專利名稱：多凸點基島露出型及埋入型基島多圈引腳封裝結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種多凸點基島露出型及埋入型基島多圈引腳封裝結構。屬于半 導體封裝技術領域。
背景技術：
傳統(tǒng)的封裝結構主要有二種第一種采用金屬基板的正面進行化學蝕刻及表面電鍍層后，在金屬基板的背面 貼上一層耐高溫的膠膜形成可以進行封裝過程的引線框載體(如圖3所示)；第二種采用金屬基板的正面進行化學蝕刻及表面電鍍層后，即完成引線框的制 作(如圖4所示)。而引線框的背面則在封裝過程中再進行背面蝕刻。而上述的二種引線框在封裝過程中存在了以下的不足點第一種1)此種的引線框架因背面必須要貼上一層昂貴可抗高溫的膠膜。所以直接增加了 高昂的成本。2)也因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過 程中的裝片工藝只能使用導電或是不導電的樹脂工藝，而完全不能采用共晶工藝以及軟焊 料的工藝進行裝片，所以可選擇的產(chǎn)品種類就有較大的局限性。3)又因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程 中的球焊鍵合工藝中，因為此可抗高溫的膠膜是軟性材質(zhì)，所以造成了球焊鍵合參數(shù)的不 穩(wěn)定，嚴重的影響了球焊的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性。4)再因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程 中的塑封工藝過程，因為塑封的高壓關系很容易造成引線框架與膠膜之間滲入塑封料，而 將原本應屬金屬腳是導電的型態(tài)因為滲入了塑封料反而變成了絕緣腳(如圖5所示)。第二種此種的引線框架結構在金屬基板 面進行了半蝕刻工藝，雖然可以解決第一種引 線框架的問題，但是因為只在金屬基板正面進行了半蝕刻工作，而在塑封過程中塑封料只 有包覆住半只腳的高度，所以塑封體與金屬腳的束縛能力就變小了，如果塑封體貼片到PCB 板上不是很好時，再進行返工重貼，就容易產(chǎn)生掉腳的問題(如圖6所示)。尤其塑封料的種類是采用有填料時候，因為材料在生產(chǎn)過程的環(huán)境與后續(xù)表面貼 裝的應力變化關系，會造成金屬與塑封料產(chǎn)生垂直型的裂縫，其特性是填料比例越高則越 硬越脆越容易產(chǎn)生裂縫。

發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種降低封裝成本、可選擇的產(chǎn)品種 類廣、球焊的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性好、塑封體與金屬腳的束縛能力大的多凸點基島 露出型及埋入型基島多圈引腳封裝結構。[0015]本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的一種多凸點基島露出型及埋入型基島多圈引腳 封裝結構，包括基島、引腳、導電或不導電粘結物質(zhì)、芯片、金屬線和有填料塑封料，所述基 島有二組，一組為第一基島，另一組為第二基島，所述第一基島1. 1正面設置成多凸點狀結 構，在所述第一基島、第二基島和引腳的正面設置有第一金屬層，在所述第一基島和引腳的 背面設置有第二金屬層，在基島正面通過導電或不導電粘結物質(zhì)設置有芯片，芯片正面與 引腳正面第一金屬層之間以及芯片與芯片之間均用金屬線連接，在所述基島和引腳的上部 以及芯片和金屬線外包封有填料塑封料，所述引腳設置有多圈，在所述引腳外圍的區(qū)域、引 腳與第一基島之間的區(qū)域、第二基島背面、第二基島與第一基島之間的區(qū)域、第二基島與引 腳之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料，所述無填料塑封料將引腳下 部外圍、引腳與第一基島下部、第二基島背面、第二基島背面與第一基島下部、第二基島背 面與引腳下部以及引腳與引腳下部連接成一體，且使所述第一基島和引腳背面尺寸小于第 一基島和引腳正面尺寸，形成上大下小的第一基島和引腳結構。本實用新型的有益效果是1)此種的引線框的背面不須要貼上一層昂貴可抗高溫的膠膜。所以直接降低了高 昂的成本。2)也因為此種的引線框架的背面不須要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過 程中的裝片工藝除了能使用導電或是不導電的樹脂工藝外，還能采用共晶工藝以及軟焊料 的工藝進行裝片，所以可選擇的產(chǎn)品種類就廣。3)又因為此種的引線框架的背面不須要貼上一層可抗高溫的膠膜，確保了球焊鍵 合參數(shù)的穩(wěn)定性，保證了球焊的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性。4)再因為此種的引線框架不須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的塑 封工藝過程，完全不會造成引線框與膠膜之間滲入塑封料。5)由于在所述金屬腳(引腳)與金屬腳間的區(qū)域嵌置無填料軟性填縫劑，該無填 料的軟性填縫劑與在塑封過程中的常規(guī)有填料塑封料一起包覆住整個金屬腳的高度，所以 塑封體與金屬腳的束縛能力就變大了，不會再有產(chǎn)生掉腳的問題。6)由于采用了正面與背面分開蝕刻作業(yè)的方法，所以在蝕刻作業(yè)中可形成背面基 島的尺寸稍小而正面基島尺寸稍大的結構，而同個基島的上下大小不同尺寸在被無填料塑 封料所包覆的更緊更不容易產(chǎn)生滑動而掉腳。

圖1為本實用新型多凸點基島露出型及埋入型基島多圈引腳封裝結構示意圖。圖2為圖1的俯視圖。圖3為以往在金屬基板的背面貼上一層耐高溫的膠膜圖作業(yè)。圖4為以往采用金屬基板的正面進行化學蝕刻及表面電鍍層作業(yè)圖。圖5為以往形成絕緣腳示意圖。圖6為以往形成的掉腳圖。圖中附圖標記基島1、第一基島1. 1、第二基島1. 2、引腳2、無填料塑封料3、第一金屬層4、第二 金屬層5、導電或不導電粘結物質(zhì)6、芯片7、金屬線8、有填料塑封料9。
具體實施方式
參見圖1 2，圖1為本實用新型多凸點基島露出型及埋入型基島多圈引腳封裝結 構示意圖。圖2為圖1的俯視圖。由圖1和圖2可以看出，本實用新型多凸點基島露出型 及埋入型基島多圈引腳封裝結構，包括基島1、引腳2、導電或不導電粘結物質(zhì)6、芯片7、金 屬線8和有填料塑封料9，所述基島1有二組，一組為第一基島1. 1，另一組為第二基島1. 2， 所述第一基島1. 1正面設置成多凸點狀結構，在所述第一基島1. 1、第二基島1. 2和引腳2 的正面設置有第一金屬層4，在所述第一基島1. 1和引腳2的背面設置有第二金屬層5，在 基島1正面通過導電或不導電粘結物質(zhì)6設置有芯片7，芯片7正面與引腳2正面第一金屬 層4之間以及芯片7與芯片7之間均用金屬線8連接，在所述基島1和引腳2的上部以及 芯片7和金屬線8外包封有填料塑封料9，所述引腳2設置有多圈，在所述引腳2外圍的區(qū) 域、引腳2與第一基島1. 1之間的區(qū)域、第二基島1. 2背面、第二基島1. 2與第一基島1. 1 之間的區(qū)域、第二基島1. 2與引腳2之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑 封料3，所述無填料塑封料3將引腳下部外圍、引腳2與第一基島1. 1下部、第二基島1. 2背 面、第二基島1. 2背面與第一基島1. 1下部、第二基島1. 2背面與引腳2下部以及引腳2與 引腳2下部連接成一體，且使所述第一基島1. 1和引腳2背面尺寸小于第一基島1. 1和引 腳2正面尺寸，形成上大下小的第一基島和引腳結構。
權利要求一種多凸點基島露出型及埋入型基島多圈引腳封裝結構，包括基島(1)、引腳(2)、導電或不導電粘結物質(zhì)(6)、芯片(7)、金屬線(8)和有填料塑封料(9)，所述基島(1)有二組，一組為第一基島(1.1)，另一組為第二基島(1.2)，所述第一基島(1.1)正面設置成多凸點狀結構，在所述第一基島(1.1)、第二基島(1.2)和引腳(2)的正面設置有第一金屬層(4)，在所述第一基島(1.1)和引腳(2)的背面設置有第二金屬層(5)，在基島(1)正面通過導電或不導電粘結物質(zhì)(6)設置有芯片(7)，芯片(7)正面與引腳(2)正面第一金屬層(4)之間以及芯片(7)與芯片(7)之間均用金屬線(8)連接，在所述基島(1)和引腳(2)的上部以及芯片(7)和金屬線(8)外包封有填料塑封料(9)，其特征在于所述引腳(2)設置有多圈，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳(2)與第一基島(1.1)之間的區(qū)域、第二基島(1.2)背面、第二基島(1.2)與第一基島(1.1)之間的區(qū)域、第二基島(1.2)與引腳(2)之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑封料(3)將引腳下部外圍、引腳(2)與第一基島(1.1)下部、第二基島(1.2)背面、第二基島(1.2)背面與第一基島(1.1)下部、第二基島(1.2)背面與引腳(2)下部以及引腳(2)與引腳(2)下部連接成一體，且使所述第一基島(1.1)和引腳(2)背面尺寸小于第一基島(1.1)和引腳(2)正面尺寸，形成上大下小的第一基島和引腳結構。
專利摘要本實用新型涉及一種多凸點基島露出型及埋入型基島多圈引腳封裝結構，包括基島(1)、引腳(2)、導電或不導電粘結物質(zhì)(6)、芯片(7)、金屬線(8)和有填料塑封料(9)，基島(1)有二組，一組為第一基島(1.1)，另一組為第二基島(1.2)，所述第一基島(1.1)正面設置成多凸點狀結構，所述引腳(2)設置有多圈，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳(2)與第一基島(1.1)之間的區(qū)域、第二基島(1.2)背面、第二基島(1.2)與第一基島(1.1)之間的區(qū)域、第二基島(1.2)與引腳(2)之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，且使所述第一基島(1.1)和引腳(2)背面尺寸小于第一基島(1.1)和引腳(2)正面尺寸。本實用新型塑封體與金屬腳的束縛能力大。
文檔編號H01L23/31GK201681919SQ201020184889
公開日2010年12月22日 申請日期2010年5月5日 優(yōu)先權日2010年5月5日
發(fā)明者梁志忠, 王新潮 申請人:江蘇長電科技股份有限公司