專利名稱：超薄多基板的顏色可調(diào)的有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本技術(shù)大體而言涉及由有機(jī)發(fā)光材料形成的大面積標(biāo)示牌、發(fā)光和類似顯示器。 具體而言，本技術(shù)提供了用于從這些材料制造顏色可調(diào)的標(biāo)牌的方法。
背景技術(shù)：
這部分預(yù)期向讀者介紹可涉及本技術(shù)的方面的技術(shù)方面，本技術(shù)在下文中描述和 /或主張。認(rèn)為此處的討論有助于向讀者提供背景信息以便于更好地理解本技術(shù)的各個方面。因此，應(yīng)了解這些陳述要從這個角度來閱讀，而不認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)。
在電路和顯示器技術(shù)中的發(fā)展趨勢涉及實施利用電活性有機(jī)材料的電子和光電裝置。這些裝置提供基于硅的電子裝置的低成本、高性能替代。一種這樣的裝置是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。OLED是固態(tài)半導(dǎo)體裝置，其實施有機(jī)半導(dǎo)體層以將電能轉(zhuǎn)換成光。一般而言，通過在兩個導(dǎo)體或電極之間安置由電致發(fā)光有機(jī)材料制成的多個薄膜層而制造0LED。 電極層和有機(jī)層通常安置于兩個基板(諸如玻璃或塑料)之間。OLED通過從電極接受相反極性的電荷載體(電子和電洞)而操作。外部施加的電壓驅(qū)動電荷載體到重組區(qū)域以產(chǎn)生發(fā)光。與許多基于硅的裝置不同，可使用低成本、大面積薄膜沉積過程來加工0LED，這種沉積過程允許制造超薄、輕質(zhì)發(fā)光顯示器。已經(jīng)在實施OLED提供總面積照明方面取得了重大發(fā)展。
大面積OLED裝置通常組合在單個基板上或基板組合上的許多個別0LED，該基板組合具有在每個基板上的多個個別OLED。OLED裝置的組通常串行和/或并行耦接來形成 OLED裝置陣列，OLED裝置陣列可用于例如顯示、標(biāo)牌或光照應(yīng)用。對于這些大面積應(yīng)用，可需要在陣列中形成大發(fā)光面積，同時最小化由于缺陷而不能發(fā)光的面積。
一般而言，裝置由單個層形成，單個層可包含多個并排布置的OLED裝置，因為用于陰極的電極材料可能是不透明的。為了形成不同的顏色或為了提高裝置的可靠性，不同的裝置可在裝置表面上以串行或者并行方式連接。然而，雖然在基板層中的許多互連裝置的組合可提高大面積OLED裝置的可靠性，但這可能會限制個別特點的最小尺寸。此可提供粗“像素”或大的非發(fā)光面積，這可能會使得標(biāo)牌或圖片中的細(xì)微特點的產(chǎn)生難以顯示。而且，人眼可能看到粗像素，當(dāng)需要均勻的外觀時，使混色困難。最后，互連會增加顯示面板的成本，這可能使之對于低端應(yīng)用不實用。同樣，具有細(xì)微特點的像素化顯示器可由可個別地尋址的點制成，可個別地尋址的點連接成無源或有源矩陣，但由此產(chǎn)生的面板的復(fù)雜性和因此成本可能會限制到高端應(yīng)用中的使用。

發(fā)明內(nèi)容
本技術(shù)的實施例提供一種照明面板(illuminated panel)，其包括裝置，該裝置具有陰極；包括電致發(fā)光有機(jī)材料的層，其與陰極電接觸；以及，陽極，其與該層電接觸。陰極和陽極是電連續(xù)的(electrically contiguous)。電致發(fā)光有機(jī)材料包括小于大約5000 微米大小的發(fā)光區(qū)域。
另一實施例提供制造發(fā)光組件的方法，其包括形成一個或多個裝置。形成一個或多個裝置中每一個包括將包括電致發(fā)光有機(jī)材料的層形成為大小小于大約5000微米的發(fā)光區(qū)域；和，將該層放置成與電連續(xù)的陽極和電連續(xù)的陰極電接觸。
另一實施例提供一種系統(tǒng)，其包括電控制和電源單元和一個或多個發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置被配置成由電控制和電源單元個別地照明。每個發(fā)光裝置包括電連續(xù)的陰極； 包含一種或多種電致發(fā)光有機(jī)材料的層，其與陰極電接觸；和，陽極，其中陽極是電連續(xù)的且與該層電接觸。陰極，陽極，或兩者被圖案化(patterned)以在電致發(fā)光有機(jī)材料內(nèi)激勵大小小于大約5000微米的發(fā)光區(qū)域。


當(dāng)參看附圖來閱讀本技術(shù)下文的詳細(xì)描述時，本技術(shù)的這些和其它特點、方面和優(yōu)點將變得更好理解，在所有附圖中，相似的附圖標(biāo)記表示相似的部件，其中 圖1是示出根據(jù)本技術(shù)的實施例的裝置的頂視圖的繪圖，該裝置具有小陰極區(qū)域，該小陰極區(qū)域可允許通過未被陰極覆蓋的區(qū)域看到自更深結(jié)構(gòu)的光。
圖2是示出根據(jù)本技術(shù)的實施例的裝置的頂視圖的繪圖，該裝置具有小陰極區(qū)域，該小陰極區(qū)域可允許通過未被陰極覆蓋的區(qū)域看到自更深結(jié)構(gòu)的光，示出了從邊緣激勵； 圖3是根據(jù)本技術(shù)的實施例的圖1裝置的截面圖，其示出用于激勵未連接的電極區(qū)域的一種方法； 圖4是根據(jù)本技術(shù)的實施例的裝置的截面圖，其示出用于照亮電致發(fā)光有機(jī)材料區(qū)域的方法； 圖5是根據(jù)本技術(shù)的實施例的形成為單個多層結(jié)構(gòu)的兩個裝置的截面圖； 圖6是根據(jù)本技術(shù)的實施例的由三個裝置制成的多層結(jié)構(gòu)的截面；以及 圖7是根據(jù)本技術(shù)的實施例的完整的顏色可調(diào)的OLED系統(tǒng)的截面圖。
具體實施例方式將在下文中描述本技術(shù)的一個或多個具體實施例。為了提供這些實施例的簡潔描述，在說明書中未描述實際實施方式的所有特點。應(yīng)了解在任何這樣實際實施方式的發(fā)展中(如在任何工程或設(shè)計項目中)，必須做出許多具體實施決策來實現(xiàn)開發(fā)者的具體目的 (諸如符合系統(tǒng)相關(guān)和商務(wù)相關(guān)約束)，對于不同的實施方式，這種約束可不同。此外，應(yīng)了解，這些開發(fā)努力可為復(fù)雜的且耗時的，但仍是受益于本公開內(nèi)容的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員設(shè)計、制作和制造的常規(guī)任務(wù)。
介紹 本技術(shù)包括用于用發(fā)光層產(chǎn)生顏色可調(diào)的有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)的系統(tǒng)和方法， 該發(fā)光層具有非常小的電致發(fā)光材料的照明區(qū)域，如點或線。照明區(qū)域被一種或多種圖案化電極材料激勵(energized)，可形成能傳達(dá)信息的設(shè)計(design)或圖片。例如，可通過沉積電極材料的小區(qū)域或結(jié)構(gòu)(例如，通過陰影遮罩來熱沉積電極材料)來圖案化電極材料。 在任何單個層的電極材料可被制成電連續(xù)的以形成單個裝置。
多個發(fā)光裝置可組合形成多層、顏色可調(diào)裝置，其中每個裝置或?qū)涌杀粋€別或同時照明。如在本申請中所使用的，發(fā)光所通過的裝置的表面被指定為前表面。因此，指定裝置為較近，表示該裝置相對于相比較的裝置更靠近該發(fā)光表面。同樣，指定裝置為較遠(yuǎn)， 表示該裝置相對于相比較的裝置距發(fā)光表面更遠(yuǎn)。由于電極材料通常為反射性的或不透明的，使電極材料圖案化可允許光從較遠(yuǎn)裝置通過無電極材料沉淀的較近裝置中的區(qū)域傳遞。例如，裝置之一(如在多層結(jié)構(gòu)中的最遠(yuǎn)的裝置)可能在電致發(fā)光有機(jī)材料上具有固體電極層，該電致發(fā)光有機(jī)材料可發(fā)光，光可在較靠近前表面的裝置中的沉積了電極材料的區(qū)域之間傳遞。這種結(jié)構(gòu)可允許通過較遠(yuǎn)裝置和較近裝置的個別激勵來調(diào)整自裝置發(fā)出的顏色。
在多層結(jié)構(gòu)中的每個發(fā)光層在一單獨裝置中，該單獨裝置包含置于負(fù)電極(或陰極)和正電極(或陽極)之間的一種或多種電致發(fā)光有機(jī)材料。電致發(fā)光有機(jī)材料充當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體，形成可具有大表面面積的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。而且，雖然在每個裝置中一個電極或兩個電極可被圖案化，但每個電極是電連續(xù)的，例如在單個層中通常沒有陽極至陰極或串行互連，且因此每個裝置是單個0LED。因為無需在每一層中互連多個裝置的復(fù)雜機(jī)制，這可導(dǎo)致成本相對較低的面板。
使用圖案化電極來形成裝置可在圖1所示的頂視圖中示出。這個實例只是示出了一種可能的配置。也可以構(gòu)建任意多種其它配置。如圖1所示，裝置10可具有電極區(qū)域 12，通過將電極材料沉積成在電致發(fā)光有機(jī)材料上的圖案而形成電極區(qū)域12。電極區(qū)域12 可與空區(qū)域14交替，空區(qū)域14可沒有電極材料沉積。而且，電極區(qū)域12可能太小而不能個別地被人眼辨別。例如，電極區(qū)域12的大小16可小至50微米，而在其它實施例中，電極區(qū)域的大小可為100微米，200微米或更大，視應(yīng)用而定。在其它實施例中，例如在可位于距觀察者一段距離處的大型面板或標(biāo)牌中，較大電極區(qū)域12(例如500微米，1000微米，或甚至更大)可為實用的?？蛇x擇發(fā)光區(qū)域的大小以控制彩色區(qū)域的性質(zhì)。例如，較大發(fā)光區(qū)域可用于更大或更少的細(xì)節(jié)設(shè)計，或更少的顏色混合，而較小的發(fā)光區(qū)域可用于制備細(xì)節(jié)設(shè)計，或平滑顏色混合?？諈^(qū)域14可與電極區(qū)域12具有相同的大小18，或者更大(例如， 如果需要從多層結(jié)構(gòu)中更低的裝置透射更多的光)。在各種實施例中，沒有電極區(qū)域12的更大的空區(qū)域20可允許做出設(shè)計，例如，形成標(biāo)牌，標(biāo)識和其它圖案。
電極區(qū)域12可由任意多種技術(shù)激勵。例如，電極區(qū)域12可被覆蓋在電極區(qū)域12 頂部的導(dǎo)電層互連，這通常不能激勵電致發(fā)光有機(jī)材料，如關(guān)于圖3所討論的那樣。在另一實施例中，電極區(qū)域12可以連續(xù)互連方式形成，諸如圖2所示的線圖案，允許從(例如)位于裝置10邊緣的單個連接22激勵?？筛鶕?jù)應(yīng)用、激勵技術(shù)和沉積技術(shù)的需要來選擇發(fā)光區(qū)域的形狀。例如，電極區(qū)域12可使用關(guān)于圖3所討論激勵技術(shù)形成為非連接的形狀，諸如點。
圖3是裝置30的截面圖，裝置30可包含小電極區(qū)域12，如關(guān)于圖1和2所討論的那樣。電極區(qū)域12可為不連續(xù)的，如果導(dǎo)電層32沉積在電極區(qū)域12上來互連它們。例如，氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電層32可允許電流導(dǎo)向電極區(qū)域12，但是可具有太高的功函數(shù)(如下文討論)而不能充當(dāng)陰極(例如)以將電子轉(zhuǎn)移到電致發(fā)光有機(jī)材料34。電極區(qū)域12 可由較低功函數(shù)的材料形成，例如，NaF和鋁的分層結(jié)構(gòu)。由于電極材料12可為反射性的或不透明，所發(fā)出的光36通?？筛軓碾姌O區(qū)域12的相對側(cè)看到。
裝置與材料 在圖3所示的實施例中，裝置30可具有單個電致發(fā)光有機(jī)材料層34。在其它實施例中，可使用多種電致發(fā)光材料。任意多種電致發(fā)光有機(jī)材料可用在當(dāng)前技術(shù)中。例如， 這種材料可包括被定制成在確定波長范圍內(nèi)發(fā)光的電致發(fā)光有機(jī)材料。電致發(fā)光有機(jī)材料 34的層厚度可大于大約40納米或可小于大約300納米。電致發(fā)光有機(jī)材料層34可包括 (例如)聚合物，共聚物或聚合物的混合物。例如，合適的電致發(fā)光材料可包括聚N-乙烯咔唑(PVK)及其衍生物；聚芴(polyfluorene)及其衍生物，諸如聚烷基芴，例如聚_9，9-正己芴，聚二辛基芴或聚_9，9-雙-3，6- 二氧雜庚基-芴-2，7- 二基；聚對苯及其衍生物，諸如聚-2-癸氧基-1，4-苯或聚-2，5- 二庚基-1，4-苯；聚對苯乙炔及其衍生物，諸如二烷氧基取代的PPV和氰基取代的PPV ；聚噻吩及其衍生物，諸如聚-3-烷基噻吩，聚-4，4’- 二烷基-2，2’- 二噻吩，聚-2，5-亞噻吩基乙炔；聚吡啶乙炔及其衍生物；聚喹喔啉及其衍生物； 和聚喹啉及其衍生物。在一實施例中，一種合適的電致發(fā)光材料是以N，N-二 4-甲基-苯基4-苯胺封端的聚-9，9- 二辛基芴-2，7- 二基。也可使用這些聚合物的混合物或基于這些聚合物的一種或多種共聚物。
可用作電致發(fā)光有機(jī)材料34的其它合適材料包括聚硅烷。聚硅烷是線性聚合物， 具有由烷基和/或芳基側(cè)基取代的硅骨架。聚硅烷是準(zhǔn)一維材料，具有沿著聚合物主鏈的離域的Σ -共軛電子。聚硅烷的實例包括聚二正丁基硅烷，聚二正苯基硅烷，聚二正己基硅烷，聚甲基苯基硅烷和聚對丁基苯基硅烷。
在一實施例中，分子量小于大約5000(包括芳香單元)的有機(jī)材料可用作電致發(fā)光有機(jī)材料；34。這種材料的實例是1，3，5三[N-(4-二苯氨基苯基)苯氨基]苯，其發(fā)出波長范圍大約380納米到大約500納米的光。這些電致發(fā)光有機(jī)材料可從有機(jī)分子制備，諸如苯基蒽，四芳基乙烯，香豆素，紅熒烯，四苯基丁二烯，蒽，茈，蔻或它們的衍生物。材料可發(fā)出大約520納米的最大波長的光。另外其它合適材料是低分子量金屬有機(jī)配合物，諸如乙酰丙酮鋁、乙酰丙酮鎵和乙酰丙酮銦，其發(fā)出波長范圍從大約415納米到大約457納米的光 ’聚甲基吡啶甲基酮二 _2，6- 二丁基苯氧基鋁或4-甲氧基甲基吡啶甲基酮-雙乙酰丙酮鈧，其發(fā)出波長范圍從大約420納米到大約433納米的光。在可見波長范圍內(nèi)發(fā)光的其它合適材料，可包括有機(jī)金屬配合物8-羥基喹啉，諸如三-8-羥基喹啉鋁及其衍生物。
電致發(fā)光有機(jī)材料34可視情況與相鄰層中的一種或多種非發(fā)光材料接觸。這些非發(fā)光材料層可改進(jìn)電致發(fā)光材料的性能或壽命。非發(fā)光層可包括(例如)電荷傳輸層， 電洞傳輸層，電洞注入層，電洞注入增強(qiáng)層，電子傳輸層，電子注入層，電子注入增強(qiáng)層或其任何組合。例如，電荷傳輸層38在圖3以截面示出。其它實施例可包括其它層(未圖示)。
適合用作電荷傳輸層38的材料的非限制性實例可包括低到中分子量的有機(jī)聚合物，例如，重平均分子量小于每摩爾大約200，000克的有機(jī)聚合物，這使用聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行確定。這些聚合物可包括(例如)聚_3，4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)，聚苯胺，聚3-4丙烯二氧噻吩(PftODOT)，聚苯乙烯磺酸鹽(PSS)，聚乙烯咔唑(polyvinyl cartazole，PVK)，和其它類似材料及其組合。
適合用于電洞傳輸層的材料的非限制性實例可包括三芳基二胺，四苯基二胺，芳香叔胺，腙衍生物，咔唑衍生物，三唑類衍生物，咪唑衍生物，包括一個氨基的惡二唑衍生物，聚噻吩和類似材料。適合用于電洞阻礙層的材料的非限制性實例可包括聚N-乙烯-咔唑和類似材料。
適合用于電洞注入層的材料的非限制性實例可包括“P型摻雜的”質(zhì)子摻雜導(dǎo)電聚合物，諸如質(zhì)子摻雜的聚噻吩或聚苯胺，和P型摻雜的有機(jī)半導(dǎo)體，諸如四氟四氰喹啉二甲烷(F4-TCQN)、參雜有機(jī)和聚合半導(dǎo)體和含三芳胺的化合物和聚合物。電子注入材料的非限制性實例可包括聚芴和其衍生物，三-8-羥基喹啉鋁(AlqIB)，n型摻雜堿金屬堿土金屬的有機(jī)/聚合半導(dǎo)體和類似材料。適合用于電洞注入增強(qiáng)層的材料的非限制性實例可包括亞芳香基化合物，諸如3，4，9，10-茈四-羧酸酐，二 -1，2，5-噻二唑-ρ-喹啉二 -1，3- 二硫環(huán)戊烯和類似材料。
裝置30還具有陽極40。陽極40在裝置30上是電連續(xù)的，例如，允許形成單個電單元，其中所有電致發(fā)光有機(jī)材料34是由陽極40與陰極(例如電極區(qū)域12)之間的單電流供電。雖然陽極40是電連續(xù)的，但它也可被沉積成圖案以激勵裝置中的一些區(qū)域，同時留有不通電的其它區(qū)域，如在下文中關(guān)于圖4所討論的那樣。一般而言，用于陽極40的材料可具有高功函數(shù)，例如，大于大約4.0電子伏特。合適材料可包括(例如)氧化銦錫(ITO)、 氧化錫、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、氧化鋅銦錫、氧化銻和其混合物。包括這種導(dǎo)電氧化物的陽極40的厚度通?？纱笥诖蠹s10納米。在各種實施例中，厚度可在大約10納米至大約 50納米，大約50納米至大約100納米，或者大約100納米至200納米的范圍內(nèi)。
薄透明金屬層也可適合用于陽極40。金屬層的厚度(例如)可小于或等于大約 50納米。在各種實施例中，金屬厚度可在大約50納米至大約20納米的范圍。適合用于陽極40的金屬可包括，例如，銀，銅，鎢，鎳，鈷，鐵，硒，鍺，金，鉬，鋁，或其混合物或其合金。陽極40可通過諸如物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、或濺射在下面的元件上沉積。
可在本技術(shù)的實施例中使用的一種類型的陽極40可由厚度在大約60nm和150nm 之間的氧化銦錫(ITO)沉積層形成。ITO層的厚度可為大約60nm到lOOnm，或可為大約70nm 厚。陽極40的厚度可通過透明度與導(dǎo)電性之間的權(quán)衡決定。陽極40越薄就越透明，就允許更多的光從下層通過。與此相反，陽極40越厚就會阻擋越多的光，但改進(jìn)導(dǎo)電性，這可增加裝置30的壽命。陽極40的厚度可依賴于裝置30在多層結(jié)構(gòu)中的位置。例如，可使在較近裝置中的陽極40比在(例如)較遠(yuǎn)裝置中的陽極40更薄。
裝置30也有陰極，例如，電極區(qū)域20。一般而言，陰極可由具有低功函數(shù)(例如， 小于大約4電子伏特)的金屬材料制成。并非適用作陰極的每種材料都需要具有低功函數(shù)。適合用作陰極的材料可包括 K、Li、Na、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn、Zr、Sc 和 Y。 其它合適材料可包括鑭系元素及其合金或其混合物。適合制造陰極的合金材料實施例可包括Ag-Mg、Al-Li、In-Mg和Al-Ca合金。也可使用分層的非合金結(jié)構(gòu)。這種分層的非合金結(jié)構(gòu)可包括金屬薄層，諸如厚度范圍為大約1納米至大約50納米的鈣。其它這樣的分層的非合金結(jié)構(gòu)可包括被更厚的某些其它金屬層加蓋的非金屬，諸如LiF、KF或NaF。這種合適金屬可包括鋁或銀。陰極可通過物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積或濺射而在下面的層上沉積。 為了形成電極區(qū)域12的圖案，材料可沉積于陰影遮罩上，陰影遮罩可阻擋在空區(qū)域14和用于形成圖案的較大空區(qū)域20中的沉積。
可用于形成非常薄且因此更透明的陰極的一種材料組合可具有由銀制成的大約 7. 5nm至15nm厚或大約IOnm厚的第一層。由鋇制成的大約2. 5nm至6. 5nm厚的層可沉積在銀層下方且與電致發(fā)光有機(jī)材料34接觸。鋇層可大約3nm至4nm厚。與圖案化電極區(qū)域12組合，通過允許自距結(jié)構(gòu)前方較遠(yuǎn)裝置的光更容易地到達(dá)觀察者，這種透明電極還可輔助形成多層結(jié)構(gòu)。
可用于形成導(dǎo)電層32的材料可包括當(dāng)形成薄層時有透明度的導(dǎo)電材料，諸如聚-3，4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)，聚苯胺，聚-3，4-丙烯二氧噻吩(PProDOT)，聚苯乙烯磺酸鹽(PSS)，聚乙烯咔唑(PVK)，A1Q3和其它類似材料。其它合適材料可包括(例如)氧化銦錫(ITO)、氧化錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鋅銦錫、氧化銻和其混合物。也可使用薄透明金屬層，諸如金、銀、銅、鎢、鎳、鈷、鐵、硒、鍺、金、鉬、鋁或其混合物或及其合金；或者碳納米管、 石墨，或類似材料的薄層。一般而言，可用于形成導(dǎo)電層32的材料可具有高功函數(shù)，這允許導(dǎo)電層運送電流到電極區(qū)域12，而不直接激勵電致發(fā)光有機(jī)材料34。
陽極40和電極區(qū)域12可由相應(yīng)基板42支承?；?2可為與裝置30前面和后面相同的材料，或者可選擇不同材料。一般而言，兩類材料可用于基板42，無機(jī)材料和有機(jī)材料。無機(jī)材料(例如，玻璃)可能非常透明且也可充當(dāng)屏障層，防止氧使有機(jī)材料降解。然而，無機(jī)材料可能是脆性的(若厚的話)，不可彎曲，易碎和/或較重的。為了克服這些缺點， 塑料可用于基板42?？捎糜诨?2的非限制性實例包括無機(jī)玻璃、陶瓷箔、聚合材料、填充聚合材料、涂層金屬箔、丙烯酸脂類、環(huán)氧樹脂、聚酰胺、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚酮、聚氧-1， 4-亞苯氧基-1，4-亞苯羰基-1，4-苯羰基-1，4-苯(有時也被稱為聚醚醚酮或(PEEK))、 聚降冰片烯、聚苯氧化物、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜 (PES)、聚苯硫(PPQ和纖維強(qiáng)化塑料(FRP)。在一實施例中，基板可以是柔性的。柔性基板也可由諸如不銹鋼的薄金屬箔形成，只要它們被涂覆絕緣層以使金屬箔與陽極40電隔離 (除非金屬箔充當(dāng)陽極40)。
用于形成裝置30 (諸如電極區(qū)域12、陽極40、電致發(fā)光有機(jī)材料34、電荷傳輸層 38或任何下文討論的層)的材料沉積可使用下列技術(shù)來執(zhí)行，諸如(但不限于)旋涂、浸涂、反輥涂覆、線繞式或邁爾棒(Mayer rod)涂覆、直接和偏移凹版涂覆、槽模涂覆、刮涂、熱熔性涂覆、簾式涂覆、刮刀輥式涂覆、擠壓、氣刀涂覆、噴射、旋篩涂覆、多層坡流涂布、共擠、 彎月面涂覆、逗點微凹版涂覆、光刻過程、朗繆爾(Langmuir)過程和閃蒸、熱或電子束輔助蒸發(fā)、氣相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(“PECVD”)，射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (“RFPECVD”)、擴(kuò)展熱等離子體化學(xué)氣相沉積(“ETPCVD”)、濺射(包括，但不限于，反應(yīng)濺射)、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(ECRPECVD)、電感耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(ICPECVD)及其組合。例如，電極區(qū)域12的沉積可通過以下步驟來執(zhí)行熱蒸發(fā)材料，之后使用陰影遮罩在電致發(fā)光有機(jī)材料34上沉積以防止在空區(qū)域14中形成層。
如果裝置30的最外層(例如，基板42的前面或后面)是塑料的，那么可改進(jìn)屏障性質(zhì)以保護(hù)電致發(fā)光有機(jī)材料34防止其中由于通過塑料擴(kuò)散的氧氣或水蒸氣造成的降解，且從而延長裝置的壽命。例如，屏障涂層44可安置于基板42上或浸漬到基板42內(nèi)，使得屏障涂層44完全覆蓋基板42。屏障涂層44可防止水分和氧氣通過基板42擴(kuò)散。另外， 在前表面中使用的屏障涂層44無須與裝置30后表面所使用的涂層相同。例如，如果后表面具有金屬箔層，那么可不需要屏障涂層44。
屏障涂層44可具有大約IOnm至大約10，OOOnm,或大約IOnm至大約1，OOOnm的厚度范圍?？蛇x擇屏障涂層44的厚度以便不阻礙通過基板的光透射，諸如使光透射減少小于大約20%或者小于大約5%的屏障涂層44。也可控制屏障涂層44的材料和厚度來保持基板42的柔性，而不會因彎曲而顯著地降級。如下面進(jìn)一步詳細(xì)討論的那樣，屏障涂層44可包括反應(yīng)物種的任何合適反應(yīng)產(chǎn)物或重組產(chǎn)物。
屏障涂層44可包括諸如(但不限于)下列的材料有機(jī)材料、無機(jī)材料、陶瓷、金屬、或其組合。通常，這些材料可為從等離子體沉積于基板42上的反應(yīng)等離子體物種的反應(yīng)產(chǎn)物或重組產(chǎn)物。在某些實施例中，有機(jī)材料可包括碳、氫、氧和(視情況)其它微量元素，諸如硫、氮、硅等，視反應(yīng)物的類型而定。在涂層中產(chǎn)生有機(jī)組合物的合適反應(yīng)物是直鏈或支鏈烷烴、烯烴、炔、醇、醛、醚、烯氧化物、芳烴等，有高達(dá)15個碳原子。無機(jī)和陶瓷涂層材料通常包括氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、氮氧化物、碳氧化物，或IIA、IIIA、IVA、VA、 VIA、VIIA、IB、IIB族元素的組合；IIIB、IVB和VB族金屬以及稀土金屬。例如，碳化硅可通過自硅烷(SiH4)和諸如甲烷或二甲苯這樣的有機(jī)材料生成的等離子體的重組而沉積到基板42上。硅碳氧化物可從硅烷、甲烷、和氧氣或硅烷和環(huán)氧丙烷生成的等離子體沉積。硅碳氧化物也可從有機(jī)硅前體(諸如四乙氧基硅烷(TEOS)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、六甲基二硅氮烷(HMDSN)或八甲基環(huán)四硅氧烷(D4))生成的等離子體沉積。氮化硅可從硅烷和氨生成的等離子體沉積。碳氧氮化鋁(Aluminum oxycarbonitride)可從氮化鋁(aluminum titrate)和氨的混合物生成的等離子體沉積?？蛇x擇其它反應(yīng)物的組合(諸如金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅)，以獲得所需涂層組合物。
在其它實施例中，屏障涂層44可包括混合的有機(jī)/無機(jī)材料或多層的有機(jī)/無機(jī)材料。有機(jī)材料可包括丙烯酸酯、環(huán)氧樹脂、環(huán)氧胺、二甲苯、硅氧烷、硅酮等。在無需基板 42透明度的應(yīng)用中，大多數(shù)金屬也可適用于屏障涂層44，例如，當(dāng)基板42用作裝置30的后表面時。另外，屏障涂層44可設(shè)于基板42的內(nèi)表面上，直接與電極相臨，或者屏障涂層44 可在基板42的外表面上。可在適當(dāng)情況下使用其它屏障層。例如，附在后裝置的后層下方的反射性箔層可充當(dāng)屏障層。另外，附在前裝置的前層上的在光學(xué)上透明或略微不透明的薄玻璃片也可充當(dāng)屏障層。
在一實施例中，裝置30可通過首先在塑料基板42上形成屏障涂層42而制成。在屏障涂層44上，陽極40 (例如氧化銦錫(ITO))，可使用上文討論的技術(shù)中的任何技術(shù)(諸如濺射)而沉積。一個或多個有機(jī)材料層可沉積在陽極40上。這些層可包括電荷傳輸層 38和電致發(fā)光有機(jī)材料34以及其它層。在各種實施例中，這些層或額外有機(jī)層可通過(例如)使用印刷過程，諸如輪轉(zhuǎn)凹版印刷、噴印等而形成為圖案。可使用各種技術(shù)，例如，在陰影遮罩上熱蒸氣沉積以形成圖案，將電極區(qū)域12(例如，NaF/Ag、鋇、銀等)沉積在有機(jī)材料上。如上文所提到的那樣，導(dǎo)電層32(例如，ITO或另一高功函數(shù)材料)可沉積在電機(jī)區(qū)域 12以形成陽極。最后，另一具有屏障涂層44的基板42可固結(jié)在陰極上。陽極40和導(dǎo)電層 32然后可連接到電源線(未圖示)。
除了圖案化陰極的電極區(qū)域12之外，陽極40也可被圖案化，如由在圖4的截面圖示出。在圖4中示出第一裝置50。為了清楚起見，在圖4至圖7中，未示出電洞傳輸層38， 但是，這個層或上文所討論其它層中的任何層，可視情況存在。在此實施例中，陽極40與陰極(例如電極區(qū)域12)可被圖案化。因此，在激勵后，位于陽極40和陰極的電極區(qū)域12之間的電致發(fā)光有機(jī)材料34可發(fā)光52。但是，不具有有源電極區(qū)域12的電致發(fā)光有機(jī)材料 34的區(qū)域(如附圖標(biāo)記15所示)，可不被照亮。如關(guān)于圖3所討論，電極區(qū)域12可由ITO 層32電連接和激勵，ITO層32不激勵電致發(fā)光材料34。同樣，不具有有源陽極40的電致發(fā)光有機(jī)材料34的區(qū)域(由附圖標(biāo)記56表示)也可不被照亮。如關(guān)于圖3所討論的裝置30，在陰極的大體上反射性的電極區(qū)域12對面，自裝置發(fā)出的光36可是最亮的。
陽極40的圖案化可類似于陰極的電極區(qū)域12的圖案化，例如，具有連續(xù)的相交線允許陽極40從位于邊緣的單個連接部供電。另外，陽極的線可垂直于陰極的電極區(qū)域12 的線，在電致發(fā)光有機(jī)材料34上形成矩形的照明區(qū)域。
如圖5的截面圖所示，多層結(jié)構(gòu)70可通過將第二裝置72接合到上文關(guān)于圖4所討論的與第一裝置50而形成?？墒褂萌我舛喾N可能的技術(shù)將裝置50、72堆疊在一起形成多層結(jié)構(gòu)70。例如，可用置于裝置50、72之間的連接層74接合這些裝置。連接層74可為光學(xué)粘合劑，其被選擇成匹配在基板42中所用材料的折射率，且因此最小化由于材料之間界面處反射造成的光損失?；蛘撸B接層74可為油，其折射率匹配基板42。在此實例中，油僅用于匹配折射率，且可不用于將裝置保持在一起，將裝置保持在一起可通過包裝而達(dá)成， 關(guān)于圖7進(jìn)一步描述和說明。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識到，取決于用在基板42中所用的材料，可使用任意多種其它技術(shù)來接合裝置50、72，包括溶劑結(jié)合、超聲焊接、熱層壓或在本領(lǐng)域中用于接合表面的任何其它技術(shù)。在某些實施例中，裝置50、72可僅通過物理包裝而保持在一起，無需油或其它折射率匹配化合物。雖然這可能會降低從低裝置的光透射效率，但在某些應(yīng)用中，損失可并不顯著。
可使用如上文中關(guān)于圖3所討論的裝置30相同材料形成第二裝置72。另外，第二裝置72可具有獨立于第一裝置50的陽極40和電極區(qū)域12的陽極76和陰極78，從而允許獨立的照明。因此，第二裝置72可允許調(diào)整OLED面板的顏色或傳達(dá)信息，從而提供藝術(shù)效果和類似功能。
例如，如在圖5的實施例中所示，第二裝置72可具有電致發(fā)光有機(jī)材料的固體層 80，提供適用作裝置70背景的單一顏色。如果第一裝置50的電極區(qū)域12在整個表面上規(guī)則地間隔開，那么多層結(jié)構(gòu)70可適用作可調(diào)光源，自第二裝置72發(fā)出的光在第一裝置50 的電極區(qū)域12之間的間隙發(fā)出。在其它實施例中，第一裝置50可具有特定設(shè)計，諸如圖片、 標(biāo)志或類似物，且第二裝置72的純色可提供對比的背景。在另外的實施例中，可合并額外裝置，每個額外裝置具有適用于傳達(dá)額外信息的個別設(shè)計。
例如，圖6所示的截面示出第二多層結(jié)構(gòu)90，其具有接合到第一裝置50和第二裝置72的第三裝置92。如同第二裝置72，第三裝置92和任何隨后的裝置可包括如在上文中關(guān)于圖3所討論的相同的設(shè)計和材料。為每個裝置50、72、92所選的材料可獨立于其它裝置。如關(guān)于圖5所討論的那樣，基板42的最外層可包括屏障層(未圖示)以保護(hù)電致發(fā)光有機(jī)材料34防止降解。這些屏障層可在相應(yīng)基板40的內(nèi)表面或外表面上形成。
在某些實施例中，可使用圖案化電極形成第三裝置92，如上文討論。另外，第三裝置的陽極94和陰極96可獨立于第一裝置50和第二裝置72，允許第三裝置92被獨立地照明。在某些實施例中，第三裝置92的發(fā)光區(qū)域98可規(guī)則地間隔開以形成可調(diào)光源，其中自第二裝置72的光在第一裝置50與第三裝置92的陰極中的間隙發(fā)出。在其它實施例中，發(fā)光區(qū)域98可被布置成形成特定設(shè)計，諸如圖片、標(biāo)志或標(biāo)牌以及其它。這種設(shè)計可與第一裝置50的發(fā)光區(qū)域100形成的圖案同時照亮，或可被獨立地照亮。
使用多層面板的系統(tǒng) 在個別裝置(例如第一裝置50、第二裝置72和第三裝置9 被堆疊和/或接合在一起之后，由此產(chǎn)生的多層結(jié)構(gòu)90可合并到最終顯示系統(tǒng)110內(nèi)，最終顯示系統(tǒng)110的實例如在圖7所示的截面中看到。在圖7中，多層結(jié)構(gòu)90可具有反射層112 (例如，金屬箔)， 反射層112放置于該結(jié)構(gòu)的后表面114以向前表面118(光36從這里發(fā)出)反射光。適用于金屬箔的材料可包括鋁箔、不銹鋼箔、銅箔、錫、柯伐合金(Kovar)、因瓦合金(Invar)及類似材料。在其它實施例中，第三裝置72的陰極78可具有足夠的反射性。漫射器面板116 可位于前表面118上以散射自個別裝置發(fā)出的光，混合自個別裝置50、72、92發(fā)出的光。
如上文關(guān)于圖3所討論的那樣，多層結(jié)構(gòu)90的前表面118和后表面114可密封以防止氧滲透損壞有機(jī)材料，例如，電致發(fā)光有機(jī)材料34或電荷傳輸層38。例如，如在上文中關(guān)于圖3所討論的那樣，基板42可具有浸漬于一表面內(nèi)的屏障涂層44。如果對前表面 118的基板42和多層結(jié)構(gòu)90的后表面114如此處理，這可保護(hù)有機(jī)材料?；蛘?，在后表面 114具有反射層112(例如，金屬箔)的實施例中，反射層112可提供足夠的保護(hù)防止水分和氧氣滲透。同樣，如果附連到多層結(jié)構(gòu)90的前表面118上的漫射器面板116是由玻璃或其它可浸漬材料制成，那么它可為有機(jī)材料提供足夠的防護(hù)，而無需進(jìn)一步處理前表面118 的基板42。
雖然上文所討論的技術(shù)可保護(hù)裝置50、72、92的有機(jī)材料防止氧氣通過多層結(jié)構(gòu) 90的前表面118或后表面114擴(kuò)散，但自多層結(jié)構(gòu)90的邊緣120的氧氣或水分蒸氣擴(kuò)散仍可能會使有機(jī)材料降解。因此，邊緣120可被密封以防止這種滲透。任意多種技術(shù)可用于密封面板的邊緣。
例如，可使用不可滲透的粘合劑122來密封多層結(jié)構(gòu)90的邊緣120。不可滲透的粘合劑122可包括(例如)硅RTV化合物、聚氨酯、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、聚丙烯酰胺或任何類似密封劑或密封劑的組合。這些可以純的形式使用或可通過添加不可滲透填充物(諸如，玻璃粒子、金屬粒子等)而填充。另外，修邊材料124(其可為塑料、金屬或任何其它材料)可放置于多層結(jié)構(gòu)90的周圍，且可由不滲透的粘合劑122保持就位和密封。任意多種其它技術(shù)可用于密封多層結(jié)構(gòu)90的邊緣。例如，金屬合金密封劑可安置于多層結(jié)構(gòu)90的整個周邊從而由金屬合金密封劑完全包圍電致發(fā)光有機(jī)材料。另外，可使用這些技術(shù)的任何組合。例如，修邊材料1 可在金屬合金密封劑上分層并被不滲透的粘合劑122保持就位。
多層結(jié)構(gòu)90可由線1 連接到控制器126，線1 連接到每個裝置(例如，第一裝置50，第二裝置72，和第三裝置92)的陽極和陰極?？刂破? 可被配置成向每個裝置個別地或與其它裝置同時地供電使得同時看到這些設(shè)計中的一個或多個?？煽刂剖┘拥矫總€裝置的能量的量以改變由多層結(jié)構(gòu)90的提供的照明的量或顏色。這可用于(例如)調(diào)整多層結(jié)構(gòu)90的顏色。在其它實施例中，施加的能量的量可用于相對于周圍照明條件來調(diào)整圖片或標(biāo)記的照明，使標(biāo)牌在明亮的條件下更明顯。
雖然在本文中說明并描述了本技術(shù)的某些特點，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該想到許多修改和變化。因此，應(yīng)了解的是，所附權(quán)利要求預(yù)期涵蓋屬于本技術(shù)的真實精神內(nèi)的所有這些的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種照明面板，包括第一裝置，所述第一裝置包括陰極，所述陰極是電連續(xù)的；包括電致發(fā)光有機(jī)材料的層，其與所述陰極電接觸，所述電致發(fā)光有機(jī)材料包括最小尺寸小于大約5000微米的發(fā)光區(qū)域；以及陽極，所述陽極是電連續(xù)的，并且所述陽極與所述層電接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明面板，其特征在于，所述陰極、所述層或所述陽極中的至少一個被圖案化以形成配置成被照明的設(shè)計。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的照明面板，其特征在于，所述陰極包括 兩個或兩個以上的非連續(xù)電極區(qū)域，其被配置成實質(zhì)上激勵所述電致發(fā)光有機(jī)材料;以及沉積在所述非連續(xù)電極區(qū)域上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層配置成傳導(dǎo)電流到所述非連續(xù)電極區(qū)域而不實質(zhì)上激勵所述電致發(fā)光有機(jī)材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明面板，其特征在于，所述發(fā)光區(qū)域最小尺寸小于大約100 微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明面板，其特征在于包括第二裝置，所述第二裝置包括第二陰極，所述第二陰極是電連續(xù)的；包括第二電致發(fā)光有機(jī)材料的第二層，其與所述第二陰極電接觸；第二陽極，所述第二陽極是電連續(xù)的且與所述第二層電接觸，所述第一裝置被結(jié)合到所述第二裝置以形成多層結(jié)構(gòu)，且所述第一裝置和所述第二裝置配置成被個別地激勵。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的照明面板，其特征在于，所述照明面板被配置成提供顏色可調(diào)的光源。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的照明面板，其特征在于包括第三裝置，所述第三裝置包括第三陰極，所述第三陰極是電連續(xù)的；包括第三電致發(fā)光有機(jī)材料的第三層，其與所述第三陰極電接觸，所述第三電致發(fā)光有機(jī)材料包括最小尺寸小于大約5000微米的發(fā)光區(qū)域；第三陽極，所述第三陽極是電連續(xù)的且與所述第三層電接觸，所述第三陰極、所述第三層或所述第三陽極中的至少一個被圖案化以形成配置成被照明的第二設(shè)計，所述第三裝置被結(jié)合到所述第一裝置和第二裝置以形成多層結(jié)構(gòu)，且所述第一裝置、所述第二裝置和所述第三裝置配置成被個別地激勵。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的照明面板，其特征在于，所述照明面板被配置成提供顏色可調(diào)的光源。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的照明面板，其特征在于，所述第三陰極包括兩個或兩個以上的非連續(xù)電極區(qū)域，其被配置成實質(zhì)上激勵所述第三電致發(fā)光有機(jī)材料；以及沉積在所述非連續(xù)電極區(qū)域上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層被配置成傳導(dǎo)電流到所述非連續(xù)電極區(qū)域而不實質(zhì)上激勵所述第三電致發(fā)光有機(jī)材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的照明面板，其特征在于，所述第一陽極、第二陽極或第三陽極中的至少一個包括厚度在大約60nm和150nm之間的氧化銦錫(ITO)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的照明面板，其特征在于，所述第一設(shè)計和第二設(shè)計包括圖片、設(shè)計、標(biāo)志或圖案或其任何組合的不同顏色的層。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的照明面板，其特征在于，所述第一陰極、所述第三陰極或二者包括由電極材料的相交線形成的圖案，所述電極材料的相交線被配置成從單個電連接進(jìn)行激勵。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的照明面板，其特征在于，所述電致發(fā)光有機(jī)材料包括選自聚芴、聚(苯乙炔)、聚(乙烯咔唑)的至少一種電致發(fā)光聚合物或電致發(fā)光聚合物衍生物。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的照明面板，其特征在于，所述電致發(fā)光有機(jī)材料包括有機(jī)金屬化合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的照明面板，其特征在于，所述第一陰極、所述第二陰極、所述第三陰極或其任何組合被配置成基本上對光是透明的。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的照明面板，其特征在于，所述第一層、所述第二層、所述第三層或其任何組合包括電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層、電子注入層或電致發(fā)光層中的一個或多個。
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的照明面板，其特征在于包括在密封包裝件中密封所述多層結(jié)構(gòu)。
18.一種用于制造發(fā)光組件的方法，包括形成一個或多個裝置，其中，形成所述一個或多個裝置中的每一個裝置包括 形成包括電致發(fā)光有機(jī)材料的層；將所述層放置成與電連續(xù)的陽極和電連續(xù)的陰極電接觸，其中，所述陽極、所述陰極或二者被圖案化以激勵所述電致發(fā)光有機(jī)材料內(nèi)的最小尺寸小于大約5000微米的發(fā)光區(qū)域。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于包括在所述陽極、所述陰極或二者中形成圖案以激勵所述電致發(fā)光有機(jī)材料內(nèi)的發(fā)光區(qū)域為最小尺寸小于大約100微米的發(fā)光區(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于包括通過以下步驟形成陰極在所述電致發(fā)光有機(jī)材料上沉積兩個或兩個以上的非連續(xù)電極區(qū)域，所述電極區(qū)域被配置成實質(zhì)上激勵所述電致發(fā)光有機(jī)材料；和在所述兩個或兩個以上的非連續(xù)電極區(qū)域上沉積導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層被配置成傳導(dǎo)電流到所述電極區(qū)域，且所述導(dǎo)電層被配置成不實質(zhì)上激勵所述電致發(fā)光有機(jī)材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于包括 形成背光裝置，其中，形成所述背光裝置包括 形成背光陰極，所述背光陰極是電連續(xù)的；形成背光層，所述背光層包括與所述背光陰極電接觸的背光電致發(fā)光有機(jī)材料；和形成背光陽極，所述背光陽極是電連續(xù)的且與所述背光層電接觸；以及將所述背光裝置結(jié)合到一個或多個裝置以形成分層結(jié)構(gòu)，所述裝置中的每一個配置成被個別地照明。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于包括將所述發(fā)光區(qū)域形成為圖案，所述圖案包括設(shè)計、照片、字母或其任何組合。
23.—種系統(tǒng)，包括 電控制和電源單元；以及發(fā)光裝置，其被配置成由所述電控制和電源單元照亮，所述發(fā)光裝置包括 陰極，所述陰極是電連續(xù)的；包括電致發(fā)光有機(jī)材料的層，其與所述陰極電接觸；以及陽極，所述陽極是電連續(xù)的且與所述層電接觸，且所述陰極、所述陽極或二者被圖案化以激勵在所述電致發(fā)光有機(jī)材料內(nèi)的發(fā)光區(qū)域，所述發(fā)光區(qū)域最小尺寸小于大約5000微米。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其特征在于包括背光裝置，所述背光裝置結(jié)合到所述發(fā)光裝置以形成分層裝置，所述背光裝置被配置成由所述電控制和電源單元個別地照明，且所述背光裝置包括具有電致發(fā)光有機(jī)材料的層，所述背光裝置被配置成在所述分層裝置上均勻地發(fā)光。
全文摘要
本技術(shù)提供用于形成裝置的方法和系統(tǒng)，該裝置可由電致發(fā)光有機(jī)材料的發(fā)光區(qū)域形成。該發(fā)光區(qū)域的小的尺寸允許形成混合顏色，混合顏色可形成照明設(shè)計。多個裝置可結(jié)合在一起以形成多層面板，其中較近層可具有與較遠(yuǎn)層不同的設(shè)計，或者較遠(yuǎn)層可具有適用作為較近層的背景的純照明顏色。另外，該多層裝置可用作顏色可調(diào)的光源。
文檔編號H01L51/52GK102187492SQ200980141553
公開日2011年9月14日 申請日期2009年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月15日
發(fā)明者S·羅戈杰維克, G·帕塔薩拉蒂 申請人:通用電氣公司