專利名稱：薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管(TFT)液晶顯示器(LCD)陣列基板，尤其涉及 薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，世界已進入信息革命時代，顯示技術(shù)及顯示器件在信息技術(shù)的發(fā)展 過程中占據(jù)了十分重要的地位。其中，平板顯示由于具有重量輕、厚度薄、體 積小、無輻射、不閃爍等優(yōu)點，已成為顯示技術(shù)發(fā)展的方向。在平板顯示技術(shù) 中，TFTLCD因其具有功耗低、制造成本相對較低、無輻射的特點，在平板顯 示器巿場中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
TFTLCD器件是由陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板對盒而形成的，圖1 ~圖 lb所示是目前主流的非晶硅TFT結(jié)構(gòu)單一像素俯視圖、及其A-A和B-B部位 的截面示意圖。如圖1~圖lb所示，該非晶硅TFT結(jié)構(gòu)釆用背溝道腐蝕的底柵 結(jié)構(gòu)，該陣列結(jié)構(gòu)包括 一組柵極掃描線1和與之垂直的一組數(shù)據(jù)掃描線5， 相鄰的柵極掃描線l和數(shù)據(jù)掃描線5定義一個像素區(qū)域。每一個像素包含有一 個TFT開關(guān)器件、像素電極IO和部分的公共電極引線11,所述TFT開關(guān)器件 由柵電極2、歐姆接觸層14、半導(dǎo)體層3、柵電極絕緣層4、以及源電極6和漏 電極7組成；在柵電極2、歐姆接觸層14、半導(dǎo)體層3、柵電極絕緣層4、以及 源電極6和漏電極7之上覆蓋有鈍化層8，并且，在漏電極7上方形成鈍化層 過孔9;像素電極10通過鈍化層過孔9與TFT的漏電極7相連接；像素電極 10 —部分和柵極掃描線1 一起形成存儲電容(圖中未示出)。為了進一步降低 對盒后像素間的漏光，在像素平行于數(shù)據(jù)掃描線5的兩側(cè)形成擋光條12。
上述圖1~圖lb所示的像素結(jié)構(gòu)， 一般使用5-Mask工藝制造。5-Mask工藝是目前制作TFT的典型工藝技術(shù)，其主要工藝步驟如圖2所示，包括
步驟201 -202:形成柵電極及其引線，形成柵電極絕緣層、歐姆接觸層和 半導(dǎo)體層；
步驟203 -205:形成源電極、漏電極及數(shù)據(jù)掃描線；形成鈍化層及像素電極。
圖2所示的每個步驟都包括薄膜沉積工藝、以及曝光和刻蝕等構(gòu)圖工藝。 除圖2所示的5-Mask技術(shù)，在現(xiàn)有技術(shù)中，通過改變Mask設(shè)計和工藝流程， 也可產(chǎn)生其它的Mask工藝技術(shù)，這里不再贅述。
使用上述5-Mask工藝所制造的圖1~圖lb所示的像素結(jié)構(gòu)，由于像素電 極10與柵極掃描線1之間存在柵電極絕緣層4和鈍化層8,所以，存儲電容(圖 中未示出)較小，進而跳變電壓較大，會影響畫面顯示品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供 一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié) 構(gòu)及其制造方法，能夠在簡化工藝過程的同時，提高畫面顯示品質(zhì)。 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的
本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，包括基板；所述基板 之上形成有像素電極以及透明導(dǎo)電層；
所述像素電極之上形成有漏電極，所述透明導(dǎo)電層之上形成有數(shù)據(jù)掃描線 和源電極，且所述源電極與所述數(shù)據(jù)掃描線連接，所述漏電極與所述像素電極
連接；
所述源電極與漏電極之上依次形成有歐姆接觸層、以及半導(dǎo)體層，且歐姆
接觸層分別與源電極和漏電極接觸的部分互不連接；
源電極、漏電極未被歐姆接觸層覆蓋的部分、歐姆接觸層未被半導(dǎo)體層覆
蓋的部分、以及半導(dǎo)體層之上均形成有鈍化層； 所述鈍化層之上形成有柵極掃描線及柵電極； 所述柵極掃描線和所述柵電極之上形成有柵電極絕緣層。其中，源電極與漏電極之間的歐姆接觸層包含有半導(dǎo)體摻雜區(qū)域，所述半 導(dǎo)體摻雜區(qū)域使歐姆接觸層分別與源電極和漏電極連接的部分互不連接。 該像素結(jié)構(gòu)還包括
所述鈍化層之上、柵電極絕緣層之下還形成有擋光條和公共電極引線，所 述擋光條平行于所述數(shù)據(jù)掃描線，所述公共電極引線平行于所述柵極掃描線。
所述柵極掃描線、數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極、公共電極引線或擋光條 為鋁、鉻、錫、鉭、鈦、鉬及鉬鎳之一構(gòu)成的單層、或上述金屬材料任意組合 構(gòu)成的單層或復(fù)合層。
所述像素電極和所述透明導(dǎo)電層為相同材料部分，且所述像素電極與所述 透明導(dǎo)電層互不連接。
本發(fā)明同時提供了 一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)的制造方法，該方
法包括
A、 在基板上依次沉積像素電極層、金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝在基板上形 成像素電極、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)掃描線，且使得所述源電極與所述數(shù)據(jù)掃 描線連接，所述漏電極與所述像素電極連接；
B、 在完成步驟A的基板上沉積歐姆接觸層薄膜，通過一定的工藝使得歐 姆接觸層薄膜分別與源電極和漏電極連接的部分互不連接，之后，沉積半導(dǎo)體 層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述源電極和漏電極上形成歐姆接觸層以及半導(dǎo)體層；
C、 在完成步驟B的基板上沉積鈍化層薄膜，形成鈍化層；
D、 在完成步驟C的基板上沉積金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成柵極掃描線、 柵電極；
E、 在完成步驟D的基板上形成柵電極絕緣層。
其中，所述通過一定的工藝使得歐姆接觸層薄膜分別與源電極和漏電極連 接的部分互不連接具體為
首先在沉積的歐姆接觸層薄膜上涂布一層光刻膠，通過曝光顯影工藝將半 導(dǎo)體摻雜區(qū)域?qū)?yīng)的歐姆接觸層薄膜暴露出來，對暴露出來的所述歐姆接觸層 薄膜使用半導(dǎo)體摻雜工藝形成半導(dǎo)體摻雜區(qū)域，之后，剝離掉歐姆接觸層薄膜
7上的光刻膠。
所述通過一定的工藝使得歐姆接觸層薄膜分別與源電極和漏電極連接的部
分互不連接具體為
先在沉積的歐姆接觸層薄膜上涂布一層光刻膠，通過曝光顯影工藝將半導(dǎo) 體摻雜區(qū)域?qū)?yīng)的歐姆接觸層薄膜暴露出來，使用構(gòu)圖工藝刻蝕掉暴露出來的 所述歐姆接觸層薄膜，之后，剝離掉歐姆接觸層薄膜上的光刻膠。
步驟B中所述歐姆接觸層和半導(dǎo)體層為形成半島體摻雜區(qū)域之后，使用同
一掩膜板在構(gòu)圖工藝中同時形成。
步驟A具體為
在基板上依次沉積像素電極層、金屬薄膜，在所述金屬薄膜之上涂布一層 光刻膠，用掩模板全曝光出數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極以及像素區(qū)域；
對所述像素區(qū)域進行灰化處理，去掉所述像素區(qū)域之上的光刻膠后，刻蝕 掉所述像素區(qū)域的金屬薄膜層，形成像素電極。
步驟D中在通過構(gòu)圖工藝形成柵極掃描線和柵電極的同時，還形成公共電 極引線以及擋光條。
所述形成柵電極絕緣層具體為
沉積柵電極絕緣層，并通過構(gòu)圖工藝在基板周邊形成過孔，以暴露出基板 周邊的信號引線；或者，
使用掩膜生長工藝形成柵電極絕緣層。
本發(fā)明所提供的薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，將數(shù)據(jù)掃 描線、源電極、漏電極和像素電極在一次曝光工藝中形成，而不是如現(xiàn)有技術(shù) 中，將數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極在一次曝光工藝中形成，將像素電極在另
外一次曝光工藝中形成；將歐姆接觸層和半導(dǎo)體層在一次刻蝕工藝中形成，而
不是分別在兩次刻蝕工藝中形成，如此，大大簡化了工藝過程。并且，由于將 數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極和像素電極在一次曝光工藝中形成，取消了柵極 絕緣層和鈍化層過孔，由此，像素電極與柵極掃描線之間只存在鈍化層，縮小 了像素電極與柵極掃描線之間的間距，進而增大了存儲電容，減小了跳變電壓，從而可以有效改善和提高畫面顯示品質(zhì)。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT LCD陣列基板上單一像素結(jié)構(gòu)俯視圖； 圖la為圖1的A-A部分橫截面示意圖； 圖lb為圖1的B-B部分橫截面示意圖； 圖2為現(xiàn)有技術(shù)5-Mask工藝流程示意圖； 圖3為本發(fā)明中TFT LCD陣列基板上單一像素結(jié)構(gòu)俯視圖； 圖3a為一種圖3的C-C部分橫截面示意圖； 圖3b為另一種圖3的C-C部分橫截面示意圖； 圖3c為圖3的D-D部分橫截面示意圖； 圖4為本發(fā)明TFT LCD像素結(jié)構(gòu)制造方法流程示意圖； 圖5a為本發(fā)明圖4所示制造方法像素電極層經(jīng)過構(gòu)圖工藝之后的像素結(jié)構(gòu) 俯視圖5b為本發(fā)明經(jīng)過全曝光之后的E-E部分橫截面示意圖5c為本發(fā)明經(jīng)過灰化處理之后的E-E部分橫截面示意圖5d為本發(fā)明去掉金屬薄膜層之后的E-E部分橫截面示意圖5e為本發(fā)明圖4所示制造方法像素電極層經(jīng)過構(gòu)圖工藝之后的像素結(jié)構(gòu)
C-C部分橫截面示意圖6a為本發(fā)明圖4所示制造方法通過構(gòu)圖工藝形成歐姆接觸層、以及半導(dǎo)
體層之后的像素結(jié)構(gòu)俯視圖6b為本發(fā)明圖4所示制造方法過構(gòu)圖工藝形成歐姆接觸層、以及半導(dǎo)體
層之后的像素結(jié)構(gòu)C-C部分橫截面示意圖6c為本發(fā)明圖4所示的制造方法經(jīng)過半導(dǎo)體摻雜工藝形成半導(dǎo)體摻雜區(qū)
域后的C-C部分橫截面示意圖6d為本發(fā)明圖4所示的制造方法刻蝕掉半導(dǎo)體摻雜區(qū)域后的C-C部分
橫截面示意圖；圖7為本發(fā)明圖4所示制造方法沉積鈍化層后的C-C部分橫截面示意圖； 圖8為本發(fā)明圖4所示制造方法柵金屬薄膜經(jīng)過構(gòu)圖工藝之后的像素結(jié)構(gòu)
c-c部分橫截面示意圖。
附圖標(biāo)記1、柵極掃描線；2、柵電極；3、半導(dǎo)體層；4、柵極絕緣層；5、 數(shù)據(jù)掃描線；6、源電極；7、漏電極；8、鈍化層；9、鈍化層過孔；10、像素 電極；11、公共電極引線；12、擋光條；14、歐姆接觸層；15、半導(dǎo)體摻雜區(qū) 域；16、光刻膠；17、透明導(dǎo)電層；18、金屬薄膜層。
具體實施例方式
本發(fā)明的基本思想是將數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極和像素電極在一次 曝光工藝中形成，將半導(dǎo)體層和歐姆接觸層在一次刻蝕工藝中形成，在簡化工 藝過程的同時，增大存儲電容。
進一步的，當(dāng)源電極和漏電極分別與歐姆接觸層相連接時，可對源電極與 漏電極之間的歐姆接觸層使用半導(dǎo)體摻雜工藝，使所述歐姆接觸層互不連接， 以保證本發(fā)明所述像素結(jié)構(gòu)正常工作。
以下，通過具體實施例結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器像 素結(jié)構(gòu)及其制造方法的實現(xiàn)。
圖3為本發(fā)明TFTLCD陣列基板上單一像素結(jié)構(gòu)俯視圖；圖3a和圖3b分 別為圖3的C-C部分橫截面示意圖、以及D-D部分橫截面示意圖。如圖3-圖3b所示，該TFTLCD的陣列基板上有一組柵極掃描線1和與之平行的公共 電極引線ll，以及與之垂直的一組數(shù)據(jù)掃描線5和擋光條12;每相鄰的柵極掃 描線1和數(shù)據(jù)掃描線5交叉定義一個像素區(qū)域； 一個像素區(qū)域包含有一個TFT 開關(guān)器件、像素電極IO和公共電極引線11,其中，所述TFT開關(guān)器件由柵電 極2、半導(dǎo)體層3、柵極絕緣層4,歐姆接觸層14、以及源電極6和漏電極7 組成。
如圖3-3b所示，本發(fā)明所提供的像素結(jié)構(gòu)具體為
玻璃基板之上為像素電極IO以及透明導(dǎo)電層17,在所述像素電極10之上為漏電極7，所述透明導(dǎo)電層17之上為數(shù)據(jù)掃描線5以及源電極6，并且源電 極6與數(shù)據(jù)掃描線5連接，漏電極7與像素電極IO連接，像素電極10與透明 導(dǎo)電層17互不連接。而且，由于制造方法的關(guān)系，例如使用本發(fā)明圖4所示的 制造方法時，可能在數(shù)據(jù)掃描線5以及源電極6之下包含的透明導(dǎo)電層17為像 素電極10所在像素電極層，但是，在數(shù)據(jù)掃描線5、源電極6之下的所述并不 與漏電極7以及像素電極10相連接，只有與漏電極7連接的所述像素電極層部 分為像素電極IO,也即所述透明導(dǎo)電層17不與像素電極IO相連接。其中，像 素電極IO、源電極6、漏電極7和數(shù)據(jù)掃描線5為在同一鍍膜、掩膜光刻和刻 蝕等構(gòu)圖工藝中完成制作的不同材料部分。所述像素電極10以及透明導(dǎo)電層 17的材料一般為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鋁鋅。所述數(shù)據(jù)掃描線5、源電極 6、與漏電極7為鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鉬及鋁鎳之一構(gòu)成的單層、或上述金屬 材料任意組合構(gòu)成的單層或復(fù)合層。
在源電極6與漏電極7之上依次為歐姆接觸層14以及半導(dǎo)體層3,并且， 歐姆接觸層14分別與源電極6和漏電極7連接的部分互不連接，其中，使歐姆 接觸層14互不連接的方法可以為通過半導(dǎo)體摻雜工藝形成如圖3a所示的半 導(dǎo)體摻雜區(qū)域15,該半導(dǎo)體摻雜區(qū)域15屬于歐姆接觸層14，使歐姆接觸層14 互不連接；或者，直接通過構(gòu)圖工藝刻蝕掉圖3a中所示的半導(dǎo)體摻雜區(qū)域15， 而形成圖3b所示的像素結(jié)構(gòu)橫截面圖，也可以達(dá)到使歐姆接觸層互不連接的目 的。其中，歐姆接觸層14和半導(dǎo)體層3為使用同一掩膜板在光刻和刻蝕工藝中 完成制作的不同材料部分。其中，具體使用何種材料屬于公知技術(shù)，這里不再
源電極6、漏電極7未被歐姆接觸層14覆蓋的部分、歐姆接觸層14未被 半導(dǎo)體層3覆蓋的部分、以及半導(dǎo)體層3之上均覆蓋有鈍化層8。其中，所述 鈍化層8的材料一般為氮化硅、二氧化硅或氧化鋁。
在鈍化層8之上包含柵極掃描線1、柵電極2、擋光條12以及公共電極引 線ll，并且，擋光條平行于數(shù)據(jù)掃描線5。在鈍化層8未被覆蓋部分、柵極掃 描線l、柵電極2、擋光條12、以及公共電極引線11之上覆蓋有柵電極絕緣層
114。其中，所述柵極掃描線l、公共電極引線ll和擋光條12為在同一鍍膜、掩 膜光刻和刻蝕等構(gòu)圖工藝中完成制作的相同材料部分，可以為鋁、鉻、鎢、鉭、 鈦、鉬及鋁鎳之一構(gòu)成的單層、或為上述金屬材料任意組合構(gòu)成的單層或復(fù)合 層。
現(xiàn)有技術(shù)中，如圖l 圖lb所示，半導(dǎo)體有緣層14在源電極6、漏電極7 下面，像素電極10通過鈍化層過孔9與漏電極7相連接；而在本發(fā)明所述像素 結(jié)構(gòu)中，如圖3~圖3b所示，將像素電極10、源電極6和漏電極7在同一鍍膜、 掩膜光刻和刻蝕等構(gòu)圖工藝中完成，取消了鈍化層過孔9,并釆用頂柵結(jié)構(gòu)， 節(jié)省了一步曝光工藝。
圖3-圖3b所示TFT LCD像素結(jié)構(gòu)僅為本發(fā)明的一種典型結(jié)構(gòu)，在實際 應(yīng)用中，也可以采用其它形狀和圖案的像素結(jié)構(gòu)，只要將源電極與數(shù)據(jù)掃描線 相連接，漏電極與像素電極連接，歐姆接觸層和半導(dǎo)體層位于數(shù)據(jù)掃描線之上； 且歐姆接觸層如與源電極和漏電極連接，則歐姆接觸層連接源電極的部分和連 接漏電極的部分互不連接即可。
圖4為本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)制造方法，同時參照圖3~ 圖3b，該方法包括
步驟401:在基板上依次沉積像素電極層、金屬薄膜，通過曝光工藝和刻 蝕工藝等構(gòu)圖工藝，在基板上形成像素電極10、源電極6、漏電極7和數(shù)據(jù)掃 描線5。
使用一定的金屬沉積方法，例如磁控濺射方法，在玻璃基板上沉積一層像 素電極層，使用透明電極的掩膜版，厚度在IOO人至IOOO人之間；然后，使用 磁控濺射方法在像素電極層上再沉積一層厚度在IOOO人到7000A金屬薄膜；之 后，在所述金屬薄膜之上涂布一層光刻膠16，用掩膜板全曝光出數(shù)據(jù)掃描線5、 源電極6、漏電極7和像素區(qū)域，所述像素區(qū)域即為圖5b中像素電極IO所對 應(yīng)的部分，像素電極10之上覆蓋有與數(shù)據(jù)掃描線5材料相同的金屬薄膜層18， 所述數(shù)據(jù)掃描線5、源電極6、漏電極7和像素區(qū)域均為雙層金屬結(jié)構(gòu)，位于數(shù) 據(jù)掃描線5以及源電極6之下的像素電極層為透明導(dǎo)電層17,而像素區(qū)域與漏電極7相連接，完成全曝光之后的數(shù)據(jù)掃描線5以及所述金屬薄膜層18之上覆
蓋有完整的光刻膠，如圖5b所示。之后，進行灰化處理，去掉覆蓋在金屬薄膜 層18上的光刻膠16，此時的E-E部分橫截面示意圖如圖5c所示。最后，用 物理或化學(xué)刻蝕方法去掉像素區(qū)域雙層金屬上的第一層金屬，也即像素電極10 之上的金屬薄膜層18,形成像素電極10的圖形，此時的E-E部分橫截面示意 圖如圖5d所示。
完成步驟401之后的像素結(jié)構(gòu)俯視圖以及C-C部分橫截面示意圖如圖5a 和5e所示，結(jié)合圖5d可知源電極6與數(shù)據(jù)線5相連，源電極6和漏電極7 下部包含像素電極層，且數(shù)據(jù)掃描線5、源電極6下部所包含的像素電極層即 為本發(fā)明中所述的透明導(dǎo)電層17,所述透明導(dǎo)電層17不與漏電極7相連，且 并不包含在像素電極10中，只有與漏電極7相連的像素電極層部分才稱為像素 電極10。
常用的像素電極IO材料為氧化銦錫(ITO)、或氧化銦鋅(IZO);所述金 屬薄膜所使用的金屬材料通?？梢圆捎勉f、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或 銅等金屬，也可以使用上述幾種金屬材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。
其中，具體如何使用磁控濺射方法所述沉積、如何進行所述曝光、以及所 述刻蝕方法的使用均屬于公知技術(shù)，這里不再贅述。
步驟402:在完成步驟401的基板上沉積歐姆接觸層薄膜，通過半導(dǎo)體摻 雜工藝形成半導(dǎo)體摻雜區(qū)域15，之后再次沉積半導(dǎo)體層薄膜，通過曝光工藝和 刻蝕工藝等構(gòu)圖工藝，在所述源電極6和漏電極7上形成歐姆接觸層14、以及 半導(dǎo)體層3。
利用一定的沉積方法，例如化學(xué)汽相沉積法，在陣列基板上沉積500人到 2000人的N+a-Si薄膜，在所述N+a-Si薄膜上涂布一層光刻膠16，通過曝光顯 影工藝，使得歐姆接觸層薄膜中的半導(dǎo)體摻雜區(qū)域15暴露出來。在半導(dǎo)體摻雜 區(qū)域15處進行半導(dǎo)體摻雜工藝，使得半導(dǎo)體摻雜區(qū)域15中摻雜有P型硅，此 時，C-C部分橫截面示意圖如圖6c所示，之后，剝離掉歐姆接觸層薄膜上的 光刻膠16。利用一定的金屬沉積方法，例如化學(xué)汽相沉積法，在陣列基板上沉積500人到4000人的非晶硅薄膜，用半導(dǎo)體層3的掩膜版進行曝光后對非晶硅 進行干法刻蝕，同時形成歐姆接觸層14和半導(dǎo)體層3,歐姆接觸層14和半導(dǎo) 體層3為使用同一掩膜板在光刻和刻蝕等構(gòu)圖工藝中完成制作的不同材料部 分。
其中，源電極6和漏電極7上部分覆蓋的歐姆接觸層14中為N型非晶硅， 源電極6和漏電極7間的歐姆接觸層14的半導(dǎo)體摻雜區(qū)域15中為P型非晶硅。 完成本步驟之后的像素結(jié)構(gòu)俯視圖如圖6a所示，C-C部分橫截面示意圖如圖 6b所示。
其中，具體如何使用化學(xué)汽相沉積法進行所述沉積、以及如何進行所述刻 蝕工藝和所述摻雜工藝屬于公知技術(shù)，這里不再贅述。
步驟403:利用一定的沉積方法，例如化學(xué)汽相沉積法，在陣列基板上連 續(xù)沉積IOOO人到6000人的鈍化層。
完成本步驟之后的像素結(jié)構(gòu)的C-C部分橫截面示意圖如圖7所示，在源 電極6和漏電極7未被歐姆接觸層14覆蓋的部分、像素電極10未被漏電極7 覆蓋的部分、歐姆接觸層14未被半導(dǎo)體層3覆蓋的部分、以及半導(dǎo)體層3之上 均沉積有鈍化層8。
所述鈍化層的材料一般為氮化硅、二氧化硅或氧化鋁。
步驟404:在完成步驟403的基板上沉積金屬薄膜，通過曝光工藝和刻蝕 工藝等構(gòu)圖工藝，形成柵極掃描線l、柵電極2、公共電極引線11以及擋光條 12。
使用一定的金屬沉積方法，例如磁控濺射方法，在玻璃基板上制備一層厚 度在IOOOA至7000人的柵金屬薄膜，用柵電極掩膜版通過曝光工藝和刻蝕工藝 等構(gòu)圖工藝，在玻璃基板的一定區(qū)域上形成柵極掃描線1、柵電極2、公共電極 引線ll和擋光條12的圖案。
完成本步驟之后的像素結(jié)構(gòu)的C-C部分橫截面示意圖如圖8所示，柵電 極2形成于鈍化層8之上。
其中，所述柵金屬薄膜所使用的柵金屬材料可以為鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬，或者，也可以使用上述幾種柵金屬材料薄膜的組合 結(jié)構(gòu)。
步驟405:在完成步驟404的基板上沉積柵電極絕緣層4。 使用一定的沉積方法，例如化學(xué)汽相沉積法，在玻璃基板上沉積一層厚度 在1000A至4000A的柵電極絕緣層4。在實際應(yīng)用中，沉積柵電極絕緣層4后， 還需要通過曝光及刻蝕等構(gòu)圖工藝，在陣列基板周邊形成過孔圖形，將陣列基 板周邊信號引線暴露出來，以實現(xiàn)外加信號的輸入。
所述柵電極絕緣層的材料一般為氮化硅、二氧化硅或氧化鋁。
或者，在本步驟中，也可以直接在完成步驟404的基板上使用掩膜生長工
藝形成柵電極絕緣層4。這時，所使用的掩膜生長工藝，能夠保證引線的引線 (PAD)區(qū)及ITO電擊區(qū)上方不覆蓋柵電極絕緣層4,從而節(jié)省了使用曝光等 構(gòu)圖工藝將周邊信號引線暴露的過程。具體如何使用掩膜生長工藝形成柵電極 絕緣層4屬于公知技術(shù)，這里不再贅述。
其中，在圖4所示的像素結(jié)構(gòu)制造方法的步驟402中，對于半導(dǎo)體摻雜區(qū) 域15，也可以不使用所述半導(dǎo)體摻雜工藝，而是直接使用干法刻蝕等構(gòu)圖工藝 刻蝕掉所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)域15,同樣可以達(dá)到使歐姆接觸層互不連接的目的。 刻蝕掉所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)域15后的C-C部分橫截面示意圖如圖6d所示。這 時，其他步驟的具體操作與圖4所示的制造方法相同，這里不再過多贅述。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，包括基板；其特征在于，所述基板之上形成有像素電極以及透明導(dǎo)電層；所述像素電極之上形成有漏電極，所述透明導(dǎo)電層之上形成有數(shù)據(jù)掃描線和源電極，且所述源電極與所述數(shù)據(jù)掃描線連接，所述漏電極與所述像素電極連接；所述源電極與漏電極之上依次形成有歐姆接觸層、以及半導(dǎo)體層，且歐姆接觸層分別與源電極和漏電極接觸的部分互不連接；源電極、漏電極未被歐姆接觸層覆蓋的部分、歐姆接觸層未被半導(dǎo)體層覆蓋的部分、以及半導(dǎo)體層之上均形成有鈍化層；所述鈍化層之上形成有柵極掃描線及柵電極；所述柵極掃描線和所述柵電極之上形成有柵電極絕緣層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，源電極與漏電極之間的 歐姆接觸層包含有半導(dǎo)體摻雜區(qū)域，所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)域使歐姆接觸層分別與 源電極和漏電極連接的部分互不連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)還包括 所述鈍化層之上、柵電極絕緣層之下還形成有擋光條和公共電極引線，所述擋光條平行于所述數(shù)據(jù)掃描線，所述公共電極引線平行于所述柵極掃描線。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極掃描線、數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極、公共電極引線或擋光條為鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鉬 及銷鎳之一構(gòu)成的單層、或上述金屬材料任意組合構(gòu)成的單層或復(fù)合層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電 極和所述透明導(dǎo)電層為相同材料部分，且所述像素電極與所述透明導(dǎo)電層互不 連接。
6、 一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該方法 包括A、 在基板上依次沉積像素電極層、金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝在基板上形 成像素電極、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)掃描線，且使得所述源電極與所述數(shù)據(jù)掃 描線連接，所述漏電極與所述像素電極連接；B、 在完成步驟A的基板上沉積歐姆接觸層薄膜，通過一定的工藝使得歐 姆接觸層薄膜分別與源電極和漏電極連接的部分互不連接，之后，沉積半導(dǎo)體層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述源電極和漏電極上形成歐姆接觸層以及半導(dǎo)體層；C、 在完成步驟B的基板上沉積鈍化層薄膜，形成鈍化層；D、 在完成步驟C的基板上沉積金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成柵極掃描線、 柵電極；E、 在完成步驟D的基板上形成柵電極絕緣層。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述通過一定的工藝使 得歐姆接觸層薄膜分別與源電極和漏電極連接的部分互不連接具體為首先在沉積的歐姆接觸層薄膜上涂布一層光刻膠，通過曝光顯影工藝將半 導(dǎo)體摻雜區(qū)域?qū)?yīng)的歐姆接觸層薄膜暴露出來，對暴露出來的所述歐姆接觸層 薄膜使用半導(dǎo)體摻雜工藝形成半導(dǎo)體摻雜區(qū)域，之后，剝離掉歐姆接觸層薄膜 上的光刻膠。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述通過一定的工藝使 得歐姆接觸層薄膜分別與源電極和漏電極連接的部分互不連接具體為先在沉積的歐姆接觸層薄膜上涂布一層光刻膠，通過曝光顯影工藝將半導(dǎo) 體摻雜區(qū)域?qū)?yīng)的歐姆接觸層薄膜暴露出來，使用構(gòu)圖工藝刻蝕掉暴露出來的 所述歐姆接觸層薄膜，之后，剝離掉歐姆接觸層薄膜上的光刻膠。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項所述的制造方法，其特征在于，步驟B中 所述歐姆接觸層和半導(dǎo)體層為形成半島體摻雜區(qū)域之后，使用同一掩膜板在構(gòu) 圖工藝中同時形成。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項所述的制造方法，其特征在于，步驟A具 體為在基板上依次沉積像素電極層、金屬薄膜，在所述金屬薄膜之上涂布一層光刻膠，用掩模板全曝光出數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極以及像素區(qū)域；對所述像素區(qū)域進行灰化處理，去掉所述像素區(qū)域之上的光刻膠后，刻蝕 掉所述像素區(qū)域的金屬薄膜層，形成像素電極。
11、 根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項所述的制造方法，其特征在于，步驟D中 在通過構(gòu)圖工藝形成柵極掃描線和柵電極的同時，還形成公共電極引線以及擋 光條。
12、 根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項所述的制造方法，其特征在于，所述形成 柵電極絕緣層具體為沉積柵電極絕緣層，并通過構(gòu)圖工藝在基板周邊形成過孔，以暴露出基板 周邊的信號引線；或者，使用掩膜生長工藝形成柵電極絕緣層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，在基板之上形成有形成有像素電極以及透明導(dǎo)電層；像素電極上形成有漏電極，透明導(dǎo)電層上形成有數(shù)據(jù)掃描線和源電極，且源電極與數(shù)據(jù)掃描線連接，漏電極與像素電極連接；源電極與漏電極上依次形成有歐姆接觸層與半導(dǎo)體層，歐姆接觸層分別與源電極和漏電極接觸的部分互不連接；源電極及漏電極未被歐姆接觸層覆蓋的部分、歐姆接觸層未被半導(dǎo)體層覆蓋的部分以及半導(dǎo)體層上形成有鈍化層；所述鈍化層上依次形成有柵極掃描線和柵電極、以及柵電極絕緣層。本發(fā)明同時提供了一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)的制造方法，所述像素結(jié)構(gòu)和制造方法能夠節(jié)省制造工藝過程，并增大存儲電容。
文檔編號H01L21/70GK101566768SQ20081010502
公開日2009年10月28日 申請日期2008年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月25日
發(fā)明者彌 張 申請人:北京京東方光電科技有限公司