專利名稱：一種定點沉積介質顆粒的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及形成半導體器件的制程，尤其涉及一種定點沉積介質顆粒的方法。
背景技術：
半導體業(yè)中在半導體器件上沉積特定的顆粒， 一般是用于缺陷掃描機臺的 校正和掃描程式的建立。例如，為了獲得半導體器件最佳的清洗效果，通常需 要通過設定不同的清洗溶液配比或者嘗試不同的清洗方式，觀察半導體器件上 的顆粒在清洗過程中的運動軌跡。隨著現(xiàn)在半導體器件的尺寸越來越小，如何在達到最好清洗效果但是又不 破壞器件是現(xiàn)在清洗實驗希望達到的效果。通常根據不同的實驗目的制作不同 的半導體器件。在清洗實驗中，需要表面上分布有顆粒的半導體器件。目前的 方法只能在整個半導體器件上分布顆粒，尚無可以在半導體器件的指定區(qū)域附 著顆粒的方法。這種方法形成的顆粒分布不夠均勻，在實驗過程中很難定位， 很難觀察顆粒在清洗過程中運動的軌跡。因此，現(xiàn)需要一種便于在清洗過程中觀察顆粒運動的半導體器件。發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于提供一種定點沉積介質顆粒的方法，可以將介質顆粒沉 積在半導體器件的指定區(qū)域。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種定點沉積介質顆粒的方法，半導體器件 包括基板和介質層，其中，介質顆粒與介質層的電勢相反，但與光阻的電勢相同；該方法包括如下步驟a.在半導體器件的介質層上涂布一層光阻；b.通過 顯影制程，去除一部分光阻以露出介質層；c.散布介質顆粒，由于電勢的吸引 作用，介質顆粒沉積到介質層的表面；d.通過光阻清洗液去除光阻，則在半導 體器件的指定區(qū)域沉積了介質顆粒。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明可以將介質顆粒沉積在半導體器件的指定區(qū)域， 在實驗觀察中很容易定位，而且在指定區(qū)域沉積，更有利于在清洗過程中觀察 顆粒在半導體器件表面不同區(qū)域的運動軌跡，節(jié)約了實驗成本，提高了實驗觀 察的效率。


通過以下對本發(fā)明的一實施例結合其附圖的描述，可以進一步理解其發(fā)明的目的、具體結構特征和優(yōu)點。其中，附圖為圖1 -圖5是本發(fā)明定點沉積介質顆粒的示意圖。
具體實施方式
如圖1 -圖5所示，本發(fā)明采用的半導體器件包括基板1和介質層3,首先 在半導體器件的介質層3上涂布一層光阻5,并選4奪相應的光罩，通過顯影制程， 去除一部分光阻5以露出介質層3;然后在介質層3上散布介質顆粒7，介質顆 粒7和介質層3的電勢相反，所以兩者互相吸引，介質顆粒7沉積到介質層3 的表面。最后，通過光阻清洗液去除光阻5，則在半導體器件的指定區(qū)域形成了 介質顆粒。本發(fā)明提供一種較佳實施例。圖1中介質層3為氮化硅層，需要在氮化硅 層3上沉積氧化硅顆粒7,以形成半導體器件的氮化硅層3上的氧化硅顆粒7分 布的器件，以便測試觀察清洗過程中氧化硅顆粒7的分布情況。圖1中介質層3為氮化硅層，介質顆粒7為氧化硅顆粒，需要在半導體器 件的氮化硅層3上沉積氧化硅顆粒7的方法包括如下步驟a. 先在氮化硅層3上涂布一層光阻5;b. 選擇相應的光罩，通過顯影制程，去除一部分光阻5以露出氮化硅層3; 所述光罩包含特定圖形的進行顯影，該特定圖形是定點沉積介質顆粒的區(qū)域形 狀一致；c. 將半導體器件置入顆粒沉積系統(tǒng)的沉積腔中，顆粒沉積系統(tǒng)將包含氧化 娃的水溶液噴入沉積腔內； d. 由于氧化硅顆粒7與氮化硅層3表面Zeta電勢的差異，相互吸引，而氧 化硅顆粒7與光阻5表面相互排斥，顆粒7在沉積腔中自然下落過程中會選擇 性的沉積到顯影開的氮化>5圭層3區(qū)域，噴入沉積腔中的氧化^法顆粒7以一定比 例沉積到顯影開.的氮化硅層3區(qū)域，其他的顆粒7懸浮在沉積腔內；e. 等沉積顆粒7數目達到指定要求時，將半導體器件從顆粒沉積系統(tǒng)中取 出，采用光阻清洗液洗去光阻5即可。通過上述步驟形成了氮化硅層3上指定區(qū)域分布有氧化硅顆粒7的測試模 型，而且氧化硅顆粒7的分布也較為均勻，容易在后續(xù)測試過程中定位分析。在本發(fā)明其他較佳實施例中，只要滿足沉積顆粒7與光阻5的電勢相同， 而被沉積的介質3的電勢與沉積顆粒7的電勢相反均涵蓋在本發(fā)明定點沉積介 質顆粒范圍。
權利要求
1、一種定點沉積介質顆粒的方法，半導體器件包括基板和介質層，其特征在于介質顆粒與介質層的電勢相反，但與光阻的電勢相同；該方法包括如下步驟a.在半導體器件的介質層上涂布一層光阻；b.通過顯影制程，去除一部分光阻以露出介質層；c.散布介質顆粒，由于電勢的吸引作用，介質顆粒沉積到介質層的表面；d.通過光阻清洗液去除光阻，則在半導體器件的指定區(qū)域沉積了介質顆粒。
2、 如權利要求1所述的一種定點沉積介質顆粒的方法，其特征在于步驟b中 通過包含特定圖形的光罩進行顯影，該特定圖形是定點沉積介質顆粒的區(qū)域形 狀一致。
3、 如權利要求1所述的一種定點沉積介質顆粒的方法，其特征在于所述的介 質層是氮化硅層。
4、 如權利要求1所述的一種定點沉積介質顆粒的方法，其特征在于所述的介 質顆粒是氧化硅顆粒。
5、 如權利要求1所述的一種定點沉積介質顆粒的方法，其特征在于將半導體 器件置入顆粒沉積系統(tǒng)的沉積腔中，將介質顆粒噴入沉積腔內。
全文摘要
本發(fā)明提供一種定點沉積介質顆粒的方法，半導體器件包括基板和介質層，其中，介質顆粒與介質層的電勢相反，但與光阻的電勢相同；該方法包括如下步驟a.在半導體器件的介質層上涂布一層光阻；b.通過顯影制程，去除一部分光阻以露出介質層；c.散布介質顆粒，由于電勢的吸引作用，介質顆粒沉積到介質層的表面；d.通過光阻清洗液去除光阻，則在半導體器件的指定區(qū)域沉積了介質顆粒。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明可以將介質顆粒沉積在半導體器件的指定區(qū)域，在實驗觀察中很容易定位，而且在指定區(qū)域沉積，更有利于在清洗過程中觀察顆粒在半導體器件表面不同區(qū)域的運動軌跡，節(jié)約了實驗成本，提高了實驗觀察的效率。
文檔編號H01L21/00GK101150041SQ200710048118
公開日2008年3月26日 申請日期2007年11月13日 優(yōu)先權日2007年11月13日
發(fā)明者孫震海, 郭國超, 韓瑞津 申請人:上海宏力半導體制造有限公司