專利名稱：不揮發(fā)電荷存儲器件的制備方法、所得不揮發(fā)電荷存儲器件及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種不揮發(fā)電荷存儲器件、其制備方法及應(yīng)用，屬微電子材料領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
幾十年來，集成電路的發(fā)展基本遵循了 Intel公司創(chuàng)始人之一的Gordon Ε. Moore 博士 1964年預(yù)言的摩爾定律在集成電路的單個芯片上集成的元件數(shù)，即集成電路的集成度，每12至18個月增加一倍，特征尺寸縮小倍。隨著器件的特征尺寸越來越小，傳統(tǒng)的浮柵型不揮發(fā)半導(dǎo)體存儲器件面臨嚴(yán)重的漏電問題。浮柵型存儲器件中隧穿層尺寸的不斷減小，以至于一個缺陷就會導(dǎo)致多晶硅浮柵中存儲的電荷全部損失。為了解決這一難題，多晶硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(S0N0Q型半導(dǎo)體存儲器件被廣泛地研究。但是，研究表明利用氮化物(Si3N4)作為存儲層制備的電荷存儲器件的數(shù)據(jù)保持性能較差，同時傳統(tǒng)的S^2隧穿層和阻擋層的厚度也是越來越薄，由于量子隧穿效應(yīng)導(dǎo)致的隧穿電流迅速增加，結(jié)果導(dǎo)致SiO2層不能起到絕緣介質(zhì)的作用，器件的漏電流已達(dá)到無法承受的地步。采用高介電常數(shù)(high-k)材料可以在保證對溝道有相同控制能力的條件下，柵介質(zhì)層的物理厚度增大，于是柵層與溝道間的直接隧穿電流將大大減小。高介電常數(shù)(high-k) (HfO2)x(Al2O3)I-X 二元氧化物已經(jīng)被研究證明能很好的減小漏電流。相比于純的HfO2, (HfO2)x(Al203)h 二元氧化物具有高的電荷陷阱密度，能顯著提高電荷存儲性能。相比SiO2,Al2O3具有高的介電常數(shù)(9)和寬的禁帶寬度(8. 8eV)，所以采用Al2O3作為隧穿層和阻擋層代替SiO2,能很好的減小漏電流和提高器件的存儲性能。原子層化學(xué)氣相沉積(ALD)是high-k材料制備領(lǐng)域正在發(fā)展中的極具挑戰(zhàn)性的一種制備技術(shù)。其原理是利用氣相源在襯底表面吸附或反應(yīng)的自飽和性實(shí)現(xiàn)逐層(layer by layer)生長，生成薄膜的厚度在工作窗口內(nèi)不依賴于襯底溫度、蒸氣壓、源流量等生長參數(shù)，只與循環(huán)周期的數(shù)目有關(guān)。由于其獨(dú)特的自限制生長過程，原子層沉積成膜具有精確的厚度控制、優(yōu)異的三維貼合性和大面積成膜均勻性等優(yōu)點(diǎn)，在制備超薄薄膜、納米結(jié)構(gòu)方面獨(dú)具優(yōu)勢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種不揮發(fā)電荷存儲器件的制備方法，操作簡單，易于控制，所得不揮發(fā)存儲器件能夠很好地提高器件的寫入和擦除速度，顯著提高器件的電荷存儲性能。本發(fā)明還提供上述制備方法所得不揮發(fā)電荷存儲器件。本發(fā)明還提供上述不揮發(fā)電荷存儲器件在信息存儲和不揮發(fā)半導(dǎo)體存儲器件中的應(yīng)用。所述不揮發(fā)電荷存儲器件的制備方法，具體步驟如下a)以Al (CH3) 3作為金屬源，水作為氧源，用原子層化學(xué)氣相沉積方法在襯底表面與氧源反應(yīng)生成Al2O3，形成隧穿層；
b)以HfCldt為金屬源，水作為氧源，用原子層化學(xué)氣相沉積方法在襯底表面與氧源反應(yīng)生成HfO2,然后以Al (CH3)3作為金屬源，水作為氧源，用原子層化學(xué)氣相沉積方法在襯底表面與氧源反應(yīng)生成Al2O3，如此反復(fù)循環(huán)，在隧穿層表面沉積一層(HfO2) x (Al2O3) h薄膜作為存儲層，其中0. 9彡χ彡0. 5。優(yōu)選χ = 0. 8，通過調(diào)控沉積循環(huán)次數(shù)，控制χ值；C)以Al (CH3)3作為金屬源，水作為氧源，用原子層化學(xué)氣相沉積方法在(HfO2) ,(Al2O3) h存儲層表面沉積一層Al2O3作為阻擋層。作為優(yōu)選，隧穿層的厚度為2-4nm，阻擋層的厚度為8-lOnm。優(yōu)選在阻擋層上面沉積鉬作為上電極，襯底為Si。原子層化學(xué)氣相沉積金屬氧化物方法所述原子層化學(xué)氣相沉積方法的具體步驟為金屬源伴隨氮?dú)膺M(jìn)入沉積室，與襯底表面反應(yīng)并達(dá)到飽和，之后氧源由氮?dú)鈳肭惑w與金屬源發(fā)生表面反應(yīng)生成金屬氧化物。一個循環(huán)過程的示意圖如圖1所示。從圖1(a)中看出，氮?dú)鈹y帶金屬源進(jìn)入沉積腔體；金屬源與羥基(OH)終端的硅襯底反應(yīng)，并使之達(dá)到飽和(圖1 (b)所示)；隨后，作為氧源的水進(jìn)入腔體，發(fā)生表面反應(yīng)(圖1 (c))，從而獲得預(yù)期的金屬氧化物(圖1(d))。所述不揮發(fā)電荷存儲器件包含順序連接的隧穿層、存儲層和阻擋層，利用Al2O3作為存儲器件的隧穿層和阻擋層，(HfO2)x(Al2O3)1I 二元氧化物作為器件的存儲層。作為優(yōu)選，以Si為沉底，Pt為上電極，所述不揮發(fā)電荷存儲器件的結(jié)構(gòu)為Si/ Al2O3/ (HfO2) x (Al2O3) JAWPt。所述的不揮發(fā)電荷存儲器件在信息存儲和不揮發(fā)半導(dǎo)體存儲器件中的應(yīng)用。使用 SiAl2O3/ (HfO2) x (Al2O3) ^yAl2O3ZPt電荷存儲器件的方法和原理如下a) Si/Al203/(HfO2)X(Al2O3)1ViAl2CVPt 電荷存儲器件的基本核心結(jié)構(gòu)為 Al2O3/ (HfO2)x(Al2O3)1VAl2O3三明治結(jié)構(gòu)(如圖2所示)。b)當(dāng)Pt電極相對與Si襯底施加一個正電壓，電場由電極指向襯底。隨著施加電壓的增加，電場強(qiáng)度不斷增加。P-Si襯底表面達(dá)到反型，形成表面電子通道，并且在電場作用下隧穿過Al2O3隧穿層，進(jìn)入到Al2O3/(HfO2)x(Al2O3) ^Al2O3存儲層，被電子陷阱態(tài)捕獲， 達(dá)到存儲的效果，該過程就是Si/Al203/Al203/(HfO2) X(A1203) h/Al^/Al^/Pt存儲器件的寫入過程。c)當(dāng)切斷電源，電子被存儲在(HfO2)x(Al2O3)1I存儲層中，而不會泄漏，從而起到電荷存儲的效果。d)當(dāng)Pt電極相對與Si襯底施加一個負(fù)電壓，電場由襯底指向電極。一方面，P-Si 襯底中的空穴在電場作用下達(dá)到(HfO2)x(Al2O3)1I存儲層與存儲電子復(fù)合；另一方面，存儲在(HfO2)x(Al2O3)1I中的電子在電場力的作用下，穿過隧穿層重新回到襯底。兩種機(jī)制共同作用，達(dá)到對Si/Al203/(HfO2) JAIAWAIA/Pt存儲器件的擦除操作。上述原子層化學(xué)氣相沉積方法制備Al2O3/(HfO2)x (Al2O3) ^Al2O3電荷存儲結(jié)構(gòu)， 能夠很好的提高器件的寫入和擦除速度，同時這種制備方法使得隧穿層、存儲層和阻擋層在一個沉積室內(nèi)即可制作完成，操作簡單、易于控制。使用該方法制備的Si/Al203/(HfO2) ,(Al2O3)1VAl2O3ZPt存儲器件具有以下有益效果a)調(diào)節(jié)原子層沉積循環(huán)次數(shù)，沉積(HfO2)a8(Al2O3)a2作為存儲層，結(jié)果表明該結(jié)構(gòu)能夠得到大的電荷存儲滯回窗口。圖3顯示當(dāng)掃描電壓為士2V時，幾乎沒有窗口出現(xiàn)，表明此時并沒有發(fā)生電荷存儲現(xiàn)象。當(dāng)掃描電壓為士5V時，已經(jīng)具有明顯的滯回窗口。當(dāng)掃描電壓為士 14V時，存儲窗口為5. 7V。b)圖4顯示，相比于純的氧化鉿(HfO2)作為存儲層，(HfO2)a8(Al2O3)a2 二元氧化物薄膜能夠顯著的提高器件的電荷存儲性能。這是由于Al2O3與HfO2形成二元氧化物，能提高薄膜中的陷阱態(tài)密度，從而在相同的寫入電壓下，(HfO2)a8(Al2O3)a2具有更高的電荷存儲量。c)由圖5可以看出，隨著隧穿層Al2O3厚度的不斷減小，SiAl2O3/ (HfO2) 0.8 (Al2O3) 0.2/Al203/Pt存儲器件的寫入和擦除速度不斷增加。對于采用2nmAl203作為隧穿層，當(dāng)存儲窗口為IV時，所對應(yīng)的寫入和擦除速度分別為10V，0. Ims和-10V，Ims0d)圖 6 為900°C，氮?dú)鈿夥罩型嘶?30 秒后，Si/Al203/ (HfO2) 0.8 (Al2O3) 0.2/Α1203 結(jié)構(gòu)的高分辨透射電子顯微圖。從圖中可以看到Al2O3/(HfO2)a8(Al2O3)a2Al2O3的三層結(jié)構(gòu)， 并且在(HfO2)a8(Al2O3)a2中未發(fā)現(xiàn)結(jié)晶區(qū)域，進(jìn)而可以說明Al2O3的加入能提高存儲層的結(jié)晶溫度，避免了結(jié)晶后漏電通路的形成，從而提高了器件的電荷存儲性能。由于高溫退火的影響，形成了層與層之間的原子擴(kuò)散區(qū)域，由三層薄膜的襯度可以看出，2nm的隧穿層與 7nm的存儲層，以及存儲層與9nm的阻擋層之間都有原子的擴(kuò)散現(xiàn)象出現(xiàn)。


圖1 原子層化學(xué)氣相沉積金屬氧化物一個循環(huán)過程示意圖，(a)金屬源進(jìn)入腔體 (M代表金屬，L1和L2分別代表鹵素、CH3和烷基等官能團(tuán)，本例中，當(dāng)M = Al時，L1 = L2 = Oi3 ;當(dāng)M = HfjL1 = L2 = Cl) ； (b)金屬源與表面反應(yīng)達(dá)到飽和；(c)氧源進(jìn)入腔體；⑷得到金屬氧化物。圖2 =SiAl2CV(HfO2)x(Al2O3)1ViAl2CVPt電荷存儲器件的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，緊鄰Si沉底的Al2O3作為隧穿層，緊鄰Pt電極的Al2O3作為阻擋層，(HfO2)X(Al2O3)H作為存儲層。圖3 高頻情況下(IMHz)，M-A-HA-A-S電荷存儲器件不同柵極掃描電壓下的電容-電壓特性(M = Pt，A = Al2O3, HA = (HfO2) 0.8 (Al2O3) 0.2' S =硅襯底)。其中 χ 軸表示施加在Pt電極上的電壓(單位為伏特)，y軸表示歸一化的存儲電容。圖 4 =M-A-HA-A-S(M = Pt, A = Al2O3, HA = (HfO2)0 8(Al2O3)0 2, S =硅襯底)和 M-A-H-A-S(M = Pt，A = Al2O3，H = HfO2, S =硅襯底)電荷存儲器件不同柵極掃描電壓下的平帶電壓變化。其中χ軸表示施加在Pt電極上的掃描電壓(單位為伏特)，y軸表示相對于準(zhǔn)靜態(tài)情況下平帶電壓的變化(單位為伏特)。圖5:具有不同隧穿層厚度的 M-A-HA-A-S (M = Pt，A = Al2O3，HA = (HfO2)0^(Al2O3)0.2' S=硅襯底)電荷存儲期間的寫入和擦出特性。其中χ軸表示寫入和擦出的時間(單位為秒)，y軸表示相對寫入、擦出時間為0時的平帶電壓變化(單位為伏特)。圖6 :900°C氮?dú)鈿夥罩型嘶?0秒后，Si/Al203/(HfO2) x (Al2O3) ^Al2O3結(jié)構(gòu)的高分辨透射電子顯微圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1 基于 p-Si 襯底，SiAl2CV(HfO2)a8(Al2O3)c1VAl2CVPt 電荷存儲器件的制備過程具體如下(a)將p-Si襯底將襯底放入適量丙酮中，超聲清洗后，用去離子水超聲清洗，漂洗掉襯底表面殘留的雜質(zhì)。然后襯底放入氫氟酸中浸泡，去除表面氧化物，再使用去離子水超聲清洗，用高純氮?dú)獯蹈珊蠓湃朐訉踊瘜W(xué)氣相沉積腔體內(nèi)以備沉積薄膜。(b)沉積過程中采用HfCl4和Al (CH3)3作為金屬源，水為氧源。Al (CH3)3伴隨氮?dú)膺M(jìn)入腔體，與羥基終端的硅襯底表面反應(yīng)并達(dá)到飽和，之后氧源由氮?dú)鈳肭惑w與金屬源發(fā)生表面反應(yīng)生成Al2O3，形成隧穿層，通過控制原子層沉積循環(huán)系數(shù)，沉積厚度為2nm的 Al2O3作為隧穿層。(c)當(dāng)隧穿層沉積結(jié)束，在Al2O3隧穿層表面沉積(HfO2) Q.8(A1203)。.2存儲層。通過調(diào)控沉積循環(huán)次數(shù)控制Hf和Al的原子比以及薄膜厚度。初始階段，HfCl4金屬源沉積在 Al2O3表面，使表面達(dá)到飽和，隨后由氣流載入的氧源與HfCl4接觸，并發(fā)生表面反應(yīng)，生成一層Η 2。然后，Al (CH3) 3伴隨氣體進(jìn)入腔體，沉積在HfO2表面，與之后進(jìn)入腔體的氧源發(fā)生反應(yīng)生成Al2O315如此反復(fù)循環(huán)，便在隧穿層表面沉積了一層7nm厚的(HfO2)a8(Al2O3)a2 薄膜。存儲層的厚度一般可為6-8nm。(d) (HfO2) ο. 8 (Al2O3) ο. 2存儲層沉積結(jié)束，在其表面沉積一層9nm厚的Al2O3介質(zhì)層， 作為阻擋層，形成過程如步驟(b)。(e)上述制備過程結(jié)束后，將器件置于快速退火爐中，在900°C，氮?dú)鈿夥罩型嘶?30秒。(f)鉬(Pt)作為上電極，通過磁控濺射的方法沉積在經(jīng)過退火處理的器件上面。 在Si沉底側(cè)面涂覆上一層導(dǎo)電銀膠作為下電極。高頻情況下(IMHz)，M-A-HA-A-S電荷存儲器件不同柵極掃描電壓下的電容-電壓特性(M = Pt，A = Al2O3, HA = (HfO2)0.8(Al2O3)0.2； S =硅襯底)如圖 3 所示。對照實(shí)施例1 基于p-Si襯底，Si/Al203/Hf02/Al203/Pt電荷存儲器件的制備過程具體如下(a)將p-Si襯底將襯底放入適量丙酮中，超聲清洗后，用去離子水超聲清洗，漂洗掉襯底表面殘留的雜質(zhì)。然后襯底放入氫氟酸中浸泡，去除表面氧化物，再使用去離子水超聲清洗，用高純氮?dú)獯蹈珊蠓湃朐訉踊瘜W(xué)氣相沉積腔體內(nèi)以備沉積薄膜。(b)沉積過程中采用HfCl4和Al (CH3)3作為金屬源，水為氧源。Al (CH3)3伴隨氮?dú)膺M(jìn)入腔體，與羥基終端的硅襯底表面反應(yīng)并達(dá)到飽和，之后氧源由氮?dú)鈳肭惑w與金屬源發(fā)生表面反應(yīng)生成Al2O3，形成隧穿層，通過控制原子層沉積循環(huán)系數(shù)，沉積厚度為2nm的 Al2O3作為隧穿層。(c)當(dāng)隧穿層沉積結(jié)束，在Al2O3隧穿層表面沉積!1 )2存儲層。通過調(diào)控沉積循環(huán)次數(shù)控制薄膜厚度。HfCl4金屬源沉積在Al2O3表面，使表面達(dá)到飽和，隨后由氣流載入的氧源與HfCl4接觸，并發(fā)生表面反應(yīng)，生成一層7nm厚的HfO2薄膜。(d)HfO2存儲層沉積結(jié)束，在其表面沉積一層9nm厚的Al2O3介質(zhì)層，作為阻擋層， 形成過程如步驟(b)。(e)上述制備過程結(jié)束后，將器件置于快速退火爐中，在900°C，氮?dú)鈿夥罩型嘶?30秒。
(f)鉬(Pt)作為上電極，通過磁控濺射的方法沉積在經(jīng)過退火處理的器件上面。 在Si沉底側(cè)面涂覆上一層導(dǎo)電銀膠作為下電極。實(shí)施例1 所得 M-A-HA-A-S (M = Pt，A = Al2O3, HA = (HfO2) 0 8 (Al2O3) 0.2，S =硅襯底)和對照實(shí)施例1所得M-A-H-A-S (M = Pt，A = Al2O3, H = HfO2, S =硅襯底)電荷存儲器件在不同柵極掃描電壓下的平帶電壓變化如圖4所示。實(shí)施例2 基于p-Si襯底，具有不同隧穿層厚度的Si/Al203/(HfO2)α8(Α1203)α2/ Al203/Pt電荷存儲器件的制備過程具體如下(a)將p-Si襯底將襯底放入適量丙酮中，超聲清洗后，用去離子水超聲清洗，漂洗掉襯底表面殘留的雜質(zhì)。然后襯底放入氫氟酸中浸泡，去除表面氧化物，再使用去離子水超聲清洗，用高純氮?dú)獯蹈珊蠓湃朐訉踊瘜W(xué)氣相沉積腔體內(nèi)以備沉積薄膜。(b)沉積過程中采用HfCl4和Al (CH3)3作為金屬源，水為氧源。Al (CH3)3伴隨氮?dú)膺M(jìn)入腔體，與羥基終端的硅襯底表面反應(yīng)并達(dá)到飽和，之后氧源由氮?dú)鈳肭惑w與金屬源發(fā)生表面反應(yīng)生成Al2O3，形成隧穿層，通過控制原子層沉積循環(huán)系數(shù)，分別沉積厚度為 2nm，3nm和^m的Al2O3作為隧穿層。(c)當(dāng)隧穿層沉積結(jié)束，在Al2O3隧穿層表面沉積(HfO2) Q.8(A1203)。.2存儲層。通過調(diào)控沉積循環(huán)次數(shù)控制Hf和Al的原子比以及薄膜厚度。初始階段，HfCl4金屬源沉積在 Al2O3表面，使表面達(dá)到飽和，隨后由氣流載入的氧源與HfCl4接觸，并發(fā)生表面反應(yīng)，生成一層Η 2。然后，Al (CH3) 3伴隨氣體進(jìn)入腔體，沉積在HfO2表面，與之后進(jìn)入腔體的氧源發(fā)生反應(yīng)生成Al2O315如此反復(fù)循環(huán)，便在隧穿層表面沉積了一層7nm厚的(HfO2)a8(Al2O3)a2 薄膜。(d) (HfO2) ο. 8 (Al2O3) ο. 2存儲層沉積結(jié)束，在其表面沉積一層9nm厚的Al2O3介質(zhì)層， 作為阻擋層，形成過程如步驟(b)。(e)上述制備過程結(jié)束后，將器件置于快速退火爐中，在900°C，氮?dú)鈿夥罩型嘶?30秒。(f)鉬(Pt)作為上電極，通過磁控濺射的方法沉積在經(jīng)過退火處理的器件上面。 在Si沉底側(cè)面涂覆上一層導(dǎo)電銀膠作為下電極。所得具有不同隧穿層厚度的M-A-HA-A-S(M = Pt，A = Al2O3，HA = (HfO2)0^(Al2O3)0.2' S =硅襯底)電荷存儲期間的寫入和擦出特性如圖5所示。
權(quán)利要求
1.一種不揮發(fā)電荷存儲器件的制備方法，其特征在于具體步驟如下a)以Al(CH3) 3作為金屬源，水作為氧源，用原子層化學(xué)氣相沉積方法在襯底表面反應(yīng)生成Al2O3,形成隧穿層；b)以HfCl4作為金屬源，水作為氧源，用原子層化學(xué)氣相沉積方法在襯底表面反應(yīng)生成 HfO2,然后以Al (CH3) 3作為金屬源，水作為氧源，用原子層化學(xué)氣相沉積方法在襯底表面反應(yīng)生成Al2O3，如此反復(fù)循環(huán)，在隧穿層表面沉積一層(HfO2) x (Al2O3) h薄膜作為存儲層，其中0. 9彡χ彡0. 5，通過調(diào)控沉積循環(huán)次數(shù)，控制χ值；c)以Al(CH3)3作為金屬源，水作為氧源，用原子層化學(xué)氣相沉積方法在(HfO2) ,(Al2O3) h存儲層表面沉積一層Al2O3作為阻擋層。
2.如權(quán)利要求1所述的不揮發(fā)電荷存儲器件的制備方法，其特征在于所述原子層化學(xué)氣相沉積方法的具體步驟為金屬源伴隨氮?dú)膺M(jìn)入沉積室，與襯底表面反應(yīng)并達(dá)到飽和，之后氧源由氮?dú)鈳肭惑w與金屬源發(fā)生表面反應(yīng)生成金屬氧化物。
3.如權(quán)利要求1或2所述的不揮發(fā)電荷存儲器件的制備方法，其特征在于在阻擋層上面沉積鉬作為上電極，襯底為Si。
4.如權(quán)利要求1或2所述的不揮發(fā)電荷存儲器件，其特征在于隧穿層的厚度為2-4nm， 阻擋層的厚度為8-lOnm。
5.如權(quán)利要求1或2所述的不揮發(fā)電荷存儲器件，其特征在于χ= 0. 8。
6.權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)制備方法所得不揮發(fā)電荷存儲器件，其特征在于包含順序連接的隧穿層、存儲層和阻擋層，利用Al2O3作為存儲器件的隧穿層和阻擋層，(HfO2) ,(Al2O3) i-x 二元氧化物作為器件的存儲層。
7.如權(quán)利要求6所述的不揮發(fā)電荷存儲器件，其特征在于以Si為沉底，Pt為上電極， 所述不揮發(fā)電荷存儲器件的結(jié)構(gòu)為Si/Al203/(HfO2)x(Al2O3)1ViAl2CVPL
8.權(quán)利要求6或7所述的不揮發(fā)電荷存儲器件在信息存儲和不揮發(fā)半導(dǎo)體存儲器件中的應(yīng)用。
全文摘要
本發(fā)明涉及不揮發(fā)電荷存儲器件的制備方法、所得不揮發(fā)電荷存儲器件及其應(yīng)用。所述不揮發(fā)電荷存儲器件的制備方法，具體步驟如下a)用原子層化學(xué)氣相沉積方法在襯底表面沉積Al2O3，形成隧穿層；b)用原子層化學(xué)氣相沉積方法在隧穿層表面沉積一層(HfO2)x(Al2O3)1-x薄膜作為存儲層；c)用原子層化學(xué)氣相沉積方法在(HfO2)x(Al2O3)1-x存儲層表面沉積一層Al2O3作為阻擋層。不揮發(fā)電荷存儲器件包含順序連接的隧穿層、存儲層和阻擋層，利用Al2O3作為存儲器件的隧穿層和阻擋層，(HfO2)x(Al2O3)1-x作為器件的存儲層。本發(fā)明能夠很好的提高器件的寫入和擦除速度，同時這種制備方法操作簡單、易于控制。
文檔編號H01L29/51GK102231365SQ20101057921
公開日2011年11月2日 申請日期2010年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月9日
發(fā)明者劉治國, 夏奕東, 李愛東, 殷江, 湯振杰 申請人:南京大學(xué)