專利名稱：雪崩光電二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于雪崩光電二極管，特別是用于提高量產(chǎn)性的技術(shù)。
背景技術(shù)：
包括上述雪崩光電二極管在內(nèi)，實際使用的二極管的結(jié)構(gòu)都是將 p、 n導(dǎo)電型中的任一種導(dǎo)電型作為選擇區(qū)域的具有長期可靠性的平面 型結(jié)構(gòu)。特別是用于光通信的、使用了對InP進行晶格匹配的化合物 半導(dǎo)體的二極管中，作為上述選擇區(qū)域使用將Zn作為p導(dǎo)電型雜質(zhì) 擴散到導(dǎo)電性低的InP中的p型導(dǎo)電區(qū)域。而且，雪崩光電二極管中， 為了防止電場集中到上述p型導(dǎo)電區(qū)域周圍所引起的、被稱為"邊緣擊 穿"的局部電壓降低，在邊緣部還設(shè)置了被稱為"護圏，，(guard ling) 的p型導(dǎo)電區(qū)域。該p型導(dǎo)電區(qū)域的形成方式有注入Be離子(如 專利文獻l)或使Zn熱擴散(如專利文獻2)。
另外，專利文獻3公開了一種雪崩光電二極管，在InP村底上作 為半導(dǎo)體至少依次層疊(i型)AlInAs雪崩倍增層、GalnAs光吸收層、 InP窗口層，在上述InP窗口層中形成p型導(dǎo)電區(qū)域。將AlInAs雪崩 倍增層設(shè)置在GalnAs光吸收層下面，能夠減弱InP窗口層的電場強 度，因此不需要專門制作護圈，容易實現(xiàn)低暗電流、高性能的雪崩光 電二極管。而且，專利文獻3中，p型導(dǎo)電區(qū)域通過熱擴散Zn來形成。
[專利文獻1特開昭58-48478號公報(圖2)
[專利文獻2美國專利第4857982號說明書(圖2)
[專利文獻3特開2004-200302號公報(圖1)
3以往的雪崩光電二極管結(jié)構(gòu)如上述，所以Zn擴散的深度決定了 pin二極管結(jié)構(gòu)的i層厚度，在雪崩光電二極管中還決定倍增層的厚度。 因此，為了實現(xiàn)所期望的頻率特性、電特性、電容等元件特性，必須 精密控制Zn擴散深度。但是，很難正確、重復(fù)性好、晶片內(nèi)無偏差 地控制雜質(zhì)的熱擴散深度。因此，成品率低，量產(chǎn)性低。.

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而發(fā)明的，目的在于提供量產(chǎn)性高的 雪崩光電二極管。
本發(fā)明的雪崩光電二極管的特征在于，在InP襯底上作為半導(dǎo)體 層至少層疊光吸收層、雪崩倍增層和半導(dǎo)體窗口層，在半導(dǎo)體窗口層 中形成擴散Zn的導(dǎo)電區(qū)域；半導(dǎo)體窗口層包含由第3族元素和第5 族元素構(gòu)成、以In和As為主要成分的第3族.第5族半導(dǎo)體層。
本發(fā)明的雪崩光電二極管的特征在于，在InP襯底上作為半導(dǎo)體 層至少層疊光吸收層、雪崩倍增層和半導(dǎo)體窗口層，在半導(dǎo)體窗口層 中形成擴散Zn的導(dǎo)電區(qū)域；半導(dǎo)體窗口層包含由第3族元素和第5 族元素構(gòu)成、以In和As為主要成分的第3族.第5族半導(dǎo)體層，所以 擴散速度比在InP中擴散Zn的雪崩光電二極管的擴散速度慢。因此， 能夠正確、重復(fù)性好、晶片面內(nèi)無偏差地控制Zn擴散深度。另外， 由于處理時間的裕度較大，所以不容易受到擴散裝置時間特性變化和 擴散時間的影響。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)重復(fù)性好、成品率高、制作容易且 量產(chǎn)性好的雪崩光電二極管。


圖1為表示實施方式1中雪崩光電二極管大概結(jié)構(gòu)的剖面圖。 [圖2為表示Zii在各中化合物半導(dǎo)體中熱擴散的時間與擴散深 度的關(guān)系圖。
圖3為表示實施方式1中雪崩光電二極管大概結(jié)構(gòu)的剖面圖。 [圖4為表示實施方式2中雪崩光電二極管大概結(jié)構(gòu)的剖面圖。[圖5j為表示實施方式3中雪崩光電二極管大概結(jié)構(gòu)的剖面圖。 [圖6為表示實施方式3中雪崩光電二極管大概結(jié)構(gòu)的剖面圖。 [圖7j為表示實施方式3中雪崩光電二極管大概結(jié)構(gòu)的剖面圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的雪崩光電二極管的特征在于，由于Zn在InP中擴散速 度較快，但在AlInAs等中擴散速度較慢，因此窗口層材料使用AlInAs 等來代替InP (或二者都使用)。下面詳細說明各實施方式。以下說 明中，襯底、光吸收層、雪崩倍增層、窗口層等均為n型，但并不限 定于n型，也可以是p型，還可以是載流子濃度低的"i型"。 <實施方式1〉
圖1為表示實施方式1中雪崩光電二極管大概結(jié)構(gòu)的剖面圖。在 半導(dǎo)體襯底(InP村底)上制作各半導(dǎo)體層的方法為在n型InP襯 底1上，使用有機金屬汽相生長法(MO-CVD )或分子束外延法(MBE) 等方法形成。本實施方式中，用下述工序來制作。
在n型InP襯底1上，依次層疊栽流子濃度為l 5xl018cm-3、厚 度為(U lfim的n型InP緩沖層2，栽流子濃度為0.1 3xlO"cnT3、厚 度為l~3nm的n型GalnAs光吸收層3，帶隙依次增大的、載流子濃 度為0.1~3xl015cnT3、厚度為0.1~0.5nm的n型GalnAsP過度層4， 載流子濃度為0.1~lxl018cm-3、厚度為0.01~0.1nm的n型InP電場調(diào) 節(jié)層5，載流子濃度為0.01~lxl016cm-3、厚度為0.2 0.8拜的n型InP 雪崩倍增層6，載流子濃度為0.01 lxl016cm-3、厚度為0.5 2.0fim的n 型AlInAs窗口層7，栽流子濃度為0.01 lxl0"cm-3、厚度為0.1 0.5jim 的n型GalnAs接觸層(后面的工序中為p型GalnAs接觸層8)。
接著，在直徑為20 100nm的受光區(qū)域(圖1中，與后述的p型 導(dǎo)電區(qū)域10—致)外圍，在寬度為5 20nm的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)注入Be離 子，由熱處理使p導(dǎo)電型激活，形成p型周邊區(qū)域9。 p型周邊區(qū)域9 形成傾斜型結(jié)，作為用于防止邊緣擊穿的護圏。
然后，在上述受光區(qū)域上，將挖成圓形的SiNx膜(未圖示)作 為掩模，選擇地使Zn熱擴散，直至n型IiiP雪崩倍增層6，掩模未覆蓋的圓形部分形成p型導(dǎo)電區(qū)域10。 Zn的熱擴散可以由汽相擴散 法(將有機Zn和金屬Zn等作為擴散源)和固相擴散法(形成ZnO 膜，在氮氣中經(jīng)高溫擴散一定時間)。經(jīng)Zii的熱擴散后，使上迷n 型GaliiAs接觸層成為p型，由此形成p型GalnAs接觸層8。
接著，通過蝕刻除去p型GalnAs接觸層8的中央部分，在p型 導(dǎo)電區(qū)域10上保留寬度為5 10jmi的環(huán)狀。然后通過蒸鍍形成SiNx 表面保護膜兼防反射膜11,除去p型GalnAs接觸層8上面的SiNx 表面保護膜兼防反射膜11，用AuZn/Au在p型GalnAs接觸層8上 形成p電極12。研磨ii型InP襯底1中與層疊了 n型InP援沖層2 的面相反的一面，由AuGe/Ni/Au形成n電極13。并且將晶片狀的n 型InP襯底l分開，形成大約300pm見方的元件。通過對該元件進4亍 規(guī)定的處理，形成雪崩光電二極管。而且，圖l所示的本實施方式的 雪崩光電二極管中，p型導(dǎo)電區(qū)域10沒有收斂在n型AlInAs窗口層 7中，而是穿透AlInAs窗口層7，到達n型雪崩倍增層6。
圖2表示在退火溫度為49(TC時，Zn在各種化合物半導(dǎo)體(InP、 GalnAs、 AlInAs )中熱擴散時間與擴散深度關(guān)系的圖表。擴散深度根 據(jù)擴散雜質(zhì)的種類和所擴散的半導(dǎo)體種類的不同而有所差異，但大致 與擴散時間的平方根成比例。Zn在InP中擴散速度較快，在AlInAs 和GalnAs中擴散速度較慢。在AlInAs和GalnAs中的擴散深度大約 是在InP中擴散深度的2/5，在AlInAsP和GalnAsP中的擴散深度取 他們的中間值。因此，對于裝置的時間波動和控制常數(shù)，在InP中擴 散時，擴散深度受到的影響最大，波動最大。如上述，Zn的擴散深度 決定pin二極管結(jié)構(gòu)的i層厚度和倍增層厚度，在InP中擴散時，由 于制作裕度較小并且晶片內(nèi)的特性不均勻，所以制作中的控制性和重 復(fù)性最低。另外，由于擴散速度對溫度有很強的依賴性，所以熱處理 時，在上述化合物半導(dǎo)體的溫度上升到退火溫度前，幾乎不擴散。因 此，擴散時間很短的時候，擴散深度極淺，所以非常容易受到上述波 動的影響。
如上述，本實施方式的雪崩光電二極管中，將Zn熱擴散到AlInAs(n型AlInAs窗口層7)，所以與以往的、將Zn熱擴散到InP的雪 崩光電二極管相比，擴散速度變慢。因此，即使是在退火溫度很低的 擴散初期，擴散速度也很穩(wěn)定，不容易受到波動的影響。因此，能夠 正確、重復(fù)性好、晶片內(nèi)無偏差地控制Zn擴散深度。另外，由于處 理時間裕度較大，所以不容易受到擴散裝置的時間特性變化和擴散時 間的影響，可靠性高。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)重復(fù)性好、成品率高、制作容 易且量產(chǎn)性好的雪崩光電二極管。并且，由于擴散深度較淺且能夠精 密控制，所以窗口層能夠變薄，也可以縮短晶體生長所需要的時間。
上述圖1的結(jié)構(gòu)中，在受光區(qū)域(p型導(dǎo)電區(qū)域10)的外圍上， 注入Be離子形成p型周邊區(qū)域9，但并不限定于此，例如如圖3所示， 也可以在與受光區(qū)域的周邊離開的位置上，將Zn熱擴散，形成p型 周邊區(qū)域9。 P型周邊區(qū)域9是將Zn熱擴散后形成的，因此與p型導(dǎo) 電區(qū)域10—樣，也可以精密地控制深度。另外，p型周邊區(qū)域9與受 光區(qū)域的周邊離開，其深度可以比p型導(dǎo)電區(qū)域10淺。雖然p型周 邊區(qū)域9較淺時容易受到波動的影響，但如上述，通過將Zn熱擴散 到AlInAs中，能夠減少波動。圖3中，p型導(dǎo)電區(qū)域10的中央較深， 端部向外側(cè)的p型周邊區(qū)域9突出，所以緩和了深的p型導(dǎo)電區(qū)域10 周邊部分中電場和電流的集中，減弱了表面電場強度，提高了倍增動 作的穩(wěn)定性和長期可靠性。而且，由于能夠增大表面尺寸減小內(nèi)部尺 寸，所以能夠減小元件電容。
以上說明中，窗口層材料使用的是AlInAs，但并不限定于此， 只要是帶隙大、被檢測光能夠通過且擴散速度比InP慢的材料都可以， 例如可以是GalnAs、 AlGalnAs、 GalnAsP、 AlGalnAsP等大于等于 三元素類的材料。即，包含由第3族元素及第5族元素構(gòu)成、以In及 As為主要成分的半導(dǎo)體層(第3族.第5族半導(dǎo)體層)即可。由上述 結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒋翱趯釉趎型InP襯底1上進行晶格匹配，并且使Zn 的擴散速度比在InP中慢。
上述說明中，由于光從n型InP襯底1的相反面入射，所以稱為 窗口層，當光從襯底這一側(cè)或者側(cè)面入射時，就會稱為蓋層而不是窗
7口層(實施方式2及之后也是一樣)。 〈實施方式2〉
實施方式1中，只用Zn的擴散速度比在InP中慢的AlInAs來 形成窗口層，由此能夠精密控制擴散深度。但是只由AlInAs構(gòu)成窗口 層時，制作時間可能會過長。這時，就不一定只由AlInAs來構(gòu)成窗口 層，除了 AlInAs,也可以包含一部分InP。
圖4為表示實施方式2中雪崩光電二極管大概結(jié)構(gòu)的剖面圖。在 半導(dǎo)體村底(InP襯底)上制作各半導(dǎo)體層的方法為在n型InP襯 底1上，使用有機金屬汽相生長法(MO-CVD )或分子束外延法(MBE) 等方法形成。本實施方式中，用下述工序來制作。
在n型InP襯底1上，依次層疊載流子濃度為1 5xlO"cnT3、厚 度為0.1 ljim的n型InP緩沖層2,載流子濃度為0.1 3xlO"cnT3、厚 度為l~3nm的n型GalnAs光吸收層3，帶隙依次增大的、載流子濃 度為0.1~3xl0lscnT3、厚度為0.1 0.5nm的n型GalnAsP過度層4， 載流子濃度為0.1~lxl018cm-3、厚度為0.01 0.1jim的n型InP電場調(diào) 節(jié)層5,載流子濃度為0.01~lxl016cm-3、厚度為0.2 1.2,的n型InP 雪崩倍增層6，栽流子濃度為0.01~lxl016cm-3、厚度為0.1~0.5nm的n 型AlInAs窗口層7，載流子濃度為0.01 lxl0"cm-3、厚度為0.1 2.0jim 的n型InP窗口層7a,栽流子濃度為0.01 lxl015cm-3、厚度為 (U 0.5nm的n型GalnAs接觸層(后面的工序中為p型GalnAs接觸 層8)。
接著，與直徑為20 100fun的受光區(qū)域外圍離開的位置上，通過 使Zn熱擴散，形成寬度為3 10nm環(huán)狀區(qū)域的p型周邊區(qū)域9。 p型 周邊區(qū)域9與實施方式1一樣，為傾斜型結(jié)，作為護圈，用于防止邊 緣擊穿。
然后，在上述受光區(qū)域上，將圓形的SiNx膜(未圖示)作為掩 模，選擇地使Zii熱擴散，直至ii型InP雪崩倍增層6，掩模未覆蓋 的圓形部分形成p型導(dǎo)電區(qū)域10。該p型導(dǎo)電區(qū)域10的端部與圖3 一樣，向外側(cè)的p型周邊區(qū)域9突出。Zn的熱擴散與實施方式1 一樣，可以由汽相擴散法(將有機Zn和金屬Zn等作為擴散源)和固相擴散 法(形成ZnO膜，在氮氣中經(jīng)高溫擴散一定時間)。與實施方式1 一樣，經(jīng)Zn的熱擴散后，上述n型GalnAs接觸層作為p型，由此 形成p型GalnAs接觸層8。
接著，通過蝕刻除去p型GalnAs接觸層8的中央部分，在p型 導(dǎo)電區(qū)域10上保留寬度為5~10nm的環(huán)狀。然后通過蒸鍍形成SiNx 表面保護膜兼防反射膜11,除去p型GalnAs接觸層8上面的SiNx 表面保護膜兼防反射膜11，用AuZn/Au在p型GalnAs接觸層8上 形成p電極12。研磨n型InP襯底1中與層疊了 n型InP緩沖層2 的面相反的面，由AuGe/M/Au形成n電極13。并且將晶片狀的n型 InP襯底l分開，形成大約300nm見方的元件。通過對該元件進4亍規(guī) 定處理，形成雪崩光電二極管。而且，圖4所示的本實施方式的雪崩 光電二極管中，與圖l及圖4所示的實施方式1的雪崩光電二極管一 樣，p型導(dǎo)電區(qū)域10沒有收斂在n型AlInAs窗口層7中，而是穿透 AlInAs窗口層7，到達n型InP雪崩倍增層6。
圖4的雪崩光電二極管是將圖3所示的實施方式1的雪崩光電二 極管中的n型AlInAs窗口層7 (以及n型InP雪崩倍增層6 )變薄后 在上面添加了 n型InP窗口層7a而形成的。不僅僅由AlInAs構(gòu)成窗 口層，還包含了一部分擴散速度較快的InP，由此，能夠縮短制作時 間。即，通過任意調(diào)節(jié)窗口層所包含的AlInAs與InP的比例，能夠 精密控制擴散深度的同時，還能夠縮短制作時間。
由上述，本實施方式的雪崩光電二極管中的窗口層不只是由 AlInAs構(gòu)成，還包含一部分InP。由此，除了能實現(xiàn)實施方式l的效 果，還能夠縮短制作時間。 〈實施方式3〉
如圖1、 3、 4所示，實施方式1 2中，為了防止邊緣擊穿，設(shè)置 了 p型周邊區(qū)域9。但是，如專利文獻3所示，將雪崩倍增層設(shè)置在 光吸收層下面，也能夠減弱窗口層中的電場強度，所以不設(shè)置起護圏 作用的p型周邊區(qū)域9也能夠防止邊緣擊穿。
9圖5為表示實施方式3中雪崩光電二極管大概結(jié)構(gòu)的剖面圖。在 半導(dǎo)體襯底(InP襯底)上制作各半導(dǎo)體層的方法為在n型InP襯 底1上，使用有機金屬汽相生長法(MO-CVD )或分子束外延法(MBE) 等方法形成。本實施方式中，用下述工序來制作。
在n型InP村底1上，依次層疊栽流子濃度為l~5xl018cirT3、厚 度為0.1 lnm的n型InP緩沖層2，栽流子濃度為0.1 3xlO"cirT3、厚 度為0.1~0.5nm的n型AlInAs雪崩倍增層6a ，栽流子濃度為 0.1 lxl018cm3、厚度為0.01 0.1nm的p型InP電場調(diào)節(jié)層5a，栽流 子濃度為0.1 3xl015cm-3、厚度為1 3nm的n型GalnAs光吸收層3， 帶隙依次增大的、載流子濃度為0.1~3xl015cnT3、厚度為0.1~0.5nm的 n型AlGalnAs過度層4a，載流子濃度為0.01 lxl016cnT3、厚度為 0.5 2.0nm的n型AlInAs窗口層7，載流子濃度為0.01 lxl015cnT3、 厚度為0.1~0.5nm的n型GalnAs接觸層(后面的工序中為p型GalnAs 接觸層8)。
接著，在直徑為20~100nm的受光區(qū)域上，將挖成圓形的SiNx 膜(未圖示)作為掩模，選擇地使Zn熱擴散到n型AlInAs窗口層7 上(未到達n型AlGalnAs過度層4a )，在掩模未覆蓋的圓形部分形 成p型導(dǎo)電區(qū)域lO。 Zn的熱擴散可以與實施方式1 2—樣，由汽相 擴散法(將有機Zn和金屬Zn等作為擴散源)和固相擴散法(形成 ZiiO膜，在氮氣中經(jīng)高溫擴散一定時間)。與實施方式1 2—樣，經(jīng) Zn的熱擴散后，使上述n型GalnAs接觸層成為p型，由此形成p型 GalnAs接觸層8。
接著，通過蝕刻除去p型GalnAs接觸層8的中央部分，在p型 導(dǎo)電區(qū)域10上保留寬度為5~10nm的環(huán)狀。然后通過蒸鍍形成SiNx 表面保護膜兼防反射膜11，除去p型GalnAs接觸層8上面的SiNx 表面保護膜兼防反射膜11，用Ti/Au在p型GalnAs接觸層8上形成 p電極12。研磨n型InP襯底l中與層疊了 n型InP緩沖層2的面相 反的一面，由AuGe/Ni/Au形成n電極13。并且將晶片狀的n型InP 襯底1分開，形成大約300nm見方的元件。通過對該元件進行規(guī)定處理，形成雪崩光電二極管。
圖1所示的實施方式1的雪崩光電二極管中，是在n型GalnAs 光吸收層3上設(shè)置了 n型GalnAsP過度層4、 n型InP電場調(diào)節(jié)層5 以及n型InP雪崩倍增層6，而圖5的雪崩光電二極管中，在n型 GalnAs光吸收層3上面設(shè)置了 n型AlGalnAs過度層4a，在n型 GalnAs光吸收層3下面設(shè)置了 p型InP電場調(diào)節(jié)層5a以及n型AlInAs 雪崩倍增層6a，同時省去了 p型周邊區(qū)域9，而且p型導(dǎo)電區(qū)域10 形成在n型AlInAs窗口層7中，沒有突出到n型AlGalnAs過度層 4a上。即，將n型AlInAs雪崩倍增層6a設(shè)置在n型GalnAs光吸收 層3下面，與專利文獻3—樣，能夠減弱n型AlInAs窗口層7中的 電場強度，可以省去p型周邊區(qū)域9。而且，存在于n型GalnAs光 吸收層3與n型AlInAs窗口層7之間的過度層，使用的是不含P ( V 族原子中只含有As)的n型AlGalnAs過度層4a，而不是含有P的n 型GalnAsP過度層4，由此能夠降低窗口層與過度層之間電子價帶的 不連續(xù)量，防止空穴的流動。
如上述，本實施方式的雪崩光電二極管中，將n型AlInAs雪崩 倍增層6a設(shè)置在n型GalnAs光吸收層3下面，因此除了能實現(xiàn)實施 方式l的效果，還能夠減弱n型AlInAs窗口層7中的電場強度。
上述說明中，使用圖5說明了省去p型周邊區(qū)域9的情況，但也 可以與實施方式1 2—樣，形成p型周邊區(qū)域9。形成p型周邊區(qū)域 9能夠進一步減弱ii型AlInAs窗口層7中的電場強度，所以更能提高 雪崩光電二極管的長期可靠性。
另外，上述說明中，使用圖5說明了窗口層只由AlInAs窗口層 7構(gòu)成時的單層結(jié)構(gòu)，但是窗口層也可以是雙層結(jié)構(gòu)，如圖6所示。 圖6是在圖5的基礎(chǔ)上，與圖3-4—樣形成p型周邊區(qū)域9，同時在 n型AlInAs窗口層7與SiNx表面保護膜兼防反射膜11之間設(shè)置InP 窗口層7b，構(gòu)成雙層結(jié)構(gòu)的窗口層。圖6中，n型AlInAs窗口層7 可以比圖5中的薄，只要大于等于O.lfim (大于等于0.3pm較好，最 好大于等于0.5jtm)即可。另外，如圖7所示，窗口層可以是三層結(jié)構(gòu)。圖7中是在圖6的基礎(chǔ)上，在n型AlInAs窗口層7與n型AlGalnAs 過度層4a之間插入InP窗口層7c，形成三層結(jié)構(gòu)的窗口層。除了 n 型AlInAs窗口層7，還設(shè)置了 InP窗口層7b、 7c,由此，與實施方 式2—樣，能夠縮短制作時間。
上述說明中，過度層是不含P的n型AlGalnAs過度層4a，但過 度層材料使用含P的GalnAsP過度層時，可以使用含P的窗口層來 代替n型AlInAs窗口層7。
另外，上述說明中，光從n型InP襯底1的相反面入射，是表面 入射型，也可以是底面入射型，即使用半絕緣性襯底，n電極13與n 型緩沖層2電連接，光從襯底這一側(cè)入射，或者也可以是波導(dǎo)結(jié)構(gòu)， 即光從側(cè)面入射。
權(quán)利要求
1. 一種雪崩光電二極管，其特征在于，在InP襯底上作為半導(dǎo)體層而至少依次層疊光吸收層、雪崩倍增層和半導(dǎo)體窗口層，在上述半導(dǎo)體窗口層中形成擴散了Zn的導(dǎo)電區(qū)域；在上述半導(dǎo)體窗口層中，上述導(dǎo)電區(qū)域周邊具有p型周邊區(qū)域，上述p型周邊區(qū)域與上述導(dǎo)電區(qū)域的外圍離開，上述導(dǎo)電區(qū)域的端部向上述p型周邊區(qū)域突出。
2. —種雪崩光電二極管，其特征在于，在InP襯底上作為半導(dǎo)體層而至少依次層疊雪崩倍增層、光吸收 層和半導(dǎo)體窗口層，在上述半導(dǎo)體窗口層中形成擴散了 Zn的導(dǎo)電區(qū)域；在上述半導(dǎo)體窗口層中，上述導(dǎo)電區(qū)域周邊具有p型周邊區(qū)域，上述p型周邊區(qū)域與上述導(dǎo)電區(qū)域的外圍離開，上述導(dǎo)電區(qū)域的端部向上述p型周邊區(qū)域突出。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠提高量產(chǎn)性的雪崩光電二極管。在InP襯底上作為半導(dǎo)體層而至少依次層疊光吸收層、雪崩倍增層和半導(dǎo)體窗口層，在上述半導(dǎo)體窗口層中形成擴散了Zn的導(dǎo)電區(qū)域；在上述半導(dǎo)體窗口層中，上述導(dǎo)電區(qū)域周邊具有p型周邊區(qū)域；上述p型周邊區(qū)域與上述導(dǎo)電區(qū)域的外圍離開；上述導(dǎo)電區(qū)域的端部向上述p型周邊區(qū)域突出。
文檔編號H01L31/107GK101431118SQ200810188598
公開日2009年5月13日 申請日期2006年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月12日
發(fā)明者中路雅晴, 柳生榮治, 石村榮太郎 申請人:三菱電機株式會社