專利名稱：一種采用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸入浪涌保護(hù)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種保護(hù)裝置，尤其涉及一種用于電源轉(zhuǎn)換器的輸入浪涌抑制場(chǎng)效應(yīng)
晶體管。
背景技術(shù)：
由于如點(diǎn)火、高壓干擾、電源不穩(wěn)、甩負(fù)荷等原因，在電源適配器或電源轉(zhuǎn)換器
的輸入端將出現(xiàn)過(guò)電壓，使得電源適配器或電源轉(zhuǎn)換器受損。對(duì)于車載點(diǎn)煙器適配器 (automotivecigarette lighting adapters, CLA)或由電子裝置供電的其它汽車電池，當(dāng) 電池?cái)嚅_(kāi)時(shí)adapters, CLA)或由電子裝置供電的其它汽車電池，當(dāng)電池?cái)嚅_(kāi)時(shí)，它們將遇 到甩負(fù)荷這一種嚴(yán)重的瞬態(tài)。如圖l所示，在一個(gè)電壓為12V的系統(tǒng)中，產(chǎn)生的甩負(fù)荷的持 續(xù)時(shí)間可從幾毫秒到幾百毫秒，并且其電壓尖峰可從25V到90V。這樣的甩負(fù)荷將使適配器 或轉(zhuǎn)換器損壞。因此，供給給適配器或轉(zhuǎn)換器的輸入電壓應(yīng)當(dāng)加以限制以保護(hù)適配器或轉(zhuǎn) 換器不受過(guò)壓損壞。 通常有兩種方法來(lái)獲得輸入浪涌保護(hù)。如圖2所示，第一種方法采用輸入浪涌保 護(hù)電路10，其采用一高壓MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)Q并使該高壓MOSFET Q工作為源極跟隨器。高壓MOSFET Q的柵極被一齊納二極管Z鉗位至設(shè)定的鉗位電壓， 以使得其源極電壓跟隨其柵極電壓。該方法需要外部器件，而這些外部器件難于集成在一 單獨(dú)的封裝上。如圖3所示，第二種方法在輸入軌上加入一價(jià)格昂貴的瞬態(tài)電壓抑制裝置 (transientvoltage suppressive device, TVS)，以吸收所有的瞬態(tài)過(guò)電壓。然而，前述兩 種方法的成本都較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種成本低廉、易于集成、并能有效抑制輸入浪涌的 裝置。該輸入浪涌保護(hù)裝置包括一簡(jiǎn)單的保護(hù)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)。所述JFET作為 輸入浪涌保護(hù)裝置，利用了其自身特性，具有如下結(jié)構(gòu)所訴JFET的柵極被鉗位至預(yù)設(shè)值， 所述JFET的漏極接收輸入電壓，所述JFET的源極被耦接至下游裝置的輸入端，其中所述下 游裝置為一 CLA或其它轉(zhuǎn)換器，并且一電阻連接于所述漏極與所述柵極之間或所述源極與 所述柵極之間。因此，當(dāng)漏極電壓約等于鉗位柵極電壓時(shí)，源極電壓約等于漏極電壓。當(dāng)漏 極電壓上升至大于鉗位柵極電壓時(shí)，源極電壓小于漏極電壓。漏極電壓越大，漏極電壓與源 極電壓之差越大。因此，當(dāng)漏極接收一高輸入電壓時(shí)，向下游裝置供電的源極電壓仍保持較 低。在一實(shí)施例中，所述下游裝置為一直流-直流轉(zhuǎn)換器(本說(shuō)明書(shū)及其附圖中，部分地方 為簡(jiǎn)便表述，將直流_直流轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)稱為DC-DC轉(zhuǎn)換器)，而且所述柵極由所述DC-DC轉(zhuǎn)換 器的使能引腳加偏壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述的采用一 JFET的輸入浪涌保護(hù)裝置具有更簡(jiǎn) 單的結(jié)構(gòu)，更小的尺寸，而且其成本也降低了 。 本發(fā)明的另一目的在于提供一種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)。該結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 包括N+層，其位于第一表面上，作為所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極；N-外延層，其位于所述第一表面的相反表面上且與所述N+層相接觸；至少兩個(gè)P摻雜區(qū)，所述P摻雜區(qū)彼此隔離 并形成柵極，所述P摻雜區(qū)從所述相反表面注入所述N-外延層內(nèi)；至少一個(gè)N+接觸區(qū)，所
述N+接觸區(qū)位于所述N-外延層內(nèi)且從所述相反表面形成源極，所述N+接觸區(qū)位于所述至 少兩個(gè)P摻雜區(qū)之間且與所述至少兩個(gè)P摻雜區(qū)隔離。該JFET結(jié)構(gòu)采用平面工藝制作，提 高了其載流能力且易于集成。 本發(fā)明的另一目的在于提供一種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)。該結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 包括N+層，所述N+層用作所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極；N-層，位于所述N+層上；至少兩 個(gè)P型區(qū)，所述至少兩個(gè)P型區(qū)形成于所述N-層內(nèi)且與所述N+層隔離，所述至少兩個(gè)P型 區(qū)形成所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極；N+區(qū)，所述N+區(qū)形成于所述兩個(gè)P型區(qū)之間且形成 所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極。


圖1為由甩負(fù)荷產(chǎn)生的輸入浪涌的系統(tǒng)示意圖。 圖2為采用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為源極跟隨器而形成輸 入浪涌保護(hù)電路的DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。 圖3為采用瞬態(tài)電壓抑制裝置(TVS)而形成輸入浪涌保護(hù)電路的DC-DC轉(zhuǎn)換系 統(tǒng)。 圖4為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的具有輸入浪涌保護(hù)電路的DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)100。
圖5為JFET常見(jiàn)的漏源特性曲線。 圖6為圖4所示DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)100中JFET的輸入輸出電壓特性曲線。
圖7為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的JFET結(jié)構(gòu)的剖面圖200。 圖8為圖4所示DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)100中采用的如圖7所示的JFET的Ves-RDS測(cè)試 特性曲線。 圖9為圖4所示DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)100中采用的如圖7所示的JFET的Vs<rVDS測(cè)試 特性曲線。 圖10為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例將JFET的柵極耦接至DC-DC轉(zhuǎn)換器使能引腳的 DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)300。 圖11為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例具有輸入浪涌保護(hù)裝置的DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)400。
圖12為圖7所示JFET結(jié)構(gòu)的信號(hào)測(cè)試波形示意圖。
圖13為圖7所示JFET結(jié)構(gòu)的另一信號(hào)測(cè)試波形示意圖。
具體實(shí)施例方式
首先，應(yīng)當(dāng)注意的是，為簡(jiǎn)化描述，本發(fā)明的實(shí)施例中僅采用DC-DC轉(zhuǎn)換器作為下 游裝置。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，所述輸入浪涌保護(hù)電路可以用于其它類型的下 游裝置。 圖4為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的具有輸入浪涌保護(hù)電路101的DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng) 100。如圖4所示，輸入浪涌保護(hù)電路101采用JFET來(lái)保護(hù)DC-DC轉(zhuǎn)換器的輸入引腳IN免 受高輸入浪涌損壞。輸入浪涌保護(hù)電路101的結(jié)構(gòu)如下所述所述JFET的漏極D耦接至 DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)100的輸入端接收輸入電壓Vin，所述JFET的源極S作為輸入浪涌保護(hù)電路101的輸出端耦接至DC-DC轉(zhuǎn)換器的輸入引腳IN，其輸出電壓V。ut通過(guò)輸入引腳IN被引入 DC-DC轉(zhuǎn)換器，且所述JFET的柵極G由齊納二極管Z鉗位至設(shè)定的鉗位電壓。電阻R耦接 在所述JFET的源極S和柵極G之間，以產(chǎn)生流過(guò)JFET的源極S和地之間的電流來(lái)向齊納 二極管Z供電。 圖5為JFET常見(jiàn)的漏源特性曲線。如圖5所示，在線性區(qū)，流過(guò)JFET的電流ID的 斜率由其柵源電壓Ves決定。從而，在線性區(qū)，對(duì)于某一特定的Ves，對(duì)應(yīng)于各個(gè)ID值的RDS都 近似保持為一常數(shù)，其中，R。s為JFET導(dǎo)通時(shí)的漏源電阻。圖4所示DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)100的 測(cè)試結(jié)果表明JFET根據(jù)圖5所示虛線50進(jìn)行工作。如圖5所示，JFET的漏源電壓VDS隨 著其源柵電壓Vse的增大而增大。同時(shí)，隨著JFET源柵電壓Vse的增大，其漏源電流ID減小 且導(dǎo)通時(shí)的漏源電阻RDS急劇增大。JFET的源柵電壓Vse增大表明其源極電壓Vs在增大，進(jìn) 而表明其漏極電壓VD在增大。也就是說(shuō)，JFET的漏極電壓VD越高，其漏源電壓VDS越高。
圖6為圖4所示DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)100中JFET的輸入輸出電壓特性曲線。如前所 述，JFET的漏極D耦接至DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)100的輸入端，接收輸入電壓Vin，則Vin即JFET的 漏極電壓VD ;JFET的源極S為輸入浪涌保護(hù)電路101的輸出端，則其輸出電壓V。ut即JFET 的源極電壓Vs。當(dāng)Vin小于一拐點(diǎn)電壓時(shí)，JFET的柵源電壓Ves等于零，且如圖6所示，JFET 的源極電壓、隨漏極電壓VD的變化而變化。其中，所述拐點(diǎn)電壓通常為JFET柵極電壓Ve 的鉗位電壓。然后，如圖6所示，在V。的拐點(diǎn)電壓處，出現(xiàn)一轉(zhuǎn)折。在圖中拐點(diǎn)的右邊區(qū)域 內(nèi)，Vin大于鉗位電壓，即V。超過(guò)了鉗位電壓，這使得Ves變?yōu)橐回?fù)值且RDS急劇增大。如圖6 所示輸入輸出電壓曲線所示，Vs相對(duì)于VD來(lái)說(shuō)變化緩慢。Vin越高，漏極和源極之間的電壓 差越高。也就是說(shuō)，當(dāng)VD較小時(shí)，Vs約等于VD。當(dāng)VD增大以致大于拐點(diǎn)電壓時(shí)，Vs仍保持 較低。這一特性被用來(lái)抑制輸入浪涌而Vs用于向下游裝置供電。 根據(jù)圖5和圖6中描繪的JFET特性，如圖4所示，當(dāng)輸入電壓L亦即JFET的漏極 電壓V。較小，低于拐點(diǎn)電壓時(shí)，例如30V，輸入浪涌保護(hù)電路101的輸出電壓V^亦即JFET 的源極電壓、約等于輸入電壓Vin。此時(shí)，導(dǎo)通時(shí)的漏源電阻I^較小，導(dǎo)通損耗較低。當(dāng)輸 入電壓Vin出現(xiàn)一輸入浪涌使得漏極電壓VD高于拐點(diǎn)電壓時(shí)，源極電壓Vs不會(huì)跟隨漏極電 壓VD變化，而是比漏極電壓VD變化緩慢得多，這使得DC-DC轉(zhuǎn)換器免受輸入浪涌損壞。漏 極電壓VD越高，漏源電壓VDS越高。 圖7為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的JFET結(jié)構(gòu)的剖面圖200。它包括作為漏極D的 N+層，其位于第一表面70上；N-外延層；P摻雜區(qū)，所述P摻雜區(qū)從漏極的相反表面72注 入N-外延層內(nèi)作為柵極G。在一實(shí)施例中，所述N+層形成于襯底上，如半導(dǎo)體晶圓、導(dǎo)體 或者絕緣體上。在兩個(gè)P摻雜區(qū)之間，制作N+區(qū)作為源極S的接觸區(qū)。每?jī)蓚€(gè)P摻雜區(qū)之 間僅有一個(gè)N+接觸區(qū)，且N+接觸區(qū)與兩個(gè)P摻雜區(qū)分別隔離。可進(jìn)一步將金屬接觸制作 在P摻雜區(qū)以及N+源極接觸區(qū)，其中所述P摻雜區(qū)電連接在一起作為柵極G， N+接觸區(qū)電 連接在一起作為源極S。對(duì)于JFET裝置來(lái)說(shuō)，可以增大P摻雜區(qū)的數(shù)量以提高其載流能力。 JFET裝置的側(cè)表面73也可與第一表面70連接在一起作為漏極D。在一實(shí)施例中，第一表 面70(漏極)通過(guò)導(dǎo)電材料，如銀環(huán)氧樹(shù)脂，貼附于裸焊盤(pán)上。源極和漏極間電阻R。s由VM 決定。因?yàn)樨?fù)的Ves越小，使得P摻雜區(qū)周圍的耗盡區(qū)71越寬而電流通道越窄，從而使得RDS 的值更大。 當(dāng)JFET如圖4耦接時(shí)，其中柵極G被鉗位至預(yù)設(shè)值，漏極D電耦接至DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)100的輸入端且源極S電耦接至DC-DC轉(zhuǎn)換器的輸入端IN，如果漏極D處的漏極電壓 VD增大，假設(shè)導(dǎo)通時(shí)的漏源電阻R。s和源極電壓Vs起初保持不變，由于電流由公式I = P/Vs 決定，其中P為下游DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率，漏源電壓VDS將保持為一常數(shù)而源極電壓Vs必然 將隨漏極電壓VD的增大而增大。因此，負(fù)的柵源電壓Ves值將變小，耗盡區(qū)71變寬且導(dǎo)通 時(shí)的漏源電阻R。s增大。 圖8和圖9為利用圖4所示具有輸入浪涌保護(hù)電路的DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)測(cè)試得到的 圖7中所述JFET的測(cè)試特性曲線。如圖8所示，導(dǎo)通時(shí)的漏源電阻RDS隨著-Ves的增大而 呈指數(shù)關(guān)系增大。RDs按指數(shù)關(guān)系增大導(dǎo)致漏源電壓V^也增大。也就是說(shuō)，當(dāng)漏極電壓V。 遇到高電壓輸入脈沖時(shí)，源極電壓Vs具有一比VD小得多的值，從而抑制了所述高電壓。利 用圖7所示結(jié)構(gòu)，對(duì)不同電流值時(shí)的Vse-VDS特性進(jìn)行了測(cè)試。Vse-VDS特性曲線如圖9所示。 VDS隨著源柵電壓Vse的增大而增大。因此，當(dāng)Vs增大時(shí)，Vs與VD之間的電壓差變大。也就 是說(shuō)，Vs增加的量比VD小得多。這一特性可用于抑制Vs免受高漏極電壓VD影響。
圖10為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例帶輸入浪涌保護(hù)裝置的DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)300，其采 用一利用DC-DC轉(zhuǎn)換器的使能引腳EN來(lái)獲得柵極鉗位的JFET。如圖所示，JFET的柵極G 耦接至DC-DC轉(zhuǎn)換器的使能引腳EN，其漏極D耦接至DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)300的輸入端而源極 S耦接至DC-DC轉(zhuǎn)換器的輸入引腳IN。 EN可由漏極開(kāi)路或其它方法外部控制。當(dāng)DC-DC轉(zhuǎn) 換器不使能(或稱之為斷開(kāi))時(shí)，EN為一低電壓，該低電壓使得JFET的源柵電壓L很高， 從而根據(jù)圖5可知，導(dǎo)通時(shí)的漏源電阻1很高。因此，在斷開(kāi)狀態(tài)，JFET的功率耗散最小。 當(dāng)DC-DC轉(zhuǎn)換器使能(或稱之為閉合)時(shí)，EN引腳為一高電壓，該高電壓約等于正常的或 優(yōu)選的輸入電壓Vin或者與正常的或優(yōu)選的Vin相差很小。此時(shí)，JFET為一輸入浪涌保護(hù)裝 置。在使能狀態(tài)，JFET的柵極G被偏置以使得對(duì)于正常的Vin， JFET以低導(dǎo)通電阻傳輸功 率，而對(duì)于非正常的高Vin值，JFET具有高電阻。 圖11為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例具有輸入浪涌保護(hù)裝置的DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)400。如 圖11所示，電阻R也可以耦接于DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)400的輸入端和使能引腳EN之間，這種耦 接方式可通過(guò)R將能量在輸入端與EN之間傳輸以獲得EN的電壓鉗位。DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)400 的輸入浪涌保護(hù)原理與圖10所示DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)300相同，為敘述簡(jiǎn)明，這里不再詳述。
圖12為根據(jù)本發(fā)明圖4所示實(shí)施例以及圖7所示JFET結(jié)構(gòu)的實(shí)施例得到的信號(hào) 仿真波形示意圖。其中JFET的柵極電壓Ve被鉗位至8V。波形依次為漏極電壓V。、源極電 壓、、源柵電壓Vse以及流過(guò)JFET的電流ID。如圖12所示，VD從10V上升至48. 8V。當(dāng)VD 接近lOV時(shí)，Vw = -2. 3V，此時(shí)ID具有最大值，為1.35A，而此時(shí)V。和、之間的電壓差也很 小。此時(shí)，JFET可以被當(dāng)作良導(dǎo)體。當(dāng)VD增大，V^隨之增力n，且Vs與V。之間的電壓差也增 加。與此同時(shí)，1。急劇降低。如圖12所示，當(dāng)V。上升至48.8V時(shí)，、具有最大值，為17V。 也就是說(shuō)，當(dāng)VD遇到高輸入浪涌時(shí)，JFET將Vs抑制至較低的電壓。因此，轉(zhuǎn)換器的輸入引 腳IN得以保護(hù)，不會(huì)受到輸入浪涌損壞。 圖13為根據(jù)圖4所示實(shí)施例的另一波形仿真示意圖，其中漏極電壓VD從20V變 化至48. 8V，柵極G被鉗位在8V。當(dāng)VD接近20V時(shí)，VD與源極電壓Vs之間的電壓差較小，約 為3V。與此同時(shí)，流過(guò)JFET的電流ID大約為384mA。當(dāng)VD繼續(xù)增加時(shí)，Vs增加得很緩慢， VD與Vs之間的電壓差變得更大。與此同時(shí)，ID下降至較小值。 上述實(shí)施例表明，當(dāng)柵極被鉗位至一約等于轉(zhuǎn)換器的優(yōu)選輸入電壓的合適值時(shí)，
7即使當(dāng)漏極電壓很高時(shí)，JFET也能夠?qū)⒃礃O電壓抑制在低小值。這一功能被用于獲得轉(zhuǎn)換 器或其它下游裝置的輸入浪涌保護(hù)。 要聲明的是，上述發(fā)明內(nèi)容及具體實(shí)施方式
意在證明本發(fā)明所提供技術(shù)方案的實(shí) 際應(yīng)用，不應(yīng)解釋為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本發(fā)明的精神和原理內(nèi)， 當(dāng)可作各種修改、等同替換、或改進(jìn)。本發(fā)明的保護(hù)范圍以所附權(quán)利要求書(shū)為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種輸入浪涌保護(hù)裝置，其特征在于，包括保護(hù)用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極接收輸入電壓，源極耦接至下游裝置的輸入端，且其柵極被鉗位于預(yù)設(shè)值。
2. 如權(quán)利要求1所述的輸入浪涌保護(hù)裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)值被齊納二極管鉗位。
3. 如權(quán)利要求1所述的輸入浪涌保護(hù)裝置，其特征在于，所述下游裝置為直流直流轉(zhuǎn) 換器。
4. 如權(quán)利要求2所述的輸入浪涌保護(hù)裝置，其特征在于，還包括電阻，所述電阻耦接于 所述源極和所述柵極之間。
5. 如權(quán)利要求2所述的輸入浪涌保護(hù)裝置，其特征在于，還包括電阻，所述電阻耦接于 所述漏極和所述柵極之間。
6. 如權(quán)利要求3所述的輸入浪涌保護(hù)裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)值由所述直流直流 轉(zhuǎn)換器的使能引腳設(shè)置。
7. 如權(quán)利要求1所述的輸入浪涌保護(hù)裝置，其特征在于所述預(yù)設(shè)值被設(shè)置為等于所述 下游裝置的優(yōu)選輸入電壓。
8. —種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括N+層，其位于第一表面上，作為所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極；N-外延層，其位于所述第一表面的相反表面上且與所述N+層相接觸；至少兩個(gè)P摻雜區(qū)，所述P摻雜區(qū)彼此隔離并形成柵極，所述P摻雜區(qū)從所述相反表面注入所述N-外延層內(nèi)；至少一個(gè)N+接觸區(qū)，所述N+接觸區(qū)位于所述N-外延層內(nèi)且從所述相反表面形成源極，所述N+接觸區(qū)位于所述至少兩個(gè)P摻雜區(qū)之間且與所述至少兩個(gè)P摻雜區(qū)隔離。
9. 如權(quán)利要求8所述的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的側(cè)表 面與所述第一表面電連接在一起作為所述漏極。
10. 如權(quán)利要求8所述的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于所述漏極連接輸入電壓，所述 柵極被鉗位至預(yù)設(shè)值且所述源極連接至下游裝置。
11. 如權(quán)利要求io所述的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于所述下游裝置為直流直流轉(zhuǎn)換器。
12. 如權(quán)利要求11所述的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于所述預(yù)設(shè)值通過(guò)將所述柵極 連接至所述直流_直流轉(zhuǎn)換器的使能引腳設(shè)置。
13. 如權(quán)利要求8所述的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于所述第一表面通過(guò)導(dǎo)電材料 連接至裸焊盤(pán)。
14. 如權(quán)利要求13所述的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于所述導(dǎo)電材料為銀環(huán)氧樹(shù)脂。
15. 如權(quán)利要求8所述的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，還包括用于所述P摻雜區(qū)的金屬接觸和所 述N+接觸區(qū)的金屬接觸，其中所述P摻雜區(qū)通過(guò)與之接觸的金屬接觸彼此電連接在一起作 為所述柵極，所述N+接觸區(qū)通過(guò)與之接觸的另一金屬接觸彼此電連接在一起作為所述源 極。
16. —種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括N+層，所述N+層用作所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極；N-層，位于所述N+層上；至少兩個(gè)P型區(qū)，所述至少兩個(gè)P型區(qū)形成于所述N-層內(nèi)且與所述N+層隔離，所述至 少兩個(gè)P型區(qū)形成所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極；N+區(qū)，所述N+區(qū)形成于所述兩個(gè)P型區(qū)之間且形成所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極。
17. 如權(quán)利要求16所述的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于所述N+層形成于襯底上。
18. 如權(quán)利要求16所述的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述漏極連接輸入電壓，所 述柵極被鉗位至預(yù)設(shè)值且所述源極連接至下游裝置。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種采用簡(jiǎn)單JFET結(jié)構(gòu)的輸入浪涌抑制裝置及其方法。所述JFET的柵極被鉗位至一預(yù)設(shè)值，其漏極從一輸入電源接收一輸入電壓，其源極連接至一下游裝置的輸入端且一電阻連接于所述漏極與所述柵極之間或連接于所述源極與所述柵極之間。因此，當(dāng)漏極電壓約等于鉗位柵極電壓時(shí)，源極電壓約等于漏極電壓。當(dāng)漏極電壓增大，大于鉗位柵極電壓時(shí)，源極電壓小于漏極電壓。所述下游裝置可以是一DC-DC轉(zhuǎn)換器且所述柵極由該DC-DC轉(zhuǎn)換器的使能引腳EN加偏置。
文檔編號(hào)H01L23/62GK101728826SQ20091030903
公開(kāi)日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2009年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月31日
發(fā)明者周景海, 奧格杰·米歷克, 楊先慶 申請(qǐng)人:成都芯源系統(tǒng)有限公司