專利名稱：用于高功率微波源聚焦與回旋電子裝置的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，特別涉及一種用于高功率微波源聚焦與回旋電子裝置的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
高功率回旋管器可以輸出兆瓦級(jí)峰值功率連續(xù)波能量與頻譜。為實(shí)現(xiàn)回旋管器的 功能，產(chǎn)生較強(qiáng)的聚焦，需要特殊的超導(dǎo)磁體以滿足回旋頻率所要求的磁場(chǎng)。該磁體系統(tǒng)具 有特定磁場(chǎng)分布和高穩(wěn)定磁場(chǎng)。磁體需要運(yùn)行在特殊的環(huán)境，因此要求磁體系統(tǒng)體積小、重 量輕、可移動(dòng)性好，運(yùn)行和操作方便。為研制極高磁場(chǎng)以達(dá)到具有特定空間分布和時(shí)間穩(wěn)定性，使用傳統(tǒng)的技術(shù)存在居 多的技術(shù)難題，普通電磁結(jié)構(gòu)磁體具有損耗較高，體積較大等缺點(diǎn)。因此，常規(guī)系統(tǒng)已經(jīng)不 能適應(yīng)特殊裝備的需要。而傳統(tǒng)超導(dǎo)磁體的冷卻需要低溫液體浸泡來(lái)實(shí)現(xiàn)，給超導(dǎo)磁體系 統(tǒng)的運(yùn)行操作和移動(dòng)帶來(lái)諸多不便。并且在運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)中使用傳統(tǒng)超導(dǎo)磁體系統(tǒng)會(huì)帶來(lái)更多 的使用和維護(hù)困難。單一線圈的超導(dǎo)磁體結(jié)構(gòu)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，建造容易，使用方便等優(yōu)點(diǎn)，但所產(chǎn)生的 磁場(chǎng)不能滿足系統(tǒng)運(yùn)行需求的特殊復(fù)雜位形的磁場(chǎng)。為了適應(yīng)特種電工裝備的應(yīng)用需求， 提高裝備功能性和使用性，實(shí)現(xiàn)高功率微波源的運(yùn)行參數(shù)達(dá)到所要求的輸出頻譜和帶寬的 要求，需要一種新型的電磁聚焦與電子回旋的超導(dǎo)磁體，從而達(dá)到回旋管器的磁場(chǎng)穩(wěn)定性 和磁場(chǎng)的空間分布特性。采用新型電磁結(jié)構(gòu)和冷卻方式超導(dǎo)磁體系統(tǒng)可以達(dá)到高功率微波 源實(shí)際要求，實(shí)現(xiàn)微波器件在微波特種裝備、微波工業(yè)加工等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。高功率微波源聚焦與回旋電子裝置的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)適合于超重力、快速移動(dòng)和旋 轉(zhuǎn)特種電子回旋和聚焦裝置，可以運(yùn)行在具有十分苛刻的溫度和濕度的野外環(huán)境，具有磁 場(chǎng)高穩(wěn)定度和抗外電磁干擾的優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明提出了具有特定空間磁場(chǎng)分布的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)。 本發(fā)明采用制冷機(jī)直接冷卻的無(wú)液氦超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，無(wú)需任何低溫液體，減小了磁體系統(tǒng) 的重量和體積，運(yùn)行操作方便，具備可移動(dòng)性。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)其高功率微波源所需要的磁 場(chǎng)和運(yùn)行模態(tài)。本發(fā)明的超導(dǎo)磁體是由多個(gè)超導(dǎo)線圈組合形成的，它主要包括兩個(gè)超導(dǎo)主線圈、多 個(gè)不同位置的小型超導(dǎo)線圈，在空間特殊點(diǎn)產(chǎn)生具有一定磁場(chǎng)比率ByBz，其中氏是沿磁體半 徑方向的磁感應(yīng)強(qiáng)度，Bz是沿磁體軸向磁感應(yīng)強(qiáng)度，以滿足電子聚焦與較高的回旋頻率。本發(fā)明超導(dǎo)磁體系統(tǒng)包括內(nèi)層超導(dǎo)主線圈、外層超導(dǎo)主線圈、兩個(gè)端部補(bǔ)償線圈、 端部調(diào)節(jié)線圈和中心調(diào)節(jié)線圈共六個(gè)超導(dǎo)線圈組成。其中，內(nèi)層和外層兩個(gè)超導(dǎo)主線圈產(chǎn) 生4. 5T的中心磁場(chǎng)提供背景磁場(chǎng)，補(bǔ)償線圈用于保證兩個(gè)均勻區(qū)的磁場(chǎng)均勻度。兩個(gè)調(diào)節(jié) 線圈用來(lái)補(bǔ)償主線圈在軸線上的磁場(chǎng)均勻度和調(diào)節(jié)所述的空間特殊點(diǎn)A、B、C、D、E和F的軸向和徑向磁場(chǎng)強(qiáng)度的比值，即磁場(chǎng)壓縮比Bz/Br。六個(gè)超導(dǎo)線圈同軸，內(nèi)層超導(dǎo)主線圈外 面是外層超導(dǎo)主線圈，在外層超導(dǎo)主線圈外表面從磁體端部依次是端部補(bǔ)償線圈、調(diào)節(jié)線 圈和中心調(diào)節(jié)線圈。本發(fā)明磁體與制冷系統(tǒng)具有較好的低溫?zé)徇B接，超導(dǎo)磁體的所述六個(gè)超導(dǎo)線圈使用同一骨架，為減小渦流，骨架上開有狹縫。在骨架上首先繞制內(nèi)層超導(dǎo)主線圈后，再繞制 外層超導(dǎo)主線圈，使用環(huán)氧玻璃絲帶繞制在外層超導(dǎo)主線圈的表面，然后加入低溫環(huán)氧樹 脂固化。當(dāng)?shù)蜏丨h(huán)氧樹脂固化完成之后，采用機(jī)械加工方法拋光表面，再在光滑表面上繞制 端部補(bǔ)償線圈。端部補(bǔ)償線圈由兩個(gè)補(bǔ)償線圈組成，對(duì)稱分布在外層超導(dǎo)主線圈的端部，再 在端部補(bǔ)償線圈的兩個(gè)補(bǔ)償線圈之間，從左到右布置調(diào)節(jié)線圈和中心調(diào)節(jié)線圈。本發(fā)明采用超導(dǎo)開關(guān)連接所有超導(dǎo)線圈，形成具有閉環(huán)穩(wěn)恒電流，從而產(chǎn)生較高 穩(wěn)定度的磁場(chǎng)。超導(dǎo)線圈與超導(dǎo)開關(guān)通過(guò)超導(dǎo)接頭連接，超導(dǎo)接頭電阻小于10_12Ω。超導(dǎo) 開關(guān)的特征是由連接磁體的法蘭實(shí)現(xiàn)與磁體之間的熱連接。支撐桿用于控制開關(guān)在打開條 件下阻止熱流流向磁體，關(guān)閉條件下作為熱橋?qū)㈤_關(guān)恢復(fù)到超導(dǎo)態(tài)。開關(guān)觸發(fā)加熱器和超 導(dǎo)開關(guān)線圈的導(dǎo)線并在一起雙繞在銅骨架上。開關(guān)的運(yùn)行使用外界電源來(lái)加以控制，實(shí)現(xiàn) 磁體的閉環(huán)運(yùn)行。本發(fā)明超導(dǎo)線圈采用具有較高臨界參量的鈮三錫/銅(Nb3Sn/Cu)材料，以高熱容 的固態(tài)氮、熱開關(guān)和制冷機(jī)共同作用，可以實(shí)現(xiàn)磁體脫機(jī)運(yùn)行。本發(fā)明以超導(dǎo)磁體系統(tǒng)幾何中心即超導(dǎo)磁體的磁場(chǎng)中心點(diǎn)作為坐標(biāo)原點(diǎn)，建立 軸向和徑向坐標(biāo)系坐標(biāo)(z，r)，在所述的空間中六個(gè)特殊點(diǎn)的坐標(biāo)為A(-245mm，40mm)、 B (-230mm, 36mm)、C (-115mm, 20mm)、D (115mm, 20mm)、E (155mm, 22mm)、F (180mm, 23mm)。其 磁場(chǎng)分布的要求是C點(diǎn)和D點(diǎn)在同一磁力線上，同時(shí)，經(jīng)過(guò)這兩點(diǎn)的磁力線不高于A、B、E、 F 點(diǎn)。在給定的磁場(chǎng)點(diǎn)滿足 BJD)/Bz(D) ^ 3%, Br (E)/Bz(E) ^ 7%, Br (F)/Bz(F) ^ 11%, C點(diǎn)和D點(diǎn)在軸向上距離Z小于180mm，磁體軸線上的磁場(chǎng)壓縮比Bz/Br大于88 %，即 Bz (180mm)/4. 5 > 88%。上述式中，Br是沿磁體半徑方向的磁感應(yīng)強(qiáng)度，Bz是沿磁體軸向 磁感應(yīng)強(qiáng)度。由超導(dǎo)線圈所占據(jù)的區(qū)域和磁體的孔徑范圍、線圈的長(zhǎng)度，等效將電流分布在平 均半徑為R1的圓柱表面上，線圈的有效分布磁場(chǎng)范圍是Li，根據(jù)回旋聚焦磁場(chǎng)分布，建立磁 感應(yīng)強(qiáng)度和電流的線性方程，AI = B，其中矩陣A是磁場(chǎng)系數(shù)矩陣，B是軸線上磁感應(yīng)強(qiáng)度 矩陣，引入正則化之后將病態(tài)方程轉(zhuǎn)化為(ATA+aLTL)I =AtBz,決定線圈電流的空間分布， 其中L是單位矩陣。本發(fā)明采用遺傳模擬退火混和算法優(yōu)化線圈截面將獲得的電流位置、幅值作為 初始參數(shù)，以最小化權(quán)重磁場(chǎng)之差平方函數(shù)作為優(yōu)化目標(biāo)，采用遺傳模擬退火混和算法優(yōu) 化線圈截面。本發(fā)明為了實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)磁體的快速冷卻和系統(tǒng)可以脫機(jī)運(yùn)行，超導(dǎo)線圈使用高臨界 參數(shù)的超導(dǎo)材料組成Nb3Sn/Cu，其中，Nb3Sn具有18K的臨界溫度。超導(dǎo)磁體的表面繞有熱 交換器，熱交換器和高壓氮?dú)馊萜飨噙B接；制冷機(jī)冷卻超導(dǎo)磁體和高壓氮?dú)馊萜鳎凰兴?述的超導(dǎo)線圈通過(guò)超導(dǎo)接頭與超導(dǎo)開關(guān)連接，形成具有閉環(huán)穩(wěn)恒電流。超導(dǎo)線圈外圍使用 熱交換器，在高壓氮?dú)馊萜鲀?nèi)部有冷卻后的高熱容的固態(tài)氮，使磁體在充電和在制冷機(jī)停 止后超導(dǎo)磁體的溫度回升速度極為緩慢。系統(tǒng)整體運(yùn)行溫度可以在4. 2K到12K范圍內(nèi)正常運(yùn)行。本發(fā)明的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)能夠提供強(qiáng)磁聚焦與回旋系統(tǒng)需要，適合于野外特殊條件 下運(yùn)行，極大減小系統(tǒng)運(yùn)行費(fèi)用，使用更為方便穩(wěn)定可靠。


圖1為本發(fā)明超導(dǎo)線圈組合方式示意圖，圖中1內(nèi)層超導(dǎo)主線圈、2外層超導(dǎo)主線 圈、3端部補(bǔ)償線圈、4調(diào)節(jié)線圈、5中心調(diào)節(jié)線圈；圖2為本發(fā)明的超導(dǎo)開關(guān)結(jié)構(gòu)，圖中6法蘭、7開關(guān)支撐桿、8開關(guān)骨架、9開關(guān)觸 發(fā)加熱器、10超導(dǎo)開關(guān)線圈；圖3為本發(fā)明超導(dǎo)磁體低溫結(jié)構(gòu)；圖中11制冷機(jī)、12真空容器、13支撐桿、14熱 交換器、15超導(dǎo)磁體、16熱輻射屏、17高壓氮?dú)馊萜鳌?8超導(dǎo)開關(guān)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。圖1所示為本發(fā)明磁體系統(tǒng)中使用的超導(dǎo)線圈。內(nèi)層超導(dǎo)主線圈1放置在較高的 磁場(chǎng)區(qū)域，運(yùn)行在低電流密度狀態(tài)下。外層超導(dǎo)主線圈2位于內(nèi)層超導(dǎo)主線圈1外，運(yùn)行在 高電流密度下。內(nèi)層超導(dǎo)主線圈1和外層超導(dǎo)主線圈2共同作用產(chǎn)生磁體系統(tǒng)的主磁場(chǎng)，夕卜 層超導(dǎo)主線圈2與內(nèi)層超導(dǎo)主線圈1同軸，直接繞制在內(nèi)層超導(dǎo)主線圈1的外表面，并與內(nèi) 層超導(dǎo)主線圈1具有相同的長(zhǎng)度。端部補(bǔ)償線圈3補(bǔ)償磁場(chǎng)的均勻度分布特性，端部補(bǔ)償線 圈3由兩個(gè)補(bǔ)償線圈組成，對(duì)稱分布在外層超導(dǎo)主線圈2的端部，再在端部補(bǔ)償線圈3的兩 個(gè)補(bǔ)償線圈之間，從左到右布置調(diào)節(jié)線圈4和中心調(diào)節(jié)線圈5。調(diào)節(jié)線圈4和中心調(diào)節(jié)線圈 5用于調(diào)節(jié)磁體在空間各點(diǎn)的磁場(chǎng)分布。所述的超導(dǎo)磁體的磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)扎(D)/Bz (D) ^3%, Br(E)/Bz(E) < 7%，Br(F)/Bz(F)彡11%，在2 < 180mm范圍內(nèi)，磁體軸線上的磁場(chǎng)壓縮比 Bz/Br 大于 88 %，Bz (180mm) /4. 5 > 88 %。圖2所示是本發(fā)明超導(dǎo)開關(guān)的結(jié)構(gòu)。用于實(shí)現(xiàn)磁體電流的閉環(huán)運(yùn)行超導(dǎo)開關(guān)18包 括連接磁體的法蘭6、支撐桿7、開關(guān)觸發(fā)加熱器9和超導(dǎo)開關(guān)線圈10。超導(dǎo)開關(guān)18通過(guò)連 接磁體的法蘭6實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)開關(guān)18與超導(dǎo)磁體之間的熱連接。支撐桿7控制超導(dǎo)開關(guān)18在 打開條件下阻止熱流流向超導(dǎo)磁體，在關(guān)閉條件下作為熱橋?qū)⒊瑢?dǎo)開關(guān)恢復(fù)到超導(dǎo)態(tài)。開 關(guān)觸發(fā)加熱器9和超導(dǎo)開關(guān)線圈10繞制在開關(guān)骨架8上。超導(dǎo)開關(guān)18的運(yùn)行使用外界電 源來(lái)加以控制，實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)磁體的閉環(huán)運(yùn)行。圖3所示為保證超導(dǎo)磁體正常運(yùn)行的低溫系統(tǒng)。如圖3所示，由制冷機(jī)11提供低 溫冷量，真空容器12內(nèi)的真空度小于10_5Pa。超導(dǎo)磁體15由支撐桿13支撐在真空容器12 內(nèi)。制冷機(jī)11通過(guò)熱交換器14冷卻超導(dǎo)磁體15，超導(dǎo)磁體15兩端的導(dǎo)冷結(jié)構(gòu)與制冷機(jī) 11的二級(jí)冷頭連接。超導(dǎo)磁體15的表面繞有熱交換器14，熱交換器14和高壓氮?dú)鈮毫θ?器17連接，高壓氮?dú)鈮毫θ萜?7包裹在超導(dǎo)磁體15外，使高壓氮?dú)鈮毫θ萜?7與超導(dǎo)磁 體15之間具有極高的熱導(dǎo)。制冷機(jī)11冷卻高壓氮?dú)馊萜?7.熱輻射屏16和制冷機(jī)11的 一級(jí)冷頭連接，保證熱輻射屏16具有40K的溫度，以阻止外界300K溫度的熱輻射。超導(dǎo)磁 體15所有的超導(dǎo)線圈連接起來(lái)，再和超導(dǎo)開關(guān)18組成閉合電流回路，從而保證磁場(chǎng)的穩(wěn)定 性。
權(quán)利要求
一種用于高功率微波源聚焦與回旋電子裝置的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，包括制冷機(jī)(11)、真空容器(12)、支撐桿(13)、熱輻射屏(16)、低溫系統(tǒng)和超導(dǎo)磁體(15)，其特征在于，所述的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)中，超導(dǎo)磁體包括內(nèi)層超導(dǎo)主線圈(1)、外層超導(dǎo)主線圈(2)、端部補(bǔ)償線圈(3)、調(diào)節(jié)線圈(4)和中心調(diào)節(jié)線圈(5)；所述的內(nèi)層超導(dǎo)主線圈(1)、外層超導(dǎo)主線圈(2)、端部補(bǔ)償線圈(3)、調(diào)節(jié)線圈(4)和中心調(diào)節(jié)線圈(5)同軸布置；內(nèi)層超導(dǎo)主線圈(1)運(yùn)行在低電流密度狀態(tài)下；外層超導(dǎo)主線圈(2)位于內(nèi)層超導(dǎo)主線圈(1)外，運(yùn)行在高電流密度下；內(nèi)層超導(dǎo)主線圈(1)和外層超導(dǎo)主線圈(2)共同作用產(chǎn)生磁體系統(tǒng)的主磁場(chǎng)；外層超導(dǎo)主線圈(2)繞制在內(nèi)層超導(dǎo)主線圈(1)的外表面，并與內(nèi)層超導(dǎo)主線圈(1)具有相同的長(zhǎng)度；在外層超導(dǎo)主線圈(2)的外表面從磁體端部起依次是端部補(bǔ)償線圈(3)、調(diào)節(jié)線圈(4)和中心調(diào)節(jié)線圈(5)；超導(dǎo)磁體(15)的表面繞有熱交換器(14)，熱交換器(14)和高壓氮?dú)馊萜?17)相連接；制冷機(jī)(11)冷卻超導(dǎo)磁體(15)和高壓氮?dú)馊萜?17)；所有所述的超導(dǎo)線圈通過(guò)超導(dǎo)接頭與超導(dǎo)開關(guān)(18)連接，形成具有閉環(huán)穩(wěn)恒電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高功率微波源聚焦與回旋電子裝置的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其 特征在于所述的端部補(bǔ)償線圈(3)由兩個(gè)補(bǔ)償線圈組成，兩個(gè)補(bǔ)償線圈對(duì)稱分布在外層超 導(dǎo)主線圈(2)的端部，在所述的兩個(gè)補(bǔ)償線圈之間，從左到右布置調(diào)節(jié)線圈(4)和中心調(diào)節(jié) 線圈(5)。
3.按照權(quán)利要求1所述的用于高功率微波源聚焦與回旋電子裝置的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其 特征在于所述的超導(dǎo)開關(guān)(18)由連接超導(dǎo)磁體(15)的法蘭(6)實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)開關(guān)(18)與超 導(dǎo)磁體(15)之間的熱連接，開關(guān)支撐桿(7)控制超導(dǎo)開關(guān)(18)在打開條件下阻止熱流流 向超導(dǎo)磁體(15)，在關(guān)閉條件下作為熱橋?qū)⒊瑢?dǎo)開關(guān)(18)恢復(fù)到超導(dǎo)態(tài)；開關(guān)觸發(fā)加熱器 (9)和超導(dǎo)開關(guān)線圈(10)的導(dǎo)線并在一起雙繞在超導(dǎo)開關(guān)(18)的骨架(8)上。
4.按照權(quán)利要求1所述的用于高功率微波源聚焦與回旋電子裝置的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其 特征在于以所述的超導(dǎo)磁體(15)的磁場(chǎng)中心點(diǎn)作為坐標(biāo)原點(diǎn)，建立軸向和徑向坐標(biāo)系坐 標(biāo)(z，r)，在空間中建立六個(gè)特殊點(diǎn)，所述的六個(gè)空間特殊點(diǎn)的坐標(biāo)為A(-245mm，40mm)、 B (-230mm, 36mm)、C (-115mm, 20mm)、D (115mm，20mm)、E (155mm，22mm)、F (180mm, 23mm) ；C 點(diǎn) 和D點(diǎn)在同一磁力線上，經(jīng)過(guò)C點(diǎn)和D點(diǎn)的磁力線不高于A、B、E、F點(diǎn)；在給定的磁場(chǎng)點(diǎn)滿 足 Br(D)/Bz(D) ^ 3%, Br(E)/Bz(E) ^ 7%, Br(F)/Bz(F) ^ 11%, C 點(diǎn)和 D 點(diǎn)在軸向上距離 Z小于180_，磁體軸線上的磁場(chǎng)壓縮比Bz/Br大于88%，即Bz (180mm)/4. 5 > 88% ；上述 式中，Br是沿磁體半徑方向的磁感應(yīng)強(qiáng)度，Bz是沿磁體軸向磁感應(yīng)強(qiáng)度。
5.按照權(quán)利要求1所述的用于高功率微波源聚焦與回旋電子裝置的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其特征在于所述的超導(dǎo)磁體(15)的所有線圈采用高臨界參數(shù)的Nb3Sn/Cu超導(dǎo)線材繞制。
6.按照權(quán)利要求1所述的用于高功率微波源聚焦與回旋電子裝置的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其特征在于所述的超導(dǎo)磁體(15)的所述內(nèi)層超導(dǎo)主線圈(1)、外層超導(dǎo)主線圈(2)、端部補(bǔ)償 線圈(3)、調(diào)節(jié)線圈(4)和中心調(diào)節(jié)線圈(5)使用同一骨架，骨架上開有狹縫；在骨架上首 先繞制內(nèi)層超導(dǎo)主線圈(1)，再繞制外層超導(dǎo)主線圈(2)，再使用環(huán)氧玻璃絲帶繞制在外層 超導(dǎo)主線圈(2)的表面，然后加入低溫環(huán)氧樹脂固化；低溫環(huán)氧樹脂固化完成之后，采用機(jī) 械加工方法拋光表面，再在光滑表面上繞制端部補(bǔ)償線圈(3)、調(diào)節(jié)線圈(4)和中心調(diào)節(jié)線 圈(5)。
全文摘要
一種用于高功率微波源聚焦與回旋電子裝置的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其超導(dǎo)磁體(15)包括內(nèi)層超導(dǎo)主線圈(1)、外層超導(dǎo)主線圈(2)、兩個(gè)端部補(bǔ)償線圈、調(diào)節(jié)線圈(4)和中心調(diào)節(jié)線圈(5)。線圈由Nb3Sn/Cu超導(dǎo)線繞制形成。通過(guò)制冷機(jī)(11)與高壓氮?dú)庑纬傻墓虘B(tài)氮使得超導(dǎo)磁體(15)可以脫機(jī)運(yùn)行。超導(dǎo)磁體(15)與超導(dǎo)開關(guān)(18)構(gòu)成的閉合回路實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)穩(wěn)定，不受外界電磁干擾。超導(dǎo)磁體系統(tǒng)能夠提供具有特殊空間分布的高穩(wěn)定性的磁場(chǎng)。
文檔編號(hào)H01F6/00GK101819845SQ20101015252
公開日2010年9月1日 申請(qǐng)日期2010年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月16日
發(fā)明者嚴(yán)陸光, 戴銀明, 王暉, 王秋良, 胡新寧 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院電工研究所