專(zhuān)利名稱(chēng)：撓性基板自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種撓性基板自載板上脫離的方法，特別是關(guān)于一種通過(guò)表面處理后 將撓性基板自載板上脫離的方法。
背景技術(shù)：
平面顯示器在朝大面積化發(fā)展的同時(shí)，具有更輕、更薄及可撓曲的特性將成為未 來(lái)顯示器主要追求的目標(biāo)。因此，以撓性基板制作平面顯示面板將成為未來(lái)顯示器之發(fā)展 趨勢(shì)。目前可撓式平面顯示器的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，是使用現(xiàn)有玻璃基板 制備設(shè)備來(lái)制作，先將塑料基板通過(guò)粘合劑層黏貼在載板上，再于塑料基板上進(jìn)行薄膜晶 體管(thin film transistor,TFT)等元件的制造步驟。此種方式雖能達(dá)到片對(duì)片(Sheet to Sheet)的制作流程，也達(dá)到一般的制備要求，但在完成薄膜晶體管等元件制作之后，必 須面臨的問(wèn)題是如何順利地將此具有薄膜晶體管陣列的塑料基板自載板取下。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明之一實(shí)施方式提出一種撓性基板自載板上脫離的方法，包括提供撓性基 板，其中該撓性基板具有下表面；對(duì)該撓性基板的下表面進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特 性的下表面；通過(guò)粘合劑層將該撓性基板配置于載板上，其中該具有防粘特性的下表面朝 向該載板；以及，對(duì)配置于該載板上的該撓性基板進(jìn)行切割脫離。本發(fā)明之另一實(shí)施方式亦提供一種可撓式電子裝置的制造方法，包含提供撓性 基板，其中該撓性基板具有上表面及下表面；對(duì)該撓性基板的下表面進(jìn)行表面處理，以形成 具有防粘特性的區(qū)域，而未進(jìn)行表面處理的部份定義為具有附著性的區(qū)域；通過(guò)粘合劑層 將該撓性基板配置于載板上，其中該粘合劑層覆蓋該撓性基板之該具有防粘特性的區(qū)域及 該具有附著性的區(qū)域；形成電子元件于該撓性基板的上表面；以及，對(duì)位于該具有防粘特 性的區(qū)域內(nèi)的該撓性基板進(jìn)行切割，得到可撓式電子裝置。以下通過(guò)數(shù)個(gè)實(shí)施例并配合所附圖式，以更進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但并非用來(lái)限制 本發(fā)明之范圍，本發(fā)明的范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。

圖Ia-Id為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式所述撓性基板自載板上脫離的 方法。圖2顯示本發(fā)明一實(shí)施方式所述利用化學(xué)試劑進(jìn)行撓性基板的表面處理。圖3a_3e為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明另一實(shí)施方式所述撓性基板自載板上脫離 的方法。圖4為圖3c所示結(jié)構(gòu)的仰視圖。
圖5顯示本發(fā)明另一實(shí)施方式所述經(jīng)表面處理的撓性基板，其包含經(jīng)圖形化的具 有防粘特性的區(qū)域。圖6為剖面圖，顯示切割所得的撓性基板，其尺寸可小于該具有防粘特性的區(qū)域 的尺寸。圖7a_7d為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式所述以旋轉(zhuǎn)涂布方式將化學(xué)試 劑與撓性基板反應(yīng)，形成具有防粘特性的區(qū)域的制造流程。圖8a_8d為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式以壓印方式將化學(xué)試劑與撓性 基板反應(yīng)，形成具有防粘特性的區(qū)域的制造流程。圖9a_9d為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式以輥涂方式將化學(xué)試劑與撓性 基板反應(yīng)，形成具有防粘特性的區(qū)域的制造流程。圖10為剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式以輥式凸版印刷技術(shù)將化學(xué)試劑與撓性 基板反應(yīng)，形成圖案化具有防粘特性的區(qū)域。圖Ila-Ilb為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式所述的可撓式電子裝置的制
造方法。主要元件符號(hào)說(shuō)明10 撓性基板；11 下表面；12 化學(xué)試劑；13 具有附著性的區(qū)域；14 粘合劑層；15 具防粘特性的下表面；16 載板；17 具有防粘特性的區(qū)域；18 輥；19 壓合方向；21 切割線；22 切割后的撓性基板；24 光阻層；25 上表面；26 模板；28 輥；29 涂布方向；30 電子元件；以及40 可撓式電子裝置。實(shí)施方式以下，請(qǐng)配合圖式，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例所述的撓性基板自載板上脫離的方 法首先，請(qǐng)參照?qǐng)Dla，提供撓性基板10，其中該撓性基板10具有下表面11。該撓 性基板10可包含高分子基板、或金屬基板，在此實(shí)施方式中，可為高分子基板，例如聚酰亞胺(polyimide, PI)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚醚砜(polyethersulfone, PES)、 聚降冰片烯(polynorbornene, PNB)、聚醚酰亞胺(polyetherimide, PEI)、聚萘二甲酸 乙二醇酯(polyethylene naphthalate, PEN)或聚對(duì)苯二 甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate, PET)。接著，請(qǐng)參照?qǐng)Dlb，對(duì)該撓性基板10的下表面11進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘 特性的下表面15。在此，該表面處理可包含提供化學(xué)試劑12形成于該撓性基板10的下表 面11上并與該撓性基板10進(jìn)行反應(yīng)(請(qǐng)參照?qǐng)D2)，得到具有防粘特性的下表面15的撓 性基板10(請(qǐng)參照?qǐng)Dlb)。此外，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，對(duì)該撓性基板10的下表面11 進(jìn)行表面處理可為等離子體處理、離子束轟擊、電子轟擊、蝕刻處理、摩擦處理、或上述之組 合，主要利用等離子體來(lái)處理表面，以氬氣為載氣，反應(yīng)氣氛為CF2、CF3或含硅基氣體，在大 氣壓的環(huán)境下創(chuàng)造穩(wěn)定的等離子體。值得注意的是，該撓性基板10的下表面11經(jīng)該表面處理后，該下表面11上能與 后續(xù)所形成的粘合劑層產(chǎn)生鍵結(jié)的官能團(tuán)被消耗、覆蓋或置換，導(dǎo)致所得的具有防粘特性 的下表面15與后續(xù)所形成的粘合劑層之間的附著性大幅降低。在此，該撓性基板10上表 面的官能團(tuán)與粘合劑層可產(chǎn)生的鍵結(jié)包含離子鍵、共價(jià)鍵、或氫鍵，其中該能與粘合劑層產(chǎn) 生鍵結(jié)的官能團(tuán)包含羥基、羧基、胺基、或酯基。本發(fā)明之一實(shí)施方式所使用的化學(xué)試劑12具有與撓性基板10的下表面11的官 能團(tuán)進(jìn)行加成反應(yīng)、脫去反應(yīng)或取代反應(yīng)的結(jié)構(gòu)，舉例來(lái)說(shuō)，該化學(xué)試劑12可具有以下結(jié) 構(gòu)
的烷基；
其組合。
基；“烷基”可包括碳原子數(shù)為1 6的直鏈或支鏈烷基，例如甲烷基、乙烷基、2-甲基乙烷 基等；“鹵代烷基”可包括碳原子數(shù)為1 5的鹵代烷基。舉例來(lái)說(shuō)，該化學(xué)試劑12可包含二甲基氯硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基氯甲烷、 1-氯甲基-1-三甲基硅烷、2-溴丙烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氟硅烷、三甲基溴硅烷、三甲 基碘硅烷、三甲基氰硅烷、亞硫酰氯、三乙基氯硅烷或其混合。該化學(xué)試劑12的使用形態(tài)并 無(wú)限制，可為液態(tài)、氣態(tài)或固態(tài)試劑，較佳系為液態(tài)試劑，且其沸點(diǎn)可小于200°C，較佳小于 100°C，更佳是在常溫時(shí)就可以干燥的液體。在一實(shí)施方式中，以化學(xué)試劑(在此以亞硫酰氯(thionyl chloride)為例)處理
6
R1
R1O
R2——W——R3IH
I ζχ\ ζ \α
R4R6R5、R6R5、
其中，W為C、Si、或Ge ;X為S或Se ;Y為C或S ；
RpR2及R3各自獨(dú)立，且為氫、烴基、烷基、-OR或其組合，其中R為碳數(shù)介于1 18
R4為F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、酰胺基、鹵代烷基或其組合；以及 R5及R6系各自獨(dú)立且為F、Cl、Br、I、烴基、烷基、羧基、胺基、酰胺基、鹵代烷基或
在本申請(qǐng)中，R1, R2, R3, R4, R5及R6定義中的“烴基”可包括碳原子數(shù)為1 6的烴撓性基板。在本發(fā)明之一實(shí)施方式中，進(jìn)行反應(yīng)的溫度可為室溫，反應(yīng)的時(shí)間可為1分鐘。接著，請(qǐng)參照?qǐng)Dlc，通過(guò)粘合劑層14將該撓性基板10配置于載板16上，其中該具 有防粘特性的下表面15與該粘合劑層14接觸，并朝向該載板16。接著，利用輥18朝壓合 方向19，將撓性基板10緊密貼附至該粘合劑層14。該載板16為一般具有一定剛性材質(zhì)的 硬基板，其可例如為金屬基板、塑料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圓，在此實(shí)施方式中，可為 玻璃基板。在此實(shí)施方式中，由于該撓性基板10的具有防粘特性的下表面15表面能與該粘 合劑層14產(chǎn)生鍵結(jié)的官能團(tuán)已被該化學(xué)試劑12消耗并轉(zhuǎn)換成其他不會(huì)與粘合劑層14產(chǎn) 生鍵結(jié)的官能團(tuán)。因此，該粘合劑層14與經(jīng)表面處理的撓性基板10附著度(adherence)， 與未經(jīng)表面處理的撓性基板10相比，會(huì)大幅下降。最后，請(qǐng)參照?qǐng)Dld，對(duì)該撓性基板10進(jìn) 行分離。此外，請(qǐng)參照以下制備步驟，為本發(fā)明所述撓性基板自載板上脫離的方法另一實(shí) 施方式。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D3a，提供撓性基板10，其中該撓性基板10具有下表面11。接著， 請(qǐng)參照?qǐng)D3b及3c，對(duì)該撓性基板10的部份下表面11進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特性 的區(qū)域17，而未進(jìn)行表面處理的部份則定義為具有附著性的區(qū)域13，并請(qǐng)參照?qǐng)D5，其為圖 3c的仰視圖。該表面處理包括提供化學(xué)試劑12形成于該撓性基板10的部份下表面11上 并與該撓性基板10進(jìn)行反應(yīng)(請(qǐng)參照?qǐng)D3b)，得到包含具有防粘特性的區(qū)域17的撓性基板 10(請(qǐng)參照?qǐng)D3c)。所形成的具有防粘特性的區(qū)域17可以為圖形化之形式(例如矩形、圓 形或其他圖形)；此外，該具有防粘特性的區(qū)域17亦可包含多個(gè)區(qū)塊，如圖4所示。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3d，通過(guò)粘合劑層14將該撓性基板10配置于載板16上，其中該具 有防粘特性的下表面15與該粘合劑層14接觸，并朝向該載板16。接著，利用輥18朝壓合 方向19，將撓性基板10緊密貼附至該粘合劑層14。值得注意的是，該粘合劑層14貼附至該 撓性基板10的下表面11上，且該粘合劑層14同時(shí)覆蓋該具有防粘特性的區(qū)域17及該具 有附著性的區(qū)域13。該粘合劑層14與該撓性基板在該具有防粘特性的區(qū)域內(nèi)17的附著度 小于該粘合劑層14與該撓性基板在該具有附著性的區(qū)域內(nèi)13的附著度，且該具有附著性 的區(qū)域13提供該撓性基板10整體在粘合劑層14上的固著性，有利于該撓性基板10的后 續(xù)制備過(guò)程。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)該撓性基板10與該粘合劑層14在該具有附著性的區(qū)域13內(nèi)的 附著度(adherence)維持在1B-5B時(shí)，該撓性基板10與該粘合劑層14在該具有防粘特性 的區(qū)域17內(nèi)的附著度(adherence)介于0B-1B之間；在本發(fā)明另一實(shí)施方式中，當(dāng)該撓性 基板10與該粘合劑層14在該具有附著性的區(qū)域13內(nèi)的附著度(adherence)維持在2B-5B 時(shí)，該撓性基板10與該粘合劑層14在該具有防粘特性的區(qū)域17內(nèi)的附著度(adherence) 介于0B-2B之間。最后，請(qǐng)參照?qǐng)D3e，延切割線21對(duì)形成于該具有防粘特性的區(qū)域17內(nèi)的撓性基板 10進(jìn)行切割，得到切割后的撓性基板22。該切割線21可落在該具有防粘特性的區(qū)域17 (也 就是經(jīng)過(guò)化學(xué)試劑處理過(guò)的撓性基板10)的邊緣，如此該切割后的撓性基板22的尺寸則與 該具有防粘特性的區(qū)域17的尺寸相同。此外，請(qǐng)參照?qǐng)D6，該切割線21亦可落在該具有防 粘特性的區(qū)域17 (也就是經(jīng)過(guò)化學(xué)試劑處理過(guò)的撓性基板10)的內(nèi)側(cè)，如此該切割后的撓 性基板22的尺寸則小于該具有防粘特性的區(qū)域17的尺寸。本發(fā)明實(shí)施方式所述的對(duì)該撓性基板進(jìn)行表面處理，其所使用的化學(xué)試劑可利用浸泡技術(shù)、旋轉(zhuǎn)涂布技術(shù)、壓印技術(shù)、刮印技術(shù)、或輥涂技術(shù)形成于該撓性基板10之上。根據(jù)本發(fā)明之一實(shí)施方式，該化學(xué)試劑12以旋轉(zhuǎn)涂布形成于撓性基板10上。首 先，請(qǐng)參照?qǐng)D7a，利用微影技術(shù)，在該撓性基板10上(定義為下表面11)形成圖形化光阻層 24，并露出欲形成該具有防粘特性的區(qū)域的下表面11 ；接著，請(qǐng)參照?qǐng)D7b，利用旋轉(zhuǎn)涂布方 式形成該化學(xué)試劑12于該露出的下表面11 ；待化學(xué)試劑12與撓性基板10反應(yīng)后即可形 成具有防粘特性的區(qū)域17，之后移除該光阻層24，請(qǐng)參照?qǐng)D7c及7d。此外，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，該化學(xué)試劑12以壓印技術(shù)形成于撓性基板10 上。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D8a，在模板26上形成化學(xué)試劑12涂層，并將該模板26與該撓性基板 10進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)(alignment)，使得該化學(xué)試劑12涂層對(duì)準(zhǔn)欲形成該具有防粘特性的區(qū)域的下 表面11 ；接著，請(qǐng)參照?qǐng)D8b，將該模板26壓印(imprint)至該撓性基板10 ；待化學(xué)試劑12 與撓性基板10的下表面11反應(yīng)形成具有防粘特性的區(qū)域17后，移除該模板26，請(qǐng)參照?qǐng)D 8c 及 8cL再者，根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施方式，該化學(xué)試劑12以刮印或輥涂技術(shù)形于撓性基板 10上。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D9a及％，利用輥28 (或刮刀)朝涂布方向29，將化學(xué)試劑12涂布于 欲形成該具有防粘特性的區(qū)域的下表面11，即可得到具有防粘特性的區(qū)域17，請(qǐng)參照?qǐng)D9c 及9d。此外，亦可以輥式凸版印刷技術(shù)將化學(xué)試劑12圖案化涂布于該撓性基板10的下 表面11，用以形成圖案化的具有防粘特性的區(qū)域17，請(qǐng)參照?qǐng)D10。本發(fā)明之一實(shí)施方式亦提供一種可撓式電子裝置的制造方法，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施 方式所述，在完成圖3d所述的將撓性基板10黏附至具有粘合劑層14的載板16上的制備 過(guò)程之后，請(qǐng)參照?qǐng)D11a，可以將電子元件30形成于該撓性基板10的上表面25(與該下表 面11對(duì)象設(shè)置)，接著再對(duì)形成有電子元件30的撓性基板10進(jìn)行切割，即可得到可撓式電 子裝置40，請(qǐng)參照?qǐng)Dlib。其中該電子元件30的種類(lèi)并無(wú)特別之限制，可為已知的任何可 形成于可撓曲基材上的電子元件，包含薄膜晶體管陣列、記憶體單元、平面顯示元件、太陽(yáng) 能電池、半導(dǎo)體電路、或其組合。本發(fā)明實(shí)施方式所述的撓性基板自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的制造 方法，可使切割后的撓性基板完整的由載板上剝離，該方法利用表面處理使撓性基板表面 易與粘合劑層形成鍵結(jié)的官能團(tuán)消耗(或是覆蓋、取代，使失去活性)掉。本發(fā)明實(shí)施例可 使撓性基板表面處理的制備過(guò)程簡(jiǎn)單且便宜。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許變動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明保護(hù)范圍以所附 權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種撓性基板自載板上脫離的方法，包含提供撓性基板，其中該撓性基板具有下表面；對(duì)該撓性基板的下表面進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特性的下表面；通過(guò)粘合劑層將該撓性基板配置于載板上，其中該具有防粘特性的下表面朝向該載板；以及對(duì)配置于該載板上的該撓性基板進(jìn)行切割脫離。
2.如權(quán)利要求1所述的撓性基板自載板上脫離的方法，其中該載板包含金屬基板、塑 料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圓。
3.如權(quán)利要求1所述的撓性基板自載板上脫離的方法，其中該撓性基板包含高分子基 板或金屬基板。
4.如權(quán)利要求1所述的撓性基板自載板上脫離的方法，其中該高分子基板包含聚酰亞 胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚降冰片烯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚對(duì)苯二甲酸乙二 醇酯。
5.如權(quán)利要求1所述的撓性基板自載板上脫離的方法，其中該撓性基板的下表面經(jīng)該 表面處理后，該撓性基板的下表面上能與該粘合劑層產(chǎn)生鍵結(jié)的官能團(tuán)被消耗、覆蓋或置 換。
6.如權(quán)利要求5所述的撓性基板自載板上脫離的方法，其中該能與粘合劑層產(chǎn)生鍵結(jié) 的官能團(tuán)包含羥基、羧基、胺基、或酯基。
7.如權(quán)利要求5所述的撓性基板自載板上脫離的方法，該撓性基板下表面的官能團(tuán)與 粘合劑層產(chǎn)生的鍵結(jié)包含離子鍵、共價(jià)鍵、或氫鍵。
8.如權(quán)利要求1所述的撓性基板自載板上脫離的方法，其中該表面處理包括提供化學(xué)試劑與該撓性基板的下表面進(jìn)行反應(yīng)。
9.如權(quán)利要求8所述的撓性基板自載板上脫離的方法，其中該化學(xué)試劑系以浸泡技 術(shù)、旋轉(zhuǎn)涂布技術(shù)、壓印技術(shù)、刮印技術(shù)、或輥涂技術(shù)形成于該撓性基板的下表面。
10.如權(quán)利要求1所述的撓性基板自載板上脫離的方法，其中該表面處理包含等離子 體處理、離子束轟擊、電子轟擊、蝕刻處理、摩擦處理或其組合。
11.一種可撓式電子裝置的制造方法，包含提供撓性基板，其中該撓性基板具有上表面及下表面；對(duì)該撓性基板的下表面進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特性的區(qū)域，而未進(jìn)行表面處 理的部份定義為具有附著性的區(qū)域；通過(guò)粘合劑層將該撓性基板配置于載板上，其中該粘合劑層覆蓋該撓性基板的該具有 防粘特性的區(qū)域及該具有附著性的區(qū)域；形成電子元件于該撓性基板的上表面；以及對(duì)位于該具有防粘特性的區(qū)域內(nèi)的該撓性基板進(jìn)行切割，得到可撓式電子裝置。
12.如權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該載板包含金屬基板、塑 料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圓。
13.如權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該撓性基板包含高分子基 板、或金屬基板。
14.如權(quán)利要求13所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該高分子基板包含聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚降冰片烯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚對(duì)苯二甲酸乙二 醇酯。
15.如權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該撓性基板的下表面經(jīng)該 表面處理后，該撓性基板的下表面上能與該粘合劑層產(chǎn)生鍵結(jié)的官能團(tuán)被消耗、覆蓋或置 換。
16.如權(quán)利要求15所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該能與粘合劑層產(chǎn)生鍵結(jié) 的官能團(tuán)包含羥基、羧基、胺基、或酯基。
17.如權(quán)利要求15所述的可撓式電子裝置的制造方法，該撓性基板下表面的官能團(tuán)與 粘合劑層產(chǎn)生的鍵結(jié)包含離子鍵、共價(jià)鍵、或氫鍵。
18.如權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該表面處理包括提供化學(xué)試劑與該撓性基板的下表面進(jìn)行反應(yīng)。
19.如權(quán)利要求18所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該化學(xué)試劑系以浸泡技 術(shù)、旋轉(zhuǎn)涂布技術(shù)、壓印技術(shù)、刮印技術(shù)、或輥涂技術(shù)形成于該撓性基板的下表面。
20.如權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該表面處理包含等離子 體處理、離子束轟擊、電子轟擊、蝕刻處理、摩擦處理或其組合。
21.如權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中，該撓性基板與該粘合劑 層在該具有防粘特性的區(qū)域內(nèi)的附著度小于該撓性基板與該粘合劑層在該具有附著性的 區(qū)域內(nèi)的附著度。
22.如權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該可撓式電子裝置的尺寸 與該具有防粘特性的區(qū)域的尺寸相同。
23.如權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該可撓式電子裝置的尺寸 小于該具有防粘特性的區(qū)域的尺寸。
24.如權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該電子元件包含薄膜晶 體管陣列、記憶體單元、平面顯示元件、太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體電路、或其組合。
全文摘要
本發(fā)明提供撓性基板自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的制造方法，該撓性基板自載板上脫離的方法包含提供撓性基板，其中該撓性基板具有下表面；對(duì)該撓性基板的下表面進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特性的下表面；通過(guò)粘合劑層將該撓性基板配置于載板上，其中該具有防粘特性的下表面朝向該載板；以及，對(duì)配置于該載板上的該撓性基板進(jìn)行切割脫離。
文檔編號(hào)H01L21/50GK101924066SQ20091014699
公開(kāi)日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2009年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月9日
發(fā)明者張悠揚(yáng), 江良佑, 程章林, 陳東森 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院