專利名稱：相變存儲(chǔ)器的無鍵孔傾斜加熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
這里公開的主題涉及一種制造半導(dǎo)體集成電路設(shè)備的方法，更具體地涉及一種制造相變存儲(chǔ)器裝置的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)步通常的導(dǎo)致密度增加、更高容量的電子設(shè)備，例如存儲(chǔ)器。 增加的密度可以導(dǎo)致特征尺寸的減小或者這種電子設(shè)備的臨界尺寸(CD)的減小。盡管更高密度的電子設(shè)備是受歡迎的進(jìn)步，生產(chǎn)這種設(shè)備包含很多挑戰(zhàn)。例如，增加的密度結(jié)果是諸如觸點(diǎn)狀孔之類的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)增加的高寬比(L/D)，可以導(dǎo)致在空隙填充工藝期間的孔隙(鍵孔、接縫)問題。這種孔隙可以不利地影響除了其他電子設(shè)備之外的相變存儲(chǔ)器 (PCM) :PCM存儲(chǔ)器可以包括加熱器，向加熱器施加電壓以便產(chǎn)生熱，從而向接觸所述加熱器的硫族化物引入相變。加熱器中的孔隙不但可以在存儲(chǔ)器單元的操作周期期間物理地?fù)p壞所述加熱器，而且影響所述加熱器能夠改變PCM存儲(chǔ)器單元中的硫族化物材料的相位的程度。因此，這種孔隙可以導(dǎo)致PCM的可靠性問題。

發(fā)明內(nèi)容


將參考附圖描述非限制性和非排除性示例，其中除非另有聲明，貫穿各個(gè)圖類似的參考數(shù)字表示類似的部分。圖1是示出了根據(jù)實(shí)施例的一部分相變存儲(chǔ)器的示意圖。圖2是根據(jù)實(shí)施例的制造工藝的流程圖。圖3是根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖。圖4是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖。圖5和圖6示出了根據(jù)實(shí)施例的示例曲線圖。圖7和圖8是根據(jù)實(shí)施例的刻蝕孔的頂視圖。圖9和圖10示出了根據(jù)實(shí)施例的示例曲線圖。圖11和圖12是根據(jù)實(shí)施例的刻蝕孔的頂視圖。圖13和圖14是根據(jù)實(shí)施例的示例曲線圖。圖15和圖16是根據(jù)實(shí)施例的刻蝕孔的頂視圖。圖17是根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖。圖18是示出了計(jì)算系統(tǒng)的典型實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式貫穿該實(shí)施例對(duì)于“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”的參考意味著特定特征、結(jié)構(gòu)或與在所要求權(quán)利主題的至少一個(gè)實(shí)施例中所包括的實(shí)施例結(jié)合描述的特性。因此，貫穿該說明書的不同位置的短語“在一個(gè)實(shí)施例中”或“實(shí)施例”不必全部表示相同的實(shí)施例。另外， 可以在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中組合所述特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。在實(shí)施例中，制造一部分半導(dǎo)體器件的工藝可以包括TiSiN沉積，所述TiSiN沉積避免了鍵孔和/或其他孔隙。例如，TiSiN可以用于形成相變存儲(chǔ)器(PCM)單元的加熱器。這種制造工藝可以包含一個(gè)或多個(gè)特定的刻蝕條件，以產(chǎn)生具有傾斜的線性側(cè)壁的加熱器。在具體的實(shí)施例中，可以通過TiSiN間隙填充工藝來形成加熱器，具有實(shí)質(zhì)上SOnm 的頂部直徑和實(shí)質(zhì)上50nm的底部直徑，與81°的角度相對(duì)應(yīng)，盡管所要求權(quán)利要求的本發(fā)明主題并沒有局限于這些值。如以下詳細(xì)所述，可以將這種加熱器制造為無鍵孔和/或其他孔隙。因此，這種制造工藝可能有益于PCM生產(chǎn)，其中PCM加熱器可以包括相對(duì)較高的高寬比以便維持用于加熱目的的實(shí)質(zhì)性阻抗。例如，可以通過減小加熱器的高寬比(例如，疊層高度)來避免加熱器中的鍵孔和/或其他孔隙，但是這種加熱器不能充分地執(zhí)行，因?yàn)槠渚哂袦p小的阻抗。這樣，如下所述的制造工藝可以在維持相對(duì)較高高寬比的同時(shí)導(dǎo)致無鍵孔的加熱器。根據(jù)具體的實(shí)施例，制造工藝可以包括在刻蝕和/或沉積期間調(diào)節(jié)一個(gè)或多個(gè)物理參數(shù)，例如壓力、射頻(RF)功率和/或溫度。如上所述，這種工藝可能產(chǎn)生無鍵孔的加熱器，所述無鍵孔的加熱器具有傾斜的線性側(cè)壁和相對(duì)較小的臨界尺寸(CD)，例如實(shí)質(zhì)上 SOnm的頂部直徑和實(shí)質(zhì)上50nmd底部直徑，與81°的角度相對(duì)應(yīng)，盡管所要求權(quán)利要求的本發(fā)明主題沒有這樣限制。圖1是根據(jù)實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器100的一部分的示意圖。示出的部分包括兩個(gè)存儲(chǔ)器單元，為了說明的目的，每一個(gè)存儲(chǔ)器單元處于不同的存儲(chǔ)器狀態(tài)。半導(dǎo)體襯底150可以包括N摻雜區(qū)域155，盡管可以使用包括P摻雜區(qū)域的其他結(jié)構(gòu)。相變存儲(chǔ)器100可以包括字線160、位線105和位線接觸110。為了表示一個(gè)存儲(chǔ)器狀態(tài)，接觸相變材料125 —部分的加熱器145可以加熱以熔化相變材料125的一部分，然后可以相對(duì)快速地冷卻所述部分，以從而包括例如非晶鍺銻碲(GST)。這種非晶材料可以是相對(duì)較高的阻抗，結(jié)果是形成了與接觸120的高阻抗連接。為了表示另一種存儲(chǔ)器狀態(tài)，包含相變材料115的一部分的加熱器135可以加熱以熔化相變材料115的一部分，然后可以相對(duì)較慢地冷卻所述部分以包括多晶低阻抗材料。這種多晶相變材料115因而可以導(dǎo)致與接觸120的低阻抗連接。當(dāng)然，這部分PCM的細(xì)節(jié)只是示例，所要求權(quán)利要求的本發(fā)明主題并沒有這樣限制。如圖1所示，在制造加熱器135和/或加熱器145期間，加熱器135可能擴(kuò)展孔隙 130。這種孔隙130可以有害地增加與接觸120的連接阻抗，導(dǎo)致存儲(chǔ)器單元的故障。例如， 這種故障存儲(chǔ)器單元可能不能切換存儲(chǔ)器狀態(tài)和/或正確地寫入數(shù)據(jù)。因此，消除和/或減小這種孔隙130的大小/個(gè)數(shù)可能有益于存儲(chǔ)器單元操作。圖2是根據(jù)實(shí)施例的制造工藝200的流程圖。例如，過程200可以用于形成存儲(chǔ)器器件的一部分。在塊210時(shí)，可以用具有多個(gè)圓形孔的刻蝕掩模對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行掩模。 例如，這種電介質(zhì)層可以包括氧化物。在一個(gè)特定實(shí)施例中，這種孔在刻蝕掩模中的位置可以與用于PCM陣列的存儲(chǔ)器單元的單獨(dú)加熱器的位置相對(duì)應(yīng)，盡管所要求權(quán)利的本發(fā)明主題沒有這樣限制。在塊220時(shí)，可以使用刻蝕氣體根據(jù)刻蝕掩模的圖案刻蝕電介質(zhì)層，以產(chǎn)生在所述電介質(zhì)層中產(chǎn)生具有傾斜的線性側(cè)面的孔。這里，線性側(cè)面可以包括具有線性輪廓的刻蝕孔的側(cè)面，所述線性輪廓從刻蝕孔的底部到刻蝕孔的頂部實(shí)質(zhì)上是線性的。換句話說，具有線性輪廓的刻蝕孔的側(cè)面包括實(shí)質(zhì)上筆直的和/或?qū)嵸|(zhì)上沒有從刻蝕孔的頂部到底部的彎曲的側(cè)面。在特定的示例中，這種刻蝕孔的側(cè)面可以包括切頂圓錐形狀，盡管所要求權(quán)利的本發(fā)明主題沒有這樣限制。這種刻蝕孔側(cè)面的斜率可以通過相對(duì)于刻蝕孔底部和/或頂部或者相對(duì)于刻蝕孔的軸的傾斜角來描述。例如，這種軸可以包括從所述刻蝕孔的底部延伸到頂部的中心垂直軸，盡管所要求權(quán)利的本發(fā)明主題沒有這樣限制。隨后在塊 230時(shí)，可以使用空隙填充或者大馬士革工藝(damascene process)在所述孔中沉積金屬和/或其他導(dǎo)電材料以形成具有傾斜的線性側(cè)面的插頭。如這里所述，這種插頭可以是無鍵孔和/或其他孔隙的。圖3是根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300的截面圖。線條305可以包括諸如金屬之類的導(dǎo)電材料，例如其上可以沉積氮化物層320。氧化物層325和氮化物層320 —起可以至少部分地包圍氮化鈦線條315。在特定的實(shí)施例中，可以在氮化物線條315與氮化物層 320和氧化物層325之間形成氮化鈦層310。附加的氮化物層3 和電介質(zhì)層330可以覆蓋多個(gè)氮化鈦線條315。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，可以在光致抗蝕劑340之前沉積底部抗反射涂層 (BARC)335。使用刻蝕掩模(未示出)，可以對(duì)光致抗蝕劑340構(gòu)圖以提供圓形孔345。當(dāng)然，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的這種細(xì)節(jié)只是示例，并且要求權(quán)利的本發(fā)明主題并沒有這樣限制。圖4是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)400的截面圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)400可以包括結(jié)構(gòu)300經(jīng)過刻蝕工藝之后產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)，例如在圖2所示的塊220中執(zhí)行的刻蝕。這里，這種刻蝕工藝可以包括選擇性刻蝕以刻蝕BARC 335和電介質(zhì)層330，結(jié)果是分別得到已構(gòu)圖的BARC 435和已構(gòu)圖的電介質(zhì)層430。氮化物層3 可以用作刻蝕工藝200期間的刻蝕停止層。隨后，可以去除氮化物層328以暴露出氮化鈦層315。所得到的刻蝕孔445可以具有傾斜的線性側(cè)壁，盡管這種特征可以至少部分地依賴于刻蝕工藝220，如以下詳細(xì)描述的。如上所述，如果用金屬或其他材料填充刻蝕孔445的傾斜線性側(cè)壁，可以允許形成無鍵孔的半導(dǎo)體部件，例如PCM加熱器。在實(shí)施例中，諸如圖4所示的刻蝕孔445之類的刻蝕圓孔可以具有傾斜的線性側(cè)壁，所述傾斜的線性側(cè)壁可以由頂部直徑、底部直徑和/或伴隨傾斜角來描述。這里，刻蝕孔445的頂部定義為是刻蝕工藝從其中開始的刻蝕孔445的一端，而刻蝕孔445的底部定義為是與所述頂部相反。這里，將傾斜角定義為是刻蝕孔的線性傾斜側(cè)壁和刻蝕孔的實(shí)質(zhì)上平坦的底部之間的角度。因此例如，具有90.0°傾斜角的側(cè)壁包括垂直的側(cè)壁(盡管在這種特定示例中，這種側(cè)壁實(shí)際上沒有傾斜)。如上所述?？梢酝ㄟ^用于制造所述刻蝕孔的刻蝕工藝的特定細(xì)節(jié)來至少部分地確定刻蝕孔445的側(cè)壁傾斜角。例如，刻蝕工藝可以包括諸如刻蝕劑的化學(xué)選擇性、刻蝕劑流速、等離子體刻蝕劑的RF功率、刻蝕劑腔室壓力和溫度、和/或刻蝕劑腔室中的氬氣流，只列出幾項(xiàng)作為示例。在一種實(shí)現(xiàn)中，刻蝕劑例如可以包括按照諸如CH3F、CH2F2/CHF3CF4C4F8 和/或C4F6之類形式的氟、碳和/或氫。幾個(gè)其他特定參數(shù)在至少部分地確定傾斜角時(shí)起著相對(duì)重要的作用。這種特定的參數(shù)及其相應(yīng)的刻蝕條件如下詳細(xì)描述。圖5示出了根據(jù)實(shí)施例的刻蝕孔的最終檢查臨界尺寸(FCCD)對(duì)刻蝕劑C4F6流速的示例曲線500。這里例如，F(xiàn)CCD可以包括在刻蝕工藝的刻蝕-灰化部分之后的測量?？梢葬槍?duì)半導(dǎo)體晶片上的刻蝕孔執(zhí)行這種測量。在一種實(shí)現(xiàn)中，半導(dǎo)體晶片的不同部分可以經(jīng)歷刻蝕條件的非故意輕微變化。為了說明這種變化，可以針對(duì)半導(dǎo)體晶片的實(shí)質(zhì)上中心區(qū)域中的刻蝕孔執(zhí)行一些以下測量，同時(shí)在所述半導(dǎo)體晶片的實(shí)質(zhì)上邊緣附近的區(qū)域中執(zhí)行其他測量。在以下描述中，將在半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域中測量的FCCD稱作邊緣-FCCD，而將在半導(dǎo)體晶片的中心區(qū)域中測量的FCCD稱作中心-FCCD。盡管所繪制的線條是線性的， 例如這些線條可以包括非線性測試結(jié)果的線性化，所要求權(quán)利的本發(fā)明主題并沒有局限于這些繪制的值或者關(guān)系。這種曲線只是用于說明這里所述一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的示例措施?；氐綀D5，線條510是針對(duì)刻蝕孔的底部直徑的邊緣-FCCD對(duì)刻蝕劑流速的曲線。 線條520是針對(duì)刻蝕孔的底部直徑的中心-FCCD對(duì)刻蝕劑流速的曲線。線條530是針對(duì)刻蝕孔的頂部直徑的邊緣-FCCD對(duì)刻蝕劑流速的曲線。線條540是針對(duì)刻蝕孔的頂部直徑的中心-FCCD對(duì)刻蝕劑流速的曲線。如圖5所示，當(dāng)刻蝕劑流速增加時(shí)，刻蝕孔底部的直徑按照比刻蝕劑頂部直徑更快的速度減小。這種速率差可以產(chǎn)生隨流速增加而減小的傾角，例如如圖6所示。這里曲線610是針對(duì)半導(dǎo)體晶片的中心區(qū)域中的刻蝕孔的傾斜角對(duì)刻蝕劑 C4F6流速的曲線，以及曲線620是針對(duì)半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域中的刻蝕孔的傾斜角對(duì)刻蝕劑C4F6流速的曲線。圖7和圖8是根據(jù)實(shí)施例的使用刻蝕劑其他C4F6的不同流速產(chǎn)生的刻蝕孔的示意性頂視圖。例如，針對(duì)刻蝕孔77，使用約16標(biāo)準(zhǔn)立方厘米(sccm)的流速，而對(duì)于刻蝕孔 88，使用約IOsccm的流速。內(nèi)圓7B和8B表示刻蝕孔的底部，而外圓7T和8T表示刻蝕孔的頂部。在特定的實(shí)現(xiàn)中，針對(duì)特定的孔深度，可以通過刻蝕孔的頂部和底部直徑之間的差來確定刻蝕孔的線性側(cè)壁的傾斜角。例如，對(duì)于相等的孔深度，刻蝕孔88具有比刻蝕孔77 更大的傾斜角，與圖6所繪制的曲線關(guān)系相一致。當(dāng)然，這種繪制的關(guān)起和有關(guān)刻蝕孔和刻蝕工藝的其他細(xì)節(jié)只是示例，所要求權(quán)利的本發(fā)明主題并沒有這樣限制。圖9示出了根據(jù)實(shí)施例的刻蝕孔的FCCD對(duì)RF功率的示例曲線圖。例如，可以在刻蝕工藝期間將這種RF功率施加到刻蝕氣體C4F6。如上所述，例如FC⑶可以在刻蝕工藝的刻蝕-灰化-清潔部分之后包括CD測量?？梢葬槍?duì)位于半導(dǎo)體晶片上的中心或邊緣區(qū)域中的刻蝕孔來執(zhí)行這種測量。盡管繪制的線條是線性的，例如，這種線條可以包括非線性測試結(jié)果的線性化，所要求權(quán)利的本發(fā)明主題并沒有局限于這種繪制的值或關(guān)系。線條910 是針對(duì)刻蝕孔的底部直徑的邊緣-FCCD對(duì)RF功率的曲線。線條920是針對(duì)刻蝕孔的底部直徑的中心-FCCD對(duì)RF功率的曲線。線條930是針對(duì)刻蝕孔的頂部直徑的邊緣-FCCD對(duì) RF功率的曲線。線條940是針對(duì)刻蝕孔的頂部直徑的中心-FCCD對(duì)RF功率的曲線。如圖 9所示，當(dāng)用于施加刻蝕劑C4F6的RF功率增加時(shí)，刻蝕孔的底部直徑按照比刻蝕孔的頂部直徑更快的速率增加。例如如圖10所示，這種速率差可以產(chǎn)生隨RF功率增加而增加的傾斜角。這里，線條1010是針對(duì)在半導(dǎo)體晶片的中心區(qū)域中的刻蝕孔的傾斜角對(duì)施加刻蝕劑 C4F6的RF功率的曲線，而曲線620是針對(duì)半導(dǎo)體晶片中的邊緣區(qū)域中的刻蝕孔的傾斜角對(duì)施加刻蝕劑C4F6的RF功率的曲線。圖11和圖12是根據(jù)實(shí)施例的使用施加刻蝕劑C4F6的不同RF功率產(chǎn)生的刻蝕孔的示意性頂視圖。例如，對(duì)于刻蝕孔11，使用約700瓦特的RF功率，而對(duì)于刻蝕孔22，使用約1500瓦特的RF功率。內(nèi)圓IlB和2B表示刻蝕孔的底部，而外圓IlT和12T表示刻蝕孔的頂部。在特定的實(shí)現(xiàn)中，對(duì)于特定的孔深度，通過刻蝕孔的頂部和底部直徑之間的差來確定刻蝕孔的線性側(cè)壁的傾斜角。例如，對(duì)于相等的孔深度，刻蝕孔22具有比刻蝕孔11更大的傾斜角，與圖10所示的繪制關(guān)系相一致。當(dāng)然，與刻蝕孔和刻蝕工藝有關(guān)的這種繪制的關(guān)系和其他細(xì)節(jié)只是示例，所要求權(quán)利的本發(fā)明主題并沒有這樣限制。圖13示出了根據(jù)實(shí)施例的刻蝕孔的FCCD對(duì)不同刻蝕劑的示例曲線圖。刻蝕劑例如可以包括按照諸如CH3F、CH2F2/CHF3CF4C4F8和/或C4F6之類形式的氟、碳和/或氫。這種不同的刻蝕劑可以通過它們的碳與其他元素的化學(xué)比例來描述。如上所述，F(xiàn)CCD可以包括在刻蝕工藝的刻蝕-灰化部分之后的CD測量?？梢葬槍?duì)位于半導(dǎo)體晶片上的中心或邊緣區(qū)域中的刻蝕孔執(zhí)行這種測量。盡管所繪制的線條是線性的，例如這種線條可以包括非線性測試結(jié)果的線性化，并且所要求權(quán)利的本發(fā)明主題并沒有局限于這里繪制的曲線或關(guān)系。線條1310是針對(duì)刻蝕孔的底部直徑的邊緣-FCCD對(duì)刻蝕劑類型的曲線。線條1320是針對(duì)刻蝕孔的底部直徑的中心-FCCD對(duì)刻蝕劑類型的曲線。線條1330是針對(duì)刻蝕孔的頂部直徑的邊緣-FCCD對(duì)刻蝕劑類型的曲線。線條1340是針對(duì)刻蝕孔的頂部直徑的中心-FCCD對(duì)刻蝕劑流速的曲線。如圖13所示，當(dāng)刻蝕劑的碳與其他元素的化學(xué)比例增加時(shí)，刻蝕孔的底部直徑按照比刻蝕孔的頂部直徑更快的速率減小。這種速率差尅導(dǎo)致隨著碳與其他元素化學(xué)比例的增加而減小的傾斜角，例如如圖14所示。這里，線條1410是對(duì)于半導(dǎo)體晶片的中心區(qū)域中的刻蝕孔的、傾斜角對(duì)刻蝕劑的碳與其他元素的化學(xué)比例的曲線，而曲線1420 是對(duì)于半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域中的刻蝕孔的、傾斜角對(duì)刻蝕劑的碳與其他元素化學(xué)比例的曲線。圖15和圖16是根據(jù)實(shí)施例的使用不同刻蝕劑氣體產(chǎn)生的刻蝕孔的示意性頂視圖。例如對(duì)于刻蝕孔55，使用刻蝕劑其他CH3F,而對(duì)于刻蝕孔66，使用刻蝕劑其他C4F6。內(nèi)圓15B和16B表示刻蝕孔的底部，而外圓15T和16T表示刻蝕孔的頂部。在特定的實(shí)現(xiàn)中， 對(duì)于特定的孔深度，可以通過刻蝕孔的頂部和底部直徑之間的差來確定刻蝕孔的線性側(cè)壁的傾斜角。例如，對(duì)于相等的孔深度，刻蝕孔陽具有比刻蝕孔66更大的傾斜角，與圖14所示的繪制關(guān)系相一致。當(dāng)然，有關(guān)刻蝕孔和刻蝕工藝的這種繪制的關(guān)系和其他細(xì)節(jié)只是示例，所要求權(quán)利的本發(fā)明主題并沒有這樣限制。圖17是根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1700的截面圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1700可以包括由在刻蝕工藝之后的結(jié)構(gòu)400產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)，例如在圖2所示的塊230時(shí)執(zhí)行的刻蝕工藝。在通過灰化和清潔工藝去除光致抗蝕劑340和BARC435之后，例如使用大馬士革工藝用金屬插頭1740填充刻蝕孔445?？涛g孔445的線性傾斜側(cè)壁可以允許金屬插頭1740符合刻蝕孔 445的大小和/或形狀，而沒有鍵孔和/或其他孔隙。在一種特定的實(shí)現(xiàn)中，金屬插頭1740 可以包括TiSiN，接觸氮化鈦線條315，盡管所要求權(quán)利的本發(fā)明主題并沒有這樣限制。在這種情況下，如上所述，金屬插頭1740可以包括用于PCM單元的加熱器元件，盡管所要求權(quán)利的本發(fā)明主題并沒有這樣限制。圖18是示出了計(jì)算系統(tǒng)700的典型實(shí)施例的示意圖，所述計(jì)算系統(tǒng)包括存儲(chǔ)器裝置710，所述存儲(chǔ)器裝置例如可以包括如上所述的存儲(chǔ)器單元的陣列。計(jì)算設(shè)備704可以表示可以配置用于管理存儲(chǔ)器裝置710的任意裝置、器具和/或機(jī)器。存儲(chǔ)器裝置710可以包括存儲(chǔ)器控制器715和存儲(chǔ)器722。作為示例而不是限制，計(jì)算設(shè)備704可以包括一個(gè)或多個(gè)計(jì)算裝置和/或平臺(tái)，例如臺(tái)式計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、工作站、服務(wù)器設(shè)備等；一個(gè)或多個(gè)個(gè)人計(jì)算或通信設(shè)備或器械，例如個(gè)人數(shù)字助手、移動(dòng)通信設(shè)備等；計(jì)算系統(tǒng)和/或相關(guān)聯(lián)的業(yè)務(wù)提供商能力，例如數(shù)據(jù)或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)服務(wù)提供者/系統(tǒng)；和/或其組合。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，系統(tǒng)700中所示的各種設(shè)備的全部或一部分以及這里所述的工藝和方法可以使用或者另外包括硬件、軟件或其任意組合來實(shí)現(xiàn)。因此，作為示例而不是限制， 計(jì)算設(shè)備704可以包括至少一個(gè)處理單元720，所述處理單元可操作地通過總線740與存儲(chǔ)器722相連；以及主機(jī)或存儲(chǔ)器控制器715。處理單元720表示配置用于執(zhí)行數(shù)據(jù)計(jì)算程序或過程的至少一部分的一個(gè)或多個(gè)電路，例如應(yīng)用如上所述的至少一部分過程500。作為示例而不是限制，處理單元720可以包括一個(gè)或多個(gè)處理器、控制器、微處理器、微控制器、 專用集成電路、數(shù)字信號(hào)處理器、可編程邏輯器件、現(xiàn)場可編程門陣列等或者其任意組合。 處理單元720可以與存儲(chǔ)器控制器715通信以處理和/或初始化存儲(chǔ)器相關(guān)操作，例如讀取、寫入和/或擦除。例如，處理單元720可以命令存儲(chǔ)器控制器715向存儲(chǔ)器裝置710中的一個(gè)或多個(gè)特定存儲(chǔ)器單元施加編程脈沖。處理單元720可以包括配置用于與存儲(chǔ)器控制器715通信的操作系統(tǒng)。例如，這種操作系統(tǒng)可以產(chǎn)生經(jīng)由總線740發(fā)送到存儲(chǔ)器控制器715的命令。存儲(chǔ)器722表示任意數(shù)據(jù)存儲(chǔ)機(jī)制。例如，存儲(chǔ)器722可以包括初級(jí)存儲(chǔ)器7M和 /或次級(jí)存儲(chǔ)器726。例如，初級(jí)存儲(chǔ)器7M可以包括隨即存取存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器等。盡管在該示例中與處理單元720分離地說明，應(yīng)該理解的是可以將初級(jí)存儲(chǔ)器724的全部或者一部分設(shè)置在處理單元720內(nèi)或者共同位于處理單元720內(nèi)/與處理單元720相連。例如，次級(jí)存儲(chǔ)器7 可以包括與初級(jí)存儲(chǔ)器相同或類似類型的存儲(chǔ)器和/或一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，例如磁盤驅(qū)動(dòng)器、光盤驅(qū)動(dòng)器、磁帶驅(qū)動(dòng)器、固態(tài)存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器等等。在特定的實(shí)現(xiàn)中，次級(jí)存儲(chǔ)器7 可以是操作地善于收納計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)728、或者配置用于與計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)7 相連。例如，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)7 可以包括可以任意介質(zhì)，所述介質(zhì)承載和/或進(jìn)行針對(duì)系統(tǒng)700中的一個(gè)或多個(gè)設(shè)備的可存取數(shù)據(jù)、代碼和/或指令。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，處理器單元720可以主持一個(gè)或多個(gè)應(yīng)用程序以初始化存儲(chǔ)器控制器715的命令，以在存儲(chǔ)器裝置中存儲(chǔ)信息和/或從存儲(chǔ)器裝置中取回信息。這種應(yīng)用可以包括字處理應(yīng)用程序、聲音通信應(yīng)用程序、導(dǎo)航應(yīng)用程序等等。例如，計(jì)算設(shè)備704可以包括輸入/輸出730。輸入/輸出732表示可以配置用于接收或者引入人輸入和/或機(jī)器輸入的一個(gè)或多個(gè)裝置或特征，和/或表示遞送或者提供人輸出和/或機(jī)器輸出的一個(gè)或多個(gè)裝置或特征。作為示例而不是限制，輸入/輸出設(shè)備732可以包括可選地配置的顯示器、揚(yáng)聲器、鍵盤、鼠標(biāo)、軌跡球、觸摸屏、數(shù)據(jù)端口等等。在以上詳細(xì)描述中，闡述了各種特定的細(xì)節(jié)，以提供對(duì)于要求權(quán)利要求的本發(fā)明主題的全面理解。然而本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解的是在沒有這些特定細(xì)節(jié)的情況下也可以實(shí)踐所要求權(quán)利要求的本發(fā)明主題。在其他示例中，沒有詳細(xì)描述本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的方法、設(shè)備或系統(tǒng)，以便不會(huì)混淆所要求權(quán)利的本發(fā)明主題。這里使用的術(shù)語“和” “和/或”和“或”可以包括多種意思，所述意思至少部分地依賴于其中使用這些術(shù)語的上下文環(huán)境。典型地，如果將“和/或”以及“或”用于關(guān)聯(lián)列表，例如A、B或C，這里傾向于按照包含的方式使用，意味著A、B和C ；以及按照排他性方式使用，意味著A、B或C。貫穿該實(shí)施例的對(duì)于“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”的參考意味著在所要求權(quán)利要求的本發(fā)明主體中的至少一個(gè)實(shí)施例中包括了與所述實(shí)施例結(jié)合描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或者特性。因此，貫穿該說明書在不同位置處出現(xiàn)的短語“在一個(gè)實(shí)施例中”或者“實(shí)施例”并不全部指代相同實(shí)施例。另外，可以在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中組合所述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。這里所述的殺傷力可以包括使用數(shù)字信號(hào)操作的機(jī)器、裝置、引擎或設(shè)備。這種信號(hào)可以包括電信號(hào)、光信號(hào)、電磁信號(hào)或者提供位置之間信息的任意形式的能量。
盡管這里已經(jīng)說明和描述了所存在的什么是示例實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解的是在不脫離所要求權(quán)利要求的本發(fā)明主題的情況下，可以進(jìn)行各種其他修改，并且可以進(jìn)行等價(jià)替換。此外，在不脫離這里所述中心概念的情況下，可以進(jìn)行許多修改以適應(yīng)對(duì)于所要求權(quán)利要求的本發(fā)明主題教導(dǎo)的特定情形。因此，所要求權(quán)利要求的本發(fā)明主題并不傾向于局限于所公開的特定實(shí)施例，但是所要求權(quán)利的本發(fā)明主題也可以包括落在所附權(quán)利要求及其等價(jià)物范圍內(nèi)的全部實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器裝置，包括加熱器，接觸相變材料的一部分以選擇性地熔化所述相變材料的至少一部分，其中所述加熱器的側(cè)面包括線性輪廓，并且其中所述側(cè)面相對(duì)于所述加熱器的軸傾斜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述相變材料包括鍺銻碲GST。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述加熱器包括TiSiN。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述側(cè)面按照實(shí)質(zhì)上在80至81度范圍內(nèi)的角度相對(duì)于所述加熱器的所述軸傾斜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述加熱器包括第一末端和相對(duì)的第二末端，所述第二末端具有實(shí)質(zhì)上小于所述第一末端橫截面的橫截面。
6.一種形成存儲(chǔ)器裝置的方法，包括利用具有實(shí)質(zhì)上圓形孔的刻蝕掩模對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行掩模；使用刻蝕氣體刻蝕所述電介質(zhì)層，以在所述電介質(zhì)層中產(chǎn)生具有傾斜的線性側(cè)面的孔；以及在所述具有傾斜的線性側(cè)面的孔中沉積金屬，以形成具有傾斜的線性側(cè)面的插頭。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述刻蝕氣體包括氟和碳。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括增加所述碳和所述氟的比率以減小所述傾斜的線性側(cè)面的傾斜角。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述刻蝕氣體包括C4F6。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述電介質(zhì)層包括氧化物。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在大馬士革工藝期間執(zhí)行所述沉積金屬。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括減小用于刻蝕所述電介質(zhì)層的刻蝕器的RF功率，以減小所述傾斜的線性側(cè)面的傾斜
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括增加所述刻蝕氣體的流速，以減小所述傾斜的線性側(cè)面的傾斜角。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述金屬包括TiSiN。
15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述存儲(chǔ)器包括相變存儲(chǔ)器。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述插頭包括加熱器。
17.一種系統(tǒng)，包括處理器，用于執(zhí)行在存儲(chǔ)器單元陣列中存儲(chǔ)的一個(gè)或多個(gè)應(yīng)用程序；以及控制器，用于向所述存儲(chǔ)器單元陣列施加寫入和/或擦除過程，其中所述存儲(chǔ)器單元陣列包括存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器單元包括加熱器，所述加熱器接觸相變材料的一部分以熔化所述相變材料的至少一部分，其中所述加熱器的側(cè)面包括線性輪廓，其中所述側(cè)面相對(duì)于所述加熱器的軸傾斜。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述相變材料包括鍺銻碲GST。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述加熱器包括TiSiN。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述加熱器包括第一末端和相對(duì)的第二末端， 所述第二末端具有比所述第一末端的橫截面實(shí)質(zhì)上更小的橫截面。
全文摘要
這里所公開的主題涉及制造半導(dǎo)體集成電路設(shè)備的方法，更具體地涉及制造相變存儲(chǔ)器裝置的方法。
文檔編號(hào)H01L45/00GK102157683SQ20101056830
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2010年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月30日
發(fā)明者李申鐘, 李鎮(zhèn)旭, 蒂姆·敏維爾, 車淳宇 申請(qǐng)人:李申鐘, 李鎮(zhèn)旭, 蒂姆·敏維爾, 車淳宇