專利名稱：柔性半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及柔性半導(dǎo)體裝置及其制造方法。更具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及能夠用作TFT 的柔性半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
伴隨信息終端的普及，作為電腦用顯示器等圖像顯示裝置，對(duì)平板顯示器的需求 正在提高。另外，伴隨進(jìn)一步的信息化的進(jìn)展，以往由紙介質(zhì)提供的信息被電子化的機(jī)會(huì)正 在增加。尤其，最近，作為薄且輕、能夠輕便搬運(yùn)的移動(dòng)用顯示介質(zhì)，對(duì)電子紙或數(shù)碼紙的需 要也正在增加(專利文獻(xiàn)1等)。通常，在平板顯示器裝置中，使用利用了液晶、有機(jī)EL (有機(jī)電致發(fā)光)、電泳等的 元件，形成顯示介質(zhì)。在該顯示介質(zhì)中，為了確保畫面亮度的均勻性或畫面重寫速度等，使 用有源驅(qū)動(dòng)元件(TFT元件)作為圖像驅(qū)動(dòng)元件的技術(shù)成為了主流。在通常的顯示器中，在 玻璃基板上形成這些TFT元件，密封液晶、有機(jī)EL元件等。在此，在TFT元件中，主要可以使用a_Si(非晶硅)、p_Si(多晶硅)等半導(dǎo)體。將 這些Si半導(dǎo)體(根據(jù)需要還可以為金屬膜)多層化，在基板上依次形成源、漏、柵各電極， 由此制造TFT元件。在這樣的一直以來(lái)的使用了 Si材料的TFT元件的形成中包含高溫工序，因此，作 為基板材料，有所謂必須使用經(jīng)得住高的工序溫度的材料的限制。因此，實(shí)際上，作為基板 材料，有必要使用玻璃。需要說(shuō)明的是，也可以使用石英基板，但價(jià)格高，在顯示器的大型化 時(shí)存在經(jīng)濟(jì)問(wèn)題。從而，作為形成TFT元件的基板，通常使用玻璃基板。然而，在利用這樣的已知的玻璃基板來(lái)構(gòu)成在先敘述的薄型顯示器的情況下，該 顯示器成為沉重、且欠缺柔軟性、有可能由于下落的沖擊而破裂的產(chǎn)品。在玻璃基板上形成 TFT元件所引起的這些特征，是滿足對(duì)伴隨信息化的進(jìn)展的輕便的便攜用薄型顯示器的需 要時(shí)所不期望的。為了應(yīng)付對(duì)輕量且薄型的顯示器的需要，從基板的柔性化、輕量化等觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，正 在進(jìn)行在樹(shù)脂基板(塑料基板)上形成TFT元件的柔性半導(dǎo)體裝置的開(kāi)發(fā)。例如，在專利 文獻(xiàn)2中，公開(kāi)了利用與以往大致相同的工藝，在支撐體(例如玻璃基板)上制作了 TFT元 件后，從玻璃基板剝離TFT元件并轉(zhuǎn)印于玻璃基板上的技術(shù)。在該技術(shù)中，首先，在玻璃基 板上形成TFT元件，將其經(jīng)由丙烯酸樹(shù)脂等密封層粘合于樹(shù)脂基板，然后，剝離玻璃基板， 由此在樹(shù)脂基板上轉(zhuǎn)印TFT元件而形成。專利文獻(xiàn)1 特開(kāi)2007-67263號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 特開(kāi)2004-297084號(hào)公報(bào)然而，在使用了轉(zhuǎn)印法的TFT元件的制造中，支撐體(例如玻璃基板)的剝離工序 成為問(wèn)題。即，在從樹(shù)脂基板剝離支撐體的工序中，例如需要進(jìn)行使支撐體和TFT元件的密 接性降低的處理。另外，需要在支撐體和TFT元件之間形成剝離層并通過(guò)物理或化學(xué)方法 除去該剝離層的處理等，這導(dǎo)致工序的繁瑣，在生產(chǎn)率方面留下問(wèn)題。
作為在樹(shù)脂基板形成TFT元件的方法，不僅有利用上述轉(zhuǎn)印法的方法，還有例如 在樹(shù)脂基板直接形成TFT元件的方法。然而，樹(shù)脂基板的耐熱性低，因此，需要將工藝溫度 限制得較低。因此，在樹(shù)脂基板上直接形成有TFT元件與在玻璃基板上形成的TFT元件相 比，特性容易劣化。也就是說(shuō)，實(shí)際情況是難以得到期望的TFT性能、可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
對(duì)于上述柔性半導(dǎo)體裝置的問(wèn)題，本申請(qǐng)發(fā)明人等不是在以往技術(shù)的延長(zhǎng)線上應(yīng) 對(duì)，而是嘗試在新的方向上應(yīng)付，解決那些問(wèn)題。本發(fā)明是鑒于所述方面而做成的，其主要 目的在于提供高性能且生產(chǎn)率出色的柔性半導(dǎo)體裝置及其制造方法。為了解決上述問(wèn)題，在本發(fā)明中，提供柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是用于制造 柔性半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，包括(i)在金屬箔的上面形成絕緣膜的工序、(ii)在金屬箔的上面形成取出電極圖形的工序、(iii)按照與取出電極圖形接觸的方式在絕緣膜上形成半導(dǎo)體層的工序、(iv)按照覆蓋半導(dǎo)體層及取出電極圖形的方式在金屬箔的上面形成密封樹(shù)脂層 的工序、和(ν)通過(guò)蝕刻金屬箔形成電極的工序，將金屬箔用作用于在工序(i) (iv)中形成的絕緣膜、取出電極圖形、半導(dǎo)體層 及密封樹(shù)脂層的支撐體，并且在工序(ν)中用作電極構(gòu)成材料。在本發(fā)明中，其特征之一在于，將在柔性半導(dǎo)體裝置的制造工序中作為支撐體發(fā) 揮功能的金屬箔用作稱為電極構(gòu)成材料的柔性半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成要件。在本說(shuō)明書中使用的“柔性半導(dǎo)體裝置”的所謂“柔性”的用語(yǔ)，實(shí)質(zhì)上指半導(dǎo)體 裝置具有能夠彎曲的柔性。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明所述的“柔性半導(dǎo)體裝置”，鑒于其具有的 結(jié)構(gòu)等，可以稱為“柔性半導(dǎo)體器件”或“柔性半導(dǎo)體元件”。另外，在本說(shuō)明書中所謂“電極的構(gòu)成材料”的用語(yǔ)，實(shí)質(zhì)上是指通過(guò)實(shí)施蝕刻等 處理能夠形成構(gòu)成TFT元件的電極(例如后述的“源電極”、“漏電極”及“柵電極”等)的 材料/部件。在本發(fā)明中，由于使用金屬箔，所以能夠通過(guò)180°C以上，優(yōu)選400 1000°C左右 的高溫工藝來(lái)實(shí)施半導(dǎo)體層的形成工序。另外，由于使用金屬箔，所以還能夠?qū)Φ玫降陌雽?dǎo) 體層實(shí)施加熱處理。在該情況下，作為加熱處理，優(yōu)選進(jìn)行熱退火處理及/或激光退火處 理。通過(guò)這樣的加熱處理，促進(jìn)半導(dǎo)體材料的結(jié)晶化。在某個(gè)適當(dāng)?shù)姆绞街?，通過(guò)工序(ν)的金屬箔的蝕刻，形成成為TFT元件的構(gòu)成要 件的源電極及漏電極。在這種情況下，與源電極及漏電極的形成一樣，可以通過(guò)金屬箔的蝕 刻來(lái)形成柵電極。由此，能夠?qū)⒃措姌O、漏電極和柵電極形成于同一平面上(更具體來(lái)說(shuō)， 封入絕緣膜、半導(dǎo)體層及取出電極圖形而成的密封樹(shù)脂層的下面)。另外，也可以用其他方 法按照與源電極及漏電極未在同一平面(非同一平面)的方式形成柵電極。在該情況下， 通過(guò)作為進(jìn)一步的工序(vi)，向密封樹(shù)脂層的上面供給另一個(gè)金屬箔，蝕刻該另一個(gè)金屬 箔而形成柵電極。需要說(shuō)明的是，不僅是源電極、漏電極及柵電極，電容器的電極層也可以 通過(guò)金屬箔的蝕刻來(lái)附加形成。
在其他某個(gè)適當(dāng)?shù)姆绞街?，可以代替上述工?ii)及工序(iii)，依次實(shí)施(ii)’ 在絕緣膜上形成半導(dǎo)體層的工序、和(iii) ’按照與半導(dǎo)體層接觸的方式在金屬箔的上面形 成取出電極圖形的工序。在本發(fā)明中，還提供具有多個(gè)TFT元件而成的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法。所述 本發(fā)明的制造方法，其特征在于，其是具有至少兩個(gè)TFT元件而成的柔性半導(dǎo)體裝置的制 造方法，所述TFT元件具有絕緣膜、半導(dǎo)體層、柵電極、源電極和漏電極而成，所述的制造方 法包括(a)準(zhǔn)備具備設(shè)置有構(gòu)成第一 TFT元件的絕緣膜及半導(dǎo)體層的TFT元件形成面的 第一金屬箔、具備設(shè)置有構(gòu)成第二 TFT元件的絕緣膜及半導(dǎo)體層的TFT元件形成面的第二 金屬箔、和一個(gè)密封樹(shù)脂薄膜的工序；(b)通過(guò)使第一金屬箔的TFT元件形成面與密封樹(shù)脂薄膜的一個(gè)面重合，將構(gòu)成 第一 TFT元件的絕緣膜及半導(dǎo)體層從一個(gè)面埋入密封樹(shù)脂薄膜的工序；(c)通過(guò)使第二金屬箔的TFT元件形成面與密封樹(shù)脂薄膜的另一面重合，將構(gòu)成 第二 TFT元件的絕緣膜及半導(dǎo)體層從另一面埋入密封樹(shù)脂薄膜的工序；和(d)通過(guò)蝕刻第一金屬箔及第二金屬箔，形成第一 TFT元件的電極及第二 TFT元件 的電極的工序；在工序(a) (c)中將第一金屬箔用作“構(gòu)成第一 TFT元件的絕緣膜及半導(dǎo)體層 的支撐體”，并且，在工序(d)中將其用作第一TFT元件的電極構(gòu)成材料，另外，在工序(a) (c)中將第二金屬箔用作“構(gòu)成第二TFT元件的絕緣膜及半導(dǎo)體層的支撐體”，并且，在工序(d)中將其用作第二TFT元件的電極構(gòu)成材料。具有這樣的TFT元件而成的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征之一也在于，將在 柔性半導(dǎo)體裝置的制造時(shí)作為支撐體發(fā)揮功能的金屬箔作為所謂電極構(gòu)成材料的柔性半 導(dǎo)體的構(gòu)成要件來(lái)利用。在某個(gè)適當(dāng)?shù)姆绞街?，在工?d)中，通過(guò)蝕刻第一金屬箔，形成構(gòu)成第一 TFT元 件的源電極及漏電極、和構(gòu)成第二 TFT元件的柵電極，并且，通過(guò)蝕刻第二金屬箔，形成構(gòu) 成第一 TFT元件的柵電極、和構(gòu)成第二 TFT元件的源電極及漏電極。另外，在其他某個(gè)適當(dāng) 的方式中，在工序(d)中，通過(guò)蝕刻第一金屬箔，形成構(gòu)成第一 TFT元件的柵電極、源電極及 漏電極，并且，通過(guò)蝕刻第二金屬箔，形成構(gòu)成第二 TFT元件的柵電極、源電極及漏電極。在本發(fā)明中，還提供能夠通過(guò)上述制造方法得到的柔性半導(dǎo)體裝置。所述本發(fā)明 的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有絕緣膜；在絕緣膜的上面形成的半導(dǎo)體層；位于絕緣膜的下面?zhèn)鹊碾姌O；將電極和半導(dǎo)體層電連接的取出電極圖形；以及密封取出電極圖形及半導(dǎo)體層的密封樹(shù)脂層；電極是通過(guò)對(duì)作為絕緣膜、半導(dǎo)體層、取出電極圖形及密封樹(shù)脂層的支撐體發(fā)揮 功能的金屬箔進(jìn)行蝕刻而形成的。本發(fā)明的柔性半導(dǎo)體裝置的特征之一在于，具有通過(guò)蝕刻在制造工序中作為支撐 體發(fā)揮功能的金屬箔而形成的電極。由于該特征，在本發(fā)明的柔性半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選電極在其厚度方向上具有錐形狀。另外，優(yōu)選電極的厚度尺寸大于利用常規(guī)的電極形成法(例 如蒸鍍法或?yàn)R射法)得到的電極，例如，電極厚度為4 μ m 約20 μ m。在本發(fā)明的柔性半導(dǎo)體裝置的某個(gè)適當(dāng)方式中，通過(guò)蝕刻金屬箔而形成的電極為 源電極、漏電極及柵電極，源電極、漏電極和柵電極位于同一平面上。也就是說(shuō)，源電極、漏 電極和柵電極設(shè)置為在同一面的狀態(tài)。另外，在其他某個(gè)適當(dāng)?shù)姆绞街?，柵電極以相對(duì)于源 電極及漏電極為“不在同一平面的狀態(tài)”來(lái)設(shè)置。在該方式中，優(yōu)選通過(guò)對(duì)位于絕緣膜的下 側(cè)的金屬箔進(jìn)行蝕刻而形成的電極為源電極及漏電極，與此相對(duì)，通過(guò)對(duì)按照夾著密封樹(shù) 脂層并與半導(dǎo)體層對(duì)置的方式設(shè)置于密封樹(shù)脂層的上面的其他金屬箔進(jìn)行蝕刻而形成的 電極為柵電極。在通過(guò)蝕刻金屬箔而形成的電極為源電極及漏電極的情況下，半導(dǎo)體層的周緣部 的下面與源電極用取出電極圖形的周緣部的上面部分地接觸，并且，半導(dǎo)體層的周緣部的 下面還與漏電極用取出電極圖形的周緣部的上面部分地接觸即可?；蛘?，半導(dǎo)體層的周緣 部的上面與源電極用取出電極圖形的周緣部的下面部分地接觸，并且，半導(dǎo)體層的周緣部 的上面還與漏電極用取出電極圖形的周緣部的下面部分地接觸即可。在本發(fā)明的柔性半導(dǎo)體裝置的某個(gè)適當(dāng)?shù)姆绞街?，具有至少兩個(gè)TFT元件而成， 所述TFT元件具有絕緣膜、半導(dǎo)體層、柵電極、源電極和漏電極而成。也就是說(shuō)，在關(guān)聯(lián)上述 制造方法敘述的情況下，“具有至少兩個(gè)TFT元件的柔性半導(dǎo)體裝置”，相當(dāng)于至少具備具有 絕緣膜、半導(dǎo)體層、柵電極、源電極和漏電極而成的第一 TFT元件和第二 TFT元件的半導(dǎo)體直ο根據(jù)本發(fā)明的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，在金屬箔上形成了絕緣膜及半導(dǎo)體層 后，按照覆蓋半導(dǎo)體層的方式在金屬箔上形成密封樹(shù)脂層，接著，蝕刻金屬箔，形成TFT元 件的電極。因此，能夠?qū)⒆鳛橹误w的金屬箔，有效用作TFT元件的電極(源電極、漏電極及 柵電極等)，不需要最終剝離作為支撐體的金屬箔。因此，能夠通過(guò)簡(jiǎn)便的工序來(lái)制作TFT 元件，可以提高生產(chǎn)率。另外，能夠在金屬箔上形成了絕緣膜及半導(dǎo)體層后，在金屬箔上形成密封樹(shù)脂層， 因此，能夠在絕緣膜及半導(dǎo)體層的制作中積極地導(dǎo)入高溫工藝。由此，能夠在半導(dǎo)體層的形 成中或形成后進(jìn)行加熱處理，能夠優(yōu)選提高TFT特性(例如半導(dǎo)體的載流子遷移率等)。換 言之，利用本發(fā)明的制造方法得到的柔性半導(dǎo)體，能夠通過(guò)期望的熱處理來(lái)形成，因此，可 以說(shuō)在TFT特性的方面為高性能。


圖1 (a)是柔性半導(dǎo)體裝置IOOA的俯視圖，(b)是表示(a)的Ia-Ia剖面的剖面 圖。圖2(a)是柔性半導(dǎo)體裝置IOOB的俯視圖，(b)是表示(a)的剖面的剖面 圖。圖3是具有錐形狀的電極的示意圖。圖4(a) (e)是表示柔性半導(dǎo)體裝置IOOA的制造工序的工序剖面圖。圖5(a) (c)是表示柔性半導(dǎo)體裝置IOOB的制造工序的工序剖面圖。圖6(a) (c)是表示柔性半導(dǎo)體裝置100B的制造工序的工序剖面圖。
圖7(a)是柔性半導(dǎo)體裝置100C的俯視圖，(b)是表示(a)的Vb-Vb剖面的剖面 圖。圖8(a) (e)是表示柔性半導(dǎo)體裝置100C的制造工序的工序剖面圖。圖9(a)是柔性半導(dǎo)體裝置100D的俯視圖，(b)是表示(a)的)(b-Xb剖面的剖面 圖。圖10(a) (c)是表示柔性半導(dǎo)體裝置100D的制造工序的工序剖面圖。圖11 (a) (c)是表示柔性半導(dǎo)體裝置100D的制造工序的工序剖面圖。圖12是柔性半導(dǎo)體裝置100E的剖面圖。圖13(a) (e)是表示柔性半導(dǎo)體裝置100E的制造工序的工序剖面圖。圖14是柔性半導(dǎo)體裝置100F的剖面圖。圖15(a) (e)是表示柔性半導(dǎo)體裝置100F的制造工序的工序剖面圖。圖16(a)是柔性半導(dǎo)體裝置100G的俯視圖，(b)是表示(a)的Mb-Mb剖面的剖 面圖。圖17(a)是柔性半導(dǎo)體裝置100H的俯視圖，(b)是表示(a)的XVb-XVb剖面的剖 面圖，(c)是表示(a)的XVc-XVc剖面的剖面圖。圖18是柔性半導(dǎo)體裝置100GU00H的等效電路圖。圖19(a)是柔性半導(dǎo)體裝置1001的俯視圖，(b)是表示(a)的XVIIb-XVIIb剖面 的剖面圖。圖20(a) (c)是表示柔性半導(dǎo)體裝置1001的制造工序的工序剖面圖。圖21 (a)是柔性半導(dǎo)體裝置100J的俯視圖，(b)是表示(a)的)(b-Xb剖面的剖面 圖，(c)是表示(a)的klc剖面的剖面圖。圖22(a)及(b)是表示柔性半導(dǎo)體裝置100J的制造工序的工序剖面圖。圖23(a) (C)是表示柔性半導(dǎo)體裝置100J的制造工序的工序剖面圖。圖M是表示柔性半導(dǎo)體裝置100K的剖面的剖面圖。圖25(a) (c)是表示柔性半導(dǎo)體裝置100K的制造工序的工序剖面圖。圖沈是柔性半導(dǎo)體裝置100L的剖面圖。圖27(a) (c)是表示柔性半導(dǎo)體裝置100L的制造工序的工序剖面圖。圖28是表示圖像顯示裝置的整體的外觀的立體圖。圖^(a)及(b)是柔性半導(dǎo)體裝置100MU00M，的俯視圖。圖30(a)及(b)是柔性半導(dǎo)體裝置100N、100N’的俯視圖。圖31是柔性半導(dǎo)體裝置1000的剖面圖。圖32是柔性半導(dǎo)體裝置P的剖面圖。圖33是柔性半導(dǎo)體裝置Q的剖面圖。圖34是柔性半導(dǎo)體裝置R的剖面圖。圖35是柔性半導(dǎo)體裝置S的剖面圖。圖36是表示柔性半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品應(yīng)用例(電視圖像顯示部)的示意圖。圖37是表示柔性半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品應(yīng)用例(移動(dòng)電話的圖像顯示部)的示意圖。圖38是表示柔性半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品應(yīng)用例(移動(dòng)式個(gè)人電腦或筆記本式個(gè)人電 腦的圖像顯示部)的示意圖。
圖39是表示柔性半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品應(yīng)用例(數(shù)碼相機(jī)的圖像顯示部)的示意圖。圖40是表示柔性半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品應(yīng)用例(可攜式攝像機(jī)的圖像顯示部)的示 意圖。圖41是表示柔性半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品應(yīng)用例(電子紙的圖像顯示部)的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下，邊參照附圖邊說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。在以下的附圖中，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，用 相同的參照符號(hào)表示功能基本上相同的構(gòu)成要件。另外，各圖中的尺寸關(guān)系(長(zhǎng)度、寬度、 厚度等)不反映實(shí)際的尺寸關(guān)系。需要說(shuō)明的是，在本說(shuō)明書中說(shuō)明的“方向”是以金屬箔50和半導(dǎo)體層20的位置 關(guān)系為基準(zhǔn)的方向，為了便利，用圖中的上下方向來(lái)說(shuō)明。具體來(lái)說(shuō)，與各圖的上下方向?qū)?應(yīng)，將以金屬箔50為基準(zhǔn)形成絕緣膜10乃至半導(dǎo)體層20的一側(cè)作為“上方”，將以金屬箔 50為基準(zhǔn)未形成半導(dǎo)體層20的一側(cè)作為“下方”。[利用本發(fā)明的制造方法得到的柔性半導(dǎo)體裝置]首先，參照?qǐng)D1及圖2，簡(jiǎn)單地說(shuō)明利用本發(fā)明的制造方法得到的典型的柔性半導(dǎo) 體裝置。圖1表示源電極50s、漏電極50d和柵電極50g形成于同一平面上的柔性半導(dǎo)體裝 置100A，圖2表示漏電極50d未與柵電極50g、源電極50s形成于同一平面的柔性半導(dǎo)體裝 置 IOOB0如圖1(b)或圖2(b)所示，利用本發(fā)明的制造方法得到的柔性半導(dǎo)體裝置100A、 100B，具備構(gòu)成TFT的半導(dǎo)體層20、絕緣膜(保護(hù)層)10、源電極50s、漏電極50d、源極用 及漏極用取出電極圖形30s、30d、和柵電極50g。這些各種要件相互層疊，絕緣膜、半導(dǎo)體層 及取出電極圖形(10、20、30s、30d)被密封樹(shù)脂層40封入。更具體來(lái)說(shuō)，圖1及圖2所示的柔性半導(dǎo)體裝置100A及100B分別具備絕緣膜 10、通過(guò)蝕刻位于絕緣膜10的下面的金屬箔50而形成的源電極50s及漏電極50d、形成于 絕緣膜10的上面的一部分的半導(dǎo)體層20、源電極50s及漏電極50d各自的取出電極圖形 30s、30d。需要說(shuō)明的是，密封樹(shù)脂層40設(shè)置成將源極用·漏極用取出電極圖形30s、30d、 半導(dǎo)體層20及絕緣膜10封入。在此，在圖1所示的柔性半導(dǎo)體裝置100A中，在密封樹(shù)脂 層40的面中與形成有源電極50s及漏電極50d的面Sl相同的面，形成有柵電極50g。相對(duì) 于此，在圖2所示的柔性半導(dǎo)體裝置100B中，在密封樹(shù)脂層40的面中與形成有源電極50s 及漏電極50d的面Sl相反的一側(cè)的面S2，形成有柵電極50g。依次說(shuō)明各種構(gòu)成要件。絕緣膜10作為保護(hù)半導(dǎo)體層20的保護(hù)層來(lái)發(fā)揮功能。 作為該絕緣膜10，使用具有絕緣特性的樹(shù)脂系或無(wú)機(jī)絕緣物系的膜。作為無(wú)機(jī)絕緣物系的 一例，可以舉出鉭氧化物，作為樹(shù)脂系的一例，可以舉出聚苯醚樹(shù)脂。半導(dǎo)體層20設(shè)置于絕緣膜10上，但如圖所示(參照?qǐng)D1 (b)或圖2 (b))，半導(dǎo)體層 20設(shè)置于絕緣膜10的上面的一部分(在圖中為中央附近)，按照覆蓋取出電極圖形30s、 30d的延伸部32s、32d的方式配置。換言之，在絕緣膜10上設(shè)置的半導(dǎo)體層20，其周緣部 的下面與源電極用取出電極圖形30s及漏電極用的取出電極圖形30d的周緣部的上面部分 地接觸。作為半導(dǎo)體層20的一例，例如可以舉出由硅(例如非晶硅)形成的半導(dǎo)體層或氧 化物半導(dǎo)體層(例如由氧化鋅形成的半導(dǎo)體層)等。
取出電極圖形30s、30d與半導(dǎo)體層20接觸。也就是說(shuō)，取出電極圖形30s的一部 分3 及取出電極圖形30d的一部分32d在絕緣膜10的上面延伸設(shè)置而與半導(dǎo)體層20接 觸。即使沒(méi)有該延伸部32s、32d，也能夠使柔性半導(dǎo)體裝置100AU00B運(yùn)行。然而，通過(guò)設(shè) 置延伸部32s、32d，能夠縮短溝道長(zhǎng)度(在此，取出電極30s-取出電極30d之間的距離)， 其結(jié)果，由于縮短溝道長(zhǎng)度，能夠?qū)崿F(xiàn)高速化。需要說(shuō)明的是，取出電極圖形30s、30d的材 質(zhì)可以為各種金屬材料、導(dǎo)電性氧化物等，例如為Ru02。密封樹(shù)脂層40設(shè)置成覆蓋半導(dǎo)體層20、絕緣膜10及取出電極圖形30s、30d，但具 有柔性，如其名，可以供給于“密封”。作為構(gòu)成密封樹(shù)脂層40的樹(shù)脂材料，優(yōu)選在固化后具 有柔性的樹(shù)脂材料，例如，可以舉出聚苯醚樹(shù)脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂等。源電極50s及漏電極50d形成于絕緣膜10的下側(cè)。換言之，在將絕緣膜10、半導(dǎo) 體層20及取出電極圖形30s、30d而成的密封樹(shù)脂層40的下面Si，形成有源電極50s及漏 電極50d。該源電極50s及漏電極50d是通過(guò)對(duì)在制造過(guò)程中作為用于支撐構(gòu)成TFT的各 層(10、20、30s、30d、40)的支撐體發(fā)揮功能的金屬箔進(jìn)行蝕刻而形成的。該電極的材質(zhì)優(yōu) 選具有良好導(dǎo)電性的金屬材料等，例如可以舉出銅(Cu)。作為構(gòu)成TFT元件的電極，除了源電極50s及漏電極50d之外，還有柵電極。圖1 所示的柔性半導(dǎo)體裝置100A的柵電極50g如圖所示，形成在與形成有源電極50s及漏電極 50d的面Sl相同的面。所述柵電極50g可以通過(guò)蝕刻與在源電極50s及漏電極50的形成 中使用的金屬箔相同的金屬箔來(lái)形成。相對(duì)于此，圖2所示的柔性半導(dǎo)體裝置100B的柵電 極50g形成于與源電極50s和漏電極50d非相同的平面上。具體來(lái)說(shuō)，該柵電極50g經(jīng)由密 封樹(shù)脂層40位于半導(dǎo)體層20的上方。S卩，圖2的柵電極50g配置成與半導(dǎo)體層20夾著密 封樹(shù)脂層40并相互對(duì)置。圖2所示的柵電極50g可以通過(guò)對(duì)向密封樹(shù)脂層40的上面供給 的另一個(gè)金屬箔進(jìn)行蝕刻來(lái)形成。柵電極50g的材質(zhì)也與源電極50s及漏電極50d —樣， 優(yōu)選具有良好導(dǎo)電性的金屬材料等，例如可以舉出銅(Cu)。由于構(gòu)成TFT元件的電極(即源電極50s、漏電極50d及柵電極50g)是通過(guò)蝕刻 金屬箔形成的，所以如圖3所示，電極可以在其厚度方向上具有錐形狀。電極在其厚度方向 上具有錐形狀的情況下，錐角α (參照?qǐng)D3)可以為1° 60°左右，例如為5° 30°左 右。若如此構(gòu)成TFT元件的電極具有錐形狀，則之后利用絕緣膜密封/保護(hù)電極及布線圖形 時(shí)的圖形高低差被覆性(階梯覆蓋(step coverage))變得良好，得到高可靠性。另外，在 本發(fā)明中，由于構(gòu)成TFT元件的電極(即源電極50s、漏電極50d及柵電極50g)通過(guò)蝕刻金 屬箔來(lái)形成，所以電極的厚度尺寸大于利用常規(guī)的電極形成法(例如蒸鍍法或?yàn)R射法)得 到的電極厚度(約0. Iym左右)，例如，電極厚度為4μπι 約20μπι。由此，在本發(fā)明中， 能夠容易地實(shí)現(xiàn)電極的低電阻化。另外，通過(guò)改變金屬箔的厚度，還能夠任意且容易地改變 電極厚度。其結(jié)果，電極設(shè)計(jì)的自由度變高，能夠比較容易地得到期望的TFT特性。[本發(fā)明的制造方法]接著，參照附圖，說(shuō)明本發(fā)明的撓性半導(dǎo)體裝置的制造方法。另外，還以附隨所述 制造方法的說(shuō)明的形式，對(duì)柔性半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說(shuō)明。(實(shí)施方式1)作為實(shí)施方式1，參照?qǐng)D4(a) (e)，說(shuō)明柔性半導(dǎo)體裝置100Α的制造方法。在 實(shí)施本發(fā)明的制造方法時(shí)，首先，實(shí)施工序(i)。也就是說(shuō)，如圖4(a)所示，在金屬箔50的上面M形成絕緣膜10。使用的金屬箔50如上所述，在制造過(guò)程中作為用于絕緣膜、取出電 極圖形、半導(dǎo)體層及/或密封樹(shù)脂層的支撐體發(fā)揮功能，并且，最終還作為TFT元件的各種 電極的構(gòu)成材料來(lái)發(fā)揮功能。從該觀點(diǎn)出發(fā)，構(gòu)成金屬箔50的金屬優(yōu)選具有導(dǎo)電性且熔點(diǎn) 比較高的金屬，例如可以舉出銅(Cu，熔點(diǎn)1083°C )、鎳(Ni，熔點(diǎn):1453°C )、鋁(Al，熔點(diǎn) 6600C )、不銹鋼(SUS)。金屬箔50的厚度優(yōu)選約4 μ m 約20 μ m的范圍，更優(yōu)選約8 μ m 約16 μ m的范圍，例如為12 μ m左右。在金屬箔50上形成的絕緣膜10，例如為無(wú)機(jī)絕緣物系的絕緣膜10。作為該無(wú)機(jī) 絕緣物系的絕緣膜10，例如可以舉出由鉭氧化物(Ta2O5等)、鋁氧化物(Al2O3等)、硅氧化 物(SW2等)、沸石氧化物( 等)、鈦氧化物(TW2等)、釔氧化物W2O3等)、鑭氧化物 (La2O3等)、鉿氧化物(HfO2等)等金屬氧化物或這些金屬的氮化物等形成的膜?？梢詾橛?鈦酸鋇(BaTiO3)、鈦酸鍶(SrTiO3)、鈦酸鈣(CaTiO3)等電介質(zhì)形成的膜。絕緣膜10可以為 樹(shù)脂系的絕緣膜。作為樹(shù)脂系的絕緣膜10，例如可以舉出由環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺(PI)樹(shù)脂、 聚苯醚(PPE)樹(shù)脂、聚苯氧(ΡΡ0 :polyphenylene oxide)樹(shù)脂、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)樹(shù)脂 等形成的膜。需要說(shuō)明的是，無(wú)機(jī)絕緣物系具有比樹(shù)脂系的絕緣膜高的介電常數(shù)，因此，從 那一點(diǎn)上看，優(yōu)選作為柔性半導(dǎo)體裝置的柵極絕緣膜的材料。對(duì)絕緣膜10向金屬箔50上的形成沒(méi)有特別限制。在這一點(diǎn)上，在本發(fā)明中，作為 支撐體，使用具有高熔點(diǎn)的金屬箔50 (例如銅箔)，因此，能夠以高溫工藝來(lái)實(shí)施絕緣膜10 的形成。例如，將有機(jī)金屬等前體涂敷于金屬箔(銅箔)50的被形成面，將其以800°C燒成， 由此能夠形成由金屬氧化物形成的絕緣膜10?；蛘?，可以利用使用了掩模的濺射法等薄膜 形成法，在金屬箔50的被形成面形成無(wú)機(jī)絕緣物。盡管優(yōu)選的絕緣膜10的厚度可以對(duì)應(yīng) 于必要的TFT特性等而改變，但為約2 μ m以下，更優(yōu)選約0. 1 μ m 約2 μ m的范圍，進(jìn)而優(yōu) 選約0. 2 μ m 約1 μ m的范圍。在為了例示而舉出一例的情況下，可以使用濺射法，在金屬 箔50的被形成面形成厚度0. 3 μ m的鉭氧化物(Ta2O5)。工序(i)之后接著實(shí)施工序(ii)。也就是說(shuō)，如圖4(b)所示，在金屬箔50的上面 54形成源極用取出電極圖形30s和漏極用取出電極圖形30d。作為取出電極圖形30s、30d的材料，例如可以舉出金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳 (Ni)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉬(Pt)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鋅(Zn)、鈦(Ti)、鎢(W) 等金屬材料、或氧化錫(SnO2)、氧化銦錫(ITO)、含氟氧化錫(FTO)、氧化釕(RuO2)、氧化銥 (IrO2)、氧化鉬(PtO2)等導(dǎo)電性氧化物等。對(duì)形成取出電極圖形30s、30d的方法也沒(méi)有特別限制。在這一點(diǎn)上，在本發(fā)明中， 作為支撐體，使用具有高熔點(diǎn)的金屬箔50 (例如銅箔)，因此，還能夠以高溫工藝形成取出 電極圖形30s、30d。例如，可以利用真空蒸鍍法、濺射法來(lái)容易地進(jìn)行。另外，可以使用其他 方法(例如印刷有機(jī)金屬糊劑并進(jìn)行固化的方法、或利用噴墨方式印刷納米金屬粒子墨液 并進(jìn)行燒成的方法等)。形成的取出電極圖形30s、30d如圖4(b)所示，優(yōu)選按照與絕緣膜10部分重疊的 方式層疊在金屬箔50的上面W。即，優(yōu)選按照一部分在金屬箔50上延伸設(shè)置的方式在金屬 箔50上形成取出電極圖形30s、30d。形成的取出電極圖形30s、30d的厚度優(yōu)選約50nm 約150nm的范圍，更優(yōu)選約SOnm 約120nm的范圍。在為了例示而舉出一例的情況下，在 形成取出電極圖形30s、30d時(shí)，利用濺射法，按照覆蓋絕緣膜10的方式層疊厚度IOOnm的RuO2層即可。工序(ii)之后接著實(shí)施工序(iii)。也就是說(shuō)，如圖4(c)所示，在絕緣膜10上 形成半導(dǎo)體層20。就該半導(dǎo)體層20的形成來(lái)說(shuō)，按照使半導(dǎo)體層20與取出電極圖形30s、 30d接觸的方式實(shí)施。作為構(gòu)成半導(dǎo)體層20的半導(dǎo)體，可以使用各種半導(dǎo)體，例如可以使 用硅(例如Si)、鍺(Ge)等半導(dǎo)體，也可以使用氧化物半導(dǎo)體。作為氧化物半導(dǎo)體，例如還 可以舉出氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2)、氧化銦(In2O3)、氧化鈦(TiO2)等單質(zhì)的氧化物、或 InGaZnO, InSnO, InZnO, ZnMgO等復(fù)合氧化物。或者，根據(jù)需要，也可以使用化合物半導(dǎo)體 (例如GaN、SiC、ZnSe、CdS、GaAS等)、有機(jī)半導(dǎo)體(例如戊省、聚3-己基噻吩、嚇啉衍生物、 銅酞菁、C60等)。半導(dǎo)體層20的形成可以通過(guò)例如在絕緣膜10的被形成位置堆積半導(dǎo)體材料來(lái)進(jìn) 行。半導(dǎo)體材料的堆積例如可以適當(dāng)使用真空蒸鍍法、濺射法、等離子體CVD法等。例如， 使用等離子體CVD法，在設(shè)置于加熱為350°C的金屬箔50上的絕緣膜10的被形成位置，堆 積硅膜，在惰性氣氛中(典型地為非氧化性氣氛中)，以600°C對(duì)已堆積的硅膜進(jìn)行熱退火 處理，由此能夠形成多晶硅。這樣，在本發(fā)明中，使用具有高熔點(diǎn)的金屬箔50(例如銅箔)作為支撐體，因此能 夠使用高溫工藝來(lái)形成半導(dǎo)體層20。換言之，在使用了樹(shù)脂(塑料)的基板的情況下，在樹(shù) 脂基板上直接形成半導(dǎo)體層時(shí)，由于樹(shù)脂基板的耐熱性低，因此，必須將工序溫度限制得較 低?？墒?，根據(jù)本實(shí)施方式的制造方法，與使用耐熱性低的密封樹(shù)脂層40作為基材無(wú)關(guān)，均 能夠在超過(guò)密封樹(shù)脂層40的耐熱溫度的工藝溫度(高溫工藝)下形成半導(dǎo)體層20。例如 在使用PEN樹(shù)脂薄膜(耐熱溫度180°C)的情況下，也能夠在半導(dǎo)體層20的制造工序中，積 極地采用超過(guò)180°C的高溫工藝(更優(yōu)選400°C 1000°C的高溫工藝)。也就是說(shuō)，能夠利用180°C以上、更優(yōu)選400 1000°C左右的高溫工藝來(lái)實(shí)施半導(dǎo) 體層的形成工序。另外，由于如此使用金屬箔，從而能夠?qū)Φ玫降陌雽?dǎo)體層積極地實(shí)施加熱 處理。例如，可以在絕緣膜10上堆積了半導(dǎo)體材料后，對(duì)該已堆積的半導(dǎo)體材料進(jìn)行加 熱處理。對(duì)加熱處理的方法沒(méi)有特別限制，例如可以為熱退火處理(氣氛加熱)，或者，也可 以為激光退火處理，換言之，可以合用它們。例如，可以在將由非晶硅形成的半導(dǎo)體層形成 在絕緣膜10的被形成位置后，利用激光對(duì)其進(jìn)行退火處理。通過(guò)如此實(shí)施加熱處理，半導(dǎo) 體的結(jié)晶化得以進(jìn)行，可以提高半導(dǎo)體的特性(例如載流子遷移率)。例如，就載流子遷移 率來(lái)說(shuō)，在硅半導(dǎo)體的情況下，1以下時(shí)可以通過(guò)上述加熱處理來(lái)提高為100以上。需要說(shuō) 明的是，在本說(shuō)明書中使用的所謂的“退火處理”的用語(yǔ)，實(shí)質(zhì)上是指以遷移率的提高、特性 的穩(wěn)定化為目的的熱處理。另外，就加熱處理來(lái)說(shuō)，可以將有機(jī)硅化合物(例如環(huán)戊硅烷等)涂敷于絕緣膜10 的被形成位置，將其加熱，由此變化為硅。進(jìn)而，將有機(jī)金屬的混合物印刷在絕緣膜10的被 形成位置，對(duì)其進(jìn)行熱處理(例如600°c以上)，由此也可以燒結(jié)金屬，形成氧化物半導(dǎo)體。 如此，可以在本發(fā)明中將各種工藝用于半導(dǎo)體層的形成。值得一提的是，優(yōu)選半導(dǎo)體層20不從絕緣膜10的上面露出而形成。在使用密封樹(shù) 脂層40作為TFT的構(gòu)成要件的情況下，由于在密封樹(shù)脂層40內(nèi)含有的水蒸氣、氧的存在， 半導(dǎo)體層20可能劣化。因此，通過(guò)在使半導(dǎo)體層20不從絕緣膜10的上面露出的情況下而使其形成，能夠使絕緣膜10作為保護(hù)半導(dǎo)體層20的保護(hù)層來(lái)適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮功能。需要說(shuō)明 的是，形成的半導(dǎo)體層20的厚度優(yōu)選約IOnm 約150nm的范圍，更優(yōu)選約20nm 約80nm 的范圍。在工序(iii)之后接著實(shí)施工序(iv)。也就是說(shuō)，如圖4(d)所示，按照覆蓋半導(dǎo) 體層20及取出電極圖形30s、30d的方式在金屬箔50的上面M形成密封樹(shù)脂層40。作為密封樹(shù)脂層40的樹(shù)脂材料，優(yōu)選在固化后具有柔性。作為這樣的樹(shù)脂材料， 例如可以舉出環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺(PI)樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹(shù) 脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹(shù)脂、聚苯硫醚(PPQ樹(shù)脂、聚苯醚(PPE)樹(shù)脂、或它們的復(fù) 合物等。需要說(shuō)明的是，這些樹(shù)脂材料具有出色的尺寸穩(wěn)定性等性質(zhì)，對(duì)于本發(fā)明的制造方 法來(lái)說(shuō)是優(yōu)選的。對(duì)密封樹(shù)脂層40的形成方法沒(méi)有特別限制，只要能夠按照覆蓋半導(dǎo)體層及取出 電極圖形的方式在金屬箔的上面形成密封樹(shù)脂層，就可以使用任意的方法。例如，通過(guò)利用 旋涂等在金屬箔50的上面涂敷未固化的液態(tài)樹(shù)脂(例如在液體介質(zhì)中混合了樹(shù)脂材料的 涂敷劑)并進(jìn)行干燥，能夠形成密封樹(shù)脂層40，由此，適當(dāng)?shù)孛芊獍雽?dǎo)體層20。另外，在密封樹(shù)脂層40的形成中，可以采用將預(yù)先成形為薄膜狀的未固化的樹(shù)脂 貼合于金屬箔50的上面M并使其固化的方法。進(jìn)而，可以采用在預(yù)先成形為薄膜狀的樹(shù)脂 的表面涂敷粘合性材料并將涂敷了該粘合性材料的面貼合于金屬箔50的上面M的方法。 作為貼合密封樹(shù)脂層40和金屬箔50的方法，可以適當(dāng)采用利用輥層壓機(jī)、真空層壓機(jī)、壓 力機(jī)等加壓的方法等。若經(jīng)過(guò)這樣的貼合工序，則半導(dǎo)體層20及取出電極30s、30d被埋入 密封樹(shù)脂層40的下面，從而能夠利用密封樹(shù)脂層40來(lái)密封半導(dǎo)體層20。例如，如要舉出一 例，則在聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹(shù)脂薄膜的下面涂敷粘合性環(huán)氧樹(shù)脂，將涂敷了該環(huán) 氧樹(shù)脂的面貼合于金屬箔50的上面即可。在工序(iv)中形成的密封樹(shù)脂層40的厚度，優(yōu)選約Ιμπι 約7μπι的范圍，更優(yōu) 選約2 μ m 約5 μ m的范圍。密封樹(shù)脂層40作為柵極絕緣膜發(fā)揮功能，因此，從降低柵電 壓的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選密封樹(shù)脂層40的厚度較薄，從這一點(diǎn)來(lái)說(shuō)，適合為5 μ m以下，但對(duì)應(yīng)于 必要的TFT特性等適當(dāng)調(diào)節(jié)即可。在工序(iv)之后接著實(shí)施工序(ν)。也就是說(shuō)，如圖4(e)所示，通過(guò)蝕刻金屬箔 50來(lái)形成電極。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)金屬箔50的蝕刻來(lái)形成源電極50s及漏電極50d。尤其， 在圖示的方式中，柵電極50g也通過(guò)金屬箔50的蝕刻來(lái)形成。對(duì)蝕刻方法沒(méi)有特別限制，使用以往公知的方法(典型地為使用了光刻工序的蝕 刻)即可。在圖示的方式中，通過(guò)金屬箔50的圖形形成，按照與源極用取出電極圖形30s 連接的方式形成源電極50s，并且，按照與漏極用取出電極圖形30d連接的方式形成漏電極 50d。通過(guò)經(jīng)過(guò)這樣的工序，作為TFT元件，能夠構(gòu)筑具有半導(dǎo)體層20、絕緣膜10、柵電 極50g、源電極50s和漏電極50d而成的柔性半導(dǎo)體裝置100A。在本發(fā)明的制造方法中，如上所述，在金屬箔50上形成絕緣膜10及半導(dǎo)體層20。 接著，按照覆蓋半導(dǎo)體層20的方式在金屬箔50上形成密封樹(shù)脂層40，然后，通過(guò)蝕刻金屬 箔50，形成源電極50s、漏電極50d及柵電極50g。因此，能夠?qū)⒆鳛橹误w的金屬箔50有 效用作TFT的電極(源、漏及柵各電極)，不需要最終剝離作為支撐體的金屬箔50。因此，能夠以簡(jiǎn)便的工藝來(lái)制作TFT元件，柔性半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率出色。具體來(lái)說(shuō)，在基于典型的轉(zhuǎn)印法的TFT的制法中，需要最終剝離支撐基板(例如玻 璃基板)。因此，需要進(jìn)行使支撐基板和TFT元件的密接性降低的處理?；蛘?，伴有工序的 繁瑣，即需要在支撐基板和TFT元件之間形成剝離層，進(jìn)行物理或化學(xué)除去該剝離層的處 理等。也就是說(shuō)，在典型的基于轉(zhuǎn)印法的TFT的制法中，在生產(chǎn)率方面留下問(wèn)題。針對(duì)此，在 本發(fā)明的制造方法中，不需要最終剝離作為支撐體的金屬箔50，因此，減輕工序的繁瑣度。而且，在本發(fā)明的制造方法中，在金屬箔50上形成了絕緣膜10及半導(dǎo)體層20之 后，在金屬箔50上形成有密封樹(shù)脂層40，因此，能夠以高溫工藝來(lái)執(zhí)行絕緣膜10及半導(dǎo)體 層20的制作，得到的TFT的性能變得良好。即，在不使用轉(zhuǎn)印法而是直接形成在樹(shù)脂基板 上的TFT的制法中，樹(shù)脂基板的耐熱性低，因此，需要將工藝溫度限制得較低，TFT的性能容 易劣化。然而，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，無(wú)論是否使用耐熱性低的密封樹(shù)脂層(例如耐熱 溫度180°C的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹(shù)脂薄膜)，均能夠在半導(dǎo)體層20的形成中導(dǎo)入 400°C以上的高溫工藝(例如退火等加熱處理)。從而，能夠優(yōu)選提高TFT特性(例如半導(dǎo) 體的載流子遷移率等)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，能夠以良好的生產(chǎn)率得到高性能的柔性半導(dǎo) 體裝置。(實(shí)施方式2)以下，說(shuō)明本發(fā)明的制造方法的其他實(shí)施方式及由此得到的柔性半導(dǎo)體裝置。需 要說(shuō)明的是，對(duì)于與柔性半導(dǎo)體裝置100A相同的構(gòu)成部件，標(biāo)注相同的符號(hào)，并且，對(duì)于與 柔性半導(dǎo)體裝置100A的制造方法重復(fù)的部分，省略或簡(jiǎn)化說(shuō)明。以下說(shuō)明的實(shí)施方式2為上述柔性半導(dǎo)體裝置100B的制造方法。也就是說(shuō)，實(shí)施 方式2的制造方法如圖2所示，是柵電極50g相對(duì)于源電極50s及漏電極50d不在同一平 面(非同一平面)的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖5(a) (c)及圖6(a) (c)中示出柔性半導(dǎo)體裝置100B的制造工序的一例。 首先，如圖5(a)所示，作為工序(i)，在金屬箔50的上面M形成絕緣膜10。使用的金屬箔 50如上所述，在制造過(guò)程中作為用于絕緣膜、取出電極圖形、半導(dǎo)體層及/或密封樹(shù)脂層的 支撐體發(fā)揮功能，并且最終還作為TFT元件的各種電極的構(gòu)成材料發(fā)揮功能。接著，如圖 5(b)所示，作為工序(ii)，在金屬箔50的上面M形成源極用取出電極圖形30s和漏極用 取出電極圖形30d。接著，如圖5(c)所示，作為工序(iii)，按照與取出電極圖形30s、30d 接觸的方式，在絕緣膜10上形成半導(dǎo)體層20。接著，如圖6(a)所示，作為工序(iv)，按照覆蓋半導(dǎo)體層20及取出電極圖形30s、 30d的方式在金屬箔50上形成密封樹(shù)脂層40。在圖示的方式中，在樹(shù)脂薄膜(例如厚度 30 μ m左右的聚萘二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂薄膜)的下面涂敷粘合性環(huán)氧樹(shù)脂，將該涂敷了環(huán) 氧樹(shù)脂的面貼合于金屬箔50的上面，由此形成密封樹(shù)脂層40。尤其是在本實(shí)施方式中，在 密封樹(shù)脂層40上形成另一個(gè)金屬箔52(參照?qǐng)D6(a)及(b))。例如，另行準(zhǔn)備另一個(gè)金屬 箔52，貼合于密封樹(shù)脂層40的上面。構(gòu)成金屬箔52的金屬優(yōu)選具有導(dǎo)電性且熔點(diǎn)比較高 的金屬，例如可以使用銅(Cu，熔點(diǎn):1083 0C), Il (Ni，熔點(diǎn):1453°C)、鋁(Al，熔點(diǎn):660°C )、 不銹鋼(SUS)。另外，金屬箔52的厚度優(yōu)選約4 μ m 約20 μ m的范圍，更優(yōu)選約8 μ m 約 16μπι的范圍，例如為12μπι左右。金屬箔52向密封樹(shù)脂層40上的貼合，通過(guò)在密封樹(shù)脂層40的上面涂敷粘合性環(huán)氧樹(shù)脂，將涂敷了該環(huán)氧樹(shù)脂的面貼合于另一個(gè)金屬箔52的下 面來(lái)進(jìn)行即可。由此，樹(shù)脂層40和另一個(gè)金屬箔52適當(dāng)?shù)匾惑w化。需要說(shuō)明的是，可以利 用同一工序來(lái)執(zhí)行金屬箔50的層疊、和另一個(gè)金屬箔52的層疊，或可以利用各自的工序來(lái) 執(zhí)行。這樣，若形成了密封樹(shù)脂層40及另一個(gè)金屬箔52，然后，如圖6(c)所示，通過(guò)蝕刻 作為支撐體的金屬箔50，形成源電極50s及漏電極50d，并且通過(guò)蝕刻金屬箔52，形成柵電 極 50g。通過(guò)經(jīng)過(guò)以上的工序，作為TFT元件，能夠構(gòu)筑具有半導(dǎo)體層20、絕緣膜10、柵電 極50g、源電極50s和漏電極50d而成的柔性半導(dǎo)體裝置100B。需要說(shuō)明的是，如柔性半導(dǎo) 體裝置100B那樣，在柵電極50g配置成與半導(dǎo)體層夾著密封樹(shù)脂層40且相互對(duì)置的半導(dǎo) 體裝置中，密封樹(shù)脂層40中夾在半導(dǎo)體層20和柵電極50g之間的部位，作為柵極絕緣膜42 來(lái)發(fā)揮功能。(實(shí)施方式3)在圖4及圖5中例示的方式中，從取出電極圖形30s、30d的上方形成半導(dǎo)體層20， 半導(dǎo)體層20的周緣部的一部分覆蓋取出電極圖形30s、30d的延伸部32s、32d，但其形態(tài)、形 成順序可以相反。例如如圖7(a)及(b)所示，可以是從半導(dǎo)體層20上形成取出電極圖形 30s、30d。更具體來(lái)說(shuō)，在如圖7(a)及(b)所示的柔性半導(dǎo)體裝置100C中，其取出電極圖 形30s、30d的延伸部3k、32d配置成覆蓋半導(dǎo)體層20的一部分。換言之，在絕緣膜10上 設(shè)置的半導(dǎo)體層20，其周緣部的上面與源電極用取出電極圖形30s及漏電極用取出電極圖 形30d的周緣部的下面部分地接觸。需要說(shuō)明的是，圖7(a)及(b)所示的柔性半導(dǎo)體裝置 100C,是源電極50s、漏電極50d、和柵電極50g形成于同一平面上的半導(dǎo)體裝置。使用圖8(a) 圖8(e)，說(shuō)明柔性半導(dǎo)體裝置100C的制造工序的一例。需要說(shuō)明 的是，關(guān)于與上述柔性半導(dǎo)體裝置100AU00B的制法的相同點(diǎn)，省略說(shuō)明。首先，如圖8(a)所示，在金屬箔50的上面M形成絕緣膜10，接著，如圖8(b)所 示，在絕緣膜10的上面形成半導(dǎo)體層20。對(duì)半導(dǎo)體層20的形成方法沒(méi)有特別限制，例如， 與上述實(shí)施方式1一樣形成即可。在絕緣膜10上形成了半導(dǎo)體層20后，接著，如圖8(c)所示，按照與該半導(dǎo)體層 20接觸的方式在金屬箔50的上面的一部分形成至少兩個(gè)取出電極圖形30s、30d。如圖所 示，源極用取出電極圖形30s形成為覆蓋半導(dǎo)體層20的左端邊部分和絕緣膜10的左端邊 部分。同樣地，漏極用取出電極圖形30d形成為覆蓋半導(dǎo)體層20的右端邊部分和絕緣膜10 的右端邊部分。接著，如圖8 (d)所示，按照覆蓋半導(dǎo)體層20及取出電極圖形30s、30d的方式在金 屬箔50的上面M形成密封樹(shù)脂層40。然后，如圖8(e)所示，通過(guò)蝕刻金屬箔50，形成柵 電極50g、源電極50s及漏電極50d。如此，能夠簡(jiǎn)易且穩(wěn)定地得到圖7(a)及(b)所示的柔 性半導(dǎo)體裝置100C。(實(shí)施方式4)與實(shí)施方式3—樣，在圖9(a)及(b)所示的柔性半導(dǎo)體裝置100D中，從半導(dǎo)體層 20上形成取出電極圖形30s、30d。即，配置成由取出電極圖形30s、30d的延伸部3k、32d 覆蓋半導(dǎo)體層20的一部分。與實(shí)施方式3的柔性半導(dǎo)體裝置100C不同點(diǎn)在于，在圖9(a)及(b)所示的柔性半導(dǎo)體裝置100D中，柵電極50g未與源電極50s和漏電極50d形成于同一平面。使用圖10(a) (c)及圖11 (a) (c)，說(shuō)明柔性半導(dǎo)體裝置100D的制造工序的一例。首先，如圖10(a)所示，在金屬箔50的上面M形成了絕緣膜10后，如圖10(b)所 示，在絕緣膜10上形成半導(dǎo)體層20。接著如圖10(c)所示，按照與半導(dǎo)體層20接觸的方式 在金屬箔50上形成至少兩個(gè)取出電極圖形30s、30d。如圖所示，按照覆蓋半導(dǎo)體層20的周 邊端邊的一部分和絕緣膜10的周邊端邊的一部分的方式，形成源極用取出電極圖形30s及 漏極用取出電極圖形30d。接著，如圖11 (a)所示，按照覆蓋絕緣膜10、半導(dǎo)體層20及取出電極圖形30s、30d 的方式，在金屬箔50上形成密封樹(shù)脂層40。形成了密封樹(shù)脂層40后，如圖11(b)所示，通 過(guò)蝕刻金屬箔50，形成源電極50s及漏電極50d。接著，如圖11(c)所示，實(shí)施在密封樹(shù)脂 層40中與形成有源電極50s及漏電極50d的面(在圖中為下面)相反的一側(cè)的面(在圖 中為上面)形成柵電極50g的工序。在本實(shí)施方式4中，在密封樹(shù)脂層40上直接形成柵電 極50g。對(duì)在密封樹(shù)脂層40上直接形成柵電極50g的方法沒(méi)有特別限制，但例如可以利用 使用了掩模的真空蒸鍍法或?yàn)R射法來(lái)進(jìn)行。或者，可以使用利用噴墨方式印刷有機(jī)金屬并 進(jìn)行燒成的方法等。通過(guò)經(jīng)過(guò)以上的工序，能夠構(gòu)筑柔性半導(dǎo)體裝置100D。(實(shí)施方式5)例如，在圖1及圖7所示的柔性半導(dǎo)體裝置100A及100C中，構(gòu)成柵極絕緣膜10 的絕緣膜僅設(shè)置于半導(dǎo)體層20的下面區(qū)域，但不限于此。例如，如圖12所示的柔性半導(dǎo)體 裝置100E中的情況那樣，可以在半導(dǎo)體層20的下面以外的區(qū)域也設(shè)置絕緣膜(即絕緣膜 12)。在柔性半導(dǎo)體裝置100E中，絕緣膜12配置成覆蓋密封樹(shù)脂層40的整個(gè)下面(但 是除外取出電極圖形30s、30d的形成位置)。需要說(shuō)明的是，圖12所示的柔性半導(dǎo)體裝置 100E是源電極50s、漏電極50d和柵電極50g形成于同一平面上的半導(dǎo)體裝置。使用圖13(a) (e)，說(shuō)明柔性半導(dǎo)體裝置100E的制造工序的一例。首先，如圖13(a)所示，準(zhǔn)備上面被絕緣膜12預(yù)先被覆的金屬箔50。金屬箔50例 如為不銹鋼(SUS)箔即可。絕緣膜12與實(shí)施方式1 一樣形成即可。接著，在絕緣膜12的 上面的一部分形成半導(dǎo)體層20。半導(dǎo)體層20的形成也與實(shí)施方式1 一樣形成即可。接著，如圖13(b)所示，部分地除去整個(gè)絕緣膜12的一部分。由此，形成使位于其 下面的金屬箔50露出的開(kāi)口部15、17。開(kāi)口部15、17為貫通整個(gè)絕緣膜12的表背的貫通 ？L，是成為后述的取出電極圖形30s、30d的接點(diǎn)的部分。對(duì)開(kāi)口部15、17的形狀沒(méi)有特別限 制，例如可以為圓形。需要說(shuō)明的是，絕緣膜12的部分除去例如可以使用激光照射、蝕刻、 起離(liftoff)法等來(lái)進(jìn)行。接著，如圖13 (c)所示，在經(jīng)開(kāi)口部15、17露出的金屬箔50的上面，形成與半導(dǎo)體 層20接觸的取出電極圖形30s、30d。在圖示的方式中，在由左側(cè)的開(kāi)口部15露出的金屬箔 50的上面，形成源電極50s用取出電極圖形30s，并且，在由右側(cè)的開(kāi)口部17露出的金屬箔 50的上面，形成漏電極50d用取出電極圖形30d。該取出電極圖形30s、30d的形成可以與 實(shí)施方式1 一樣形成。
接著，按照覆蓋半導(dǎo)體層20及取出電極圖形30s、30d的方式在金屬箔50的上面 形成密封樹(shù)脂層40。需要說(shuō)明的是，如圖13(e)所示，通過(guò)蝕刻金屬箔50，形成柵電極50g、 源電極50s及漏電極50d。如此，能夠簡(jiǎn)易且穩(wěn)定地得到圖12所示的柔性半導(dǎo)體裝置100E。(實(shí)施方式6)與實(shí)施方式5 —樣，在圖14所示的柔性半導(dǎo)體裝置100F中，也是在半導(dǎo)體層20的 下面以外的區(qū)域形成絕緣膜。與實(shí)施方式5的柔性半導(dǎo)體裝置100E不同點(diǎn)在于，在圖14所 示的柔性半導(dǎo)體裝置100F中，柵電極50g未與源電極50s和漏電極50d形成在同一平面。圖14的柔性半導(dǎo)體裝置100F，例如可以經(jīng)過(guò)圖15(a) (e)所示的制造步驟來(lái)制作。首先，如圖15(a)所示，準(zhǔn)備在上面被絕緣膜12預(yù)先被覆的金屬箔50。接著，在絕 緣膜12的上面的一部分形成半導(dǎo)體層20。接著，如圖15(b)所示，通過(guò)除去絕緣膜12的一 部分，使位于絕緣膜12的下面的金屬箔50的一部分露出，形成開(kāi)口部15、17。需要說(shuō)明的 是，如圖15 (c)所示，在由開(kāi)口部15、17露出的金屬箔50的上面，形成與半導(dǎo)體層20接觸 的取出電極圖形30s、30d。接著，按照覆蓋半導(dǎo)體層20及取出電極圖形30s、30d的方式在金屬箔50的上面 形成密封樹(shù)脂層40。需要說(shuō)明的是，如圖15(e)所示，通過(guò)蝕刻金屬箔50，形成源電極50s 及漏電極50d。尤其是在本實(shí)施方式6中，在密封樹(shù)脂層40的面中與形成有源電極50s及 漏電極50d的面相反的一側(cè)的面，形成柵電極50g。該柵電極50g的形成與實(shí)施方式2及4 一樣進(jìn)行即可。這樣，能夠簡(jiǎn)易且穩(wěn)定地得到如圖14所示的柔性半導(dǎo)體裝置100F。(實(shí)施方式7)接著，在參照?qǐng)D16(a)及(b)的同時(shí)，說(shuō)明可以優(yōu)選搭載在圖像顯示裝置上的柔性 半導(dǎo)體裝置100G的方式的一例。圖16(a)是柔性半導(dǎo)體裝置100G的俯視圖，圖16(b)是 表示圖16(a)的IXb-IXb剖面的剖面圖。在圖像顯示裝置(在此為有機(jī)EL顯示器)上搭載的柔性半導(dǎo)體裝置100G，具有至 少兩個(gè)由半導(dǎo)體層、柵極絕緣膜、柵電極、源電極和漏電極構(gòu)成的TFT元件。在此，每一個(gè)像 素的TFT數(shù)為2個(gè)，柔性半導(dǎo)體裝置包含第一 TFT元件IOOfei和第二 TFT元件100Gb。在本實(shí)施方式7中，構(gòu)成第一 TFT元件IOOfei的柵電極50Ag、源電極50As及漏電 極50Ad、和構(gòu)成第二 TFT元件100( 的柵電極50Bg、源電極50Bs及漏電極50Bd，形成于密 封樹(shù)脂層40的同一面(在圖中為下面)。即，第一 TFT元件100( 和第二 TFT元件100( 在密封樹(shù)脂層40的同一面并列配置。第一 TFT元件100( 和第二 TFT元件IOOGb借助布 線85電連接。在圖示的方式中，第一 TFT元件100( 為開(kāi)關(guān)用晶體管，第二 TFT元件100( 為驅(qū) 動(dòng)用晶體管。此時(shí)，優(yōu)選例如借助布線85電連接第一 TFT元件(開(kāi)關(guān)用)IOOGa的漏電極 50Ad和第二 TFT元件(驅(qū)動(dòng)用)100( 的柵電極50Bg。布線85可以與構(gòu)成各元件的柵、源 及漏各電極一樣，利用金屬箔50的蝕刻來(lái)形成。圖示的柔性半導(dǎo)體裝置100G具備電容器80。電容器80保持電容以驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)用 TFT元件100( 。在圖示的方式中，電容器80由電介質(zhì)層82、上部電極層84和下部電極層 86構(gòu)成。詳述柔性半導(dǎo)體裝置100G的電容器80。電容器80的電介質(zhì)層82利用與構(gòu)成各元件的柵極絕緣膜10AU0B相同的材料構(gòu)成且與它們并列配置。也就是說(shuō)，電介質(zhì)層82的 下面和柵極絕緣膜10AU0B的下面位于同一平面上。另外，電容器80的上部電極層84利 用與構(gòu)成各元件的取出電極圖形30As、30Ad、30Bs、30Bd相同的材料構(gòu)成，且與它們并列配 置。需要說(shuō)明的是，電容器80的下部電極層86利用與構(gòu)成各元件的柵、源及漏電極50Ag、 50As、50Ad、50Bg、50Bs、50Bd相同的材料構(gòu)成，且與它們并列配置。也就是說(shuō)，電容器80的 下部電極層86可以與構(gòu)成各元件的電極一樣利用金屬箔50的蝕刻來(lái)形成。電容器80的下部電極層86與開(kāi)關(guān)用漏電極50Ad和驅(qū)動(dòng)用柵電極50Bg連接。電 容器80的上部電極層84借助布線88與驅(qū)動(dòng)用源電極50Bs連接。在這樣的構(gòu)成中，在通 過(guò)開(kāi)關(guān)用TFT元件100( 選擇的期間，保持電荷，將由該電荷產(chǎn)生的電壓施加給驅(qū)動(dòng)用TFT 元件100( 的柵極。需要說(shuō)明的是，通過(guò)與該電壓相對(duì)應(yīng)的漏電流流過(guò)有機(jī)EL元件，使像 素發(fā)光。在作為柔性半導(dǎo)體裝置的重要用途的顯示器驅(qū)動(dòng)用TFT元件中，需要保持電容以 驅(qū)動(dòng)元件的電容器。在這一點(diǎn)上，在本申請(qǐng)發(fā)明中，能夠在密封樹(shù)脂層40上直接形成電容 器80，可以不在柔性半導(dǎo)體裝置的外部另行配置電容器。從而，在本發(fā)明中，能夠?qū)崿F(xiàn)小型 且能夠高密度安裝的圖像顯示裝置。進(jìn)而，能夠利用與柵極絕緣膜10AU0B相同的材料構(gòu)成電容器80的電介質(zhì)層82。 另外，能夠利用與取出電極圖形30As、30Ad、30Bs、30Bd相同的材料構(gòu)成電容器80的上部電 極層84。進(jìn)而，能夠利用與柵、源及漏電極5(^8、5(^8、5(^(1、5( 8、5( 8、5( (1相同的材料 構(gòu)成電容器80的下部電極層86。因此，可以通過(guò)同一工序來(lái)制作電容器80、第一 TFT元件 IOOfei和第二 TFT元件100(ib。其結(jié)果，可以說(shuō)能夠高效生產(chǎn)柔性半導(dǎo)體裝置100G。需要說(shuō)明的是，在舉出一例的情況下，在圖4(a)所示的形成柵極絕緣膜10的工 序時(shí)，可以在金屬箔50上與柵極絕緣膜10 —同形成電容器80的電介質(zhì)層82。另外，在圖 4(b)所示的形成取出電極圖形30s、30d的工序時(shí)，可以與取出電極圖形30s、30d —同，在 電介質(zhì)層82上形成電容器80的上部電極層84。此外，在圖4(e)所示的金屬箔50的蝕刻 工序時(shí)，可以通過(guò)蝕刻金屬箔50，與柵電極、源電極及漏電極一同形成電容器的下部電極層 86。(實(shí)施方式8)作為可以優(yōu)選搭載在圖像顯示裝置上的柔性半導(dǎo)體裝置的方式，可以為圖17所 示的柔性半導(dǎo)體裝置100H。在參照?qǐng)D17(a) (c)的同時(shí)，說(shuō)明柔性半導(dǎo)體裝置100H的方 式。圖17(a)是柔性半導(dǎo)體裝置100H的俯視圖，圖17(b)是表示圖17(a)的XVb-XVb剖面 的剖面圖，圖17(c)是表示圖17(a)的XVc-XVC剖面的剖面圖。在圖像顯示裝置(在此為有機(jī)EL顯示器)上搭載的柔性半導(dǎo)體裝置具有至少兩 個(gè)TFT元件，所述TFT元件由半導(dǎo)體層、柵極絕緣膜、柵電極、源電極和漏電極構(gòu)成。在此， 每一個(gè)像素的TFT數(shù)為2個(gè)，圖示的柔性半導(dǎo)體裝置100H包含第一 TFT元件IOOHa和第二 TFT 元件 IOOHb。在本實(shí)施方式8中，構(gòu)成第一 TFT元件IOOHa的柵電極50Ag和構(gòu)成第二 TFT元件 IOOHb的柵電極50Bg，形成在密封樹(shù)脂層40的同一面(在圖中為上面)，并且，構(gòu)成第一 TFT 元件IOOHa的源電極50As及漏電極50Ad、和構(gòu)成第二 TFT元件IOOHb的源電極50Bs及漏 電極50Bd，形成在密封樹(shù)脂層40的同一面(在圖中為下面)。第一 TFT元件IOOHa和第二TFT元件IOOHb借助導(dǎo)通密封樹(shù)脂層40的表背面(在圖中為上面和下面)的層間連接部件 60電連接。在圖示的例子中，第一 TFT元件IOOHa為開(kāi)關(guān)用晶體管，第二 TFT元件IOOHb為驅(qū) 動(dòng)用晶體管。此時(shí)，優(yōu)選如圖17(b)所示，借助層間連接部件60電連接第一 TFT元件(開(kāi) 關(guān)用)IOOHa的漏電極50Ad和第二 TFT元件(驅(qū)動(dòng)用)IOOHb的柵電極50Bg。柔性半導(dǎo)體裝置100H具備圖17(c)所示的電容器80。電容器80是保持電容以驅(qū) 動(dòng)驅(qū)動(dòng)用TFT元件IOOHb的元件。在圖示的方式中，電容器80由電介質(zhì)層82、上部電極層 84和下部電極層86構(gòu)成。更具體來(lái)說(shuō)，電容器80的上部電極層84利用與構(gòu)成各元件的柵 電極50Ag、50Bg相同的材料構(gòu)成，且與它們并列配置。電容器80的下部電極層86由與構(gòu) 成各元件的源及漏電極50As、50Ad、50bs、50Bd相同的材料構(gòu)成，且與它們并列配置。此外， 電容器80的電介質(zhì)層82由密封樹(shù)脂層40中夾在上部電極層84和下部電極層86之間的 部位構(gòu)成。為了效率良好地生產(chǎn)柔性半導(dǎo)體裝置100H，可以利用同一工序來(lái)制作電容器80、 第一 TFT元件lOOHa、和第二 TFT元件lOOHb。另外，在圖6(b)及(c)所示的金屬箔50的 蝕刻工序中，可以在形成源電極及漏電極時(shí)，形成電容器80的下部電極層86，并且，在另一 個(gè)金屬箔52的蝕刻工序中，可以在形成柵電極時(shí)，形成電容器80的上部電極層84。需要說(shuō)明的是，如圖17 (c)所示，可以在密封樹(shù)脂層40的內(nèi)部，埋入調(diào)節(jié)電容器80 的電介質(zhì)層82的厚度的厚度調(diào)節(jié)用電極85。在圖17(c)所示的方式中，按照位于下部電 極層86的上面的方式將厚度調(diào)節(jié)用電極85埋設(shè)于密封樹(shù)脂層40的下面?zhèn)?。該厚度調(diào)節(jié) 用電極85可以由例如與各元件的取出電極圖形30As、30Ad、30Bs、30Bd相同的材料構(gòu)成，因 此，能夠利用與該取出電極圖形的形成相同的工序來(lái)制作。實(shí)施方式7、8的柔性半導(dǎo)體裝置100G、H中的等效電路90示于圖18中。圖18所 示的布線92為數(shù)據(jù)線，布線94為選擇線。按各圖像顯示裝置的每個(gè)像素形成有柔性半導(dǎo) 體裝置100G、100H。根據(jù)顯示器的構(gòu)成，TFT元件在各像素的設(shè)置不止兩個(gè)，有時(shí)還設(shè)置其 兩個(gè)以上，也可以與其相對(duì)應(yīng)改變?nèi)嵝园雽?dǎo)體裝置100G、100H。(實(shí)施方式9)接著，在參照?qǐng)D19(a)及(b)的同時(shí)，說(shuō)明在圖像顯示裝置上搭載的柔性半導(dǎo) 體裝置的其他實(shí)施方式。圖19(a)是柔性半導(dǎo)體裝置1001的俯視圖，(b)是表示(a)的 XVIIb-XVIIb剖面的剖面圖。在圖19(a)及(b)所示的柔性半導(dǎo)體裝置1001的結(jié)構(gòu)中，第一 TFT元件和第二 TFT元件并非并列配置在密封樹(shù)脂層的同一面。分在密封樹(shù)脂層的兩面(在圖中為上面及 下面)相對(duì)配置。具體來(lái)說(shuō)，在柔性半導(dǎo)體裝置1001中，構(gòu)成第一 TFT元件IOOIa的柵電極50Ag、 和構(gòu)成第二 TFT元件IOOIb的源電極50Bs及漏電極50Bd，形成在密封樹(shù)脂層40的一個(gè)面 (在圖中為上面)上。另外，構(gòu)成第一 TFT元件IOOIa的源電極50As及漏電極50Ad、和構(gòu)成 第二 TFT元件IOOIb的柵電極50Bg，形成在密封樹(shù)脂層40的另一面(在圖中為下面)上。 此外，第一 TFT元件IOOIa和第二 TFT元件IOOIb借助布線電連接。在圖示的方式中，第一 TFT元件IOOIa為開(kāi)關(guān)用晶體管，第二 TFT元件10(Hb為驅(qū) 動(dòng)用晶體管。此時(shí)，優(yōu)選借助布線87電連接構(gòu)成第二 TFT元件IOOIb (驅(qū)動(dòng)用)的柵電極50Bg、和構(gòu)成第一 TFT元件IOOIa的漏電極50Ad。該布線87可以與柵、源及漏各電極50As、 50Ad、50Bg —樣，利用金屬箔50的蝕刻來(lái)形成。這樣，在柔性半導(dǎo)體裝置1001中，第一 TFT元件IOOIa和第二 TFT元件IOOIb配置 為將密封樹(shù)脂層40夾在中間而對(duì)置。從而，與將各元件lOOHa、IOOHb在并列配置在密封樹(shù) 脂層的同一面的柔性半導(dǎo)體裝置100G(參照?qǐng)D16)相比，能夠減小柔性半導(dǎo)體裝置1001的 底面積。另外，由此能夠縮短與各元件100Ia、100Ib連接的布線長(zhǎng)度，能夠降低布線電阻。 其結(jié)果，能夠減小信號(hào)的上升、下降變慢的布線延遲。尤其在圖像顯示裝置的畫面尺寸變大 的情況下，存在布線延遲變大的傾向，因此，尤其能夠有效地發(fā)揮采用本實(shí)施方式9的柔性 半導(dǎo)體裝置1001的結(jié)構(gòu)所引起的效果。柔性半導(dǎo)體裝置1001可以具備電容器80。電容器80由電介質(zhì)層82、上部電極層 84和下部電極層86構(gòu)成。在本實(shí)施方式9中，對(duì)電容器80的上部電極層84，形成厚度調(diào) 節(jié)用電極85。如圖所示，通過(guò)在密封樹(shù)脂層40的上面?zhèn)嚷裨O(shè)厚度調(diào)節(jié)用電極85，能夠減小 電介質(zhì)層82的厚度。接著，參照?qǐng)D20(a) (c)，說(shuō)明柔性半導(dǎo)體裝置1001的制造方法。圖20(a) (c)是圖19(a)的XVIIb-XVIIb剖面中的柔性半導(dǎo)體裝置1001的工序剖面圖。首先，如圖20(a)所示，準(zhǔn)備第一金屬箔50A、第二金屬箔50B、和一個(gè)密封樹(shù)脂薄膜40。在此，第一金屬箔50A為形成各種電極的前階段的金屬箔，具有經(jīng)由絕緣膜10A形 成有半導(dǎo)體層20A的半導(dǎo)體層形成面(在圖中為上面)54A。另外，第二金屬箔50B為形成各種電極的前階段的金屬箔，具有經(jīng)由絕緣膜10B形 成有半導(dǎo)體層20B的半導(dǎo)體層形成面(在圖中為下面)54B。具有這樣的半導(dǎo)體層形成面 54A、54B的金屬箔50A、50B，例如可以經(jīng)過(guò)圖5(a) (c)所示的各步驟來(lái)制作。接著，如圖20(b)所示，實(shí)施埋入工序。具體來(lái)說(shuō)，使第一金屬箔50A的半導(dǎo)體層 形成面(在圖中為上面)54A與密封樹(shù)脂薄膜40的一面(在圖中為下面)44重合。如此能 夠?qū)⒃诎雽?dǎo)體層形成面54A上形成的半導(dǎo)體層20A及絕緣膜10A從一個(gè)面(在圖中為下 面)44埋入密封樹(shù)脂40。另外，使第二金屬箔50B的半導(dǎo)體層形成(在圖中為下面)54B與 密封樹(shù)脂薄膜40的另一面(在圖中為上面)46重合。如此能夠?qū)⒃诎雽?dǎo)體層形成面MB 上形成的半導(dǎo)體層20B及絕緣膜10B從另一面(在圖中為上面)46埋入密封樹(shù)脂40。如圖所示，利用同一工序來(lái)執(zhí)行第一金屬箔50A、密封樹(shù)脂薄膜40、和第二金屬箔 50B的重合。即，按照密封半導(dǎo)體層20A、20B的方式將第一金屬箔50A、密封樹(shù)脂薄膜40和 第二金屬箔50B對(duì)位而重合，如圖20(b)所示貼合并一體化即可。作為如此一體化的方法， 例如可以舉出邊以規(guī)定溫度加熱金屬箔50A、50B邊利用輥層壓法、真空層壓法、熱加壓等 來(lái)加壓的方法。在一體化第一金屬箔50A、密封樹(shù)脂薄膜40和第二金屬箔50B之后，接著，如圖 20(c)所示，蝕刻第一金屬箔50A。由此形成構(gòu)成第一 TFT元件IOOIa的源電極50As及漏 電極50Ad、和構(gòu)成第二 TFT元件IOOIb的柵電極50Bg。另外，通過(guò)蝕刻第二金屬箔50B，形 成構(gòu)成第一 TFT元件IOOIa的柵電極50Ag、和構(gòu)成第二 TFT元件IOOIb的源電極50Bs及 漏電極50Bd?？梢岳猛还ば騺?lái)進(jìn)行第一金屬箔50A的蝕刻和第二金屬箔50B的蝕刻。 但是，第一金屬箔50A的蝕刻和第二金屬箔50B的蝕刻不限于利用同一工序來(lái)進(jìn)行，可以利用各自的工序來(lái)進(jìn)行。通過(guò)經(jīng)過(guò)這樣的工序，能夠得到圖19(a)及(b)所示的柔性半導(dǎo)體裝置1001。(實(shí)施方式10)接著，參照?qǐng)D21(a) (c)，說(shuō)明柔性半導(dǎo)體裝置100J。0 21(a)是柔性半導(dǎo)體裝 置100J的俯視圖，(b)是表示(a)的Xb-Xb剖面的剖面圖，(c)是表示(a)的Xc-Xc剖面的 剖面圖。在圖21(a) (c)的柔性半導(dǎo)體裝置100J的構(gòu)成中，也與上述實(shí)施例9 一樣，不 是將第一 TFT元件和第二 TFT元件并列配置在密封樹(shù)脂層的同一面上，而分在密封樹(shù)脂層 的兩面(在圖中為上面及下面)，相對(duì)配置。具體來(lái)說(shuō)，構(gòu)成第一 TFT元件IOOJa的柵電極50Ag、源電極50As及漏電極50Ad，形 成于密封樹(shù)脂層40的一個(gè)面(在此為下面)44。與此相對(duì)，構(gòu)成第二 TFT元件IOOJb的柵 電極50Bg、源電極50Bs及漏電極50Bd，形成于密封樹(shù)脂層40的另一面(在此為上面)46。 此外，第一 TFT元件IOOJa和第二 TFT元件IOOJb借助導(dǎo)通密封樹(shù)脂層40的表背的層間連 接部件進(jìn)行電連接。該層間連接部件例如由在貫通密封樹(shù)脂層40的表背(上面和下面) 的貫通孔內(nèi)填充的導(dǎo)電性糊劑形成即可。在圖示的方式中，第一 TFT元件IOOJa為開(kāi)關(guān)用晶體管，第二 TFT元件IOOJb為 驅(qū)動(dòng)用晶體管。在這種情況下，例如借助層間連接部件60，電連接第一 TFT元件(開(kāi)關(guān) 用)IOOJa的漏電極50Ad和第二 TFT元件(驅(qū)動(dòng)用)IOOJb的柵電極50Bg即可。在柔性半導(dǎo)體裝置100J中，一方的TFT元件IOOJa配置于密封樹(shù)脂層40的下面 44，另一方的TFT元件IOOJb配置于密封樹(shù)脂層40的上面46。如此，與例如將各元件100G、 100( 并列配置在密封樹(shù)脂層的同一面的柔性半導(dǎo)體裝置100G (參照?qǐng)D16)相比，能夠減小 柔性半導(dǎo)體裝置100J的底面積。在柔性半導(dǎo)體裝置100J中也形成電容器80。如圖所示，電容器80由電介質(zhì)層82、 上部電極層84和下部電極層86構(gòu)成。在圖示的方式中，電容器80的下部電極層86與開(kāi) 關(guān)用TFT元件IOOJa的漏電極50Ad電連接。另外，電容器80的上部電極層84借助層間連 接部件62，與驅(qū)動(dòng)用TFT元件IOOJb的源電極50Bs電連接。在該實(shí)施方式10中，作為密封樹(shù)脂層40，使用由薄膜狀的芯材42、和分別在該芯 材42的兩面層疊的樹(shù)脂層40A、40B構(gòu)成的復(fù)合密封部件。作為芯材42，由尺寸穩(wěn)定性出色 的樹(shù)脂薄膜構(gòu)成即可。作為芯材42的樹(shù)脂材質(zhì)，可以舉出環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺(PI)樹(shù)脂、 丙烯酸樹(shù)脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹(shù)脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹(shù)脂、聚苯硫 醚(PPS)樹(shù)脂、聚苯醚(PPE)樹(shù)脂等。另外，作為在芯材42的兩面層疊的樹(shù)脂層40A、40B， 優(yōu)選具有能埋設(shè)半導(dǎo)體層20A、20B的特性且在固化后具有柔性的樹(shù)脂材料?？梢允褂美?在芯材42的兩面涂敷了未固化的環(huán)氧樹(shù)脂、PPE樹(shù)脂的材料。如此，通過(guò)將芯材42夾在樹(shù) 脂層(埋入層)40A、40B之間，能夠提高密封樹(shù)脂層40的操作性、尺寸穩(wěn)定性。因此，能夠 有助于生產(chǎn)率出色的柔性半導(dǎo)體裝置100J的提供。接著，參照?qǐng)D22(a)、(b)及圖23(a) (c)，說(shuō)明柔性半導(dǎo)體裝置100J的制造方 法。圖23(a) (c)是圖21(a)的klc剖面中的柔性半導(dǎo)體裝置100J的工序剖面圖。首先，如圖22(a)所示，在薄膜狀的芯材42的下面層疊樹(shù)脂層40A，在芯材42的上 面層疊樹(shù)脂層40B，制作作為復(fù)合密封部件的薄膜狀的密封樹(shù)脂層40。接著，在制作的密封樹(shù)脂薄膜40的規(guī)定位置形成貫通孔65、67。貫通孔65、67的形成例如可以通過(guò)沖孔處理、 激光照射等來(lái)容易地進(jìn)行。在形成貫通孔65、67后，接著，如圖22(b)所示，在貫通孔65、67中填充導(dǎo)電性糊 劑(例如含有銀粉及環(huán)氧樹(shù)脂的導(dǎo)電性糊劑)，形成導(dǎo)通密封樹(shù)脂40的表背的層間連接部 件60、62。如此，得到具備層間連接部件60、62的密封樹(shù)脂薄膜40。接著，如圖23(a)所示，準(zhǔn)備具備形成有半導(dǎo)體層20A的半導(dǎo)體層形成面(在圖中 為上面)54A的第一金屬箔50A。另外，還準(zhǔn)備具備形成有半導(dǎo)體層20B的半導(dǎo)體層形成面 (在圖中為下面)54B的第二金屬箔50B。該第一金屬箔及第二金屬箔50A、50B例如可以經(jīng) 過(guò)圖4(a) (c)所示的各步驟容易地制作。接著，如圖23 (a)及(b)所示，使第一金屬箔50A的半導(dǎo)體層形成面54A與密封樹(shù) 脂薄膜40的一個(gè)面44重合，從一個(gè)面44將構(gòu)成第一 TFT元件IOOJa的半導(dǎo)體層20A埋入 密封樹(shù)脂40。此時(shí)，按照使第一金屬箔50A的半導(dǎo)體層形成面54A和層間連接部件60、62 連接的方式將兩者對(duì)位并壓接。另外，通過(guò)使第二金屬箔50B的半導(dǎo)體層形成面54B與密封樹(shù)脂薄膜40的另一面 46重合，將構(gòu)成第二 TFT元件IOOJb的半導(dǎo)體層20B從另一面46埋入密封樹(shù)脂40。此時(shí)， 按照使第二金屬箔50B的半導(dǎo)體層形成面54B和層間連接部件60、62連接的方式將兩者對(duì) 位并壓接。將第一金屬箔50A、密封樹(shù)脂薄膜40和第二金屬箔50B —體化后，接著，如圖 23(b)及(c)所示，通過(guò)蝕刻第一金屬箔50A，形成構(gòu)成第一 TFT元件IOOJa的柵電極50Ag、 源電極50As及漏電極50Ad。如此，能夠構(gòu)筑第一 TFT元件lOOJa。另外，通過(guò)蝕刻第二金 屬箔50B，形成構(gòu)成第二 TFT元件IOOJb的柵電極50Bg、源電極50Bs及漏電極50Bd。通過(guò)經(jīng)過(guò)這樣的工序，能夠得到圖21(a) (c)所示的柔性半導(dǎo)體裝置100J。(實(shí)施方式11)接著，說(shuō)明圖M所示的柔性半導(dǎo)體裝置100K。圖M所示的柔性半導(dǎo)體裝置100K 的密封樹(shù)脂層40，具有由第一密封樹(shù)脂層40A和第二密封樹(shù)脂層40B層疊而成的層疊結(jié)構(gòu)。 在圖示的方式中，第一密封樹(shù)脂40A構(gòu)成密封樹(shù)脂層40的下層，第二密封樹(shù)脂40B構(gòu)成密 封樹(shù)脂層40的上層。構(gòu)成各元件的源及漏電極50As、50Ad、50Bs、50Bd，形成于第一密封樹(shù)脂層40A的 層疊方向(或?qū)盈B結(jié)構(gòu)的厚度方向)70上的外側(cè)的面(在圖中為下面)41A。相對(duì)于此，構(gòu)成 各元件的柵電極50Ag、50Bg，形成于第二密封樹(shù)脂層40B的層疊方向70上的內(nèi)側(cè)的面(在 圖中為下面)41B。如此，通過(guò)將各元件的柵電極50Ag、50Bg埋設(shè)于密封樹(shù)脂層40的內(nèi)部，能夠使柵 電極50Ag、50Bg和半導(dǎo)體層20A、20B的距離靠近。從而，能夠減小密封樹(shù)脂層40的一部分 構(gòu)成的柵極絕緣膜的厚度。需要說(shuō)明的是，第一密封樹(shù)脂層40A和第二密封樹(shù)脂層40B可 以由相同樹(shù)脂材料構(gòu)成，也可以由不同的樹(shù)脂材料構(gòu)成，但優(yōu)選由相同材料構(gòu)成。因?yàn)闊崤?脹系數(shù)等物性值在樹(shù)脂之間不存在差異，因此，提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。在由相同材料構(gòu) 成的情況下，基本上不存在圖M所示的邊界面41B、43A。參照?qǐng)D25(a) (c)，說(shuō)明上述柔性半導(dǎo)體裝置100K的制造方法。首先，如圖25(a)所示，準(zhǔn)備密封樹(shù)脂薄膜40A、和具備形成有構(gòu)成各元件的柵電極50Ag、50Bg的布線層形成面41B的柔性基板40B。另外，準(zhǔn)備具備形成有構(gòu)成各元件的半 導(dǎo)體層20A、20B的半導(dǎo)體層形成面M的第一金屬箔50。在此，密封樹(shù)脂薄膜40A為用于構(gòu)成密封樹(shù)脂層40的第一密封樹(shù)脂層40A的樹(shù)脂 薄膜，在其規(guī)定位置形成有層間連接部件60。柔性基板40B為用于構(gòu)成密封樹(shù)脂層40的第二密封樹(shù)脂層40B的樹(shù)脂薄膜，在其 表面形成有包含構(gòu)成各元件的柵電極50Ag、50Bg的布線層。金屬箔50是通過(guò)蝕刻形成源及漏電極50As、50Ad、50Bs、50Bd的前階段的金屬箔。 在金屬箔50的表面經(jīng)由絕緣膜10AU0B形成有半導(dǎo)體層20A、20B。接著，如圖25(b)所示，通過(guò)使金屬箔50的半導(dǎo)體層形成面M與密封樹(shù)脂薄膜 40A的一個(gè)面41A重合，從一個(gè)面41A將構(gòu)成各元件的半導(dǎo)體層20A、20B埋入密封樹(shù)脂薄膜 40A。此時(shí)，按照使金屬箔50和層間連接部件60連接的方式將兩者對(duì)位而壓接。另外，使柔性基板40B的布線層形成面41B與密封樹(shù)脂薄膜40A中和壓接有金屬 箔50的面41A(即形成源及漏電極的面)相反的一側(cè)的面43A重合。如此能夠?qū)瑬烹?極50Ag、50Bg的布線層埋入密封樹(shù)脂薄膜40A的面43A。此時(shí)，按照使布線層形成面41B的 布線層的一部分和層間連接部件60連接的方式將兩者對(duì)位而壓接。如此，將密封樹(shù)脂薄膜40A、柔性基板40B和第一金屬箔50 —體化。接著，如圖 25(c)所示，通過(guò)蝕刻金屬箔50，形成構(gòu)成各元件的源及漏電極50As、50Ad、50Bs、50Bd。通過(guò)以上的工序，能夠構(gòu)筑第一 TFT元件IOOKa及第二 TFT元件100Kb，能夠得到 圖M所示的柔性半導(dǎo)體裝置100K。(實(shí)施方式12)接著，說(shuō)明圖沈所示的柔性半導(dǎo)體裝置100L。在圖沈所示的柔性半導(dǎo)體裝置100L中，構(gòu)成第一 TFT元件IOOLa的柵電極50Ag、 源電極50As及漏電極50Ad，設(shè)置于密封樹(shù)脂層40的任一個(gè)面。相對(duì)于此，構(gòu)成第二 TFT元 件IOOLb的柵電極50Bg、源電極50Bs及漏電極50Bd，設(shè)置于密封樹(shù)脂層40的內(nèi)部。具體來(lái)說(shuō)，構(gòu)成第一 TFT元件IOOLa的柵電極50Ag、源電極50As及漏電極50Ad， 形成于第一密封樹(shù)脂層40A的層疊方向(或?qū)盈B結(jié)構(gòu)的厚度方向)70上的外側(cè)的面(在圖 中為下面)41A。相對(duì)于此，構(gòu)成第二 TFT元件IOOLb的柵電極50Bg、源電極50Bs及漏電極 50Bd，形成于第二密封樹(shù)脂層40B的層疊方向70上的內(nèi)側(cè)的面(在圖中為下面)41B。在圖示的方式中，第一 TFT元件IOOLa為開(kāi)關(guān)用晶體管，第二 TFT元件IOOLb為驅(qū) 動(dòng)用晶體管。此時(shí)，優(yōu)選借助層間連接部件60將第二 TFT元件(驅(qū)動(dòng)用)IOOLb的柵電極 50Bg和第一 TFT元件(開(kāi)關(guān)用)IOOLa的漏電極50Ad電連接。如柔性半導(dǎo)體裝置100L —樣，將密封樹(shù)脂層形成為多個(gè)樹(shù)脂層層疊而成的層狀 結(jié)構(gòu)，分別在各層形成TFT元件，由此能夠進(jìn)一步增大TFT元件的安裝密度。從而，能夠進(jìn) 一步縮短與各元件IOOLaUOOLb連接的布線長(zhǎng)度，其結(jié)果，能夠有效地降低布線延遲。在圖示的柔性半導(dǎo)體裝置100L中，也具備電容器80。電容器80的下部電極層86 與第一 TFT元件(開(kāi)關(guān)用)IOOLa的漏電極50Ad電連接。另外，電容器80的上部電極層84 借助第二 TFT元件(驅(qū)動(dòng)用)IOOLb的源電極50Bs電連接。接著，在參照?qǐng)D27(a) (c)的同時(shí)說(shuō)明柔性半導(dǎo)體裝置100L的制造方法。首先，如圖27 (a)所示，準(zhǔn)備第一密封樹(shù)脂薄膜40A，并且準(zhǔn)備具備形成有構(gòu)成第二 TFT元件IOOLb的柵電極50Bg、源電極50Bs及漏電極50Bd的電極形成面41B的第二密 封樹(shù)脂薄膜40B。另外，還準(zhǔn)備具備形成有構(gòu)成第一 TFT元件IOOLa的半導(dǎo)體層20A的半導(dǎo) 體層形成面54A的金屬箔50A。在此，第一密封樹(shù)脂薄膜40A為用于構(gòu)成密封樹(shù)脂40的第一密封樹(shù)脂層40A的樹(shù) 脂薄膜，在其規(guī)定位置形成有層間連接部件60、62。這樣的樹(shù)脂薄膜40A例如可以經(jīng)過(guò)圖 22(a)及(b)所示的工序來(lái)制作。第二密封樹(shù)脂薄膜40B為用于構(gòu)成密封樹(shù)脂層40的第二密封樹(shù)脂40B的樹(shù)脂薄 膜。在其表面形成有構(gòu)成第二 TFT元件IOOLb的柵電極50Bg、源電極50Bs及漏電極50Bd。 另外，在第二密封樹(shù)脂薄膜40B的內(nèi)部埋設(shè)有構(gòu)成第二 TFT元件IOOLb的柵極絕緣膜IOB 及半導(dǎo)體層20B。這樣的樹(shù)脂薄膜40B例如可以經(jīng)過(guò)圖4(a) (e)所示的工序來(lái)制作。金屬箔50A為通過(guò)蝕刻來(lái)形成柵電極50Ag、源電極50As及漏電極50Ad的前階段 的金屬箔。在金屬箔50A的表面經(jīng)由柵極絕緣膜IOA形成半導(dǎo)體層20A。這樣的金屬箔50A 例如可以經(jīng)過(guò)圖4(a) (c)所示的工序來(lái)制作。接著，如圖27 (b)所示，使金屬箔50A的半導(dǎo)體層形成面54A與第一密封樹(shù)脂薄膜 40A的一個(gè)面41A重合。由此，將構(gòu)成第一 TFT元件IOOLa的半導(dǎo)體層20A從一個(gè)面41A埋 入第一密封樹(shù)脂薄膜40A。此時(shí)，按照連接在半導(dǎo)體層形成面54A形成的布線88和層間連 接部件60、以及連接電容器80的上部電極層84和層間連接部件62的方式將兩者對(duì)位而壓接。另外，使第二密封樹(shù)脂薄膜40B的電極形成面41B與第一密封樹(shù)脂薄膜40A的另 一面43A重合。由此，將構(gòu)成第二 TFT元件IOOLb的柵電極50Bg、源電極50Bs及漏電極 50Bd從另一面43A埋入第一密封樹(shù)脂薄膜40A。此時(shí)，按照連接在電極形成面41B上形成 的柵電極50Bg和層間連接部件60、以及連接源電極50Bs和層間連接部件62的方式將兩者 對(duì)位而壓接。將第一密封樹(shù)脂薄膜40A、第二密封樹(shù)脂薄膜40B和金屬箔50A—體化后，接著，如 圖27(b)及(c)所示，通過(guò)蝕刻金屬箔50A，形成構(gòu)成第一 TFT元件IOOLa的柵電極50Ag、 源電極50As及漏電極50Ad。通過(guò)以上的工序，能夠得到圖沈所示的柔性半導(dǎo)體裝置100L。(圖像顯示裝置)舉例說(shuō)明應(yīng)用本發(fā)明的各種柔性半導(dǎo)體裝置的圖像顯示裝置。圖觀是表示圖像 顯示裝置1000的整體的外觀的外觀立體圖。圖像顯示裝置1000例如為有機(jī)EL顯示器。如圖28所示，圖像顯示裝置1000具 有TFT部1100、驅(qū)動(dòng)器部(1200、1300)和EL部1400。此外，在TFT部1100的各像素中包 含本發(fā)明的各種柔性半導(dǎo)體裝置600。更具體來(lái)說(shuō)，柔性半導(dǎo)體裝置600配置于加強(qiáng)薄膜(例如PET、PEN等樹(shù)脂薄膜) 上。另外，柔性半導(dǎo)體裝置600形成于EL部1400所具備的有機(jī)EL元件的下方，柔性半導(dǎo) 體裝置600的驅(qū)動(dòng)用TFT元件的漏電極與有機(jī)EL元件連接。需要說(shuō)明的是，在有機(jī)EL元 件上形成有透明電極。而且，在其上形成有保護(hù)薄膜(例如PET、PEN等樹(shù)脂薄膜)。以上，說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明不限于此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該容 易理解可以進(jìn)行各種改變的情況。
(變更方式1)如圖四⑷及(b)的柔性半導(dǎo)體裝置100MU00M，所示，源極用取出電極圖形30s 和漏極用取出電極圖形30d的對(duì)置的部位的形狀形成為梳齒形狀即可。這樣，通過(guò)將源極 用取出電極圖形30s和漏極用取出電極圖形30d的對(duì)置的部位的形狀形成為梳齒形狀，能 夠在維持規(guī)定尺寸的同時(shí)，增大溝道寬度。其結(jié)果，能夠得到溝道寬度的增大所引起的高速 動(dòng)作。需要說(shuō)明的是，梳齒形狀的長(zhǎng)度(源極用取出電極圖形30s及漏極用取出電極圖形 30d對(duì)置的部位的長(zhǎng)度)可以對(duì)應(yīng)于所需的TFT性能來(lái)適當(dāng)確定。例如，在形成有機(jī)EL顯 示器用TFT陣列的情況下，可以使驅(qū)動(dòng)用TFT元件的梳齒形狀的長(zhǎng)度比開(kāi)關(guān)用TFT元件的 梳齒形狀的長(zhǎng)度長(zhǎng)。(變更方式2)如圖30(a)及(b)的柔性半導(dǎo)體裝置100N、100N’所示，可以是將從源電極50s筆 直延伸的兩個(gè)源極用取出電極圖形30s、和從漏電極50d筆直延伸的三個(gè)漏極用取出電極 圖形30d交替地并列配置這樣的方式。即使為這樣的形狀，取出電極30s、30d也構(gòu)成“梳齒 形狀”，能夠增大溝道寬度。(變更方式3)如圖31的柔性半導(dǎo)體裝置1000所示，可以在半導(dǎo)體層20上形成絕緣膜(另一個(gè) 保護(hù)層)16。構(gòu)成絕緣膜16的絕緣材料可以為與保護(hù)半導(dǎo)體層20的下面的絕緣膜10的 絕緣材料相同的材料，或者，可以為不同的材料。如此，通過(guò)采用由兩個(gè)保護(hù)層(絕緣膜10 及絕緣膜16)覆蓋半導(dǎo)體層20的兩面的方式，能夠進(jìn)一步隔離半導(dǎo)體層20與密封樹(shù)脂層 40。其結(jié)果，能夠防止來(lái)自密封樹(shù)脂層40內(nèi)的水蒸氣或氧、殘留離子等引起的半導(dǎo)體層20 的劣化。由此，例如可以使用雜質(zhì)離子的含量高的低價(jià)密封樹(shù)脂作為基材，能夠?qū)崿F(xiàn)制造成 本的降低。需要說(shuō)明的是，在半導(dǎo)體層20上形成的絕緣膜(另一個(gè)保護(hù)層)16還作為柵極絕 緣膜發(fā)揮功能。作為這樣的兼用保護(hù)層和柵極絕緣膜的優(yōu)選的絕緣材料，例如可以舉出鉭 氧化物(Ta2O5等)、鋁氧化物(Al2O3等)、硅氧化物(SiO2等)、沸石氧化物(ZrO2等)、鈦氧 化物(TW2等)、釔氧化物(Y2O3等)、鑭氧化物(La2O3等)、鉿氧化物(HfO2等)等金屬氧化 物或這些金屬的氮化物。這些無(wú)機(jī)材料具有比樹(shù)脂系的絕緣材料高的介電常數(shù)，因此，可以 說(shuō)作為柔性半導(dǎo)體裝置中的柵極絕緣膜的材料是特別優(yōu)選的。(變更方式4)如圖32的柔性半導(dǎo)體裝置100P所示，可以采用雙柵結(jié)構(gòu)。S卩，除了半導(dǎo)體層20 上的柵電極50g之外，可以在半導(dǎo)體層20的下方經(jīng)由絕緣膜10形成另一個(gè)柵電極50g。另 一個(gè)柵電極54g可以與源電極50s及漏電極50d —樣，利用金屬箔50的蝕刻來(lái)形成。若采用雙柵結(jié)構(gòu)，則與柵電極為一個(gè)的情況相比，能夠使更多的電流流過(guò)源-漏 之間。另外，即便在流過(guò)與柵電極為一個(gè)時(shí)相同的量的電流的情況下，也能夠減小在每一個(gè) 柵極流過(guò)的電流量，其結(jié)果，能夠降低柵電壓。而且，通過(guò)分別利用兩個(gè)柵電極50g、Mg，能 夠變更半導(dǎo)體元件的閾值電壓，因此，能夠減小半導(dǎo)體元件的偏差。進(jìn)而，還具有通過(guò)將一 個(gè)柵電極用作調(diào)制用而能夠得到不同的輸出尺寸或頻率輸出的優(yōu)點(diǎn)。(變更方式5)如圖33的柔性半導(dǎo)體裝置100Q所示，還考慮沒(méi)有源電極50s及漏電極50d的結(jié)構(gòu)。即，可以在制造時(shí)除去金屬箔50(源電極50s及漏電極50d)，由此使源極用取出電極圖 形30s及漏極用取出電極圖形30d從密封樹(shù)脂層40的表面(在圖中為下面)露出。若采 用該結(jié)構(gòu)，則能夠?qū)⒀b置主體的厚度減小源電極50s及漏電極50d的厚度量程度。需要說(shuō) 明的是，金屬箔50的除去(源電極50s及漏電極50d)通過(guò)蝕刻處理來(lái)進(jìn)行即可。需要說(shuō)明的是，如圖34所示，可以進(jìn)一步變更柔性半導(dǎo)體裝置100Q。在圖34所示 的柔性半導(dǎo)體裝置100R中，將源電極50s及漏電極50d形成在與取出電極圖形30s、30d的 露出面(在圖中為密封樹(shù)脂層40的下面)相反的一側(cè)的面上。即，在與柵電極50g相同的 面上形成有源電極50s及漏電極50d。在該情況下，借助導(dǎo)通密封樹(shù)脂層40的表背的層間 連接部件64將源電極50s和取出電極圖形30s電連接。另外，借助層間連接部件66將漏 電極50d和取出電極圖形30d電連接。(變更方式6)在圖35所示的柔性半導(dǎo)體裝置100S的情況下，不僅在柔性基板40B的下面41B 上形成布線層，而且還在其上面4 上也形成布線層即可。在這種情況下，上面43A及下面 41B的各布線層借助導(dǎo)通柔性基板40B的兩面的層間連接部件62來(lái)電連接即可。若為這樣 的構(gòu)成，則能夠經(jīng)由柔性基板40B的上面43B的布線層進(jìn)行重新布線、電極的引出，便利性尚ο需要說(shuō)明的是，綜上所述，上述本發(fā)明包括以下的方式。第1方式一種柔性半導(dǎo)體裝置，其具有柔性，具備絕緣膜；通過(guò)對(duì)位于所述絕緣膜的下面的金屬箔進(jìn)行蝕刻而形成的源電極及漏電極；在所述絕緣膜的上面的一部分形成的半導(dǎo)體層；將所述源電極及所述漏電極的各個(gè)和所述半導(dǎo)體層電連接的取出電極圖形；密封所述取出電極圖形及所述半導(dǎo)體層的密封樹(shù)脂層；和在所述密封樹(shù)脂層的面中與形成有所述源電極及所述漏電極的面相反的一側(cè)的 面形成的柵電極。第2方式上述第1方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述密封樹(shù)脂層的面 的夾在所述半導(dǎo)體層和所述柵電極之間的部位，作為柵極絕緣膜發(fā)揮功能。第3方式上述第1或第2方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述半導(dǎo)體 層上形成有被覆該半導(dǎo)體層的由絕緣材料形成的保護(hù)層。第4方式上述第1 第3方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具 備電容器，該電容器的電極層通過(guò)蝕刻所述金屬箔而形成。第5方式上述第1 第4方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有 至少兩個(gè)由所述半導(dǎo)體層、所述絕緣膜、所述柵電極、所述源電極和所述漏電極構(gòu)成的TFT 元件。第6方式上述第5方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成所述至少兩個(gè) TFT元件中第一 TFT元件的源電極及漏電極、和構(gòu)成所述至少兩個(gè)TFT元件中第二 TFT元件 的源電極及漏電極，形成于所述密封樹(shù)脂層的一個(gè)面，并且，構(gòu)成所述第一 TFT元件的柵電 極、和構(gòu)成所述第二 TFT元件的柵電極形成于所述密封樹(shù)脂層的另一面。第7方式上述第6方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一 TFT元件和所述第二 TFT元件借助導(dǎo)通所述密封樹(shù)脂層的表面和背面的層間連接部件來(lái)電連接。第8方式上述第5方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成所述至少兩個(gè) TFT元件中第一 TFT元件的柵電極、和構(gòu)成所述至少兩個(gè)TFT元件中第二 TFT元件的源電極 及漏電極，形成于所述密封樹(shù)脂層的一個(gè)面，并且，構(gòu)成所述第一 TFT元件的源電極及漏電 極、和構(gòu)成所述第二 TFT元件的柵電極形成于所述密封樹(shù)脂層的另一面。第9方式上述第8方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一 TFT元件和 所述第二 TFT元件借助通過(guò)蝕刻所述金屬箔而形成的布線來(lái)電連接。第10方式一種柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具有柔性的柔性半導(dǎo)體裝置的 制造方法，其中，包括準(zhǔn)備金屬箔的工序；在所述金屬箔上形成絕緣膜的工序；在所述金屬箔上形成取出電極圖形的工序；按照與所述取出電極圖形接觸的方式在所述絕緣膜上形成半導(dǎo)體層的工序；按照覆蓋所述半導(dǎo)體層及所述取出電極圖形的方式在所述金屬箔上形成密封樹(shù) 脂層的工序；通過(guò)蝕刻所述金屬箔形成源電極及漏電極的工序；和在所述密封樹(shù)脂層的面中與形成有所述源電極及漏電極的面相反的一側(cè)的面上 形成柵電極的工序。第11方式一種柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具有柔性的柔性半導(dǎo)體裝置的 制造方法，包括準(zhǔn)備金屬箔的工序；在所述金屬箔上形成絕緣膜的工序；在所述金屬箔上形成半導(dǎo)體層的工序；按照與所述半導(dǎo)體層接觸的方式在所述金屬箔上形成取出電極圖形的工序；按照覆蓋所述半導(dǎo)體層及所述取出電極圖形的方式在所述金屬箔上形成密封樹(shù) 脂層的工序；通過(guò)蝕刻所述金屬箔形成源電極及漏電極的工序；和在所述密封樹(shù)脂層的面中與形成有所述源電極及漏電極的面相反的一側(cè)的面上 形成柵電極的工序。第12方式一種柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具有柔性的柔性半導(dǎo)體裝置的 制造方法，包括準(zhǔn)備一個(gè)面被絕緣膜被覆的金屬箔的工序；在所述絕緣膜上形成半導(dǎo)體層的工序；通過(guò)除去所述絕緣膜的一部分形成使位于該絕緣膜的下方的金屬箔露出的開(kāi)口 部的工序；在由所述開(kāi)口部露出的所述金屬箔上形成與所述半導(dǎo)體層接觸的取出電極圖形 的工序；按照覆蓋所述取出電極圖形及所述半導(dǎo)體層的方式在所述金屬箔上形成密封樹(shù) 脂層的工序；
通過(guò)蝕刻所述金屬箔形成源電極及漏電極的工序；和在所述密封樹(shù)脂層的面中與形成有所述源電極及漏電極的面相反的一側(cè)的面上 形成柵電極的工序。第13方式上述第10 12方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，所述柵電極的形成包括在所述密封樹(shù)脂層的面中與形成有所述源電極及漏電極的面相反的一側(cè)的面上 形成另一個(gè)金屬箔的工序；和通過(guò)蝕刻所述另一個(gè)金屬箔形成柵電極的工序。第14方式上述第10 12方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，所述柵電極的形成包括準(zhǔn)備具備布線層形成面的柔性基板的工序，所述布線層形成面形成有包含所述柵 電極的布線層；和通過(guò)使所述柔性基板的布線層形成面與所述密封樹(shù)脂層的面中與形成有所述源 電極及漏電極的面相反的一側(cè)的面重合，從所述相反側(cè)的面埋入密封樹(shù)脂層的工序。第15方式上述第10 14方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，包括通過(guò)除去所述金屬箔而使所述取出電極圖形從所述密封樹(shù)脂層的表面露出的工序。第16方式上述第10 15方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，所述半導(dǎo)體層的形成還包括按照覆蓋所述半導(dǎo)體層的方式形成含有絕緣材料的 半導(dǎo)體層的工序。第17方式上述第10 16方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，所述半導(dǎo)體層的形成包括在所述絕緣膜上堆積半導(dǎo)體材料的工序；和對(duì)所述已堆積的半導(dǎo)體材料執(zhí)行加熱處理的工序。第18方式上述第17方式中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述加熱處理包括熱退火工序及激光退火工序的至少一個(gè)，利用所述加熱處理， 執(zhí)行所述已堆積的半導(dǎo)體材料的結(jié)晶化。第19方式上述第10 18方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，所述半導(dǎo)體層的形成工序在包含工藝溫度為400°C以上的步驟的高溫工藝中執(zhí) 行。第20方式上述第10 19方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，在蝕刻所述金屬箔的工序中，通過(guò)蝕刻該金屬箔，形成所述源電極及所述漏電極， 并且形成電容器的電極層。第21方式上述第13中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在蝕刻所述另一個(gè)金屬箔的工序中，通過(guò)蝕刻該另一個(gè)金屬箔，與所述柵電極一同形成電容器的電極層。第22方式一種柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具有第一 TFT元件和第二 TFT 元件的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備具備形成有構(gòu)成所述第一 TFT元件的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層形成面的第一金 屬箔、具備形成有構(gòu)成所述第二 TFT元件的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層形成面的第二金屬箔、和 一個(gè)密封樹(shù)脂薄膜的工序；通過(guò)使所述第一金屬箔的半導(dǎo)體層形成面與所述密封樹(shù)脂薄膜的一個(gè)面重合，將 構(gòu)成所述第一 TFT元件的半導(dǎo)體層埋入所述密封樹(shù)脂薄膜的一個(gè)面的層疊工序；通過(guò)使所述第二金屬箔的半導(dǎo)體層形成面與所述密封樹(shù)脂薄膜的另一面重合，將 構(gòu)成所述第二 TFT元件的半導(dǎo)體層埋入所述密封樹(shù)脂薄膜的另一面的層疊工序；通過(guò)蝕刻所述第一金屬箔，形成構(gòu)成所述第一 TFT元件的源電極及漏電極、和構(gòu) 成所述第二 TFT元件的柵電極的蝕刻工序；和通過(guò)蝕刻所述第二金屬箔，形成構(gòu)成所述第一 TFT元件的柵電極、和構(gòu)成所述第 二 TFT元件的源電極及漏電極的蝕刻工序。第23方式上述第22方式中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述 密封樹(shù)脂薄膜上形成有導(dǎo)通所述第一金屬箔和所述第二金屬箔的層間連接部件。第M方式上述第22或23方式中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，通 過(guò)同一工序執(zhí)行所述第一金屬箔的蝕刻和所述第二金屬箔的蝕刻。第25方式上述第22 M方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，通過(guò)同一工序執(zhí)行所述第一金屬箔的層疊和所述第二金屬箔的層疊。第沈方式一種柔性半導(dǎo)體裝置，其具有柔性，具備柵極絕緣膜；通過(guò)蝕刻位于所述柵極絕緣膜的下面的金屬箔而形成的源電極及漏電極；在所述柵極絕緣膜的上面形成的半導(dǎo)體層；將所述源電極及所述漏電極的各個(gè)和所述半導(dǎo)體層電連接的取出電極圖形；密封所述取出電極圖形及所述半導(dǎo)體層的密封樹(shù)脂層；和形成于所述柵極絕緣膜的下面且通過(guò)蝕刻所述金屬箔而形成的柵電極。第27方式上述第沈方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述柵電極的下面、 和所述源電極及漏電極的下面分別位于同一平面上。第觀方式上述第沈或27方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備電容 器，所述電容器的電介質(zhì)層的下面和所述柵極絕緣膜的下面位于同一平面上。第四方式上述第觀方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述電容器的下部 電極層是通過(guò)蝕刻所述金屬箔而形成的。第30方式上述第沈 四方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述柔性半導(dǎo) 體裝置具有至少兩個(gè)由所述半導(dǎo)體層、所述柵極絕緣膜、所述柵電極、所述源電極和所述漏 電極構(gòu)成的TFT元件。第31方式上述第30方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成所述至少兩個(gè) TFT元件中第一 TFT元件的柵電極、源電極及漏電極、和構(gòu)成所述至少兩個(gè)TFT元件中第二 TFT元件的柵電極、源電極及漏電極，形成于所述密封樹(shù)脂層的同一面。
第32方式上述第31方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一 TFT元件 和所述第二 TFT元件借助通過(guò)蝕刻所述金屬箔而形成的布線來(lái)電連接。第33方式上述第30方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成所述至少兩個(gè) TFT元件中第一 TFT元件的柵電極、源電極及漏電極形成于所述密封樹(shù)脂層的一個(gè)面，并 且，構(gòu)成所述至少兩個(gè)TFT元件中第二 TFT元件的柵電極、源電極及漏電極形成于所述密封 樹(shù)脂層的另一面。第34方式上述第33方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一 TFT元件 和所述第二 TFT元件借助導(dǎo)通所述密封樹(shù)脂層的表背的層間連接部件來(lái)電連接。第35方式上述第33或34方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述密封樹(shù)脂 層由薄膜狀的芯材和分別在該芯材的兩面層疊的樹(shù)脂層構(gòu)成。第36方式上述第30方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成所述至少兩個(gè) TFT元件中第一 TFT元件的柵電極、源電極及漏電極形成于所述密封樹(shù)脂層的面的任一個(gè) 面，并且，構(gòu)成所述至少兩個(gè)TFT元件中第二 TFT元件的柵電極、源電極及漏電極設(shè)置于所 述密封樹(shù)脂層的內(nèi)部。第37方式上述第36方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述密封樹(shù)脂層具 有由第一密封樹(shù)脂層和第二密封樹(shù)脂層層疊而成的層疊結(jié)構(gòu)，構(gòu)成所述第一 TFT元件的所述柵電極、源電極及漏電極形成于所述第一密封樹(shù)脂 層的層疊方向的外側(cè)的面，且構(gòu)成所述第二 TFT元件的所述柵電極、源電極及漏電極形成 于所述第二密封樹(shù)脂層的層疊方向的的面(即按照相對(duì)于第一密封樹(shù)脂層和第二密封樹(shù) 脂層的界面成一個(gè)面的方式)。第38方式上述第37方式中的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一 TFT元件 和所述第二 TFT元件借助導(dǎo)通所述第一密封樹(shù)脂層的表背的層間連接部件來(lái)電連接。第39方式一種柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具有柔性的柔性半導(dǎo)體裝置的 制造方法，包括準(zhǔn)備金屬箔的工序(a)；在所述金屬箔上形成柵極絕緣膜的工序(b)；在所述柵極絕緣膜上形成半導(dǎo)體層的工序(C)；按照覆蓋所述半導(dǎo)體層的方式在所述金屬箔上形成密封樹(shù)脂層的工序(d)；和通過(guò)蝕刻所述金屬箔形成柵電極、源電極及漏電極的工序(e)。第40方式上述第39方式中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述工 序(c)包括在所述柵極絕緣膜上堆積半導(dǎo)體材料的工序、和對(duì)所述已堆積的半導(dǎo)體材料 執(zhí)行加熱處理的工序。第41方式上述第40方式中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述加 熱處理包括熱退火工序及激光退火工序的至少一個(gè)，利用所述加熱處理，執(zhí)行所述已堆積 的半導(dǎo)體材料的結(jié)晶化。第42方式上述第39 41方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，利用包括工藝溫度為400°C以上的步驟的高溫工藝來(lái)執(zhí)行所述工序(b)到(C)。第43方式上述第39 42方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，包括在所述工序(c)后按照與所述半導(dǎo)體層接觸的方式在所述金屬箔上形成至少兩個(gè)取出電極圖形的工序。第44方式上述第39 42方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，包括在所述工序(b)后在所述金屬箔上形成至少兩個(gè)取出電極圖形的工序，在所 述工序(c)中，按照與所述已形成的取出電極圖形接觸的方式形成所述半導(dǎo)體層。第45方式上述第43或44方式中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在 所述工序(e)中，按照與所述已形成的至少兩個(gè)取出電極圖形分別連接的方式形成所述源 電極及所述漏電極。第46方式上述第39 45方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，在所述工序(b)中，在所述金屬箔上，與所述柵極絕緣膜一同形成電容器的電介質(zhì)層。第47方式上述第39 45方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，在所述工序(e)中，通過(guò)蝕刻所述金屬箔，形成所述柵電極、源電極及漏電極，并且 形成電容器的下部電極層。第48方式一種柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具有柔性的柔性半導(dǎo)體裝置的 制造方法，包括準(zhǔn)備一個(gè)面被絕緣膜被覆的金屬箔的工序；在所述絕緣膜上形成半導(dǎo)體層的工序；通過(guò)除去所述絕緣膜的一部分形成使位于該絕緣膜的下方的金屬箔露出的開(kāi)口 部的工序；在由所述開(kāi)口部露出的所述金屬箔上形成與所述半導(dǎo)體層接觸的取出電極圖形 的工序；按照覆蓋所述取出電極圖形及所述半導(dǎo)體層的方式在所述金屬箔上形成密封樹(shù) 脂層的工序；和通過(guò)蝕刻所述金屬箔形成柵電極、源電極及漏電極的工序。第49方式上述第48方式中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半 導(dǎo)體層的形成包括在所述絕緣膜的上面堆積半導(dǎo)體材料的工序、和對(duì)所述已堆積的半導(dǎo) 體材料執(zhí)行加熱處理的工序。第50方式上述第49方式中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述加 熱處理包括熱退火處理工序及激光退火工序的至少一個(gè)，利用所述加熱處理執(zhí)行所述已堆 積的半導(dǎo)體材料的結(jié)晶化。第51方式上述第48 50方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，利用包含工藝溫度為400°C以上的步驟的高溫工藝來(lái)執(zhí)行所述半導(dǎo)體層的形成工序。第52方式一種柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具有第一 TFT元件和第二 TFT 元件的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備具備形成有構(gòu)成所述第一 TFT元件的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層形成面的第一金 屬箔、具備形成有構(gòu)成所述第二 TFT元件的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層形成面的第二金屬箔、和 一個(gè)密封樹(shù)脂薄膜的工序；通過(guò)使所述第一金屬箔的半導(dǎo)體層形成面與所述密封樹(shù)脂薄膜的一個(gè)面重合，將構(gòu)成所述第一 TFT元件的半導(dǎo)體層埋入所述密封樹(shù)脂薄膜的一個(gè)面的層疊工序；通過(guò)使所述第二金屬箔的半導(dǎo)體層形成面與所述密封樹(shù)脂薄膜的另一面重合，將 構(gòu)成所述第二 TFT元件的半導(dǎo)體層埋入所述密封樹(shù)脂薄膜的另一面的層疊工序；通過(guò)蝕刻所述第一金屬箔，形成構(gòu)成所述第一 TFT元件的柵電極、源電極及漏電 極的蝕刻工序；通過(guò)蝕刻所述第二金屬箔，形成構(gòu)成所述第二 TFT元件的柵電極、源電極及漏電 極的蝕刻工序。第53方式上述第52方式中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述密 封樹(shù)脂薄膜由薄膜狀的芯材和分別在該芯材的兩面層疊的樹(shù)脂層構(gòu)成。第M方式上述第52或53方式中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在 所述密封樹(shù)脂薄膜上形成有導(dǎo)通該密封樹(shù)脂薄膜的表背的層間連接部件。第55方式上述第52 M方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，通過(guò)同一工序執(zhí)行所述第一金屬箔的蝕刻和所述第二金屬箔的蝕刻。第56方式上述第52 55方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，通過(guò)同一工序執(zhí)行所述第一金屬箔的層疊和所述第二金屬箔的層疊。第57方式上述第52 56方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其 特征在于，具有所述半導(dǎo)體層形成面的第一金屬箔及第二金屬箔是經(jīng)過(guò)上述第39方式的 (a) (c)的工序來(lái)制作的。第58方式一種柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具有第一 TFT元件和第二 TFT 元件的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備第一密封樹(shù)脂薄膜、具備形成有構(gòu)成所述第二 TFT元件的柵電極、源電極及 漏電極的電極形成面的第二密封樹(shù)脂薄膜、和具備形成有構(gòu)成所述第一 TFT元件的半導(dǎo)體 層的半導(dǎo)體層形成面的金屬箔；通過(guò)使所述金屬箔的半導(dǎo)體層形成面與所述第一密封樹(shù)脂薄膜的一個(gè)面重合，將 構(gòu)成所述第一 TFT元件的半導(dǎo)體層埋入所述第一密封樹(shù)脂薄膜的一個(gè)面的層疊工序；通過(guò)使所述第二密封樹(shù)脂薄膜的電極形成面與所述第一密封樹(shù)脂薄膜的另一面 重合，將構(gòu)成所述第二 TFT元件的柵電極、源電極及漏電極埋入所述第一密封樹(shù)脂薄膜的 另一面的層疊工序；和通過(guò)蝕刻所述金屬箔形成構(gòu)成所述第一 TFT元件的柵電極、源電極及漏電極的蝕刻工序。第59方式上述第58方式中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述 第一密封樹(shù)脂薄膜上形成有沿上下方向?qū)ㄔ摌?shù)脂薄膜的表背的層間連接部件。第60方式上述第59方式中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述 第二密封樹(shù)脂薄膜的層疊工序中，按照使在所述電極形成面形成的柵電極、源電極及漏電 極中的任一個(gè)電極與所述層間連接部件連接的方式進(jìn)行重合。第61方式上述第58 60方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，通過(guò)同一工序執(zhí)行所述金屬箔的層疊和所述第二密封樹(shù)脂薄膜的層疊。第62方式上述第58 61方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，所述具有半導(dǎo)體層形成面的金屬箔是經(jīng)由所述39方式的(a) (c)的工序來(lái)制作的。第63方式上述第58 62方式的任一個(gè)中的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特 征在于，所述具有電極形成面的第二密封樹(shù)脂薄膜是經(jīng)過(guò)所述第39(a) (e)的工序來(lái)制 作的。工業(yè)上的可利用性就本發(fā)明的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法來(lái)說(shuō)，柔性半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率出色。需 要說(shuō)明的是，得到的柔性半導(dǎo)體裝置還可以用于各種圖像顯示部，還可以用于電子紙或數(shù) 碼紙等。例如可以用于圖36所示的電視圖像顯示部、圖37所示的移動(dòng)電話的圖像顯示 部、圖38所示的移動(dòng)式個(gè)人電腦或筆記本式個(gè)人電腦的圖像顯示部、圖39及圖40所示的 數(shù)碼相機(jī)及可攜式攝像機(jī)的圖像顯示部、及圖41所示的電子紙的圖像顯示部等。進(jìn)而，本 發(fā)明的柔性半導(dǎo)體裝置還可以應(yīng)用于當(dāng)前在印刷電子技術(shù)中探討應(yīng)用的各種用途(例如 RF-ID、存儲(chǔ)器、MPU、太陽(yáng)電池、傳感器等)。本申請(qǐng)基于日本國(guó)專利申請(qǐng)第2008-200766號(hào)(申請(qǐng)日2008年8月4日、發(fā)明 的名稱“柔性半導(dǎo)體裝置及其制造方法”)主張巴黎公約上的優(yōu)先權(quán)，基于日本國(guó)專利申 請(qǐng)第2008-200767號(hào)(申請(qǐng)日2008年8月4日、發(fā)明的名稱、“柔性半導(dǎo)體裝置及其制造 方法”)主張巴黎公約上的優(yōu)先權(quán)。該申請(qǐng)中公開(kāi)的內(nèi)容均通過(guò)該引用包含在本說(shuō)明書中。符號(hào)的說(shuō)明10,12-絕緣膜(柵極絕緣膜)；15_開(kāi)口部；16-保護(hù)層、絕緣膜；17-開(kāi)口部； 20-半導(dǎo)體層；30d-漏極用取出電極圖形；30s-源極用取出電極圖形；32s-延伸部；32d_延 伸部；40-密封樹(shù)脂層/密封樹(shù)脂；41A-外側(cè)的面(第一密封樹(shù)脂)；41B-內(nèi)側(cè)的面(第 二密封樹(shù)脂)；42-柵極絕緣膜(密封樹(shù)脂的一部分)、芯材；43A-內(nèi)側(cè)的面(第一密封樹(shù) 脂)；50-金屬箔；50A-第一金屬箔；50B-第二金屬箔；50d-漏電極；50g-柵電極；50s_源 電極；52-另一個(gè)金屬箔；54-上面(金屬箔)；54A-半導(dǎo)體層形成面力4B-半導(dǎo)體層形成 面々4g_柵電極；60、62_層間連接部件；65-貫通孔；70-層疊方向；80-電容器；82-電介質(zhì) 層；84-上部電極層；85-調(diào)節(jié)用電極；86-下部電極層；88-布線；90-等效電路；92-布線； 94-布線；100-柔性半導(dǎo)體裝置；100A-柔性半導(dǎo)體裝置；100B-柔性半導(dǎo)體裝置；100C-柔 性半導(dǎo)體裝置；100D-柔性半導(dǎo)體裝置；100E-柔性半導(dǎo)體裝置；100F-柔性半導(dǎo)體裝置； 100G-柔性半導(dǎo)體裝置；100H-柔性半導(dǎo)體裝置；1001-柔性半導(dǎo)體裝置；100J-柔性半導(dǎo)體 裝置；100K-柔性半導(dǎo)體裝置；100L-柔性半導(dǎo)體裝置；100M、M’ -柔性半導(dǎo)體裝置；100N、 N’-柔性半導(dǎo)體裝置；100P-柔性半導(dǎo)體裝置；100Q-柔性半導(dǎo)體裝置；100R-柔性半導(dǎo)體裝 置；100S-柔性半導(dǎo)體裝置；600-柔性半導(dǎo)體裝置。
權(quán)利要求
1.一種用于制造柔性半導(dǎo)體裝置的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括(i)在金屬箔的上面形成絕緣膜的工序、( )在所述金屬箔的上面形成取出電極圖形的工序、(iii)按照與所述取出電極圖形接觸的方式在所述絕緣膜上形成半導(dǎo)體層的工序、(iv)按照覆蓋所述半導(dǎo)體層及所述取出電極圖形的方式在所述金屬箔的上面形成密 封樹(shù)脂層的工序、和(ν)通過(guò)蝕刻所述金屬箔形成電極的工序；將所述金屬箔用作用于在所述工序(i) (iv)中形成的所述絕緣膜、所述取出電極圖 形、所述半導(dǎo)體層及所述密封樹(shù)脂層的支撐體，并且，在所述工序(V)中用作所述電極的構(gòu) 成材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，對(duì)在所述工序(iii)中形成的所述半導(dǎo)體層實(shí)施加熱處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，作為所述加熱處理，進(jìn)行熱退火處理及/或激光退火處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，通過(guò)400°C 1000°C的高溫工藝，實(shí)施所述工序(iii)的半導(dǎo)體層的形成工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述工序(ν)中，通過(guò)所述金屬箔的蝕刻形成源電極及漏電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述工序(ν)中，通過(guò)所述金屬箔的蝕刻還形成柵電極，由此將所述源電極、所述漏 電極和所述柵電極形成于同一平面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還包括(vi)按照使其未與所述源電極及所述漏電極位于同一平面的方式形成柵電 極的工序，在所述工序(vi)中，通過(guò)向所述密封樹(shù)脂層的上面供給另一個(gè)金屬箔并將該另一個(gè) 金屬箔蝕刻，形成所述柵電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，通過(guò)蝕刻所述金屬箔，還進(jìn)而形成電容器的電極層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，代替所述工序(ii)及所述工序(iii)，實(shí)施(ii)’在所述絕緣膜上形成半導(dǎo)體層的工 序、和(iii)’按照與所述半導(dǎo)體層接觸的方式在所述金屬箔的上面形成取出電極圖形的工 序。
10.一種柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，其是具有至少兩個(gè)具有絕緣膜、半 導(dǎo)體層、柵電極、源電極和漏電極而成的TFT元件而成的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，包 括(a)準(zhǔn)備具備設(shè)置有構(gòu)成第一TFT元件的絕緣膜及半導(dǎo)體層的TFT元件形成面的第一 金屬箔、具備設(shè)置有構(gòu)成第二 TFT元件的絕緣膜及半導(dǎo)體層的TFT元件形成面的第二金屬 箔、和一個(gè)密封樹(shù)脂薄膜的工序；(b)通過(guò)使所述第一金屬箔的TFT元件形成面與所述密封樹(shù)脂薄膜的一個(gè)面重合，將構(gòu)成所述第一 TFT元件的所述絕緣膜及所述半導(dǎo)體層從所述一個(gè)面埋入所述密封樹(shù)脂薄 膜的工序；(c)通過(guò)使所述第二金屬箔的TFT元件形成面與所述密封樹(shù)脂薄膜的另一面重合，將 構(gòu)成所述第二 TFT元件的所述絕緣膜及所述半導(dǎo)體層從所述另一面埋入所述密封樹(shù)脂薄 膜的工序；和(d)通過(guò)蝕刻所述第一金屬箔及所述第二金屬箔形成所述第一TFT元件的電極及所述 第二 TFT元件的電極的工序；將所述第一金屬箔在所述工序(a) (c)中用作構(gòu)成所述第一 TFT元件的所述絕緣膜 及所述半導(dǎo)體層的支撐體，并且在所述工序(d)中用作所述第一 TFT元件的所述電極的構(gòu) 成材料，將所述第二金屬箔在所述工序(a) (c)中用作構(gòu)成所述第二 TFT元件的所述絕緣膜 及所述半導(dǎo)體層的支撐體，并且在所述工序(d)中用作所述第二 TFT元件的所述電極的構(gòu) 成材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述工序(d)中，通過(guò)蝕刻所述第一金屬箔，形成構(gòu)成所述第一 TFT元件的源電極及 漏電極、和構(gòu)成所述第二 TFT元件的柵電極，并且通過(guò)蝕刻所述第二金屬箔，形成構(gòu)成所述 第一 TFT元件的柵電極、和構(gòu)成所述第二 TFT元件的源電極及漏電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的柔性半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述工序(d)中，通過(guò)蝕刻所述第一金屬箔，形成構(gòu)成所述第一 TFT元件的柵電極、 源電極及漏電極，并且通過(guò)蝕刻所述第二金屬箔，形成構(gòu)成所述第二 TFT元件的柵電極、源 電極及漏電極。
13.—種柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有 絕緣膜、在所述絕緣膜的上面形成的半導(dǎo)體層、 位于所述絕緣膜的下面?zhèn)鹊碾姌O、 將所述電極和所述半導(dǎo)體層電連接的取出電極圖形、和 密封所述取出電極圖形及所述半導(dǎo)體層的密封樹(shù)脂層；所述電極是通過(guò)對(duì)作為所述絕緣膜、所述半導(dǎo)體層、所述取出電極圖形及所述密封樹(shù) 脂層的支撐體發(fā)揮功能的金屬箔進(jìn)行蝕刻而形成的。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述電極在其厚度方向上具有錐形狀。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述電極厚度為4μπι 約20 μ m。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于，通過(guò)蝕刻所述金屬箔而形成的電極為源電極、漏電極及柵電極， 所述源電極、所述漏電極和所述柵電極位于同一平面上。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 通過(guò)蝕刻所述金屬箔而形成的電極為源電極及漏電極，按照夾著所述密封樹(shù)脂層且與所述半導(dǎo)體層對(duì)置的方式在所述密封樹(shù)脂層的上面具有柵電極，所述柵電極是通過(guò)對(duì)與所述金屬箔不同的金屬箔進(jìn)行蝕刻而形成的，所述柵電 極未與所述源電極及所述漏電極位于同一平面。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 通過(guò)蝕刻所述金屬箔而形成的電極為源電極及漏電極，所述半導(dǎo)體層的周緣部的下面和所述源電極用及所述漏電極用的所述取出電極圖形 的周緣部的上面部分地相互接觸。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 通過(guò)蝕刻所述金屬箔而形成的電極為源電極及漏電極，所述半導(dǎo)體層的周緣部的上面和所述源電極用及所述漏電極用的所述取出電極圖形 的周緣部的下面部分地相互接觸。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的柔性半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述電極為柵電極、源電極及漏電極，具有至少兩個(gè)具有所述絕緣膜、所述半導(dǎo)體層、所述柵電極、所述源電極和所述漏電極 而成的TFT元件而成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于制造柔性半導(dǎo)體裝置的方法，在該制造方法的特征在于，包括(i)在金屬箔的上面形成絕緣膜的工序、(ii)在金屬箔的上面形成取出電極圖形的工序、(iii)按照與取出電極圖形接觸的方式在絕緣膜上形成半導(dǎo)體層的工序、(iv)按照覆蓋半導(dǎo)體層及取出電極圖形的方式在金屬箔的上面形成密封樹(shù)脂層的工序、和(v)通過(guò)蝕刻金屬箔形成電極的工序，將金屬箔用作用于在上述(i)～(iv)形成的絕緣膜、取出電極圖形、半導(dǎo)體層及密封樹(shù)脂層的支撐體，并且在上述(v)中用作電極構(gòu)成材料。在該制造方法中，能夠?qū)⒆鳛橹误w的金屬箔有效用作TFT元件的電極，不需要最終剝離作為支撐體的金屬箔，因此，能夠通過(guò)簡(jiǎn)便的工藝來(lái)制作TFT元件，能夠提高生產(chǎn)率。另外，使用金屬箔作為支撐體，因此能夠在絕緣膜及半導(dǎo)體層等的制作中積極地導(dǎo)入高溫工藝，能夠優(yōu)選提高TFT特性。
文檔編號(hào)H01L29/423GK102047396SQ20098010055
公開(kāi)日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月4日
發(fā)明者一柳貴志, 中谷誠(chéng)一, 小川立夫, 平野浩一, 鈴木武 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社