專利名稱：：布線膜的形成方法、晶體管及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及布線膜的領(lǐng)域，尤其涉及用于晶體管的布線膜和形成該布線膜的成膜方法。
背景技術(shù)：
：一直以來，用于電子零件的金屬布線膜使用Al或Cu等的低電阻材料。例如在TFT(薄膜晶體管Thinfilmtransistor)液晶顯示器，隨著面板的大型化，對(duì)布線電極的低電阻化要求越來越大，提高了使用Al或Cu作為j氐電阻布線的必要性。以Al為主成分的Al布線當(dāng)接觸到Si02或ITO(姻錫氧化物)等氧化物時(shí)，會(huì)有因氧化物的氧而發(fā)生小丘(hillock)的情形，再者，當(dāng)使用Al布線作為TFT的源電極、漏電極時(shí)會(huì)有擴(kuò)散至基底Si層的問題，還有與由ITO所形成的透明電極的接觸電阻惡化等問題。另一方面，關(guān)于Cu布線，Cu為電阻低于Al的材料。雖然Al存在與ITO透明電極的接觸電阻惡化的問題，但氧化銅的絕緣性低于氧化鋁，故接觸電阻也較好。因此，使用Cu作為低電阻布線膜的必要性變高。但是，Cu比起其它布線材料，有與玻璃或Si等的基底材料的密合性差的問題，或在作為源/漏電極使用時(shí)，有Cu擴(kuò)散至Si層的問題，因此Cu布線和其它層的界面上需要用以提升密合性或防止擴(kuò)散的阻擋層。此外，即使半導(dǎo)體所使用的Cu鍍層的基底Cu晶種(seed)層，也與上述同樣因擴(kuò)散的問題而需要防止擴(kuò)散的TiN或TaN等阻擋層。就以Cu為主成分的電子零件方面的金屬布線膜關(guān)聯(lián)專利而言，眾所周知以Cu中添加Mo等元素為特征的寺支術(shù)(日本特開2005-158887)，或以在純粹的Cu濺鍍的成膜工序中導(dǎo)入氮或氧為特征的技術(shù)(日本特開平10-12151)，但是在密合性或低電阻化及抗小丘上都存在問題。專利文獻(xiàn)l:日本特開2005-158887號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開平10-12151號(hào)/>寺艮
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為了解決上述課題構(gòu)思而成，其目的在于提供對(duì)玻璃基板或硅層的密合性高且低電阻的布線膜。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)使以Cu為主成分的耙含有從Mg、Al、Si、IIa族元素(Be、Ca、Sr、Ba、Ra)、IIIb族元素(稀土類Sc、Y和鑭族元素La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy)所形成的群中選擇的l種以上添加元素，并且在濺鍍時(shí)導(dǎo)入氧氣而形成的金屬膜(合金膜)，不僅對(duì)硅或玻璃的密合性高，而且對(duì)防止金屬擴(kuò)散至硅的阻擋性也很優(yōu)異。圖7(a)、(b)表示以Cu為主成分，濺鍍含有上述添加元素的靶，在基板15表面形成金屬膜14、19狀態(tài)，圖7(a)的符號(hào)19表示在濺鍍時(shí)不導(dǎo)入氧而成膜的無氧金屬膜，圖7(b)的符號(hào)14表示在濺鍍時(shí)導(dǎo)入氧而成膜的含氧金屬膜。在無氧金屬膜19內(nèi)部，處于向銅晶體17內(nèi)部分散含有添加元素的添加元素粒子16的狀態(tài)，在無氧金屬膜19的表面及背面露出銅晶體17,因此基板15會(huì)直接與銅晶體17接觸。因此，無氧金屬膜19和基板15的密合性低，當(dāng)基板15為硅基板時(shí)，引起銅的擴(kuò)散。與Cu相比，Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy的原子半徑小，且具有通過添加氧容易析出的性質(zhì)，因此在成膜時(shí)，含氧金屬膜14中銅晶體17外析出上述添加元素及添加元素的氧化物，在銅晶體17的界面形成含有添加元素及添加元素的氧化物的氧化膜18?；?5與氧化膜18接觸，且不與純銅的晶體的銅晶體17直接接觸，因此與無氧金屬膜19相比，含氧金屬膜14對(duì)基板15的密合性高，且銅不會(huì)擴(kuò)散至基板15。如此一來，含有氧和上述添加元素雙方的含氧金屬膜14雖然密合性和阻擋性優(yōu)異，但是與無氧金屬膜19相比電阻高，因此作為布線膜的電氣特性差。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在基板15表面形成含有氧和添加元素這雙方的金屬膜之后，在該金屬膜表面層疊電阻更低的金屬膜而形成布線膜，從而得到密合性和阻擋性優(yōu)異且電氣特性優(yōu)異的布線膜，以至完成本發(fā)明。根據(jù)相關(guān)的知識(shí)而完成的本發(fā)明是在成膜對(duì)象物的硅或二氧化硅露出的表面形成布線膜的布線膜的形成方法，向放置了上述成膜對(duì)象物的真空氣氛中導(dǎo)入氧氣和濺鍍氣體，在含有氧的真空氣氛中，濺鍍以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素的第一濺鍍靶，在上述成膜對(duì)象物表面形成第一金屬膜，然后在停止對(duì)放置了上述成膜對(duì)象物的真空氣氛導(dǎo)入氧氣的狀態(tài)下，濺鍍以銅為主成分的第二濺鍍靶，在上述第一金屬膜表面上形成第二金屬膜，蝕刻上述第一、第二金屬膜而形成上述布線膜。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，使用相同的靶以作為上述第一、第二的濺鍍靶，在相同真空槽內(nèi)部執(zhí)行上述第一金屬膜的成膜和上述第二金屬膜的成膜。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，作為上述第二濺鍍靶，使用以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添力口元素群選才爭(zhēng)的至少一種添加元素的靶，在分別不同的真空槽內(nèi)部配置上述第一、第二濺鍍靶，在上述分別不同的真空槽內(nèi)部執(zhí)行上述第一、笫二金屬膜的成膜。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，使用純銅耙作為上述第二濺鍍靶，在相同真空槽內(nèi)部配置上述第一、第二濺鍍靶，在上述真空槽內(nèi)部執(zhí)行上述第一金屬膜的成膜和上述第二金屬膜的成膜。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，使用純銅耙作為上述第二濺鍍靶，在分別不同的真空槽內(nèi)部配置上述第一、第二濺鍍靶，在上述分別不同的真空槽內(nèi)部執(zhí)行上述第一、第二金屬膜的成膜。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，形成上述第二金屬膜之后，向放置了上述成膜對(duì)象物的真空氣氛導(dǎo)入氧氣和濺鍍氣體，在含有氧的真空氣氛中，濺鍍以銅為主成分并含有,人Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb詳口Dy聲斤形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素的第三賊鍍耙，在上述第二金屬膜表面形成第三金屬膜之后，蝕刻上述第一至第三金屬膜。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，作為上述第二濺鍍耙，使用含有/人Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選4奪的至少一種添力口元素的輩巴。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，在分別不同的真空槽內(nèi)配置上述第一至第三濺鍍靶，在上述分別不同的真空槽內(nèi)形成上述第一至第三金屬膜。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，在相同的真空槽內(nèi)配置上迷第一、第三濺鍍靶，在上述相同的真空槽內(nèi)形成上述第一、第三金屬膜，在與上述第一、第三濺鍍靶不同的真空槽內(nèi)配置上述第二濺鍍靶，在上述不同的真空槽內(nèi)形成上述第二金屬膜。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，使用純銅靶作為上述第二濺鍍靶。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，在分別不同的真空槽內(nèi)配置上述第一至第三濺鍍靶，在上述分別不同的真空槽內(nèi)形成上述第一至第三金屬膜。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，在相同的真空槽內(nèi)配置上述第一、第三賊鍍靶，在上述相同的真空槽內(nèi)形成上述第一、第三金屬膜，在與上述第一、第三濺鍍把不同的真空槽內(nèi)配置上述第二濺鍍靶，在上述不同的真空槽內(nèi)形成上述第二金屬膜。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，作為上述第一濺鍍靶，使用含有Al為0.1原子％以上10.0原子％以下的靶，并導(dǎo)入氧氣，以使氧氣分壓對(duì)'賊鍍氣體分壓的比例成為0.1%以上20.0%以下，賊鍍上述第一濺鍍靶。在本發(fā)明的布線膜的形成方法中，作為上述第一濺鍍靶，使用含有Mg為0.1原子％以上10.0原子％以下的靶，并導(dǎo)入氧氣，以使上述真空氣氛的氧氣分壓對(duì)濺鍍氣體分壓的比例成為0.1%以上20.0%以下，濺鍍上述第一賊鍍靶。本發(fā)明為一種晶體管，具有柵電極；由半導(dǎo)所形成的漏極半導(dǎo)體層；和由半導(dǎo)體所形成的源極半導(dǎo)體層，以施加于上述柵電極的電壓，構(gòu)成切斷或?qū)ㄉ鲜雎O半導(dǎo)體層和上述源極半導(dǎo)體層之間，在上述漏極半導(dǎo)體層表面和上述源極半導(dǎo)層的表面中的任何一方或雙方上，形成以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素和氧的第一金屬膜，在上述各第一金屬金屬膜。在本發(fā)明的晶體管中，上述第一金屬膜含有氧為0.1原子％以上。在本發(fā)明的晶體管中，在上述第二金屬膜的表面，形成以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素和氧的第三金屬膜。本發(fā)明為一種晶體管，具有柵電極、由半導(dǎo)體所形成的漏極半導(dǎo)體層和由半導(dǎo)體所形成的源極半導(dǎo)體層，且構(gòu)成為以施加于上述柵電極的電壓，切斷或?qū)ㄉ鲜雎O半導(dǎo)體層和上述源極半導(dǎo)層之間，上述柵電極與玻璃基板接觸，其中，上述柵電極具有形成在上述玻璃基板表面的第一金屬膜和形成在上述第一金屬膜表面的第二金屬膜，上述第一金屬膜以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素和氧，上述第二金屬膜以銅為主成分且電阻比上述第一金屬膜低。在本發(fā)明的晶體管中，上述第一金屬膜含有氧為0.1原子％以上。在本發(fā)明的晶體管中，在上述第二金屬膜表面，形成以銅為主成分并含有從Mg、A、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添力口元素群選擇的至少一種添加元素和氧的第三金屬膜。本發(fā)明是一種具有晶體管的電子裝置，上述晶體管具有柵電極、由半導(dǎo)體所形成的漏極半導(dǎo)體層和由半導(dǎo)體所形成的源極半導(dǎo)體層，且構(gòu)成為以施加于上述柵電極的電壓，切斷或?qū)ㄉ鲜雎O半導(dǎo)體層和上述源極半導(dǎo)體層之間，在上述漏極半導(dǎo)體層表面和上述源極半導(dǎo)體層的表面中的任何一方或雙方上，形成以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素和氧的第一金屬膜，在上述各第一金屬膜表面分別形成以銅為主成分且電阻比上述第一金屬膜低的第二金屬膜。在本發(fā)明的電子裝置中，上述第一金屬膜含有氧O.l原子％以上。本發(fā)明是一種具有晶體管的電子裝置，上述晶體管具有柵電極、由半導(dǎo)體所形成的漏極半導(dǎo)體層和由半導(dǎo)體所形成的源極半導(dǎo)體層，且構(gòu)成為以施加于上述^t電^f及的電壓，切斷或?qū)ㄉ鲜雎┎偶鞍雽?dǎo)體層和上述源極半導(dǎo)體層之間，上述沖冊(cè)電極與玻璃基板接觸，上述柵電極具有形成在上述玻璃基板表面的第一金屬膜和形成在上述第一金屬膜表面的第二金屬膜，上述第一金屬膜以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素和氧，上述第二金屬膜以銅為主成分且電阻比上述第一金屬膜低。在本發(fā)明的電子裝置中，上述第一金屬膜中含有氧為0.1原子％以上。本發(fā)明是一種電子裝置，具有玻璃基板；配置在上述玻璃基板上的透明的像素電極；配置在上述像素電極上的液晶；配置在上述液晶上的透明的公共電極；以及密合于上述玻璃基板上的蓄積電極，在形成于上述像素電極和上述蓄積電極之間的液晶電容，連接將上述蓄積電極設(shè)為單側(cè)的電極的蓄積電容，以上述液晶電容的充放電控制上述液晶的取向，其中，上述蓄積電極具有形成在上述玻璃基板表面的第一金屬膜和形成在上述第一金屬膜表面的第二金屬膜，上述第一金屬膜以銅為主成分并含有/人Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素和氧，上述第二金屬膜是以銅為主成分且電阻比上述第一金屬膜低。在本發(fā)明的電子裝置中，上述第一金屬膜含有氧為0.1原子％以上。此外，在本發(fā)明中主成分是指含有作為主成分的元素為50原子％以上。因此，"以銅為主成分"是指"含有銅為50原子％以上"。本發(fā)明所使用的靶雖然有混入Cu和上述添加元素以外的元素(例如Mn)的雜質(zhì)的情形，但是雜質(zhì)元素的含有量為不足0.1原子％,通常為不足10—4原子％。使用這種靶而形成的本發(fā)明的布線膜為Cu和添加元素和氧以外的雜質(zhì)元素的含有量低于0.1原子％,通常不足10—4原子％。再者，在本發(fā)明中，純銅是指Cu以外的雜質(zhì)元素的含有量不足0.1原子％,通常指的是不足10—4原子％。濺鍍耙中的銅和添加元素的含有比例和使用該濺鍍靶而形成的金屬膜中的銅和添加元素的含有比例，在僅導(dǎo)入濺鍍氣體的真空氣氛下成膜時(shí)，和導(dǎo)入氧氣和賊鍍氣體這雙方的真空氣氛下成膜時(shí)相同，再者，即使改變氧氣的導(dǎo)入量，該含有比例也不改變。因此，若濺鍍添加元素對(duì)銅和添加元素之合計(jì)量的比例為0.1原子％以上10.0原子％以下的、賊鍍耙，則取得添加元素對(duì)銅和添加元素的合計(jì)量的比例為0.1原子％以上10.0原子％以下的金屬膜。(發(fā)明效果)由本發(fā)明所成膜的布線膜因?qū)杌虿ＡУ拿芎闲愿?、不引起銅擴(kuò)散至硅并且低電阻。形成布線膜時(shí)的圖案化因可以相同的蝕刻劑一次性進(jìn)行圖案化，故制造工序簡(jiǎn)單。圖1是用于說明一例本發(fā)明所使用的濺鍍裝置的剖視圖。圖2(a)至(c)是用于說明一例本發(fā)明的布線膜的形成工序的剖視圖。圖3是用于說明一例本發(fā)明的液晶顯示裝置的剖視圖。圖4是用于說明一例本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖5(a)、(b)是用于說明另一例本發(fā)明的布線膜的形成工序的剖—見圖。圖6是表示氧氣分壓的比例和電阻率關(guān)系的曲線圖(Al)。圖7(a)是模式性表示以Cu為主成分并含有Mg的金屬膜的剖視圖，(b)是模式性表示以Cu為主成分并含有Mg和氧的金屬膜的剖視圖。圖8是表示氧氣分壓的比例和電阻率的關(guān)系的曲線圖(Mg)。圖9是用于說明濺鍍裝置的第二例的剖視圖。圖IO是用于說明濺鍍裝置的第三例的剖視圖。(符號(hào)說明)2:真空槽；3:液晶顯示裝置；6:半導(dǎo)體裝置；11:濺鍍靶；31:玻璃基板；23:第一金屬膜；24:第二金屬膜；25:布線膜；36:像素電極；38:蓄積電極；40、60:晶體管(TFT);41:柵電極；42:漏電極；43:源電極；46:溝道半導(dǎo)體層；47:漏極半導(dǎo)體層；48:源極半導(dǎo)體層；55:公共電極。具體實(shí)施例方式圖1的符號(hào)1表示本發(fā)明所使用的第一例的濺鍍裝置，具有真空槽2。在真空槽2內(nèi)配置了以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr，Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種以上添加元素的濺鍍乾^11。在真空槽2連接有真空排氣系統(tǒng)9和氣體導(dǎo)入系統(tǒng)8,通過真空排氣系統(tǒng)9對(duì)真空槽2內(nèi)進(jìn)行真空排氣，在成為真空氣氛的狀態(tài)下搬入成膜對(duì)象物21,并在配置在真空槽2內(nèi)的基板支持器7上保持。濺鍍靶11與配置在真空槽2外部的電源5連接，若一面從氣體導(dǎo)入系統(tǒng)8導(dǎo)入'踐鍍氣體和氧氣，一面從電源5施加電壓至賊鍍靶11，在濺鍍靶11表面附近形成等離子體，并對(duì)賊鍍靶l(wèi)l進(jìn)行賊鍍，則釋放出構(gòu)成賊鍍耙11的物質(zhì)的粒子，到達(dá)成膜對(duì)象物21表面，形成以銅為主成分并含有氧及上述添加元素的第一金屬膜23(圖2(a))。當(dāng)?shù)谝唤饘倌?3形成為規(guī)定膜厚時(shí)，停止導(dǎo)入濺鍍氣體，以及一面持續(xù)真空排氣一面停止導(dǎo)入氧氣。在使真空槽2內(nèi)部的氧氣分壓成為比形成第一金屬膜23時(shí)更低的狀態(tài)下，若在相同的真空槽2內(nèi)濺鍍相同的濺鍍靶11,則在第一金屬膜23表面形成以銅為主成分并含有與第一金屬膜23中所包含的種類相同的添加元素且含氧量比第一金屬膜23少的第二金屬膜24。第二金屬膜24的成膜最好在使真空槽2內(nèi)的氧氣分壓成為零的真空排氣之后進(jìn)行，此時(shí)，形成不含有氧的第二金屬膜24。在將第二金屬膜24形成為規(guī)定膜厚之后，搬出至真空槽2外部，將第一、第二金屬膜23、24蝕刻成相同形狀，形成本發(fā)明的第一例的布線膜。圖2(c)為上述第一例的布線膜25的剖視圖，該布線圖25成為二層構(gòu)造。本發(fā)明中，第一金屬膜23和第二金屬膜24雙方皆以銅為主成分,且在形成布線膜25時(shí)，在第一、第二金屬膜23、24的疊層膜表面配置圖案制作的抗蝕劑層，若使用相同組分的蝕刻液(或是蝕刻氣體)獨(dú)刻疊層膜，則第一、第二金屬膜23、24被圖案制作成相同形狀。當(dāng)成膜對(duì)象物21為液晶顯示裝置的面板時(shí)，在成膜對(duì)象物21表面的一部分或全部，露出玻璃基板表面或硅等半導(dǎo)體層的表面。當(dāng)成膜對(duì)象物21為設(shè)置在集成電路或有機(jī)EL元件等的半導(dǎo)體裝置時(shí)，在成膜對(duì)象物21表面的一部分或全部，露出硅等半導(dǎo)體基板或半導(dǎo)體層的表面。即，在成膜對(duì)象物21表面露出玻璃和硅中的任何一方或雙方。第一金屬膜23含有上述添加元素和氧，與玻璃基板或硅的密合性高，由于第一金屬膜23和第二金屬膜24為以相同的銅為主成分的金屬膜，密合性相互變高。因此，由本發(fā)明成膜的布線膜25對(duì)于成膜對(duì)象物21的密合性高。圖3的符號(hào)3為具有本發(fā)明的布線膜的電子裝置(液晶顯示裝置)，具有TFT基板30和彩色濾光片基板50。該液晶顯示裝置3為有源型，TFT基板30具有玻璃基板31，在玻璃基板31上配置有TFT(薄膜晶體管)40和顯示像素35和蓄積電容器39。TFT40具有柵電極41、漏電極42和源電極43,蓄積電容器39具有蓄精電極38,顯示像素35具有像素電極36。才冊(cè)電才及41、漏電才及42、源電4及43、蓄積電才及38由上述布線膜25構(gòu)成。再者，TFT40具有柵極絕緣膜44、溝道半導(dǎo)體層46、漏極半導(dǎo)體層47和源極半導(dǎo)體層48。在溝道半導(dǎo)體層46的單面，漏極半導(dǎo)體層47和源極半導(dǎo)體層48與溝道半導(dǎo)體層46接觸地配置。漏極半導(dǎo)體層47和源極半導(dǎo)體層48-波此相互間隔開。在漏極半導(dǎo)體層47和源極半導(dǎo)體層48之間的位置的溝道半導(dǎo)體層46的相反側(cè)一面上，配置了柵極絕緣膜44和柵電極41。柵電極41和溝道半導(dǎo)體層46之間具有柵極絕緣膜44。在源極半導(dǎo)體層48和漏極半導(dǎo)體層47的表面，漏電極42和源電極43分別接觸地被配置。柵電極41、漏電極42和源電極43被導(dǎo)出至TFT40的外部，可施加來自外部電源的電壓。溝道半導(dǎo)體層46、漏極及源極半導(dǎo)體層47、48由非晶硅或多晶硅等所構(gòu)成。p型和n型導(dǎo)電型中，漏極半導(dǎo)體層47和源極半導(dǎo)體層48為相同的導(dǎo)電型，溝道半導(dǎo)體層46為與漏極半導(dǎo)體層47及源極半導(dǎo)體層48相同的導(dǎo)電型或相反的導(dǎo)電型。首先，就溝道半導(dǎo)體層46為與源才及及漏極半導(dǎo)體層47、48相同的導(dǎo)電型的情形進(jìn)行說明。成為低電阻。在漏電極42和源電極43之間施加動(dòng)作電壓的狀態(tài)下，若對(duì)柵電極41施加電壓，以在溝道半導(dǎo)體層46表面感應(yīng)出與漏極及源極半導(dǎo)體層48相同極性的電荷，則在溝道半導(dǎo)體層46的柵電極41上的部分形成低電阻的蓄積層，通過該蓄積層連接漏極半導(dǎo)體層47和源極半導(dǎo)體層48,TFT導(dǎo)通。在不施加4冊(cè)極電壓的期間不形成蓄積層，TFT40截止。接著，就溝道半導(dǎo)體層46與源極及漏電極47、48不同的導(dǎo)電型的情形進(jìn)行說明，則在漏電極42和源電極43之間施加動(dòng)作電壓的狀態(tài)下，若在溝道半導(dǎo)體層46表面，將感應(yīng)出與該溝道半導(dǎo)體層46相反極性的電荷的電壓施加至柵電極41，則在溝道半導(dǎo)體層46的柵電極41上的部分，形成與源極及漏電極47、48相同的導(dǎo)電型的反相層，通過該反相層連接漏極半導(dǎo)體層47和源極半導(dǎo)體層48，TFT導(dǎo)通。在不施加?xùn)艠O電壓的期間不形成反相層，TFT40截止。從顯示像素35延伸設(shè)置的像素電極36與源電極43的一部分表面接觸，源電極43與像素電極36電連接。像素電極36延伸設(shè)置至蓄積電容器39位置的部分，隔著絕緣膜(柵極絕緣膜44)，與配置在玻璃基板31上的蓄積電極38對(duì)置地配置，由對(duì)置的部分形成蓄積電容。因此，蓄積電容的電容器的一側(cè)電極為蓄積電極38，另一側(cè)電極為像素電極36，但是另一側(cè)電極并不限定于像素電極36，可為其它電極(例如公共電極55)。TFT基板30和彩色濾光片基板50僅以一定距離間隔開地配置，在它們之間封入液晶4。彩色濾光片基板50在與TFT40對(duì)置的位置上配置有黑矩陣52,在與顯示像素35對(duì)置的位置上配置有彩色濾光片53。在彩色濾光片基板50的至少與顯示像素35對(duì)置的部分上配置有公共電極55。像素電極36和公共電極55由ITO等透明的金屬膜構(gòu)成。TFT基板30和彩色濾光片基板50分別具有偏光片49、59。借助TFT40的導(dǎo)通和截止，在像素電極36和公共電極55之間被施加電壓時(shí)，顯示像素35上的液晶4的取向發(fā)生變化，變更通過液晶4的光的偏轉(zhuǎn)方向，控制照射至顯示像素35的光透射到液晶顯示裝置3外部和一皮遮斷。蓄積電容與形成于^象素電極36和公共電極55之間的液晶電容并聯(lián)連接，當(dāng)TFT40導(dǎo)通，且像素電極36和公共電極55之間的液晶電容經(jīng)由TFT40用電源電壓被充電時(shí)，蓄積電容也用電源電壓來充電。即使TFT40轉(zhuǎn)為截止，斷開對(duì)像素電極36的電源電壓，也因蓄積在蓄積電容的電荷而對(duì)像素電極36施加與TFT40導(dǎo)通時(shí)相同的電壓，維持顯示像素35上的液晶4的偏轉(zhuǎn)狀態(tài)。當(dāng)該液晶電容放電時(shí)，液晶4的偏轉(zhuǎn)狀態(tài)發(fā)生變化。蓄積電極38和柵電極41與玻璃基板31接觸，漏電極42和源電極43與半導(dǎo)體層(漏極半導(dǎo)體層47、源極半導(dǎo)體層48)接觸。蓄積電極38、柵電極41、漏電極42和源電極43由本發(fā)明的布線膜25構(gòu)成，第一金屬膜23與玻璃基板31或半導(dǎo)體層47、48接觸。因此，蓄積電極38及柵電極41和玻璃基板31之間的密合性高，漏電極42及源電極43和半導(dǎo)體層47、48之間的密合性也高。再者，在配置于第一金屬膜23上的第二金屬膜24不含有氧，且為低電阻，因此各電極膜的擴(kuò)展方向(與膜厚方向成直角的方向)的電阻為低電阻。本發(fā)明的電子裝置并不限定于液晶顯示裝置。圖4的符號(hào)6是本發(fā)明的電子裝置的另一例的半導(dǎo)體裝置的一部分，圖4中示出半導(dǎo)體裝置6的晶體管60。該晶體管60沒有配置于玻璃基板上，除了具有半導(dǎo)體基板(硅基板)61之外，還具有與上述圖3所示的TFT40相同的構(gòu)件，對(duì)于相同的構(gòu)件采用相同符號(hào)，并省略其說明。即使在該晶體管60中，源極半導(dǎo)體層48和漏極半導(dǎo)體層47的一部分表面露出，在露出的部分上分別密合源電極43的第一金屬膜23和漏電極42的第一金屬膜23。因此，對(duì)于漏電極42和源電極43的硅基板61的密合性高，且通過第一金屬膜23，也防止銅擴(kuò)散至硅基板61。還有，圖4的符號(hào)64是用于從柵電極41絕緣漏電極42及源電極43的絕緣膜，同圖的符號(hào)74為用于從硅基板61的源極半導(dǎo)體層48和漏極半導(dǎo)體層47以外的部位絕緣漏電極42及源電極43的絕緣膜。以上雖然針對(duì)通過相同的濺鍍靶11來形成第一、第二金屬膜23、24的情形予以說明，但是本發(fā)明并不限定于此。圖9的符號(hào)80表示第二例的賊鍍裝置，第二例的濺鍍裝置80包括第一真空槽2a;連接于第一真空槽2a的第二真空槽2b;配置在第一真空槽2a內(nèi)的第一濺鍍靶l(wèi)la;以及配置在第二真空槽2b內(nèi)的第二賊鍍耙llb。通過真空排氣系統(tǒng)9，在第一、第二真空槽2a、2b內(nèi)部形成真空氣氛，在維持該真空氣氛的狀態(tài)下，將成膜對(duì)象物21拍i入第一真空槽2a內(nèi)部，保持于基板支持器7a上。笫一濺鍍靶1la與第一例的濺鍍裝置1的濺鍍靶11同樣，以銅為主成分且含有添加元素。如上所述，若在第一真空槽lla內(nèi)部形成含有氧氣的真空氣氛，并濺鍍第一濺鍍靶l(wèi)la，則形成第一金屬膜23。將形成有第一金屬膜23的成膜對(duì)象物21從第一真空槽2a搬入第二真空槽2b,并保持于基板支持器7b上。一面對(duì)第二真空槽2a內(nèi)進(jìn)行真空排氣，一面導(dǎo)入賊鍍氣體，形成氧氣分壓比形成第一金屬膜23時(shí)低的真空氣氛，在該真空氣氛中濺鍍第二濺鍍靶l(wèi)lb，形成第二金屬膜24。第一例的濺鍍裝置1由于在相同的真空槽2內(nèi)部改變氧氣分壓而形成第一、第二金屬膜23、24，故在形成一個(gè)膜之后，至開始形成下一個(gè)膜的真空排氣需要花費(fèi)長時(shí)間。對(duì)此，第二例的濺鍍裝置80由于在不同真空槽形成第一、第二金屬膜23、24,就縮短了各真空槽的真空排氣所需的時(shí)間。當(dāng)?shù)诙R鍍靶l(wèi)ib以銅為主成分，且含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr,Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選一爭(zhēng)的至少一種添加元素時(shí)，形成以銅為主成分并添加有添加元素，且含氧量比第一金屬膜23少的第二金屬膜24。當(dāng)?shù)诙R鍍靶1lb為純銅靶時(shí)，形成以銅為主成分且沒有添加添加元素的第二金屬膜24,而且，若使濺鍍第二濺鍍靶l(wèi)lb時(shí)的氧分壓成為零，則形成由純銅構(gòu)成的第二金屬膜24。若將第一、第二金屬膜23、24圖案制作成相同形狀，則得到與圖2(c)的符號(hào)25所示的布線膜相同結(jié)構(gòu)的第二例的布線膜。由于純銅的電阻比含有添加元素的銅低，所以當(dāng)使用純銅耙作為第二賊鍍靶l(wèi)lb時(shí)，布線膜的電阻就更低。由純銅構(gòu)成的賊鍍耙可配置在與含有上述添加元素的濺鍍靶相同的濺鍍裝置的真空槽內(nèi)部。此時(shí)，在形成第一金屬膜23之后，停止對(duì)含有添加元素的濺鍍靶施加電壓，一面持續(xù)真空排氣，一面停止導(dǎo)入氧氣。若氧氣被排出，真空槽的內(nèi)部壓力下降至規(guī)定壓力，則一面將濺鍍氣體導(dǎo)入真空槽的內(nèi)部，一面濺鍍由純銅構(gòu)成的濺鍍輩巴，而形成第二金屬膜。如此一來，若在相同的真空槽內(nèi)部連續(xù)形成第一、第二金屬膜23、24,則因第一、第二金屬膜23、24不會(huì)接觸大氧氣氛而布線膜的膜質(zhì)量變佳。再者，通過本發(fā)明形成的布線膜并不限定于第一、第二金屬膜23、24的雙層構(gòu)造，即使在第二金屬膜24表面上形成1層以上以銅為主成分的金屬膜亦可。例如，在形成第二金屬膜24之后，在氧氣分壓比形成第二金屬膜24時(shí)高的真空氣氛中，濺鍍以Cu為主成分并含有1種以上的上述添加元素的濺《度靶11。在第二金屬膜24表面上，形成以Cu為主成分并含有氧和添加元素的第三金屬膜29(圖5(a))。第一第三金屬膜23、24、29分別以銅為主成分，因此可以使用相同成分的蝕刻劑(蝕刻液或蝕刻氣體)一起圖案制作而形成布線膜26(圖5(b))。由于在該布線膜26表面露出含有氧和添加元素的第三金屬膜29,在布線層26表面與ITO或Si02等氧化物密合時(shí)的密合性高，而使硅接觸于布線膜26表面時(shí)，不會(huì)引起金屬擴(kuò)散。該布線膜26可以用在上述柵電極41、漏電極42、源電極43和蓄積電才及38中的任一電才及上。尤其，如液晶顯示裝置3的源電極43那樣，在表面密合ITO或ZnO等的金屬氧化膜(像素電極36)時(shí)，若有表面上含有氧的第三金屬膜29，則不會(huì)使氧從像素電極36移動(dòng)至源電極43，第二金屬膜24不會(huì)氧化，因此源電極43的電阻不會(huì)上升。第一至第三的金屬膜23、24、29即使在相同的真空槽內(nèi)部濺鍍相同的濺鍍靶11而形成亦可，也可在相同真空槽內(nèi)部濺鍍不同的賊鍍靶。再者，可在第一至第三金屬膜23、24、29中，至少在與第一、第三金屬膜23、29不同的真空槽內(nèi)部形成第二金屬膜24。具體而言，使用上述第二例的濺鍍裝置80,在第一真空槽lla內(nèi)部形成第一金屬膜23,且在第二真空槽lib內(nèi)部形成第二金屬膜24之后，使成膜對(duì)象物21從第二真空槽llb返回至第一真空槽lla。將氧氣和濺鍍氣體導(dǎo)入第一真空槽lla內(nèi)部，形成氧氣分壓比形成第二金屬膜24時(shí)高的真空氣氛，在該真空氣氛中濺鍍第一濺鍍靶l(wèi)la形成第三金屬膜29。而且，在分別不同的真空槽內(nèi)部形成各金屬膜亦可。圖10的符號(hào)90表示第三例的賊鍍裝置，該賊鍍裝置90除了第一、第二真空槽lla、llb之外，還具有連接于第二真空槽llb的第三真空槽llc。與使用第二例的賊鍍裝置80時(shí)同樣地，在第一真空槽lla內(nèi)部形成第一金屬膜23，且在第二真空槽lib內(nèi)部形成第二金屬膜24之后，將成膜對(duì)象物21搬入事先形成真空氣氛的第三真空槽llc中，并保持于基板支持器7c上。在第三真空槽2c內(nèi)部配置有以銅為主成分并含有,人Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素的第三賊鍍輩巴llc。一面對(duì)第三真空槽2c內(nèi)部進(jìn)行真空排氣，一面從氣體導(dǎo)入系統(tǒng)8導(dǎo)入濺鍍氣體和氧氣，形成氧氣分壓比形成第二金屬膜24時(shí)高的真空氣氛，若濺鍍第三賊鍍耙llc,則形成第三金屬膜29。對(duì)于在相同真空槽2內(nèi)形成第一至第三金屬膜23、24、29，需要在真空槽內(nèi)交互形成氧氣分壓不同的真空氣氛，自結(jié)束一個(gè)膜的成膜，至形成下一個(gè)膜的真空排氣需要長時(shí)間。對(duì)此，第二、第三例的濺鍍裝置80、90至少在不同的真空槽中形成第二金屬膜24，因此真空排氣不需要長時(shí)間。再者，為了降低布線膜25、26全體的電阻，使第二金屬膜24比第一、第三的金屬膜23、29厚。因此，第二金屬膜24的成膜時(shí)間比第一、第三金屬膜23、29的成膜時(shí)間長。如第二、第三例的濺鍍裝置80、90那樣，如果在專用真空槽形成成膜需要花費(fèi)長時(shí)間的金屬膜，就會(huì)提升生產(chǎn)性。并且，如第三例的賊鍍裝置90那樣，如果使真空槽2a-2c的數(shù)量與構(gòu)成布線膜25、26的銅膜的數(shù)量相同，在專用的真空槽2a至2c內(nèi)形成各銅膜，就會(huì)進(jìn)一步提升生產(chǎn)性。如圖9所示，第二例的濺鍍裝置80可與第一、第二真空槽2a、2b直接連接，也可以將第一、第二真空槽2a、2b連接于相同的搬運(yùn)室，經(jīng)由該搬運(yùn)室在第一、第二真空槽2a、2b之間搬出/搬入成膜對(duì)象物21。再者，如圖10所示，第三例的濺鍍裝置90可將第一至第三的真空槽2a2c串聯(lián)連接，并經(jīng)由第二真空槽2b，將成膜對(duì)象物21從第一真空槽2a搬運(yùn)至第三真空槽2c。而且，也可將第一至第三真空槽2a~2c連接于相同的搬運(yùn)室，經(jīng)由該搬運(yùn)室在第一至第三真空槽2a~2c之間搬出/搬入成膜對(duì)象物21。在任一情形中，由于成膜對(duì)象物21不與大氣接觸而在真空槽間移動(dòng)，所以得到膜質(zhì)量佳的布線膜25、26。在電子裝置為半導(dǎo)體裝置6的場(chǎng)合，漏極半導(dǎo)體層47、源極半導(dǎo)體層48和溝道半導(dǎo)體層46是向硅基板61擴(kuò)散雜質(zhì)而形成，而在電子裝置為液晶顯示裝置的場(chǎng)合，是在玻璃基板31表面上通過CVD法等附著硅等的半導(dǎo)體而形成。再者，柵極絕緣膜44等的絕緣膜由氮化硅等的氮化膜、氧化硅等的氧化膜構(gòu)成。以上，說明了由通過本發(fā)明成膜的布線膜25分別構(gòu)成柵電極41、漏電極42、源電極43和蓄積電極38的情形，但是本發(fā)明并不限定于此，只要由通過本發(fā)明形成的布線膜25構(gòu)成柵電極41、漏電極42、源電極43和蓄積電極38中的任意一個(gè)以上電極即可。但是，如上所述，直接接觸玻璃基板或硅基板或半導(dǎo)體層的電極最好由通過本發(fā)明形成的布線膜25構(gòu)成。以上，雖然針對(duì)僅使濺鍍耙11含有添加元素Al的場(chǎng)合予以說明，但是本發(fā)明并不限定于此。除A1以外，還可使用含有從Mg、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選4奪的至少一種以上添加金屬的賊鍍耙而執(zhí)行成膜，形成含有Al以外的添加元素的金屬膜。再者，可以使相同的濺鍍靶含有2種以上的添加元素，形成含有2種以上的添加元素的金屬膜。如圖5(a)、(b)所示，在疊層3層以上金屬膜時(shí)，在形成第一第三金屬膜23、24、29時(shí)所使用的濺鍍靶可以相同，也可使用分別含有不同添加元素的'踐鍍耙。實(shí)施例1使用玻璃基板和硅基板作為成膜對(duì)象物21，組合賊鍍耙的添加元素(Al)含有量(0.1原子％、2.0原子％、10.0原子％)、濺鍍時(shí)的氧氣分壓對(duì)濺鍍氣體(Ar)分壓的比例(O、0.1%、3.0%、10.0%、20.0%)和成膜后的退火處理的溫度(無退火、350°C、450°C)的成膜條件，以各組合在成膜對(duì)象物21表面形成單層的金屬膜。并且，濺鍍氣體的導(dǎo)入量在氧氣的導(dǎo)入量為零、僅導(dǎo)入'踐鍍氣體(Ar)時(shí)，設(shè)定為使真空槽2內(nèi)部的全壓成為0.4Pa。在各組合中，不改變?yōu)R鍍氣體的導(dǎo)入量，使濺鍍氣體分壓成為一定值(0.4Pa)。氧氣分壓對(duì)賊鍍氣體分壓的比例，為以氧氣分壓除以賊鍍氣體分壓(0.4Pa)的值上乘于100的值。<密合性試驗(yàn)〉對(duì)于形成于玻璃基板表面的金屬膜中，以記載于下述表l的組合形成膜的金屬膜，利用前端銳利的切刀在金屬膜劃上10行xl0列合計(jì)100個(gè)lmm邊的方格，在將貼粘接帶(型號(hào)610的透明膠帶)后，計(jì)數(shù)在剝離膠帶時(shí)所殘留的膜的個(gè)數(shù)。將該結(jié)果記載于下述表1。表l:密合性試驗(yàn)<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>并且，金屬膜從玻璃基板全部剝離的情形為0/100,1個(gè)也沒有剝離的情形為100/100,成為分子的數(shù)越大密合性越高。由上述表1可知即使Al含有量相同，氧氣的比例越大密合性就越高，再者，即使氧氣的比例相同，Al含有量越多密合性也越高。即使濺鍍靶的Al含有量為較少的0.1原子％,若氧比例為10.0%以上，則不引起金屬膜的剝離。因此，推測(cè)濺鍍靶的Al含有量即使為較少的0.1原子％，若在賊鍍時(shí)氧氣導(dǎo)入量超過10%,則不會(huì)引起金屬膜的剝離。<電阻率測(cè)量〉測(cè)量形成于玻璃基板表面的金屬膜中，以記載于下述表2的成膜條件的組合來形成的金屬膜的電阻率。將該測(cè)量結(jié)果記載于下述表2。表2:電阻率<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>圖6為由測(cè)量結(jié)果所求出的氧氣分壓的比例和電阻率的關(guān)系的曲線圖，符號(hào)L!所示的曲線為使用Al含有量為2.0原子％的濺鍍耙的情形，同圖的符號(hào)L2所示的曲線為使用添加元素含有量為零(純銅)的濺鍍靶的情形。由上述表2、圖6可知，在不導(dǎo)入氧氣時(shí)，純銅和A1含有金屬膜的電阻值為同等，即使不改變耙的Al含有量，氧氣分壓的比例越高電阻率也就越上升。Al的原子半徑比Cu小，因此僅以濺鍍氣體所形成的膜在Cu的晶界析出Al,隨著氧分壓的增加，所析出的Al積極地被氧化，因此電阻值與氧氣分壓增加同時(shí)上升。再者，如上述表2可知，即使氧氣分壓的比例相同，Al含有量越增加電阻率就越上升。即使氧氣分壓的比例相同，Al含有量越增加，電阻率也就越上升。當(dāng)比較以氧氣分壓為零、Al含有量為零的組合來形成的金屬膜的電阻率，和以氧氣分壓為零、含有Al時(shí)的組合來形成的金屬膜的電阻率時(shí)，若氧氣分壓為零，則Al含有量即使為較多的10原子％時(shí)，電阻率也相等。并且，當(dāng)觀看表2時(shí)，濺鍍靶的Al含有量為10原子％,氧氣分壓的比例為20.0%時(shí)的電阻率(49.7jiQcm)為最大值，該值為可作為上述布線膜的第一金屬膜23使用的上限值。<阻擋性〉針對(duì)形成于硅基板表面的金屬膜中以下述表3所示的成膜條件的組合所形成的金屬膜，調(diào)查硅基板有無金屬擴(kuò)散。將該結(jié)果記載于下述表3。表3:阻擋性<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>由上述表3確認(rèn)了沒有添加氧時(shí)金屬擴(kuò)散至硅基板，可知通過添加氧，可防止金屬散至硅基板。再者，即使針對(duì)形成于硅基板表面的金屬膜，也有Al含有量越多密合性就越高的傾向，而且可由此傾向得知若使用含有Al的濺鍍靶且導(dǎo)入氧而執(zhí)行濺鍍，則能得到對(duì)于硅基板的密合性高且對(duì)于硅基板的阻擋性也優(yōu)異的金屬膜。還有，以上針對(duì)Al,改變含有量和氧分壓，調(diào)查電阻率和密合性，即使針對(duì)Al以外的添加元素，濺鍍靶11中的含有量若為0.1原子％以上，則金屬膜的密合性高，濺鍍靶l(wèi)l中的含有量為10原子％、氧氣分壓的比例為20.0%，則金屬膜的電阻率成為可使用的上限值以下。再者，即使針對(duì)阻擋性，在使用含有Al以外的添加元素的濺鍍靶11時(shí)，若在濺鍍時(shí)導(dǎo)入氧氣，則不會(huì)引起硅基板的銅擴(kuò)散。<添加元素種類>組合含有下述表4所示的添加元素的濺鍍靶11、退火溫度(350。C,450°C)和氧氣分壓對(duì)濺鍍氣體分壓的比例(5.0%、7.5%、10.0%)的成膜條件而在玻璃基板表面形成單層金屬膜，針對(duì)各金屬膜執(zhí)行上述"密合性試驗(yàn)"和"電阻率測(cè)定"。在下述表4記載測(cè)量結(jié)果和成膜條件。表4:添加元素的種類<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>由上述表4可知，即使針對(duì)Al以外的元素，若在濺鍍時(shí)導(dǎo)入氧氣，則金屬膜不會(huì)剝離、密合性高。再者，各金屬膜的電阻率也在可作為布線膜的基底層使用的范圍。<膜組成>針對(duì)分別含有0.2原子％的添加元素Al、Si、Sc、Y和Ce的'踐鍍靶l(wèi)l，以在下述表5至表9記載的添加元素的含有量、氧氣分壓對(duì)濺鍍分壓的比例的成膜條件組合，形成單層金屬膜。針對(duì)所形成的M屬膜，用XPS法(X線電子分光法)分別測(cè)量氧的含有量。將該測(cè)量結(jié)果記載于下述表5至表9。表5:膜組成(Cu-Al)<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>表6:膜組成(Cu-Si)<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>表7:膜組成(Cu-Sc)<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>表8:膜組成(Cu-Y)<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>表9:膜組成(Cu-Ce)<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>由表5至表9中的任一添加元素的場(chǎng)合，都確認(rèn)出濺鍍時(shí)氧氣分壓越高，金屬膜所含的氧原子量變多。接著，就添加元素為Mg時(shí)的實(shí)施例進(jìn)行說明。實(shí)施例2使用玻璃基板和硅基板作為成膜對(duì)象物21，組合濺鍍靶的Mg含有量(零、0.1原子％、0.2原子％、10.0原子％)、濺鍍時(shí)的氧氣分壓對(duì)濺鍍氣體分壓(Ar)的比例(零、0.1%、3.0%、10.0%、20.0%)，和成膜后的退火處理溫度(無退火、350°C、450°C)的成膜條件，以各組合在成膜對(duì)象物21表面形成單層的金屬膜。此外，賊鍍氣體的導(dǎo)入量在氧氣的導(dǎo)入量為零、僅導(dǎo)入濺鍍氣體(Ar)時(shí)，設(shè)定為使真空槽2內(nèi)部的全壓成為0.4Pa。在各組合中，不改變賊鍍氣體的導(dǎo)入量，使濺鍍氣體分壓成為一定值(0.4Pa)。氧氣分壓對(duì)賊鍍氣體分壓的比例為氧氣分壓除以濺鍍氣體分壓(0.4Pa)的值上乘以100的值。<密合性試驗(yàn)〉在形成于玻璃基板表面的各金屬膜，用前端銳利的切刀在各金屬膜劃出10行x10列合計(jì)100個(gè)lmm邊的方才各，貼粘接帶(型號(hào)610的透明膠帶)，計(jì)數(shù)在剝離膠帶時(shí)所殘留的膜的個(gè)數(shù)。將該結(jié)果記載于下述表10。表10:密合性試驗(yàn)<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>此外，金屬膜從玻璃基板全部剝離的情形為0/100,—個(gè)也沒有剝離的情形為100/100，成為分子的數(shù)越大密合性越高。由上述表10可知即使Mg含有量相同，氧氣的比例越大密合性就越大，再者，即使氧氣的比例相同，Mg含有量越多密合性就越高。即使濺鍍靶的Mg含有量為較少的0.1原子％，如果氧比例在10.0%以上，就不引起金屬膜的剝離。因此，推測(cè)濺鍍靶的Mg含有量即使少于0.1原子％，如果在賊鍍時(shí)氧氣導(dǎo)入量超過10%,就不會(huì)引起金屬膜的剝離。<電阻率測(cè)量〉針對(duì)形成于玻璃基板表面的金屬膜中，濺鍍靶的Mg含有量(0.1原子％、0.2原子％、10.0原子％)、濺鍍時(shí)的濺鍍氣體分壓對(duì)氧氣分壓的比例(零、1.0%、3.0%、10.0%、20.0%)、退火溫度為350。C的組合，測(cè)量金屬膜的電阻率。將該測(cè)量結(jié)果記載于下述表ll。表ll:電阻率<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>圖8為由測(cè)量結(jié)果所求出的氧氣分壓的比例和電阻率的關(guān)系的曲線圖，符號(hào)L！所示的曲線為使用Mg含有量為2.0原子％的賊鍍靶的情形。此外，圖8中以曲線L2記載使用Mg含有量為零(純銅)的濺鍍靶時(shí)的氧氣分壓的比例和電阻率的關(guān)系。由上述表ll、圖8可知，即使不改變靶的Mg含有量，氧氣分壓比例越高電阻率越上升，由上述表11可知，即使氧氣分壓的比例相同，Mg含有量越增加電阻率越上升。氧氣分壓為零，以Mg含有量為零的組合所形成的金屬膜的電阻率為2.3jaDcm,與濺鍍靶含有Mg時(shí)的測(cè)量結(jié)果相比，氧氣分壓若為零，即使Mg含有量為較多的10原子％,電阻值也相等。此外，當(dāng)觀看表ll時(shí)，濺鍍靶的Mg含有量為10原子％、氧氣分壓的比例為20.0%時(shí)的電阻率(43.8pQcm)為最大值，該值為可作為上述布線膜的第一金屬膜23使用的上限值。<阻擋性>針對(duì)形成于硅基板表面的金屬膜中，以濺鍍靶的Mg含有量為零、0.1原子％、2.0原子％、10.0原子％;濺鍍時(shí)的氧氣分壓對(duì)濺鍍氣體分壓的比例為零、0.1%、3.0%、10.0%、20.0%;退火溫度為450。C的組合所形成的金屬膜，調(diào)查有無硅基板的金屬擴(kuò)散。將該結(jié)果記載于下述表12。表12:阻擋性<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>由上述表12確認(rèn)出在沒有添加氧的情形下金屬擴(kuò)散至硅基板,可知通過添加氧可防止金屬擴(kuò)散至硅基板。再者，即使針對(duì)形成于硅基板表面的金屬膜，也有Mg含有量越多密合性越高的傾向，由此傾向可知如果使用含有Mg的濺鍍靶，且導(dǎo)入氧執(zhí)行濺鍍，就能得到對(duì)硅基板的密合性高且對(duì)于硅基板的阻擋性也優(yōu)異的金屬膜。<膜組成〉使用Mg含有量為2.0原子％的濺鍍靶，改變氧氣分壓對(duì)濺鍍氣體分壓的比例為0.1%、5.0%、10.0%、15.0%而形成4種金屬膜。針對(duì)所形成的金屬膜，用XPS法(X線電子分光法)測(cè)量氧原子的含有量。將該測(cè)量結(jié)果記載于下述表13。表13:氧原子含有量<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>由上述表13確認(rèn)出濺鍍時(shí)的氧氣分壓越高，金屬膜所含的氧原子的量變多。當(dāng)氧氣分壓對(duì)濺鍍分壓的比例為0.1%以上時(shí)，金屬膜所含的氧原子的量則為0.1原子％以上。如表1所示，可知若氧氣分壓為0.]%以上，由于取得阻擋性優(yōu)異的結(jié)果，故含氧量為0.1原子％以上的金屬膜為密合性、阻擋性優(yōu)異。權(quán)利要求1.一種在成膜對(duì)象物的硅或二氧化硅露出的表面形成布線膜的布線膜的形成方法，其中，向放置了上述成膜對(duì)象物的真空氣氛中導(dǎo)入氧氣和濺鍍氣體，在含有氧的真空氣氛中，濺鍍以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素的第一濺鍍靶，在上述成膜對(duì)象物表面形成第一金屬膜，然后在停止對(duì)放置了上述成膜對(duì)象物的真空氣氛導(dǎo)入氧氣的狀態(tài)下，濺鍍以銅為主成分的第二濺鍍靶，在上述第一金屬膜表面上形成第二金屬膜，蝕刻上述第一、第二金屬膜而形成上述布線膜。2.如權(quán)利要求1所迷的布線膜的形成方法，其中，使用相同的靶以作為上述第一、第二的賊鍍耙，在相同真空槽內(nèi)部執(zhí)行上述第一金屬膜的成膜和上述第二金屬膜的成膜。3.如權(quán)利要求1所述的布線膜的形成方法，其中，作為上述第二濺鍍靶，使用以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選纟奪的至少一種添加元素的靶，在分別不同的真空槽內(nèi)部配置上述第一、第二賊鍍耙，在上述分別不同的真空槽內(nèi)部執(zhí)行上述第一、第二金屬膜的成膜。4.如權(quán)利要求1所述的布線膜的形成方法，其中，使用純銅靶作為上述第二賊鍍靶，在相同真空槽內(nèi)部配置上述第一、第二濺鍍靶，在上述真空槽內(nèi)部執(zhí)行上述第一金屬膜的成膜和上述第二金屬膜的成膜。5.如權(quán)利要求1所述的布線膜的形成方法，其中，爿使用純銅靶作為上述第二賊鍍靶，在分別不同的真空槽內(nèi)部配置上述第一、第二濺鍍靶，在上述分別不同的真空槽內(nèi)部執(zhí)行上述第一、第二金屬膜的成膜。6.如權(quán)利要求1所述的布線膜的形成方法，其中-,形成上述第二金屬膜之后，向放置了上述成膜對(duì)象物的真空氣氛導(dǎo)入氧氣和濺鍍氣體，在含有氧的真空氣氛中，濺鍍以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素的第三濺鍍靶，在上述第二金屬膜表面形成第三金屬膜之后，蝕刻上述第一至第三金屬膜。7.如權(quán)利要求6所述的布線膜的形成方法，其中，作為上述第二賊鍍靶，使用含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素的靶。8.如權(quán)利要求7所述的布線膜的形成方法，其中，在分別不同的真空槽內(nèi)配置上述第一至第三濺鍍草巴，在上述分別不同的真空槽內(nèi)形成上述第一至第三金屬膜。9.如權(quán)利要求7所述的布線膜的形成方法，其中，在相同的真空槽內(nèi)配置上述第一、第三賊鍍靶，在上述相同的真空槽內(nèi)形成上述第一、第三金屬膜，在與上述第一、第三濺鍍靶不同的真空槽內(nèi)配置上述第二濺鍍靶，在上述不同的真空槽內(nèi)形成上述第二金屬膜。10.如權(quán)利要求6所述的布線膜的形成方法，其中，使用純銅靶作為上述第二賊鍍耙。11.如權(quán)利要求IO所述的布線膜的形成方法，其中，在分別不同的真空槽內(nèi)配置上述第一至第三濺鍍靶，在上述分別不同的真空槽內(nèi)形成上述第一至第三金屬膜。12.如權(quán)利要求IO所述的布線膜的形成方法，其中，在相同的真空槽內(nèi)配置上述第一、第三賊鍍靶，在上述相同的真空槽內(nèi)形成上述第一、第三金屬膜，在與上述第一、第三濺鍍靶不同的真空槽內(nèi)配置上述第二濺鍍靶，在上述不同的真空槽內(nèi)形成上述第二金屬膜。13.如權(quán)利要求1所述的布線膜的形成方法，其中，作為上述第一'賊鍍靶，使用含有Al為0.1原子％以上10.0原子％以下的耙，導(dǎo)入氧氣，以使氧氣分壓對(duì)賊鍍氣體分壓的比例成為0.1%以上20.0%以下，濺鍍上述第一賊鍍耙。14.如權(quán)利要求1所述的布線膜的形成方法，其中，作為上述第一濺鍍靶，使用含有Mg為0.1原子％以上10.0原子%以下的輩巴，導(dǎo)入氧氣，以使上述真空氣氛的氧氣分壓對(duì)濺鍍氣體分壓的比例成為0.1%以上20.0%以下，賊鍍上述第一賊4度靶。15.—種晶體管，其中包括柵電極；由半導(dǎo)所形成的漏極半導(dǎo)體層；和由半導(dǎo)體所形成的源極半導(dǎo)體層，以施加于上述柵電極的電壓，構(gòu)成切斷或?qū)ㄉ鲜雎O半導(dǎo)體層和上述源極半導(dǎo)體層之間，在上述漏極半導(dǎo)體層表面和上述源極半導(dǎo)層的表面中的任何一方或雙方上，形成以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選擇的至少一種添加元素和氧的第一金屬膜，在上述各第一金屬膜表面分別形成以銅為主成分且電阻值比上述第一金屬膜低的第二金屬膜。16.如權(quán)利要求15所述的晶體管，其中，上述第一金屬膜含有氧為0.1原子％以上。17.如權(quán)利要求15所述的晶體管，其中，在上述第二金屬膜的表面，形成以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選4奪的至少一種添加元素和氧的第三金屬膜。18.—種晶體管，包括柵電極；由半導(dǎo)體所形成的漏極半導(dǎo)體層；和由半導(dǎo)體所形成的源極半導(dǎo)體層，且構(gòu)成為以施加于上述^^電;f及的電壓，切斷或?qū)ㄉ鲜雎┎偶鞍雽?dǎo)體層和上述源極半導(dǎo)層之間，上述柵電極與玻璃基板接觸，其中，上述柵電極具有形成在上述玻璃基板表面的第一金屬膜和形成在上述第一金屬膜表面的第二金屬膜，上述第一金屬膜以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選4奪的至少一種添加元素和氧，上述第二金屬膜以銅為主成分且電阻比上述第一金屬膜低。19.如權(quán)利要求18所述的晶體管，其中，上述第一金屬膜含有氧為0.1原子％以上。20.如權(quán)利要求18所述的晶體管，其中，在上述第二金屬膜表面，形成以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選一奪的至少一種添加元素和氧的第三金屬膜。21.—種具有晶體管的電子裝置，其中，上述晶體管具有柵電極、由半導(dǎo)體所形成的漏極半導(dǎo)體層、和由半導(dǎo)體所形成的源極半導(dǎo)體層，且構(gòu)成為以施加于上述4冊(cè)電極的電壓，切斷或?qū)ㄉ鲜雎┎偶鞍雽?dǎo)體層和上述源極半導(dǎo)體層之間，一方或雙方上，形成以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選纟奪的至少一種添加元素和氧的第一金屬膜，在上述各第一金屬膜表面分別形成以銅為主成分且電阻比上述第一金屬膜低的第二金屬膜。22.如權(quán)利要求21所述的電子裝置，其中，上述第一金屬膜含有氧O.l原子％以上。23.—種具有晶體管的電子裝置，其中，上述晶體管具有l(wèi)f電極、由半導(dǎo)體所形成的漏極半導(dǎo)體層、和由半導(dǎo)體所形成的源極半導(dǎo)體層，且構(gòu)成為以施加于上述柵電極的電壓，切斷或?qū)ㄉ鲜雎O半導(dǎo)體層和上述源極半導(dǎo)體層之間，上述柵電極與玻璃基板接觸，上述柵電極具有形成在上述玻璃基板表面的第一金屬膜和形成在上述第一金屬膜表面的第二金屬膜，上述第一金屬膜以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選4爭(zhēng)的至少一種添加元素和氧，上述笫二金屬膜以銅為主成分且電阻比上述第一金屬膜低。24.如權(quán)利要求23所述的電子裝置，其中，上述第一金屬膜中含有氧為0.1原子％以上。25.—種電子裝置，具有玻璃基板；配置在上述玻璃基板上的透明的像素電極；配置在上述像素電極上的液晶；配置在上述液晶上的透明的公共電極；以及密合于上述玻璃基板上的蓄積電極，在形成于上述像素電極和上述蓄積電極之間的液晶電容，連接將上述蓄積電極設(shè)為單側(cè)的電極的蓄積電容，以上述液晶電容的充放電控制上述液晶的取向，其中，上述蓄積電極具有形成在上述玻璃基板表面的第一金屬膜和形成在上述第一金屬膜表面的第二金屬膜，上述第一金屬膜以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群選一奪的至少一種添加元素和氧，上述第二金屬膜是以銅為主成分且電阻比上述第一金屬膜低。26.如權(quán)利要求25所述的電子裝置，其中，上述第一金屬膜含有氧為0.1原子％以上。全文摘要形成密合性和阻擋(barrier)性優(yōu)異、電阻值低的布線膜。向配置了成膜對(duì)象物21的真空槽2導(dǎo)入氧氣，在包含氧的真空氣氛中，濺鍍以銅為主成分并含有從Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成添加元素群選擇的至少一種添加元素的濺鍍靶11，在成膜對(duì)象物21表面形成第一金屬膜23，然后在停止導(dǎo)入氧氣的狀態(tài)下，對(duì)濺鍍靶11進(jìn)行濺鍍，在第一金屬膜23表面形成第二金屬膜24之后，蝕刻第一、第二金屬膜23、24而形成布線膜。文檔編號(hào)H01L21/3205GK101529566SQ20078004040公開日2009年9月9日申請(qǐng)日期2007年12月26日優(yōu)先權(quán)日2006年12月28日發(fā)明者增田忠,武井應(yīng)樹,浮島禎之,片桐弘明,石橋曉,谷典明,高橋明久,高澤悟申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛發(fā)科