度W2大致相同，也可以與第一部分72e的寬度W3大致相等。需要說明的是，焊盤電極72是“配置在端部以外的位置上電極”的一例。需要說明的是，第一實(shí)施方式的第一變形例的三波長半導(dǎo)體激光裝置105的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式相同，在圖中，標(biāo)注與第一實(shí)施方式相同的符號而進(jìn)行圖示。另外，在第一實(shí)施方式的第一變形例的三波長半導(dǎo)體激光裝置105的制造流程中，除未設(shè)置第一實(shí)施方式的彎曲部42g地形成焊盤電極72這一點(diǎn)外，與第一實(shí)施方式的制造流程大致相同。在第一實(shí)施方式的第一變形例中，如上所述，引出用配線部分72b由向A2方向呈直線狀地延伸的第一部分7 和向B2方向呈直線狀地延伸的第二部分72f構(gòu)成。另外，第一部分7 配置在中心線150與中間線170之間。由此，能夠通過更簡單的配線圖案形成使受光區(qū)域Q及R沒有被遮擋的引出用配線部分72b。需要說明的是，第一實(shí)施方式的第一變形例的其它效果與上述第一實(shí)施方式相同。(第一實(shí)施方式的第二變形例)接下來，對第一實(shí)施方式的第二變形例進(jìn)行說明。如圖9所示，在該第一實(shí)施方式的第二變形例的三波長半導(dǎo)體激光裝置110中，引出用配線部分82b的第二部分82f配置得比受光面60a的A2側(cè)的緣部靠內(nèi)側(cè)(Al側(cè))。因此，引出用配線部分82b由A方向上的長度比第一實(shí)施方式的第一部分4 或第一實(shí)施方式的第一變形例的第一部分7 短的第一部分8 和第二部分82f構(gòu)成。此外，優(yōu)選第二部分82f所配置的A方向上的位置為盡可能不遮擋接受從紅外半導(dǎo)體激光元件30的光反射面射出的激光的受光區(qū)域R的范圍內(nèi)的位置。需要說明的是，第一實(shí)施方式的第二變形例的三波長半導(dǎo)體激光裝置110的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式相同，在圖中，標(biāo)注與第一實(shí)施方式相同的符號而進(jìn)行圖示。另外，在第一實(shí)施方式的第二變形例的三波長半導(dǎo)體激光裝置110的制造流程中，除將第一部分8 圖制成A方向上的長度比第一實(shí)施方式的第一變形例的第一部分72e 短這一點(diǎn)外，與第一實(shí)施方式的第一變形例的制造流程大致相同。另外，第一實(shí)施方式的第二變形例的效果與上述第一實(shí)施方式的第一變形例相同。(第二實(shí)施方式)接下來，參照圖10及圖11，對第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。在該第二實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置200中，取代紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30，使用由紅色半導(dǎo)體激光元件220及紅外半導(dǎo)體激光元件230構(gòu)成的二波長半導(dǎo)體激光元件250。 需要說明的是，三波長半導(dǎo)體激光裝置200是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光裝置”的一例。另外， 在圖中，對與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號。首先，參照圖2、圖10及圖11，對本發(fā)明的第二實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置 200的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。第二實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置200具備放熱基臺40、藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件210、具有大約650η的振蕩波長的紅色半導(dǎo)體激光元件220及具有大約780nm的振蕩波長的紅外半導(dǎo)體激光元件230以單塊(monolithic)的方式形成在同一 η型GaAs基板 251上而得到的二波長半導(dǎo)體激光元件250、基體部50。需要說明的是，紅色半導(dǎo)體激光元件220是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”及“第一半導(dǎo)體激光元件”的一例，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件210是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”及“第三半導(dǎo)體激光元件”的一例，紅外半導(dǎo)體激光元件230是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”及“第二半導(dǎo)體激光元件”的一例。紅色半導(dǎo)體激光元件220形成在η型GaAs基板251的下表面上的一側(cè)(Bi側(cè))， 且紅外半導(dǎo)體激光元件230形成在η型GaAs基板251的下表面上的另一側(cè)(Β2側(cè))。另夕卜，紅色半導(dǎo)體激光元件220和紅外半導(dǎo)體激光元件230通過形成在B方向的大致中央的槽部252而隔開規(guī)定的距離配置。需要說明的是，由于紅色半導(dǎo)體激光元件220和紅外半導(dǎo)體激光元件230形成在同一 η型GaAs基板251的下表面上，因此紅色半導(dǎo)體激光元件220 和紅外半導(dǎo)體激光元件230的相互對置的側(cè)端部(槽部252的內(nèi)側(cè)面)彼此容易在B方向上相鄰。因此，如圖11所示，紅色半導(dǎo)體激光元件220所接合的焊盤電極42的元件接合部分4 與紅外半導(dǎo)體激光元件230所接合的焊盤電極43的元件接合部分43a的B方向上的間隙的距離L3比上述第一實(shí)施方式的距離L2(參照圖2)大。由此，進(jìn)一步抑制因元件接合時(shí)熔化的導(dǎo)電性熔接層2而導(dǎo)致元件接合部分4 與43a短路(short)的情況。在紅色半導(dǎo)體激光元件220中，在η型GaAs基板251的下表面上的Bl側(cè)形成有η 型包覆層22、活性層23、ρ型包覆層24、電流阻擋層27、ρ側(cè)電極觀。另外，脊部225形成在紅色半導(dǎo)體激光元件220的比元件寬度方向的中央部(圖10的中心線150)靠藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件210側(cè)(Bi側(cè))的區(qū)域。即，脊部225配置在以中心線150為基準(zhǔn)而與引出用配線部分42b所配置的B2方向相反的Bl方向。另外，在紅外半導(dǎo)體激光元件230中，在η型GaAs基板251的下表面上的Β2側(cè)形成有η型包覆層32、活性層33、ρ型包覆層34、電流阻擋層37、ρ側(cè)電極38。另外，脊部235 形成在紅外半導(dǎo)體激光元件230的比元件寬度方向的中央部(圖10的中心線160)靠藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件210側(cè)(Bi側(cè))的區(qū)域。另外，在η型GaAs基板251的上表面上的大致整個(gè)區(qū)域形成有共用的η側(cè)電極259。另外，ρ側(cè)電極觀及38分別與放熱基臺40的上表面?zhèn)冉雍?，由此二波長半導(dǎo)體激光元件250以活性層23及33比η型GaAs基板251更接近放熱基臺40 (Cl側(cè))的方式通過結(jié)向下方式接合。另外，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件210的脊部215形成在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件210 的比元件寬度方向(B方向)的中央部靠二波長半導(dǎo)體激光元件250側(cè)(Β2側(cè))的區(qū)域。由此，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件210及二波長半導(dǎo)體激光元件250各自的激光元件的發(fā)光點(diǎn)集中在三波長半導(dǎo)體激光裝置200的寬度方向的中央部。另外，金屬線的一端與η側(cè)電極259引線接合，金屬線的另一端與基體部 50連接。需要說明的是，第二實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置200的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置100相同。在三波長半導(dǎo)體激光裝置200的制造流程中，除在使用與第一實(shí)施方式同樣的制造流程而形成的放熱基臺40上接合藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件210及二波長半導(dǎo)體激光元件 250這一點(diǎn)、及使用金屬線291將二波長半導(dǎo)體激光元件250的η側(cè)電極259與基體部50 連接這一點(diǎn)外，與第一實(shí)施方式的制造流程相同。在第二實(shí)施方式中，如上所述，在三波長半導(dǎo)體激光裝置200具備藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件210、紅色半導(dǎo)體激光元件220及紅外半導(dǎo)體激光元件230以單塊的方式形成而得到的二波長半導(dǎo)體激光元件250的情況下，由于能夠縮小放熱基臺40的B方向上的寬度， 因此也能夠?qū)崿F(xiàn)三波長半導(dǎo)體激光裝置200的小型化。另外，在第二實(shí)施方式中，將紅色半導(dǎo)體激光元件220的脊部225配置在以中心線 150為基準(zhǔn)而與引出用配線部分42b相反的Bl方向。由此，能夠使紅色半導(dǎo)體激光元件220 的受光區(qū)域Q盡可能遠(yuǎn)離引出用配線部分42b (第一部分42e)，因此能夠在不損壞PD60相對于紅色半導(dǎo)體激光元件220的監(jiān)視功能的情況下使用。需要說明的是，第二實(shí)施方式的其它效果與上述第一實(shí)施方式相同。
(第三實(shí)施方式)接下來，參照圖1及圖12，對本發(fā)明的第三實(shí)施方式的光拾取裝置300進(jìn)行說明。 需要說明的是，光拾取裝置300為本發(fā)明的“光裝置”的一例。如圖12所示，本發(fā)明的第三實(shí)施方式的光拾取裝置300具備搭載有第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置100(參照圖1)的罐型的半導(dǎo)體激光裝置310、調(diào)整從半導(dǎo)體激光裝置310射出的激光的光學(xué)系統(tǒng)320、接受激光的光檢測部330。另外，光學(xué)系統(tǒng)320具有偏振光束分離器(PBQ 321、準(zhǔn)直透鏡322、光束擴(kuò)展器 323、λ /4板324、對物透鏡325、柱面透鏡3 及光軸補(bǔ)正元件327。另外，PBS321使從半導(dǎo)體激光裝置310射出的激光全透過并將從光盤340返回的激光全反射。準(zhǔn)直透鏡322將透過了 PBS321的來自半導(dǎo)體激光裝置310的激光轉(zhuǎn)換成平行光。光束擴(kuò)展器323由凹透鏡、凸透鏡及致動器(未圖示)構(gòu)成。致動器具有如下功能， 艮口，通過使凹透鏡及凸透鏡的距離變化，從而對從半導(dǎo)體激光裝置310射出的激光的波面狀態(tài)進(jìn)行補(bǔ)正。另外，λ /4板3Μ將被準(zhǔn)直透鏡322轉(zhuǎn)換成大致平行光的直線偏振光的激光轉(zhuǎn)換成圓偏振光。另外，λ/4板3Μ將從光盤340返回的圓偏振光的激光轉(zhuǎn)換成直線偏振光。 這種情況下的直線偏振光的偏振光方向與從半導(dǎo)體激光裝置310射出的激光的直線偏振光的方向正交。由此，從光盤340返回的激光被PBS321大致全反射。對物透鏡325使透過了 λ /4板324的激光匯聚到光盤340的表面(記錄層)上。此外，對物透鏡325通過對物透鏡致動器(未圖示)能夠移動。另外，柱面透鏡326、光軸補(bǔ)正元件327及光檢測部330沿著被PBS321全反射的激光的光軸配置。柱面透鏡3 對入射的激光賦予像散作用。光軸補(bǔ)正元件327由衍射光柵構(gòu)成，配置成使透過了準(zhǔn)直透鏡3 的藍(lán)紫色、紅色及紅外的各激光的0次衍射光的光點(diǎn)在后述的光檢測部330的檢測區(qū)域上一致。另外，光檢測部330根據(jù)接受的激光的強(qiáng)度分布而輸出再生信號。這樣，構(gòu)成具備半導(dǎo)體激光裝置310的光拾取裝置300。在該光拾取裝置300中，半導(dǎo)體激光裝置310構(gòu)成為能夠從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30 (參照圖1)獨(dú)立地射出藍(lán)紫色、紅色及紅外的激光。另外，從半導(dǎo)體激光裝置310射出的激光如上述那樣被PBS321、準(zhǔn)直透鏡322、光束擴(kuò)展器323、λ /4板324、對物透鏡325、柱面透鏡3 及光軸補(bǔ)正元件327調(diào)節(jié)后，照射到光檢測部330的檢測區(qū)域上。這里，在再生記錄在光盤340上的信息時(shí)，進(jìn)行控制以使從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30射出的各激光功率一定，并同時(shí)向光盤340的記錄層上照射激光，從而能夠得到從光檢測部330輸出的再生信號。另外，在光盤340上記錄信息時(shí)，根據(jù)需要記錄的信息來控制從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20及紅外半導(dǎo)體激光元件30射出的激光功率，并同時(shí)向光盤340照射激光。 由此，能夠在光盤340的記錄層上記錄信息。這樣，使用具備半導(dǎo)體激光裝置310的光拾取裝置300，能夠進(jìn)行向光盤340的記錄及再生。在第三實(shí)施方式中，如上所述，在光拾取裝置300中搭載有具備上述第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置100的半導(dǎo)體激光裝置310，因此能夠得到實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體激光裝置310的小型化的光拾取裝置300。需要說明的是，第三實(shí)施方式的其它效果與上述第一實(shí)施方式相同。需要說明的是，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為本次公開的實(shí)施方式的所有的點(diǎn)僅為例示，本發(fā)明并不限定于此。本發(fā)明的范圍不是由上述實(shí)施方式的說明而是由權(quán)利要求書表示，還包括與權(quán)利要求書同等意思及范圍內(nèi)的所有變更。例如，在上述第一 第三實(shí)施方式中，示出了引出用配線部分42b具有第一部分 4 和第二部分42f的例子，但本發(fā)明并不限定于此。在本發(fā)明中，也可以構(gòu)成為不設(shè)置第二部分42f而使第一部分42e向A2方向呈直線狀地跨過受光面60a上而引出至PD60的后方(A2側(cè))。若像該變形例這樣構(gòu)成，則能夠更可靠地避免紅外半導(dǎo)體激光元件30的受光區(qū)域R被遮擋的情況。另外，在上述第一 第三實(shí)施方式中，示出了第二部分42f配置在PD60的A2側(cè)的緣部附近的受光面60a上的例子，但本發(fā)明并不限定于此。在本發(fā)明中，也可以將第二部分 42f以比PD60的A2側(cè)的緣部靠外側(cè)(A2側(cè))地向B2方向延伸的狀態(tài)與引線接合部42c連接。另外，在上述第一 第三實(shí)施方式中，示出了弓丨出用配線部分42b的第一部分42e 配置在偏向紅外半導(dǎo)體激光元件30的位置(B2側(cè))、且第二部分42f從第一部分42e的端部進(jìn)一步向B2方向延伸的例子，但本發(fā)明并不限定于此。在本發(fā)明中，也可以構(gòu)成為第一部分4 配置在偏向藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10的位置(Bi側(cè))且第二部分42f進(jìn)而向Bl 方向延伸。這種情況下，箭頭Bl方向是本發(fā)明的“第一方向”，箭頭B2方向成為本發(fā)明的 “第四方向”。另外，在上述第一 第三實(shí)施方式中，示出了在放熱基臺40上沿B方向排列配置有三個(gè)半導(dǎo)體激光元件的例子，但本發(fā)明并不限定于此。在本發(fā)明中，也可以將四個(gè)以上的多個(gè)半導(dǎo)體激光元件沿B方向排列配置。這種情況下，與兩端的半導(dǎo)體激光元件以外的內(nèi)側(cè)的半導(dǎo)體激光元件連接的多個(gè)焊盤電極包括本發(fā)明的“引出用配線部分”。這里，設(shè)置在各焊盤電極上的本發(fā)明的“引出用配線部分”可以僅由向A2方向呈直線狀地跨過PD60的 “第一部分”形成，也可以形成為具有“第一部分”和在受光面60a上平面地折彎而向PD60 的B方向的外部引出的“第二部分”。另外，也可以將僅由“第一部分”構(gòu)成的焊盤電極和具有“第一部分”及“第二部分”的焊盤電極混合配置。在受光面60a上跨過的各焊盤電極的配線圖案可以根據(jù)配置在放熱基臺40上的半導(dǎo)體激光元件的個(gè)數(shù)、PD60的受光面60a的尺寸及引線接合部的位置等而適當(dāng)確定。需要說明的是，優(yōu)選在形成“第二部分”時(shí)，比較從與該焊盤電極在Bl側(cè)相鄰的焊盤電極到Bl側(cè)的端部的焊盤電極為止的焊盤電極的個(gè)數(shù)nl (例如三個(gè))、和從與該焊盤電極在B2側(cè)相鄰的焊盤電極到B2側(cè)的端部的焊盤電極為止的焊盤電極的個(gè)數(shù)π2 (例如五個(gè))，以向具有更少個(gè)數(shù)( = nl)的一側(cè)(Bi側(cè))引出“第二部分”的方式形成“引出用配線部分”。若像該變形例這樣構(gòu)成，則能夠極力減少被“第二部分”沿B方向(Bi方向)橫穿受光區(qū)域(受光面)的后方的半導(dǎo)體激光元件的個(gè)數(shù)，因此能夠避免被“第二部分”遮擋的受光區(qū)域增加這樣的情況。需要說明的是，對于配置在上述的個(gè)數(shù)nl = n2的位置處的焊盤電極，可以將“第二部分”向Bl側(cè)或B2側(cè)中的任一方向引出。另外，在上述第一 第三實(shí)施方式中，示出了在放熱基臺40的上表面40a上使用SiO2來形成絕緣膜65的例子，但本發(fā)明并不限定于此。在本發(fā)明中，只要是具有絕緣性的材料，也可以使用SW2以外的材料來形成用于使PD60的ρ型擴(kuò)散區(qū)域61與引出用配線部分42b的絕緣的絕緣膜。需要說明的是，引出用配線部分42b所配置的區(qū)域以外的受光面 60a可以被絕緣膜覆蓋，也可以不被絕緣膜覆蓋。另外，在上述第一及第二實(shí)施方式的制造流程中，將規(guī)定形狀的掩膜圖案作為掩膜來圖制焊盤電極41、42及43，但本發(fā)明并不限定于此。在本發(fā)明中，可以在絕緣膜65上的規(guī)定的位置處形成具有形成為焊盤電極41、42及43各自的平面形狀的開口部的抗蝕圖案后，在從開口部露出的絕緣膜65的部分形成電極層，之后利用除去抗蝕圖案的剝離 (lift-off)工序來圖制焊盤電極41 43及45。另外，在上述第一實(shí)施方式中，示出了三波長半導(dǎo)體激光裝置100由藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件10、紅色半導(dǎo)體激光元件20和紅外半導(dǎo)體激光元件30構(gòu)成的例子，但本發(fā)明并不限定于此。在本發(fā)明中，也可以使用由氮化物系半導(dǎo)體構(gòu)成的綠色半導(dǎo)體激光元件、藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件及紅色半導(dǎo)體激光元件20而將本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光裝置”構(gòu)成為RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置。另外，在上述第一及第二實(shí)施方式中，示出了在放熱基臺40上從Bl側(cè)朝向B2側(cè)按順序排列配置有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件、紅色半導(dǎo)體激光元件及紅外半導(dǎo)體激光元件的例子，但本發(fā)明并不限定于此。在本發(fā)明中，也可以按與上述不同的順序配置三個(gè)半導(dǎo)體激光元件。例如，可以以藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件為中心而在其兩側(cè)分別配置紅色半導(dǎo)體激光元件和紅外半導(dǎo)體激光元件。這種情況下，可以單獨(dú)配置各半導(dǎo)體激光元件，也可以像上述第二實(shí)施方式那樣使用一個(gè)藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件、一體形成有紅色半導(dǎo)體激光元件及紅外半導(dǎo)體激光元件的二波長半導(dǎo)體激光元件。在使用二波長半導(dǎo)體激光元件的情況下，可以將槽部252 (參照圖11)的寬度向B方向擴(kuò)張，與擴(kuò)張的槽部對應(yīng)的部分的η型GaAs基板251跨藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件的上方(C2側(cè))而構(gòu)成。這種情況下，通過適當(dāng)調(diào)整藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件的高度(厚度)或二波長半導(dǎo)體激光元件的槽部的深度，能夠?qū)⒍ㄩL半導(dǎo)體激光元件平面地重疊在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件上。另外，可以使用專用的金屬線將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件的η側(cè)電極與基體部50連接?；蛘撸部梢栽趯⒍ㄩL半導(dǎo)體激光元件接合到基臺上時(shí)，經(jīng)由導(dǎo)電性熔接層將先接合的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件的η側(cè)半導(dǎo)體層與槽部的底面(η型GaAs基板251的下表面)同時(shí)接合。由此，能夠經(jīng)由共用的一根金屬線將各半導(dǎo)體激光元件的η側(cè)半導(dǎo)體層與基體部50連接。另外，在上述第一 第三實(shí)施方式中，示出了將各半導(dǎo)體激光元件以結(jié)向下方式接合到放熱基臺40上的例子，但本發(fā)明并不限定于此。在本發(fā)明中，可以將各半導(dǎo)體激光元件以結(jié)向上方式接合到放熱基臺40上。這種情況下，各半導(dǎo)體激光元件的激光出射點(diǎn)與結(jié)向下方式的情況相比更靠上方(從受光面60a向上方遠(yuǎn)離的方向)，因此能夠?qū)D1所示的受光區(qū)域P、Q及R廣闊地確保至更后方(A2側(cè))的位置處。因此，優(yōu)選像第一及第二實(shí)施方式所示的引出用配線部分42b那樣，第二部分42f沿著受光面60a的A2側(cè)的緣部附近配置?；蛘?，更優(yōu)選第二部分42f配置得比PD60的A2側(cè)的緣部靠外側(cè)(A2側(cè))。另外，在上述第一 第三實(shí)施方式中，示出了使用SW2來形成電流阻擋層27及37 的例子，但本發(fā)明并不限定于此。例如可以使用SiN等其它絕緣性材料、或AlInP或AlGaN 等半導(dǎo)體材料來形成電流阻擋層。
另外，在上述第三實(shí)施方式中，示出了將三波長半導(dǎo)體激光裝置100搭載在罐型的半導(dǎo)體激光裝置310中的例子，但本發(fā)明并不限定于此。在本發(fā)明中，可以在具有平板狀的平面結(jié)構(gòu)的框型的封裝體中搭載上述第一實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置100，也可以搭載上述第二實(shí)施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置200。另外，在上述第三實(shí)施方式中，示出了具備本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光裝置”的光拾取裝置300，但本發(fā)明并不限定于此，可以將本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置適用于進(jìn)行CD、DVD或 BD等光盤的記錄或再生的光盤裝置、或投影儀裝置等光裝置中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光裝置，其具備基臺；沿著第一方向配置在所述基臺的上表面上的多個(gè)電極；接合到所述多個(gè)電極各自的上表面上，且向與所述第一方向交叉的第二方向射出激光的多個(gè)半導(dǎo)體激光元件；相對于所述多個(gè)半導(dǎo)體激光元件在與所述第二方向相反的所述基臺的第三方向側(cè)配置有受光面的受光元件，所述多個(gè)電極中的配置在沿著所述第一方向及與所述第一方向相反的第四方向的端部以外的位置上的電極包括配置在所述受光元件的受光面上的引出用配線部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述引出用配線部分配置在從所述半導(dǎo)體激光元件向所述第三方向射出的激光被所述受光元件的所述受光面接受的受光區(qū)域以外的所述受光面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述引出用配線部分經(jīng)由絕緣膜形成在所述受光元件的所述受光面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，包括所述引出用配線部分的所述電極還包括供與所述電極對應(yīng)的半導(dǎo)體激光元件接合的元件接合部分，所述引出用配線部分具有第一部分，該第一部分以所述元件接合部分的所述第三方向側(cè)的端部中的、比所述半導(dǎo)體激光元件的沿所述第二方向延伸的第一中心線偏向在所述第一方向上相鄰的半導(dǎo)體激光元件側(cè)的位置為起點(diǎn)，在所述受光元件的受光面上向所述第三方向延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述第一部分以所述元件接合部分的所述第一方向的角部為起點(diǎn)而在所述受光元件的受光面上向所述第三方向延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述第一部分的至少一部分在中間線上向所述第三方向延伸，所述中間線沿著所述第一中心線與在所述第一方向上相鄰的半導(dǎo)體激光元件的沿所述第二方向延伸的第二中心線之間的中間位置延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述第一部分具有彎曲部，該彎曲部隨著從所述元件接合部分向所述第三方向延伸而在從所述第一中心線向所述第一方向側(cè)傾斜的方向上延伸，所述彎曲部構(gòu)成為連接所述元件接合部分與所述第一部分的在所述中間線上向所述第三方向延伸的部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述第一部分配置在比所述第一中心線與在所述第一方向上相鄰的半導(dǎo)體激光元件的沿所述第二方向延伸的第二中心線之間的中間線偏向所述第一中心線側(cè)的位置上。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述引出用配線部分還具有以所述第一部分的所述第三方向側(cè)的端部為起點(diǎn)而沿著所述第一方向延伸的第二部分，所述第二部分沿著以所述第一中心線為基準(zhǔn)而所述第一部分所配置的所述第一方向在所述受光元件的受光面上延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述第二部分配置在所述受光元件的所述第三方向側(cè)的緣部附近的所述受光面上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體激光元件分別含有活性層，至少在配置在沿著所述第二方向而與所述第二部分對置的位置上的所述半導(dǎo)體激光元件中，接近所述活性層這一側(cè)的表面和與所述半導(dǎo)體激光元件對應(yīng)的所述電極接合。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述第一部分的所述第一方向上的寬度與所述第二部分的所述第二方向上的寬度大致相等。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述受光元件的所述第一方向上的寬度比所述多個(gè)電極所配置的區(qū)域的所述第一方向上的寬度大，所述受光元件對于所述多個(gè)半導(dǎo)體激光元件通用。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述基臺由半導(dǎo)體材料構(gòu)成，所述受光元件嵌入在所述基臺的內(nèi)部，所述受光元件的所述受光面與所述基臺的上表面配置在同一面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述半導(dǎo)體激光元件包括用于形成沿著所述第二方向延伸的光導(dǎo)波路的脊部，與包括所述引出用配線部分的所述電極對應(yīng)的半導(dǎo)體激光元件的所述脊部配置在以所述半導(dǎo)體激光元件的沿所述第二方向延伸的第一中心線為基準(zhǔn)而與所述引出用配線部分所配置的所述第一方向相反的所述第四方向上。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，包括所述引出用配線部分的所述電極還包括從所述引出用配線部分設(shè)置到所述受光元件的所述受光面外的第一引線接合部。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述第一弓I線接合部配置得比所述受光元件靠所述第一方向的外側(cè)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體激光元件包括第一半導(dǎo)體激光元件、第二半導(dǎo)體激光元件及第三半導(dǎo)體激光元件，所述第一半導(dǎo)體激光元件與包括所述引出用配線部分及所述第一引線接合部的所述電極接合，所述第二半導(dǎo)體激光元件及第三半導(dǎo)體激光元件以所述第一半導(dǎo)體激光元件為基準(zhǔn)而分別與所述多個(gè)電極中的配置在沿著所述第一方向及所述第四方向的端部的位置上的電極接合，與所述第二半導(dǎo)體激光元件接合的所述電極包括第二引線接合部，該第二引線接合部設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體激光元件所配置的一側(cè)的相反側(cè)的所述第二半導(dǎo)體激光元件的側(cè)方，與所述第三半導(dǎo)體激光元件接合的所述電極包括第三引線接合部，該第三引線接合部設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體激光元件所配置的一側(cè)的相反側(cè)的所述第三半導(dǎo)體激光元件的側(cè)方。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，還具備焊盤電極，該焊盤電極形成在所述受光元件的與所述引出用配線部分所配置的所述第一方向相反的所述第四方向側(cè)，且與所述受光元件導(dǎo)通。
20.一種光裝置，其中，具備半導(dǎo)體激光裝置和光學(xué)系統(tǒng)，所述半導(dǎo)體激光裝置包括基臺；沿著第一方向配置在所述基臺的上表面上的多個(gè)電極；接合到所述多個(gè)電極各自的上表面上，且向與所述第一方向交叉的第二方向射出激光的多個(gè)半導(dǎo)體激光元件；相對于所述多個(gè)半導(dǎo)體激光元件在與所述第二方向相反的所述基臺的第三方向側(cè)配置有受光面的受光元件，所述光學(xué)系統(tǒng)控制所述半導(dǎo)體激光裝置的出射光，所述多個(gè)電極中的配置在沿著所述第一方向及與所述第一方向相反的第四方向的端部以外的位置上的電極具有配置在所述受光元件的受光面上的引出用配線部分。
全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體激光裝置及光裝置。該半導(dǎo)體激光裝置具備基臺；沿著第一方向配置在基臺的上表面上的多個(gè)電極；接合到多個(gè)電極各自的上表面上，且向第二方向射出激光的多個(gè)半導(dǎo)體激光元件；相對于多個(gè)半導(dǎo)體激光元件在基臺的第三方向側(cè)配置有受光面的受光元件。并且，多個(gè)電極中的配置在沿著第一方向及第四方向的端部以外的位置上的電極包括配置在受光元件的受光面上的引出用配線部分。
文檔編號H01S5/42GK102468608SQ20111028438
公開日2012年5月23日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月28日
發(fā)明者別所靖之, 香月陽介 申請人:三洋光學(xué)設(shè)計(jì)株式會社, 三洋電機(jī)株式會社