專利名稱：小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及通訊模塊，特別是關(guān)于一種用于制作小型化通 訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
通訊模塊是應(yīng)用于具有無線通訊功能的裝置中，隨著市場的需 求，電子產(chǎn)品以精巧化以及多功能為訴求(例如行動電話、PDA)，
使產(chǎn)品在設(shè)計時體積逐漸趨于縮小化?，F(xiàn)有通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)是以 堆疊方式進行封裝，通訊模塊經(jīng)由迭加一承載基板而可再迭加其它的 電路模塊，以達到增加功能的目的。
但是，由于無線通訊模塊體積逐漸趨向小型化，對于散熱的要
求也相對提高?，F(xiàn)有通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)是透過空氣進行散熱；然而， 空氣在室溫下的熱傳導(dǎo)系數(shù)(thermal conductivity)約為0.025 (W/m*K)，若考慮到現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)的模塊之間概呈封閉空間，空氣 不容易產(chǎn)生對流，蓄熱的空氣往往不能及時排出，使該封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部 開始累積熱能，以致不能有效進行散熱；因此，現(xiàn)有通訊模塊的封裝 結(jié)構(gòu)大多不能達到快速散熱的目的，具有散熱效果不佳的問題。再者， 現(xiàn)有通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)僅透過焊墊連結(jié)模塊以及承載基板，在結(jié)構(gòu) 強度上過于薄弱，容易于撞擊或摔落時因承受過大的局部應(yīng)力而毀 損，具有結(jié)構(gòu)強度較差的缺點。
綜上所陳，現(xiàn)有通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)具有上述缺失而有待改進。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的主要目的在于提供一種小型化通訊模塊的封裝結(jié) 構(gòu)，其能夠提高通訊模塊的散熱效果，且兼具有提高結(jié)構(gòu)強度的特色。
為達成上述目的，本實用新型提供一種小型化通訊模塊的封裝 結(jié)構(gòu)，其是裝設(shè)于一主機板，該封裝結(jié)構(gòu)包含有一模塊基板、 一承載
基板以及一導(dǎo)熱層；其中，該模塊基板是具有一頂面、 一底面以及至 少一芯片，該芯片至少設(shè)于該頂面以及該底面其中之一；該承載基板 是具有一上承載面以及一下承載面，該承載基板的上承載面是與該模 塊基板的底面結(jié)合且電性連接，該承載基板的下承載面可供電性連接 該主機板，該承載基板的上承載面以及下承載面是貫穿形成一鏤空 區(qū)；該導(dǎo)熱層是由非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料填滿該鏤空區(qū)所形成。
一種小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其是裝設(shè)于一主機板，其中 該封裝結(jié)構(gòu)包含有
一第一模塊基板，是具有一頂面、 一底面以及至少一芯片，該 芯片至少設(shè)于該第一模塊基板的頂面以及底面其中之一；
一第一承載基板，是具有一上承載面以及一下承載面，該第一 承載基板的上承載面是與該第一模塊基板的底面結(jié)合且電性連接，該 第一承載基板的下承載面供電性連接該主機板，該第一承載基板的上 承載面以及下承載面是貫穿形成一第一鏤空區(qū)；
一第一導(dǎo)熱層，是由非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料填滿該第一承載基板的 第一鏤空區(qū)所形成；
一第二承載基板，是具有一上承載面以及一下承載面，該第二 承載基板的下承載面是與該第一模塊基板的頂面結(jié)合且電性連接，該
第二承載基板的上承載面以及下承載面是貫穿形成一第二鏤空區(qū)；
一第二模塊基板，具有一頂面、 一底面、至少一芯片，該芯片
至少設(shè)于該第二模塊基板的頂面以及底面其中之一，該第二模塊基板
的底面是與該第二承載基板的上承載面結(jié)合且電性連接；以及
一第二導(dǎo)熱層，是由非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料填滿該第二承載基板的
第二鏤空區(qū)所形成。
本實用新型的有益效果是，所提供的一種小型化通訊模塊的封
裝結(jié)構(gòu)，其運用非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料進行封裝，能夠提高通訊模塊的散
熱效果，克服現(xiàn)有者散熱效果不佳的缺失；同時，本實用新型更透過 導(dǎo)熱層分散來自外界的沖擊力，避免該等焊墊于電性連接的部分因承 受的應(yīng)力過大而毀損，兼具有提高結(jié)構(gòu)強度的特色。
為了詳細說明本實用新型的結(jié)構(gòu)、特征及功效所在，茲舉以下 較佳實施例并配合圖式說明如后，其中-


圖1為本實用新型第一較佳實施例的加工示意圖(一)，主要揭 示模塊基板與承載基板的結(jié)構(gòu)；
圖2為本實用新型第一較佳實施例的加工示意圖(二)，主要揭
示模塊基板與承載基板的組裝情形；
圖3為本實用新型第一較佳實施例的加工示意圖(三)，主要揭 示導(dǎo)熱層的形成；
圖4為本實用新型第一較佳實施例的加工示意圖(四)，主要揭 示金屬層的形成；
圖5為圖4沿5-5方向的剖視圖6為本實用新型第一較佳實施例與一主機板的裝設(shè)示意圖7為本實用新型第一較佳實施例與主機板的組合立體圖； 圖8為圖7沿8-8方向的剖視圖9為本實用新型第二較佳實施例裝設(shè)于一主機板的結(jié)構(gòu)示意圖。
主要組件符號說明
封裝結(jié)構(gòu)10主機板1
焊墊2模塊基板20
頂面22底面24
芯片26焊墊28
承載基板30上承載面32
下承載面34焊墊36
鏤空區(qū)38導(dǎo)熱層40
金屬層50
封裝結(jié)構(gòu)12主機板3
焊墊4第一模塊基板60
頂面62底面64
芯片66焊墊68
第一承載基板70上承載面72
下承載面74焊墊76
第一鏤空區(qū)78第一導(dǎo)熱層80
第一金屬層90第二承載基板100
上承載面102下承載面104
焊墊106第二鏤空區(qū)108
第二模塊基板110頂面112
底面114芯片116 焊墊11S 第二導(dǎo)熱層120
第二金屬層130
具體實施方式
首先請參閱圖1至圖8,其是為本實用新型第一較佳實施例所提 供小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)10，其是裝設(shè)于一主機板l，該封裝結(jié) 構(gòu)10包含有一模塊基板20、 一承載基板30、 一導(dǎo)熱層40以及一金 屬層50。
該模塊基板20是以系統(tǒng)化封裝(system-in-package; SIP)制 程所制成，該模塊基板20具有一頂面22、 一底面24、至少一芯片 26以及多數(shù)個焊墊28;該等芯片26可設(shè)于該頂面22或該底面24其 中之一，本實施例中，該等芯片26設(shè)于該頂面22以及該底面24的 中央?yún)^(qū)域；該模塊基板20的焊墊28是布設(shè)于底面24鄰近周緣處。
該承載基板30是設(shè)于該模塊基板20底側(cè)并具有一上承載面32、 一下承載面34以及多數(shù)個焊墊36;該承載基板30的焊墊36分別布 設(shè)于該上承載面32以及該下承載面34;位于該上承載面32的焊墊 36是分別對應(yīng)地電性連接位于該模塊基板20的底面24的焊墊28; 位于該下承載面34的焊墊36是可供電性連接該主機板1的焊墊2; 該承載基板30的上承載面32與下承載面34是貫穿形成一鏤空區(qū)38， 以供容置該模塊基板20的底面24的芯片26。
該導(dǎo)熱層40是由非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料填滿該鏤空區(qū)38所形成， 該導(dǎo)熱層40是貼抵該模塊基板20的底面24且環(huán)繞包覆位于該模塊 基板20的底面24的芯片26;其中，該導(dǎo)熱展40的熱傳導(dǎo)系數(shù) (thermal conductivity)是于0.2 (W/m K)以上，該導(dǎo)熱層40
是選自于環(huán)氧基樹脂(印oxyresin)、硅樹脂(silicon resin)、填 硅環(huán)氧樹脂(silicon-filled epoxy resin)以及聚脂樹脂(polyester resin)至少其中一種；本實施例中，該導(dǎo)熱層40選以環(huán)氧基樹脂為 例，環(huán)氧基樹脂的熱傳導(dǎo)系數(shù)約為0.63 (W/m*K)。
該金屬層50是以鍍膜方式覆設(shè)于該導(dǎo)熱層40開放側(cè)且貼抵該 主機板l，以提高該導(dǎo)熱層40的散熱效果。
請參閱圖1至圖8，其是為本實用新型第一較佳實施例所提供小 型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)10的制造流程，其步驟說明如下-
一. 先對該模塊基板20的底面24的焊墊28以及該承載基板30 的上承載面32的焊墊36印制錫膏。
二. 將該承載基板30置放于該模塊基板20底側(cè)，同時，使該 承載基板30的上承載面32的各焊墊36對應(yīng)于該模塊基板20的底面 24的各焊墊28，再通過由加熱使錫膏固定該模塊基板20與該承載基 板30如圖l及圖2所示。
三. 將該非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料注入該鏤空區(qū)38并且填滿，以形成 該導(dǎo)熱層40，該導(dǎo)熱層40底側(cè)貼抵該模塊基板20的底面24且環(huán)繞 包覆位于該模塊基板20的底面24的芯片26，以進一步保護該等芯 片26如圖3所示。
四. 對該導(dǎo)熱層40鍍上該金屬層50，使該金屬層50覆設(shè)于該 導(dǎo)熱層40開放側(cè)如圖4及圖5所示；至此，即完成該小型化通訊模 塊的封裝結(jié)構(gòu)10的組裝。
五. 若要將該小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)IO與該主機板l進行 組裝；此時，只要對該承載基板30的下承載面34的焊墊36以及該 主機板1的焊墊2印制錫膏，使該承載基板30與該主機板1結(jié)合即 可如圖6至圖8所示。
經(jīng)由上述結(jié)構(gòu)，本實施例所提供小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)10 是運用非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料覆設(shè)于該模塊基板20表面，透過該導(dǎo)熱層 40導(dǎo)熱系數(shù)較高于空氣的特色，能夠快速地將該模塊基板20的熱量 往該主機板1方向傳導(dǎo)，再透過該金屬層50確實將熱量傳導(dǎo)該主機 板l，讓該主機板l透過本身的散熱機制，以達到快速散熱的目的。
通過此，本實用新型的該導(dǎo)熱層40不需要考慮到內(nèi)部氣流的因 素，即于該封裝結(jié)構(gòu)10內(nèi)部形成一散熱路徑，而可確實地對該等芯 片26所產(chǎn)生的熱能進行排除，克服現(xiàn)有者散熱效果不佳的缺失，能 夠提高通訊模塊的散熱效果。再者，以結(jié)構(gòu)而言，本實用新型更透過 該導(dǎo)熱層40加強該模塊基板20與該承載基板30之間的結(jié)合效果， 能夠有效分散來自外界的沖擊力，以避免該等焊墊2836于電性連接 的部分因承受的瞬間應(yīng)力過大而毀損，兼具有提髙結(jié)構(gòu)強度的特色。
請參閱圖9，其是為本實用新型第二較佳實施例所提供小型化通 訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)12，其是裝設(shè)于一主機板3，該封裝結(jié)構(gòu)12包含 有一第一模塊基板60、 一第一承載基板70、 一第一導(dǎo)熱層80、 一第 一金屬層90、 一第二承載基板IOO、 一第二模塊基板IIO、 一第二導(dǎo) 熱層120以及一第二金屬層130。
該第一模塊基板60是以系統(tǒng)化封裝(system-in-package; SIP) 制程所制成，該第一模塊基板60具有一頂面62、 一底面64、至少一 芯片66以及多數(shù)個焊墊68;該芯片66至少設(shè)于該第一模塊基板60 的頂面62以及底面64其中之一，本實施例中，該芯片66至少設(shè)于 該第一模塊基板60的頂面62以及底面64的中央?yún)^(qū)域；該第一模塊 基板60的焊墊68可布設(shè)于該頂面62及該底面64其中之一，本實施 例中，該等焊墊68布設(shè)于該第一模塊基板60的頂面62以及底面64。 該第一承載基板70是具有一上承載面72、 一下承載面74以及
多數(shù)個焊墊76;該第一承載基板70的焊墊76分別布設(shè)于該上承載 面72以及該下承載面74;位于該第一承載基板70的上承載面72的 焊墊76是與該第一模塊基板60的底面64的焊墊68結(jié)合且電性連接， 該第一承載基板70的下承載面74可供電性連接該主機板3的焊墊4， 該第一承載基板70的上承載面72以及下承載面74是貫穿形成一第 一鏤空區(qū)78，以供容置該第一模塊基板60的底面64的芯片66。
該第一導(dǎo)熱層80是由非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料填滿該第一承載基板70 的第一鏤空區(qū)78所形成；該第一導(dǎo)熱層80是貼抵該第一模塊基板 60的底面64且環(huán)繞包覆位于該第一模塊基板60的底面64的芯片66; 其中，該第一導(dǎo)熱層80的熱傳導(dǎo)系數(shù)(thermal conductivity)是 于0.2(W/m.K)以上，該第一導(dǎo)熱層80是選自于環(huán)氧基樹脂(印oxy resin)、娃樹月旨(silicon resin)、 ±真娃環(huán)氧樹月旨(silicon—filled epoxy resin)以及聚月旨樹月旨(polyester resin)至少其中——禾中；本 實施例中，該第一導(dǎo)熱層80選以環(huán)氧基樹脂為例，環(huán)氧基樹脂的熱 傳導(dǎo)系數(shù)約為0.63 (W/m*K)。
該第一金屬層90是以鍍膜方式覆設(shè)于該第一導(dǎo)熱層80開放側(cè) 且貼抵該主機板3，以提高該第一導(dǎo)熱層60的散熱效果。
該第二承載基板100是具有一上承載面102、 一下承載面104以 及多數(shù)個焊墊106;該第二承載基板100的焊墊106分別布設(shè)于該上 承載面102以及該下承載面104;位于該第二承載基板100的下承載 面104的焊墊106是與該第一模塊基板60的頂面62的焊墊68結(jié)合 且電性連接，該第二承載基板100的上承載面102以及下承載面104 是貫穿形成一第二鏤空區(qū)108，以供容置該第一模塊基板60的頂面 62的芯片66。
該第二模塊基板110是以系統(tǒng)化封裝(system-in-package; SIP)
制程所制成，該第二模塊基板110具有一頂面112、 一底面114、至 少一芯片116以及多數(shù)個焊墊118;該芯片116至少設(shè)于該第二模塊 基板110的頂面112以及底面114其中之一，本實施例中，該芯片 116至少設(shè)于該第二模塊基板110的頂面112的中央?yún)^(qū)域；該第二模 塊基板110的焊墊118布設(shè)于該底面114且電性連接該第二承載基板 100的上承載面102的焊墊106。
該第二導(dǎo)熱層120是由非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料填滿該第二承載基板 100的第二鏤空區(qū)108所形成；該第二導(dǎo)熱層120是貼抵該第一模塊 基板60的頂面62且環(huán)繞包覆位于該第一模塊基板60的頂面62的芯 片66;其中，該第二導(dǎo)熱層120的熱傳導(dǎo)系數(shù)(thermal conductivity) 是于0.2 (W/m'K)以上，該第二導(dǎo)熱層120是選自于環(huán)氧基樹脂 (epoxy resin )、 娃樹月旨 (silicon resin ) 、 i真娃環(huán)氧樹月旨 (silicon—filled epoxy resin) 以及聚月旨樹月旨(polyester resin) 至少其中一種；本實施例中，該第二導(dǎo)熱層120選以環(huán)氧基樹脂為例， 環(huán)氧基樹脂的熱傳導(dǎo)系數(shù)約為0.63 (W/m*K)。
該第二金屬層130是以鍍膜方式覆設(shè)于該第二導(dǎo)熱層120開放 側(cè)且貼抵該第二模塊基板110的底面114，以提髙該第二導(dǎo)熱層120 的散熱效果。
經(jīng)由上述結(jié)構(gòu)，本實施例所提供小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)12 是運用非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料覆設(shè)于該第一模塊基板60表面，透過該第 一導(dǎo)熱層80與該第二導(dǎo)熱層120導(dǎo)熱系數(shù)較高于空氣的特色，能夠 快速地將該第一模塊基板60以及該第二模塊基板110的熱量往該主 機板3方向傳導(dǎo)，再透過該第一金屬層90以及該第二金屬層130確 實將熱量傳導(dǎo)該主機板3，讓該主機板3透過本身的散熱機制，以達 到快速散熱的目的。
通過此，本實用新型的該等導(dǎo)熱層80、 120不需要考慮到內(nèi)部 氣流的因素，即于該封裝結(jié)構(gòu)12內(nèi)部形成一散熱路徑，而可確實地 對該等芯片66、 116所產(chǎn)生的熱能進行排除，克服現(xiàn)有者散熱效果不 佳的缺失，能夠提高通訊模塊的散熱效果。再者，以結(jié)構(gòu)而言，本實 用新型更透過該等導(dǎo)熱層80、 120加強該等模塊基板60、 110與該等 承載基板70、100之間的結(jié)合效果，能夠有效分散來自外界的沖擊力， 以避免該等焊墊68、 76、 106于電性連接的部分因承受的瞬間應(yīng)力過 大而毀損，兼具有提高結(jié)構(gòu)強度的特色。本實施例同樣可以達到與第 一較佳實施例相同的目的，并提供另一實施態(tài)樣。
綜上所陳，經(jīng)由以上所提供的實施例可知，本實用新型所提供 的一種小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其運用非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料進行封 裝，能夠提高通訊模塊的散熱效果，克服現(xiàn)有者散熱效果不佳的缺失； 同時，本實用新型更透過導(dǎo)熱層分散來自外界的沖擊力，避免該等焊 墊于電性連接的部分因承受的應(yīng)力過大而毀損，兼具有提高結(jié)構(gòu)強度 的特色。
本實用新型于前揭諸實施例中所揭露的構(gòu)成組件及方法步驟， 僅是為舉例說明，并非用來限制本案的范圍，本案的范圍仍應(yīng)以申請 專利范圍為準，其它等效組件或步驟的替代或變化，亦應(yīng)為本案的申 請專利范圍所涵蓋。
權(quán)利要求1.一種小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其裝設(shè)于一主機板，其特征在于該封裝結(jié)構(gòu)包含有一模塊基板，具有一頂面、一底面以及至少一芯片，該芯片至少設(shè)于該頂面以及該底面其中之一；一承載基板，具有一上承載面以及一下承載面，該承載基板的上承載面是與該模塊基板的底面結(jié)合且電性連接，該承載基板的下承載面供電性連接該主機板，該承載基板的上承載面以及下承載面貫穿形成一鏤空區(qū)；以及一導(dǎo)熱層，由非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料填滿該鏤空區(qū)所形成。
2. 依據(jù)權(quán)利要求l所述小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在 于該導(dǎo)熱層的熱傳導(dǎo)系數(shù)是于0.2W/m，K以上，該導(dǎo)熱層是選自于 環(huán)氧基樹脂、硅樹脂、填硅環(huán)氧樹脂以及聚脂樹脂至少其中一種。
3. 依據(jù)權(quán)利要求l所述小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在 于該導(dǎo)熱層貼抵該模塊基板的底面以及該主機板。
4. 依據(jù)權(quán)利要求l所述小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包含有一金屬層，該金屬層是覆設(shè)于該導(dǎo)熱層的開放側(cè)且貼抵該主機板，以提高該導(dǎo)熱層的散熱效果。
5. 依據(jù)權(quán)利要求l所述小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在 于該模塊基板的底面具有多數(shù)個焊墊，該承載基板的上承載面具有多數(shù)個焊墊，以供該模塊基板與該承載基板電性連接，該承載基板的 下承載面具有多數(shù)個焊墊，以供電性連接該主機板。
6. —種小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其是裝設(shè)于一主機板，其 特征在于該封裝結(jié)構(gòu)包含有-一第一模塊基板，是具有一頂面、 一底面以及至少一芯片，該 芯片至少設(shè)于該第一模塊基板的頂面以及底面其中之一；一第一承載基板，是具有一上承載面以及一下承載面，該第一 承載基板的上承載面是與該第一模塊基板的底面結(jié)合且電性連接，該 第一承載基板的下承載面供電性連接該主機板，該第一承載基板的上 承載面以及下承載面是貫穿形成一第一鏤空區(qū)；一第一導(dǎo)熱層，是由非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料填滿該第一承載基板的 第一鏤空區(qū)所形成；一第二承載基板，是具有一上承載面以及一下承載面，該第二 承載基板的下承載面是與該第一模塊基板的頂面結(jié)合且電性連接，該 第二承載基板的上承載面以及下承載面是貫穿形成一第二鏤空區(qū)；一第二模塊基板，具有一頂面、 一底面、至少一芯片，該芯片 至少設(shè)于該第二模塊基板的頂面以及底面其中之一，該第二模塊基板 的底面是與該第二承載基板的上承載面結(jié)合且電性連接；以及一第二導(dǎo)熱層，是由非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料填滿該第二承載基板的 第二鏤空區(qū)所形成。
7. 依據(jù)權(quán)利要求6所述小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在 于該導(dǎo)熱層的熱傳導(dǎo)系數(shù)是于0.2W/iiMK以上，該導(dǎo)熱層是選自于 環(huán)氧基樹脂、硅樹脂、填硅環(huán)氧樹脂以及聚脂樹脂至少其中一種。
8. 依據(jù)權(quán)利要求6所述小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在 于該第一導(dǎo)熱層是貼抵該第一模塊基板的底面以及該主機板，該第 二導(dǎo)熱層是貼抵該第一模塊基板的頂面以及該第二模塊基板的底面。
9. 依據(jù)權(quán)利要求6所述小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在 于還包含有至少一金屬層，各該金屬層是覆設(shè)于各該導(dǎo)熱層的開放側(cè)且貼抵對應(yīng)的基板，以提高該導(dǎo)熱層的散熱效果。
10.依據(jù)權(quán)利要求6所述小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一模塊基板的頂面以及底面具有多數(shù)個焊墊，該第二模塊 基板的底面具有多數(shù)個焊墊，該承載基板的上承載面以及下承載面具 有多數(shù)個焊墊，以供進行電性連接。
專利摘要本實用新型一種小型化通訊模塊的封裝結(jié)構(gòu)，裝設(shè)于一主機板，該封裝結(jié)構(gòu)包含有一模塊基板、一承載基板以及一導(dǎo)熱層；其中，該模塊基板是具有一頂面、一底面以及至少一芯片，該芯片至少設(shè)于該頂面以及該底面其中之一；該承載基板是具有一上承載面以及一下承載面，該承載基板的上承載面是與該模塊基板的底面結(jié)合且電性連接，該承載基板的下承載面供電性連接該主機板，該承載基板的上承載面以及下承載面是貫穿形成一鏤空區(qū)；該導(dǎo)熱層是由非導(dǎo)電性導(dǎo)熱材料填滿該鏤空區(qū)所形成。
文檔編號H01L23/48GK201069769SQ20072015404
公開日2008年6月4日 申請日期2007年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月4日
發(fā)明者廖國憲, 李冠興 申請人:環(huán)隆電氣股份有限公司