專利名稱：一種微型芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種芯片，尤其是涉及一種微型芯片。
背景技術(shù)：
氮化鎵(GaN)基發(fā)光二極管的發(fā)光效率隨著外延技術(shù)的提升、材料品質(zhì)的改善而 不斷得到提升。衡量發(fā)光二極管發(fā)光效率之一的內(nèi)量子效率已幾乎接近其理論極限，也就 是說半導(dǎo)體發(fā)光材料在電光轉(zhuǎn)換效率上已遠(yuǎn)超過其它任何發(fā)光光源，為半導(dǎo)體照明奠定了 堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。中國專利公開了一種樹形GaN基LED芯片電極(授權(quán)公告號CN 201266611Y), 其包括P型電極和N型電極，對GaN外延片進(jìn)行臺面刻蝕，形成P型GaN臺面和N型GaN溝 槽，在P型GaN表面生長一層導(dǎo)電薄膜，再在導(dǎo)電薄膜上淀積P型電極，或者直接在P型GaN 表面淀積P型電極，在溝槽內(nèi)淀積N型電極，P型電極的P型焊盤和N型電極的N型焊盤分 別設(shè)置在芯片一對角線的兩頂角部位，自P型焊盤的條形電極沿芯片對角線呈樹形分布， 自N型焊盤的條形電極沿芯片四周邊緣，并有條形電極伸向芯片內(nèi)部；P型條形電極沿芯片 對角線呈樹形分布，包括沿對角線的條形電極，以及與之相連、呈對稱分布的且平行于芯片 邊緣的不少于兩條條形電極；N型條形電極包括沿芯片邊緣的邊緣電極及與一側(cè)邊緣電極 相連、且平行于另一側(cè)邊緣電極伸向芯片內(nèi)部的條形電極，P型電極和N型電極的形狀亦可 互換，N型電極淀積在相應(yīng)形狀的溝槽內(nèi)。但是這種電極的封裝較為復(fù)雜，P電極區(qū)域、N電 極區(qū)域的制造較為不易，制造成本較大。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型是提供一種微型芯片，其主要是解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的電極的制作較 為復(fù)雜，P電極區(qū)域、N電極區(qū)域的制造較為不易，制造成本較大等的技術(shù)問題。本實(shí)用新型的上述技術(shù)問題主要是通過下述技術(shù)方案得以解決的本實(shí)用新型的一種微型芯片，包括殼體，其特征在于所述的殼體為二氧化硅保護(hù) 層，二氧化硅保護(hù)層為矩形，其中一個(gè)角上設(shè)有扇形的N電極部位，與此相對的角上設(shè)有圓 形的P電極部位，二氧化硅保護(hù)層下方設(shè)有透明接觸電極層，P電極部位、N電極部位的下方 分別設(shè)有P型GaN、N型GaN，N型GaN的下方依次設(shè)有襯底、發(fā)射層。P電極區(qū)域、P型GaN 與N電極區(qū)域、N型GaN可以互換，二氧化硅保護(hù)層上可以開有溝槽，用來固定P電極部位 與N電極部位。P電極部位、N電極部位的中心點(diǎn)都處在二氧化硅保護(hù)層的對角線上。作為優(yōu)選，所述的二氧化硅保護(hù)層為邊長為300 μ m的正方形，扇形的N電極部位 的半徑為ΙΟΟμπι。整體尺寸較小，適用于不同的電子元器件。作為優(yōu)選，所述的P型GaN與N型GaN之間設(shè)有發(fā)光層，可以在使用時(shí)發(fā)光。作為優(yōu)選，所述的襯底為藍(lán)寶石襯底。因此，本實(shí)用新型電極的制作較為簡單，P電極部位、N電極部位的制造較為容易， 制造成本較低，具有結(jié)構(gòu)簡單、合理等特點(diǎn)。
附圖1是本實(shí)用新型的一種結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2是本實(shí)用新型的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖中零部件、部位及編號二氧化硅保護(hù)層1、N電極部位2、P電極部位3、透明接 觸電極層4、P型GaN5、N型GaN6、襯底7、發(fā)射層8、發(fā)光層9。
具體實(shí)施方式
下面通過實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說明。實(shí)施例本例的一種微型芯片，有一個(gè)正方形的二氧化硅保護(hù)層1，其邊長為 300 μ m。二氧化硅保護(hù)層其中一個(gè)角上設(shè)有扇形的N電極部位2，與此相對的角上設(shè)有圓形 的P電極部位3，扇形的N電極部位2的半徑為160. 25 μ m。二氧化硅保護(hù)層下方設(shè)有透明 接觸電極層4，P電極部位、N電極部位的下方分別設(shè)有P型GaN5、N型GaN6，P型GaN5與N 型GaN6之間設(shè)有發(fā)光層9。N型GaN的下方依次設(shè)有藍(lán)寶石的襯底7、發(fā)射層8。使用時(shí)，將整個(gè)芯片制作機(jī)構(gòu)裝入電子元器件，接通P電極部位3、N電極部位2 即可。以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，但本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征并不局限于 此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型的領(lǐng)域內(nèi)，所作的變化或修飾皆涵蓋在本實(shí)用新 型的專利范圍之中。
權(quán)利要求一種微型芯片，包括殼體，其特征在于所述的殼體為二氧化硅保護(hù)層(1)，二氧化硅保護(hù)層(1)為矩形，其中一個(gè)角上設(shè)有扇形的N電極部位(2)，與此相對的角上設(shè)有圓形的P電極部位(3)，二氧化硅保護(hù)層下方設(shè)有透明接觸電極層(4)，P電極部位、N電極部位的下方分別設(shè)有P型GaN(5)、N型GaN(6)，N型GaN的下方依次設(shè)有襯底(7)、發(fā)射層(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微型芯片，其特征在于所述的二氧化硅保護(hù)層(1)為邊 長為300 μ m的正方形，扇形的N電極部位(2)的半徑為100 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種微型芯片，其特征在于所述的P型GaN(5)與N型 GaN (6)之間設(shè)有發(fā)光層(9)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種微型芯片，其特征在于所述的襯底(7)為藍(lán)寶石襯底。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種芯片，尤其是涉及一種微型芯片。其主要是解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的電極的制作較為復(fù)雜，P電極區(qū)域、N電極區(qū)域的制造較為不易，制造成本較大等的技術(shù)問題。本實(shí)用新型包括殼體，其特征在于所述的殼體為二氧化硅保護(hù)層(1)，二氧化硅保護(hù)層(1)為矩形，其中一個(gè)角上設(shè)有扇形的N電極部位(2)，與此相對的角上設(shè)有圓形的P電極部位(3)，二氧化硅保護(hù)層下方設(shè)有透明接觸電極層(4)，P電極部位、N電極部位的下方分別設(shè)有P型GaN(5)、N型GaN(6)，N型GaN的下方依次設(shè)有襯底(7)、發(fā)射層(8)。
文檔編號H01L33/36GK201699050SQ201020171799
公開日2011年1月5日 申請日期2010年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月28日
發(fā)明者蘭葉, 施建江 申請人:杭州海鯨光電科技有限公司