專利名稱：電容器結(jié)構(gòu)及多層電容器結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置，特別是關(guān)于一種金屬-氧化物-金屬(metal-oxide-metal；MOM)電容器的布局設(shè)計(jì)及制造方法。
背景技術(shù)：
電容器已經(jīng)廣泛地使用于集成電路，而最常使用的電容器之一為金屬-氧化物-金屬(metal-oxide-metal；MOM)電容器。圖1顯示傳統(tǒng)的MOM電容器，其包括底板2、頂板6以及位于兩者之間的絕緣層4。底板2與頂板6是由導(dǎo)電材料構(gòu)成。
如所屬領(lǐng)域技術(shù)人員所知，MOM電容器的電容量與電容器的面積以及絕緣層的介電常數(shù)(k)成正比，并且與絕緣層的厚度成反比。因此，為了提高電容量，最好能夠增加面積與k值并且降低絕緣層的厚度。然而，厚度與k值經(jīng)常受限于形成電容器所使用的技術(shù)，例如厚度無法小于現(xiàn)有技術(shù)允許的數(shù)值，另一方面，因?yàn)镸OM電容器經(jīng)常形成于低介電常數(shù)的介電材料層中，所以在增加k值方面也受到限制。
增加電容器面積的方法已經(jīng)有人研究，增加電容器面積的問題在于需要更大的芯片面積，而已經(jīng)有人提出垂直(多層)式電容器來解決此困難。圖2、圖3及圖4顯示傳統(tǒng)的垂直式MOM電容器10。圖2顯示電容器10的立體圖，電容器10包括兩個(gè)以介電材料隔開的金屬電極12與14。金屬電極12與14分別形成三維空間結(jié)構(gòu)。為了更清楚的表示，金屬電極12以空白圖案顯示，而金屬電極14以點(diǎn)狀圖案顯示。
金屬電極12與14分別超過一層，而通過介層孔將不同層的金屬電極12與14的彼此連接，每一層是形成于通常用以作為內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的金屬層之中。圖3顯示第一金屬層的俯視圖(請參考圖2的中間層)，金屬電極12包括指狀物122和連接所有指狀物122的總線121，金屬電極14包括指狀物142與連接所有指狀物142的總線141，指狀物122與142彼此形成交錯(cuò)圖案，并且相鄰的指狀物的間隙非常小。因此，每個(gè)指狀物122/142與其相鄰的指狀物142/122或者總線141/121形成一子電容器，而總電容量等于子電容量的總和。
圖4顯示在位于第一金屬層的上方或下方的第二金屬層(請參考圖2的頂層或底層)的電容器10的俯視圖。一般而言，第二金屬層的指狀物的方向與第一金屬層的指狀物互相垂直。相同地，第二金屬層的電極12與14分別包括總線121與141以及多個(gè)指狀物122與142。一般而言，所有各層的總線121具有相同的形狀與大小，且彼此垂直地重疊。所有各層的總線141具有相同的形狀與大小，且彼此垂直地重疊。介層孔16連接位于第一與第二金屬層的總線121，因而形成整體的電極12。相同地，介層孔18連接位于第一與第二金屬層的總線141，因而形成整體的電極14。
除了每一層金屬層的電容量以外，電容器10的電容量也包括由不同層重疊的部分所產(chǎn)生的電容量。圖5顯示第一金屬層的電極12與第二金屬層的電極14。值得注意的是，重疊的部分19對于電容器10的總電容量也有貢獻(xiàn)。
在圖2至圖5所示的傳統(tǒng)電容器中，指狀物122與所連接的總線121互相垂直，并且指狀物142與所連接的總線141互相垂直。由于電容器具有上述的結(jié)構(gòu)，因此需要長方形的芯片區(qū)域，如果有可利用的不規(guī)則區(qū)域，只有長方形的子區(qū)域可以用來形成電容器，所以芯片區(qū)域的使用率低。因此，需要一種更有彈性的電容器設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種電容器結(jié)構(gòu)及多層電容器結(jié)構(gòu)，其有更具彈性的電容器設(shè)計(jì)，所述電容器的形狀能夠符合芯片區(qū)域的外形輪廓，從而提高芯片區(qū)域的使用率。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種電容器結(jié)構(gòu)，包括一第一總線，包含位于第一方向的第一腳以及位于第二方向的第二腳；一第二總線，與該第一總線電性絕緣，其中該第一總線與該第二總線位于一第一金屬層中；第一指狀物，連接于該第一總線，其中所述第一指狀物互相平行，并且所述第一指狀物的長軸與該第一腳形成一銳角；以及第二指狀物，連接于該第二總線，其中所述第二指狀物互相平行，并且平行于所述第一指狀物，且其中所述第一指狀物與所述第二指狀物彼此交錯(cuò)地設(shè)置且以一介電材料隔開。第一與第二指狀物可位于一第三方向，其中第三方向至少與該第一方向或該第二方向形成一銳角。
根據(jù)本發(fā)明另一目的，金屬-氧化物-金屬電容器結(jié)構(gòu)延伸至一第二金屬層，除了該第二金屬層中的指狀物位于異于該第一金屬層中的第三方向以外，該第二金屬層中的電容器結(jié)構(gòu)與該第一金屬層的電容器結(jié)構(gòu)大致相同。
根據(jù)所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中該第二總線包括一第三腳以及一第四腳，該第三腳以及該第四腳不互相垂直。
根據(jù)所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中該第一方向垂直于該第二方向。
根據(jù)所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中該銳角介于20度與70度之間。
根據(jù)所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中所述第一指狀物與所述第二指狀物位于一第三方向，其與該第一方向或該第二方向形成一銳角。
根據(jù)所述的電容器結(jié)構(gòu)，還包括一第三總線，經(jīng)由第一介層孔連接于該第一總線，以及一第四總線，經(jīng)由第二介層孔連接于該第二總線，其中該第三總線與該第四總線位于一第二金屬層中，并且該第三總線與該第四總線電性絕緣；第三指狀物，連接于該第三總線，其中所述第三指狀物互相平行；以及第四指狀物，連接于該第四總線，其中所述第四指狀物互相平行，并且平行于所述第三指狀物，且其中所述第三指狀物與所述第四指狀物彼此交錯(cuò)地設(shè)置且以另一介電材料隔開，其中所述第三指狀物與所述第四指狀物位于第四方向而與至少該第一方向或第二方向形成一另一銳角。
根據(jù)所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中該第三方向不垂直于該第四方向。
根據(jù)所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中該第三方向大體上垂直于該第四方向。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明還提供一種多層電容器結(jié)構(gòu)，包括一第一電極與一第二電極，延伸穿過多個(gè)金屬層，其中該第一電極與該第二電極以介電材料隔開；其中在每一個(gè)金屬層中，該第一電極包括一第一總線與連接于該第一總線的第一指狀物，其中該第一總線包含位于第一方向的第一腳，并且所述第一指狀物互相平行且位于第二方向；其中該第一方向與該第二方向形成一銳角；以及其中每一金屬層中，該第二電極包含一第二總線以及連接于該第二總線的第二指狀物，其中在相同的金屬層中所述第二指狀物平行于所述第一指狀物。
根據(jù)所述的多層電容器結(jié)構(gòu)，其中在所述金屬層中的一層的所述第一指狀物至少一部分重疊而一部分不重疊于另一層所述金屬層的所述第二指狀物。
根據(jù)所述的多層電容器結(jié)構(gòu)，其中該銳角介于20度至70度之間。
根據(jù)所述的多層電容器結(jié)構(gòu)，其中該第一總線還包括一第二腳，其連接于該第一腳與所述第一指狀物，其中該第二腳與該第一腳垂直。
根據(jù)所述的多層電容器結(jié)構(gòu)，其中該第二總線包括一第三腳以及一第四腳，并且其中所述第二指狀物與至少該第三腳或該第四腳形成另一銳角。
本發(fā)明的電容器結(jié)構(gòu)及多層電容器結(jié)構(gòu)提供具有彈性布局的方式以形成MOM電容器，從而具有較高的有效芯片區(qū)域的使用率，并可實(shí)現(xiàn)較大的電容值。


圖1顯示傳統(tǒng)的金屬-氧化物-金屬電容器。
圖2顯示傳統(tǒng)的多層金屬-氧化物-金屬電容器的立體圖。
圖3與圖4顯示圖2的傳統(tǒng)的多層金屬-氧化物-金屬電容器的俯視圖。
圖5顯示圖2所示的電容器的兩相鄰層的部分俯視圖，其中相鄰層之間的重疊區(qū)域形成次電容器。
圖6與圖7顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的電容器的俯視圖。
圖8至圖11為用以制作電容器的中間制造工藝的剖面圖。
圖12與圖13顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的應(yīng)用。
其中，附圖標(biāo)記說明如下現(xiàn)有技術(shù)2 底板4 絕緣層6 頂板10 電容器12、14 金屬電極121、141總線122、142指狀物
16、18介層孔19重疊的部分本發(fā)明實(shí)施例20、120 電容器30、40電極301、401、1301、1401 總線302、402、1302、1402 指狀物1301-1、1301-2腳44絕緣材料46、48、146、148 介層孔49基底50層52介電層54開口58介層孔開口60溝槽開口α1、α2 指狀物302與總線301形成的角度β1、β2 指狀物402與總線401形成的角度D 指狀物間的距離W 指狀物的寬度T1介電層52的厚度H 介層孔開口58的高度具體實(shí)施方式
以下詳述本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的制造與使用，然而，可以理解的是，本發(fā)明提供許多可應(yīng)用的發(fā)明概念，這些概念可實(shí)施于各種廣泛的特定情況。本特定的實(shí)施例的討論僅以特定的方式說明本發(fā)明的制造與使用，并非用以限制本發(fā)明的范圍。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，形成一具有彈性設(shè)計(jì)的金屬-氧化物-金屬(MOM)的電容器。圖中顯示MOM電容器的中間階段的制造工藝，并且本發(fā)明的實(shí)施例的各個(gè)附圖及實(shí)施例中，使用相同的符號代表相同的元件。
圖6與圖7為電容器20的兩個(gè)相鄰層的俯視圖。電容器20包含兩個(gè)電極30與40，有時(shí)候也被稱為電極板，為了更清楚的表示，此處電極30以空白圖案顯示，而電極40以點(diǎn)狀圖案顯示。雖然電容器20可以只形成于單一層中，但其最好延伸穿過多個(gè)金屬層。因此，電極30與40最好形成于多個(gè)層之中。
圖6為電容器20的底層(第1層)的俯視圖。在優(yōu)選的實(shí)施例中，底層位于一般用于形成內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的金屬層中。底層可以位于任何金屬層中，因?yàn)殡娙萜?0的第1層不一定需要是此技術(shù)領(lǐng)域通稱的第1金屬層M1。
可以理解的是，電極30與40最好是對稱的圖樣，但不一定需要是對稱的圖樣。因此，任何電極30所敘述的特性也同時(shí)適用于電極40，反之亦然。
在第1層中，電極30包括總線301以及與總線301連接的指狀物302。電極40包括總線401以及通過總線401而內(nèi)連接的指狀物402。指狀物302與指狀物402的寬度W最好約介于0.05μm至1000μm之間，而優(yōu)選約介于200nm至1000nm之間。在指狀物間的距離D約介于50nm至500nm之間，最好約介于150nm至300nm之間。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，寬度W是與所使用的技術(shù)有關(guān)，當(dāng)集成電路縮小時(shí)，寬度W會(huì)隨著縮短。
指狀物302與402互相平行，且彼此為交錯(cuò)的圖案，而使得每一個(gè)指狀物302/402與相鄰的402/302形成一個(gè)次電容器。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所知，所有次電容器為互相平行連接時(shí)，等效電容值為所有次電容器的電容值的總合。絕緣材料40填充于相鄰指狀物302與402之間的空隙。介于相鄰指狀物302與402的距離D最好約小于0.25μm。
絕緣材料44最好為用以隔離內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的金屬間介電質(zhì)材料。因此，雖然高的k值有助于增加電容值，但絕緣材料44最好具有低k值，而k值小于3.6優(yōu)選。優(yōu)選的絕緣材料44包括摻氟的氧化物、摻碳的氧化硅以及常用于該技術(shù)的其它材料。
指狀物302與其所連接的總線301形成角度α1。相同地，指狀物402與其所連接的總線401形成角度β1。在優(yōu)選實(shí)施例中，角度α1與β1為銳角(介于0度90度之間)，最好介于20至70度之間，更優(yōu)選的角度α1與β1為45度。
圖7顯示電容器20的第2層的俯視圖。與第1層相同，在第2層的電極30包含總線301與指狀物302。位于第2層的總線301與位于第1層的總線301最好盡可能的重疊，并且至少有一部分總線301與上方和/或下方的總線301重疊，使得介層孔(vias)能夠形成。由于布局，有一些部分很有可能無法重疊。在圖6與圖7的具體實(shí)施例中，僅有位于相鄰層的總線301的水平腳重疊，然而在其中一層的總線301的垂直腳由一側(cè)翻轉(zhuǎn)至相鄰層的另一側(cè)。在另一實(shí)施例中，布局不是主要的課題，在其中一層的總線301大體上與上方和/或下方層的總線301重疊。
第2層的指狀物302與總線301形成角度α2。在第2層中，電極40也包含總線401與指狀物402。與電極30相同，位于第2層的總線401與位于第1層的總線401至少有一部分重疊，并且可能有一部分沒有重疊。指狀物402與其連接的總線401形成角度β2。角度α2與β2最好為銳角，優(yōu)選介于約20度至約70度之間，更優(yōu)選為約45度。
由于表面形貌的問題，在相鄰層中的指狀物最好為不平行。例如，由于化學(xué)機(jī)械研磨，電容器20的一些部分可能容易形成凹陷。在此優(yōu)選實(shí)施例中，如通過俯視在相鄰兩層的指狀物(參考圖6與圖7)大體上形成直角。在另一實(shí)施例中，相鄰兩層的指狀物形成介于約20度至約70度的角度。
如圖7所示，形成介層孔46以連接位于第1層與第2層的總線301重疊的部分。在相鄰層的部分電極40也通過連接總線402的重疊部分的介層孔48互相連接。
當(dāng)形成于各層的電容器平行時(shí)，形成越多層可以增加電容器20的總電容量。在該優(yōu)選實(shí)施例中，在不同層的布局為互相交錯(cuò)的圖案，例如，奇數(shù)層的俯視圖與第1層相同，而偶數(shù)層的俯視圖與第2層相同。
圖8至圖11為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的中間階段結(jié)構(gòu)的剖面圖。此剖面是取自圖6及圖7的剖面線A-A’。選擇剖面線A-A’是為了適當(dāng)?shù)牧私庑纬晒に?，但并非必要的選擇。在圖6與圖7中使用的符號也使用于圖8至圖11，相同的符號代表相同的元件。為了簡化，只顯示第1層與第2層的形成。
請參考圖8，在基底49上的層50上形成介電層52。介電層52的厚度T1最好介于約65nm至約200nm之間。在該優(yōu)選實(shí)施例中，層50為層間介電層或金屬間介電層。在另一實(shí)施例中，層50可以為介電層，特別是用以形成個(gè)別的電容器。圖案化層52以形成開口54。相鄰的開口54(形成指狀物)最好緊密地靠近，而指狀物之間優(yōu)選的距離D為小于0.25μm(參考圖6)。
如圖9所示，在開口54中填充金屬材料，金屬材料例如為銅、鋁、銅合金、鋁合金以及類似的材料。然后進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨以平坦化金屬材料，留下金屬部分301、302、401(剖面圖中未顯示)以及402。雖然是以不同的圖案顯示金屬部分301、302、401以及402，但是這些金屬材料最好是以相同的金屬同時(shí)形成。
在該優(yōu)選實(shí)施例中，進(jìn)行雙鑲嵌工藝以形成介層孔開口以及第2層的元件。形成介電層44，介電層44最好具有低介電常數(shù)。圖10顯示在低介電常數(shù)的介電層44中形成介層孔開口58以及溝槽開口60。在低介電常數(shù)的介電層44上形成并圖案化光致抗蝕劑(圖中未顯示)。在該優(yōu)選實(shí)施例中，非等向性等離子體蝕刻穿過低介電常數(shù)的介電層44，并且停止在總線301，因而形成介層孔開口58。同時(shí)也形成用以形成介層孔連接的總線401的介層孔開口(圖中未顯示)。然后形成溝槽開口60，用以形成電容器20的第2層的元件。因?yàn)樾纬蓽喜坶_口60時(shí)，沒有蝕刻停止層，必須控制蝕刻時(shí)間而使得蝕刻的溝槽開口60停止在想要的深度。由于較大的溝槽開口60的深度可以使得電容器20產(chǎn)生較大的電容值，所以溝槽開口60的厚度T2最好大于介層孔開口58的高度H。在該優(yōu)選實(shí)施例中，溝槽開口60的深度H最好為約50nm至約500nm，優(yōu)選為約100nm至約300nm。
在另一實(shí)施例中，采用溝槽優(yōu)先的方法，其溝漕開口60形成于介層孔開口58形成之前。
圖11顯示介層孔開口58和溝槽開口60的填充步驟。最好形成阻擋層(未顯示)以防止銅擴(kuò)散至低介電常數(shù)的介電層44，該阻擋層最好是以含鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭或類似物質(zhì)的金屬所形成。接著以導(dǎo)電金屬填充介層孔開口58以及溝槽開口60，導(dǎo)電金屬最好是銅或銅合金。然而，其它的金屬以及金屬合金，例如鋁、銀或金也可使用。然后進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨以平坦化表面，而形成介層孔46、總線401、指狀物402以及總線301。同時(shí)也形成指狀物302以及介層孔48(圖中未顯示)。
在后續(xù)的制造工藝中，可以進(jìn)一步形成覆蓋并且連接第1層以及第2層且位于其上方的第3層、第4層以及其它在上方的層，以形成電容器20。
在先前討論的實(shí)施例中，當(dāng)電容器包含銅時(shí)，最好使用鑲嵌工藝。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在電容器20中每一層金屬的圖案也可以通過沉積例如鋁、鎢或類似的導(dǎo)電金屬而形成，再蝕刻成為想要的圖案。
根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例具有彈性的設(shè)計(jì)，即使不規(guī)則形狀的芯片區(qū)域，也可以有效地形成金屬-氧化物-金屬(MOM)電容器。如圖12及圖13所示的具體實(shí)施例，其中提供一用來形成電容器的梯形芯片區(qū)域。如果想要在不規(guī)則的芯片區(qū)域形成長方形的MOM電容器，則芯片區(qū)域的使用率會(huì)降低。然而，通過使用本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，可形成梯形電容器，其符合芯片區(qū)域的外形輪廓。
圖12顯示電容器120的第1層，其包括第一電極130與第二電極140。由于第一電極130的兩只腳不是互相垂直，如果指狀物1302與總線1301的腳1301-1垂直的話，則指狀物1302與總線1301的腳1301-1都不會(huì)與腳1301-2垂直(或平行)，反之亦然。因此，圖12所示的布局方式可符合芯片區(qū)域的形狀。第二電極140包括總線1401與指狀物1402，而相鄰的指狀物1302與1402彼此平行而形成子電容器。
圖13顯示第一層上方或下方的第二層。為了方便布局，在第二層中的總線1301與1401的一部分與第一層的各個(gè)總線重疊，并且介層孔146與148分別連接于第一電極130與第二電極140。
雖然先前討論的實(shí)施例的俯視圖具有四個(gè)邊，然而所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解本發(fā)明可使用于具有三個(gè)邊、五個(gè)邊或更多邊的芯片區(qū)域。通過改變總線的外形輪廓，也可以形成例如圓形、橢圓形等其它形狀的電容器。
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例提供具有彈性布局的方式以形成MOM電容器，可具有較高的有效芯片區(qū)域的使用率，而可實(shí)現(xiàn)較大的電容值。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可做些許更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電容器結(jié)構(gòu)，包括一第一總線，包含位于第一方向的第一腳以及位于第二方向的第二腳；一第二總線，與該第一總線電性絕緣，其中該第一總線與該第二總線位于一第一金屬層中；第一指狀物，連接于該第一總線，其中所述第一指狀物互相平行，并且所述第一指狀物的長軸與該第一腳形成一銳角；以及第二指狀物，連接于該第二總線，其中所述第二指狀物互相平行，并且平行于所述第一指狀物，且其中所述第一指狀物與所述第二指狀物彼此交錯(cuò)地設(shè)置且以一介電材料隔開。
2.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中該第二總線包括一第三腳以及一第四腳，該第三腳以及該第四腳不互相垂直。
3.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中該第一方向垂直于該第二方向。
4.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中該銳角介于20度與70度之間。
5.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中所述第一指狀物與所述第二指狀物位于一第三方向，其與該第一方向或該第二方向形成一銳角。
6.如權(quán)利要求5所述的電容器結(jié)構(gòu)，還包括一第三總線，經(jīng)由第一介層孔連接于該第一總線，以及一第四總線，經(jīng)由第二介層孔連接于該第二總線，其中該第三總線與該第四總線位于一第二金屬層中，并且該第三總線與該第四總線電性絕緣；第三指狀物，連接于該第三總線，其中所述第三指狀物互相平行；以及第四指狀物，連接于該第四總線，其中所述第四指狀物互相平行，并且平行于所述第三指狀物，且其中所述第三指狀物與所述第四指狀物彼此交錯(cuò)地設(shè)置且以另一介電材料隔開，其中所述第三指狀物與所述第四指狀物位于第四方向而與至少該第一方向或第二方向形成一另一銳角。
7.如權(quán)利要求6所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中該第三方向不垂直于該第四方向。
8.如權(quán)利要求6所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中該第三方向大體上垂直于該第四方向。
9.一種多層電容器結(jié)構(gòu)，包括一第一電極與一第二電極，延伸穿過多個(gè)金屬層，其中該第一電極與該第二電極以介電材料隔開；其中在每一個(gè)金屬層中，該第一電極包括一第一總線與連接于該第一總線的第一指狀物，其中該第一總線包含位于第一方向的第一腳，并且所述第一指狀物互相平行且位于第二方向；其中該第一方向與該第二方向形成一銳角；以及其中每一金屬層中，該第二電極包含一第二總線以及連接于第二總線的第二指狀物，其中在相同的金屬層中所述第二指狀物平行于所述第一指狀物。
10.如權(quán)利要求9所述的多層電容器結(jié)構(gòu)，其中在所述金屬層中的一層的所述第一指狀物至少一部分重疊而一部分不重疊于另一層所述金屬層的所述第二指狀物。
11.如權(quán)利要求9所述的多層電容器結(jié)構(gòu)，其中該銳角介于20度至70度之間。
12.如權(quán)利要求9所述的多層電容器結(jié)構(gòu)，其中該第一總線還包括一第二腳，其連接于該第一腳與所述第一指狀物，其中該第二腳與該第一腳垂直。
13.如權(quán)利要求9所述的多層電容器結(jié)構(gòu)，其中該第二總線包括一第三腳以及一第四腳，并且其中所述第二指狀物與至少該第三腳或該第四腳形成另一銳角。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電容器結(jié)構(gòu)及多層電容器結(jié)構(gòu)，其中該電容器結(jié)構(gòu)包括一第一總線，包含位于第一方向的第一腳以及位于第二方向的第二腳；一第二總線，與該第一總線電性絕緣，其中該第一總線與該第二總線位于一第一金屬層中；第一指狀物，連接于該第一總線，其中所述第一指狀物互相平行，并且所述第一指狀物的長軸與該第一腳形成一銳角；以及第二指狀物，連接于該第二總線，其中所述第二指狀物互相平行，并且平行于所述第一指狀物，且其中所述第一指狀物與所述第二指狀物彼此交錯(cuò)地設(shè)置且以一介電材料隔開。本發(fā)明具有較高的有效芯片區(qū)域的使用率，可實(shí)現(xiàn)較大的電容值。
文檔編號H01L27/00GK101047209SQ20071000530
公開日2007年10月3日 申請日期2007年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月28日
發(fā)明者王建榮 申請人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司