專利名稱：太陽(yáng)能電池用導(dǎo)電性膏組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及很適合于采用燒成貫通(fire through)法形成的太陽(yáng)能電池電極用的導(dǎo)電性膏組合物。
背景技術(shù)：
例如，一般的硅系太陽(yáng)能電池，具有下述結(jié)構(gòu)在作為ρ型多晶半導(dǎo)體的硅基板的上面隔著n+層而具備防反射膜和受光面電極，并且在下面隔著ρ+層而具備背面電極(以下不區(qū)分它們時(shí)簡(jiǎn)稱為「電極」)，通過(guò)電極而取出由于受光而在半導(dǎo)體的Pn結(jié)產(chǎn)生的電力。 上述防反射膜是用于保持充分的可見(jiàn)光透射率并且降低表面反射率而提高受光效率的膜， 由Si3N4, TiO2, SiO2等的薄膜構(gòu)成。上述的防反射膜電阻值高，因此成為高效率地取出在半導(dǎo)體的pn結(jié)產(chǎn)生的電力的障礙。所以太陽(yáng)能電池的受光面電極，例如，采用被稱作燒成貫通的方法形成。該電極形成方法，例如，在n+層上的整個(gè)面上設(shè)置上述防反射膜后，采用例如網(wǎng)版印刷法在該防反射膜上以適宜的形狀涂布導(dǎo)電性膏并實(shí)施燒成處理。上述導(dǎo)電性膏例如是以銀粉末、玻璃料(glass frit)(在將玻璃原料熔融、急冷后根據(jù)需要粉碎的薄片狀或粉末狀的玻璃的碎料)、有機(jī)質(zhì)載色劑和有機(jī)溶劑為主成分，因此在燒成過(guò)程中，該導(dǎo)電性膏中的玻璃成分破壞防反射膜，因此由導(dǎo)電性膏中的導(dǎo)體成分和n+層形成歐姆接觸(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。 根據(jù)上述電極形成方法，與部分地除去防反射膜，在其除去部分形成電極的場(chǎng)合相比，工序簡(jiǎn)單，也不產(chǎn)生除去部分與電極形成位置的錯(cuò)位問(wèn)題。在這樣的太陽(yáng)能電池的受光面電極形成中，出于提高燒成貫通性、改善歐姆接觸， 進(jìn)而提高曲線因子(FF)、能量轉(zhuǎn)換效率等的目的，以往就提出了種種的方案。例如有下述方案通過(guò)在導(dǎo)電性膏中添加P、V、Bi等的五族元素，促進(jìn)玻璃和銀對(duì)防反射膜的氧化還原作用，提高燒成貫通性(例如，參照上述專利文獻(xiàn)1)。另外，通過(guò)在導(dǎo)電性膏中添加氯化物、溴化物或氟化物，這些添加物輔助玻璃和銀破壞防反射膜的作用而改善歐姆接觸(例如參照專利文獻(xiàn)2)。另外有下述方案通過(guò)在由Si3N4、SiO2等構(gòu)成的防反射膜上燒成電極材料來(lái)得到穩(wěn)定的歐姆接觸和焊錫接合強(qiáng)度，所述電極材料含有Ag粉末、有機(jī)載色劑、玻璃料、以及 Ti、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr中的至少一種(例如，參照專利文獻(xiàn)3)。Ti、Bi等相對(duì)于100重量份的Ag優(yōu)選為0. 05 5重量份。雖然沒(méi)有示出得到上述效果的理由，但認(rèn)為當(dāng)含有Ti、 Bi等時(shí)，在電極材料的燒成過(guò)程中它們?nèi)廴氩Ａе?，然后電極材料作用于防反射膜，因此與不含有Ti、Bi等的情況相比，與防反射膜的反應(yīng)穩(wěn)定化。另外，還提出了一種將Ag粉末、粒徑為7 IOOnm的ZnO和軟化點(diǎn)為300 600°C 的范圍內(nèi)的玻璃料分散在有機(jī)溶劑中的厚膜導(dǎo)電性組合物(例如，參照專利文獻(xiàn)4)。該厚膜導(dǎo)電性組合物是用于形成太陽(yáng)能電池的受光面電極的組合物，通過(guò)添加ai可改善導(dǎo)電性和焊錫接合性。另外，出于同樣的目的，也提出了使用MnO2替代SiO的方案(例如，參照專利文獻(xiàn)5)。
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現(xiàn)有專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特公平03-046985號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本專利第3707715號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)2001-313400號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本特開(kāi)2006-302890號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 日本特開(kāi)2006-302891號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6 日本特開(kāi)昭58-096777號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7 日本特開(kāi)2008-192921號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)8 日本特開(kāi)2005-347276號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)9 日本特開(kāi)2008-226816號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)10 日本特開(kāi)平08-097417號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)11 日本特開(kāi)2004-323910號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，在制造太陽(yáng)能電池組件時(shí)，具有將電池與焊錫進(jìn)行接合的工序，但在組件的可靠性方面，不論是剛接合后還是在經(jīng)時(shí)(隨時(shí)間經(jīng)過(guò))后確保該接合強(qiáng)度很重要。上述專利文獻(xiàn)1、2所記載的導(dǎo)電性膏，焊錫的接合強(qiáng)度還低，希望進(jìn)一步提高接合強(qiáng)度。另一方面，上述專利文獻(xiàn)3 5所記載的導(dǎo)電性膏，雖然接合強(qiáng)度得到改善，但由于接觸電阻增大， 因此存在轉(zhuǎn)換效率降低的問(wèn)題。另外，在太陽(yáng)能電池中受光面電極遮蔽入射的太陽(yáng)光，因此進(jìn)入到太陽(yáng)能電池單元的能量根據(jù)該受光面電極占有的面積而減少。對(duì)此，曾提出了使受光面電極的線寬度變細(xì)而增大受光面積的方案，例如優(yōu)選使以往的130 μ m左右的線寬變?yōu)?10 μ m以下。然而， 越使線寬度細(xì)，則越難以得到良好的歐姆接觸，接觸電阻增高進(jìn)而引起電流密度降低，因此轉(zhuǎn)換效率反而降低。尤其是對(duì)于改善了上述的焊錫接合強(qiáng)度的導(dǎo)電性膏而言，由于接觸電阻高，因此更難以適應(yīng)細(xì)線化的要求。另外，太陽(yáng)能電池的η層，少數(shù)的載流子的再結(jié)合速度高，因此生成的電子與空穴再結(jié)合，引起無(wú)助于發(fā)電而變成熱的現(xiàn)象(熱損失)。尤其是短波長(zhǎng)光，由于半導(dǎo)體的光吸收系數(shù)大，因此容易被η層吸收且容易產(chǎn)生再結(jié)合。對(duì)此，有下述方案通過(guò)提高太陽(yáng)能電池基板的表面電阻、減薄η層，并且降低雜質(zhì)濃度、增大少數(shù)載流子的擴(kuò)散距離，來(lái)抑制由再結(jié)合導(dǎo)致的熱損失，使短波長(zhǎng)的太陽(yáng)光有助于發(fā)電(稱作淺結(jié)發(fā)射極或淺結(jié)電池)。由此，電流增大，可以提高轉(zhuǎn)換效率。然而，當(dāng)表面附近的雜質(zhì)濃度變低時(shí)，歐姆接觸變差，因此接觸電阻變高，電流密度降低，轉(zhuǎn)換效率反而降低。因此，改善了焊錫接合強(qiáng)度的導(dǎo)電性膏，本來(lái)存在接觸電阻高的問(wèn)題。因此更難以適用于上述那樣的淺結(jié)發(fā)射極(shallow emitter)0本發(fā)明是以上述狀況為背景而完成的，其目的在于提供不損害電特性且可以提高焊錫接合強(qiáng)度的太陽(yáng)能電池用導(dǎo)電性膏組合物。為了達(dá)到所述目的，作為本發(fā)明的要旨，是含有導(dǎo)電性銀粉末、玻璃料和有機(jī)介質(zhì)，且為了形成硅系太陽(yáng)能電池的電極而使用的太陽(yáng)能電池用導(dǎo)電性膏組合物，其中，含有平均粒徑為10 IOOnm的范圍內(nèi)的Ni和NiO的至少一方。
這樣，由于電性膏組合物含有微粉的Ni或NiO (以下稱為Ni等)，因此當(dāng)在η型的硅基板上設(shè)置受光面電極等的導(dǎo)體膜時(shí)，該導(dǎo)體膜具有高的焊錫接合強(qiáng)度。而且，在硅基板與導(dǎo)體膜中的銀之間可很好地形成導(dǎo)電通路，因此硅基板與導(dǎo)體膜的接觸電阻變低，具有與不添加Ni等的情況同等以上的電特性，因此細(xì)線化變得容易，在適用于受光面電極的場(chǎng)合，能夠增大受光面積，因此可以得到同等以上的光電轉(zhuǎn)換效率。所以，根據(jù)本發(fā)明，可以得到不損害電特性而可以提高焊錫接合強(qiáng)度的太陽(yáng)能電池用導(dǎo)電性膏組合物，這樣的導(dǎo)電性膏組合物很適用于太陽(yáng)能電池的受光面電極。再者，當(dāng)燒成于由不含有Ni的導(dǎo)電性膏形成的電極上時(shí)，由于電極中的Ag與焊錫中的Sn熔合而生成金屬化合物，在電極與焊錫的界面發(fā)生應(yīng)力，因此可以認(rèn)為這會(huì)帶來(lái)焊錫接合強(qiáng)度的降低，當(dāng)使用含有M的導(dǎo)電性膏時(shí)，由于M與Sn的反應(yīng)速度低，并抑制Ag與 Sn的反應(yīng)，因此認(rèn)為可抑制金屬化合物的生成，進(jìn)而改善接合強(qiáng)度。另外，當(dāng)Ni和NiO的平均粒徑小于IOnm時(shí)，容易凝聚，因此分散性也差、操作困難。另外，當(dāng)平均粒徑超過(guò)IOOnm 時(shí)，與不添加的情況相比，光電轉(zhuǎn)換效率反而降低。它們的平均粒徑，例如，是由使用SEM圖像通過(guò)目視而測(cè)定出的值算出的值。再者，在導(dǎo)電性膏中，也可以含有其他的Ni化合物，例如NiC等。順便說(shuō)明，從以往便進(jìn)行在太陽(yáng)能電池用的導(dǎo)電性膏中添加Ni，例如，在上述專利文獻(xiàn)6中，示出了太陽(yáng)能電池的受光面?zhèn)鹊碾姌O使用含有5 10重量％左右的Ni的Ag膏。 在該專利文獻(xiàn)6中，對(duì)M的粒徑?jīng)]有任何記載，也沒(méi)有暗示使用微粉和由此帶來(lái)的效果。再者，Ni添加量顯著地增多，但由于專利文獻(xiàn)6所記載的太陽(yáng)能電池為低輸出功率，因此可認(rèn)為由Ni大量添加所導(dǎo)致的效率降低不成問(wèn)題。所以，即使是使用這樣的Ag膏，由于Ni過(guò)多，因此接觸電阻反倒增大，導(dǎo)電性降低，進(jìn)而FF值降低。另外，在上述專利文獻(xiàn)7中，記載了在形成太陽(yáng)能電池的背面Al電極時(shí)，使用下述組成的導(dǎo)電性膏，所述組成為含有Ag粉末、平均粒徑為0. 1 1. 0 μ m的Ni粉末、玻璃料、 載色劑(vehicle)，其中相對(duì)于Ag粉末，含有0.5 2.0重量％的比例的Ni粉末。在該技術(shù)中，Ni含有量也顯著地多，但Ni進(jìn)入Si時(shí)變成受體。因此，在由η層構(gòu)成的表面?zhèn)仁褂眠@樣的膏時(shí)，會(huì)導(dǎo)致效率降低，但在背面?zhèn)?，即使M多也沒(méi)有關(guān)系，當(dāng)使用比較大的粒徑的 Ni時(shí)，為了得到所期望的效果而需要的含有量增多，但在用于背面?zhèn)鹊膱?chǎng)合不成問(wèn)題。另外，在上述專利文獻(xiàn)8中記載了一種為了采用燒成貫通法形成添加了 M等的氟化物和/或溴化物的太陽(yáng)能電池的受光面電極而優(yōu)選的導(dǎo)電性膏。該技術(shù)通過(guò)添加M氟化物等來(lái)提高燒成貫通性并降低接觸電阻，因此為了不使易氧化的M生成氧化膜，以氟化物、溴化物的形式來(lái)進(jìn)行添加。絲毫沒(méi)有考慮提高接合強(qiáng)度的情況，特別是沒(méi)有考慮M化合物的粒徑和添加量。另外，是適用于不同結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池用電極的組合物，在上述專利文獻(xiàn)9中記載了一種電極形成用組合物，其中，金屬納米粒子分散在分散介質(zhì)中，并且該組合物含有選自PVP、PVP的共聚物、PVA、纖維素醚中的有機(jī)高分子。金屬納米粒子是含有一次粒徑為 10 50nm的銀納米粒子75重量％以上、和合計(jì)為0. 02 25重量％的金、鎳等的粒子。這是用于具有透明導(dǎo)電膜的超直型太陽(yáng)能電池(super-straight type solar cell)的背面電極的組合物，目的是在透明導(dǎo)電膜與背面電極的接合面上不形成空氣層等的空間，絲毫沒(méi)有考慮到提高接合強(qiáng)度等。
另外，作為通過(guò)添加鎳來(lái)降低接觸電阻的方案，有在制造如上述專利文獻(xiàn)10所示那樣的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，在晶片上成膜出M膜等并進(jìn)行熱處理的方案。是利用在與硅露出面接觸的區(qū)域成膜出的高熔點(diǎn)金屬膜自整合地變化成高熔點(diǎn)金屬硅化物膜，將雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域與門(mén)電極的表面同時(shí)地自整合地硅化物化來(lái)低電阻化的方案?？梢哉J(rèn)為是鎳防止雜質(zhì)向硅中擴(kuò)散，有助于良好的歐姆接觸的方案。如上述那樣，專利文獻(xiàn)6 10所記載的技術(shù)分別是通過(guò)使用M或M化合物來(lái)提高導(dǎo)電性或降低接觸電阻的技術(shù)，絲毫沒(méi)有示出 在采用燒成貫通法形成的太陽(yáng)能電池的表面?zhèn)入姌O中，希望改善接合強(qiáng)度，通過(guò)添加M等能夠改善該接合強(qiáng)度等。在此，優(yōu)選相對(duì)于膏組合物整體以0. 5重量％以下的比例含有上述Ni和NiO。Ni 等的添加量越多則接合強(qiáng)度越高，但若過(guò)剩地添加，則存在由導(dǎo)電性膏生成的導(dǎo)體膜本身的電阻值增大，并且導(dǎo)體膜與電池(cell)的接觸電阻增大而轉(zhuǎn)換效率降低的傾向。因此， 優(yōu)選Ni等的添加量限于0. 5重量％以下。根據(jù)本申請(qǐng)發(fā)明，由于可使用極微細(xì)的Ni，因此即使添加量為微量也能夠充分地得到焊錫接合強(qiáng)度的改善效果，由于上述的理由，在可看到接合強(qiáng)度改善的范圍中M添加量少為好。再者，Ni粉和NiO粉的制造方法和物性沒(méi)有特別的限定，例如，可以使用從種種的市售品中適當(dāng)選擇的制品。另外，作為制造方法，例如，可舉出如上述專利文獻(xiàn)11所示，采用多元醇法使鎳鹽粉體和/或鎳氫氧化物粉體懸浮，對(duì)其進(jìn)行加熱而還原成鎳粉，將生成的凝聚鎳粉進(jìn)行破碎處理的方法。根據(jù)該方法，能夠得到分散性優(yōu)異的微粉鎳粉。另外，優(yōu)選在上述太陽(yáng)能電池用導(dǎo)電性膏組合物中，上述玻璃料使用軟化點(diǎn)在 300 600°C的范圍內(nèi)的玻璃料。這樣一來(lái)，能夠得到下述的太陽(yáng)能電池用導(dǎo)電性膏組合物，所述組合物，在太陽(yáng)能電池中，在采用燒成貫通法破壞防反射膜形成受光面電極的情況下可很適合地使用。即，通過(guò)使用具有上述的溫度范圍的軟化點(diǎn)的玻璃料，太陽(yáng)能電池用導(dǎo)電性膏組合物成為具有良好的燒成貫通性，并且即使在η層薄的淺結(jié)發(fā)射極等中也難以產(chǎn)生由玻璃導(dǎo)致的ρη結(jié)破壞的組合物。當(dāng)軟化點(diǎn)低于300°C時(shí)，膏組合物的侵蝕性變得過(guò)強(qiáng)， 因此pn結(jié)容易被破壞，另一方面，當(dāng)軟化點(diǎn)超過(guò)600°C時(shí)，難以對(duì)防反射膜侵蝕，不能夠得到歐姆接觸。另外，優(yōu)選上述玻璃料其平均粒徑(D50)為0. 3 3. 0 μ m的范圍內(nèi)。是相對(duì)于膏整體，以1 20體積％的范圍內(nèi)的比例含有的玻璃料。當(dāng)玻璃料的平均粒徑過(guò)小時(shí)，在電極燒成時(shí)會(huì)過(guò)早熔化，因此電特性降低；若是0. 3 μ m以上，則可以得到適度的熔化性，因此能夠進(jìn)一步提高電特性。而且，由于難以產(chǎn)生凝聚，因此在調(diào)制膏時(shí)可以得到更良好的分散性。另外，即使玻璃料的平均粒徑比導(dǎo)電性銀粉末的平均粒徑顯著地大的場(chǎng)合，粉末整體的分散性也降低，但只要是3.0μπι以下則可以得到更良好的分散性。而且，可以得到玻璃的進(jìn)一步的熔融性。另外，如果玻璃量為1體積％以上，則可進(jìn)一步提高防反射膜的熔化性， 因此可以得到更良好的歐姆接觸。另外，如果玻璃量為20體積％以下，則更難以形成絕緣層，因此可以得到更高的導(dǎo)電性。所以，為了得到更良好的歐姆接觸，優(yōu)選同時(shí)滿足上述平均粒徑和在膏中的比例。在膏中的比例特別優(yōu)選為2 10體積％。再者，上述玻璃料的平均粒徑是采用空氣透過(guò)法測(cè)定的值?？諝馔高^(guò)法是由流體 (例如空氣)對(duì)粉體層的透過(guò)性來(lái)測(cè)定粉體的比表面積的方法。作為該測(cè)定方法的基礎(chǔ)的是表示構(gòu)成粉體層的全部粒子的潤(rùn)濕表面積與從該處通過(guò)的流體的流速以及壓力降低的關(guān)系的Kozeny-Carmarm式，在由裝置確定的條件下測(cè)定相對(duì)于所填充的粉體層的流速和壓力降低，求出試樣的比表面積。該方法是將所填充的粉體粒子的間隙看作細(xì)孔，求出對(duì)空氣流動(dòng)成為阻力的粒子群的潤(rùn)濕表面積，通常顯示比采用氣體吸附法求得的比表面積小的值。由求得的上述比表面積以及粒子密度可以算出假定了球形粒子的平均粒徑。另外，優(yōu)選上述導(dǎo)電性銀粉末的平均粒徑(D50)為0. 3 3. Ομπι的范圍內(nèi)。另外，如果銀粉末的平均粒徑是3. Ομπι以下則可以得到更良好的分散性，因此可以得到更高的導(dǎo)電性。另外，若是0.3μπι以上則可抑制凝聚，可以得到更良好的分散性。再者，小于 0. 3 μ m的銀粉末價(jià)格顯著地高，因此從制造成本的方面考慮也優(yōu)選為0. 3 μ m以上。另外， 若導(dǎo)電性銀粉末、玻璃料都是平均粒徑為3.0μπι以下，則即使在以細(xì)線圖案印刷形成電極的場(chǎng)合也具有難以產(chǎn)生網(wǎng)眼堵塞的優(yōu)點(diǎn)。再者，上述銀粉末沒(méi)有特別的限定，可以是球狀、鱗片狀等的任何形狀的粉末。但是，在使用球狀粉的場(chǎng)合，印刷性優(yōu)異，并且涂布膜中的銀粉末的填充率增高，因此與使用鱗片狀等的其他形狀的銀粉末的場(chǎng)合相比，由該涂布膜生成的電極的導(dǎo)電率變高。因此，能夠仍確保必要的導(dǎo)電性并且使線寬度更細(xì)，從該方面來(lái)看是特別優(yōu)選的。另外，優(yōu)選上述太陽(yáng)能電池導(dǎo)電性膏組合物，在25°C _20rpm下的粘度是150 250Pa*s的范圍內(nèi)，粘度比(S卩，[IOrpm下的粘度]/[IOOrpm下的粘度])為3 8。通過(guò)使用具有這樣的粘度特性的膏，在用橡皮滾刷涂時(shí)很好地低粘度化從而透過(guò)網(wǎng)眼(screen mesh)，在其透過(guò)后恢復(fù)到高粘度而抑制印刷寬度的擴(kuò)展，因此容易透過(guò)網(wǎng)而不產(chǎn)生網(wǎng)眼堵塞等，能夠在保持印刷性的狀態(tài)下容易地得到細(xì)線圖案。膏組合物的粘度更優(yōu)選為160 200Pa · s的范圍，粘度比更優(yōu)選為3. 2 6. 0的范圍。另外，為了設(shè)計(jì)線寬度為100 μ m以下的細(xì)線化，優(yōu)選粘度比為4 6。再者，增厚膜厚使得即使減小線寬度也可保證截面積，例如，也可以增厚印刷制版的乳劑厚度、提高張力、使線徑細(xì)而擴(kuò)大開(kāi)口徑等。然而，若增厚乳劑厚度，則版分離性變差，因此不能夠得到印刷圖案形狀的穩(wěn)定性。另外，若提高張力或使線徑細(xì)，則網(wǎng)眼容易伸長(zhǎng)，因此難以確保尺寸和形狀精度，并且存在印刷制版的耐久性降低的問(wèn)題。而且，從以粗的寬度設(shè)置來(lái)看，增厚膜厚時(shí)無(wú)用的匯流條(bus bar)也增厚，因此也存在材料的浪費(fèi)增多的問(wèn)題。另外，上述玻璃料沒(méi)有特別的限定，有鉛玻璃和無(wú)鉛玻璃都可以使用。例如，可以使用按氧化物換算，以PbO 46 57摩爾％、化03 :1 7摩爾％、SW2 38 53摩爾％的范圍內(nèi)的比例含有的有鉛玻璃；按氧化物換算，以Li2O 0. 6 18摩爾％、PbO 20 65摩爾％、B2O3 :1 18摩爾％、SiO2 :20 65摩爾％的范圍內(nèi)的比例含有的含Li有鉛玻璃； 按氧化物換算，以Bi2O3 10 29摩爾％、ZnO 15 30摩爾%、SiO2 0 20摩爾%、B2O3 20 33摩爾％且Li20、Na20、K20的合計(jì)量為8 21摩爾％的范圍內(nèi)的比例含有的無(wú)鉛玻璃等。 在上述有鉛玻璃中，PbO是使玻璃的軟化點(diǎn)降低的成分，是為了能夠低溫?zé)啥匦璧某煞?。為了得到良好的燒成貫通性，?yōu)選Pbo為46摩爾％以上且57摩爾％以下。PbO 量更優(yōu)選為49摩爾％以上，更優(yōu)選為M摩爾％以下。即，更優(yōu)選為49 M摩爾％的范圍。
另外，在上述有鉛玻璃中，B2O3是形成玻璃的氧化物(即形成玻璃的骨架的成分)， 是為了降低玻璃的軟化點(diǎn)而必需的成分。為了得到良好的燒成貫通性，優(yōu)選化03為1摩爾％以上且7摩爾％以下?；?3量更優(yōu)選為3摩爾％以上，更優(yōu)選為5摩爾％以下。S卩，更優(yōu)選為3 5摩爾％的范圍。另外，在上述有鉛玻璃中，SiO2是形成玻璃的氧化物，是為了提高玻璃的耐化學(xué)性而必需的成分。為了得到良好的燒成貫通性，優(yōu)選SW2為38摩爾％以上且53摩爾％以下。 SiO2量更優(yōu)選為43摩爾％以上，更優(yōu)選為48摩爾％以下，S卩，更優(yōu)選為43 48摩爾％的范圍。另外，上述有鉛玻璃，在不損害其特性的范圍可以含有其他的種種的玻璃構(gòu)成成分、添加物。例如，也可以含有Al、Zr、Na、Li、Ca、Zn、Mg、K、Ti、Ba、Sr等。它們可以在例如合計(jì)為10摩爾％以下的范圍含有。另外，在上述含Li有鉛玻璃中，除了 I^bO、B203> SiO2以外，Li2O也是必需的成分。 Li2O是使玻璃的軟化點(diǎn)降低的成分，為了得到良好的燒成貫通性，優(yōu)選Li2O為0. 6摩爾％ 以上且18摩爾％以下。Li2O小于0. 6摩爾％時(shí)，軟化點(diǎn)過(guò)高，進(jìn)而對(duì)防反射膜的侵蝕性容易變得不充分。另一方面當(dāng)超過(guò)18摩爾％時(shí)，侵蝕性過(guò)于強(qiáng)，因此反倒存在電特性降低的傾向。順便說(shuō)明，Li促進(jìn)擴(kuò)散，因此一般地對(duì)半導(dǎo)體來(lái)講是雜質(zhì)，存在使特性降低的傾向， 因此在半導(dǎo)體用途中是希望避免的物質(zhì)。尤其是通常1 量多的場(chǎng)合，若含有Li則侵蝕性過(guò)強(qiáng)，存在難以控制的傾向。然而，在如上述那樣的太陽(yáng)能電池用途中，使用含有Li的玻璃未發(fā)現(xiàn)特性降低，反倒通過(guò)含有適量Li來(lái)改善燒成貫通性，并可看到特性提高。Li是給予體(施主；donor)元素，也可以降低接觸電阻。而且，通過(guò)成為含有Li的組成，可確認(rèn)能夠得到良好的燒成貫通性的玻璃的組成范圍變寬。尤其是在太陽(yáng)能電池用途中，當(dāng)過(guò)剩地含有Li時(shí)侵蝕性過(guò)強(qiáng)，存在電特性降低的傾向。Li2O量更優(yōu)選為6摩爾％以上，更優(yōu)選為12 摩爾％以下。即，更優(yōu)選為6 12摩爾％的范圍。另外，特別優(yōu)選為6摩爾％左右。另外，在上述含Li有鉛玻璃中，為了得到良好的燒成貫通性，優(yōu)選I^bO量是20摩爾％以上且65摩爾％以下。PbO量小于20摩爾％時(shí)軟化點(diǎn)過(guò)高，因此難以對(duì)防反射膜侵蝕，進(jìn)而難以得到良好的歐姆接觸。另一方面，當(dāng)超過(guò)65摩爾％時(shí)軟化點(diǎn)過(guò)低，因此侵蝕性過(guò)強(qiáng)，會(huì)產(chǎn)生pn結(jié)容易被破壞等的問(wèn)題。PbO量更優(yōu)選為22. 4摩爾％以上，更優(yōu)選為50. 8 摩爾％以下。即，更優(yōu)選為22. 4 50. 8摩爾％的范圍。另外，特別優(yōu)選為30 40摩爾％ 左右ο另外，在上述含Li有鉛玻璃中，為了得到良好的燒成貫通性，優(yōu)選化03量是1摩爾％以上且18摩爾％以下?；?3量小于1摩爾％時(shí)軟化點(diǎn)過(guò)高，因此難以對(duì)防反射膜侵蝕， 進(jìn)而難以得到良好的歐姆接觸，并且也存在耐濕性降低的傾向。尤其是在玻璃中含有Li的方式中，若不含有1摩爾％以上的化03，則變得顯著地難熔。另一方面，當(dāng)超過(guò)18摩爾％時(shí)軟化點(diǎn)過(guò)低，因此侵蝕性過(guò)強(qiáng)，會(huì)產(chǎn)生pn結(jié)被破壞等的問(wèn)題。B2O3量更優(yōu)選為2.8摩爾％ 以上，更優(yōu)選為12摩爾％以下。即，更優(yōu)選為2. 8 12摩爾％的范圍。另外，特別優(yōu)選為 6 12摩爾％左右。另外，在上述含Li有鉛玻璃中，為了得到良好的燒成貫通性，優(yōu)選SW2量是20摩爾％以上且65摩爾％以下。SW2量小于20摩爾％時(shí)，耐化學(xué)性不足，并且存在難以形成玻璃的傾向，另一方面，當(dāng)超過(guò)65摩爾％時(shí)，軟化點(diǎn)過(guò)高，存在難以對(duì)防反射膜侵蝕，進(jìn)而難以得到良好的歐姆接觸的傾向。SiO2量更優(yōu)選為27. 0摩爾％以上，更優(yōu)選為48. 5摩爾％ 以下。即，更優(yōu)選為27.0 48. 5摩爾％的范圍。另外，特別優(yōu)選為30 35摩爾％左右。
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另外，上述含Li有鉛玻璃，在不損害其特性的范圍可以含有其他的種種的玻璃構(gòu)成成分、添加物。例如，也可以含有Al、Zr、Na、Ca、Zn、Mg、K、Ti、Ba、Sr等。為了得到玻璃的穩(wěn)定性，Al是有效的成分，對(duì)特性基本沒(méi)有影響，但優(yōu)選含有。它們可以在例如合計(jì)為30 摩爾％以下的范圍含有。例如，Al和Ti分別優(yōu)選為6摩爾％以下，更優(yōu)選為3摩爾％以下。 另外，Zn優(yōu)選為30摩爾％以下，更優(yōu)選為15摩爾％以下。通過(guò)成為適量含有這些Al、Ti、 Zn的組成，并聯(lián)電阻Rsh提高，進(jìn)而開(kāi)路電壓V。。和短路電流Isc提高，因此可以得到更高的電特性。另外，在上述無(wú)鉛玻璃中，為了得到良好的燒成貫通性，優(yōu)選化03量為20摩爾％以上且33摩爾％以下。當(dāng)小于20摩爾％時(shí)存在軟化點(diǎn)過(guò)高的傾向，當(dāng)超過(guò)33摩爾％時(shí)存在太陽(yáng)能電池的電特性變得不充分的傾向。化03越少則軟化點(diǎn)越高，另一方面，其越多則電特性越降低(例如，可以認(rèn)為在硅系太陽(yáng)能電池中，起因于與作為基板材料的Si的反應(yīng)性變高)，因此優(yōu)選其比例考慮所希望的軟化點(diǎn)和電特性再?zèng)Q定，例如優(yōu)選為30摩爾％以下。
另外，在上述無(wú)鉛玻璃中，Bi2O3是使玻璃的軟化點(diǎn)降低的成分，為了能夠低溫?zé)啥鴥?yōu)選含有Bi203。當(dāng)其小于10摩爾％時(shí)，存在軟化點(diǎn)過(guò)高傾向，當(dāng)超過(guò)四摩爾％時(shí)，存在太陽(yáng)能電池的電特性變得不充分的傾向。為了力所能及地得到高的電特性，優(yōu)選Bi2O3量少，更優(yōu)選限于20摩爾％以下。另外，為了充分地降低軟化點(diǎn)，優(yōu)選Bi2O3量多，優(yōu)選為15 摩爾％以上。即，特別優(yōu)選為15 20摩爾％的范圍。另外，在上述無(wú)鉛玻璃中，ZnO是使玻璃的軟化點(diǎn)降低并且提高耐久性(即長(zhǎng)期可靠性)的成分，當(dāng)其小于15摩爾％時(shí)軟化點(diǎn)變成過(guò)高的值，并且耐久性也變得不充分。另一方面，當(dāng)超過(guò)30摩爾％時(shí)，也影響與其他成分的平衡，但玻璃變得容易結(jié)晶化。ZnO量越少則軟化點(diǎn)越高，并且耐久性也降低，另一方面，其越多則越容易結(jié)晶化，因此更優(yōu)選為20 摩爾％以上，更優(yōu)選為30摩爾％以下。S卩，特別優(yōu)選為20 30摩爾％的范圍。另夕卜，在上述無(wú)鉛玻璃中，堿成分Li20、Na20、K20是使玻璃的軟化點(diǎn)降低的成分，當(dāng)合計(jì)量小于8摩爾％時(shí)，軟化點(diǎn)變?yōu)檫^(guò)高的值，當(dāng)超過(guò)21摩爾％時(shí)，太陽(yáng)能電池的電特性變得不充分。堿成分量越少則軟化點(diǎn)越高，另一方面，越多則電特性越降低，因此更優(yōu)選為10 摩爾％以上，更優(yōu)選為20摩爾％以下。即，特別優(yōu)選為10 20摩爾％的范圍。另外，在上述無(wú)鉛玻璃中，SiO2是形成玻璃的氧化物，在無(wú)鉛玻璃中也具有提高玻璃的穩(wěn)定性的效果，因此雖然不是必需成分但優(yōu)選含有。然而，越多則軟化點(diǎn)越高，因此需要限于20摩爾％以下。為了得到充分的穩(wěn)定性，更優(yōu)選為4摩爾％以上，為了將軟化點(diǎn)限于充分低的值，更優(yōu)選為11摩爾％以下。即，特別優(yōu)選為4 11摩爾％。另外，上述玻璃料可以由在上述組成范圍能夠玻璃化的種種的原料合成，例如，可舉出氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽等，例如，作為Si源可以使用二氧化硅(SiO2)，作為B源可以使用硼酸(B2O3),作為1 源可以使用鉛丹(Pb3O4),作為Bi源可以使用氧化祕(mì)，作為Si源可以使用氧化鋅，作為L(zhǎng)i源可以使用碳酸鋰，作為Na源可以使用碳酸鈉，作為K源可以使用碳酸鉀。另外，在有鉛玻璃、無(wú)鉛玻璃的任何一種玻璃中，除了主要成分外，還含有其他的成分的場(chǎng)合，使用它們的氧化物、氫氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽等即可。另外，本申請(qǐng)發(fā)明的導(dǎo)電性膏組合物，是如上述那樣依然保持電特性并改善接合強(qiáng)度的組合物，因此容易細(xì)線化，因此可以很好地用于采用燒成貫通法得到歐姆接觸的硅系太陽(yáng)能電池的受光面電極。


圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施例的電極用膏被應(yīng)用于受光面電極的形成的太陽(yáng)能電池的剖面結(jié)構(gòu)的模式圖。圖2是表示圖1的太陽(yáng)能電池的受光面電極圖案的一例的圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明 10-太陽(yáng)能電池、12-硅基板、14-n層、16_p+層、18-防反射膜、20-受光面電極、 22-背面電極、24-受光面、26-整面電極、28-帶狀電極
具體實(shí)施例方式以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施例詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。再者，在以下的實(shí)施例中，圖已被適當(dāng)簡(jiǎn)化或變形，各部分的尺寸比和形狀等未必被準(zhǔn)確描繪。圖1是模式地表示本發(fā)明的導(dǎo)電性膏組合物的一實(shí)施例的電極用膏被用于受光面電極20形成的硅系太陽(yáng)能電池10的剖面結(jié)構(gòu)的圖。在圖1中，太陽(yáng)能電池10，具有例如作為ρ型多晶半導(dǎo)體的硅基板12、在該基板的上下面分別形成的η層14以及ρ+層16、在該 η層14上形成的防反射膜18以及受光面電極20、在該ρ+層16上形成的背面電極22。上述硅基板12的厚度尺寸為例如100 200 μ m左右。上述的η層14和ρ+層16，是通過(guò)在硅基板12的上下面形成雜質(zhì)濃度高的層而設(shè)置的層，該高濃度層的厚度尺寸，η層14為例如70 IOOnm左右，ρ+層16為例如500nm左右。η層14在一般的硅系太陽(yáng)能電池中為100 200nm左右，但在本實(shí)施例中比其薄，形成了被稱作淺結(jié)發(fā)射極的結(jié)構(gòu)。再者，η層14中所含的雜質(zhì)是η型的摻雜物，例如是磷(ρ)， P+層16中所含的雜質(zhì)是ρ型的摻雜物，例如是鋁(Al)和/或硼(B)。另外，上述的防反射膜18，例如，是由氮化硅(Si3N4)等形成的薄膜，例如通過(guò)以可見(jiàn)光波長(zhǎng)的1/4左右的光學(xué)厚度、例如SOnm左右設(shè)置，被以10%以下、例如2%左右的極低的反射率構(gòu)成。另外，上述的受光面電極20，例如是由一樣的厚度尺寸的厚膜導(dǎo)體構(gòu)成的電極，如圖2所示，在受光面M的大致整個(gè)面上以形成具有多根的細(xì)線部的梳狀的平面形狀來(lái)設(shè)置。上述的厚膜導(dǎo)體包含厚膜銀，該厚膜銀含有78 99重量％左右的范圍的Ag作為導(dǎo)體成分且含有0. 5重量％以下的范圍的Ni，厚膜導(dǎo)體中的玻璃成分是含Li有鉛玻璃，在該玻璃中，以經(jīng)氧化物換算的值計(jì)，含有20 65摩爾％的范圍內(nèi)、例如22. 4摩爾％左右的比例的I^bO ； 1 18摩爾％的范圍內(nèi)、例如9. 0摩爾％左右的比例的B2O3 ；20 65摩爾％的范圍內(nèi)、例如35. 6摩爾％左右的比例的SW2 ；0 6摩爾％的范圍內(nèi)、例如3.0摩爾％左右的比例的Al2O3 ；0. 6 18摩爾%的范圍內(nèi)、例如12. 0摩爾％左右的比例的Li2O ；0 6摩爾％的范圍內(nèi)、例如3. 0摩爾％左右的比例的TW2 ；0 30摩爾％的范圍內(nèi)、例如15. 0摩爾％左右的比例的&ι0。另外，上述的導(dǎo)體層的厚度尺寸例如在20 30 μ m的范圍內(nèi)，例如為25 μ m左右，細(xì)線部的各自的寬度尺寸例如在80 130 μ m的范圍內(nèi)，例如為100 μ π!左右，具有充分高的導(dǎo)電性。另外，上述Ni是包含少量的NiC的鎳，但如后述的制造工序所示，由于形成導(dǎo)體層
10時(shí)的加熱處理在氧化氣氛中進(jìn)行，因此認(rèn)為導(dǎo)體膜中的M變成MO的可能性高。另外，上述的背面電極22，由整面電極沈和帶狀電極洲構(gòu)成，所述整面電極沈是在P+層16上大致整個(gè)面地涂布以鋁為導(dǎo)體成分的厚膜材料而形成的，所述帶狀電極觀是在該整面電極沈上呈帶狀地涂布而形成的包含厚膜銀的電極。該帶狀電極觀是為了能夠?qū)?dǎo)線等釬焊在背面電極22上而設(shè)置的。本實(shí)施例的太陽(yáng)能電池10，受光面電極20如上述那樣由含有作為低電阻的η型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性鋅氧化物的厚膜銀構(gòu)成，因此盡管線寬度被減細(xì)到100 μ m左右，但在其與 η層14之間可得到良好的歐姆接觸，接觸電阻變低。如上述那樣的受光面電極20，例如是使用包含導(dǎo)體粉末、玻璃料、導(dǎo)電性鋅氧化物、載色劑和溶劑的電極用膏，采用熟知的燒成貫通法形成的電極。以下對(duì)包括該受光面電極的形成在內(nèi)的太陽(yáng)能電池10的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。首先，制作玻璃料。在使用如上述那樣的含Li有鉛玻璃構(gòu)成的玻璃料的場(chǎng)合，分別準(zhǔn)備作為L(zhǎng)i源的碳酸鋰(Li2CO3)、作為Si源的二氧化硅(SiO2)、作為B源的硼酸(B2O3)、 作為鉛源的鉛丹(Pb3O4)、作為Al源的氧化鋁(Al2O3)、作為T(mén)i源的氧化鈦(TiO2)、作為Si 源的氧化鋅(SiO)，進(jìn)行稱量、調(diào)合使得成為上述范圍內(nèi)的適宜的組成。將其放入坩堝內(nèi)，在與組成相應(yīng)的900 1200°C的范圍內(nèi)的溫度下，熔融30分鐘 1小時(shí)左右，通過(guò)急冷使其玻璃化。使用行星式磨機(jī)、球磨機(jī)等的適宜的粉碎裝置將該玻璃粉碎。粉碎后的平均粒徑 (D50)為例如0. 3 3. O μ m左右。也可以使用按氧化物換算含有PbO 46 57摩爾％、B2O3 1 7摩爾％、SiO2 38 53摩爾％的范圍內(nèi)的比例的有鉛玻璃、按氧化物換算含有Bi2O3 :10 四摩爾％、 ZnO 15 30 摩爾 ％、SiO2 0 20 摩爾 ％、化03 20 33 摩爾 ％、Li20、Νει20、K2O 的合計(jì)量為8 21摩爾％的范圍內(nèi)的比例的無(wú)鉛玻璃等來(lái)代替上述玻璃料。在使用上述有鉛玻璃的情況下，除了分別使用例如作為Na源的氧化鈉(Na2O)、作為L(zhǎng)i源的氧化鋰(Li2O)、作為 K源的碳酸鉀以外，與制造上述含Li有鉛玻璃的情況同樣地進(jìn)行玻璃化。另外，在使用無(wú)鉛玻璃的情況下，除了分別使用作為Bi源的氧化鉍、作為P源的NH4H2PO4、作為Ca源的氧化鈣(CaO)、作為Ba源的BaCO3以外，與上述含Li有鉛玻璃以及上述有鉛玻璃同樣地制造玻璃料。將在本實(shí)施例中使用的玻璃組成示于表1。在表1中，No. 1、3、4是含Li有鉛玻璃， No. 2是有鉛玻璃，No. 5是無(wú)鉛玻璃。本實(shí)施例可以使用這些玻璃中的任何一種。表1玻璃組成
玻璃料組成(摩爾％)No.PbOB2O3SiO2Al2O3Li2OTiO2ZnOBi2O3122.49.035.63.012.03.015.0-254.03.043.0-----350.82.840.4-6.0---440.79.032.33.06.03.06.0-5-29.04.0-17.0-30.020.0 另一方面，作為導(dǎo)體粉末，例如準(zhǔn)備平均粒徑(D50)為0.3 3.0μπι范圍內(nèi)的市
11售的球狀的銀粉末。通過(guò)使用這樣的平均粒徑十分小的銀粉末，可以提高涂布膜中的銀粉末的填充率進(jìn)而提高導(dǎo)體的導(dǎo)電率。另外，上述載色劑是使有機(jī)粘合劑溶解于有機(jī)溶劑中而調(diào)制的，作為有機(jī)溶劑，例如可以使用丁基卡必醇乙酸酯，作為有機(jī)粘合劑，例如可以使用乙基纖維素。載色劑中的乙基纖維素的比例，例如為15重量％左右。另外，與載色劑分開(kāi)地添加的溶劑，例如是丁基卡必醇乙醇酯。即，雖然不限定于此，但也可以是與用于載色劑的物質(zhì)相同的溶劑。該溶劑出于調(diào)整膏的粘度的目的而被添加。另外，另行準(zhǔn)備微粉Ni。微粉Ni如上述專利文獻(xiàn)11所記載那樣可以利用多元醇法等制造。在本實(shí)施例中，例如使用了平均粒徑為10 91nm的三井金屬礦業(yè)(株)制的微粉鎳。分別準(zhǔn)備以上的膏原料，例如稱量平均粒徑為1. 6 μ m左右的球狀的Ag粉末77 88重量％、從上述表1所示的玻璃料中選擇的玻璃料1 10重量％、上述微粉Ni 0. 01 0. 5重量％、載色劑4 14重量％、溶劑2 8重量％，使用攪拌機(jī)等混合后，使用例如三輥磨機(jī)進(jìn)行分散處理。由此得到電極用膏。再者，在本實(shí)施例中，為了使樣品間的印刷性同等，進(jìn)行調(diào)整以使得在20rpm-25°C下的粘度為160 180 -s,印刷制版使用了 SUS325、線徑為23 μ m、乳劑厚度為20 μ m的網(wǎng)。如上述那樣地調(diào)制電極用膏，另一方面，通過(guò)采用熱擴(kuò)散法、離子鍍等的熟知的方法將雜質(zhì)擴(kuò)散或注入到適宜的硅基板上而形成上述η層14和ρ+層16，從而制作上述硅基板12。接著，采用例如PE-CVD (等離子體CVD)等的適宜的方法在該硅基板12上形成氮化硅薄膜而設(shè)置上述防反射膜18。接著，在上述的防反射膜18上，按上述圖2所示的圖案來(lái)網(wǎng)版印刷上述電極用膏。 在印刷時(shí)，設(shè)定印刷條件以使得柵線的燒成后寬度尺寸變?yōu)?00 μ m。將其在例如150°C下干燥，再在近紅外爐中在740 900°C的范圍內(nèi)的溫度下實(shí)施燒成處理。由此，在該燒成過(guò)程中電極用膏中的玻璃成分將防反射膜18熔融，該電極用膏破壞防反射膜18，因此得到電極用膏中的導(dǎo)體成分即銀與η層14的電連接，如上述圖1所示，可以得到硅基板12與受光面電極20的歐姆接觸。這樣地形成受光面電極20。再者，上述背面電極22也可以在上述工序之后形成。也可以與受光面電極20同時(shí)地?zé)啥纬?。在形成背面電極22時(shí)，通過(guò)采用網(wǎng)版印刷法等在上述硅基板12的背面全面上涂布例如鋁膏，并實(shí)施燒成處理，從而形成由鋁厚膜構(gòu)成的上述整面電極沈。此外， 通過(guò)采用網(wǎng)版印刷法等在該整面電極沈的表面呈帶狀地涂布上述電極用膏，并實(shí)施燒成處理，從而形成上述帶狀電極觀。由此形成包括覆蓋背面整個(gè)面的整面電極沈和在其表面的一部分設(shè)置成帶狀的帶狀電極觀的背面電極22，得到上述的太陽(yáng)能電池10。在上述工序中通過(guò)同時(shí)燒成來(lái)進(jìn)行制造的場(chǎng)合，在受光面電極20的燒成前實(shí)施印刷處理。對(duì)電極用膏的調(diào)合組成進(jìn)行種種變更，按照上述的制造工序制造太陽(yáng)能電池10， 使用市售的太陽(yáng)能模似器測(cè)定其輸出功率，評(píng)價(jià)曲線因子FF值，并且將端子軟釬焊于受光面電極20上，使用拉伸試驗(yàn)機(jī)測(cè)定剝離強(qiáng)度的結(jié)果(No. 1 23)，與各試樣的調(diào)合規(guī)范一并與比較例(No. M 28) —起示于表2 表5。在各表中，添加劑欄中分別示出了添加的Ni 或NiO的粒徑、種類即Ni、NiO的類別、相對(duì)于膏100重量份的添加量。另外，在玻璃No.欄中，使用上述表1中所示的玻璃料序號(hào)表示出使用的玻璃的種類。玻璃添加量全部為3重量份。另外，雖然在表中沒(méi)有表示出，但Ag粉全部為添加量為84重量份的平均粒徑為1.6μπι的球狀粉。另外，有機(jī)成分即載色劑的量全部為13重量份。即，Ag粉、玻璃料和載色劑的合計(jì)量設(shè)為100重量份。另外，表2 4對(duì)每個(gè)著眼的要素歸納實(shí)施例，相互重復(fù)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)附帶相同的實(shí)驗(yàn)例No.來(lái)再列出。表2 Ni粒徑
權(quán)利要求
1.一種太陽(yáng)能電池用導(dǎo)電性膏組合物，是含有導(dǎo)電性銀粉末、玻璃料和有機(jī)介質(zhì)、且為形成硅系太陽(yáng)能電池的電極而使用的太陽(yáng)能電池用導(dǎo)電性膏組合物，其特征在于，含有平均粒徑為10 IOOnm的范圍內(nèi)的Ni和NiO的至少一方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池用導(dǎo)電性膏組合物，其中，相對(duì)于膏組合物整體， 以0. 5重量％以下的比例含有所述Ni和NiO。
全文摘要
本發(fā)明提供可不損害電特性且提高焊錫接合強(qiáng)度的太陽(yáng)能電池用導(dǎo)電性膏組合物。通過(guò)在以Ag粉為導(dǎo)電成分的電極用膏中添加微細(xì)的Ni或NiO，在n型的硅基板上設(shè)置受光面電極時(shí)，該受光面電極具有高的焊錫接合強(qiáng)度。而且，由于在硅基板與受光面電極中的Ag之間很好地形成導(dǎo)電通路，因此硅基板與受光面電極的接觸電阻變低，具有與不添加Ni等的情況同等或其以上的電特性，因此細(xì)線化變得容易，能夠增大受光面積，因此能夠得到同等或其以上的光電轉(zhuǎn)換效率。因此，能夠得到不損害電特性而提高焊錫接合強(qiáng)度的很適合于太陽(yáng)能電池的受光面電極的電極用膏。
文檔編號(hào)H01L31/0224GK102194899SQ20111004868
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月1日
發(fā)明者中尾剛啟, 吉野泰, 林博道, 鈴木夕子 申請(qǐng)人:株式會(huì)社則武