專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法以及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及一種以最佳的冗余填充(dummy insertion)數(shù)目保證化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing, CMP)性能的方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)芯片尺寸縮小且技術(shù)達(dá)到次微米時(shí)，雙鑲嵌結(jié)構(gòu)(dual damascene)制造 工藝被普遍用于半導(dǎo)體制造。在雙鑲嵌結(jié)構(gòu)制造工藝中，銅一般用來(lái)當(dāng)連結(jié) 的導(dǎo)電材料。其它導(dǎo)電材料包括鎢、鈦、氮化鈦。相對(duì)應(yīng)地，氧化硅、摻氟 的硅玻璃、或低介電常數(shù)(k)的材料用作層間介電層(inter-level dielectric, ILD)。化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)用在回蝕(etch back)和全域平坦化(planarize)晶圓表 面的導(dǎo)電材料和/或ILD上?；瘜W(xué)機(jī)械研磨在材料去除制造工藝中同時(shí)包括 機(jī)械磨光和化學(xué)蝕刻。然而，因?yàn)榻饘俸徒殡娰|(zhì)材料的移除率經(jīng)常不相同，因此對(duì)研磨的選擇 性會(huì)導(dǎo)致不想要的凹陷(dishing)和侵蝕(erosion)現(xiàn)象。凹陷時(shí)常發(fā)生在金屬減 退至鄰近介電質(zhì)的平面以下或超出鄰近介電質(zhì)的平面以上。侵蝕則是介電質(zhì) 的局部過(guò)薄。凹陷和侵蝕現(xiàn)象易受圖形的結(jié)構(gòu)和圖形的密度影響。因此，冗 余金屬(dummymetal)的特性被用來(lái)設(shè)計(jì)整合至鑲嵌結(jié)構(gòu)，以讓圖案密度更平 均而改善平坦化工藝。其它使用化學(xué)機(jī)械研磨的制造工藝程序也遇到相同的問(wèn)題。舉例而言， 淺溝槽隔離(shallow trench isolation, STI)使用化學(xué)機(jī)械研磨去形成一個(gè)全域 平坦化的剖面。過(guò)度蝕刻(overetching)通常用來(lái)確保氮化硅上氧化硅的蝕刻 完整。至于與區(qū)域圖形相關(guān)的表面差異，可應(yīng)用冗余因子(dummy feature), 如主動(dòng)冗余因子，在STI溝槽里移除此差異。一般而言，冗余填充方法基于局部密度原則，此原則在一晶圓上廣泛加 入冗余因子以達(dá)到一平均目標(biāo)密度。通過(guò)此方法，過(guò)量的冗余因子可能會(huì)被形成，因而增加半導(dǎo)制造工藝的時(shí)間和成本。當(dāng)新的制造工藝技術(shù)出現(xiàn)以及 電路設(shè)計(jì)變得更復(fù)雜時(shí)，這些問(wèn)題將會(huì)被放大。此外，不必要的冗余因子可 能降低裝置的效能，如增加寄生電容等不良副作用。因此， 一種簡(jiǎn)單而符合 經(jīng)濟(jì)效益的方法，可以最佳化冗余因子的數(shù)目而不影響化學(xué)機(jī)械研磨性能的 方法，是大家所渴望出現(xiàn)的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種減少電路設(shè)計(jì)的冗余金屬數(shù)量來(lái)節(jié)省光掩模時(shí)間、CPU時(shí)間、和信號(hào)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的方法和裝置。本發(fā)明提供一種冗余填充的方法。此方法提供電路圖形，產(chǎn)生此電路圖 形的密度報(bào)告以辨別冗余填充的可行區(qū)域，并根據(jù)密度報(bào)告模擬平坦化工藝并辨別電路圖形上的熱點(diǎn)(hot spot)。填充冗余填充至此可行區(qū)域并接著調(diào)整 密度報(bào)告，再根據(jù)調(diào)整后的密度報(bào)告模擬平坦化工藝直到熱點(diǎn)移除為止。在 一些實(shí)施例中，提供此電路圖形的為電腦輔助設(shè)計(jì)(CAD)格式。而在一些實(shí) 施例中，此電路圖形為GDS格式。在一些實(shí)施例中，電路圖形包括數(shù)個(gè)金 屬層。在其它實(shí)施例中，電路圖形被分成數(shù)個(gè)區(qū)域，并且利用軟件環(huán)境，如設(shè) 計(jì)原則檢査(design rule check, DRC)工具，決定每個(gè)區(qū)域的區(qū)域密度。模擬 的過(guò)程包括執(zhí)行虛擬化學(xué)機(jī)械研磨(virtual chemical mechanical polishing, VCMP)模擬器，以產(chǎn)生這些區(qū)域的厚度和形貌(topogmphy灘告。辨別熱點(diǎn)的 方法包括判別此熱點(diǎn)與鄰近區(qū)域的厚度差異是否大于最小厚度。本發(fā)明也公開(kāi)一最佳冗余填充的方法。該方法提供電路布局，并產(chǎn)生此 電路布局的密度報(bào)告以辨別冗余填充的可行區(qū)域。模擬第一平坦化工藝(使用 第一密度填充方法填充冗余圖形(dummy pattern)),以及模擬第二平坦化工藝 (使用第二密度填充方法填充冗余圖形)。并且通過(guò)比較第一平坦化工藝的第 一厚度報(bào)告和第二平坦化工藝的第二厚度報(bào)告，辨別熱點(diǎn)和冷點(diǎn)(cold spot), 且決定此電路圖形的最佳冗余填充。在一些實(shí)施例中，此電路圖形被分成數(shù) 個(gè)格子，每個(gè)格子有其區(qū)域密度。在一些實(shí)施例中，產(chǎn)生密度報(bào)告的方法還 包括在這些格子上執(zhí)行設(shè)計(jì)原則檢査，以辨別該可行區(qū)域與其密度的冗余填 充。在其它實(shí)施例中，模擬的方法還包括執(zhí)行虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器。還有其它的實(shí)施例的模擬方法，包括設(shè)定第一密度填充方法具有最小密 度填充方法。并且，該模擬方法包括設(shè)定第二密度填充方法具有目標(biāo)密度填 充方法。在一些實(shí)施例中，辨別可行區(qū)域的方法包括判別冷點(diǎn)以移除此區(qū)域 的冗余圖形，該冷點(diǎn)為第一平坦化工藝和第二平坦化工藝的厚度差異小于最 小厚度的一個(gè)格子。在其它實(shí)施例中，辨別可行區(qū)域的方法包括判別熱點(diǎn)以 增加冗余填充至此區(qū)域，該熱點(diǎn)與鄰近格子的厚度差異大于最小厚度。還有 其它實(shí)施例中，辨別可行區(qū)域的方法包括判別熱點(diǎn)以增加冗余填充至此區(qū) 域，該熱點(diǎn)的第一厚度報(bào)告與第二厚度報(bào)告的厚度差異大于最小厚度。在其 它實(shí)施例中，此方法還包括產(chǎn)生一個(gè)伴隨此最佳冗余填充的最終電路布局。本發(fā)明也提供一半導(dǎo)體裝置，包括有數(shù)個(gè)區(qū)域的電路布局，其中每個(gè)區(qū) 域有其區(qū)域密度，還有在此電路布局上可用作冗余填充的可行區(qū)域。此半導(dǎo) 體裝置也包括形成于此區(qū)域的最佳冗余填充，其中該最佳冗余填充通過(guò)比較 第一模擬平坦化工藝(使用第一密度填充方法)和第二模擬平坦化工藝(第二 密度填充方法)，以辨別熱點(diǎn)和冷點(diǎn)。在一些實(shí)施例中，第一密度填充方法包 括最小密度填充方法。在其它實(shí)施例中，第二密度填充方法包括目標(biāo)密度填 充方法。還有一些實(shí)施例，該最佳冗余填充包括從冷點(diǎn)移除冗余圖形，該冷點(diǎn)所 在區(qū)域的第一平坦化工藝和第二平坦化工藝的厚度差異小于最小厚度。在其 它實(shí)施例中，該最佳冗余填充包括在熱點(diǎn)加入冗余圖形，該熱點(diǎn)所在的區(qū)域 與其鄰近區(qū)域的厚度差異大于最小厚度。還有其它實(shí)施例，該最佳冗余填充 包括在熱點(diǎn)加入冗余圖形，該熱點(diǎn)所在區(qū)域的第一厚度報(bào)告和第二厚度報(bào)告 的厚度差異大于最小厚度。本發(fā)明可以減少電路設(shè)計(jì)的冗余金屬數(shù)量而節(jié)省光掩模時(shí)間、CPU時(shí)間、和信號(hào)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器。這將有利于設(shè)計(jì)時(shí)序收斂(timeclosure)更快更 容易。此外，通過(guò)降低冗余金屬數(shù)量，寄生電容和電源消耗也跟著降低。 本發(fā)明針對(duì)金屬剖面/厚度取代區(qū)域金屬密度而提供最佳冗余填充方法。 本發(fā)明的公開(kāi)方法使得冗余版圖分布最佳化(通過(guò)改進(jìn)執(zhí)行時(shí)間、存儲(chǔ)器 使用、與總?cè)哂嗵畛鋽?shù))而未犧牲化學(xué)機(jī)械研磨性能。


本發(fā)明所公開(kāi)的內(nèi)容，配合附圖將能被最有效地理解。在此需注意的是， 根據(jù)業(yè)界的實(shí)際操作標(biāo)準(zhǔn)，許多所述特性(如數(shù)值、尺寸的大小)將可被放大 或縮小。圖1A-圖ID為半導(dǎo)體晶圓因化學(xué)機(jī)械研磨制造工藝而造成的凹陷和侵 蝕現(xiàn)象斷面圖。圖2為一智能冗余填充方法的實(shí)施例方塊圖。 圖3為另一智能冗余填充方法的實(shí)施例方塊圖。 圖4為實(shí)現(xiàn)圖3的方法后的簡(jiǎn)化金屬層俯視圖。圖5為一圖例，說(shuō)明一金屬層在沒(méi)有冗余填充、應(yīng)用過(guò)量冗余填充、和 應(yīng)用本發(fā)明所公開(kāi)的冗余填充方法相比的厚度差異。 圖6為應(yīng)用本發(fā)明所公開(kāi)方法的信號(hào)處理系統(tǒng)。 其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下 120、 140、 160、 180 半導(dǎo)體裝置 122、 142、 162、 182 介電質(zhì) 124、 144、 164、 184 金屬 230、 330 密度與可行區(qū)域報(bào)告 240、 341、 342 虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器 250、 351、 352 厚度報(bào)告 411、 412、 413、 423、 431、 432、 433 熱點(diǎn) 414、 424 冷點(diǎn) 410、 420、 430 金屬層 604 伺服器 600 系統(tǒng) 608、 610、 612 用戶(hù)端 606 存儲(chǔ)裝置 602 網(wǎng)絡(luò)具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明更容易被理解，下列敘述都將寫(xiě)成實(shí)施例或舉例的形式， 并配合附圖。然而，這些實(shí)施例或舉例并不意圖限制本發(fā)明的范圍。任何變 化及進(jìn)一步修改將描述于實(shí)施例中，或可由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員依本發(fā)明所 公開(kāi)的內(nèi)容思考得知。此外， 一個(gè)或多個(gè)相近的元件不代表沒(méi)有介于其間的元件存在。再者，參考數(shù)字可能于這些實(shí)施例中重復(fù)出現(xiàn)，但其本身不代表 實(shí)施例的特性可套用于另一實(shí)施例上，即使他們有相同的參考數(shù)字。圖1為四個(gè)因化學(xué)機(jī)械研磨造成的凹陷與侵蝕現(xiàn)象的半導(dǎo)體晶圓斷面圖100。在圖1A中，當(dāng)金屬124有比介電質(zhì)122更高的研磨率(polishing rate) 時(shí)，半導(dǎo)體裝置120在半導(dǎo)體晶圓中發(fā)生凹陷。介電質(zhì)122可能包括氧化硅、 摻氟的硅玻璃、低介電常數(shù)k的材料、或上述材料的組合。金屬124可能包 括銅、鎢、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、或上述金屬的組合。介電質(zhì)122和金 屬124可能為集成半導(dǎo)體電路的部分互連結(jié)構(gòu)，且可能由雙鑲嵌制造工藝所 制造，該制造工藝包括沉淀、蝕刻、以及化學(xué)機(jī)械研磨。當(dāng)平坦化的制造工 藝(如化學(xué)機(jī)械研磨)中，金屬124的移除率高于介電質(zhì)122時(shí)，相較于平坦 表面的剖面顯著差異即稱(chēng)為凹陷現(xiàn)象。圖1B中，當(dāng)介電質(zhì)142的研磨率高于金屬144時(shí)，半導(dǎo)體140發(fā)生凹 陷。當(dāng)介電質(zhì)142的移除率高于金屬144時(shí)，與平坦的表面相較的剖面差異 也稱(chēng)之為凹陷。圖1C中，當(dāng)介電質(zhì)162的研磨率高于金屬164時(shí)，半導(dǎo)體160發(fā)生侵 蝕現(xiàn)象。當(dāng)介電質(zhì)162的移除率高于金屬164時(shí)，與平坦的表面相較的剖面 差異便稱(chēng)為侵蝕現(xiàn)象。圖1D中，當(dāng)介電質(zhì)182的研磨率高于金屬184時(shí)，半導(dǎo)體160發(fā)生侵 蝕現(xiàn)象。當(dāng)金屬184的移除率高于介電質(zhì)182時(shí)，與平坦的表面相較的剖面 差異也稱(chēng)為侵蝕現(xiàn)象。半導(dǎo)體裝置120、 140、 160、和180還包括電路和半導(dǎo)體基板。該電路 可能包括金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效型晶體管(MOSFET)、雙極晶體管、二極體、存儲(chǔ) 器單元、電阻、電容、電感、高電壓晶體管、感測(cè)器、或上述的組合。該半 導(dǎo)體基板可能包括元素半導(dǎo)體(如硅晶、多晶硅、非晶硅、和鍺)，或化合半 導(dǎo)體(如碳硅化合物和砷化鎵)，或是合金半導(dǎo)體(如硅鍺、磷砷化鎵、砷銦化 鎵、砷鎵化鋁、磷銦化鎵)，或是上述的組合。該半導(dǎo)體基板可能為絕緣層上 石圭(semiconductor on insulator, SOI)，具有埋藏氧^f七層(buried oxide， BOX)結(jié) 構(gòu)。在其它實(shí)施例中，化合半導(dǎo)體基板可能包括多重硅結(jié)構(gòu)，或者此硅基板 可能包括多層化合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。凹陷和侵蝕現(xiàn)象可能源自隔離結(jié)構(gòu)的形成，如化學(xué)機(jī)械研磨的淺溝槽隔離(shallow trench isolation, STI)。舉例淺溝槽隔離而言，是通過(guò)在基板上干 蝕刻一個(gè)溝槽并注入絕緣體(如氧化硅、低介電常數(shù)k的材料、或是上述的組 合)至此溝槽中而形成。氮化硅可以用作蝕刻停止層(etch stop layer)以保護(hù) STI區(qū)域間的作用區(qū)域。被填滿(mǎn)的溝槽可能具有多層結(jié)構(gòu)，如由化學(xué)氣相沉 積(chemical vapor deposition, CVP)形成的熱氧化襯底層(thermal oxide liner layer)加氧化硅。當(dāng)化學(xué)機(jī)械研磨用以回蝕和平坦化半導(dǎo)體表面時(shí)，氧化硅和 氮化硅的研磨選擇性可能造成凹陷。凹陷和侵蝕現(xiàn)象兩者都與圖形密度有關(guān)。在包括SIT形成和互連結(jié)構(gòu)形 成的化學(xué)機(jī)械研磨的平坦化工藝中，為了移除凹陷和侵蝕，冗余填充可以用 來(lái)改進(jìn)圖形密度和減少平坦剖面的差異。圖2說(shuō)明智能冗余填充方法200的方塊圖。此方法200開(kāi)始于步驟210， 其中的電路布局是基于客戶(hù)的集成電路設(shè)計(jì)且沒(méi)有冗余填充。此電路布局 (例如設(shè)計(jì)信號(hào))是以電腦輔助設(shè)計(jì)格式(如GDS格式)提供。通常此電路布局 包括數(shù)個(gè)金屬層。每個(gè)金屬層包括在電介層上的互連用金屬。為了簡(jiǎn)化說(shuō)明， 方法200使用只有一層金屬層的電路布局。然而，本發(fā)明的精神與其范圍是 可以擴(kuò)展至多重金屬層的，因?yàn)榛瘜W(xué)機(jī)械研磨的性能有加乘的效果。也就是 說(shuō)，位于上層金屬層的化學(xué)機(jī)械研磨性能仰賴(lài)于其下層金屬層的化學(xué)機(jī)械研 磨性能。電路布局的金屬層被分成數(shù)個(gè)區(qū)域，可以說(shuō)成單元(cell)、格子(grid)、 或區(qū)塊(tile)。區(qū)域的數(shù)目可以變動(dòng)，視技術(shù)與電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度而定。繼續(xù)方法200的步驟220，利用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(design rule check, DRC) 以針對(duì)金屬層內(nèi)每個(gè)區(qū)域執(zhí)行密度掃描。設(shè)計(jì)規(guī)則檢査是一個(gè)軟件工具，用 以判別電路布局是否符合一組設(shè)計(jì)規(guī)則。為了舉例方便，此例中的一個(gè)設(shè)計(jì) 規(guī)則是金屬層中內(nèi)連線(xiàn)的最小密度規(guī)則。每個(gè)區(qū)域有其區(qū)域密度，而區(qū)域密 度的算法為在一區(qū)域內(nèi)金屬連線(xiàn)的總面積除以此區(qū)域的總面積。最小密度規(guī) 則要求每個(gè)區(qū)域的區(qū)域密度要等于或大于一最小密度值。設(shè)計(jì)原則檢查僅是 一個(gè)例子，而用許多程序語(yǔ)言撰寫(xiě)的其它的軟件程序也可決定和分析一圖形 布局的密度與可行區(qū)域(feasible area),可行區(qū)域的詳細(xì)說(shuō)明如下。繼續(xù)方法200的步驟230，其中設(shè)計(jì)原則檢查提供包括每個(gè)區(qū)域密度的 密度回報(bào)。在一決定冗余填充數(shù)量的常見(jiàn)規(guī)則方法之下，冗余填充(dummy fill) 軟件工具在設(shè)計(jì)原則檢查環(huán)境里使用區(qū)域密度信息，以執(zhí)行冗余填充在整塊芯片上。如果在一給定區(qū)域的區(qū)域密度不符合一最小密度，此冗余填充軟件 工具就會(huì)填充冗余圖形至此區(qū)域的自由區(qū)。CPU的執(zhí)行時(shí)間和存儲(chǔ)器使用量 (為了輸出具冗余填充的文件)是依賴(lài)于電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。新制造工藝科技 的出現(xiàn)和電路設(shè)計(jì)變得愈來(lái)愈復(fù)雜，執(zhí)行時(shí)間與存儲(chǔ)器使用量便變得不符經(jīng) 濟(jì)效益且不實(shí)際。為了改善此制造工藝，可在冗余填充之前辨別可行區(qū)域的 密度。舉例而言，設(shè)計(jì)原則檢查是又快又容易取得此信息的工具。可行區(qū)域 與其密度報(bào)告表示在一給定區(qū)域內(nèi)有多少空區(qū)可以用作冗余填充。此可行區(qū) 域可動(dòng)態(tài)更新，如虛擬冗余圖形填充后再接續(xù)修正密度報(bào)告，如下所述。繼續(xù)方法200的步驟240，其中執(zhí)行一虛擬化學(xué)機(jī)械研磨(virtual chemical mechanical polishing, VCMP)模擬器。虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器是 一個(gè)模擬化學(xué)機(jī)械研磨過(guò)程的軟件工具。每個(gè)區(qū)域和其區(qū)域密度為虛擬化學(xué) 機(jī)械研磨的輸入。此外，尚有其它輸入?yún)?shù)提供給虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器， 如金屬材質(zhì)、介電材料、研磨墊(polishing pad)硬度、墊的類(lèi)型、研磨漿 (polishing slurry)公式、研磨壓力、轉(zhuǎn)速、研磨率、和研磨選擇性。繼續(xù)方法200的步驟250，其中虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器根據(jù)給定的輸 入信號(hào)產(chǎn)生金屬層的厚度和形貌報(bào)告。在模擬化學(xué)機(jī)械研磨制造工藝后，厚 度和形貌報(bào)告提供此金屬層一全域的厚度剖面圖。此報(bào)告包括金屬層中每個(gè) 區(qū)域的平均厚度。繼續(xù)方法200的步驟260，厚度及形貌報(bào)告被制造工藝以判別金屬層內(nèi) 的熱點(diǎn)。熱點(diǎn)為金屬層內(nèi)容易被化學(xué)機(jī)械研磨的問(wèn)題(如凹陷和侵蝕)影響的 區(qū)域。例如辨別熱點(diǎn)的一個(gè)技術(shù)是去評(píng)價(jià)相鄰金屬層的厚度差異。每個(gè)區(qū)域 有由虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器判別的一平均厚度。在一給定區(qū)域中，此區(qū)域 與其周?chē)鷧^(qū)域的厚度差異是被用來(lái)計(jì)算的。在此實(shí)施例中，厚度差異是此區(qū) 域平均厚度與其鄰近區(qū)域平均厚度的差異的絕對(duì)值。假如此厚度差異大于一 最小厚度，則此區(qū)域會(huì)被標(biāo)示成熱點(diǎn)。金屬層內(nèi)所有區(qū)域皆以同樣的方式判 別是否為熱點(diǎn)。繼續(xù)方法200的步驟270，判別金屬層內(nèi)的熱點(diǎn)是否被移除。如果有熱 點(diǎn)的話(huà)，方法200繼續(xù)步驟280，調(diào)整密度報(bào)告以產(chǎn)生虛擬冗余填充(virtual dummy insertion)。此虛擬冗余填充是個(gè)程序，建議一個(gè)新的冗余圖形去填充 此可行區(qū)域。此可行區(qū)域可由設(shè)計(jì)原則檢查環(huán)境或其它上述的合適軟件環(huán)境來(lái)判別。然而，虛擬冗余填充是用設(shè)計(jì)原則檢查環(huán)境以外所處理的。此建議的方式是基于下列公式Di-Do+(l-Do) XDf XDp，其中Di是給定區(qū)域的填充密度，Do是原始密度，Df是可行密度，以及Dp是建議的虛擬冗余填充 的有效圖形密度?？尚忻芏缺硎疽粋€(gè)區(qū)域內(nèi)還有多少空區(qū)可以用作冗余填 充。此執(zhí)行密度在新的虛擬冗余圖形加入可行區(qū)域后被更新。被加入冗余圖形的區(qū)域?qū)⒂休^高的區(qū)域密度。因此，密度報(bào)告被調(diào)整以 響應(yīng)虛擬冗余圖形的加入。方法200用此調(diào)整的密度報(bào)告，重復(fù)步驟240到 260以模擬化學(xué)機(jī)械研磨制造工藝。此目的在于移除所有熱點(diǎn)，并達(dá)到金屬 層上大致平均的全域厚度剖面。于是方法200將重復(fù)此虛擬冗余填充制造工 藝(步驟280)和模擬化學(xué)機(jī)械研磨制造工藝(步驟240到步驟260)直到金屬層 上大多數(shù)或全部的熱點(diǎn)都被移除為止。通過(guò)在設(shè)計(jì)原則檢查冗余填充環(huán)境外 執(zhí)行虛擬冗余填充，且沒(méi)有在芯片上全面性填充冗余圖形，CPU執(zhí)行時(shí)間和 存儲(chǔ)器大小可大幅度改進(jìn)。此外，此方法也可廣泛使其它冗余填充的應(yīng)用受 惠，因?yàn)樘畛涞臄?shù)目被減少且最佳化了。如果沒(méi)有熱點(diǎn)的話(huà)，方法200繼續(xù)執(zhí)行步驟290，經(jīng)由前面步驟決定的 最后建議冗余圖形被整合至此電路布局內(nèi)。在步驟295，有最后建議冗余圖 形的電路布局是電腦輔助設(shè)計(jì)的格式(如可用于制造的GDS格式)。此外，用 于信號(hào)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)格式也可包括設(shè)計(jì)交換格式(design exchange format, DEF) 或庫(kù)交換格式(library exchange format, LEF)。方法200是以單層金屬層的電 路布局作為描述的。然而方法200可通過(guò)施行此方法于每層金屬層，而延伸 至多重金屬層的電路布局。因?yàn)榛瘜W(xué)機(jī)械研磨的性能是累積的，每個(gè)金屬層 的厚度剖面會(huì)影響到下一個(gè)金屬層的厚度剖面。于是，假如所有金屬層有均 勻的厚度剖面，則整個(gè)電路布局的厚度剖面也會(huì)變得均勻，因此由化學(xué)機(jī)械 研磨制造工藝產(chǎn)生的問(wèn)題(如凹陷或侵蝕)便可被移除或減少。圖3說(shuō)明另一智能冗余填充的方法300，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例。方 法300開(kāi)始于步驟310，其中電路布局是基于客戶(hù)的集成電路設(shè)計(jì)且沒(méi)有冗 余填充。此電路布局是電腦輔助設(shè)計(jì)格式(如GDS格式)。通常此電路布局包 括數(shù)個(gè)金屬層。每個(gè)金屬層包括在電介層上的互連用金屬。為了簡(jiǎn)化說(shuō)明， 方法300使用只有一層金屬層的電路布局。然而，本發(fā)明的精神與其范圍是 可以擴(kuò)展至多重金屬層的，因?yàn)榛瘜W(xué)機(jī)械研磨的性能有加乘的效果。這也就是說(shuō)，位于上層的金屬層的化學(xué)機(jī)械研磨性能仰賴(lài)于其下層金屬層的化學(xué)機(jī) 械研磨性能。電路布局的金屬層被分成數(shù)個(gè)區(qū)域或單元。區(qū)域的數(shù)目可以變 動(dòng)，視技術(shù)與電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度而定。繼續(xù)方法300的步驟320，金屬層內(nèi)每個(gè)區(qū)域的密度掃描使用的是設(shè)計(jì)原則檢査。設(shè)計(jì)原則檢査是一個(gè)軟件工具，判別電路布局是否符合一組設(shè)計(jì) 規(guī)則。為了舉例方便，此例中的一個(gè)設(shè)計(jì)規(guī)則是金屬層內(nèi)互連的最小密度規(guī) 則。每個(gè)區(qū)域有其區(qū)域密度，而區(qū)域密度的算法為在一區(qū)域內(nèi)金屬連線(xiàn)的總 面積除以此區(qū)域的總面積。最小密度規(guī)則要求每個(gè)區(qū)域的區(qū)域密度要等于或 大于一最小密度值。繼續(xù)方法300的步驟330，其中設(shè)計(jì)原則檢査提供包括每個(gè)區(qū)域密度的 密度報(bào)告并判別可執(zhí)行冗余填充的可行區(qū)域，如先前所述。繼續(xù)方法300的331和332的模擬，其中有虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器執(zhí) 行。虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器是一個(gè)模擬化學(xué)機(jī)械研磨過(guò)程的軟件工具。每 個(gè)區(qū)域和其區(qū)域密度為虛擬化學(xué)機(jī)械研磨的輸入。此外，尚有其它輸入?yún)?shù) 提供給虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器，如金屬材質(zhì)、電介材質(zhì)、研磨墊硬度、墊 的類(lèi)型、研磨漿公式、研磨壓力、轉(zhuǎn)速、研磨率、和研磨選擇性。第一虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬路線(xiàn)331在可行區(qū)域內(nèi)，實(shí)現(xiàn)虛擬冗余填充 的第一密度填充方法。為了舉例，第一密度填充方法為一最小密度填充方法 (X。/。)341(例如15%的最小密度填充方法)。此15%最小密度填充方法341要 求加入虛擬冗余圖形至可行區(qū)域以達(dá)到15%的密度。因此，第一密度報(bào)告響 應(yīng)虛擬冗余填充的加入而被調(diào)整。此百分率可依化學(xué)機(jī)械研磨的制造經(jīng)驗(yàn)而 改變。第二虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬路線(xiàn)332在可行區(qū)域內(nèi)，實(shí)現(xiàn)虛擬冗余填充 的第二密度填充方法。為了舉例，第二密度填充方法為一目標(biāo)密度填充方法 (Y。/。)342(例如50%的目標(biāo)密度填充法)。50%目標(biāo)密度填充方法342要求加入 冗余圖形至可行區(qū)域以達(dá)到50%密度。因此，第二密度報(bào)告響應(yīng)虛擬冗余填 充的加入而被調(diào)整。此百分率可依化學(xué)機(jī)械研磨的制造經(jīng)驗(yàn)而改變。方法300繼續(xù)執(zhí)行步驟351和352，其中虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器從第 一密度填充方法產(chǎn)生第一厚度和形貌報(bào)告，以及從第二密度填充方法產(chǎn)生第 二厚度和形貌報(bào)告。第一厚度和形貌報(bào)告提供在模擬SMP后的金屬層全域厚度剖面，此SMP模擬實(shí)現(xiàn)15%最小密度填充方法341。第二厚度和形貌報(bào) 告提供在模擬SMP后的金屬層全域厚度剖面，此SMP模擬實(shí)行50%目標(biāo)密 度填充方法342。每個(gè)報(bào)告包括金屬層上每個(gè)區(qū)域的平均厚度。方法300繼續(xù)執(zhí)行步驟360，通過(guò)第一厚度報(bào)告和第二厚度報(bào)告判別熱 點(diǎn)和冷點(diǎn)。熱點(diǎn)為金屬層內(nèi)容易受化學(xué)機(jī)械研磨制造工藝問(wèn)題(如凹陷或侵蝕) 影響的區(qū)域。舉例而言， 一個(gè)判別熱點(diǎn)的技術(shù)為評(píng)價(jià)金屬層內(nèi)相鄰區(qū)域的厚 度差異。每個(gè)區(qū)域有由虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器判別的平均厚度。對(duì)一給定 的區(qū)域而言，此區(qū)域與其周?chē)鷧^(qū)域的厚度差異是被計(jì)算的。此厚度差異為此 區(qū)域與其周?chē)鷧^(qū)域平均厚度的差異的絕對(duì)值。假如厚度差異大于一最小厚 度，則區(qū)域被標(biāo)示為熱點(diǎn)。此最小厚度可依CPM的制造經(jīng)驗(yàn)或其它合適的 人而改變。相對(duì)地，另一個(gè)判別熱點(diǎn)的技術(shù)為評(píng)價(jià)同區(qū)域內(nèi)第一厚度報(bào)告與第二厚 度報(bào)告的厚度差異。對(duì)一給定的區(qū)域，此厚度差異為此區(qū)域內(nèi)第一厚度報(bào)告 的平均厚度，與此區(qū)域內(nèi)第二厚度報(bào)告的平均厚度的差異的絕對(duì)值。如果此 厚度差異大于一最小厚度，則此區(qū)域被標(biāo)示成熱點(diǎn)。金屬層內(nèi)所有區(qū)域均利 用第一厚度報(bào)告和第二厚度報(bào)告，以相同的方法去判別金屬層內(nèi)的所有熱 點(diǎn)。此最小厚度可依制造商或其它合適的人而制定。冷點(diǎn)為金屬層內(nèi)不易受化學(xué)機(jī)械研磨的問(wèn)題影響的區(qū)域，是良好的冗余 因子移除候選名單。冷點(diǎn)為金屬層內(nèi)，第一厚度報(bào)告與第二厚度報(bào)告的厚度 差異小于一最小厚度的一區(qū)域。如先前于步驟351和352討論的，第一厚度 報(bào)告由實(shí)行15%最小密度填充方法的虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器所產(chǎn)生，第二 厚度報(bào)告由實(shí)行50%目標(biāo)密度填充方法的虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器所產(chǎn)生。 因此，虛擬冗余圖形填充可行區(qū)域，且目標(biāo)為15%填充量比目標(biāo)為50%要來(lái) 得少。通過(guò)辨別可行區(qū)域內(nèi)的冷點(diǎn)，只要熱點(diǎn)不會(huì)因移除而產(chǎn)生的話(huà)，滿(mǎn)足 15%最小密度填充方法或50%目標(biāo)密度填充方法的冗余圖形可以被移除?；?者，冷點(diǎn)可由相同的厚度報(bào)告來(lái)辨別。最小密度填充方法和目標(biāo)密度填充方 法可以被制造者或其它合適人所改變或依據(jù)客戶(hù)規(guī)格定制解決方案。方法300繼續(xù)執(zhí)行步驟370，冗余圖形在冷點(diǎn)被移除且在熱點(diǎn)被加入。 冗余圖形可由與步驟200(步驟240到260與步驟280)相同的程序在熱點(diǎn)被加 入。于是，方法300提供填充最佳冗余圖形的冗余填充程序，而此冗余圖形可保留化學(xué)機(jī)械研磨性能，且此冗余填充程序在設(shè)計(jì)原則檢查填充環(huán)境或其 它合適的軟件環(huán)境之外被執(zhí)行。繼續(xù)方法300的步驟380，有最佳冗余填充的新電路布局為電腦輔助設(shè) 計(jì)格式，如GDS格式。或者，此設(shè)計(jì)格式可包括設(shè)計(jì)交換格式(DEF)或庫(kù)交 換格式(LEF)信號(hào)結(jié)構(gòu)。此新的電路布局可準(zhǔn)備用于制造。圖4為金屬層410的第一厚度報(bào)告(A)，金屬層420的第二厚度報(bào)告(B)， 以及產(chǎn)生自圖3方法300的金屬層430(C)的俯視圖。金屬層A 410包括數(shù)個(gè) 區(qū)域41K 412、 413、 414。每個(gè)區(qū)域有一判別自虛擬化學(xué)機(jī)械研磨的平均厚 度。金屬層(B)420包括區(qū)域423和424。每個(gè)區(qū)域有一判別自虛擬化學(xué)機(jī)械 研磨的平均厚度。如先前所述，熱點(diǎn)是與鄰近厚度差異大于一最小厚度的區(qū)域。舉例而言， 金屬層(A)的區(qū)域411和412有大于一最小厚度的厚度差異，于是這些區(qū)域?qū)?會(huì)被考慮用虛擬冗余填充，如金屬層(C)的區(qū)域431和432，其為判別金屬層 (A)熱點(diǎn)的結(jié)果。熱點(diǎn)也可是相同區(qū)域內(nèi)，第一厚度報(bào)告和第二厚度報(bào)告的厚 度差異大于一最小厚度的地方。舉例而言，金屬層(A)的區(qū)域413和金屬層(B) 的區(qū)域423有大于一最小厚度的厚度差異，于是此區(qū)域會(huì)考慮用虛擬冗余填 充，如金屬層(C)的區(qū)域"3所示，此結(jié)果為通過(guò)比較金屬層(A)和(B)而辨別 的熱點(diǎn)。冷點(diǎn)通過(guò)相同區(qū)域內(nèi)，第一厚度報(bào)告與第二厚度報(bào)告的厚度差異小于一 最小厚度而得以辨別。舉例而言，金屬層(A)的區(qū)域414和金屬層(B)的區(qū)域 424有小于一最小厚度的厚度差異，于是此區(qū)域不會(huì)被考慮虛擬冗余填充， 如同金屬層(C)沒(méi)有此區(qū)域一樣。因此，較少的區(qū)域會(huì)被考慮作冗余填充而降 低冗余填充的數(shù)量。圖5A和圖5B說(shuō)明沒(méi)有冗余填充、有過(guò)量冗余填充、以及實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所 公開(kāi)的冗余填充方法的金屬層厚度差異。如先前所述，金屬層被分為數(shù)個(gè)區(qū) 域(如同格子、單元、或區(qū)塊)。同一電路設(shè)計(jì)里有三層金屬層， 一層未使用 冗余填充， 一層使用過(guò)量冗余填充，以及一層使用本發(fā)明所公開(kāi)的冗余填充 方法。在圖5B中，每個(gè)區(qū)域(虛線(xiàn)柵格內(nèi)的U)的厚度差異計(jì)算，為與其周?chē)?區(qū)域(虛線(xiàn)柵格外的tB)差異的絕對(duì)值。對(duì)所有三層金屬層處理完后的結(jié)果顯 示于圖500。水平軸表示厚度差異(單位為埃，A)，而垂直軸表示區(qū)域/柵格量。圖500顯示本發(fā)明公開(kāi)的方法比未加入冗余填充有效降低厚度差異，圖500也顯示本發(fā)明公開(kāi)的方法與過(guò)量冗余填充的厚度差異很相近。因此，本發(fā)明的公開(kāi)方法最佳化了冗余圖形分布(通過(guò)改進(jìn)執(zhí)行時(shí)間、存儲(chǔ)器使用、與 總?cè)哂嗵畛鋽?shù))而未犧牲化學(xué)機(jī)械研磨性能。圖6說(shuō)明有本發(fā)明公開(kāi)方法的信號(hào)處理系統(tǒng)600。處理系統(tǒng)600包括網(wǎng) 絡(luò)602，其為一媒介，連接許多設(shè)備和電腦于此信號(hào)處理系統(tǒng)600。網(wǎng)絡(luò)602 也可能包括有線(xiàn)、無(wú)線(xiàn)、或光纖纜線(xiàn)連接。伺服器604連接至與存儲(chǔ)設(shè)備606 連接在一起的網(wǎng)絡(luò)602。此外，用戶(hù)端608、 610、和612連接至網(wǎng)絡(luò)602。 這些用戶(hù)端608、 610、和612可能為個(gè)人電腦或網(wǎng)絡(luò)電腦。伺服器604提供 信號(hào)(如開(kāi)機(jī)文件、作業(yè)系統(tǒng)圖像、和應(yīng)用程序)至用戶(hù)端608-612。此網(wǎng)絡(luò)信 號(hào)處理系統(tǒng)600可能包括額外的伺服器、用戶(hù)端、和其它未顯示的設(shè)備。此外，網(wǎng)絡(luò)602可能包括Internet和/或網(wǎng)絡(luò)集和使用TCP/IP協(xié)定的網(wǎng)關(guān)。 在另一例子中，網(wǎng)絡(luò)602可能包括數(shù)個(gè)不同型式的網(wǎng)絡(luò)，如區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(LAN) 或廣域網(wǎng)絡(luò)(WAN)。 一個(gè)或數(shù)個(gè)本發(fā)明公開(kāi)方法的步驟可能執(zhí)行于相同電腦 和/或相同程序。圖6僅是例子，不表示限制本發(fā)明于這樣的結(jié)構(gòu)下。雖然本發(fā)明所公開(kāi)的如上所述，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員仍可作許多變 動(dòng)、替換、或取代而不偏離本發(fā)明所公開(kāi)的精神與范圍。例如，即使冗余金 屬填充的方法已在這些實(shí)施例被說(shuō)明，其它種冗余因子，如二氧化硅可能用 在本發(fā)明的公開(kāi)方法中。上述公開(kāi)所列出的步驟可以作不同的組合或平行執(zhí) 行。同樣地，不同實(shí)施例所述的特性也可跨實(shí)施例而組合在一起。因此，所 有如此修改的意圖均包含于本發(fā)明的公開(kāi)精神與范圍內(nèi)。許多不同的優(yōu)點(diǎn)存在于這些實(shí)施例中。當(dāng)新制造工藝技術(shù)出現(xiàn)和電路設(shè) 計(jì)變得更復(fù)雜時(shí)，平均因在芯片上加入不必要的冗余圖形上所產(chǎn)生的寄生效 應(yīng)將變成重要的課題。本發(fā)明公開(kāi)提供一方法以減少電路設(shè)計(jì)的冗余金屬數(shù) 量而節(jié)省光掩模時(shí)間、CPU時(shí)間、和信號(hào)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器。這將有利于設(shè)計(jì)時(shí)序 收斂(time closure)更快更容易。此外，通過(guò)降低冗余金屬數(shù)量，寄生電容和 電源消耗也跟著降低。此方法針對(duì)金屬剖面/厚度取代區(qū)域金屬密度而提供最 佳冗余填充方法。在執(zhí)行多邊形選取和操作之前，此方法可在經(jīng)由在模擬環(huán) 境中的虛擬冗余填充方法而實(shí)現(xiàn)，并且可管理執(zhí)行時(shí)間和信號(hào)存儲(chǔ)。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，包括提供電路圖形；產(chǎn)生該電路圖形中、辨別為使用冗余填充的可行區(qū)域的密度報(bào)告；根據(jù)該密度報(bào)告模擬平坦化工藝并且辨別該電路圖形上的熱點(diǎn)；填充虛擬冗余圖形至該可行區(qū)域并且依此調(diào)整該密度報(bào)告；以及于填充該虛擬冗余圖形后，根據(jù)調(diào)整的該密度報(bào)告模擬該平坦化工藝直到移除該熱點(diǎn)。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，提供該 電路圖形的步驟包括以電腦輔助設(shè)計(jì)格式提供該電路圖形。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該提供 方法包括以GDS格式提供該電路圖形。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該提供 方法包括提供包括數(shù)個(gè)金屬層的電路圖形。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該產(chǎn)生 方法包括把該電路圖形分成數(shù)個(gè)區(qū)域，并且在軟件環(huán)境中判別每個(gè)區(qū)域的區(qū) 域密度。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該軟件 環(huán)境包括設(shè)計(jì)規(guī)則檢査工具。
7. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該模擬 方法包括執(zhí)行虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器去產(chǎn)生該等區(qū)域的厚度和形貌報(bào)告。
8. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該辨別 方法包括辨別該熱點(diǎn)與其鄰近區(qū)域有大于最小厚度的厚度差異。
9. 一種半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，包括 提供電路布局；產(chǎn)生該電路布局的密度報(bào)告以辨別可以使用冗余填充的區(qū)域； 模擬使用填充冗余填充于該區(qū)域的第一密度填充方法的第一平坦化工藝，和第二密度填充方法的第二平坦化工藝；以及決定該電路布局的最佳冗余填充，通過(guò)比較該第一平坦化工藝的第一厚度報(bào)告和該第二平坦化工藝的第二厚度報(bào)告，以辨別熱點(diǎn)和冷點(diǎn)。
10. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該產(chǎn) 生方法包括把該電路布局分成數(shù)個(gè)格子，其中每個(gè)格子具有區(qū)域密度。
11. 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該產(chǎn) 生方法包括在所述數(shù)個(gè)格子執(zhí)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢査以辨別該區(qū)域和該區(qū)域可以 執(zhí)行冗余填充的密度。
12. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該模 擬方法包括執(zhí)行虛擬化學(xué)機(jī)械研磨模擬器。
13. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該模 擬方法包括設(shè)定該第一密度填充方法，該第一密度填充方法包括最小密度填 充方法。
14. 如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該模 擬方法包括設(shè)定該第二密度填充方法，該第二密度填充方法包括目標(biāo)密度填 充方法。
15. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該決 定方法包括辨別該冷點(diǎn)以移除該區(qū)域內(nèi)的冗余填充，其中該冷點(diǎn)的該第一厚 度報(bào)告和該第二厚度報(bào)告具有小于最小厚度的厚度差異。
16. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該決 定方法包括辨別該熱點(diǎn)以在該區(qū)域內(nèi)加入冗余圖形，其中該熱點(diǎn)與其鄰近格 子具有大于最小厚度的厚度差異。
17. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，其中，該決 定方法包括辨別該熱點(diǎn)以在該區(qū)域內(nèi)加入冗余圖形，其中該熱點(diǎn)的該第一厚 度報(bào)告與該第二厚度報(bào)告具有大于最小厚度的厚度差異。
18. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，還包括產(chǎn)生 有該最佳冗余填充的最終電路布局。
19. 一種半導(dǎo)體裝置，包括有數(shù)個(gè)區(qū)域的電路布局，其中每個(gè)區(qū)域具有區(qū)域密度； 在該電路布局內(nèi)可以執(zhí)行冗余填充的區(qū)域；以及在該區(qū)域內(nèi)的最佳冗余填充，其中該最佳冗余填充用以辨別熱點(diǎn)和冷 點(diǎn)，通過(guò)比較使用第一密度填充方法的第一模擬平坦化工藝和使用第二密度 填充方法的第二模擬平坦化工藝。
20. 如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該第一密度填充方法包括最小密度填充方法。
21. 如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該第二密度填充方法包括 目標(biāo)密度填充方法。
22. 如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該最佳冗余填充包括在該 冷點(diǎn)移除冗余圖形，其中該冷點(diǎn)在該第一模擬平坦化工藝和該第二模擬平坦 化工藝的厚度差異小于最小厚度。
23. 如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該最佳冗余填充包括在該 熱點(diǎn)加入冗余圖形，其中該熱點(diǎn)與鄰近區(qū)域的厚度差異大于最小厚度。
24. 如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該最佳冗余填充包括在該 熱點(diǎn)加入冗余圖形，其中該熱點(diǎn)的該第一模擬平坦化工藝和該第二模擬平坦 化工藝的厚度差異大于最小厚度。
全文摘要
一種半導(dǎo)體制造工藝的冗余填充方法，提供電路圖形，產(chǎn)生該電路圖形的密度報(bào)告以辨別冗余填充(dummy insertion)的可行區(qū)域(feasible area)。該方法也包括利用該密度報(bào)告模擬平坦化(planarization)制造工藝和辨別該電路圖形上的熱點(diǎn)(hot spot)，并填充虛擬冗余圖形在該可行區(qū)域里，再調(diào)整該密度報(bào)告。此方法利用該調(diào)整的密度報(bào)告模擬該平坦化制造工藝直到該熱點(diǎn)被移除為止。本發(fā)明可以減少電路設(shè)計(jì)的冗余金屬數(shù)量而節(jié)省光掩模時(shí)間、CPU時(shí)間、和信號(hào)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器。這將有利于設(shè)計(jì)時(shí)序收斂(time closure)更快更容易。
文檔編號(hào)H01L23/528GK101231667SQ200710103909
公開(kāi)日2008年7月30日 申請(qǐng)日期2007年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月22日
發(fā)明者侯永清, 張廣興, 鄭儀侃 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司