專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制法，特別是涉及一種覆晶薄膜
(C0F)的半導(dǎo)體裝置及其制法。
背景技術(shù)：
目前運用軟質(zhì)承載板作為封裝芯片載體以將芯片與軟性基板電性 連接的現(xiàn)有技術(shù)中，其可大體上分為巻帶式自動封裝(Tape Carrier Bonding, TCP)以及覆晶薄膜(Chip on Film, C0F)等技術(shù)。其中，為改 善巻帶式自動封裝(TCP)的散熱問題，如美國專利第6,297,074、 5， 414， 299、 4， 849， 857、 5， 095， 404號等專利揭示于芯片的主動面或非 主動面上貼附導(dǎo)熱件，以通過該導(dǎo)熱件逸散芯片運行時所產(chǎn)生的熱量。
然而，由于傳統(tǒng)的巻帶式自動封裝(TCP)技術(shù)中，其最小引線間距 (lead pitch)僅于35微米Um)，無法滿足業(yè)界對于更小間距的需求， 為此，業(yè)界遂開發(fā)一種可提供更小引線間距的覆晶薄膜(COF)技術(shù)，依 目前業(yè)界的覆晶薄膜(COF)能力，其最小引線間距可至20微米，相關(guān) 技術(shù)內(nèi)容可參閱美國專利第6,710,458、 6， 559， 524、 6， 864， 119號等專利。
請參閱圖4A至圖4J，為現(xiàn)有覆晶薄膜(COF)半導(dǎo)體裝置的制法示 意圖。首先，如圖4A至圖4D所示，提供具有設(shè)有多個焊墊401的芯 片400，該芯片400上覆蓋有一絕緣層410，且該絕緣層410中形成有 開孔411，以外露出該些焊墊401，藉以于該絕緣層410及其開孔411 表面以如濺鍍(sputtering)的技術(shù)形成如鈦化鎢(Ti/W)的第一導(dǎo)電層 420及金(Au)的第二導(dǎo)電層430。
接著，于該第二導(dǎo)電層430上覆蓋一阻層440，并形成有多個開口 441以外露出該第二導(dǎo)電層430，以于該些阻層開口 441中以如電鍍的 方式形成如金(Au)的金屬凸塊(Au bump)450，之后移除該阻層440及 其覆蓋的第一及第二導(dǎo)電層420, 430。
如圖4E至圖41所示，提供軟質(zhì)載板500，并于該載板500的表面 上以如濺鍍的方式形成如銅(Cu)的導(dǎo)電層510，再于該導(dǎo)電層510上形 成阻層520，并于該阻層520中形成多個對應(yīng)該芯片400的金屬凸塊 450的開口521，接著，于該阻層開口 521中以如電鍍的方式形成如銅 /錫(Cu/Sn)或銅/錫/金(Cu/Sn /Au)的金屬引線層530，以制得細間距 的引線(fine pitch lead),接著再移除該阻層520及其覆蓋的導(dǎo)電層 510，再將防焊層550覆蓋于該載板500上且外露出該金屬引線層530。
如圖4J所示，將該芯片400與該載板500通過熱壓(thermal compression)方式相接合，亦即將該芯片的金屬凸塊(Au bump)450與 該載板的金屬引線層(Sn)530形成共金結(jié)構(gòu)而相互電性連接，之后再利 用覆晶底部填膠材料(underfill) 600填充該芯片400及載板500間 隙，以形成覆晶薄膜(COF)半導(dǎo)體裝置。
此方法雖可較前述巻帶式自動封裝(TCP)技術(shù)提供更細的引線間 距，但是其結(jié)構(gòu)上的變化而導(dǎo)致現(xiàn)有導(dǎo)熱方式無法應(yīng)用于覆晶薄膜 (COF)半導(dǎo)體裝置上，因此將造成散熱性不佳的問題。更甚者，由于該 覆晶薄膜(COF)半導(dǎo)體裝置是以巻帶式(reel to :reel)方式來生產(chǎn)，如 利用外加的散熱件黏附于芯片上，將造成無法巻帶，或于巻帶上造成 散熱件的損壞。
因此，鑒于上述問題，如何提供覆晶薄膜(COF)的半導(dǎo)體裝置良好 散熱效果，實已成為目前業(yè)界亟欲解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于前述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的一目的是提供一種半導(dǎo)體裝 置及其制法，可供覆晶薄膜(C0F)的半導(dǎo)體裝置有效逸散芯片運件時產(chǎn) 生的熱量。
本發(fā)明的另一目的是提供一種半導(dǎo)體裝置及其制法，以供覆晶薄 膜(C0F)半導(dǎo)體裝置良好散熱效果，同時避免以巻帶式(reel to reel) 方式生產(chǎn)時，因使用外加散熱件造成無法巻帶或于巻帶上發(fā)生散熱件 損壞問題。
為達到上述及其它目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制法，包 括提供具有相對主動面及非主動面的芯片與具有相對第一表面及第
二表面的軟質(zhì)載板，該芯片主動面上設(shè)有多個焊墊，且各該焊墊上形 成有金屬凸塊，并于該些金屬凸塊間形成有散熱凸塊，該軟質(zhì)載板第 一表面形成有相對應(yīng)該金屬凸塊的金屬引線層及對應(yīng)該散熱凸塊的第
一散熱金屬層，并于該第二表面上形成有第二散熱金屬層；將該芯片 的主動面接置于該軟質(zhì)載板的第一表面，且使該芯片主動面上的金屬 凸塊與散熱凸塊電性連接至對應(yīng)該金屬引線層及第一散熱金屬層；以 及于該芯片與軟質(zhì)載板間隙填充絕緣膠。
該芯片的金屬凸塊及散熱凸塊的制法包括提供表面覆蓋有絕緣 層的芯片，且該絕緣層形成有多個開孔以外露出芯片焊墊；于該絕緣 層及其開孔表面形成導(dǎo)電層；于該導(dǎo)電層上覆蓋阻層，并于該阻層中 形成多個對應(yīng)該焊墊位置的第一開口 ，及于該些第一開口間形成第二 開口，以外露出該導(dǎo)電層；以及于該第一及第二開口中電鍍形成金屬 凸塊及散熱凸塊，并移除該阻層及其覆蓋的導(dǎo)電層。
該軟質(zhì)載板的金屬引線層、第一及第二散熱金屬層的制法包括 提供具有相對第一及第二表面的軟質(zhì)載板，于該軟質(zhì)載板第一及第二 表面形成導(dǎo)電層；于該導(dǎo)電層上覆蓋阻層，并令該阻層于軟質(zhì)載板第 一表面形成有對應(yīng)芯片金屬凸塊及散熱凸塊的第三及第四開口，以及 于第二表面形成有第五開口；于該第三及第四開口中電鍍形成金屬引 線層及第一散熱金屬層，并于該第五開口中電鍍形成第二散熱金屬層; 以及移除該阻層及其覆蓋的導(dǎo)電層。
另外，于該軟質(zhì)載板中復(fù)可形成電性連接第一散熱金屬層及第二 散熱金屬層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，如此即可供芯片運件時所產(chǎn)生的熱量迅速經(jīng) 由其散熱凸塊及軟質(zhì)載板的第一及第二散熱金屬層向外逸散。
本發(fā)明還提供一半導(dǎo)體裝置，包括載板，具有相對的第一表面 及第二表面，該第一表面形成有金屬引線層及第一散熱金屬層，并于 該第二表面形成有第二散熱金屬層；芯片，具有相對的主動面及非主 動面，該主動面上設(shè)有多個焊墊，各該焊墊上具有對應(yīng)該金屬引線層 的金屬凸塊，且該些金屬凸塊間形成有對應(yīng)該第一散熱金屬層的散熱 凸塊，以供該芯片間隔該金屬凸塊及散熱凸塊接置于該軟質(zhì)載板的金 屬引線層及第一散熱金屬層上；以及絕緣膠，填充于該芯片與軟質(zhì)載 板間的間隙。
另外于該軟質(zhì)載板第一表面復(fù)形成有防焊層，其中該防焊層是外 露出該第一散熱金屬層及用以連接芯片金屬凸塊的金屬引線層端部， 從而與該芯片電性耦合。
因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制法主要是提供一具有第一表面 及第二表面的軟質(zhì)載板，且于該第一表面上形成金屬引線層及第一散 熱金屬層，而該第二表面上形成有第二散熱金屬層，另提供具有相對 主動面及非主動面的芯片，于該主動面上設(shè)有多個焊墊，且各該焊墊 上形成有對應(yīng)該金屬引線層的金屬凸塊，并于該些金屬凸塊間形成有 對應(yīng)該第一散熱金屬層的散熱凸塊，以供芯片接置于該軟質(zhì)載板上時, 令該芯片金屬凸塊對應(yīng)電性連接至該軟質(zhì)載板的金屬引線層，以作信 號傳遞，同時供芯片運行時所產(chǎn)生的熱量得以通過該芯片的散熱凸塊 連接至軟質(zhì)載板的第一散熱金屬層，并經(jīng)由軟質(zhì)載板第二表面的第二 散熱金屬層向外逸散，進而提高芯片散熱性。如此當半導(dǎo)體裝置以巻
帶式(reel to reel)方式生產(chǎn)時，即可避免現(xiàn)有技術(shù)因使用外加散熱 件造成無法巻帶或于巻帶上發(fā)生散熱件損壞問題。
圖1A至圖II為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制法第一實施例的示意
圖2A至圖2E為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制法第二實施例的示意
圖3為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置第三實施例的示意圖；以及
圖4A至圖4J為現(xiàn)有技術(shù)的覆晶薄膜(C0F)半導(dǎo)體裝置的制法的實
施例的示意圖。
元件符號說明
100心片101主動面
102非主動面103焊墊
110絕緣層111開孔
120第一導(dǎo)電層130第二導(dǎo)電層
140阻層141第一開口
142第二開口151金屬凸塊
152散熱凸塊200軟質(zhì)載板
201第一表面202第二表面
203穿孔220導(dǎo)電層
230阻層231第三開口
232第四開口233第五開口
241金屬引線層242第一散熱金屬層
243第二散熱金屬層244導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
250防焊層300絕緣膠
400心片401焊墊
410絕緣層411開孔
420第一導(dǎo)電層430第二導(dǎo)電層
440阻層441開口
450金屬凸塊500軟質(zhì)載板
510導(dǎo)電層520阻層
521開口530金屬引線層
550防焊層600覆晶底部填膠材料
具體實施例方式
以下通過特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù) 人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點與功效。
第一實施例
請參閱圖1A至圖II，為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制法第一實施例 的示意圖。
如圖1A所示，提供具有相對的主動面101及非主動面102的芯片 100，該芯片100主動面101上設(shè)有多個焊墊103，且該芯片100主動 面101覆蓋有絕緣層110，并于該絕緣層110中形成有多個開孔111， 以外露出該焊墊103。
如圖1B所示，于該絕緣層110及其開孔111表面以如濺鍍 (sputtering)的方式形成材料為鈦化鴨(TiW)的第一導(dǎo)電層120，及材 料為金(Au)的第二導(dǎo)電層130。
如圖1C及圖ID所示，于該第二導(dǎo)電層130上形成阻層140，該阻 層140中形成有多個對應(yīng)芯片焊墊103位置的第一開口 141，并于該些 第一開口 141間形成第二開口 142，以使第二導(dǎo)電層130外露出該些第 一開口 141及第二開口 142，再于該些第一開口 141及該第二開口 142 中電鍍形成材料為金(Au)的金屬凸塊151及散熱凸塊152，并移除該阻 層140及其覆蓋的第一及第二導(dǎo)電層120、 130，其中該金屬凸塊15 是形成于該焊墊103上。
該金屬凸塊151是與芯片焊墊103連接，可供芯片100與外界電 性耦合，且位于該金屬凸塊151與芯片焊墊103間的第一及第二導(dǎo)電 層120、 130即為凸塊底部金屬層(UBM);再者，該散熱凸塊152是形 成于該芯片100的主動面上，但是未與該芯片焊墊103連接，而為偽 凸塊(dummy bump)。
如圖1E所示，另提供例如為聚酰亞胺(PI)膠片(t鄰e)的軟質(zhì)載 板200，并以巻帶式(reel to reel)方式進行制程。該軟質(zhì)載板200 具有相對的第一表面201及第二表面202，且于該軟質(zhì)載板第一及第二 表面201、 202以如濺鍍(sputtering)的方式形成有如銅(Cu)的導(dǎo)電層 220。
如圖1F所示，于該導(dǎo)電層220上覆蓋阻層230，并令該阻層230 于軟質(zhì)載板第一表面201形成有對應(yīng)芯片金屬凸塊151及散熱凸塊152 的第三開口 231及第四開口 232，以及于第二表面202形成有第五開口 233。
如圖1G所示，該第三及第四開口 231、 232中以電鍍方式形成金 屬引線層241及第一散熱金屬層242，并于該第五開口 233中電鍍形成 第二散熱金屬層243。該金屬引線層241、第一散熱金屬層242及第二 散熱金屬層243例如為厚約6-15微米的銅/錫(Cu/Sn)層。
如圖1H所示，移除該阻層230及其覆蓋的導(dǎo)電層220，并于該軟 質(zhì)載板第一表面201上覆一防焊層250，且令該防焊層250外露出該第 一散熱金屬層242及用以連接芯片金屬凸塊151的金屬引線層241端 部，從而與該芯片電性耦合。
如圖II所示，將該芯片100的主動面101與該軟質(zhì)載板200的第 一表面201連接，亦即通過熱壓方式將該芯片主動面101上的金屬凸
塊151及散熱凸塊152與該軟質(zhì)載板第一表面201上的金屬引線層241 及第一散熱金屬層242相互對應(yīng)壓合形成共金結(jié)構(gòu)，以供該芯片100 得以通過該金屬凸塊151與載板金屬引線層241相互電性耦合而作信 號傳遞，同時供該芯片100通過其散熱凸塊(偽凸塊)152與載板第一表 面201的第一散熱金屬層242連接，再通過形成于載板第二表面202 的第二散熱金屬層243而得有效傳遞芯片100運行時所產(chǎn)生的熱量。
之后再于該芯片100與軟質(zhì)載板200間的間隙填充如覆晶底部填 膠材料(underfill)的絕緣膠300，以制得本發(fā)明的覆晶薄膜(COF)半導(dǎo) 體裝置。
因此，通過前述制法，本發(fā)明亦提供一半導(dǎo)體裝置，包括軟質(zhì) 載板200，具有相對的第一表面201及第二表面202，該第一表面201 形成有金屬引線層241，且于該些金屬引線層241間形成有第一散熱金 屬層242，并于該第二表面202形成有第二散熱金屬層243;芯片100， 具有相對的主動面101及非主動面102，該主動面101上設(shè)有多個焊墊 103，且各該焊墊103上形成有對應(yīng)該軟質(zhì)載板金屬引線層241位置的 金屬凸塊151，該些金屬凸塊151間形成有對應(yīng)該軟質(zhì)載板第一散熱金 屬層242的散熱凸塊152，以供該芯片100間隔該金屬凸塊151及散熱 凸塊152接置于該軟質(zhì)載板金屬引線層241及第一散熱金屬層242上; 以及絕緣膠300，填充于該芯片100與軟質(zhì)載板200間的間隙。
另外，于該軟質(zhì)載板200的第一表面201上復(fù)形成有外露出該金 屬引線層241及第一散熱金屬層242的防焊層250;于該芯片100的主 動面101上則形成有外露出該焊墊103的絕緣層110，且該芯片焊墊 103與金屬凸塊151間及芯片主動面101與散熱凸塊152間為間隔有導(dǎo) 電層120、 130。
因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制法主要是提供一具有相對第一 表面及第二表面的軟質(zhì)載板，且于該第一表面上形成有金屬引線層及 第一散熱金屬層，而該第二表面上形成有第二散熱金屬層，另提供具 有相對主動面及非主動面的芯片，于該主動面上設(shè)有多個焊墊，且各 該焊墊上形成有對應(yīng)該金屬引線層的金屬凸塊，并于該些金屬凸塊間 形成有對應(yīng)該第一散熱金屬層的散熱凸塊，以供芯片接置于該軟質(zhì)載 板上時，令該芯片金屬凸塊對應(yīng)電性連接至該軟質(zhì)載板金屬引線層，
以作信號傳遞，同時供芯片運行時所產(chǎn)生的熱量得以通過該芯片的散 熱凸塊連接至軟質(zhì)載板第一散熱金屬層，并經(jīng)由軟質(zhì)載板第二表面的 第二散熱金屬層向外逸散，進而提高芯片散熱性。 第二實施例
復(fù)請參閱圖2A至圖2E，為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制法第二實施 例的示意圖。同時為簡化本圖示，本實施例中對應(yīng)前述相同或相似的 元件采用相同標號表示。
本實施例的半導(dǎo)體裝置及其制法與前述實施例大致相同，主要差 異在于請參閱圖2A，是于具相對第一表面201及第二表面202的軟質(zhì) 載板200中形成穿孔203，并使該軟質(zhì)載板200第一及二表面201， 202 及穿孔203表面以如濺鍍的方式覆蓋一如銅(Cu)的導(dǎo)電層220。
如圖2B所示，于該導(dǎo)電層220上覆蓋一阻層230，且令該阻層230 于軟質(zhì)載板第一表面201形成有對應(yīng)芯片金屬凸塊及散熱凸塊的第三 開口 231及第四開口 232，及于第二表面202形成有第五開口 233，其 中，該第四及第五開口 232、 233連通至該穿孔203。
如圖2C所示，于該第三開口 231、第四開口 232及第五開口 233 中以電鍍方式形成金屬引線層241、第一散熱金屬層242及第二散熱金 屬層243，并于該穿孔203中電鍍形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)244，藉以電性連接軟 質(zhì)載板第一表面201的第一散熱金屬層242及第二表面202的第二散 熱金屬層243。
如圖2D所示，移除該阻層230及其覆蓋的導(dǎo)電層220，并將防焊 層250覆蓋于該軟質(zhì)載板200第一表面201，且令該第一散熱金屬層 242及金屬引線層241端部外露出該防焊層250。
如圖2E所示，將主動面101形成有金屬凸塊151及散熱凸塊152 的芯片100與該軟質(zhì)載板200連接，亦即通過熱壓方式將該芯片主動 面101上的金屬凸塊151及散熱凸塊152與該軟質(zhì)載板第一表面201 的金屬引線層241及第一散熱金屬層242相互對應(yīng)壓合形成共金結(jié)構(gòu)， 以供該芯片100得以通過該金屬凸塊151與軟質(zhì)載板金屬引線層241 相互電性耦合而作信號傳遞，同時供該芯片IOO通過其散熱凸塊(偽凸 塊)152與軟質(zhì)載板第一表面201的第一散熱金屬層242連接，再通過 形成于軟質(zhì)載板200中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)244及其第二表面202的第二散熱
金屬層243而得有效傳遞芯片100運行時所產(chǎn)生的熱量。
之后再于該芯片100與軟質(zhì)載板200間的間隙填充如覆晶底部填
膠材料(underfill)的絕緣膠300，以制得本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置。 第三實施例
復(fù)請參閱圖3，為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置第三實施例的示意圖。同時 為簡化本圖示，本實施例中對應(yīng)前述相同或相似的元件采用相同標號 表不。
本實施例的半導(dǎo)體裝置與前述實施例大致相同，主要差異是在軟 質(zhì)載板200的第二表面202上，另形成有一遮覆第二散熱金屬層243 的覆蓋層260，該覆蓋260層例如為拒焊層。
上述實施例僅為例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限 制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神與范疇下， 對上述實施例進行修飾與變化。因此，本發(fā)明的權(quán)利保護范圍，應(yīng)以 權(quán)利要求書的范圍為依據(jù)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制法，包括提供具有相對主動面及非主動面的芯片與具有相對第一表面及第二表面的軟質(zhì)載板，該芯片主動面上設(shè)有多個焊墊，且各該焊墊上形成有金屬凸塊，并于該些金屬凸塊間形成有散熱凸塊，該軟質(zhì)載板第一表面形成有相對應(yīng)該金屬凸塊的金屬引線層及對應(yīng)該散熱凸塊的第一散熱金屬層，并于該第二表面上形成有第二散熱金屬層；將該芯片的主動面接置于該軟質(zhì)載板的第一表面，且使該芯片主動面上的金屬凸塊與散熱凸塊電性連接至對應(yīng)該金屬引線層及第一散熱金屬層；以及于該芯片與軟質(zhì)載板間隙填充絕緣膠。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該芯片的金 屬凸塊及散熱凸塊的制法包括提供表面覆蓋有絕緣層的芯片，且該絕緣層形成有多個開孔以外 露出芯片焊墊；于該絕緣層及其開孔表面形成導(dǎo)電層；于該導(dǎo)電層上覆蓋阻層，并于該阻層中形成多個對應(yīng)該焊墊位置 的第一開口，及于該些第一開口間形成第二開口，以外露出該導(dǎo)電層； 以及于該第一及第二開口中電鍍形成金屬凸塊及散熱凸塊，并移除該 阻層及其覆蓋的導(dǎo)電層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該導(dǎo)電層包 括鈦化鎢(TiW)及金(Au)，該金屬凸塊及散熱凸塊材料為金(Au)，且該 金屬凸塊形成于該焊墊上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該軟質(zhì)載板 的金屬引線層、第一及第二散熱金屬層的制法包括提供具有相對第一及第二表面的軟質(zhì)載板，于該軟質(zhì)載板第一及 第二表面形成導(dǎo)電層；于該導(dǎo)電層上覆蓋阻層，并令該阻層于軟質(zhì)載板第一表面形成有 對應(yīng)芯片金屬凸塊及散熱凸塊的第三及第四開口，以及于第二表面形 成有第五開口；于該第三及第四開口中電鍍形成金屬引線層及第一散熱金屬層， 并于該第五開口中電鍍形成第二散熱金屬層；以及 移除該阻層及其覆蓋的導(dǎo)電層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該軟質(zhì)載板 的金屬引線層、第一散熱金屬層及第二散熱金屬層的制法包括于具相對第一表面及第二表面的軟質(zhì)載板中形成穿孔，并于該軟 質(zhì)載板第一及二表面及穿孔表面覆蓋導(dǎo)電層；于該導(dǎo)電層上覆蓋一阻層，且令該阻層于軟質(zhì)載板第一表面形成 有對應(yīng)芯片金屬凸塊及散熱凸塊的第三開口及第四開口，及于第二表 面形成有第五開口，其中，該第四及第五開口連通至該穿孔；于該第三開口、第四開口及第五開口中以電鍍方式形成金屬引線 層、第一散熱金屬層及第二散熱金屬層，并于該穿孔中電鍍形成導(dǎo)電 結(jié)構(gòu)，藉以電性連接軟質(zhì)載板第一表面的第一散熱金屬層及第二表面 的第二散熱金屬層；以及移除該阻層及其覆蓋的導(dǎo)電層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該金屬凸塊 與芯片焊墊連接，以供芯片與外界電性耦合，該散熱凸塊形成于該芯 片的主動面上，并未與該芯片焊墊連接，而為偽凸塊(dummy bump)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該軟質(zhì)載板 為聚酰亞胺(PI)膠片(tape)，并以巻帶式(reel to reel)方式進行制 程。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該金屬引線 層、第一散熱金屬層及第二散熱金屬層的材料為銅/錫(Cu/Sn)，厚度 為6至15微米。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該芯片主動 面上的金屬凸塊及散熱凸塊是通過熱壓方式與該軟質(zhì)載板第一表面上 的金屬引線層及第一散熱金屬層相互對應(yīng)壓合形成共金結(jié)構(gòu)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該芯片通過 該金屬凸塊與載板金屬引線層相互電性耦合而作信號傳遞，該芯片通 過散熱凸塊與載板第一表面的第一散熱金屬層連接，再通過形成于載板第二表面的第二散熱金屬層而傳遞芯片運行時所產(chǎn)生的熱量。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該軟質(zhì)載板 第一表面覆蓋有防焊層，且外露出該金屬引線層端部及第一散熱金屬 層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該軟質(zhì)載板 第二表面，形成有一遮覆第二散熱金屬層的覆蓋層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該覆蓋層 為拒焊層。
14. 一種半導(dǎo)體裝置，包括軟質(zhì)載板，具有相對的第一表面及第二表面，該第一表面形成有 金屬引線層，且于該些金屬引線層間形成有第一散熱金屬層，并于該第二表面形成有第二散熱金屬層；芯片，具有相對的主動面及非主動面，該主動面上設(shè)有多個焊墊， 且各該焊墊上形成有對應(yīng)該軟質(zhì)載板金屬引線層位置的金屬凸塊，該 些金屬凸塊間形成有對應(yīng)該軟質(zhì)載板第一散熱金屬層的散熱凸塊，以 供該芯片間隔該金屬凸塊及散熱凸塊接置于該軟質(zhì)載板金屬弓I線層及 第一散熱金屬層上；以及絕緣膠，填充于該芯片與軟質(zhì)載板間的間隙。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該芯片主動面上 形成有外露出該焊墊的絕緣層，且該芯片焊墊與金屬凸塊間及芯片主 動面與散熱凸塊間為間隔有導(dǎo)電層。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該導(dǎo)電層為凸塊 底部金屬層(UBM)，其包括有鈦化鎢(TiW)及金(Au)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該軟質(zhì)載板中形 成有電性連接第一散熱金屬層及第二散熱金屬層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該金屬凸塊與芯 片焊墊連接，以供芯片與外界電性耦合，該散熱凸塊形成于該芯片的 主動面上，并未與該芯片焊墊連接，而為偽凸塊(dummy bump)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該軟質(zhì)載板為聚 酰亞胺(PI)膠片(t即e)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該金屬引線層、第一散熱金屬層及第二散熱金屬層的材料為銅/錫(Cu/Sn)，厚度為6 至15微米，該金屬凸塊及散熱凸塊材料為金(Au)。
21. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該芯片主動面上 的金屬凸塊及散熱凸塊與該軟質(zhì)載板第一表面上的金屬弓I線層及第一 散熱金屬層相互形成共金結(jié)構(gòu)。
22. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該芯片通過該金 屬凸塊與軟質(zhì)載板金屬引線層相互電性耦合而作信號傳遞，該芯片通 過散熱凸塊與載板第一表面的第一散熱金屬層連接，再通過形成于載 板第二表面的第二散熱金屬層而傳遞芯片運行時所產(chǎn)生的熱量。
23. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，復(fù)包括有防焊層，覆蓋 于該軟質(zhì)載板第一表面，且外露出該金屬引線層端部及第一散熱金屬 層。
24. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，復(fù)包括有覆蓋層，形成 于該軟質(zhì)載板第二表面，且遮覆第二散熱金屬層。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該覆蓋層為拒焊層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置及其制法，是提供一具有相對第一及第二表面的軟質(zhì)載板，且于該第一表面上形成有金屬引線層及第一散熱金屬層，而該第二表面上形成有一第二散熱金屬層，另提供具有相對主動面及非主動面的芯片，于該主動面上設(shè)有多個焊墊，且各該焊墊上形成有對應(yīng)該金屬引線層的金屬凸塊，并于該些金屬凸塊間形成有對應(yīng)該第一散熱金屬層的散熱凸塊，以供芯片接置于該軟質(zhì)載板上時，令該芯片的金屬凸塊與散熱凸塊對應(yīng)電性連接至該軟質(zhì)載板的金屬引線層及第一散熱金屬層，同時供芯片運行時所產(chǎn)生的熱量得以通過該散熱凸塊、第一及第二散熱金屬層向外逸散。
文檔編號H01L23/367GK101345198SQ200710136248
公開日2009年1月14日 申請日期2007年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月12日
發(fā)明者柯俊吉, 王愉博, 賴正淵, 顏家宏, 黃建屏 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司