專利名稱：一種互連金屬電容測試結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造エ藝，特別涉及ー種用于測量互連金屬電容不匹配度的測試結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
互連金屬電容是利用半導(dǎo)體エ藝制程中已有的互連金屬線和互連金屬層之間的介電層形成的。相對于傳統(tǒng)的MIM (Metal-Insulator-Metal金屬-絕緣介質(zhì)-金屬)電容，互連金屬電容可以減少至少ー層掩膜層，因此可以降低生產(chǎn)成本，其在深亞微米集成電路中的應(yīng)用已越來越廣泛。但互連金屬電容之間的不匹配問題也越來越引起業(yè)界的關(guān)注，尤其是在混合信號電路中，兩個相同版圖結(jié)構(gòu)的互連金屬電容之間的不匹配度過高將會導(dǎo)致電路失效，造成電路無法發(fā)揮原設(shè)計的水準。因此，測量互連金屬電容之間的匹配度成 為互連金屬電容制程中的ー個重要環(huán)節(jié)?，F(xiàn)有的用于測量互連金屬電容的測試結(jié)構(gòu)主要包含有多個電容，電容之間的距離與待測互連金屬電容之間的距離相等，各電容的上、下極板上分別連接有焊墊，通過連接各電容的上、下極板的焊墊來測量電容值，再利用電容值計算得出任意兩個電容之間的不匹配度，即待測互連金屬電容之間的不匹配度。其中，電容
Cr和電容Cf的不匹配度計算公式為
權(quán)利要求
1.一種互連金屬電容測試結(jié)構(gòu)，其特征在于所述結(jié)構(gòu)包括呈矩陣排列的第一電容、第二電容、第三電容和第四電容，所述第一電容與所述第二電容的上極板連接至第一焊墊，所述第一電容與所述第三電容的下極板連接至第三焊墊，所述第三電容與所述第四電容的上極板連接至第二焊墊，所述第二電容與所述第四電容的下極板連接至第四焊墊。
2.如權(quán)利要求I所述的ー種互連金屬電容測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電容和第ニ電容位于同一行、第三電容和第四電容位于同一行。
3.如權(quán)利要求I所述的ー種互連金屬電容測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電容和第ニ電容位于同一列、第三電容和第四電容位于同一列。
4.如權(quán)利要求I所述的ー種互連金屬電容測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述矩陣各行之間的距離和各列之間的距離分別與待測互連金屬電容之間的距離相等。
5.如權(quán)利要求I所述的ー種互連金屬電容測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電容、第二電容、第三電容和第四電容的版圖結(jié)構(gòu)相同。
6.如權(quán)利要求I所述的ー種互連金屬電容測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電容通過金屬線連接至所述焊墊。
7.如權(quán)利要求I所述的ー種互連金屬電容測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電容和所述焊墊的材料為銅。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種互連金屬電容測試結(jié)構(gòu)，該測試結(jié)構(gòu)包括四個電容和四個焊墊，四個電容呈包含兩行、兩列的矩陣排列，四個電容的版圖結(jié)構(gòu)及尺寸完全相同，四個電容的上極板兩兩一組分別共同連接同一個焊墊，四個電容的下極板兩兩一組分別共同連接同一個焊墊，且如果兩個電容的上極板共同連接一個焊墊，那么這兩個電容的下極板就不能同時連接一個焊墊。矩陣的行間距和列間距與待測互連金屬電容對之間的距離相等，因此可通過測量測試結(jié)構(gòu)中的四個電容值來計算出待測互連金屬電容之間不匹配度，因此本發(fā)明可以減少焊墊的數(shù)量，簡化了不匹配度測試工藝，節(jié)省了晶圓的面積。本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于互連金屬電容的不匹配度測試過程中。
文檔編號H01L23/544GK102683324SQ20111005895
公開日2012年9月19日 申請日期2011年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月11日
發(fā)明者沈良, 趙芳芳, 黃威森 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司