專利名稱：減小襯底中的高頻信號(hào)損失的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及集成電路，并且特別涉及高頻集成電路裝置，尤其是減小襯底中
信號(hào)損失的結(jié)構(gòu)和方法。
背景技術(shù)：
高頻電路被廣泛使用于現(xiàn)代應(yīng)用中，如無(wú)線通信應(yīng)用。設(shè)計(jì)者面對(duì)的普遍問(wèn)題是 位于高頻電路下面的襯底中的信號(hào)損失，部分信號(hào)損失由形成在高頻電路和下面的襯底之 間的寄生電容導(dǎo)致。通常，隨著信號(hào)頻率的增大，損失也增大。這大大限制了高頻電路的設(shè) 計(jì)。 圖1說(shuō)明了形成在半導(dǎo)體襯底2之上的傳統(tǒng)射頻(RF)變壓器4。電介質(zhì)層8將射 頻變壓器4與半導(dǎo)體襯底2分隔開(kāi)。射頻變壓器4和半導(dǎo)體襯底2 —起形成寄生電容6。 不希望產(chǎn)生的寄生電容6將射頻變壓器4的工作頻率限制在10G赫茲左右和更低的頻率。 當(dāng)頻率進(jìn)一步增大，半導(dǎo)體襯底2中的信號(hào)損失大大增大。 當(dāng)其它集成電路裝置工作在高頻下時(shí)，這些裝置也發(fā)生信號(hào)損失。例如，圖2說(shuō)明 了形成于P+擴(kuò)散區(qū)14和N型阱區(qū)16之間的結(jié)型二極管12。 P+擴(kuò)散區(qū)14和N型阱區(qū)16 都形成在襯底18內(nèi)。同樣，在P+擴(kuò)散區(qū)14，N型阱區(qū)16和襯底18之間，在襯底18和連接 到結(jié)型二極管12的金屬線之間和其他類似區(qū)域形成寄生電容20。寄生電容20導(dǎo)致結(jié)型二 極管12攜帶的信號(hào)中的極大信號(hào)損失，這個(gè)損失可能嚴(yán)重到大約4到5分貝。類似地，其 他二極管如鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管二極管和肖特基二極管也遭受類似的問(wèn)題。
而且，信號(hào)損失問(wèn)題可能隨著集成電路尺寸的不斷縮小而加劇，集成電路尺寸的 縮小導(dǎo)致高頻裝置和各自的底層襯底之間的距離越來(lái)越小。減小的距離導(dǎo)致寄生電容的增 加。因此，需要方案解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種集成電路結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底； 和在半導(dǎo)體襯底中的耗盡區(qū)。深阱區(qū)基本上被耗盡區(qū)包圍，并且深阱區(qū)是與第一導(dǎo)電類型 相反的第二導(dǎo)電類型。耗盡區(qū)包括直接位于深阱區(qū)之上的第一部分和直接位于深阱區(qū)下的 第二部分。集成電路裝置直接位于耗盡區(qū)之上。也公開(kāi)了其他實(shí)施例。 實(shí)施例的優(yōu)勢(shì)特征包括減少了高頻裝置的信號(hào)損失。另外，實(shí)施例可能與現(xiàn)有的 制造工藝相結(jié)合，不要求額外工藝步驟和光刻掩模。


為了更全面地理解本發(fā)明和其優(yōu)點(diǎn)，參考下述的附圖描述，其中 圖1說(shuō)明了形成在半導(dǎo)體襯底之上的傳統(tǒng)射頻變壓器； 圖2說(shuō)明了形成在半導(dǎo)體襯底之上的傳統(tǒng)二極管； 圖3A和3B分別說(shuō)明了本發(fā)明的變壓器實(shí)施例的透視圖和俯視4
圖4，5和6分別說(shuō)明了結(jié)型二極管實(shí)施例，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管二極管實(shí)施例和肖 特基二極管實(shí)施例的橫截面圖； 圖7和8顯示了從傳統(tǒng)二極管和本發(fā)明的二極管實(shí)施例獲得的仿真結(jié)果的比較。
具體實(shí)施例方式
下面詳細(xì)討論實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該意識(shí)到，實(shí)施例提供了很多可以廣 泛體現(xiàn)在各種不同的具體情況中的的應(yīng)用發(fā)明概念。討論的具體實(shí)施例只是說(shuō)明發(fā)明的制 造和使用的具體方法，不限制發(fā)明范圍。 本發(fā)明提出了一種新的襯底_損失減少的結(jié)構(gòu)和方法。討論本發(fā)明的制造實(shí)施例 的中間步驟。也討論了不同實(shí)施例。在本發(fā)明的不同視圖和說(shuō)明性實(shí)施例中，使用相似的 參考數(shù)字標(biāo)記相似的元件。 圖3A說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的透視圖，其中包括襯底30。襯底30可能包含硅， 鍺，砷化鎵，和/或其它普遍使用的半導(dǎo)體材料。襯底30可能是體材料襯底，或者具有絕緣 底半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。實(shí)施例中，襯底30輕摻雜p型雜質(zhì)，例如，濃度低于10"/cm 因此，以下被 稱為P型襯底?；蛘?，襯底30可能輕摻雜n型雜質(zhì)。射頻變壓器32形成在襯底30之上。 射頻變壓器32和襯底30之間的間隔34可能包括電介質(zhì)層，如層間電介質(zhì)(ILD)，在其中形 成晶體管的柵電極(未顯示)和接觸栓塞48的，和金屬間電介質(zhì)層(IMD)，在其中形成金屬 線和通孔(未顯示)的。 變壓器32可能有四個(gè)端子，命名為X1A，X1B，X2A和X2B。端子X(jué)1A和X2A通過(guò)金 屬線和通孔互連。端子X(jué)1B和X2B通過(guò)金屬線和通孔互連。因此，變壓器32包括兩個(gè)電感， 一個(gè)連接在端子X(jué)1A和X2A之間，另一個(gè)連接在端子X(jué)1B和X2B之間。
深N型阱區(qū)36形成在襯底30內(nèi)，其頂表面38比襯底30的頂表面40低。實(shí)施例 中，深N型阱區(qū)36通過(guò)在襯底30的深處注入n型雜質(zhì)如磷和砷形成?；蛘?，深N型阱區(qū)36 可能是通過(guò)對(duì)襯底30的表層進(jìn)行擴(kuò)散和摻雜而形成。因此，深N型阱區(qū)36內(nèi)埋在襯底30 內(nèi)，并且P型層位于深N型阱區(qū)36之上。應(yīng)該意識(shí)到，由于注入n型雜質(zhì)的分布，深N型阱 區(qū)36可能沒(méi)有明顯的頂表面和底層。實(shí)施例中，位于深N型阱區(qū)36的頂表面和底層之間 的中間層的深度D為大約liim。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員也應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，描述中列舉的 尺寸僅是例子，如果使用不同的構(gòu)成技術(shù)，尺寸將改變。 深N型阱區(qū)36通過(guò)n型栓塞44，46和接觸栓塞48連接到電壓源50。實(shí)施例中， n型栓塞44與n型阱區(qū)同時(shí)形成，用來(lái)組成其中的pM0S晶體管(未顯示)。因此，n型栓 塞44基本上和n型阱區(qū)有同樣的雜質(zhì)濃度。深N型阱區(qū)的頂表面38不比n型栓塞44的 底層低，因此它們相互連接。N型栓塞46可能與nMOS晶體管的源極/漏極區(qū)域同時(shí)形成 (未顯示)，因此N+區(qū)域的濃度可能，例如，比大約1 X 1027cm3高。接觸栓塞48可能形成于 ILD內(nèi)，并可能與連接到pMOS和NMOS晶體管的源極/漏極區(qū)域和柵極的接觸栓塞(未顯 示)同時(shí)形成。注意，深N型阱區(qū)36可能使用任何其他的適當(dāng)連接方式連接到電壓源50。
電壓源50提供正向偏置電壓給深N型阱區(qū)36。因此，耗盡區(qū)形成于包圍深N型阱 區(qū)36的襯底30的一部分中。實(shí)施例中，應(yīng)用到深N型阱區(qū)36的電壓足夠高，能夠耗盡直 接位于深N型阱區(qū)36之上的襯底30的一部分。換句話說(shuō)，耗盡區(qū)52延伸到襯底30的頂 表面40。認(rèn)識(shí)到，寄生電容54存在于射頻變壓器32和襯底30之間。耗盡區(qū)52的形成的
5影響是以耗盡區(qū)52的厚度增加寄生電容54的電容絕緣體的等效厚度。結(jié)果，寄生電容54 的電容減小了，導(dǎo)致襯底30中的信號(hào)損失降低了 (信號(hào)損失下述被稱為襯底損失)。實(shí)施 例中，所有寄生電容的總電容值可能被減小了約50 % 。 為了使得減小寄生電容值的作用最大化，最好增加耗盡區(qū)52的厚度T，這可以通 過(guò)增加正向偏置電壓獲得。實(shí)施例中，偏置電壓是工作電壓VDD，是提供給核心電路的正向 電源電壓，但是偏置電壓也可以是任何其他的正向電壓。為了進(jìn)一步增大耗盡區(qū)52的面 積，正向偏置電壓可能被增大到比電壓VDD高。例如，電壓源50可能是提供比電壓VDD高 的正向電源電壓的輸入/輸出(I/O)電壓源。 圖3B說(shuō)明了射頻變壓器32，深N型阱區(qū)36和耗盡區(qū)52的典型俯視圖。耗盡區(qū)52 可能是在所有平面方向(平行于襯底30的表面的方向)延伸到變壓器32的邊緣外的連續(xù) 區(qū)域。因此，耗盡區(qū)52的面積(俯視)可能至少基本接近于射頻變壓器32的面積，甚至比 它大。耗盡區(qū)52的面積可能比射頻變壓器32的面積大10%，甚至100%。如圖3A所示， 耗盡區(qū)52的增加可能有利于減小寄生電容54的電容值。實(shí)施例中，深N型阱區(qū)36包括多 個(gè)彼此之間被P型襯底30的部分分隔開(kāi)的平行指(也標(biāo)記為36)。平行指36之間可能通 過(guò)深N型阱區(qū)36連接。為了減小形成在深N型阱區(qū)36內(nèi)的感應(yīng)電流，指最好盡可能的窄， 寬度W接近或者甚至等于最小規(guī)則所定義的尺寸(形成技術(shù)允許的最小寬度)。使用偏置 電壓時(shí)，鄰近指的耗盡區(qū)重疊形成連續(xù)的耗盡區(qū)52。在另一類實(shí)施例中，深N型阱區(qū)36可 能有任意其他樣式，如網(wǎng)狀，只要它能夠形成連續(xù)耗盡區(qū)52。在又另一類實(shí)施例中，深N型 阱區(qū)36可能是連續(xù)N型阱板。 耗盡區(qū)52的形成導(dǎo)致襯底損失的減小。仿真結(jié)果顯示射頻變壓器32的品質(zhì)因數(shù) 從37左右增加到45左右。 圖4到圖6是具有深N型阱區(qū)36和與二極管結(jié)合的對(duì)應(yīng)耗盡區(qū)52的實(shí)施例。這 些實(shí)施例中，深N型阱區(qū)36，電壓源50，和應(yīng)用到N型阱區(qū)36的偏置電壓可以基本上與圖 3A和3B中的實(shí)施例一樣。為了簡(jiǎn)化，在此不再重復(fù)這些區(qū)域的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)和說(shuō)明。圖4說(shuō)明 了形成在P+擴(kuò)散區(qū)62和N型阱區(qū)64之間的結(jié)二極管60。 P+擴(kuò)散區(qū)62和N型阱區(qū)64可 通過(guò)注入形成，因此，P+擴(kuò)散區(qū)62和N型阱區(qū)64的頂表面也可以是襯底30的頂表面。N 型阱區(qū)64通過(guò)p型的襯底30的一部分與深N型阱區(qū)36分離。類似地，耗盡區(qū)52從頂部， 底部和所有可能的外側(cè)方向包圍深N型阱區(qū)36。而且，耗盡區(qū)52延伸到N型阱區(qū)64和深 N型阱區(qū)36之間的間隔中，因此，N型阱區(qū)64和深N型阱區(qū)36彼此分離。接觸栓塞66連 接到P+擴(kuò)散區(qū)62和N型阱區(qū)64，并進(jìn)一步連接到可能形成于底部金屬層的金屬線68 (通 常記為Ml)。由于等效電容絕緣體厚度的增加，結(jié)型二極管60和襯底30之間的寄生電容 69的電容值被有效減小，結(jié)果，襯底損失減小了。 圖5說(shuō)明本發(fā)明的另一實(shí)施例，包括形成在襯底30之上的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管二極 管70。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管二極管70包括P+擴(kuò)散區(qū)72(也被稱為鰭(fin) 72)和N+擴(kuò)散區(qū) 74 (也被稱為fin 74)，它們相互接觸形成P-N結(jié)。P+擴(kuò)散區(qū)72和N+擴(kuò)散區(qū)74的底層可 能與襯底30的頂表面接觸。形成接觸栓塞66和金屬線68連接到擴(kuò)散區(qū)72和74。 P+擴(kuò) 散區(qū)72和N+擴(kuò)散區(qū)74通過(guò)p型襯底30的一部分與深N型阱區(qū)36分隔開(kāi)。類似地，耗盡 區(qū)52從頂部，底部和所有可能的外側(cè)方向充分地包圍深N型阱區(qū)36。而且，耗盡區(qū)52將 P+擴(kuò)散區(qū)72和N+擴(kuò)散區(qū)74同深N型阱區(qū)36分離開(kāi)。
圖6說(shuō)明了本發(fā)明的又另一實(shí)施例，包括形成在耗盡區(qū)52之上的肖特基二極管 80。肖特基二極管形成在N型阱區(qū)82和可能包含鎢的金屬接觸栓塞66工之間，可能與金屬 栓塞48和662同時(shí)形成。N+區(qū)84形成在N型阱區(qū)82內(nèi)，作為N型阱區(qū)82的拾取區(qū)。再 次，P型區(qū)存在于N型阱區(qū)82和深N型阱區(qū)36之間，當(dāng)應(yīng)用來(lái)自于電壓源50的偏置電壓 時(shí)，P型區(qū)被耗盡。 圖4到圖6所示的實(shí)施例中，耗盡區(qū)52的面積至少基本接近于各自覆蓋的二極管 60， 70和80的面積，最好比它們大。耗盡區(qū)52的面積可能也比各自覆蓋的二極管60，70 和80的面積達(dá)10%，或者甚至約100%。因此，除了基本重疊所有的覆蓋二極管60，70和 80(分別見(jiàn)圖4，5和6)，耗盡區(qū)52可能進(jìn)一步水平延伸，至少在一些或可能所有的外側(cè)方 向超出覆蓋二極管60， 70和80的邊緣。 盡管上述段落討論的實(shí)施例中，使用正向電壓偏置深N型阱區(qū)36形成p型襯底30 中的耗盡區(qū)，在另一類實(shí)施例中，區(qū)域30，36，44，46，48和/或形成二極管的其他區(qū)域的導(dǎo) 電類型可能是相反的。這種情況下，現(xiàn)在是P型的深阱區(qū)，可能用負(fù)向電壓偏置形成耗盡區(qū) 52。 圖7和8說(shuō)明二極管的仿真結(jié)果，其中襯底損失(Y軸)作為頻率(X軸)的函數(shù)。 圖7從傳統(tǒng)的無(wú)耗盡區(qū)結(jié)構(gòu)的二極管采樣獲得。注意到，大約67G赫茲時(shí)，襯底損失在大約 4.5到5分貝之間。隨著頻率的增大，襯底損失變得越來(lái)越嚴(yán)重。作為對(duì)比，圖8是從本發(fā) 明的實(shí)施例采樣獲得的。注意到，大約67G赫茲時(shí)，襯底損失在大約2. 2到5. 7分貝之間， 大大低于圖7所示的襯底損失。本發(fā)明的實(shí)施例的進(jìn)一步優(yōu)勢(shì)特征是隨著頻率的增大，沒(méi) 有觀測(cè)到襯底損失的增加。這意味著，本發(fā)明實(shí)施例的工作頻率可以擴(kuò)展到更高的頻率范 圍。 盡管詳細(xì)描述了本發(fā)明和它的優(yōu)點(diǎn)，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情 況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改和替換。而且，本應(yīng)用的范圍不局限于說(shuō)明書中 描述的過(guò)程，裝置，制造，和組成的問(wèn)題，手段，方法和步驟的具體實(shí)例。對(duì)于本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員，應(yīng)感激本發(fā)明的公開(kāi)，根據(jù)本發(fā)明，現(xiàn)存的或今后開(kāi)發(fā)的執(zhí)行相同的功能或獲得 相同結(jié)果的過(guò)程，裝置，制造，組成的問(wèn)題，手段，方法或步驟可能被使用。因此，所附權(quán)利要 求應(yīng)該包括在這樣的過(guò)程，裝置，制造，組成的問(wèn)題，手段，方法，或步驟的范圍內(nèi)。另外，每 個(gè)要求構(gòu)成一個(gè)單獨(dú)的實(shí)施例，各種不同的要求和實(shí)施例的結(jié)合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；半導(dǎo)體襯底中的耗盡區(qū)；基本被耗盡區(qū)包圍的深阱區(qū)，其中深阱區(qū)是與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型，而耗盡區(qū)包括直接位于深阱區(qū)之上的第一部分和直接位于深阱區(qū)之下的第二部分；以及直接位于深阱區(qū)之上的集成電路裝置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的集成電路結(jié)構(gòu)，其中深阱區(qū)是n型的，直接位于深阱區(qū)之上的半導(dǎo) 體襯底的部分和直接位于深阱區(qū)之下的半導(dǎo)體襯底的部分是P型的。
3. 權(quán)利要求2的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括連接到深阱區(qū)的電壓源，其中電壓源被設(shè)置為 提供正向電壓給深阱區(qū)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的集成電路結(jié)構(gòu)，其中正向電壓是核心電路的正向電源電壓或輸入 /輸出電路的正向電源電壓。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l的集成電路結(jié)構(gòu)，其中集成電路裝置是射頻變壓器，所述集成電路 結(jié)構(gòu)還包括在半導(dǎo)體襯底之上、且將耗盡區(qū)與射頻變壓器分隔的電介質(zhì)層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路結(jié)構(gòu)，其中集成電路裝置是二極管，其中二極管是結(jié)型 二極管，其包括在半導(dǎo)體襯底中的第一阱區(qū)和在第一阱區(qū)中的第二阱區(qū)，其中第一阱區(qū)和 第二阱區(qū)具有相反的導(dǎo)電類型；或者，其中二極管是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管二極管，其包括在半 導(dǎo)體襯底上的第一鰭式區(qū)，和在半導(dǎo)體襯底上與第一鰭式區(qū)接觸的第二鰭式區(qū)；其中第一 鰭式區(qū)和第二鰭式區(qū)具有相反的導(dǎo)電類型；或者，其中二極管是肖特基二極管。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路結(jié)構(gòu)，其中深阱區(qū)包括多個(gè)相互平行的深阱指，其中多 個(gè)深阱指的寬度接近于形成集成電路結(jié)構(gòu)的技術(shù)的最小寬度。
8. —種集成電路結(jié)構(gòu)，包括 第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底中的深阱區(qū)，其頂表面比半導(dǎo)體襯底的頂表面低，其中所述深阱區(qū)是與 第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型； 連接到深阱區(qū)的電壓源； 直接位于深阱區(qū)之上的射頻變壓器；以及 將射頻變壓器與半導(dǎo)體襯底的頂表面分隔開(kāi)的電介質(zhì)層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的集成電路結(jié)構(gòu)，其中第一導(dǎo)電類型是p型，第二導(dǎo)電類型是n型， 其中電壓源被設(shè)置為提供正向電壓，其中電壓源被設(shè)置為提供核心電路的正向電源電壓給 深阱區(qū)。
10. 權(quán)利要求8的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括基本包圍深阱區(qū)的耗盡區(qū)，其中耗盡區(qū)從深 阱區(qū)的頂表面延伸到半導(dǎo)體襯底的頂表面，且耗盡區(qū)的面積基本上不比射頻變壓器的面積 小，其中耗盡區(qū)的面積比射頻變壓器的面積大，且耗盡區(qū)在所有外側(cè)方向上側(cè)向延伸到超 過(guò)相應(yīng)射頻變壓器的邊緣，優(yōu)選地其中深阱區(qū)包括多個(gè)深阱指，耗盡區(qū)在這些深阱指之間 延伸。
11. 一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；二極管；在半導(dǎo)體襯底中且直接位于二極管之下的深阱區(qū)，其中深阱區(qū)是與第一導(dǎo)電類型相反 的第二導(dǎo)電類型；以及包括直接位于深阱區(qū)之上的第一部分和直接位于深阱區(qū)之下的第二部分的耗盡區(qū)，其 中第一部分將深阱區(qū)與二極管分隔開(kāi)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll的集成電路結(jié)構(gòu)，其中二極管是結(jié)型二極管，包括在半導(dǎo)體襯底 中的第一阱區(qū)和在第一阱區(qū)中的第二阱區(qū)，其中第一阱區(qū)和第二阱區(qū)具有相反的導(dǎo)電類 型；或者，其中耗盡區(qū)延伸到半導(dǎo)體襯底的頂表面，其中二極管是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管二極 管，包括在半導(dǎo)體襯底之上的第一鰭式區(qū)和在半導(dǎo)體襯底之上并與第一鰭式區(qū)接觸的第二 鰭式區(qū)，其中第一鰭式區(qū)和第二鰭式區(qū)具有相反的導(dǎo)電類型；或者，其中二極管是肖特基二極管，包括半導(dǎo)體襯底中的摻雜半導(dǎo)體區(qū)；禾口與摻雜半導(dǎo)體區(qū)接觸的金屬接觸栓塞。
13. 權(quán)利要求ll的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括連接到深阱區(qū)、提供正向電壓來(lái)產(chǎn)生耗盡區(qū) 的電壓源。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8、11的集成電路結(jié)構(gòu)，其中第一導(dǎo)電類型是n型，第二導(dǎo)電類型是p 型，其中電壓源被設(shè)置為提供負(fù)向電壓。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11的集成電路結(jié)構(gòu)，其中耗盡區(qū)的面積基本不比二極管的面積小， 優(yōu)選地其中耗盡區(qū)的面積比二極管的面積大，其中耗盡區(qū)基本在所有外側(cè)方向上側(cè)向延伸 到超過(guò)相應(yīng)二極管的邊緣。
全文摘要
本發(fā)明涉及減小襯底中的高頻信號(hào)損失。一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；和半導(dǎo)體襯底中的耗盡區(qū)。深阱區(qū)基本被耗盡區(qū)包圍，其中深阱區(qū)是與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型。耗盡區(qū)包括直接位于深阱區(qū)之上的第一部分和直接位于深阱區(qū)之下的第二部分。集成電路裝置直接設(shè)置在耗盡區(qū)之上。
文檔編號(hào)H01L29/861GK101771037SQ20091013662
公開(kāi)日2010年7月7日 申請(qǐng)日期2009年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月31日
發(fā)明者周淳樸, 陳和祥 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司