專利名稱：一種消除探針針跡偏移的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)，尤其是指一種消除晶圓驗(yàn)收測(cè)試(WAT， WaferAcc印tance Test)中的探針針跡偏移(Probe Mark Shift)的方法。
背景技術(shù)：
晶圓驗(yàn)收測(cè)試(WAT, Wafer Acceptance Test)即是通過(guò)測(cè)量某些測(cè)試 元件結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)，以了解及反應(yīng)整個(gè)晶圓的物理特性及制造過(guò)程，從而 使前期研發(fā)人員能通過(guò)上述電性參數(shù)測(cè)量結(jié)果，改善元件的設(shè)計(jì)及制程。所 述電性參數(shù)包括開(kāi)啟電壓、飽和電流、漏電流、閘極氧化層的擊穿電壓、接 觸電阻、方塊電阻等。
半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試的結(jié)果需通過(guò)精密且快速的參數(shù)測(cè)試設(shè)備獲得，例如東 京電子(TEL)的探針機(jī)器(Prober )、探針卡(Probe Card )、安捷倫(Agilent) 的測(cè)試機(jī)器(Tester)等。探針卡置于探針機(jī)器中，探針機(jī)臺(tái)與測(cè)試機(jī)器通過(guò) 電纜連接(Cable End)。在進(jìn)行各參數(shù)的測(cè)量時(shí)，揮:針卡上的探針在晶圓的 探測(cè)位置需實(shí)時(shí)移動(dòng)，探針的針跡不可避免地會(huì)產(chǎn)生偏移。
現(xiàn)有技術(shù)的WAT測(cè)試步驟如

圖1所示。 一批(Lot)產(chǎn)品包括25片晶圓， 應(yīng)順次對(duì)每片晶圓進(jìn)行測(cè)試，具體步驟如下
101 )將晶圓置于探針機(jī)器(Prober)上；
102) 定位(Alignment)晶圓；
103) 利用測(cè)試機(jī)器(Tester)對(duì)晶圓進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)試；
104)卸載晶圓。
由于定位晶圓有時(shí)會(huì)有誤差，探針在晶圓上的針跡不可避免地會(huì)產(chǎn)生偏 移。而在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)針跡的偏移并不進(jìn)行監(jiān)測(cè)及處理，從而導(dǎo)致電性參 數(shù)的測(cè)量結(jié)果有較大誤差。
另外，探針的偏差的移動(dòng)會(huì)導(dǎo)致晶圓的劃傷，進(jìn)而可能引起晶圓的報(bào)廢。
此外，由于順次不停地對(duì)每片晶圓進(jìn)行測(cè)試，可能會(huì)導(dǎo)致一批(Lot)晶 圓，也即25片晶圓皆被報(bào)廢。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種消除WAT中的探針針跡偏移的方 法，從而極大地減小電性參數(shù)的測(cè)量結(jié)果的誤差，并避免晶圓的報(bào)廢。 本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，包括如下步驟
A) 將晶圓置于探針機(jī)器上；
B) 定位晶圓；
C) 判斷晶圓的定位是否有誤差，如有誤差，執(zhí)行步驟D);如無(wú)誤差， 執(zhí)行步驟E);
D) 針跡檢查，并對(duì)4笨針位置進(jìn)行調(diào)節(jié)；
E) 利用測(cè)試機(jī)器對(duì)晶圓進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)試；
F) 卸載晶圓。
進(jìn)一步地，所述針跡檢查是通過(guò)探針機(jī)器上的液晶顯示屏，觀察探針在 晶圓上的位置，對(duì)探針進(jìn)行調(diào)節(jié)，直至液晶顯示屏上顯示的探測(cè)位置正確。 進(jìn)一步地，所述晶圓定位是通過(guò)探針機(jī)器的顯微鏡進(jìn)行監(jiān)測(cè)。 進(jìn)一步地，所述步驟C)后還包括以下步驟
A1 )判斷是否進(jìn)行定位調(diào)節(jié)；如需調(diào)節(jié)，則執(zhí)行步驟C1);如不需調(diào)節(jié)，
則執(zhí)行步驟B1 );
B1 )判斷是否中止執(zhí)行測(cè)試第一個(gè)測(cè)試單元，如中止，則執(zhí)行步驟C1); 如不中止，則執(zhí)行步驟E); C1 )中止測(cè)試；
D1 )判斷是否進(jìn)行針跡檢查，如需針跡檢查，則執(zhí)行步驟D);如不需針 跡檢查，則執(zhí)行步驟C1 )。
進(jìn)一步地，所述步驟F)后，判斷一批晶圓的測(cè)試是否完成，如果已測(cè)試 完成，則該批晶圓的晶圓驗(yàn)收測(cè)試結(jié)束；如果未測(cè)試完成，則執(zhí)行步驟A)。
本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明在探測(cè)到晶圓的定位有誤時(shí)，引入針跡 檢查(ContactCheck)以消除針跡偏移，極大地提高了電性參數(shù)的測(cè)量精度。
另外，針跡偏移消除后，探針在正確的探測(cè)位置間移動(dòng)，能有效地避免 晶圓的劃傷，從而避免晶圓的報(bào)廢。
此外，本發(fā)明在完成一片晶圓的測(cè)試后，判斷是否需進(jìn)行下一片晶圓的 測(cè)試，從而增加了 WAT測(cè)試的可控性。
附圖i兌明
圖1是現(xiàn)有的WAT流程圖2是本發(fā)明的WAT流程圖3是本發(fā)明的進(jìn)行針跡檢查的條件判斷流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合具體實(shí)施例和附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
圖2是本發(fā)明的WAT流程圖。對(duì)每片晶圓的測(cè)試步驟如下
201 )將晶圓置于探針機(jī)器(Prober)上；
202) 定位(Alignment)晶圓；
203) 判斷晶圓的定位是否有誤差，如有誤差，執(zhí)行步驟204);如無(wú)誤 差，執(zhí)行步驟205);
204) 針跡檢查，并對(duì)探針位置進(jìn)行調(diào)節(jié)；
205) 利用測(cè)試機(jī)器(Tester)對(duì)晶圓進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)試；
206) 卸載晶圓。
本發(fā)明的方法通過(guò)4笨針機(jī)器的顯微鏡(Camera)對(duì)晶圓定位進(jìn)行監(jiān)測(cè)， 如晶圓定位正確，則執(zhí)行步驟205)，也即對(duì)每片晶圓的測(cè)試步驟和現(xiàn)有技術(shù) 的步驟一致，如晶圓定位有誤差，則執(zhí)行步驟204)進(jìn)行針跡檢查。針跡4全 查也即是通過(guò)探針機(jī)器上的液晶顯示屏(LCD),觀察探針在晶圓上的位置。 對(duì)探針進(jìn)行調(diào)節(jié)，直至LCD上顯示的探測(cè)位置正確。
在步驟203)后可對(duì)進(jìn)行針跡檢查的條件進(jìn)行多重判斷，如圖3所示， 包括如下步驟
301 )判斷是否進(jìn)行定位調(diào)節(jié)；如需調(diào)節(jié)，則執(zhí)行步驟303);如不需調(diào) 節(jié)，則執(zhí)行步驟302);
302) 判斷是否中止執(zhí)行測(cè)試第一個(gè)測(cè)試單元(Chip),如中止，則執(zhí)行 步驟303);如不中止，則執(zhí)行步驟205);
303) 中止測(cè)試；
304) 判斷是否進(jìn)行針跡檢查，如需針跡檢查，則執(zhí)行步驟204);如不 需針跡檢查，則執(zhí)行步驟303)。
在步驟204)前可設(shè)置中止測(cè)試，并進(jìn)行針跡檢查的條件。如晶圓定位 有誤差，本發(fā)明在繼續(xù)測(cè)試，也即執(zhí)行步驟205)前設(shè)置兩級(jí)條件判斷步驟 301)、步驟302)，以防止在晶圓定位有誤差的情況下，不執(zhí)行步驟204)， 而直接執(zhí)行步驟205),從而造成晶圓的劃傷。
當(dāng)步驟301 )、步驟302 )的任一條件判斷結(jié)果為"是"時(shí)，執(zhí)衧步驟303 )、 步驟304)。如步驟304)的條件判斷結(jié)果為"否"時(shí)，循環(huán)執(zhí)行步驟303)、 步驟304),直至步驟304)的條件判斷結(jié)果為"是"，也即必須執(zhí)行步驟204), 對(duì)探針的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)。以上的條件判斷使WAT測(cè)試中對(duì)針跡檢查的可控性 增強(qiáng)。
另外，在步驟206)卸載晶圓后，本發(fā)明可在完成一片晶圓的測(cè)試后， 判斷是否需進(jìn)行下一片晶圓的測(cè)試，也即判斷一批(Lot)晶圓的測(cè)試是否完 成。如果已測(cè)試完成，則該批晶圓的WAT測(cè)試結(jié)束；如果未測(cè)試完成，則執(zhí) 行步驟201),開(kāi)始該批產(chǎn)品的下一片晶圓的測(cè)試。以上的條件判斷使WAT 測(cè)試的可控性進(jìn)一步增強(qiáng)。
以上對(duì)本發(fā)明的方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹，但并不能以此限定本發(fā)明的范圍。 凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng) 包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種消除探針針跡偏移的方法，其特征在于，包括如下步驟A)將晶圓置于探針機(jī)器上；B)定位晶圓；C)判斷晶圓的定位是否有誤差，如有誤差，執(zhí)行步驟D)；如無(wú)誤差，執(zhí)行步驟E)；D)針跡檢查，并對(duì)探針位置進(jìn)行調(diào)節(jié)；E)利用測(cè)試機(jī)器對(duì)晶圓進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)試；F)卸載晶圓。
2、 如權(quán)利要求1所述的消除探針針跡偏移的方法，其特征在于，所述針 跡檢查是通過(guò)探針機(jī)器上的液晶顯示屏，觀察探針在晶圓上的位置，對(duì)探針進(jìn)行調(diào)節(jié)，直至液晶顯示屏上顯示的^:測(cè)位置正確。
3、 如權(quán)利要求1所述的消除探針針跡偏移的方法，其特征在于，所述晶 圓定位是通過(guò)探針機(jī)器的顯微鏡進(jìn)行監(jiān)測(cè)。
4、 如權(quán)利要求1所述的消除探針針跡偏移的方法，其特征在于，所述步 驟C)后還包括以下步驟A1 )判斷是否進(jìn)行定位調(diào)節(jié)；如需調(diào)節(jié)，則執(zhí)行步驟C1);如不需調(diào)節(jié)， 則執(zhí)行步驟B1 );B1 )判斷是否中止執(zhí)行測(cè)試第一個(gè)測(cè)試單元，如中止，則執(zhí)行步驟C1); 如不中止，則執(zhí)行步驟E); C1 )中止測(cè)試；D1 )判斷是否進(jìn)行針跡檢查，如需針跡檢查，則執(zhí)行步驟D);如不需針 跡檢查，則執(zhí)行步驟C1 )。
5、 如權(quán)利要求1所述的消除探針針跡偏移的方法，其特征在于，所述驟F)后，判斷一批晶圓的測(cè)試是否完成，如果已測(cè)試完成，則該批晶圓的晶圓驗(yàn)收測(cè)試結(jié)束；如果未測(cè)試完成，則執(zhí)行步驟A)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種消除探針針跡偏移的方法，其特征在于，包括如下步驟A)將晶圓置于探針機(jī)器上；B)定位晶圓；C)判斷晶圓的定位是否有誤差，如有誤差，執(zhí)行步驟D)；如無(wú)誤差，執(zhí)行步驟E)；D)針跡檢查，并對(duì)探針位置進(jìn)行調(diào)節(jié)；E)利用測(cè)試機(jī)器對(duì)晶圓進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)試；F)卸載晶圓。本發(fā)明用于集成電路制造，可極大地減小電性參數(shù)的測(cè)量結(jié)果的誤差，并避免晶圓的報(bào)廢。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101368990SQ20071004485
公開(kāi)日2009年2月18日 申請(qǐng)日期2007年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月14日
發(fā)明者鵬 吳, 陳泰江 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司