專(zhuān)利名稱(chēng)：貫通電容器以及貫通電容器的安裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及貫通電容器以及該貫通電容器的安裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
作為貫通電容器，己知有一種具備電介質(zhì)層和內(nèi)部電極交替地層 疊的電容器素體、以及形成于該電容器素體表面的端子電極的貫通電
容器(例如，參照日本專(zhuān)利公開(kāi)平第01-206615號(hào)公報(bào))。

發(fā)明內(nèi)容
為了謀求這樣的貫通電容器的低阻抗化，有必要降低等效串聯(lián)電 感(ESL)。尤其是為了完成高頻工作，有必要將ESL保持得充分低。 然而，日本專(zhuān)利公開(kāi)平第01-206615號(hào)公報(bào)所述的貫通電容器并沒(méi)有被 進(jìn)行為了降低ESL的探討。
可是，近年來(lái)隨著產(chǎn)品的小型化不斷進(jìn)行，期望提高電路基板上 的配線密度。然而，如果將日本專(zhuān)利公開(kāi)平第01-206615號(hào)公報(bào)所述的 貫通電容器搭載于電路基板，則該部分的配線空間減小。因此，配線 密度有可能降低。
因此，本發(fā)明的課題在于，提供一種能夠抑制在搭載于電路基板 的情況下的配線密度的降低且能夠謀求ESL的降低的貫通電容器及其 安裝構(gòu)造。
本發(fā)明為貫通電容器，具備由多個(gè)絕緣體層層疊而成的大致長(zhǎng) 方體狀的電容器素體、配置在電容器素體內(nèi)且相互相對(duì)的信號(hào)用內(nèi)部 電極和接地用內(nèi)部電極、分別設(shè)在電容器素體的長(zhǎng)邊方向上的第1和 第2端面上且連接于信號(hào)用內(nèi)部電極的信號(hào)用端子電極、以及設(shè)在沿 著電容器素體的長(zhǎng)邊方向延伸的第1~第4側(cè)面的至少任1個(gè)側(cè)面上且 連接于接地用內(nèi)部電極的接地用端子電極，其中，接地用端子電極設(shè) 在靠近第1端面和第2端面的至少任一個(gè)端面的位置。在本發(fā)明涉及的貫通電容器中，在電容器素體的第1和第2端面
上設(shè)有信號(hào)用端子電極，在電容器素體的第1 第4側(cè)面中至少任一個(gè) 側(cè)面上設(shè)有接地用端子電極。由于接地用端子電極設(shè)在靠近第1和第2
端面的至少任一個(gè)端面的位置，因而接地用端子電極和信號(hào)用端子電
極的位置接近。由此，能夠降低貫通電容器的ESL。
第1 第4側(cè)面的中央部成為未形成有端子電極的區(qū)域。于是，在 將貫通電容器搭載于電路基板上的情況下，能夠?qū)⒇炌娙萜鞯闹醒?部的下面作為配線空間而利用。結(jié)果，能夠抑制在搭載貫通電容器C1 時(shí)所產(chǎn)生的配線密度的下降。
優(yōu)選在第1~第4側(cè)面中的至少1個(gè)側(cè)面上，接地用端子電極分別 設(shè)在靠近第1端面的位置和靠近第2端面的位置，從垂直于設(shè)有接地 用端子電極的側(cè)面的方向看時(shí)，分別設(shè)在該側(cè)面的接地用端子電極之 間的距離，比設(shè)在靠近第1端面的位置的接地用端子電極和第1端面 之間的距離、以及設(shè)在靠近第2端面的位置的接地用端子電極和第2 端面之間的距離長(zhǎng)。
在此情況下，由于接地用端子電極和信號(hào)用端子電極的位置進(jìn)一 步接近，因而能夠更加降低貫通電容器的ESL。接地用端子電極間的 距離也較長(zhǎng)，貫通電容器的中央部上的未形成有端子電極的區(qū)域進(jìn)一 步擴(kuò)大。于是，在將貫通電容器搭載于電路基板上的情況下，能夠在 貫通電容器之下確保更加寬廣的配線空間，能夠在貫通電容器之下使 更多的配線通過(guò)。
優(yōu)選在第1側(cè)面上，在靠近第1端面的位置設(shè)有接地用端子電極， 在與第1側(cè)面相對(duì)的第2側(cè)面上，在靠近第2端面的位置設(shè)有接地用 端子電極，從第1和第2側(cè)面的相對(duì)方向看時(shí)，設(shè)在第1側(cè)面上的接 地用端子電極和設(shè)在第2側(cè)面上的接地用端子電極之間的距離，比設(shè) 在第1側(cè)面的靠近第1端面的位置的接地用端子電極和第1端面之間 的距離、以及設(shè)在第2側(cè)面的靠近第2端面的位置的接地用端子電極 和第2端面之間的距離長(zhǎng)。
在此情況下，由于接地用端子電極和信號(hào)用端子電極的位置進(jìn)一 步接近，因而能夠更加降低貫通電容器的ESL。接地用端子電極間的 距離也較長(zhǎng)，貫通電容器的中央部上的未形成有端子電極的區(qū)域進(jìn)一步擴(kuò)大。于是，在將貫通電容器搭載于電路基板上的情況下，能夠在 貫通電容器之下確保更加寬廣的配線空間，能夠更加切實(shí)地抑制配線 密度的下降。
優(yōu)選具備多個(gè)接地用內(nèi)部電極和接地用端子電極，多個(gè)接地用端 子電極中的、多個(gè)接地用內(nèi)部電極中的至少2個(gè)接地用內(nèi)部電極所連 接的接地用端子電極不同。
在此情況下，貫通電容器至少具有2個(gè)并聯(lián)連接的靜電電容成分
的形成區(qū)域。這些形成區(qū)域并聯(lián)連接。如果以這些形成區(qū)域的靜電電 容值不同的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)，那么，能夠得到阻抗在整個(gè)寬頻帶上被設(shè) 定得較低的貫通電容器。
優(yōu)選具備多個(gè)信號(hào)用內(nèi)部電極，多個(gè)信號(hào)用內(nèi)部電極中的至少一 個(gè)信號(hào)用內(nèi)部電極和多個(gè)接地用內(nèi)部電極中的至少一個(gè)接地用內(nèi)部電 極配置在同一層上。
在此情況下，由于信號(hào)用內(nèi)部電極和接地用內(nèi)部電極配置在同一 層上，因而能夠減少該部分的內(nèi)部電極的層疊數(shù)。結(jié)果，能夠?qū)⒇炌?電容器薄型化。
本發(fā)明具備上述貫通電容器、以及在表面上形成有導(dǎo)體配線的 電路基板，貫通電容器以該貫通電容器的長(zhǎng)邊方向和導(dǎo)體配線的延伸 方向相交叉的方式配置在導(dǎo)體配線上。
在本發(fā)明涉及的貫通電容器的安裝構(gòu)造中，在以長(zhǎng)邊方向和導(dǎo)體 配線的延伸方向相交叉的方式將上述貫通電容器安裝于電路基板上的 情況下，在貫通電容器的信號(hào)用端子電極以及接地用端子電極和導(dǎo)體 配線之間不產(chǎn)生短路，能夠在貫通電容器之下敷設(shè)導(dǎo)體配線。所以， 能夠?qū)⒇炌娙萜鞯脑O(shè)置空間作為配線空間而利用，能夠抑制因貫通 電容器的搭載而引起的配線密度的下降。
優(yōu)選，在上述貫通電容器中，在第1 第4側(cè)面中的至少1個(gè)側(cè)面
上，接地用端子電極分別設(shè)在靠近第1端面的位置和靠近第2端面的
位置，從絕緣體層的層疊方向看時(shí)，貫通電容器上的位于設(shè)在靠近第1
端面的位置的接地用端子電極和設(shè)在靠近第2端面的位置的接地用端
子電極之間的區(qū)域，配置在導(dǎo)體配線上。在此情況下，能夠進(jìn)一步降低在貫通電容器的信號(hào)用端子電極以及接地用端子電極和導(dǎo)體配線之間產(chǎn)生短路的幾率。
本發(fā)明通過(guò)以下給出的詳細(xì)說(shuō)明和參照附圖將會(huì)變得更加清楚，但是，這些說(shuō)明和附圖僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明而舉出的例子，不能被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限定。
以下給出的詳細(xì)說(shuō)明將會(huì)更加清楚地表述本發(fā)明的應(yīng)用范圍。但是，這些詳細(xì)說(shuō)明和特殊實(shí)例、以及優(yōu)選實(shí)施方案，只是為了舉例說(shuō)明而舉出的，本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然能夠理解本發(fā)明的各種變化和修改都在本發(fā)明的宗旨和范圍內(nèi)。


圖1是第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器的立體圖。
圖2是第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器所具備的電容器素體的分解立體圖。
圖3是第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器的截面圖。
圖4是第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器以及安裝有該貫通電容器
的電路基板的俯視圖。
圖5是第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器所具備的電容器素體的分
解立體圖。
圖6是第3實(shí)施方式涉及的貫通電容器所具備的電容器素體的分解立體圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖，詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。在說(shuō)明中，對(duì)相同要素或具有相同功能的要素使用相同的符號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。
(第1實(shí)施方式)
圖1是第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器的立體圖。圖2是第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器所具備的電容器素體的分解立體圖。圖3是第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器的截面圖。圖4是第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器以及安裝有該貫通電容器的電路基板的俯視圖。在圖4中，為了容易查閱附圖，省略了貫通電容器和電路基板的焊接部分的記載。
如圖1所示，本實(shí)施方式涉及的貫通電容器C1具備電容器素體1，
第1和第2信號(hào)用端子電極11、 12，以及第1 第4接地用端子電極13 16。
電容器素體1為大致長(zhǎng)方體狀，具有第1和第2端面2、 3，第1和第2側(cè)面4、 5，以及第3和第4側(cè)面6、 7。第1和第2端面2、 3垂直于長(zhǎng)邊方向且相互相對(duì)。第1和第2側(cè)面4、 5沿長(zhǎng)邊方向延伸，并且，連接在第1和第2端面2、 3之間且相互相對(duì)。第3和第4側(cè)面6、 7沿長(zhǎng)邊方向延伸，并且，連接在第1和第2端面2、 3之間且相互相對(duì)。第3側(cè)面6或第4側(cè)面7是電容器素體1的主面，為相對(duì)于其他部件(例如，電路基板或電子部件等)的安裝面。
如圖2所示，電容器素體1具有多個(gè)絕緣體層9。電容器素體l，由多個(gè)絕緣體層9沿第3和第4側(cè)面6、7相對(duì)的方向進(jìn)行層疊而構(gòu)成，并具有介電特性。各絕緣體層9，例如由含有電介質(zhì)陶瓷(BaTK)3類(lèi)、Ba(Ti， Zr)03類(lèi)、或者(Ba， Ca)Ti03類(lèi)等的電介質(zhì)陶瓷)的陶瓷坯料薄片的燒結(jié)體構(gòu)成。在實(shí)際的貫通電容器中C1中，各絕緣體層9一體化至相互之間的邊界不能辨認(rèn)的程度。
第1信號(hào)用端子電極11配置在電容器素體1的第1端面2上。第1信號(hào)用端子電極11，以覆蓋第1端面2的整個(gè)面的方式到達(dá)第1~第4側(cè)面4 7的端部(第1端面2側(cè)的端部)而形成。第2信號(hào)用端子電極12，配置在電容器素體1的第2端面3上。第2信號(hào)用端子電極12，以覆蓋第2端面3的整個(gè)面的方式到達(dá)第1~第4側(cè)面4~7的端部(第2端面3側(cè)的端部)而形成。第1信號(hào)用端子電極11和第2信號(hào)用端子電極12在第1和第2端面2、 3的相對(duì)方向(長(zhǎng)邊方向)上相對(duì)。
第1接地用端子電極13配置在電容器素體1的第1側(cè)面4上。第l接地用端子電極13，以沿著第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向覆蓋第1側(cè)面4的一部分的方式到達(dá)第3和第4側(cè)面6、 7而形成。第1接地用端子電極13，在第1側(cè)面4上位于靠近第1端面2的位置。
第2接地用端子電極14配置在電容器素體1的第1側(cè)面4上。第2接地用端子電極14，以沿著第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向覆蓋第l側(cè)面4的一部分的方式到達(dá)第3和第4側(cè)面6、 7而形成。第2接地用端子電極14，在第1側(cè)面4上位于靠近第2端面3的位置。
第3接地用端子電極15配置在電容器素體1的第2側(cè)面5上。第3接地用端子電極15，以沿著第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向覆蓋第2側(cè)面5的一部分的方式到達(dá)第3和第4側(cè)面6、 7而形成。第3接地用端子電極15，在第2側(cè)面5上位于靠近第1端面2的位置。第3接地用端子電極15，在第1和第2側(cè)面4、 5的相對(duì)方向上與第1接地用端子電極13相對(duì)。
第4接地用端子電極16配置在電容器素體1的第2側(cè)面5上。第4接地用端子電極16，以沿著第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向覆蓋第2側(cè)面5的一部分的方式到達(dá)第3和第4側(cè)面6、 7而形成。第4接地用端子電極16，在第2側(cè)面5上位于靠近第2端面3的位置。第4接地用端子電極16，在第1和第2側(cè)面4、 5的相對(duì)方向上與第2接地用端子電極14相對(duì)。
由圖4可知，第1接地用端子電極13和第2接地用端子電極14之間的距離，比第1接地用端子電極13和第1端面2之間的距離長(zhǎng)。第1接地用端子電極13和第2接地用端子電極14之間的距離，比第2接地用端子電極14和第2端面3之間的距離長(zhǎng)。第3接地用端子電極15和第4接地用端子電極16之間的距離，比第3接地用端子電極15和第1端面2之間的距離長(zhǎng)。第3接地用端子電極15和第4接地用端子電極16之間的距離，比第4接地用端子電極16和第2端面3之間的距離長(zhǎng)。
第1和第2信號(hào)用端子電極11、 12以及第1 第4接地用端子電極13 16，例如通過(guò)將含有導(dǎo)電性金屬粉末和玻璃料(glass frit)的導(dǎo)電性膏體涂在電容器素體1的外表面上，并進(jìn)行燒結(jié)而形成。必要時(shí)，有時(shí)在燒結(jié)后的第1和第2信號(hào)用端子電極11、 12以及第1 第4接地用端子電極13~16之上形成有電鍍層。
如圖2和圖3所示，貫通電容器Cl具備多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))信號(hào)用內(nèi)部電極20和多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))接地用內(nèi)部電極24。信號(hào)用內(nèi)部電極20和接地用內(nèi)部電極24，在第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向上配置在不同的位置(層)。S口，信號(hào)用內(nèi)部電極20和接地用內(nèi)部電極24，在電容器素體1內(nèi)按照信號(hào)用內(nèi)部電極20、接地用內(nèi)部電極24、信號(hào)用內(nèi)部電極20、接地用內(nèi)部電極24的順序，沿第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向有間隔地配置。信號(hào)用內(nèi)部電極20和接地用內(nèi)部電極24配置在電容器素體1內(nèi)。
信號(hào)用內(nèi)部電極20和接地用內(nèi)部電極24，由通常作為層疊型的電子元件的內(nèi)部電極而使用的導(dǎo)電性材料(例如，賤金屬Ni等)構(gòu)成。信號(hào)用內(nèi)部電極20和接地用內(nèi)部電極24作為含有上述導(dǎo)電性材料的導(dǎo)電性膏體的燒結(jié)體而構(gòu)成。
信號(hào)用內(nèi)部電極20呈大致矩形狀，具有主電極部21和引出部22、23。主電極部21和引出部22、 23—體地形成。引出部22，從主電極部21的第1端面2側(cè)的邊緣以端部在第1端面2上露出的方式延伸。引出部23，從主電極部21的第2端面3側(cè)的邊緣以端部在第2端面3上露出的方式延伸。
上述的第1信號(hào)用端子電極11，以完全覆蓋引出部22的在第1端面2上露出的部分的方式形成，引出部22物理連接且電連接于第1信號(hào)用端子電極11。第2信號(hào)用端子電極12，以完全覆蓋引出部23的在第2端面3上露出的部分的方式形成，引出部23物理連接且電連接于第2信號(hào)用端子電極12。由此，信號(hào)用內(nèi)部電極20連接于第l和第2信號(hào)用端子電極11、 12。
接地用內(nèi)部電極24具有大致矩形狀的主電極部25和引出部26 29。主電極部25和引出部26 29—體地形成。引出部26、 27，從主電極部25的第1側(cè)面4側(cè)的邊緣以端部在第1側(cè)面4上露出的方式延伸。引出部26位于靠近第1端面2的位置，引出部27位于靠近第2端面3的位置。引出部28、 29，從主電極部25的第2側(cè)面5側(cè)的邊緣以端部在第2側(cè)面5上露出的方式延伸。引出部28位于靠近第1端面2的位置，引出部29位于靠近第2端面3的位置。
上述的第1接地用端子電極13，以完全覆蓋引出部26的在第1側(cè)面4上露出的部分的方式形成，引出部26物理連接且電連接于第1接地用端子電極13。第2接地用端子電極14，以完全覆蓋引出部27的在第l側(cè)面4上露出的部分的方式形成，引出部27物理連接且電連接于第2接地用端子電極14。第3接地用端子電極15，以完全覆蓋引出部28的在第2側(cè)面5上露出的部分的方式形成，引出部28物理連接且電連接于第3接地用端子電極15。第4接地用端子電極16，以完全覆蓋引出部29的在第2側(cè)面5上露出的部分的方式形成，引出部29物理連接且電連接于第4接地用端子電極16。由此，接地用內(nèi)部電極24連接于第1~第4接地用端子電極13~16。
信號(hào)用內(nèi)部電極20的主電極部21和接地用內(nèi)部電極24的主電極部25包括夾著作為電容器素體1的一部分的至少1個(gè)絕緣體層9并沿絕緣體層9的層疊方向相互相對(duì)的區(qū)域。g卩，從第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向看時(shí)，信號(hào)用內(nèi)部電極20和接地用內(nèi)部電極24具有相互重疊的區(qū)域。所以，絕緣體層9中的與信號(hào)用內(nèi)部電極20的主電極部21和接地用內(nèi)部電極24的主電極部25相重疊的部分，成為實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生靜電電容成分的區(qū)域。
具有上述構(gòu)成的貫通電容器Cl搭載于圖4所示的電路基板Bl。電路基板B1是在表面上形成有導(dǎo)體配線30 37的電路基板，除了貫通電容器C1之外，還搭載有半導(dǎo)體元件E1 E3。半導(dǎo)體元件E1、 E2由導(dǎo)體配線30連接，半導(dǎo)體元件E2、 E3由導(dǎo)體配線31 33連接。半導(dǎo)體元件El和貫通電容器Cl的第1信號(hào)用端子電極11由導(dǎo)體配線34連接，半導(dǎo)體元件E3和貫通電容器Cl的第2信號(hào)用端子電極12由導(dǎo)體配線35連接。貫通電容器C1的第1和第3接地用端子電極D、 15連接于導(dǎo)體配線36，貫通電容器Cl的第2和第4接地用端子電極14、16連接于導(dǎo)體配線37。導(dǎo)體配線30、 34、 35為電源線，導(dǎo)體配線36、37為接地線。導(dǎo)體配線31 33為半導(dǎo)體元件E2、 E3間的信號(hào)傳送線，相互鄰接且一部分沿相同方向延伸。
貫通電容器C1，以第1和第2端面2、 3的相對(duì)方向(長(zhǎng)邊方向)與導(dǎo)體配線31~33所延伸的方向相交叉的方式配置在導(dǎo)體配線31 33上。從第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向看時(shí)，導(dǎo)體配線31 33通過(guò)貫通電容器C1的第1和第2接地用端子電極13、 14之間，并且，通過(guò)貫通電容器C1的第3和第4接地用端子電極15、 16之間。
如上所述，依照本實(shí)施方式，在電容器素體1的第1和第2端面2、3上設(shè)有第1和第2信號(hào)用端子電極11、 12，在電容器素體1的第1~第4側(cè)面4~7上設(shè)有第1 第4接地用端子電極13~16。由于第1和第3接地用端子電極13、 15設(shè)在靠近第1端面2的位置，第2和第4接地用端子電極14、 16設(shè)在靠近第2端面3的位置，因而第1 第4接地用端子電極13 16與第1和第2信號(hào)用端子電極11、 12的位置接近。所以，能夠降低貫通電容器C1的ESL。
第1 第4側(cè)面4~7的中央部為未形成有接地用端子電極的區(qū)域。所以，在將貫通電容器C1搭載于電路基板B1上的情況下，能夠?qū)⒇炌娙萜鰿1的中央部的下面作為配線空間而利用，能夠抑制搭載貫通電容器C1時(shí)所產(chǎn)生的配線密度的降低。
依照本實(shí)施方式，第1接地用端子電極13和第2接地用端子電極14之間的距離，比第1接地用端子電極13和第1端面2之間的距離以及第2接地用端子電極14和第2端面3之間的距離長(zhǎng)。第3接地用端子電極15和第4接地用端子電極16之間的距離，比第3接地用端子電極15和第1端面2之間的距離以及第4接地用端子電極16和第2端面3之間的距離長(zhǎng)。由此，第1 第4接地用端子電極13~16與第1和第2信號(hào)用端子電極11、 12的位置進(jìn)一步接近，因而，能夠更加降低貫通電容器C1的ESL。
由于第1接地用端子電極13和第2接地用端子電極14的間隔、以及第3接地用端子電極15和第4接地用端子電極16的間隔進(jìn)一步擴(kuò)大，因而比貫通電容器C1的中央部上的未形成有接地用端子電極的區(qū)域也更加寬廣。所以，在將該貫通電容器C1搭載于電路基板B1上的情況下，能夠在貫通電容器C1之下確保更寬廣的配線空間，能夠在貫通電容器C1之下敷設(shè)更多的配線。(第2實(shí)施方式)
接著，對(duì)第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器進(jìn)行說(shuō)明。第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器的信號(hào)用內(nèi)部電極和接地用內(nèi)部電極的形狀和配置與第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器Cl不同。圖5是第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器所具備的電容器素體的分解立體圖。
雖然省略了圖示，但第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器與第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器C1相同，具備電容器素體l、第1和第2信號(hào)用端子電極ll、 12，以及第1 第4接地用端子電極13 16。第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器也與第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器C1相同，能夠安裝于圖4所示的電路基板Bl上。
如圖5所示，第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器具備多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))第1信號(hào)用內(nèi)部電極50、多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))第2信號(hào)用內(nèi)部電極60、多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))第1接地用內(nèi)部電極54、多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))第2接地用內(nèi)部電極57、多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))第3接地用內(nèi)部電極64、以及多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))第4接地用內(nèi)部電極67。第1和第2信號(hào)用內(nèi)部電極50、 60以及第1 第4接地用內(nèi)部電極54、 57、 64、67配置在電容器素體1內(nèi)。
第1信號(hào)用內(nèi)部電極50和第2信號(hào)用內(nèi)部電極60，在第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向上配置在不同的位置(層)。第1信號(hào)用內(nèi)部電極50以及第1和第2接地用內(nèi)部電極54、 57，在第3和第4側(cè)面6、7的相對(duì)方向上分別配置在相同的位置(層)。第2信號(hào)用內(nèi)部電極60以及第3和第4接地用內(nèi)部電極64、 67，在第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向上分別配置在相同的位置(層)。
第1和第2信號(hào)用內(nèi)部電極50、60以及第1 第4接地用內(nèi)部電極54、 57、 64、 67由通常作為層疊型的電子元件的內(nèi)部電極而使用的導(dǎo)電性材料(例如，賤金屬Ni等)構(gòu)成。第1和第2信號(hào)用內(nèi)部電極50、60以及第1~第4接地用內(nèi)部電極54、 57、 64、 67作為含有上述導(dǎo)電性材料的導(dǎo)電性膏體的燒結(jié)體而構(gòu)成。
第1信號(hào)用內(nèi)部電極50呈曲柄狀，具有主電極部51和引出部52、53。主電極部51和引出部52、 53—體地形成。引出部52，從主電極部51的第1端面2側(cè)的邊緣以端部在第1端面2上露出的方式延伸。引出部53，從主電極部51的第2端面3側(cè)的邊緣以端部在第2端面3上露出的方式延伸。
第2信號(hào)用內(nèi)部電極60呈曲柄狀，具有主電極部61和引出部62、63。主電極部61和引出部62、 63—體地形成。引出部62，從主電極部61的第1端面2側(cè)的邊緣以端部在第1端面2上露出的方式延伸。引出部63，從主電極部61的第2端面3側(cè)的邊緣以端部在第2端面3上露出的方式延伸。
第l信號(hào)用端子電極ll，以完全覆蓋引出部52、 62的在第1端面2上露出的部分的方式形成，引出部52、 62物理連接且電連接于第1信號(hào)用端子電極ll。第2信號(hào)用端子電極12，以完全覆蓋引出部53、63的在第2端面3上露出的部分的方式形成，引出部53、 63物理連接且電連接于第2信號(hào)用端子電極12。由此，第1和第2信號(hào)用內(nèi)部電極50、 60連接于第1和第2信號(hào)用端子電極11、 12。
第1接地用內(nèi)部電極54位于第1信號(hào)用內(nèi)部電極50和第1側(cè)面4之間。第1接地用內(nèi)部電極54具有大致矩形狀的主電極部55和引出部56。主電極部55和引出部56—體地形成。引出部56，從主電極部55的第1側(cè)面4側(cè)的邊緣以端部在第1側(cè)面4上露出的方式延伸。引出部56位于靠近第1端面2的位置。
第2接地用內(nèi)部電極57位于第1信號(hào)用內(nèi)部電極50和第2側(cè)面5之間。第2接地用內(nèi)部電極57具有大致矩形狀的主電極部58和引出部59。主電極部58和引出部59—體地形成。引出部59，從主電極部58的第2側(cè)面5側(cè)的邊緣以端部在第2側(cè)面5上露出的方式延伸。引出部59位于靠近第2端面3的位置。
第3接地用內(nèi)部電極64位于第2信號(hào)用內(nèi)部電極60和第2側(cè)面5之間。第3接地用內(nèi)部電極64具有大致矩形狀的主電極部65和引出部66。主電極部65和引出部66—體地形成。引出部66，從主電極部65的第2側(cè)面5側(cè)的邊緣以端部在第2側(cè)面5上露出的方式延伸。引出部66位于靠近第1端面2的位置。
第4接地用內(nèi)部電極67位于第2信號(hào)用內(nèi)部電極60和第1側(cè)面4之間。第4接地用內(nèi)部電極67具有大致矩形狀的主電極部68和引出部69。主電極部68和引出部69—體地形成。引出部69，從主電極部68的第1側(cè)面4側(cè)的邊緣以端部在第1側(cè)面4上露出的方式延伸。引出部69位于靠近第2端面3的位置。
第1接地用端子電極13，以完全覆蓋引出部56的在第1側(cè)面4上露出的部分的方式形成，引出部56物理連接且電連接于第1接地用端子電極13。第2接地用端子電極14，以完全覆蓋引出部69的在第1側(cè)面4上露出的部分的方式形成，引出部69物理連接且電連接于第2接地用端子電極14。第3接地用端子電極15，以完全覆蓋引出部66的在第2側(cè)面5上露出的部分的方式形成，引出部66物理連接且電連接于第3接地用端子電極15。第4接地用端子電極16，以完全覆蓋引出部59的在第2側(cè)面5上露出的部分的方式形成，引出部59物理連接且電連接于第4接地用端子電極16。由此，第1接地用內(nèi)部電極54連接于第1接地用端子電極13，第2接地用內(nèi)部電極57連接于第4接地用端子電極16，第3接地用內(nèi)部電極64連接于第3接地用端子電極15，第4接地用內(nèi)部電極67連接于第2接地用端子電極14。
第1信號(hào)用內(nèi)部電極50的主電極部51以及第3和第4接地用內(nèi)部電極64、 67的主電極部65、 68包括夾著作為電容器素體1的一部分的至少1個(gè)絕緣體層9并沿絕緣體層9的層疊方向相互相對(duì)的區(qū)域。即，從第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向看時(shí)，第1信號(hào)用內(nèi)部電極50以及第3和第4接地用內(nèi)部電極64、 67分別具有相互重疊的區(qū)域。所以，絕緣體層9中的、與第1信號(hào)用內(nèi)部電極50的主電極部51和第3接地用內(nèi)部電極64的主電極部65相重疊的部分、以及與第1信號(hào)用內(nèi)部電極50的主電極部51和第4接地用內(nèi)部電極67的主電極部68相重疊的部分，分別成為實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生靜電電容成分的區(qū)域。
第2信號(hào)用內(nèi)部電極60的主電極部61以及第1和第2接地用內(nèi)部電極54、 57的主電極部55、 58包括夾著作為電容器素體1的一部分的至少1個(gè)絕緣體層9并沿絕緣體層9的層疊方向相互相對(duì)的區(qū)域。即，從第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向看時(shí)，第2信號(hào)用內(nèi)部電極60以及第1和第2接地用內(nèi)部電極54、 57具有相互重疊的區(qū)域。所以，絕緣體層9的、與第2信號(hào)用內(nèi)部電極60的主電極部61和第1接地用內(nèi)部電極54的主電極部55相重疊的部分、以及與第2信號(hào)用內(nèi)部電極60的主電極部61和第2接地用內(nèi)部電極57的主電極部58相重疊的部分，分別成為實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生靜電電容成分的區(qū)域。
在第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器中，絕緣體層9中的、與主電極部51和主電極部65相重疊的部分、與主電極部51和主電極部68相重疊的部分、與主電極部61和主電極部55相重疊的部分、以及與主電極部61和主電極部58相重疊的部分，成為實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生靜電電容成分的區(qū)域。所以，第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器具有4種實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生靜電電容成分的區(qū)域。
依照具有以上構(gòu)成的第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器，根據(jù)與第1實(shí)施方式的貫通電容器C1相同的理由，能夠降低貫通電容器的ESL。另外，能夠抑制將第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器搭載于電路基板Bl時(shí)所產(chǎn)生的配線密度的降低。
第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器具有4種實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生靜電電容成分的區(qū)域，這4種區(qū)域并聯(lián)連接。所以，如果調(diào)整這4種區(qū)域的尺寸和形狀并以靜電電容值不同的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)，那么，能夠得到阻抗在整個(gè)寬頻帶上均較低的貫通電容器。(第3實(shí)施方式)
接著，對(duì)第3實(shí)施方式涉及的貫通電容器進(jìn)行說(shuō)明。第3實(shí)施方式涉及的貫通電容器的信號(hào)用內(nèi)部電極和接地用內(nèi)部電極的形狀和配置與第1和第2實(shí)施方式涉及的貫通電容器不同。圖6是第3實(shí)施方式涉及的貫通電容器所具備的電容器素體的分解立體圖。
雖然省略了圖示，但第3實(shí)施方式涉及的貫通電容器與第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器C1相同，具備電容器素體l、第1和第2信號(hào)用端子電極ll、 12，以及第l-第4接地用端子電極13~16。第3實(shí)施方式涉及的貫通電容器也與第1實(shí)施方式涉及的貫通電容器C1相同，能夠安裝于圖4所示的電路基板Bl上。
如圖6所示，第3實(shí)施方式涉及的貫通電容器具備多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))第1信號(hào)用內(nèi)部電極70、多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))第2信號(hào)用內(nèi)部電極80、多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))第1接地用內(nèi)部電極74、多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))第2接地用內(nèi)部電極84。第1和第2信號(hào)用內(nèi)部電極70、 80以及第1和第2接地用內(nèi)部電極74、 84配置在電容器素體1內(nèi)。
第1信號(hào)用內(nèi)部電極70和第2信號(hào)用內(nèi)部電極80，在第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向上配置在不同的位置(層)。第1信號(hào)用內(nèi)部電極70和第1接地用內(nèi)部電極74，在第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向上分別配置在相同的位置(層)。第2信號(hào)用內(nèi)部電極80和第2接地用內(nèi)部電極84，在第3和第4側(cè)面6、 7的相對(duì)方向上分別配置在相同的位置(層)。
第l和第2信號(hào)用內(nèi)部電極70、 80以及第l和第2接地用內(nèi)部電極74、 84由通常作為層疊型的電子元件的內(nèi)部電極而使用的導(dǎo)電性材料(例如，賤金屬Ni等)構(gòu)成。第1和第2信號(hào)用內(nèi)部電極70、 80以及第1和第2接地用內(nèi)部電極74、 84作為含有上述導(dǎo)電性材料的導(dǎo)電性膏體的燒結(jié)體而構(gòu)成。
第1信號(hào)用內(nèi)部電極70呈大致矩形狀，具有主電極部71和引出部72、 73。主電極部71和引出部72、 73—體地形成。引出部72，從主電極部71的第1端面2側(cè)的邊緣以端部在第1端面2上露出的方式延伸。引出部73，從主電極部71的第2端面3側(cè)的邊緣以端部在第2端面3上露出的方式延伸。
第2信號(hào)用內(nèi)部電極80呈大致矩形狀，具有主電極部81和引出部82、 83。主電極部81和引出部82、 83—體地形成。引出部82，從主電極部81的第1端面2側(cè)的邊緣以端部在第1端面2上露出的方式延伸。引出部83，從主電極部81的第2端面3側(cè)的邊緣以端部在第2端面3上露出的方式延伸。
第l信號(hào)用端子電極ll，以完全覆蓋引出部72、 82的在第1端面2上露出的部分的方式形成，引出部72、 82物理連接且電連接于第1信號(hào)用端子電極ll。第2信號(hào)用端子電極12，以完全覆蓋引出部73、83的在第2端面3上露出的部分的方式形成，引出部73、 83物理連接且電連接于第2信號(hào)用端子電極12。由此，第1和第2信號(hào)用內(nèi)部電極70、 80連接于第1和第2信號(hào)用端子電極11、 12。
第1接地用內(nèi)部電極74位于第1信號(hào)用內(nèi)部電極70和第1側(cè)面4之間。第1接地用內(nèi)部電極74具有大致矩形狀的主電極部75和引出部76、 77。主電極部75和引出部76， 77—體地形成。引出部76、 77，從主電極部75的第1側(cè)面4側(cè)的邊緣以端部在第1側(cè)面4上露出的方式延伸。引出部76位于靠近第1端面2的位置，引出部77位于靠近第2端面3的位置。
第2接地用內(nèi)部電極84位于第2信號(hào)用內(nèi)部電極80和第2側(cè)面5之間。第2接地用內(nèi)部電極84具有大致矩形狀的主電極部85和引出部86、 87。主電極部85和引出部86、 87—體地形成。引出部86、 87，從主電極部85的第2側(cè)面5側(cè)的邊緣以端部在第2側(cè)面5上露出的方式延伸。引出部86位于靠近第1端面2的位置，引出部87位于靠近第2端面3的位置。第1接地用端子電極13，以完全覆蓋引出部76的在第1側(cè)面4 上露出的部分的方式形成，引出部76物理連接且電連接于第1接地用 端子電極13。第2接地用端子電極14，以完全覆蓋引出部77的在第1 側(cè)面4上露出的部分的方式形成，引出部77物理連接且電連接于第2 接地用端子電極14。第3接地用端子電極15，以完全覆蓋引出部86 的在第2側(cè)面5上露出的部分的方式形成，引出部86物理連接且電連 接于第3接地用端子電極15。第4接地用端子電極16，以完全覆蓋引 出部87的在第2側(cè)面5上露出的部分的方式形成，引出部87物理連 接且電連接于第4接地用端子電極16。由此，第1接地用內(nèi)部電極74 連接于第1和第2接地用端子電極13、 14，第2接地用內(nèi)部電極84 連接于第3和第4接地用端子電極15、 16。
第1信號(hào)用內(nèi)部電極70的主電極部71和第2接地用內(nèi)部電極84 的主電極部85包括夾著作為電容器素體1的一部分的至少1個(gè)絕緣體 層9并沿絕緣體層9的層疊方向相互相對(duì)的區(qū)域。即，從第3和第4 側(cè)面6、 7的相對(duì)方向看時(shí)，第1信號(hào)用內(nèi)部電極70和第2接地用內(nèi) 部電極84具有相互重疊的區(qū)域。所以，絕緣體層9中的與第1信號(hào)用 內(nèi)部電極70的主電極部71和第2接地用內(nèi)部電極84的主電極部85 相重疊的部分，分別成為實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生靜電電容成分的區(qū)域。
第2信號(hào)用內(nèi)部電極80的主電極部81和第1接地用內(nèi)部電極74 的主電極部75包括夾著作為電容器素體1的一部分的至少1個(gè)絕緣體 層9并沿絕緣體層9的層疊方向相互相對(duì)的區(qū)域。即，從第3和第4 側(cè)面6、 7的相對(duì)方向看時(shí)，第2信號(hào)用內(nèi)部電極80和第1接地用內(nèi) 部電極74具有相互重疊的區(qū)域。所以，絕緣體層9中的與第2信號(hào)用 內(nèi)部電極80的主電極部81和第1接地用內(nèi)部電極74的主電極部75 相重疊的部分，分別成為實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生靜電電容成分的區(qū)域。
在第3實(shí)施方式涉及的貫通電容器中，絕緣體層9中的、與主電 極部71和主電極部85相重疊的部分、以及與主電極部81和主電極部 75相重疊的部分，成為實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生靜電電容成分的區(qū)域。所以，第3 實(shí)施方式涉及的貫通電容器具有2種實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生靜電電容成分的區(qū)域。
依照第3實(shí)施方式涉及的貫通電容器，根據(jù)與第1實(shí)施方式涉及 的貫通電容器C1相同的理由，能夠降低貫通電容器的ESL。另外，能夠抑制搭載第3實(shí)施方式涉及的貫通電容器時(shí)所產(chǎn)生的配線密度的降 低。
第3實(shí)施方式涉及的貫通電容器具有2種實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生靜電電容成
分的區(qū)域，這2種區(qū)域并聯(lián)連接。所以，如果調(diào)整這2種區(qū)域的尺寸 和形狀并以靜電電容值不同的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)，那么，能夠得到阻抗在 整個(gè)寬頻帶上均較低的貫通電容器。
以上，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不一 定限于上述的實(shí)施方式，能夠在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各 種變更。
例如，各種的信號(hào)用內(nèi)部電極和接地用內(nèi)部電極的形狀和數(shù)量、 以及引出部的形成位置等不限于上述實(shí)施方式的情況。在上述實(shí)施方 式中，雖然具備4個(gè)接地用端子電極13 16，但接地用端子電極的數(shù)量 并不限于此，也可以具備4個(gè)接地用端子電極13 16中的至少任1個(gè)。 例如，可以只具備第1和第2接地用端子電極13、 14，也可以只具備 第1和第4接地用端子電極13、 16。
從本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明可知，本發(fā)明可作多種方式的變化。這些變 化不能被視為超出了本發(fā)明的宗旨和范圍，并且，這些對(duì)于本領(lǐng)域的 技術(shù)人員來(lái)說(shuō)很顯然的修改都被包含在本發(fā)明權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種貫通電容器，其特征在于，具備由多個(gè)絕緣體層層疊而成的大致長(zhǎng)方體狀的電容器素體、配置在所述電容器素體內(nèi)且相互相對(duì)的信號(hào)用內(nèi)部電極和接地用內(nèi)部電極、分別設(shè)在所述電容器素體的長(zhǎng)邊方向上的第1和第2端面上且連接于所述信號(hào)用內(nèi)部電極的信號(hào)用端子電極、以及設(shè)在沿著所述電容器素體的長(zhǎng)邊方向延伸的第1～第4側(cè)面的至少任1個(gè)側(cè)面上且連接于所述接地用內(nèi)部電極的接地用端子電極，其中，所述接地用端子電極設(shè)在靠近所述第1端面和第2端面的至少任一個(gè)端面的位置。
2. 如權(quán)利要求1所述的貫通電容器，其特征在于，在所述第1~第4側(cè)面中的至少1個(gè)側(cè)面上，所述接地用端子電極 分別設(shè)在靠近所述第1端面的位置和靠近所述第2端面的位置，從垂直于設(shè)有所述接地用端子電極的側(cè)面看時(shí)，分別設(shè)在該側(cè)面 上的所述接地用端子電極之間的距離，比設(shè)在靠近所述第1端面的位 置的所述接地用端子電極和所述第1端面之間的距離、以及設(shè)在靠近 所述第2端面的位置的所述接地用端子電極和所述第2端面之間的距 離長(zhǎng)。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的貫通電容器，其特征在于， 在所述第1側(cè)面上，在靠近所述第1端面的位置設(shè)有所述接地用端子電極，在與所述第1側(cè)面相對(duì)的所述第2側(cè)面上，在靠近所述第2端面 的位置設(shè)有所述接地用端子電極，從所述第1和第2側(cè)面的相對(duì)方向看時(shí)，設(shè)在所述第1側(cè)面上的 所述接地用端子電極和設(shè)在所述第2側(cè)面上的所述接地用端子電極之間的距離，比設(shè)在所述第1側(cè)面的靠近所述第1端面的位置的所述接 地用端子電極和所述第1端面之間的距離、以及設(shè)在所述第2側(cè)面的靠近所述第2端面的位置的所述接地用端子電極和所述第2端面之間 的距離長(zhǎng)。
4. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的貫通電容器，其特征在于， 具備多個(gè)所述接地用內(nèi)部電極和所述接地用端子電極，多個(gè)所述接地用端子電極中的、多個(gè)所述接地用內(nèi)部電極中的至 少2個(gè)接地用內(nèi)部電極所連接的接地用端子電極不同。
5. 如權(quán)利要求4所述的貫通電容器，其特征在于， 具備多個(gè)所述信號(hào)用內(nèi)部電極，多個(gè)所述信號(hào)用內(nèi)部電極中的至少一個(gè)信號(hào)用內(nèi)部電極和多個(gè)所 述接地用內(nèi)部電極中的至少一個(gè)接地用內(nèi)部電極配置在同一層上。
6. —種貫通電容器的安裝構(gòu)造，其特征在于， 具備如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的貫通電容器、以及 在表面上形成有導(dǎo)體配線的電路基板，所述貫通電容器以該貫通電容器的長(zhǎng)邊方向和所述導(dǎo)體配線的延 伸方向相交叉的方式配置在所述導(dǎo)體配線上。
7. 如權(quán)利要求6所述的貫通電容器的安裝構(gòu)造，其特征在于， 在所述貫通電容器中，在所述第1~第4側(cè)面中的至少1個(gè)側(cè)面上，所述接地用端子電極分別設(shè)在靠近所述第1端面的位置和靠近所述第 2端面的位置，從所述絕緣體層的層疊方向看時(shí)，所述貫通電容器上的位于設(shè)在 靠近所述第1端面的位置的所述接地用端子電極和設(shè)在靠近所述第2 端面的位置的所述接地用端子電極之間的區(qū)域，配置在所述導(dǎo)體配線 上。
全文摘要
本發(fā)明的貫通電容器，具備由多個(gè)絕緣體層層疊而成的大致長(zhǎng)方體狀的電容器素體、配置在電容器素體內(nèi)的信號(hào)用內(nèi)部電極、配置在電容器素體內(nèi)且與信號(hào)用內(nèi)部電極相對(duì)的接地用內(nèi)部電極、連接于信號(hào)用內(nèi)部電極的信號(hào)用端子電極、以及連接于接地用內(nèi)部電極的接地用端子電極。信號(hào)用端子電極分別設(shè)在電容器素體的長(zhǎng)邊方向上的第1和第2端面上。接地用端子電極設(shè)在沿著電容器素體的長(zhǎng)邊方向延伸的第1～第4側(cè)面的至少任1個(gè)側(cè)面上。而且，接地用端子電極設(shè)在靠近第1端面和第2端面的至少任一個(gè)端面的位置。
文檔編號(hào)H01G4/228GK101533713SQ20091012704
公開(kāi)日2009年9月16日 申請(qǐng)日期2009年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月14日
發(fā)明者富樫正明 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社