專利名稱：圖案化led器件、生成圖案化的方法、用于圖案化的系統(tǒng)和校準該系統(tǒng)的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及圖案化發(fā)光二極管器件。本發(fā)明還涉及在發(fā)光二極管器件中生成圖案的方法、用于生成圖案化發(fā)光二極管器件的系統(tǒng)以及校準該系統(tǒng)的方法。
背景技術：
有機發(fā)光二極管器件(另外也稱為OLED器件)典型地包括陰極、陽極、發(fā)射層和導電層。這些部件可以定位在襯底上。發(fā)射層和導電層由可以傳導電流的有機材料制成。當跨過陰極和陽極施加電壓時，電子從陰極朝向陽極行進。此外，空穴在導電層中在陽極側(cè)產(chǎn)生并且朝向陰極傳播。當電子和空穴復合時，光子產(chǎn)生并且從OLED器件發(fā)射。OLED器件在許多方面被認為是各種照明應用的未來。它們可以例如用于產(chǎn)生環(huán)境照明。全二維灰度級圖片可以在單個OLED器件中被圖案化，同時維持OLED器件所有的固有優(yōu)點，例如有吸引力、為漫射面光源等等。在文件US2004/0119(^8中給出圖案化OLED器件的實例。在這些已知OLED器件中，經(jīng)封裝的小分子OLED器件利用波長在紅外光譜的激光束來輻照，減小了暴露于激光的區(qū)域中的電致發(fā)光。這些已知圖案化OLED器件的缺點在于，當OLED器件不工作時，該器件的圖案化部分不是清楚可見的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種圖案化發(fā)光二極管器件，其中該圖案是清楚且永久可見的。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，該目的是利用權利要求1所述的圖案化發(fā)光二極管器件來實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，該目的是利用權利要求9所述的生成圖案化發(fā)光二極管器件的方法來實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，該目的是利用權利要求16所述的用于生成圖案化發(fā)光二極管器件的系統(tǒng)來實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，該目的是利用權利要求M所述的校準用于生成圖案化發(fā)光二極管器件的系統(tǒng)的方法來實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明第一方面的圖案化發(fā)光二極管器件包括發(fā)光材料層，并且包括通過圖案化發(fā)光二極管器件的光發(fā)射窗口是可見的反光層，該反光層包括反光層的局部變形構成的圖案。根據(jù)本發(fā)明的圖案化發(fā)光二極管器件的效果在于，在圖案化發(fā)光二極管器件的斷開狀態(tài)期間以及在圖案化發(fā)光二極管器件的接通狀態(tài)期間，由變形構成的圖案都是永久可見的。在斷開狀態(tài)期間，圖案化發(fā)光二極管器件不發(fā)射光并且該圖案在圖案化發(fā)光二極管器件上是可見的，這是由于變形引起的對外部光的散射差異造成的，從而提供了有吸引力的散射金屬外觀。在接通狀態(tài)期間，圖案化發(fā)光二極管器件發(fā)射光并且該圖案仍是可見的，這是由于變形引起的對由圖案化發(fā)光二極管器件生成的光以及投射在圖案的位置處的外部光的不同散射造成的。在已知OLED器件中，圖案化是通過直接調(diào)節(jié)發(fā)光材料來執(zhí)行的。 盡管這對于聚合物OLED器件會是有益的，但是這種原理對于小分子OLED器件(另外也稱為 smOLED)的應用受到限制，這是因為smOLED器件中的發(fā)光材料更加穩(wěn)定得多且因而更難以局部調(diào)節(jié)而不損壞smOLED器件的任何其余材料層。因此，如US 2004/0119028中公開的經(jīng)由紅外激光輻照的已知圖案化可能在smOLED器件中根本不生成圖案。此外，已知的調(diào)節(jié) OLED器件的發(fā)光材料典型地局部減小了在圖案化區(qū)域的光發(fā)射，因此減小整體光發(fā)射，同時在OLED器件斷開狀態(tài)中圖案可見性比較差該區(qū)域與器件的未圖案化區(qū)域相比僅僅表現(xiàn)出某種變色。在根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管器件中，通過使反光層變形而生成圖案，該圖案通過圖案化發(fā)光二極管器件的光發(fā)射窗口是可見的。因此，對于聚合物OLED器件或smOLED 器件，根據(jù)本發(fā)明的圖案的生成將是相同的，因為圖案是在反光層生成。此外，由于反光層通過光發(fā)射窗口是可見的，在發(fā)光二極管器件的斷開狀態(tài)中經(jīng)由外部光的散射并且在發(fā)光二極管器件接通狀態(tài)期間經(jīng)由由發(fā)光二極管器件生成的光的散射以及經(jīng)由外部光的散射， 所述變形都是可見的。此外，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管器件可以為例如聚合物OLED器件或小分子OLED 器件。由于圖案不是在發(fā)光材料中生成而是在反光層中生成，可以利用基本上相同的努力在聚合物OLED器件和小分子OLED器件二者中生成圖案。因此，通過將圖案應用于反光層而不是應用于發(fā)光材料，圖案可以經(jīng)由基本上相同的方法和/或工具而應用于聚合物OLED 器件和小分子OLED器件中的任何一種。在圖案化發(fā)光二極管器件的實施例中，發(fā)光二極管器件的發(fā)光材料布置在陽極層和陰極層之間，陽極層或陰極層為包括由變形構成的圖案的反光層，同時基本上維持反光層的平行于反光層的導電性?；旧暇S持反光層的導電性表示跨過反光層的整體導電性被維持，同時會出現(xiàn)例如微小的孔和/或裂紋。盡管在圖案化發(fā)光二極管器件的優(yōu)選實施例中，反光層中不存在孔和/或裂紋，這是因為它們較差地反射光，但是該圖案化發(fā)光二極管器件在存在這些微小的孔和/或裂紋的情況下仍然工作。由于這些微小的孔和/或裂紋的原因，圖案的質(zhì)量會降低，從而降低圖案的有吸引力的金屬外觀。微小的孔和/或裂紋優(yōu)選地具有人肉眼不可見的尺度和/或可具有例如小于IOOMm且更優(yōu)選地小于IOMm的尺度。發(fā)光材料可以是例如有機發(fā)光材料。與標準LED對比，這種有機發(fā)光二極管器件為面光源。這種面光源在例如裝飾應用中變得越來越流行。視覺上吸引人的圖案化提供了對這種面光源的進一步的定制/個性化。有機層使得能夠存在變形，因為有機層構成可塑性可變形(適配)的層。優(yōu)選地，完成為陽極層或陰極層的反光層中的變形而不損壞發(fā)光二極管器件的用于光發(fā)射的任何層。由于變形是在陽極層或陰極層中生成，使得基本上反光層的導電性被維持，因此發(fā)光二極管器件的整個發(fā)光表面將輻照光，同時該圖案保持可見。在圖案化發(fā)光二極管器件的實施例中，圖案包括多個灰度級，不同灰度級包括不同密度的該反光層的變形，和/或包括不同高度的該反光層的變形，該高度為基本上垂直于反光層的尺度。使用基本上垂直于反光層表示了測量變形的高度的方向基本上垂直于穿過反光
6層的平均平面，而不是在變形的位置處垂直于反光層，該方向不是嚴格定義的，這是因為變形的形狀不是嚴格定義的。圖案的散射外觀隨變形的密度而改變和/或隨變形的高度差異而改變。這種密度和/或高度差異可以連續(xù)地或者以不連續(xù)的階段而改變，從而定義可用于生成圖案的圖案中灰度級的范圍。通過簡單地生成更多的單位表面積的變形，可以生成這些密度變化。特別是當變形如此小，使得單獨變形無法被人肉眼看見時，密度變化顯然生成不同感知圖案， 所述不同感知圖案作為多個灰度級被感知。高度的差異也被不同地感知且可以對灰度級的差異有貢獻。在圖案化發(fā)光二極管器件的實施例中，反光層配置成利用電磁輻射局部輻照，從而局部加熱反光層以使反光層局部變形。此實施例的益處在于，利用電磁輻射的輻照可以比較簡單，因為強的聚集電磁輻射源目前是容易獲得的，例如使用聚集發(fā)光二極管作為光源，或者例如使用激光光源?？商鎿Q地，可以通過將包括該圖案或該圖案的負片(negative)或者包括一部分圖案的沖模應用到發(fā)光二極管器件的反光層，生成局部變形。這可以例如在生產(chǎn)過程期間緊接在應用反光層到器件之后并且在生產(chǎn)過程中在應用下一個層之前完成。通常需要附加適配層(compliant layer)從而允許反光層變形而不使發(fā)光二極管器件的其余部分短路。在圖案化發(fā)光二極管器件的實施例中，反光層配置成在利用功率低于圖案化發(fā)光二極管器件的任何層的燒蝕閾值的電磁輻射輻照時局部變形。通過將功率維持為低于圖案化發(fā)光二極管器件的任何層的燒蝕閾值，防止了對圖案化發(fā)光二極管器件的任何層的任何局部損壞。經(jīng)由電磁輻射的強度，經(jīng)由電磁輻射束跨過有機發(fā)光二極管器件移動的速度，經(jīng)由電磁輻射的波長，以及經(jīng)由應用到發(fā)光二極管器件的電磁輻射的焦點尺度，確定功率。在圖案化發(fā)光二極管器件的實施例中，用于生成變形的電磁輻射的波長是在320 納米和2000納米之間的范圍內(nèi)。通常使用激光光源通?？色@得的波長使得用于生成發(fā)光二極管器件反光層中的圖案的系統(tǒng)能夠相對簡單和廉價。這種波長可以例如為發(fā)射405納米的激光二極管或者發(fā)射532納米的YAG激光器。也可以使用在光譜的紅外部分工作的激光系統(tǒng)，這是因為圖案化依賴于對反光層的局域化加熱。在圖案化發(fā)光二極管器件的實施例中，圖案化發(fā)光二極管器件包括陽極層和陰極層，以及其中至少一部分陽極層或陰極層配置成對電磁輻射是基本上透明的。這種實施例使得可以在例如基本上標準生產(chǎn)過程中已經(jīng)生產(chǎn)了發(fā)光二極管器件之后執(zhí)行圖案化。由于陽極層和/或陰極層對于用于生成圖案的電磁輻射是至少部分透明的，所以可以在陽極和 /或陰極層已經(jīng)應用在發(fā)光二極管器件上之后應用該圖案，從而生成圖案化發(fā)光二極管器件。在有機發(fā)光二極管器件的實施例中，圖案化發(fā)光二極管器件密封在封裝中，以及其中至少一部分封裝配置成對電磁輻射是基本上透明的。因此可以甚至在發(fā)光二極管器件已經(jīng)制成且完全密封在封裝內(nèi)之后執(zhí)行圖案化。 因此，發(fā)光二極管器件可以是現(xiàn)貨供應的產(chǎn)品且可以通過應用圖案來定制，并且甚至在發(fā)光二極管器件已經(jīng)密封在封裝內(nèi)之后生成圖案化發(fā)光二極管器件。這是非常有益的，特別是當發(fā)光二極管器件為小分子有機發(fā)光二極管器件時，因為這使得能夠使用例如利用適當波長和強度的激光二極管的簡單印刷步驟，從而也在小分子有機發(fā)光二極管器件中生成圖案。在發(fā)光材料受影響而生成圖案的已知圖案化方法中，這基本上是不可能的，這是因為小分子有機發(fā)光二極管器件的穩(wěn)定性高。在不是發(fā)光材料而是反光層中生成變形以用于形成圖案的當前圖案化發(fā)光二極管器件中，使用相對簡單的激光圖案化系統(tǒng)的定制圖案化同樣是可能的。使用小分子有機發(fā)光二極管器件時的益處在于，與例如聚合物有機發(fā)光二極管器件相比，小分子有機發(fā)光二極管器件的長期穩(wěn)定性在目前要好得多。小分子有機發(fā)光二極管器件的另一益處在于，與相當?shù)木酆衔镉袡C發(fā)光二極管器件相比，小分子有機發(fā)光二極管器件的效率高得多一在目前高達大約5至10倍。根據(jù)本發(fā)明第二方面的生成圖案化發(fā)光二極管器件的方法，包括圖案化發(fā)光二極管器件，該圖案化發(fā)光二極管器件包括發(fā)光材料層并且包括通過圖案化發(fā)光二極管器件的光發(fā)射窗口是可見的反光層，該生成方法包括下述步驟使該反光層局部變形用于生成構成該圖案的變形。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在反光層中應用局部變形可以用于在發(fā)光二極管器件上生成永久可見的圖案，所述圖案在發(fā)光二極管器件的接通狀態(tài)和斷開狀態(tài)中都是可見。因此， 所得到的圖案化發(fā)光二極管器件包括有吸引力的金屬外觀，其中在圖案化發(fā)光二極管器件的接通狀態(tài)下，發(fā)光二極管器件的發(fā)光材料的至少未圖案化部分保持發(fā)射光。在生成方法的實施例中，局部變形的步驟包括
-照射步驟，其用于利用用于生成圖案的電磁輻射照射一部分反光層，該電磁輻射局部改變反光層的溫度用以使反光層變形同時具有低于發(fā)光二極管器件的任何層的燒蝕閾值的功率，和/或
-沖壓步驟，其用于通過將包括該圖案或另一圖案的沖模擠壓到反光層而生成圖案。照射步驟可以是經(jīng)由使用掩模，例如在光刻技術中用于生成圖案所使用的掩模。 在這個步驟中，掩模可以經(jīng)由投影工具而投影在反光層上。可替換地，照射步驟可以例如經(jīng)由比如激光束的掃描準直光束來執(zhí)行。照射步驟可以改變反光層從而生成變形，或者可替換地，照射步驟之后可以是刻蝕步驟，經(jīng)由該刻蝕步驟在反光層內(nèi)生成變形。在生成方法的實施例中，照射步驟包括利用聚集光束局部照射反光層。此實施例的益處在于，例如激光束的聚集光束的使用使得能夠?qū)崿F(xiàn)相對簡單的生成圖案的方法。此外，掃描聚集光束的使用使得在所應用的照射中能夠應用能實現(xiàn)改變的變形的密度和/或高度的局部強度變化，這使得不同灰度級能夠應用在應用于發(fā)光二極管器件上的圖案中。在生成方法的實施例中，使反光層局部變形的步驟是在發(fā)光二極管器件的生產(chǎn)過程期間執(zhí)行的。此實施例的益處在于，在圖案化反光層時基本上不存在其它材料層，所述其它材料層也會被例如投射光影響。此外，發(fā)光二極管器件的生產(chǎn)過程典型地是嚴格控制的生產(chǎn)過程。在生產(chǎn)過程期間執(zhí)行圖案化步驟通常使得生產(chǎn)過程能夠被調(diào)節(jié)，使得器件的壽命由于圖案化而僅僅受輕微影響或者根本不受影響。缺點在于，圖案化發(fā)光二極管器件的生產(chǎn)典型地是在相對較大規(guī)模上進行。與發(fā)光二極管器件的典型生產(chǎn)規(guī)模相比，發(fā)光二極管器件的圖案化經(jīng)常要求在較小規(guī)模上進行。因此，對于少量而言，在該生產(chǎn)過程之外生產(chǎn)發(fā)光二極管器件中圖案會是優(yōu)選的。在生成方法的實施例中，圖案化發(fā)光二極管器件包括陽極層和陰極層，以及其中發(fā)光二極管器件的至少一部分陽極層和/或陰極層配置成對電磁輻射是基本上透明的，使反光層局部變形的步驟是通過利用聚集光束通過陽極層或者通過陰極層輻照反光層來執(zhí)行的。因此，也可以在陽極和/或陰極層已經(jīng)應用在有機發(fā)光二極管器件上之后執(zhí)行圖案化。因此，可以在發(fā)光二極管器件已經(jīng)生產(chǎn)之后執(zhí)行圖案化，使得發(fā)光二極管器件能夠經(jīng)由基本上標準生產(chǎn)過程來生成而不被圖案化，并且僅僅在需要時利用所述圖案來圖案化該發(fā)光二極管器件；因此降低了單獨發(fā)光二極管器件的整體成本。可替換地，反光層可以位于與光發(fā)射窗口相比的發(fā)光二極管器件的相對側(cè)面，并且圖案可以通過發(fā)光二極管器件的背側(cè)在反光層上生成。在這種實施例中，發(fā)光二極管器件的其余層對于聚集光束無需是透明的并且高功率聚集光束透射通過發(fā)光二極管器件的其余層的其余部分將不會損壞發(fā)光二極管器件的任何其余層。在生成方法的實施例中，發(fā)光二極管器件密封在封裝中，至少一部分封裝配置成對電磁輻射是基本上透明的，以及其中使反光層局部變形的步驟包括通過利用聚集光束通過該封裝輻照該反光層。通常，發(fā)光二極管器件被封裝以防止發(fā)光二極管器件受環(huán)境影響， 特別是防止可能損壞例如有機發(fā)光二極管器件的濕氣。由于發(fā)光二極管器件的封裝的部分透明性，圖案化可以通過該封裝來完成并且因此可以在基本上成品且密封的發(fā)光二極管器件上完成。發(fā)光二極管器件可以在完全標準化生產(chǎn)過程中生產(chǎn)并且被完全密封供儲存。接著，在需要時，可以通過發(fā)光二極管器件的封裝應用圖案。聚集光束輻照通過至少一部分封裝也會導致通過光發(fā)射窗口或者通過發(fā)光二極管器件的背側(cè)輻照反光層。在生成方法的實施例中，使反光層局部變形的步驟包括改變局部變形的密度用于生成多個灰度級的步驟和/或包括改變變形的高度用于生成多個灰度級的步驟，所述不同灰度級分別包括反光層上不同水平的變形的密度和/或變形的不同高度，該高度為基本上垂直于反光層的尺度。這些局部不同變形密度和/或高度差異生成圖案中的不同灰度級，因而使得能夠利用大范圍的灰度級生成圖像。本發(fā)明的第三方面包括一種系統(tǒng)，其用于生成如權利要求1至9中任意一項所述的圖案化發(fā)光二極管器件，和/或用于執(zhí)行如權利要求10至15中任意一項所述的生成方法。該系統(tǒng)可以例如布置成經(jīng)由光發(fā)射窗口或者經(jīng)由相對于光發(fā)射窗口在發(fā)光二極管器件相對側(cè)面的發(fā)光二極管器件的背側(cè)而生成變形。能夠經(jīng)由發(fā)光二極管器件的背側(cè)生成變形的這種系統(tǒng)避免了通過發(fā)光二極管器件的發(fā)光層生成變形，因此避免損壞發(fā)光層。在該系統(tǒng)的實施例中，該系統(tǒng)包括用于生成聚集光束的輻射裝置以及用于移動該聚集光束跨過發(fā)光二極管器件從而生成該圖案化發(fā)光二極管器件的掃描裝置。聚集光束包括波長在介于320納米和650納米之間的范圍中的光，并且優(yōu)選地包括波長約為2000納米的光。來自所指示波長范圍的光可以比較容易獲得，這是因為在該波長范圍內(nèi)可獲得許多激光光源。特別是在405納米，可獲得相對高功率且低成本的激光二極管，因為這些激光二極管也可以用于比如藍光盤的光盤回放和記錄器件。輻射裝置可以例如是脈沖光源，例如脈沖激光，從而用于生成構成圖案的變形。與典型地在大面積上升高溫度，從而增大損壞發(fā)光二極管器件任何層的可能性的連續(xù)激光源相比，使用脈沖激光作為輻射裝置使得能夠更精確地局部升高溫度。在該系統(tǒng)的實施例中，該系統(tǒng)包括用于控制聚集光束的焦點位置的聚焦裝置。該系統(tǒng)的益處在于在這種布置中，聚集光束可以聚焦在器件中不同位置處，并且因此例如通過發(fā)光二極管器件的封裝應用聚集光束。這種系統(tǒng)可以在發(fā)光二極管器件生產(chǎn)期間、在發(fā)光二極管器件已經(jīng)生產(chǎn)之后以及甚至在發(fā)光二極管器件已經(jīng)封裝之后使用。由于聚集光束的焦點位置是可變化的，該系統(tǒng)可以適應所述狀況，以及能夠通過陽極和/或陰極層聚焦， 并且也可以例如通過發(fā)光二極管器件的封裝聚焦。后者使得能夠在調(diào)節(jié)圖案之前全面完成發(fā)光二極管器件的生產(chǎn)并且封裝該發(fā)光二極管器件。在該系統(tǒng)的實施例中，該系統(tǒng)包括用于控制該聚集光束的能量水平、顏色和/或掃描速度的裝置。如前所述，發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，變形的密度和/或高度可以不同程度地改變從而生成多個灰度級。然而，為了確保單位照射面積單位時間沉積的光的功率不超過預定義功率水平，該系統(tǒng)可以控制聚集光束的能量水平、顏色和/或掃描速度。在該系統(tǒng)的實施例中，該系統(tǒng)還包括用于接收用于應用在發(fā)光二極管器件上從而生成該圖案的輸入圖案的輸入裝置，并且包括用于將該輸入圖案轉(zhuǎn)換成該聚集光束的移動和/或轉(zhuǎn)換成該聚集光束的光斑尺寸和/或轉(zhuǎn)換成該聚集光束的強度變化和/或轉(zhuǎn)換成該聚集光束的顏色變化從而用于生成該圖案的轉(zhuǎn)換裝置。用于接收輸入圖案的輸入裝置可以是計算機，其使用特定或通用格式，由用戶按照所述格式將輸入圖案提供到該系統(tǒng)，并且按照所述格式，計算機包括用于將所提供的輸入圖案轉(zhuǎn)換為用于該系統(tǒng)的命令和/或驅(qū)動信號從而在該發(fā)光二極管器件中生成變形圖案的轉(zhuǎn)換裝置。這種系統(tǒng)將能實現(xiàn)不需要掩模的圖案化，這降低了系統(tǒng)的成本。此外，用于接收輸入圖案的輸入裝置使得也能夠使用該系統(tǒng)來生成少量圖案化發(fā)光二極管器件，其中客戶特定圖案可以由客戶以電子方式提供并且該客戶特定圖案可以經(jīng)由電子裝置簡單地添加到該系統(tǒng)。輸入裝置也可連接到例如互聯(lián)網(wǎng)的網(wǎng)絡環(huán)境。在這種實施例中，客戶可以簡單地經(jīng)由互聯(lián)網(wǎng)訂購其定制的圖案化發(fā)光二極管器件并且可以將所要求的輸入圖案上傳到制造商的服務器。在發(fā)光二極管器件通過局部應用變形而圖案化之后，圖案化發(fā)光二極管器件可以例如直接發(fā)貨給客戶。在該系統(tǒng)的實施例中，輸入圖案包括圖案的數(shù)字表示。這個實施例的益處在于它允許容易的用戶接口。如上所述，通過將輸入圖案的數(shù)字表示提供到該系統(tǒng)，例如，經(jīng)由將輸入圖案的數(shù)字表示上傳到服務器，用戶可以相對簡單地經(jīng)由互聯(lián)網(wǎng)連接來請求個性化的圖案化發(fā)光二極管器件。數(shù)字表示可以是不同格式的，其中該系統(tǒng)可以例如附加地包括格式轉(zhuǎn)換軟件從而將所提供的圖案的數(shù)字表示轉(zhuǎn)換為該系統(tǒng)可以直接使用以在發(fā)光二極管器件反光層上生成變形的圖案的表示。在該系統(tǒng)的實施例中，該系統(tǒng)還包括用于確定該聚集光束的光斑尺寸和/或用于確定該圖案中的變形尺寸的校準裝置。聚集光束的光斑尺寸和/或所得到的變形的變形尺寸的確定可以使用反饋系統(tǒng)來完成。優(yōu)選地這種反饋系統(tǒng)可包括提供反饋給用戶的相機?？商鎿Q地，反饋相機可連接到圖像處理軟件，經(jīng)由該圖像處理軟件可以自動地確定光斑尺寸和/或變形尺寸。為了確定圖案的變形中的變形尺寸，可以應用測試圖案，在變形已經(jīng)生成之后測量該測試圖案。該所測量的變形尺寸被用于確定聚集光束的正確條件從而能夠生成所需的圖案。這種反饋相機的放大倍率優(yōu)選地相對較高從而使得測試圖案能夠相對較小，這是因為測試圖案優(yōu)選地對于用戶是不可見的一太小或者是布置在發(fā)光二極管器件的邊緣，所述邊緣將例如被在應用圖案之后發(fā)光二極管器件安置于其中的某種框架所覆蓋。在該系統(tǒng)的實施例中，該系統(tǒng)包括用于控制該系統(tǒng)用于生成該圖案化有機發(fā)光二極管器件的圖案化速度的掃描控制裝置，該掃描控制裝置配置成用于在生成該圖案的同時動態(tài)地控制該聚集光束的光斑尺寸，該掃描控制裝置進一步配置成用于調(diào)節(jié)該聚集光束的輸出功率從而確保單位受照射面積的功率保持基本上恒定。聚集光束的光斑尺寸例如取決于在圖案的該部分處必須被圖案化的最小特征尺寸。光斑尺寸也可被選擇為在圖案邊緣附近相對較小，從而獲得圖案邊緣的精確安置，同時圖案的其余部分使用具有基本上相同的單位受照射面積的功率的較大光斑尺寸來生成。通過確保單位受照射面積的功率保持基本上相同，當生成相對較小特征時對于小的光斑尺寸以及當圖案化相對較大區(qū)域時對于相對較大的光斑尺寸，由聚集光束生成的變形的高度和密度保持基本上恒定。動態(tài)地調(diào)節(jié)光斑尺寸使得能夠?qū)⑾鄬^大特征的邊緣相對精確地安置在正確位置，同時相對快速圖案化該相對較大特征的其余部分，因此減小了總圖案化時間并且增大了生成圖案的速度。聚集光束的輸出功率應隨束直徑增大而二次方地增大。在該系統(tǒng)的可替換實施例中，掃描控制裝置配置成用于控制生成另一聚集光束的另一輻射裝置，該另一聚集光束具有與該輻射裝置相比不同的光斑尺寸，該系統(tǒng)包括另一輻射裝置并且在生成該圖案的同時該掃描控制裝置動態(tài)地選擇該輻射裝置和/或該另一輻射裝置。使用發(fā)射另一聚集光束的另一輻射裝置使得該系統(tǒng)能夠快速從一個輻射裝置切換到另一輻射裝置，因此將用于圖案化的聚焦光束的光斑尺寸改變到當前的圖案化要求。 此實施例的益處在于，為了調(diào)節(jié)光斑調(diào)節(jié)，基本上不需要移動任何機械元件。該輻射裝置和 /或另一輻射裝置可以由掃描控制裝置接通和斷開從而選擇該聚集光束和/或該另一聚集光束中任意一個。此外，該輻射裝置和另一輻射裝置可能在圖案化開始之前已經(jīng)被校準。因此，該聚集光束和該另一聚集光束的光斑尺寸是嚴格限定的并且可以直接用于圖案化。這使得能夠從一個光斑尺寸快速切換到另一個光斑尺寸。同樣，較小的光斑尺寸可以用于相對較小的特征以及例如待圖案化的相對較大特征的邊緣附近。對于相對較大的特征或者為了圖案化相對較大特征的其余部分，可以使用具有大的光斑尺寸的聚集光束。在該聚集光束和該另一聚集光束之間，單位受照射面積的功率優(yōu)選地維持恒定。在該系統(tǒng)的可替換實施例中，該掃描控制裝置配置成，依賴于該聚集光束和/或該另一聚集光束的光斑尺寸和/或依賴于由該聚集光束和/或該另一聚集光束發(fā)射的單位受照射面積的功率，控制該掃描裝置。依賴于由聚集光束和/或該另一聚集光束發(fā)射的光斑尺寸或單位受照射面積的功率來調(diào)節(jié)掃描裝置，這使得掃描控制裝置能夠基本上將單位時間單位受照射面積的功率維持基本上恒定，因此防止使反光層局部過熱并且因此防止損壞反光層。此外，它使得在該輻射裝置和/或另一輻射裝置的輸出功率增大時能夠增大掃描速度，因此使得能夠增大根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的圖案化速度。在該系統(tǒng)的可替換實施例中，掃描控制裝置配置成跳過將該聚集光束和/或該另一聚集光束掃描跨過該發(fā)光二極管器件的非圖像區(qū)域從而增大圖案化速度，所述非圖像區(qū)域不需要該聚集光束或該另一聚集光束的輻照從而生成該圖案。該系統(tǒng)例如在開始圖案化之前識別非圖像區(qū)域，并且例如調(diào)節(jié)圖案化策略，使得這些非圖像區(qū)域不被掃描。這種圖案化策略減少生成圖案所必需的掃描數(shù)目并且因此減少用于生成圖案所需的時間。在該系統(tǒng)的實施例中，該系統(tǒng)包括用于控制單位時間單位受照射面積的功率從而防止損壞該發(fā)光二極管器件的功率控制裝置，該功率控制裝置配置成用于在逐行掃描模式中在單向掃描方向或雙向掃描方向上以基本上恒定掃描速度，將該聚集光束掃描跨過掃描區(qū)域，同時調(diào)制該輻射裝置和/或該另一輻射裝置的功率從而控制單位時間單位受照射面積的功率用于生成該圖案，該掃描區(qū)域為該發(fā)光二極管器件的被掃描從而生成該圖案的區(qū)域。以基本上恒定掃描速度使用逐行掃描模式，同時控制由該輻射裝置和/或另一輻射裝置發(fā)射的功率，單位時間單位受照射面積的功率被相對嚴格地控制并且可以因此防止發(fā)光二極管器件的局部過度加熱且因此防止局部損壞。對該輻射裝置和/或另一輻射裝置的功率的調(diào)制不僅包含該輻射裝置和/或另一輻射裝置的接通/斷開控制，而且包含相對較高輸出功率和相對較低輸出功率的調(diào)制，其中例如，相對較高輸出功率生成變形并且相對較低輸出功率不生成變形，而是使得能夠相對均勻地增大發(fā)光二極管器件的溫度。在該系統(tǒng)的可替換實施例中，功率控制裝置配置成用于在該逐行掃描模式中在該掃描區(qū)域外部使掃描方向反向，用以確保在該掃描區(qū)域處的掃描速度等于所要求的掃描速度。當改變掃描方向時，通常初始掃描速度偏離所要求的掃描速度。通過在掃描區(qū)域外部使掃描方向反向，允許功率控制裝置控制掃描速度從而基本上等于掃描區(qū)域內(nèi)部所要求的掃描速度，因此同樣更精確地控制單位時間單位受照射面積的功率。在該系統(tǒng)的可替換實施例中，功率控制裝置配置成用于在該逐行掃描模式中跳過位于先前掃描線和當前掃描線之間的預定義數(shù)目的掃描線。暫時跳過預定義數(shù)目的掃描線確保了對與先前掃描線毗鄰的下一條掃描線的掃描在掃描線邊緣處獲得過度的功率，這是因為由于先前掃描線的原因在當前掃描線的邊緣處仍然存在殘余熱量。過度的功率可能造成發(fā)光二極管器件的層的損壞，這一點應被防止。因此，通過跳過預定義數(shù)目的掃描線，允許先前掃描線充分冷卻，使得當在稍后時間應用毗鄰掃描線時在邊緣處不存在過度功率并且防止損壞。在該系統(tǒng)的可替換實施例中，功率控制裝置配置成用于在初始化跨過該掃描區(qū)域的下一個掃描之前應用掃描延遲，從而控制用于生成該圖案的單位時間單位受照射面積的功率。同樣，應用掃描延遲允許在應用下一條掃描線之前冷卻先前掃描線的邊緣，因此防止過度加熱并因此防止局部損壞發(fā)光二極管器件。本發(fā)明的第四方面包括一種校準該系統(tǒng)的方法，其中該校準方法包括下述步驟 -設置該系統(tǒng)用于生成該圖案化發(fā)光二極管器件的該聚集光束的初始參數(shù)，
-利用該聚集光束局部輻照該有機發(fā)光二極管器件，從而在該反光層(32)中生成包括多個不同變形的測試圖案，
-從該測試圖案確定用于生成該圖案的該聚集光束的強度和/或掃描速度。優(yōu)選地，反光層為陽極或陰極層。為了確保這個反光層維持其在平行于反光層的方向上的導電性，該反光層優(yōu)選地在圖案化期間不被損壞。此外，為了確保發(fā)光二極管器件其余部分在該發(fā)光二極管器件工作期間發(fā)射光，構成該發(fā)光二極管器件的所述層的其余部分也不應被損壞。因此，在圖案化之前以及甚至可能在圖案化期間校準該系統(tǒng)可以防止聚集光束損壞構成該發(fā)光二極管器件的任何層并且因此也在已經(jīng)應用圖案之后確保發(fā)光二極管器件的正常運行。此外，確切損壞閾值對于不同批次發(fā)光二極管器件可能會改變，并且由于在生產(chǎn)過程期間小的生產(chǎn)變化的原因而可能會改變。損壞閾值定義為這樣的閾值高于該閾值時發(fā)光二極管器件損壞。此外，由于生產(chǎn)變化的原因，對于不同發(fā)光二極管器件而言，對于預定義單位時間單位受照射面積的功率，變形對比度可能不同。因此，典型地需要在圖案化任何發(fā)光二極管器件之前校準該系統(tǒng)。局部輻照發(fā)光二極管器件用于生成測試圖案的步驟可以在發(fā)光二極管器件處于斷開狀態(tài)時或者在發(fā)光二極管器件接通時完成。在該校準方法的實施例中，該方法還包括下述步驟調(diào)節(jié)該聚集光束和/或另一聚集光束的焦點位置。
聚集光束和/或另一聚集光束可以是具有足夠強度以在反光層內(nèi)生成變形的基本上平行束。在這種布置中，可能不需要焦點用以生成圖案并且最小尺度可以由基本上平行光束的寬度確定。可替換地，當使用或者需要聚焦光束用以生成該變形時，可能需要調(diào)節(jié)焦點的確切位置從而確保利用其產(chǎn)生變形的聚集光束的強度不超過損壞閾值。此外，需要準確的焦點位置從而局部達到足夠強度以實現(xiàn)所需的對比度。在該校準方法的實施例中，在生成該圖案之前，在該有機發(fā)光二極管器件的不使用的邊緣處執(zhí)行該校準方法。在該校準方法的實施例中，測試圖案的尺度配置成對于人肉眼是基本上不可見的。在這種優(yōu)選實施例中，測試圖案不一定需要應用在發(fā)光二極管器件的邊緣，而也可應用于發(fā)光二極管器件的中心或者發(fā)光二極管器件上的若干位置。將測試圖案應用在發(fā)光二極管器件的中心將進一步提高校準方法的精確度，因為這將在生成圖案的位置處校準該系統(tǒng)。這也將使得能夠校正跨過發(fā)光二極管器件的變化，因為它使得能夠跨過發(fā)光二極管器件應用多個測試圖案。這使得能夠相對精確地生成不同灰度級并且將防止跨過整個發(fā)光二極管器件的損壞。為了能夠利用這種小的測試圖案工作，連接到用于產(chǎn)生圖案的系統(tǒng)的反饋系統(tǒng)必須能夠利用這種小的測試圖案工作。例如，將需要具有相對較大的放大倍率的相機，從而能夠確定人肉眼基本上不可見的測試圖的預定對比度。


參考下文描述的實施例，本發(fā)明的這些和其它方面將是清楚明白的并且得以闡述。在附圖中
圖IA和IB示出根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管器件的示意性截面視圖， 圖2A至2D示出在根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光二極管器件的反光層上生成的不同圖案的圖
示，
圖3A至3C示出根據(jù)本發(fā)明的用于圖案化反光層的不同圖案化策略， 圖4A至4C示出用于生成圖案化發(fā)光二極管器件的系統(tǒng)的不同實施例的示意性表示，
以及
圖5示出說明根據(jù)本發(fā)明的用于生成圖案化發(fā)光二極管器件的系統(tǒng)的校準方法的流程圖。附圖純粹是概略性的且未按比例繪制。特別是為了清楚起見，強烈地放大了某些尺寸。附圖中的類似部件盡可能使用相同的附圖標記表示。
具體實施例方式圖IA和IB示出根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管器件10、12的示意性截面視圖。發(fā)光二極管器件10、12通常包括多個層30、20、32，并且包括包含發(fā)光材料20的層并且包括陽極層32和陰極層30。圖IA和IB所示的發(fā)光二極管10、12的示意性截面視圖僅僅示出這三個層，不過典型的發(fā)光二極管器件10、12包括若干更多的層。例如，當發(fā)光二極管器件10、 12為有機發(fā)光二極管器件10、12時，發(fā)光層20包括例如有機發(fā)光材料20和多個電流支持層(未示出)，所述電流支持層用于在工作時實現(xiàn)和/或輔助和/或度量流過發(fā)光材料20從而致使發(fā)光材料20發(fā)射光的電流。有機發(fā)光材料20配置成在電流流過有機發(fā)光材料20 時發(fā)射光。典型地，光的發(fā)射是基于為帶負電粒子的電子(未示出)與為假想的帶正電粒子 (未示出)表示的空穴的局部復合。這種電子-空穴對在有機發(fā)光材料20處的復合導致激發(fā)，該激發(fā)可以隨預定義顏色的光的發(fā)射而衰減。發(fā)光二極管器件10、12可包括單個發(fā)光材料層20，其布置成用于在電子-空穴對復合時發(fā)射預定義顏色的光。可替換地，發(fā)光二極管器件10、12可包括多個發(fā)光材料層20 (未示出)，每層發(fā)射例如不同顏色，或者發(fā)光層20 可包括多種發(fā)光材料的混合，所述多種發(fā)光材料發(fā)射不同顏色并且一起發(fā)射例如預定義色溫的白色光。因此，由發(fā)光二極管器件10、12發(fā)射的光的顏色可以通過選擇多個層和/或通過選擇發(fā)光層20中特定發(fā)光材料混合物來確定。發(fā)光二極管器件10、12還包括陽極層 30和陰極層32，發(fā)光材料20夾置在陽極層30和陰極層32之間。陽極層30可以例如包括 ΙΤ0，其為對于特定范圍的光是透明的金屬，從而允許在發(fā)光材料20中生成的光經(jīng)由光發(fā)射窗口 64從有機發(fā)光二極管器件10、12發(fā)射。陰極層32可以例如包括2納米鋇層和100 納米鋁層，該鋁層具有良好的導電特性并且可以在半導體制造工藝中良好地應用。在圖IA 和IB所示的發(fā)光二極管器件10、12的實施例中，鋁層構成反光層32，該反光層將在發(fā)光層 20中生成的光反射朝向光發(fā)射窗口 64。當然，陽極層30和陰極層32可以互換，使得光可以經(jīng)由陰極層32從發(fā)光二極管器件10、12發(fā)射。ITO層經(jīng)常應用在襯底50上用于支持發(fā)光二極管器件10、12，并且其對于由發(fā)光二極管器件10、12發(fā)射的光也是基本上透明的。圖IA和IB所示發(fā)光二極管器件10、12包括圖案45(見圖2A)，該圖案在發(fā)光二極管器件10、12的接通狀態(tài)中以及在發(fā)光二極管器件10、12的斷開狀態(tài)中都是永久可見的。 該圖案由鋁層32的變形40A、42A、40B、42B構成，該鋁層32為反光層32。發(fā)光二極管器件10、12典型地密封在封裝60中，從而保護發(fā)光二極管器件10、12 不受環(huán)境影響。封裝60的一部分62可以配置成對聚集光束70、72是基本上透明的，該聚集光束用實線箭頭表示。該聚集光束70、72可用于生成反光層32中的變形40A、42A、40B、 42B。在發(fā)光二極管器件10、12的斷開狀態(tài)期間，環(huán)境光(未示出)經(jīng)由光發(fā)射窗口 64進入發(fā)光二極管器件10、12。由于陽極層30和發(fā)光層20均是至少部分透明的，一部分環(huán)境光將被陽極層30和發(fā)光層20透射并投射在反光陰極層32上，該反光陰極層將此光反射回到光發(fā)射窗口 64。投射在變形40A、40B、42A、42B上的這部分環(huán)境光將被散射，并且因此由反光層32上的變形40A、40B、42A、42B構成的圖案經(jīng)由光發(fā)射窗口 64將是清楚可見的。在發(fā)光二極管器件10、12的接通狀態(tài)期間，電流流過發(fā)光層20并且發(fā)光層20發(fā)射光。此光基本上在所有方向上發(fā)射。在圖IA和IB所示的發(fā)光二極管器件10、12的實施例中，在發(fā)光層20中生成且朝向至少部分透明的陽極層30行進的光至少部分透射通過陽極層30并通過襯底50并且隨后經(jīng)由光發(fā)射窗口 64發(fā)射。朝向反光陰極層32行進的光被陰極層32反射朝向光發(fā)射窗口 64并且隨后經(jīng)由光發(fā)射窗口 64發(fā)射(在圖IA和IB中用虛線箭頭表示)。同樣，投射在反光層32中局部變形40A、40B、42A、42B上的光將被這些變形散射，該局部變形通過光發(fā)射窗口 64是清楚可見的。因此在發(fā)光二極管器件10、12的接通狀態(tài)期間，部分環(huán)境光被變形40A、40B、42A、42B散射并且部分在發(fā)光材料20中生成的光被變形40A、40B、42A、42B散射，并且因此由變形40A、40B、42A、42B構成的圖案45通過光發(fā)射窗口 64同樣是清楚可見的。通過上述解釋，清楚的是，在發(fā)光二極管器件10、12的反光層32中生成的圖案45 在發(fā)光二極管器件10、12的接通狀態(tài)期間以及斷開狀態(tài)期間都是清楚可見的。變形40A、 40B、42A、42B可以使用聚集光束70、72來產(chǎn)生，如圖IA和IB 二者中實線箭頭70、72所示。 變形的高度h取決于聚集光束70、72的功率以及反光層32的厚度。高度h幫助確定來自變形40A、42A、40B、42B的光的散射水平并且因此確定由變形40A、42A、40B、42B獲得的視覺效果。在圖IA和IB所示的發(fā)光二極管器件10、12的實施例中，反光層32為陰極層32。 變形40A、42A、40B、42B優(yōu)選地在陰極層32中生成，同時基本上維持陰極層32的導電性。這具有的主要益處在于，對于其中例如未圖案化部分必須被圖案化部分圍繞的圖案45，在被圍繞的未圖案化部分處陰極層32的導電性仍足以允許發(fā)光二極管器件10、12在被圖案化區(qū)域圍繞的未圖案化部分處仍然發(fā)射光。在一些已知圖案化方法中，電極層之一由于圖案化而被切穿，阻止電流流到隔離的未圖案化區(qū)域，從而造成發(fā)光二極管器件在該隔離的未圖案化區(qū)域不發(fā)射光。例如，當圖案是通過切穿電極來產(chǎn)生時，圖案化字母“0”將造成字母 “0”的中心不發(fā)射光，而當圖案使用變形40A、42A、40B、42B來產(chǎn)生(其中陰極層32的導電性基本上被維持)時，字母“0”的中心將仍然發(fā)射光。因此優(yōu)選地，完成了為陽極層30或陰極層32的反光層32中的變形40A、42A、40B、 42B，而不損壞發(fā)光二極管器件10、12的用于光發(fā)射的任何層。由于變形在反光層32中生成，使得基本上反光層32的導電性被維持，發(fā)光二極管器件10、12的整個發(fā)光表面將輻照光，同時圖案45保持可見?；旧暇S持反光層32的導電性表明跨過反光層32的整體導電性被維持，同時會出現(xiàn)例如微小的孔和/或裂紋(未示出)。盡管如前所述在圖案化發(fā)光二極管器件10、12的優(yōu)選實施例中，在反光層32中不存在孔和/或裂紋，因為它們將典型地減小反光層32在孔和/或裂紋位置處的反射率，圖案化發(fā)光二極管器件10、12在存在這些微小的孔和/或裂紋的情況下仍然工作。圖案45的質(zhì)量會由于這些微小的孔和/或裂紋而降低，從而降低了圖案45的吸引人的金屬外觀。微小的孔和/或裂紋優(yōu)選地具有人肉眼不可見的尺度和/ 或可以具有例如小于IOOMm且更優(yōu)選地小于IOMm的尺度。圖案45可包括多個灰度級40A、40B ；42A、42B。這些灰度級40A、40B ；42A、42B可以例如由一定密度的變形40A、40B ;42A、42B生成。在圖IA和IB所示的發(fā)光二極管器件10、 12的實施例中，以較高密度布置的變形40A、42A代表圖案45的較暗區(qū)域，而以較低密度布置的變形40B、42B代表圖案45的較亮區(qū)域。變形40A、40B、42A、42B可以布置在多條直線中，其中變形40A、40B、42A、42B的直線之間的間距確定灰度級，或者可以布置在點中，其中變形40A、40B、42A、42B的點之間的間距確定灰度級。這種布置使得能夠在發(fā)光二極管器件 10,12上生成包括包含多個灰度級的詳細圖像的圖案。在圖IA所示的發(fā)光二極管器件10的實施例中，封裝60包括部分62，聚集光束70、 72通過該部分62可以投射在反光層32的后壁33上從而生成變形40A、40B。反光層32的后壁33為反光層32的背向光發(fā)射窗口 64的側(cè)面。這種布置的益處在于，聚集光束70、72 不需要在投射在反光層32上之前被襯底50、陽極層30和發(fā)光材料20透射從而生成變形。 這將減小聚集光束70、72損壞發(fā)光二極管器件10的任何層而不生成變形40A、40B的可能性。此外，反光層32的后壁33不需要是反射性的。如果反光層32的后壁33不是反射性的，則后壁33將更容易吸收來自聚集光束70、72的光從而生成變形40A、40B并且因此需要功率較低的聚集光束70、72用以生成變形40A、40B。此實施例的缺點在于，圖案45必須在鏡像中產(chǎn)生，并且封裝60需要附加部分62用于允許聚集光束70、72透射通過封裝60從而產(chǎn)生圖案45。在圖IB所示的發(fā)光二極管器件12的實施例中，封裝60完全密封發(fā)光二極管器件 12并且不允許聚集光束70、72投射在后壁33上。因此，聚集光束70、72經(jīng)由襯底50、至少部分透明的陽極層30和發(fā)光材料20投射在反光層32上，從而生成變形42A、42B。圖2A至2D示出在根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光二極管器件10、12的反光層32上生成的不同圖案45的圖示。在圖2A中示出字母“P”的詳細部分。變形40B、42B是在對角布置的直線中生成的。構成圖2A的圖案45的變形的直線更詳細示于圖2B。選擇正確功率的聚集光束70、72將生成變形40B、42B而不生成圖2B所圖示的孔和/或裂紋。圖2A所示的圖案45中的這種變形將造成字母“P”在發(fā)光二極管器件10、12的接通狀態(tài)期間和斷開狀態(tài)期間都是清楚可見的，同時作為未圖案化部分46的字母“P”中心部分46也在接通狀態(tài)期間將照射光。圖2C和2D示出不同圖案45的一部分，其中變形40A、40B、42A、42B的直線的密度改變。在圖2C中，變形40B、42B的直線之間的距離與圖2D所示變形40A、42A的直線之間的距離相比較大。因此，與圖2C所示的那部分圖案45相比，圖2D所示的這部分圖案45被解釋為較暗灰度級，同樣說明了經(jīng)由改變變形40A、40B、42A、42B的密度而生成不同灰度級的能力。圖3A至3C示出根據(jù)本發(fā)明的用于圖案化反光層32的不同圖案化策略。圖3A至 3C示出掃描區(qū)域100，該掃描區(qū)域為發(fā)光二極管器件10、12的被掃描用于生成圖案45的區(qū)域。圖3A至3C所示的圖案化策略為掃描區(qū)域100的逐行圖案化。實線直線110表示通過在發(fā)光二極管器件10、12的光反射層32中生成變形40A、40B、42A、42B而生成圖案45。當聚集光束70、72為例如連續(xù)激光束70、72時，聚集光束70、72的這種逐行掃描可以生成變形40A、40B、42A、42B的直線?？商鎿Q地，當例如聚集光束70、72周期性接通和斷開時或者當例如聚集光束70、72為脈沖激光束70、72時，圖3A至3C所示的逐行掃描可以形成變形 40A、40B、42A、42B的點。圖3A至3C中的虛線直線120表示掃描跨過掃描區(qū)域100而不接通聚集光束70、72用以生成變形40A、40B、42A、42B。在圖3A中，掃描區(qū)域100被完全掃描用于生成圖案45。掃描方向在掃描區(qū)域100 外部反向，從而確保在掃描區(qū)域100處的掃描速度基本上等于所要求的掃描速度。為了節(jié)約時間，如圖:3B那樣的掃描跳過顯然無圖案化因而不需要生成變形40A、 40B、42A、42B的非圖像區(qū)域46、47。因此，較少的直線110、120必須被掃描，因而允許使用較少時間來圖案化形成該圖像45。在圖3C中，當在兩個方向上都掃描時，完成變形40A、40B、42A、42B的生成。在先前實例中，該掃描代表單向掃描，意思是只有當聚集光束70、72在預定義方向上被掃描時， 生成變形40A、40B、42A、42B，在圖3A和中此預定義方向為從左到右。從右到左的移動僅僅用于將聚集光束70、72重定位到下一個掃描的起始處。這種掃描方法的益處在于，發(fā)光二極管器件10、12可以在返回掃描期間冷卻，使得不會出現(xiàn)圖案45某些位置的過熱，從
16而損壞反光層32或任何其它層。缺點在于要花費附加的時間生成圖案45。在圖3C所示的掃描中，當在兩個方向進行掃描(所謂的雙向掃描)時，完成圖案45的生成。此雙向掃描節(jié)約時間，并且因此允許更快生成圖案。然而，此雙向掃描在使掃描方向反向時會需要掃描延遲，從而防止反光層32或發(fā)光二極管器件10、12的任何其它層過熱并且因此被聚集光束 70、72損壞。改變聚集光束70、72的功率、聚集光束70、72跨過掃描區(qū)域100的掃描速度以及通過改變聚集光束70、72的焦點，可以確定單位時間應用到受照射區(qū)域的確切功率?？梢越?jīng)由對圖案化系統(tǒng)的校準來發(fā)現(xiàn)優(yōu)選掃描速度、功率和焦點(見圖4A至4C)。圖4A至4C示出根據(jù)本發(fā)明的用于生成圖案化發(fā)光二極管器件10、12的系統(tǒng)200、 202、204的不同實施例的示意性表示。系統(tǒng)200、202、204包括用于生成聚集光70、72的輻射裝置210、212，例如光源210、212，并且包括掃描裝置220，例如，在三個維度上可移動的移動鏡220。系統(tǒng)200、202、204還可以包括聚焦裝置230，例如，f-θ透鏡230，其在平行于聚集光束70、72的方向上可移動以用于改變聚集光束70、72的焦點位置。系統(tǒng)200、202、204 還包括用于光源210、212的驅(qū)動器M0J42，例如，用于控制由光源210、212發(fā)射的聚集光束70、72的強度和/或顏色。該系統(tǒng)還包括控制裝置Μ5，其用于控制掃描裝置220從而在跨過發(fā)光二極管器件10、12的位置和速度上控制聚集光束70、72的移動?？刂蒲b置245還控制輻射裝置210、212，例如，強度、脈沖頻率和束尺度。系統(tǒng)200、202、204還包括驅(qū)動控制裝置245和驅(qū)動器240、245的處理器沈5。處理器265還可以包括轉(zhuǎn)換裝置沈0，其用于將輸入圖案(該輸入圖案為例如將在發(fā)光二極管器件10、12上產(chǎn)生的圖案45的數(shù)字表示)轉(zhuǎn)換為聚集光束70、72的移動和/或聚集光束70、72的強度變化和/或速度變化和/或聚集光束70、72的顏色變化。系統(tǒng)200、202、204還可以包括用于提供輸入圖案到處理器沈5的輸入裝置250。輸入圖案可以是特定格式或者通用格式，輸入圖案按照所述格式例如由用戶提供給系統(tǒng)200、202、204。輸入裝置250也可連接到例如互聯(lián)網(wǎng)的網(wǎng)絡環(huán)境(未示出)。客戶可以接著簡單地經(jīng)由服務器(未示出)將輸入圖案上傳到處理器265。控制裝置245可以例如是用于控制系統(tǒng)200、202、204的圖案化速度的掃描控制裝置對5。該掃描控制裝置245在生成圖案45的同時例如動態(tài)地控制聚集光束70、72的光斑尺寸。掃描控制裝置245例如配置成用于調(diào)節(jié)聚集光束70、72的輸出功率，從而確保單位受照射面積的功率保持基本上恒定。聚集光束70、72的優(yōu)選的光斑尺寸例如取決于在該部分圖案45必須被圖案化的最小特征尺寸。光斑尺寸可以例如改變?yōu)樵趫D案45的邊緣附近比較小，從而獲得圖案45邊緣的精確安置?？商鎿Q地，用于圖案45其余部分的光斑尺寸可以例如更大從而加速圖案化處理。另外，經(jīng)由聚集光束70、72沉積的功率不應超過損壞閾值，并且即使當光斑尺寸改變時，應優(yōu)選地保持基本上恒定。通過將具有更高功率密度的聚集光束70、72以更大速度移動跨過掃描區(qū)域100，可以實現(xiàn)這一點(見圖3)。因此，將使用更少的圖案化時間來生成基本上相同的圖案45。系統(tǒng)202也可以包括另一輻射裝置212，該另一輻射裝置生成另一聚集光束72并且由掃描控制裝置245控制。另一聚集光束72優(yōu)選地與輻射裝置210的聚集光束70相比具有不同光斑尺寸。掃描控制裝置245在生成圖案45的同時例如動態(tài)地選擇輻射裝置210 和/或另一輻射裝置212。輻射裝置210和另一輻射裝置212 二者可以被校準，使得聚集光束70和另一聚集光束72 二者的比如光斑尺寸和單位受照射面積功率的特性是公知的。掃描控制裝置245因而能夠在需要時快速地從輻射裝置210切換到另一輻射裝置212，典型地比系統(tǒng)200、202、204包括單個輻射裝置210的情形快得多，在該單個輻射裝置210中光斑尺寸和功率必須依賴于必須被圖案化的細節(jié)水平而被調(diào)節(jié)。例如，圖案的邊緣可以利用光斑尺寸較小的輻射裝置210、212來生成，而圖案的中心可以利用具有基本上相同的單位面積光子劑量光斑尺寸較大的輻射裝置210、212來生成。因此，同樣可以提高掃描速度?？刂蒲b置245也可以是功率控制裝置M5，其用于控制單位時間單位受照射面積的功率從而防止損壞發(fā)光二極管器件10、12。該功率控制裝置245可以例如控制輻射裝置 210,212和掃描裝置220從而應用較早與圖3A至3C —起討論的不同掃描策略。圖4A示出根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)200的示意性表示。圖4B示出包括另一輻射裝置 212的根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)202的示意性表示。圖4B所示的系統(tǒng)202還包括用于組合聚集光束70和另一聚集光束72的組合光學元件214。圖4C示出包括校準裝置270 J80的系統(tǒng)204的示意性表示。緊接著具有驅(qū)動器 240的輻射裝置210、具有驅(qū)動器M5的掃描裝置220、聚焦裝置230、包括轉(zhuǎn)換裝置沈0的處理器沈5以及輸入裝置250，圖4所示的系統(tǒng)300還包括校準裝置270J80，其用于校準系統(tǒng)204從而生成所需的圖案45，同時基本上防止損壞發(fā)光二極管器件10、12的任何其余層。校準裝置270、280可以例如被用于確定聚集光束70的光斑尺寸和/或用于確定所得到的圖案45中變形40A、40B、42A、42B的光斑尺寸。聚集光束70的光斑尺寸和/或所得到的圖案45中變形40A、40B、42A、42B的光斑尺寸的確定可以利用反饋系統(tǒng)270、280來完成，該反饋系統(tǒng)例如包括提供反饋給用戶的相機270?？商鎿Q地，反饋相機270可以連接到圖像處理模塊觀0，該圖像處理模塊包括經(jīng)由其可以自動地確定光斑尺寸的圖像處理軟件。 為了確定所得到的圖案45中的光斑尺寸，可以應用測試圖案(未示出)，在已經(jīng)圖案化之后測量該測試圖案。測試圖案中變形40A、40B、42A、42B的所測量的尺度可用于確定聚集光束 70的正確條件，從而能夠生成所需的圖案45。由于測試圖案可能太小而不可見，這種反饋相機270的放大倍率優(yōu)選地相對較高從而使得測試圖案能夠相對較小，這是因為測試圖案優(yōu)選地對于用戶是不可見的。可替換地，測試圖案可以在發(fā)光二極管器件10、12的邊緣生成。使用小的基本上不可見的測試圖案使得能夠在跨過發(fā)光二極管器件10、12的不同位置處生成測試圖案，并且因此，跨過發(fā)光二極管器件10、12用于生成所需的圖案45的局部條件可以被測量并且對發(fā)光二極管器件10、12的校準可以跨過發(fā)光二極管器件10、12表面完成。這也將確保在發(fā)光二極管器件10、12中的局部制作變化在校準期間被考慮到，從而進一步提高在圖案化發(fā)光二極管器件10、12上生成的圖案45的質(zhì)量。圖4C所示的系統(tǒng)204還包括用于在基本上平行于投射聚集光束70的方向上移動發(fā)光二極管器件10、12的平臺四0。在圖4C所示的系統(tǒng)204中，圖像處理單元280連接到聚焦裝置230和平臺四0，用于響應于相機270捕獲的且圖像處理單元280處理的圖像而控制聚焦裝置230和平臺四0的位置。在這方面，此處公開的圖像處理單元觀0典型地包括處理器(未示出)，該處理器可以例如包括存儲在處理器上的圖像處理軟件。該處理器也可使用來自圖像處理的結(jié)果從而控制和/或驅(qū)動平臺290和聚焦裝置230。然而，該處理器也可嵌入在用于生成圖案化發(fā)光二極管器件10、12的已經(jīng)存在的處理器沈5中。圖5示出說明根據(jù)本發(fā)明用于生成圖案化發(fā)光二極管器件10、12的系統(tǒng)200、202、 204的校準方法的流程圖。圖5的流程圖包括“設定初始參數(shù)”400的步驟，在該步驟中設定聚集光束70和/或另一聚集光束72的參數(shù)，且連同設定掃描速度和典型平臺290位置和聚焦裝置230的焦點位置。這種初始參數(shù)可以例如取決于放置在平臺290上的發(fā)光二極管器件10、12的初始特性。對于不同類型的發(fā)光二極管器件10、12，不同初始參數(shù)設定可以是已知的，并且通過選擇待圖案化的特定發(fā)光二極管器件10、12，相應的初始參數(shù)可以被選擇，使得所述初始參數(shù)基本上對應于所選擇的特定發(fā)光二極管器件10、12。優(yōu)選地，初始參數(shù)明顯低于任何光引起損壞的閾值。特定發(fā)光二極管器件10、12的信息可以經(jīng)由用戶、操作員被接收，或者可以從發(fā)光二極管器件10、12上的識別標簽自動獲得，比如經(jīng)由包括關于特定發(fā)光二極管器件10、12的信息并且可以被讀取或以其它方式傳遞到處理器沈5 (見圖4)的條形碼或RFID芯片自動獲得。流程圖中的下一個步驟包括“輻照LED器件”410，在該步驟期間，當測試圖案小得人肉眼基本上不可見時，例如至少一部分測試圖案被應用到發(fā)光二極管器件10、12的邊緣或者發(fā)光二極管器件10、12的任何其它位置。測試圖案包括應用到反光層32的變形，例如， 具有某一范圍的不同密度和/或尺寸從而確定獲得特定灰度級和/或獲得特定最小特征尺度所需的參數(shù)的變形。在生成測試圖案之后，“遮擋/斷開聚集光束70”步驟420用于中斷光束70以使得相機能夠檢查所生成的測試圖案。光束70的中斷可以通過簡單地遮擋輻射裝置210來獲得，當使用激光光源210時這會是特別有益的，這是因為在激光光源210保持接通時它提高了來自激光光源210的輸出光的穩(wěn)定性并且聚集光束70的中斷是通過遮擋聚集光束70 而不是通過切斷輻射裝置210來完成的。可替換地，聚集光束70的中斷可以通過切斷光源 210來完成。隨后，相機270在“捕獲相機圖像”步驟430中捕獲所生成的測試圖案的圖像，并且所捕獲的圖像在“分析所捕獲的圖像”步驟440中被分析。該步驟可以經(jīng)由操作員或者自動地經(jīng)由圖像處理模塊觀0中的圖像處理軟件完成。根據(jù)所捕獲的圖像，圖像處理模塊 280確定變形40A、40B、42A、42B是否具有所需的尺度以及是否存在由于聚集光束70引起的對發(fā)光二極管器件10、12的某種損壞。此時，“圖像OK ？ ”步驟450用于檢查所分析的圖像是否表明當前設定的參數(shù)對于生成圖案45是正確的。如果參數(shù)是正確的，圖案化可以在接下來的“開始圖案化”步驟470 中開始?？商鎿Q地，可以在“調(diào)整參數(shù)”步驟460中調(diào)整參數(shù)。在“調(diào)整參數(shù)”步驟460中調(diào)整參數(shù)之后，可以在“開始圖案化”步驟470中開始圖案化，因為明顯的是經(jīng)調(diào)整的參數(shù)對于生成所需的圖案45是正確的?？商鎿Q地，從“調(diào)整參數(shù)”步驟460，校準方法可以經(jīng)由 “輻照OLED器件”步驟410生成下一個測試圖案，之后相機將捕獲新的圖像，該圖像隨后同樣在“分析所捕獲的圖像”步驟440中被分析。以此方式，可以反復地確定用于生成圖案45 所需的參數(shù)。應指出，上述實施例說明而非限制本發(fā)明，并且本領域技術人員將能夠設計許多可替換實施例而不背離所附權利要求的范圍。在權利要求中，置于括號之間的任何附圖標記不應解讀為限制權利要求。動詞“包括”及其變型的使用不排除存在權利要求中列舉的元件或步驟之外的元件或步驟。元件之前的冠詞“一”不排除存在多個這種元件。本發(fā)明可以借助包括若干不同元件的硬件來實施。在羅列若干裝置的器件權利要求中，若干這些裝置可以由同一項硬件實施。在互不相同的從屬權利要求中記載某些措施的純粹事實不表示這些措施的組合不能有利地使用。
權利要求
1.一種圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)，包括發(fā)光材料層(20)，并且包括通過該圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)的光發(fā)射窗口(64)是可見的反光層(32)，該反光層(32)包括由該反光層(32)的局部變形(40A、40B、42A、42B)構成的圖案(45)。
2.如權利要求1所述的圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)，其中該發(fā)光二極管器件(10、 12)的發(fā)光材料(20)布置在陽極層(32)和陰極層(30)之間，該陽極層(32)或陰極層(30) 為包括由變形(40A、40B、42A、42B)構成的圖案(45)的該反光層(32)，同時基本上維持該反光層(32)的平行于反光層(32)的導電性。
3.如權利要求1和2中任意一項所述的圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)，其中該圖案 (45)包括多個灰度級，不同灰度級包括不同密度的該反光層(32)的變形(40A、40B、42A、 42B)，和/或包括不同高度(h)的該反光層(32)的變形(40A、40B、42A、42B)，該高度(h)為基本上垂直于該反光層(32)的尺度。
4.如權利要求1、2和3中任意一項所述的圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)，其中該反光層(32)配置成利用電磁輻射(70、72)局部輻照，從而局部加熱該反光層(32)以使該反光層(32)局部變形。
5.如權利要求4所述的圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)，其中該反光層(32)配置成在利用功率低于該圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)的任何層的燒蝕閾值的電磁輻射(70、72) 輻照時局部變形。
6.如權利要求4和5中任意一項所述的圖案化發(fā)光二極管器件(10)，其中用于生成變形(40A、40B、42A、42B)的電磁輻射(70、72)的波長是在320納米和2000納米之間的范圍內(nèi)。
7.如權利要求4、5和6中任意一項所述的圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)，其中該圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)包括陽極層(32)和陰極層(30)，以及其中該陽極層(32)或該陰極層(30)的至少一部分配置成對該電磁輻射(70、72)是基本上透明的。
8.如權利要求4、5、6和7中任意一項所述的圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)，其中該圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)密封在封裝(60)中，以及其中至少一部分該封裝(62)配置成對該電磁輻射(70、72)是基本上透明的。
9.一種生成圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)的方法，該圖案化發(fā)光二極管器件包括發(fā)光材料層(20)并且包括通過該圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)的光發(fā)射窗口(64)是可見的反光層(32)，該生成方法包括下述步驟-使該反光層(32)局部變形用于生成構成該圖案(45)的變形(40A、40B、42A、42B)。
10.如權利要求9所述的生成方法，其中局部變形的步驟包括-照射步驟，其利用用于生成該圖案(45)的電磁輻射(70、72)照射一部分該反光層 (32)，該電磁輻射(70、72)局部改變該反光層(32)的溫度用以使該反光層(32)變形，同時功率低于該發(fā)光二極管器件(10、12)的任何層的燒蝕閾值，和/或-沖壓步驟，其通過將包括該圖案(45)或另一圖案的沖模擠壓到該反光層(32)而生成該圖案(45)。
11.如權利要求10所述的生成方法，其中該照射步驟包括利用聚集光束(70、72)局部照射該反光層(32)。
12.如權利要求10和11中任意一項所述的生成方法，其中使該反光層(32)局部變形的步驟是在該發(fā)光二極管器件(10、12)的生產(chǎn)過程期間執(zhí)行。
13.如權利要求10、11和12中任意一項所述的生成方法，其中該圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)包括陽極層(32)和陰極層(30)，以及其中該發(fā)光二極管器件(10、12)的該陽極層(32)和/或該陰極層(30)的至少一部分配置成對該電磁輻射(70、72)是基本上透明的， 使該反光層(32 )局部變形的步驟是通過利用聚集光束(70、72 )通過該陽極層(32 )或者通過該陰極層(30)輻照該反光層(32)來執(zhí)行的。
14.如權利要求10、11、12和13中任意一項所述的生成方法，其中該發(fā)光二極管器件 (10,12)密封在封裝(60)中，至少一部分該封裝(62)配置成對該電磁輻射(70、72)是基本上透明的，以及其中使該反光層(32)局部變形的步驟包括通過利用聚集光束(70、72)通過至少一部分該封裝(62 )輻照該反光層(32 )。
15.如權利要求10、11、12、13和14中任意一項所述的生成方法，其中使該反光層(32) 局部變形的步驟包括改變局部變形的密度用于生成多個灰度級的步驟和/或包括改變變形(40A、40B、42A、42B)的高度用于生成多個灰度級的步驟，所述不同灰度級分別包括該反光層(32)上變形(40A、40B、42A、42B)的不同水平的密度和/或該反光層(32)上變形(40A、 40B、42A、42B)的不同高度(h)，該高度(h)為基本上垂直于該反光層(32)的尺度。
16.一種系統(tǒng)(200、202、204)，用于生成如權利要求1至9中任意一項所述的圖案化發(fā)光二極管器件(10)，和/或用于執(zhí)行如權利要求10至15中任意一項所述的生成方法。
17.權利要求16所述的系統(tǒng)(200、202、204)，其中該系統(tǒng)(200、202、204)包括用于生成聚集光束(70、72)的輻射裝置(210、212);以及用于移動該聚集光束(70、72)跨過發(fā)光二極管器件(10、12)從而生成該圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)的掃描裝置(220)。
18.權利要求16和17中任意一項所述的系統(tǒng)(200、202、204)，其中該系統(tǒng)(200、202、 204)包括用于控制該聚集光束(70、72)的焦點位置的聚焦裝置(230)。
19.權利要求16、17和18中任意一項所述的系統(tǒng)(200、202、204)，其中該系統(tǒng)(200、 202、204)包括用于控制該聚集光束(70、72)的能量水平、顏色和/或掃描速度的裝置(220、 240、242)。
20.權利要求16至19中任意一項所述的系統(tǒng)(200、202、204)，其中該系統(tǒng)(200、202、 204)還包括用于接收用于應用在發(fā)光二極管器件(100)上從而生成該圖案(45)的輸入圖案(110)的輸入裝置(250)，并且包括用于將該輸入圖案(110)轉(zhuǎn)換成該聚集光束(70、72) 的移動和/或轉(zhuǎn)換成該聚集光束(70、72)的光斑尺寸和/或轉(zhuǎn)換成該聚集光束(70、72)的強度變化和/或轉(zhuǎn)換成該聚集光束(70、72)的顏色變化從而用于生成該圖案(45)的轉(zhuǎn)換裝置(260)。
21.權利要求16至20中任意一項所述的系統(tǒng)(200、202、204)，其中該系統(tǒng)(200、202、 204)還包括用于確定該聚集光束(70、72)的光斑尺寸和/或用于確定該圖案(45)中的光斑尺寸的校準裝置(270、280 )。
22.權利要求16至21中任意一項所述的系統(tǒng)(200、202、204)，其中該系統(tǒng)包括用于控制該系統(tǒng)(200、202、204)用于生成該圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)的圖案化速度的掃描控制裝置(245 )，該掃描控制裝置(245 )配置成用于-在生成該圖案(45)的同時動態(tài)地控制該聚集光束(70、72)的光斑尺寸，該掃描控制裝置(245 )進一步配置成用于調(diào)節(jié)該聚集光束(70、72 )的輸出功率從而確保單位受照射面積的功率保持基本上恒定，和/或-控制生成另一聚集光束(72)的另一輻射裝置(212)，該另一聚集光束具有與該輻射裝置(210)的聚集光束(70)相比不同的光斑尺寸，該系統(tǒng)(200、202、204)包括該另一輻射裝置(212)并且在生成該圖案(45)的同時，該掃描控制裝置(245)動態(tài)地選擇該輻射裝置 (210 )和/或該另一輻射裝置(212 )，和/或-依賴于該聚集光束(70)和/或該另一聚集光束(72)的光斑尺寸，和/或依賴于由該聚集光束(70)和/或該另一聚集光束(72)發(fā)射的單位受照射面積的功率，控制該掃描裝置 (220)，和 / 或-跳過將該聚集光束(70)和/或該另一聚集光束(72)掃描跨過該發(fā)光二極管器件 (10、12)的非圖像區(qū)域(46、47)從而增大圖案化速度，所述非圖像區(qū)域(46、47)不需要該聚集光束(70)或該另一聚集光束(72)的輻照從而生成該圖案(45)。
23.權利要求16至22中任意一項所述的系統(tǒng)(200、202、204)，其中該系統(tǒng)(200、202、 204)包括用于控制單位時間單位受照射面積的功率從而防止損壞該發(fā)光二極管器件(10、 12)的功率控制裝置(245)，該功率控制裝置(245)配置成用于-在逐行掃描模式中在單向掃描方向(110)或雙向掃描方向(110、112)上以基本上恒定掃描速度，將該聚集光束(70)和/或另一聚集光束(72)掃描跨過掃描區(qū)域(100)，同時調(diào)制該輻射裝置(210)和/或該另一輻射裝置(212)的功率從而控制用于生成該圖案(45) 的單位時間單位受照射面積的功率，該掃描區(qū)域(100)為該發(fā)光二極管器件(10、12)的被掃描從而生成該圖案(45)的區(qū)域，和/或-在該逐行掃描模式中在該掃描區(qū)域(100)外部使掃描方向反向，用以確保在該掃描區(qū)域(100)內(nèi)的掃描速度等于所要求的掃描速度，和/或-在該逐行掃描模式中跳過位于先前掃描線和當前掃描線之間的預定義數(shù)目的掃描線(110、112)，和 / 或-在初始化跨過該掃描區(qū)域(100)的下一個掃描之前，應用掃描延遲，從而控制用于生成該圖案(45)的單位時間單位受照射面積的功率。
24.校準權利要求16至23中所述的系統(tǒng)(200、202、204)的方法，其中該校準方法包括下述步驟-設置該系統(tǒng)(200、202、204)用于生成該圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)的該聚集光束(600)的初始參數(shù)，-利用該聚集光束(70、72)局部輻照該發(fā)光二極管器件(10、12)，從而在該反光層 (32)中生成包括變形的測試圖案，-從該測試圖案確定用于生成該圖案(45)的該聚集光束(70、72)的強度和/或掃描速度。
25.權利要求M所述的校準方法，其中該方法還包括下述步驟-調(diào)節(jié)該聚集光束(70)和/或另一聚集光束(72)的焦點位置。
26.權利要求M和25中任意一項所述的校準方法，其中該校準方法是在生成該圖案 (45)之前在該發(fā)光二極管器件(10、12)的不使用的邊緣處執(zhí)行的。
27.權利要求對、25和沈中任意一項所述的校準方法，其中該測試圖案的尺度配置成對于人肉眼是基本上不可見的。
全文摘要
本發(fā)明涉及圖案化發(fā)光二極管器件(10、12)，其包括發(fā)光材料層(20)并且包括通過圖案化發(fā)光二極管器件的光發(fā)射窗口(64)是可見的反光層(32)。反光層包括由反光層的局部變形(40A、40B、42A、42B)構成的圖案(45)?？梢越?jīng)由將可經(jīng)由反光層的后壁33進入的聚集光束(70、72)投射在反光層上，或者經(jīng)由將聚集光束通過光發(fā)射窗口投射在反光層上，生成該圖案。優(yōu)選地生成該變形而不太多改變反光層的導電性。此圖案化發(fā)光二極管器件的效果在于，在發(fā)光二極管器件的接通狀態(tài)期間以及斷開狀態(tài)期間，圖案均保持是清楚可見的。此外，反光層可以優(yōu)選地為發(fā)光二極管器件的陽極層32或陰極層30。因此，通過維持反光層的導電性，可以生成基本上任何圖案，同時圖案化發(fā)光二極管器件在工作時仍從整個發(fā)光材料發(fā)射光。
文檔編號H01L51/52GK102239582SQ200980148662
公開日2011年11月9日 申請日期2009年11月30日 優(yōu)先權日2008年12月5日
發(fā)明者A. 弗舒?zhèn)?C., M. 德科克 M. 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司