專利名稱：Bcd工藝中自對準溝道的dmos的制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種B⑶工藝中自對準溝道的DMOS的制備方法。
背景技術：
B⑶(Bipolar CMOS)工藝通常為集成有高壓器件、低壓器件和雙極性晶體管這三 種器件的制備。目前的BCD工藝中，對于自對準溝道SAC (selfalignment channel) DMOS (字 母D形MOS管)的制作工藝，一直是采用先進行高壓器件的注入，后進行低壓器件的注入。 其制作工藝流程為(見圖1)1)在多晶硅淀積完成后，利用光刻工藝定義出高壓區(qū)(高壓器件區(qū)域)的第一注 入區(qū)位置(見圖la，圖中STI區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)域)；2)刻蝕第一注入區(qū)位置處的多晶硅至硅襯底表面，而后離子注入形成第一次注入 區(qū)(見圖lb)；3)去除光刻膠，后利用光刻工藝定義出高壓區(qū)的第二注入區(qū)位置(見圖Ic)；4)刻蝕第二注入區(qū)位置處的多晶硅至硅襯底表面，而后離子注入形成第二次注入 區(qū)(見圖Id)；5)去除光刻膠，后利用光刻工藝定義出低壓區(qū)(低壓器件區(qū)域)源漏注入區(qū)的位 置(即第三注入區(qū)，見圖Ie)；6)刻蝕第三注入區(qū)位置處的多晶硅至硅襯底表面，而后去除光刻膠(見圖If)；7)重新利用光刻工藝定義出低壓區(qū)源漏注入區(qū)的位置(見圖Ig)；8)進行低壓區(qū)的源漏離子注入，形成源區(qū)和漏區(qū)(見圖Ih)；上述工藝流程的缺點在于由于高壓區(qū)的⑶(critical dimension，工藝中所要達 到的最小尺寸)與低壓區(qū)的CD相比大很多，因此做完高壓區(qū)的工藝之后，再做低壓區(qū)的光 刻膠涂布和光刻，會產生面內的不均一性(因為光刻膠在大片的空曠區(qū)域和密集的線寬區(qū) 域，實際的光刻膠厚度不同)。
發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是BCD工藝中自對準溝道的DMOS的制備方法，其能避免 面內產生光刻膠涂布不均一性的問題。為解決上述技術問題，本發(fā)明的B⑶工藝中自對準溝道的DMOS的制備方法，包括 如下步驟1)在多晶硅淀積完成之后，利用光刻工藝定義出低壓區(qū)的源漏注入區(qū)的位置；2)刻蝕位于所述源漏注入區(qū)的位置處的多晶硅至硅襯底表面，之后去除光刻膠；3)在上述整個結構表面淀積氧化襯墊層；4)利用光刻工藝定義出高壓區(qū)的第一注入區(qū)的位置；5)刻蝕第一注入區(qū)的位置處的多晶硅至硅襯底表面，之后進行離子注入形成第一 注入區(qū)；
6)去除剩余的光刻膠，再次利用光刻工藝定義出高壓區(qū)的第二注入區(qū)的位置；7)刻蝕第二注入區(qū)位置處的多晶硅至硅襯底表面，而后離子注入形成第二注入 區(qū)；8)去除剩余的光刻膠，再次利用光刻工藝定義出低壓區(qū)的源漏注入區(qū)的位置；9)進行低壓區(qū)的源漏離子注入，形成源區(qū)和漏區(qū)。利用本發(fā)明的制備方法，先制備低壓器件區(qū)域的，并采用氧化襯墊層以防止注入 損傷襯底，后制備高壓器件，這樣因為低壓器件的線寬小，間隙小，而高壓器件的線寬大，間 隙大，最終使光刻膠涂布的均一性得到改善。
下面結合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明圖1為與現(xiàn)有工藝中實施步驟相應的截面結構示意圖；圖2為本發(fā)明的制備方法流程示意圖；圖3為與本發(fā)明的制備方法相應的截面結構示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明的B⑶工藝中自對準溝道的DMOS的制備方法，包括如下步驟(見圖2)1)在多晶硅淀積完成之后，利用光刻工藝(涂光刻膠，而后采用光刻掩膜版進行 光刻，之后顯影即形成光刻膠圖形)定義出低壓區(qū)的源漏注入區(qū)的位置，使光刻后位于源 漏注入區(qū)的多晶硅暴露出來，而其它位置被光刻膠所覆蓋(見圖3a)；2)刻蝕位于源漏注入區(qū)的位置處(也即圖3i中所示的第三注入區(qū)的位置)的多 晶硅至硅襯底表面，之后去除剩余的光刻膠(見圖3b)； 3)在上述整個結構表面淀積氧化襯墊層，使多晶硅上及暴露出的硅襯底表面均為 氧化層所覆蓋(見圖3c)，氧化襯墊層的淀積可采用化學氣相淀積(CVD)工藝，厚度范圍為 1 埃-10000 埃；4)再次利用光刻工藝定義出高壓區(qū)的第一注入區(qū)(一般為P型DMOS的源漏區(qū)) 的位置(見圖3d)；5)刻蝕第一注入區(qū)的位置處的多晶硅至硅襯底表面，之后進行離子注入形成第一 注入區(qū)(見圖3e)；6)去除剩余的光刻膠，再次利用光刻工藝定義出高壓區(qū)的第二注入區(qū)(一般為N 型DMOS的源漏區(qū))的位置(見圖3f)；7)刻蝕第二注入區(qū)位置處的多晶硅至硅襯底表面，而后離子注入形成第二注入區(qū) (見圖3g)；8)去除剩余的光刻膠，再次利用光刻工藝定義出低壓區(qū)的源漏注入區(qū)的位置(見 圖 3h)；9)進行低壓區(qū)的源漏離子注入，形成源區(qū)和漏區(qū)，即為圖3i中所述的第三注入 區(qū)。最后去除光刻膠和氧化襯墊層。
權利要求
一種BCD工藝中自對準溝道的DMOS的制備方法，其特征在于，包括如下步驟1)在多晶硅淀積完成之后，利用光刻工藝定義出低壓區(qū)的源漏注入區(qū)的位置；2)刻蝕位于所述源漏注入區(qū)的位置處的多晶硅至硅襯底表面，之后去除光刻膠；3)在上述整個結構表面淀積氧化襯墊層；4)利用光刻工藝定義出高壓區(qū)的第一注入區(qū)的位置；5)刻蝕第一注入區(qū)的位置處的多晶硅至硅襯底表面，之后進行離子注入形成第一注入區(qū)；6)去除剩余的光刻膠，再次利用光刻工藝定義出高壓區(qū)的第二注入區(qū)的位置；7)刻蝕第二注入區(qū)位置處的多晶硅至硅襯底表面，而后離子注入形成第二注入區(qū)；8)去除剩余的光刻膠，再次利用光刻工藝定義出低壓區(qū)的源漏注入區(qū)的位置；9)進行低壓區(qū)的源漏離子注入，形成源區(qū)和漏區(qū)。
2.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于所述步驟三中氧化襯墊層的淀積方 法為化學氣相淀積法，氧化襯墊層的厚度范圍為1埃-10000埃。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種BCD工藝中自對準溝道的DMOS的制備方法，其采用先光刻刻蝕完成低壓區(qū)的工藝，接著淀積氧化沉淀層，而后光刻刻蝕完成高壓區(qū)的工藝，離子注入形成第一注入區(qū)和第二注入區(qū)，從而避免面內產生的光刻膠涂布不均一性的問題。
文檔編號H01L21/316GK101930945SQ20091005745
公開日2010年12月29日 申請日期2009年6月18日 優(yōu)先權日2009年6月18日
發(fā)明者陳福成 申請人:上海華虹Nec電子有限公司