專利名稱：具有薄氮化硅層的金剛石soi的制作方法
具有薄氮化硅層的金剛石SOI有關申請的交叉參考本申請要求2010年1月四日提交的美國臨時申請61Λ99，702號的優(yōu)先權的權
益，這里結合該申請作為一個整體供參考。
背景技術：
已經(jīng)開發(fā)了金剛石SOI (S0D0S-硅-上-金剛石-上-硅)、硅-上-金剛石以 及“厚金剛石-上-薄硅”處理技術，以增強穿過高功率器件中所使用的基板的熱流通。在 SODOS的情況下，埋入的金剛石層被用作散熱器-熱擴散器，用于降低上述器件硅中按高功 率工作的半導體器件的溫度。金剛石的熱傳導率比硅好10倍，比氧化物好1000倍。雖然在HFCVD (熱絲化學氣相沉積)反應器中使用高純度組分，但是已經(jīng)發(fā)現(xiàn)移動 的重金屬離子水平的升高導致了從金剛石和晶種層向外擴散到相鄰的器件硅層，因此硅的 質量下降了，并且減少了電子和空穴載流子壽命。在后續(xù)的擴散行動中，這些離子可以從金 剛石和硅層以及交叉污染制造處理設備向外擴散。

發(fā)明內(nèi)容
期望有一種改進的金剛石SOI器及其制造方法，其中可以在金剛石SOI層和器件 硅層之間形成阻擋層以阻擋離子的擴散并提高器件硅的載流子壽命。本發(fā)明的一個方面涉及一種形成半導體器件的方法，所述方法包括在硅晶片上 沉積薄襯墊氧化物和薄氮化物阻擋層；形成阻擋晶種層表面以促進金剛石生長；從所述晶 種層生長金剛石層；在所述金剛石層上沉積薄氮化物阻擋層；在所述薄氮化物阻擋層上沉 積多晶硅；對多晶硅層進行拋光；如果配置硅-上-金剛石-上-硅(SODOS)晶片，則使半 導體器件選擇性地與硅層結合。本發(fā)明的另一個方面涉及一種形成半導體器件的方法，所述方法包括在硅晶片 上沉積薄襯墊氧化物和薄氮化物阻擋層；在氮化物阻擋層上沉積薄多晶硅層以促進金剛 石生長；在表面上生長晶種層以促進金剛石生長；從所述晶種層生長金剛石層；在所述金 剛石層上沉積薄氮化物阻擋層；在所述薄氮化物阻擋層上沉積多晶硅；對多晶硅層進行拋 光；如果配置SODOS晶片，則選擇性地與硅層結合。本發(fā)明的另一個方面涉及一種半導體器件，包括在半導體結構上的金剛石層； 以及在金剛石層和半導體結構之間的阻擋層，所述阻擋層具有配置的厚度，所述厚度足夠 薄以使熱阻最小化并且所述厚度還足夠厚以阻擋污染物從金剛石層擴散到半導體結構。根據(jù)本發(fā)明的上述半導體器件還包括在金剛石層的外表面上的第二阻擋層，所述 阻擋層完全密封所述金剛石層。根據(jù)本發(fā)明的上述半導體器件，其中所述阻擋層具有范圍從約500埃到約3000埃
的厚度。根據(jù)本發(fā)明的上述半導體器件，其中所述阻擋層包括Si3N4、SixN、AlN、TaNJP TiN之一。
根據(jù)本發(fā)明的上述半導體器件，其中所述半導體結構包括硅、SiGe、SiC、GaN、InP、 GaAs, AlGaN, InAlN, AlGaN或其組合中的至少一種。根據(jù)本發(fā)明的上述半導體器件，其中所述半導體結構包括硅上金剛石上硅結構。本發(fā)明的另一個方面涉及一種半導體器件，包括器件晶片，它包括在金剛石SOI 層和器件層之間的薄氮化物層；在所述器件晶片上的多晶硅層，在器件晶片的有效一側上 對多晶硅進行平整化；以及經(jīng)組合的結構的手柄晶片一側上經(jīng)拋光的多晶硅層。本發(fā)明的另一個方面涉及一種半導體器件，包括在金剛石SOI層和器件硅層之 間的薄氮化物層。根據(jù)本發(fā)明是上述半導體器件還包括在與薄氮化物層相對的金剛石SOI層的表 面上的氮化物阻擋層，薄氮化物層以及氮化物阻擋層完全密封了金剛石層。本發(fā)明的另一個方面涉及一種半導體基板，包括嵌入的金剛石層，在相對表面上 受到氮化物層的保護。


所結合的和構成本發(fā)明的一部分的附圖示出本發(fā)明的一些實施例，并且連同說明 書一起，起到解釋本發(fā)明的原理的作用。在附圖中圖IA到IE描繪根據(jù)本發(fā)明一些實施例的金剛石SOI器件和相應的形成方法；以 及圖2A到2E描繪根據(jù)本發(fā)明一些實施例的進一步的示例性金剛石SOI器件和相應 的形成方法。應該注意，為了便于對本發(fā)明的一些實施例的理解，已經(jīng)簡化和畫出了了附圖的 某些細節(jié)而非嚴格地保持結構的正確性、細節(jié)和比例。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細參考本發(fā)明的一些實施例(示例性實施例)，在附圖中示出了這些實 施例的例子。盡可能，在所有附圖中使用相同的附圖標記來指示相同或相似的部件。在下 面的說明書中，參考形成本發(fā)明的一部分的附圖，并且在附圖中，通過說明可以實現(xiàn)本發(fā)明 的具體示例性實施例的方式來示出。足夠詳細地描述這些實施例，以使熟悉本領域的技術 人員能夠實現(xiàn)本發(fā)明，并且可以理解，可以利用其它實施例，并且可以進行改變而不偏離本 發(fā)明的范圍。因此，下面的說明只是示例性的。本申請的一些實施例可以提供一種方法和器件，其中在金剛石SOI層和器件硅層 之間設置的薄氮化物阻擋層(氮化硅或其它氮化物之一)阻擋了離子向器件層的擴散，并 且提高了器件硅的壽命。根據(jù)上述實施例，金剛石晶種層和相應的生長金剛石層具有高度 的金屬和移動離子污染。金剛石層和器件硅之間的薄氮化物層會阻擋污染物擴散到金剛石 層上的器件硅層以及金剛石層下的手柄(handle)或基板，并且提高器件硅的載流子壽命。薄氮化物層對于金剛石-SOI層的熱傳導性的影響最小。在某些實施例中，當使用 深溝式清潔方式(深溝式清潔是B-清潔，如下所述，具有較長的HCL (鹽酸)沖洗)除去來 自金剛石晶種層的污染離子時，在薄氮化物層上的多晶硅層促進了晶種密度。此外，薄氮化 物層可觀地簡化了后續(xù)的溝槽隔離工藝。
在金剛石層和器件硅之間使用了薄氮化物層，可以阻止金剛石層的氧化，并且進 一步為硅溝槽蝕刻提供優(yōu)良的蝕刻終止，后續(xù)的操作可以被用于橫向地隔離在晶片表面上 的器件。圖IA到IE描繪了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的金剛石絕緣層-上-硅(SOI)器件 (例如，圖IE中的100)以及相應的形成方法。熟悉本領域普通技術的人員容易明白，圖IA 到IE描繪的器件100和方法表示一般的示意性說明，可以添加其它步驟和部件，或可以除 去或修改現(xiàn)有的步驟和部件。在圖IE中，器件結構100可以包括手柄晶片110、在手柄晶片110上的平整化多晶 硅120、在平整化多晶硅120上的金剛石層140、在金剛石層140上的薄氮化物層150、形成 在薄氮化物層150上的器件170以及多晶硅密封材料180，如圖所示，從器件一側平整和除 去多晶硅密封材料180。在圖IA中，描繪適用于示例性實施例的手柄晶片110。手柄晶片110可以包括氧 化物材料。手柄晶片可以在其一部分或全部表面上包括氧化物材料或層。例如，可以在包 括自旋沖洗-干燥(SRD)、BW背接觸、氫氧化鉀(KOH)清潔、劃線、后背接觸清潔(其中HF 從手柄晶片剝離氧化物、硫酸、標準清潔1、標準清潔幻、以及結合清潔(bond clean)等步 驟的過程中形成手柄晶片110。在圖IB中描繪示例性器件晶片170。器件晶片170可以包括在器件晶片表面上的 薄氮化物層150、在薄氮化物層150表面上的金剛石層140、以及在金剛石層140和器件晶 片170的相對表面上的多晶硅涂層120。器件晶片170可以包括基板、晶片或外延層、硅或其它半導體層。通常，半導體層 可以是能經(jīng)受住金剛石生長條件(例如，溫度大于700°C)的任何材料。例如，半導體可以 包括硅、SiGe、SiC、GaN、InP、GaAs、AlGaN、InAlN、AlGaN的至少一種或它們的組合?？梢岳?解，根據(jù)應用，手柄或器件晶片可以是N型的或P型的，具有低或高的摻雜濃度。例如，一般可以在SC1/SC2溶液中預-清潔晶片的工藝中形成器件晶片170，其中 通過LPCVD (低壓化學氣相沉積)工藝沉積氮化硅到約1000埃的厚度。在形成器件晶片170 之后，可以通過在含金剛石灰塵納米粒子的膠體溶液中浸泡而進行金剛石晶種層化學沉積 (未示出)，從其中生長出約1. 5微米的金剛石層140。在配置金剛石層140之后，可以在至 少器件170 —側和金剛石140 —側上沉積多晶硅120達約2微米。此外，多晶硅120可以 使結構密封，如圖IB所示?？梢酝ㄟ^化學機械拋光(CMP)藝使在金剛石層140上沉積的多 晶硅120平整化(120a)，此后可以執(zhí)行結合清潔?？梢猿练e或以其它方式形成薄氮化物層150達到具有合適的離子阻斷效力的厚 度。薄氮化物層可以是Si3N4、SixN、AlN、TaN、TiN和氧氮化硅中之一。某些金屬阻擋層可以 包括TiW和TiWN作為可能的“金屬”阻擋層。如圖IC中所描繪，CMP平整化的多晶硅120a 可以與手柄110結合，如本技術領域中公知。在使器件晶片170結構與手柄110結合之后， 使經(jīng)結合的晶片結構翻轉以進行將進一步示出和描述的另外的處理。在圖ID中，可以處理在器件170 —側的多晶硅120以及器件晶片本身以使其厚度 減小到金剛石-硅界面的約15微米之內(nèi)。處理可以包括技術領域中公知的研磨、接著是 KOH清潔、后拋光清潔以及B-清潔。B-清潔包括H2SO4M2O2 (除去有機物)、用Dl H2O稀釋 的10 IHF、SCl (ΝΗ40Η/Η202，除去粒子)、以及SC2 (HCL/H202，除去金屬)。此外，可以在減小厚度的器件170硅上再次形成多晶硅層120。例如，可以形成多晶硅達約2微米的厚度。 可以理解，使多晶硅同時沉積在晶片前側和背側上。使用背側多晶硅進行應力控制，以便減 小晶片的翹曲。如圖IE中所描繪，可以對器件170 —側進行拋光以除去多晶硅層120，產(chǎn)生約3到 約7微米厚度的器件硅。為了提供這個器件硅厚度，拋光可以除去約7到約10微米的多晶 硅120以及器件170硅。在圖ID和IE中，薄氮化物層150可以包括厚度約0. 1微米的氮化硅，并且金剛石 層140的厚度可以為約1.5微米。在某些實施例中，在結合之后，可以使用氫注入(智能剪 切)來分離晶片。這里，在結合晶片之前完成注入。在結合之后，熱步驟在注入峰處分離晶 片。除了研磨和拋光之外，可以使用氫注入來形成薄的硅層上的金剛石上的硅。這種做法， 約0. 1到約1. 5微米范圍的較薄的器件硅一般是可能的，這取決于氫注入能量。根據(jù)本申請的另外的實施例，圖2A到2E描繪絕緣層-上-金剛石硅(SOI)器件 (例如，圖2E中的200)以及相應的形成方法。熟悉本領域普通技術的人員會容易地明白， 圖2A到2E中描繪的器件200和方法表示一般的示意性說明，可以添加其它步驟和部件，或 可以除去或修改現(xiàn)有的步驟和部件。在圖2E中，器件結構200可以包括手柄晶片210、在手柄晶片210上的平整化多 晶硅210、在平整化多晶硅210上的氮化物阻擋層230、在氮化物阻擋層230上的金剛石層 對0、在金剛石層上的薄多晶硅層沈0 (約300埃，用于促進晶種生成)、在多晶硅層260上的 薄氮化物層250、在氮化物層250中的薄襯墊(PAD)氧化物層290 (約650埃)、在襯墊氧化 物層290上的器件270、以及多晶硅密封材料觀0，如圖所示，從器件側平整和除去多晶硅密 封材料觀0。在圖2A中，描繪適用于示例性實施例的手柄晶片210。手柄晶片210可以包括氧 化物材料。例如，可以在包括自旋/沖洗/干燥(SRD)、BW背接觸、KOH清潔、劃線、后背接 觸清潔、以及結合清潔等步驟的過程中形成手柄晶片210。在圖2B中描繪示例性器件晶片270。器件晶片270可以包括在器件晶片表面上的 薄氧化物層四0、在氧化物層290表面上的薄氮化物層250、(可以在此插入薄(300埃)多 晶硅層沈0以促進晶種生成)、在薄氮化物層250表面上的金剛石層M0、以及在金剛石層 240和器件晶片270的相對表面兩者上的多晶硅涂層220。此外，可以在氮化物的頂部沉積 多晶硅薄層(約300埃)以促進晶種生成。在繪圖層(drawing layer) 250中，在薄氮化物 層250和器件270之間包括薄氧化物層四0。在某些實施例中，可以在金剛石層240上形成 另外的氮化物層230。另外的氮化物層230可以是在金剛石240頂部的氮化物阻擋層(例 如，在金剛石層240和平整化多晶硅220a之間)以完全密封金剛石膜層M0。器件晶片270可以包括基板、晶片或外延層、硅或其它半導體層。一般，半導體層 可以是能經(jīng)受住金剛石生長條件(例如，溫度大于700°C)的任何材料。例如，半導體可以 包括硅、SiGe、SiC、GaN、InP, GaAs, AlGaN, InAlN, AlGaN 的至少一種或它們的組合。例如，一般可以在SC1/SC2溶液中預-清潔晶片的工藝中形成器件晶片170，使襯 墊氧化物(pad oxide)生長到約300埃的厚度(發(fā)明人已經(jīng)確定可能需要625埃的襯墊 氧化物作為溝槽蝕刻處的蝕刻終止)，并且低壓化學氣相沉積(LPCVD)使氮化硅沉積到約 1000埃的厚度。在某些實施例中，襯墊氧化物厚度范圍可以在約100埃到約1000埃范圍內(nèi)。在該范圍較薄端的襯墊氧化物可以使熱阻最小，并且也可以利用在該范圍較厚端的襯 墊氧化物，這取決于工藝結構和流程。可以沉積金剛石晶種層(未示出)，金剛石層240可 以從其生長到約1. 5微米厚。在某些實施例中，金剛石層可以在約0. 1微米到約100微米的 范圍內(nèi)。在示例性范圍的較高端處可以得到增加的熱傳導率。在配置金剛石層240之后， 可以在至少器件270側和金剛石240側上沉積多晶硅220到約2微米的厚度。此外，多晶 硅220可以密封結構，如圖2所示?？梢酝ㄟ^CMP工藝使金剛石層240上的多晶硅220平 整化，此后，可以執(zhí)行結合清潔。在某些實施例中，可以不摻雜多晶硅，除非需要經(jīng)摻雜的層 來形成“低阻掩埋層”，這對于像NPN雙極型流程那樣的一些方法可能是有利的。可以沉積或以其它方式形成薄氮化物層250和氮化物層230到適合于離子阻擋效 力的一個厚度。在某些實施例中，可以在金剛石層240和多晶硅層220的界面處形成另外 的氮化物阻擋層230。具有了另外的氮化物阻擋層230，可以使金剛石層240完全密封。可以沉積或以其它方式形成薄氮化物層250和另外的氮化物阻擋層230到適合 于離子阻擋效力的一個厚度。氮化物阻擋層可以具有從約500埃到約3000埃的厚度。此 外，氮化物阻擋層可以具有約1000埃的厚度。薄氮化物層250和氮化物阻擋層230可以是 Si3N4、SixN、AlN、TaNJP TiN 中之一。如圖2C中所描繪，CMP平整化多晶硅可以與手柄210結合，如本技術領域中公知。 在使圖2B的結構與手柄210結合之后，使結合的晶片結構翻轉以進一步處理，如下所示出 和描述。在圖2D中，可以處理器件270側上的多晶硅220和器件晶片本身以使其厚度減小 到金剛石-硅界面的約15微米之內(nèi)。處理可以包括技術領域中公知的研磨、接著是KOH清 潔、后拋光清潔以及B-清潔。此外，可以在減小厚度的器件270上形成多晶硅層220。例 如，可以形成厚度約2微米的多晶硅220。如圖2E中所描繪，可以拋光器件270側以除去多晶硅層220，產(chǎn)生約3到約7微米 厚度的器件硅。為了提供這個器件硅厚度，拋光可以除去約7到約10微米的多晶硅以及器 件硅結構。在圖2D和2E中，薄氮化物150可以包括厚度約0. 1微米的氮化硅，并且金剛石層 MO的厚度可以為約1.5微米。在所描述的實施例中，可以理解，可以在氮化物的頂部提供多晶硅層以促進晶種 生成。多晶硅的熱傳導性優(yōu)于電介質，這允許使氮化物阻擋層本身的厚度最大化(因為使 氮化物氧化以提高核而減小阻擋性能和提高熱阻)。多晶硅還具有與硅相似的核性能(優(yōu) 于深溝式清潔的氮化物)。僅在一側上沉積多晶硅可以減小沒有涂覆多晶硅的一側上的金 剛石沉積，例如，如果下面的層是氮化物的話。多晶硅還可以起到吸氣層的作用(可以捕獲 晶界處的雜質)。此外，如果在氮化物層的頂部使用多晶硅，則可以使用深溝式蝕刻以從晶 種層濾除金屬污染。甚至，所描述的在金剛石晶種層和器件硅之間的薄氮化物層將阻擋金 剛石層的氧化，并且為槽溝蝕刻提供優(yōu)良的蝕刻終止。在氮化物頂部上的襯墊氧化物厚度 650A提供優(yōu)良的蝕刻終止，并且保證在槽溝蝕刻之后保留氮化物的整個厚度。這解決了由 于當暴露于正常熱氧化條件下時金剛石層的易燃性引起的槽溝組合的隔離成問題的一個 問題。所描述的實施例還解決了由于氮化物和襯墊氧化物層是較薄的而引起的、在最低熱 流開支時的金剛石SOI組合的處理問題。LPCVD化學計量氮化硅=25-36W/m-k。通過比較，二氧化硅=1.3，室溫硅=148以及金剛石=1300W/m-k。在所描述的實施例的每一個實施例中，可以在金剛石反應器中執(zhí)行氮化物和/或 多晶硅的原位沉積，以消除后續(xù)的氮化物和/或多晶硅沉積系統(tǒng)由于暴露而引起交叉污
^fe ο在某些實施例中，可以使用手柄晶片作為器件晶片。這個方法可以消除與其它制 造設備之間可能的交叉污染。雖然闡明本發(fā)明的廣闊范圍的數(shù)字范圍和參數(shù)都是近似值，但是盡可能精確地報 告在具體例子中闡明的數(shù)字值。然而，數(shù)字值固有地包含在它們各自的測試測量值中發(fā)現(xiàn) 的、必定偏離標準偏差的某些誤差。此外，應該把這里揭示的所有范圍理解為包括歸納在 其中的任何的和所有的子范圍。例如，“小于10”的范圍可以包括在(和包括)零的最大 值和10的最大值之間的任何和所有的子范圍，即，具有等于或大于零的最小值以及等于 或小于10的最大值的任何和所有的子范圍，例如，1到5。在某些情況下，表示參數(shù)的數(shù) 字值可以取負值。既然是這樣，作為“小于10”表示的范圍值的例子可以假定為負值，例 如，-1、-2、-3、-10、-20、-30 等。在已經(jīng)相對于一個或多個實施方式示出本發(fā)明的同時，可以對所示出的例子進行 變化和/或修改而不偏離所附權利要求書的精神和范圍。此外，在可能僅相對于數(shù)個實施 方式中的一個揭示了本發(fā)明的特定特征的同時，可以根據(jù)需要和有利于任何給定的或特定 的功能而使這種特征與其它實施方式的一個或多個其它特征組合。此外，在詳細說明和權 利要求書中使用術語“包括”、“包含”、“有”、“具有”、“用”或這些的變型，旨在以與術語“包 括”相似的方式來包容這些術語。使用術語“至少一個”來指列出的可選擇的項目中的一 個或多個。此外，在這里的討論和權利要求書中，相對于兩個材料使用的術語“上”，一個在 另一個“上”，是指材料之間的至少某些接觸，同時“在…上”是指一些材料是鄰近的，但是可 能具有一個或多個附加的中間材料，以致可能但是并非必需是接觸的。這里使用的“上”或 “在…上”都不暗示任何方向性。術語“共形的”描述一種涂覆材料，其中通過共形的材料來 保留下層材料的角。術語“約”表示所列出的值可以略有變化，只要該變化不會導致所示出 的實施例的過程或結構的不合格即可。最終，“示例性”表示使用說明作為一個例子，而非暗 示是理想情況。通過考慮這里揭示的本發(fā)明的說明和實踐，本發(fā)明的其它實施例對熟悉本 領域的技術人員將是顯而易見的。旨在使說明和例子僅作為示例性的，在下面的權利要求 書中表示了本發(fā)明的真實精神和范圍。根據(jù)與晶片或基板的傳統(tǒng)平面或工作表面平行的一個平面來定義本申請中所使 用的相對位置術語，不管晶片或基板的取向。定義本申請中所使用的術語“水平的”或“橫向 的”為與晶片或基板的傳統(tǒng)平面或工作表面平行的一個平面，不管晶片或基板的取向。術語 “垂直的”是指與水平垂直的一個方向。相對于在晶片或基板的頂部表面上的傳統(tǒng)平面或工 作表面來定義一些術語，諸如“上”、“側”(如同在“側壁”中)、“較高”、“較低”、‘在...上”、 “頂部”以及“底下”，不管晶片或基板的取向。
權利要求
1.一種形成半導體器件的方法，包括在金剛石SOI層和器件層之間沉積薄氮化物層以形成器件晶片；在器件晶片上沉積多晶硅層；使器件晶片的有效一側上的多晶硅平整化；以及把器件晶片的經(jīng)平整化的一側附加到手柄晶片以形成器件結構。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括 在所述器件結構的手柄晶片一側上沉積多晶硅；以及 對所述器件結構的器件一側進行拋光。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件層包括硅。
4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，拋光包括將所述器件結構的器件一側拋光 到器件晶片的金剛石-硅界面的約3到7微米之內(nèi)。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄氮化物層包括氮化硅。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄氮化物層包括約0.1微米的厚度。
7.一種形成半導體器件的方法，包括 通過所述方法形成器件晶片包括 在器件硅層上形成氧化物層；在氧化物層上形成氮化物阻擋層； 在氮化物阻擋層上形成金剛石層； 在金剛石層上沉積薄氮化物層； 在器件晶片上沉積多晶硅層；以及 對器件晶片的有效一側上的多晶硅進行平整化； 把器件晶片附加到手柄晶片以形成器件結構； 在器件結構的手柄晶片一側上沉積多晶硅；以及將所述器件結構的器件一側拋光到器件晶片的金剛石-硅界面的約3到7微米之內(nèi)。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，還包括在金剛石層和多晶硅的界面處放置氮化物阻擋層，所述氮化物阻擋層完全密封所述金 剛石層。
9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述氮化物包括氮化硅。
10.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述薄氮化物層包括約0.1微米的厚度。
全文摘要
一種用于半導體器件的方法和結構，所述半導體器件包括形成在金剛石SOI層和器件硅層之間的薄氮化物層，以阻擋離子的擴散和提高器件硅的壽命。
文檔編號H01L21/762GK102142363SQ20101022273
公開日2011年8月3日 申請日期2010年6月28日 優(yōu)先權日2010年1月29日
發(fā)明者C·麥克拉克倫, F·希伯特, K·胡平格納, R·C·杰羅姆 申請人:英特賽爾美國股份有限公司