專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法及背照式半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，且特別涉及一種制造背照式影像傳感器(backside illuminated imaging sensor)的制造方法。
技術(shù)背景在半導(dǎo)體技術(shù)當(dāng)中，背照式傳感器被用來檢測朝向半導(dǎo)體基板背面照射 的影像光源。背照式傳感器可形成于基板的正面，而照向基板背面的光源能 夠傳到傳感器。然而，在制造背照式傳感器時(shí)所使用的退火工藝會(huì)造成表面 粗糙化，這會(huì)影響背照式傳感器的光照響應(yīng)及增加漏電流。因此需要提供一 種改良式的背照式傳感器，和/或背照式傳感器的制造方法。發(fā)明內(nèi)容為達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括下列步驟提供基板，該基板包含第一表面以及第二表面，其中至少有一個(gè)影像傳 感器鄰接于該第一表面；利用局部退火工藝以活化在該半導(dǎo)體基板中鄰接該 于第二表面的摻雜層；以及對(duì)該摻雜層進(jìn)行蝕刻工藝。上述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，該蝕刻工藝可以介于約攝氏20度至60度范圍間的溫度進(jìn)行蝕刻。上述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，該蝕刻工藝可以介于約2分鐘至10分鐘 范圍間的時(shí)間進(jìn)行蝕刻。上述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，該蝕刻工藝可以介于每分鐘約100埃至 1000埃范圍間的蝕刻速率進(jìn)行蝕刻。上述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，該摻雜層的厚度可介于約500埃至5000 埃之間。上述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，該蝕刻工藝可在該第二表面上提供小于 約20埃的表面粗糙度。上述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，該蝕刻工藝可包含濕化學(xué)蝕刻法。 本發(fā)明又提供一種背照式影像傳感器的制造方法，包括下列步驟提供 基板，該基板包含第一表面以及第二表面；在該第一表面上形成多個(gè)影像傳感器；在該第二表面上形成正型摻雜層；利用局部退火工藝活化摻雜層及進(jìn)行蝕刻工藝;并在該正型摻雜層上沉積或涂布抗反射層和制作多個(gè)彩色濾鏡;以及在鄰接上述多個(gè)彩色濾鏡的位置形成多個(gè)微透鏡。上述背照式影像傳感器的制造方法中，該蝕刻工藝可在該第二表面上提 供小于約20埃的表面粗糙度。上述背照式影像傳感器的制造方法還可包含在鄰接所述多個(gè)影像傳感 器的該第一表面上形成多層互連線。上述背照式影像傳感器的制造方法中，該蝕刻工藝可包含濕化學(xué)蝕刻法。本發(fā)明還提供一種背照式半導(dǎo)體裝置，包含半導(dǎo)體基板，具有第一表 面以及第二表面；多個(gè)影像傳感器，形成于鄰接該第一表面的該半導(dǎo)體基板 內(nèi)的位置；正型摻雜層，形成于鄰接該第二表面的該半導(dǎo)體基板內(nèi)的位置， 其中該正型摻雜層的厚度介于約500埃至5000埃之間；抗反射層，沉積或涂布于鄰接該正型摻雜層上；多個(gè)彩色濾鏡，形成于鄰接該抗反射層的位置； 以及多個(gè)微透鏡，形成于鄰接該彩色濾鏡的位置。上述背照式半導(dǎo)體裝置中，該正型摻雜層的制造方法可包括下列步驟 利用局部退火工藝以活化正型離子慘雜層；以及對(duì)該正型離子摻雜層進(jìn)行蝕 刻工藝。上述背照式半導(dǎo)體裝置中，該蝕刻工藝可在該第二表面上提供小于約20 埃的表面粗糙度。本發(fā)明能夠改善半導(dǎo)體裝置特別是背照式影像傳感器和背照式半導(dǎo)體裝 置的光照響應(yīng)。


圖1為顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置方法的流程圖。 圖2為顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中半導(dǎo)體基板的剖面圖。 圖3為顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，在圖2的半導(dǎo)體基板上形成的多個(gè)影 像傳感器的剖面圖。圖4為顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，在圖3的半導(dǎo)體基板上形成的多層互 連線的剖面圖。圖5為顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，圖4的半導(dǎo)體基板反轉(zhuǎn)后的剖面圖。 圖6為顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，在圖5的半導(dǎo)體基板上形成的正型摻 雜層的剖面圖。圖7為顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，圖6的半導(dǎo)體基板上的正型摻雜層在 經(jīng)過蝕刻工藝之后的剖面圖。圖8為顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，在鄰接圖7半導(dǎo)體基板上的正型摻雜 層的位置形成的多個(gè)彩色濾鏡的剖面圖。圖9為顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，在鄰接圖8半導(dǎo)體基板上的彩色濾鏡 的位置形成的多個(gè)微透鏡的剖面圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下102a半導(dǎo)體基板； 102b第一表面；102c第二表面； 104a影像傳感器；106a多層互連線； 106b層間絕緣層；108a正型摻雜層； 112a彩色濾層；112b彩色濾鏡； 114a微透鏡。
具體實(shí)施方式
有關(guān)各實(shí)施例的制造和使用方式如以下所詳述。然而，值得注意的是，本發(fā)明所提供的各種可應(yīng)用的發(fā)明概念依具體內(nèi)文的各種變化據(jù)以實(shí)施，且 在此所討論的具體實(shí)施例僅用以顯示具體使用和制造本發(fā)明的方法，而不用 以限制本發(fā)明的范圍。以下通過各附圖及示例說明本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的制造過程。此外，在本 發(fā)明各種不同的各種實(shí)施例和附圖中，相同的符號(hào)代表相同或類似的元件。請(qǐng)參考圖1，方法100說明半導(dǎo)體裝置的制造過程。在所描述的實(shí)施例 中，方法100被用以制造背照式影像傳感器。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將可了 解在本發(fā)明中所公開的方法100，其工藝及技術(shù)可用以制造各種已知的半導(dǎo)體裝置。請(qǐng)參考圖1與圖2，其顯示所提供的上述方法在半導(dǎo)體基板102a上開始步驟102。上述半導(dǎo)體基板102a包括第一表面102b，以及位于第一表面102b 對(duì)面位置的第二表面102c。半導(dǎo)體基板102a材料包括硅；也可另外或同時(shí) 使用其他半導(dǎo)體元素材料，包括鍺(germanium)和鉆石(diamond)等；也 可以是如碳化硅(silicon carbide)、砷化鎵(gallium arsenic)、砷化銦(indium arsenide)或磷化銦(indium phosphide)的化合物半導(dǎo)體材料；或是如鍺化 硅(silicon germanium)、碳化硅鍺(silicon germanium carbide)、磷化鎵石申(gallium arsenic phosphide)或磷化鎵銦(gallium indium phosphide)的合金 半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體基板102a可包含各種"P"型摻雜區(qū)域，和/或各種"N" 型摻雜區(qū)域。所有的摻雜元素可在各個(gè)步驟或技術(shù)中以如離子注入(ion implantation)或擴(kuò)散的方式注入。半導(dǎo)體基板102a可包含傳統(tǒng)的如現(xiàn)有技術(shù) 所公知的隔離結(jié)構(gòu)，以隔離在半導(dǎo)體基板102a中所形成的不同元件。半導(dǎo)體 基板102a可包含其他結(jié)構(gòu)如外延層(epi layer)、絕緣體上半導(dǎo)體(semiconductor on insulator, SOI)或其組合的禾才料。請(qǐng)參考圖1與圖3，方法100進(jìn)行至步驟104，其中所形成的影像傳感器 104a鄰接在半導(dǎo)體基板102a的第一表面102b上。在一個(gè)實(shí)施例中，影像傳 感器104a可設(shè)置在半導(dǎo)體基板102a的第一表面102b上，并延伸至半導(dǎo)體基 板102a內(nèi)。在另一實(shí)施例中，影像傳感器104a可設(shè)置在半導(dǎo)體基板102a的 第一表面102b上方。每個(gè)影像傳感器104a可包含光檢測(light-sensing或 photo-sensing)區(qū)域，而光檢測區(qū)域是在半導(dǎo)體基板102a中利用如擴(kuò)散或離 子注入法注入"N"型雜質(zhì)和/或"P"型雜質(zhì)所形成的摻雜區(qū)域。上述光檢 測區(qū)域的摻雜濃度的范圍可在1014原子/咖3到1021原子/01!3之間。光檢測區(qū) 域具有的表面積約可占所連接的傳感器約百分之十至百方之八十的面積，用 以接收照射于其上的光線(或來自構(gòu)成影像的標(biāo)的物的照射)。影像傳感器 104a可含有光敏二極管(photosensitive diode)以檢測二極管上的光的強(qiáng)度或 亮度。影像傳感器104a可包含各種種類，如互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(complimentary metal-oxide-semiconductor, CMOS)影像傳感器、電荷耦合 器件(charged coupling device, CCD)傳感器、有源傳感器(active sensor)、 無源傳感器(passive sensor),和/或在半導(dǎo)體基板102a中形成的其他傳感器。 因?yàn)槿绱?，上述影像傳感器可以是傳統(tǒng)或未來開發(fā)出的影像傳感器。影像傳 感器104a的像素單元(pixel)可設(shè)置在傳感器陣列中或其他適當(dāng)配置的位置。傳感器像素單元(sensor pixel)可被設(shè)計(jì)成不同的檢測種類。舉例來說，一 群傳感器像素單元可以是互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像傳感器，而另外一群 傳感器像素單元可以是無源傳感器。其他種類的像素單元可以是復(fù)位晶體管 (resettransistor)、源極跟隨(source follower)晶體管、固定層光電二極管 (pinned layer photodiode)或是轉(zhuǎn)，奐晶體管(transfer transistor)。 一般所提 供的額外電路及輸入/輸出鄰接于像素單元，以提供像素單元的操作環(huán)境，并 支持與像素單元間的外部通信。此外，影像傳感器104a可以使用于彩色影像 傳感器或單色(monochromatic)影像傳感器。在應(yīng)用上，半導(dǎo)體基板102a 被設(shè)計(jì)成可使得影像傳感器104a接收從半導(dǎo)體基板102a的第二表面102c的 影像光源(或輻射)；可避免從第二表面102b如柵極部分和金屬線等會(huì)阻礙 光線途徑的物體；并最大化光檢測區(qū)域中被光線照射的暴露部分。基板102a 可被薄化以使得光線被引導(dǎo)穿過半導(dǎo)體基板102a中的第二表面102c，有效 地到達(dá)影像傳感器104a。請(qǐng)參考圖1與圖4，方法100進(jìn)行至步驟106，其中多層互連線(multilayer interconnect, MLI) 106a形成于半導(dǎo)體基板102a的第一表面102b上，并耦接 于影像傳感器104a，使得影像傳感器104a能用以對(duì)所照射的光源(輻射) 產(chǎn)生適當(dāng)?shù)捻憫?yīng)。多層互連線106a可被形成在半導(dǎo)體基板102a上，并設(shè)置 在位于影像傳感器104a上方的第一表面102b上。多層互連線106a可包含導(dǎo) 體金屬如鋁(aluminum)、鋁/硅/銅合金(aluminum/silicon/copper alloy)、 鈦(titanium)、氮化鈦(titanium nitride)、鴨(tungsten)、多晶硅(polysilicon) 及金屬硅化物(metal silicide)，或其組合，其被稱為鋁互連線(aluminum interconnect)。鋁互連線可利用包含物理氣相、沉積(physical vapor deposition) 或?yàn)R鍍(sputtering)及化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)，或 其組合的工藝來形成。其他用以形成鋁導(dǎo)線的制造技術(shù)可包含光刻 (photolithography)工藝及蝕刻工藝，用于將導(dǎo)體材料圖案化以形成垂直連 接(介質(zhì)孔(via)和接觸件(contact))及水平連接(導(dǎo)線(conductive line))。 另外其他工藝如熱退火(thermal annealing)工藝可被用以形成金屬硅化層。 此外，可使用銅多層互連線，其包含銅、銅合金、鈦、氮化鈦、鉭(tantalum)、 氮化鉭(tantalumnitride)、鎢、多晶硅及金屬硅化物，或其組合的材料。銅 多層互連線可利用包含化學(xué)氣相沉積、濺鍍及電鍍(plating)，或其他適合的工藝來形成。在多層互連線中所使用的金屬硅化層可包含硅化鎳(nickel silicide)、硅^f七牽古(cobalt silicide)、硅<七鉤(tungsten silicide)、硅{七鉭(tantalum silicide)、硅化牽太(titanium silicide)、硅化鈾(platinum silicide)、硅化鉺 (erbium silicide)及硅化鈀(palladium silicide)，或其組合材料。在一個(gè)實(shí)施例中，所包括的層間介電層(interlayer dielectric, inter-level dielectric, ILD) 106b用以絕緣設(shè)置在層間介電層106b間的多層互連線106a。 層間介電層106b可包含二氧化硅(silicon dioxide)、氮化硅(silicon nitride)、 氮氧化硅(silicon oxynitride)、聚亞酰胺(polyimide)、旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(spin-on glass, SOG)、氟化硅玻璃(fluoride-d叩ed silicate glass, FSG)、碳摻雜氧化 硅(carbon doped silicon oxide)、黑鉆石(Black Diamond)(美國加禾!j福尼 亞州Santa的ClaraApplied Material公司的專利)、干凝膠(Xerogel)、空氣 膠(Aerogel)、非晶氟碳膜(amorphous fluorinated carbon)、聚對(duì)二甲苯 (Parylene) 、 二苯并環(huán)丁烯(bis-benzocyclobutenes)、蠶絲(SiLK，來自 美國密西根州的陶式化學(xué)股份有限公司)及聚亞酰胺，和/或其他適合的材料。 層間介電層106b可利用包含旋轉(zhuǎn)涂布(spin-on)法、化學(xué)氣相沉積法及濺鍍 法，或其他適合的工藝形成。多層互連線106a與層間介電層106b可利用包 含例如雙鑲嵌結(jié)構(gòu)(dual damascene)或單鑲嵌結(jié)構(gòu)(single damascene)的鑲 嵌工藝(damasceneprocess)等的整合工藝形成。請(qǐng)參考圖l、圖5與圖6，方法100進(jìn)行至步驟108，其中所形成的正型 摻雜層鄰接于半導(dǎo)體基板102a的第二表面102c上。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo) 體基板102a被反轉(zhuǎn)，如圖5所顯示。接著利用局部退火(localized annealing) 工藝，以激光退火(laserannealing)為例，活化所注入的離子元素(ion implant) 以形成正型摻雜層108a，正型摻雜層108a鄰接于半導(dǎo)體基板102a的第二表 面102c。局部退火工藝在半導(dǎo)體基板102a的第二表面102c的局部區(qū)域提供 集中的能量，從而達(dá)到有效的退火效果。另外也可使用其他適合的局部退火 工藝。在方法100的步驟108中，用以形成正型摻雜層108a的局部退火工藝 在半導(dǎo)體基板102a的第二表面102c上造成表面粗糙度A以及多數(shù)的晶格缺 陷(crystal defect)。在一個(gè)實(shí)施例中，在半導(dǎo)體基板102a的第二表面102c 的表面粗糙度A在經(jīng)過局部退火工藝過后約為100埃至1000埃。請(qǐng)參考圖1與圖7，方法100進(jìn)行至步驟110，其中對(duì)半導(dǎo)體基板102a的第二表面102c進(jìn)行蝕刻工藝。接著供應(yīng)蝕刻劑至半導(dǎo)體基板102a的第二 表面102c上，以將第二表面102c的表面粗糙度A減小至表面粗糙度B，如 圖6所示。蝕刻劑可利用濕化學(xué)蝕刻劑。在一個(gè)實(shí)施例中，蝕刻劑可以是含 有氨水和胺水的堿性溶液。在一個(gè)實(shí)施例中，蝕刻劑可以是四甲基氫氧化銨 (Tetra-methyl ammonium hydroxide, TMAH )、 乙二胺焦兒茶酚 (ethylenediamenepyrocatecol，EDP)，以及例如氫氧化鉀(KOH)、氫氧化 鈉(NaOH)、氫氧化鈰(CeOH)和/或氫氧化銣(RBOH)等的氫氧化堿鹽 (Alkali Hydroxide, Alkali-OH)，禾B/或其他公知蝕刻劑的變種。在一個(gè)實(shí)施 例中，方法100的步驟110中，蝕刻工藝是在介于攝氏約20度至60度范圍 內(nèi)的溫度環(huán)境下完成的。在一個(gè)實(shí)施例中，方法100的步驟110中，蝕刻工 藝的時(shí)間介于約2至10分鐘。在一個(gè)實(shí)施例中，方法100的步驟110是以每 分鐘介于約100埃至1000埃的蝕刻速率完成的。在一個(gè)實(shí)施例中，表面粗糙 度B在經(jīng)過蝕刻工藝后被減小，例如在介于約10埃至20埃之間的范圍。請(qǐng)參考圖1與圖8，方法100進(jìn)行至步驟112，其中在半導(dǎo)體基板102a 的第二表面102c上所形成的多個(gè)彩色濾層U2a鄰接于正型摻雜層108a。彩 色濾層112a包含抗反射層加上數(shù)種不同的彩色濾鏡112b，例如紅濾鏡、綠 濾鏡以及藍(lán)濾鏡。彩色濾鏡112b被設(shè)置在適當(dāng)?shù)奈恢?，以使得入射光源能?被導(dǎo)向且予以穿透。在一個(gè)實(shí)施例中，彩色濾鏡112b可包含以含有色素(color pigment)的丙烯酸聚化合物(acrylic polymer)為基板的負(fù)型光阻。請(qǐng)參考圖1與圖9，方法100進(jìn)行至步驟114，其中所形成的多個(gè)微透鏡 114a鄰接于彩色濾鏡112b。在操作上，發(fā)射光會(huì)被導(dǎo)向微透鏡114a,然后 通過彩色濾層112a進(jìn)行濾光，接著被影像傳感器104a所檢測。在所公開的結(jié)構(gòu)及制造方法當(dāng)中，照射光在操作過程中并非局限于可見 光光束，其范圍可延伸至其他光源，例如紅外光(infrared, IR)、紫外光 (ultraviolet, UV)，以及其他適當(dāng)?shù)妮椛涔馐?。在方?00中還可使用其他 工藝。在一個(gè)實(shí)施例中，可在多層互連線106a上形成保護(hù)層(passivation layer)，并且可在正型摻雜層108a上形成抗反射涂層(anti-reflective coating, ARC)。在另一實(shí)施例中，可利用適當(dāng)?shù)墓に嚾缪心?grinding)工藝，將半 導(dǎo)體基板102a自第二表面102c加以薄化。因此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。在一個(gè)實(shí)施例中，制造方法包含提供基板，該基板包含第一表面以及第二表面，其中至少有一個(gè) 影像傳感器鄰接于該第一表面；利用局部退火工藝以活化在該半導(dǎo)體基板中 鄰接于該第二表面的摻雜層；以及對(duì)該摻雜層進(jìn)行蝕刻工藝。本發(fā)明也提供一種背照式影像傳感器的制造方法。在一個(gè)實(shí)施例中，制 造方法包含提供基板，該基板包含第一表面以及第二表面；在該第一表面 上形成多個(gè)影像傳感器；在該第二表面上形成正型摻雜層；利用局部退火工 藝活化摻雜層及進(jìn)行蝕刻工藝；在該正型摻雜層上形成多個(gè)彩色濾鏡；以及 在鄰接上述多個(gè)色濾鏡的位置形成多個(gè)微透鏡。本發(fā)明也提供一種背照式半導(dǎo)體裝置，包含半導(dǎo)體基板，具有第一表 面以及第二表面；多個(gè)影像傳感器，形成于鄰接該第一表面的該半導(dǎo)體基板 內(nèi)的位置；正型摻雜層，形成于鄰接該第二表面的該半導(dǎo)體基板內(nèi)的位置， 其中該正型摻雜層的厚度介于約500埃至5000埃之間；多個(gè)彩色濾鏡，形成 于鄰接該正型摻雜層的位置；以及多個(gè)微透鏡，形成于鄰接該彩色濾鏡的位 置。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括下列步驟提供基板，該基板包含第一表面以及第二表面，其中至少有一個(gè)影像傳感器鄰接于該第一表面；利用局部退火工藝以活化在該半導(dǎo)體基板中鄰接該第二表面的摻雜層；以及對(duì)該摻雜層進(jìn)行蝕刻工藝。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該蝕刻工藝以介于 約攝氏20度至60度范圍間的溫度進(jìn)行蝕刻。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該蝕刻工藝以介于 約2分鐘至10分鐘范圍間的時(shí)間進(jìn)行蝕刻。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該蝕刻工藝以介于 每分鐘約100埃至1000埃范圍間的蝕刻速率進(jìn)行蝕刻。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該摻雜層的厚度介 于約500埃至5000埃之間。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該蝕刻工藝在該第 二表面上提供小于約20埃的表面粗糙度。
7. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該蝕刻工藝包含濕 化學(xué)蝕刻法。
8. —種背照式影像傳感器的制造方法，包括下列步驟 提供基板，該基板包含第一表面以及第二表面； 在該第一表面上形成多個(gè)影像傳感器； 在該第二表面上形成正型摻雜層； 利用局部退火工藝活化摻雜層及進(jìn)行蝕刻工藝； 在該正型摻雜層上形成多個(gè)彩色濾鏡；以及 在鄰接所述多個(gè)彩色濾鏡的位置形成多個(gè)微透鏡。
9. 如權(quán)利要求8所述的背照式影像傳感器的制造方法，其中該蝕刻工藝 在該第二表面上提供小于約20埃的表面粗糙度。
10. 如權(quán)利要求8所述的背照式影像傳感器的制造方法，其中還包含在鄰接所述多個(gè)影像傳感器的該第一表面上形成多層互連線。
11. 如權(quán)利要求8所述的背照式影像傳感器的制造方法，其中該蝕刻工 藝包含濕化學(xué)蝕刻法。
12. —種背照式半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體基板，具有第一表面以及第二表面；多個(gè)影像傳感器，形成于鄰接該第一表面的該半導(dǎo)體基板內(nèi)的位置； 正型摻雜層，形成于鄰接該第二表面的該半導(dǎo)體基板內(nèi)的位置，其中該 正型摻雜層的厚度介于約500埃至5000埃之間；多個(gè)彩色濾鏡，形成于鄰接該正型摻雜層的位置；以及 多個(gè)微透鏡，形成于鄰接該彩色濾鏡的位置。
13. 如權(quán)利要求12所述的背照式半導(dǎo)體裝置，其中該正型摻雜層的制造 方法包括下列步驟利用局部退火工藝以活化正型離子摻雜層；以及 對(duì)該正型離子摻雜層進(jìn)行蝕刻工藝。
14. 如權(quán)利要求13所述的背照式半導(dǎo)體裝置，其中該蝕刻工藝在該第二 表面上提供小于約20埃的表面粗糙度。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置的制造方法及背照式半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置的制造方法包括下列步驟提供基板，該基板包含第一表面以及第二表面，其中至少有一個(gè)影像傳感器鄰接于該第一表面；利用局部退火工藝以活化在該半導(dǎo)體基板中鄰接該第二表面的摻雜層；以及對(duì)該摻雜層進(jìn)行蝕刻工藝。本發(fā)明能夠改善半導(dǎo)體裝置的光照響應(yīng)。
文檔編號(hào)H01L27/146GK101266946SQ20081008356
公開日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2008年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月14日
發(fā)明者劉銘棋, 蕭國裕, 蔡嘉雄, 許慈軒 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司