專(zhuān)利名稱(chēng)：：使用干式刻蝕工藝以有效率地圖案化凸塊下金屬化層的技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明大體上系有關(guān)集成電路的'形成，且更特定的是，有關(guān)用于形成包括凸塊的接觸層之工藝流程，其中該接觸層系配置以提供接觸區(qū)域，以用于使適當(dāng)形成的封裝件或載體基片直接地附接于承載一個(gè)或多個(gè)集成電路之晶粒(die)。技術(shù)背景在制造集成電路時(shí)，通常必須封裝芯片并且提供用于連接芯片電路與周邊的導(dǎo)腳(lead)及端子(terminal)。在某些封裝技術(shù)中，芯片、芯片封裝件或其它適當(dāng)單元可藉由焊球(solderball)(由所謂的焊料凸塊(solderbump)形成)連接，該等焊球形成于該等單元中之至少一者的對(duì)應(yīng)層上，本文中將該對(duì)應(yīng)層稱(chēng)之為接觸層，例如形成于微電子芯片的介電鈍化層(dielectricpassivationlayer)上。為了連接該微電子芯片與對(duì)應(yīng)的載體(carrier)，要連接的兩個(gè)各別單元(亦即，包含例如多數(shù)集成電路的微電子芯片、與對(duì)應(yīng)的封裝件)的表面上都形成有適當(dāng)?shù)膲|(pad)配置以便在該等單元中之至少一者上，例如在該微電子芯片上，所設(shè)置的焊料凸塊經(jīng)回焊(reflowing)之后使該兩個(gè)單元電性連接。在其它技術(shù)中，可能必須形成欲連接至對(duì)應(yīng)配線(wire)的焊料凸塊，或可使該等焊料凸塊與作為散熱件(heatsink)的另一基片之對(duì)應(yīng)墊區(qū)域接觸。因此，可能必須形成可分布于整個(gè)芯片區(qū)域上的大量焊料凸塊，藉以提供，舉例來(lái)說(shuō)，現(xiàn)代微電子芯片所需的i/o能力，該等微電子芯片通常包括復(fù)雜的電路，例如微處理器及儲(chǔ)存電路等，及/或包括形成完整復(fù)雜電路系統(tǒng)的多數(shù)集成電路。為了在對(duì)應(yīng)墊上設(shè)置數(shù)百個(gè)或數(shù)千個(gè)機(jī)械上固定良好的焊料凸塊，該等焊料凸塊的附接程序需要細(xì)心的設(shè)計(jì)，因?yàn)檎麄€(gè)裝置可能只因?yàn)槠渲幸缓噶贤箟K失效而變成無(wú)用。因?yàn)檫@個(gè)理由，一般都在該等焊料凸塊與包括該墊配置的下方基片或芯片之間設(shè)置一個(gè)或多個(gè)細(xì)心選擇的層。除了此重要的角色以外，這些界面層，在此亦稱(chēng)為凸塊下金屬化層，可在賦予該焊料凸塊的充分機(jī)械黏著力給下方的墊及周?chē)拟g化材料時(shí)擔(dān)任一角，該凸塊下金屬化必須符合有關(guān)擴(kuò)散特性與電流傳導(dǎo)性的進(jìn)一步必備條件。有關(guān)前面的議題，凸塊下金屬化層必須提供適當(dāng)?shù)臄U(kuò)散阻障物(diffusionbarrier)以防止焊料(經(jīng)常為鉛(Pb)與錫(Sn)的混合物)攻擊該芯片的下方金屬化層并且藉以破壞或負(fù)面地影響彼等的功能性。再者，焊料(例如鉛)遷移至其它敏感的裝置區(qū)域，例如進(jìn)入介電質(zhì)，其中鉛的放射性衰變也可能顯著地影響該裝置效能，必須藉由該凸塊下金屬化而有效地予以抑制。有關(guān)電流傳導(dǎo)性，該凸塊下金屬化，其擔(dān)任該焊料凸塊與該芯片的下方金屬化層之間的互連件(interconnect)，必須展現(xiàn)不會(huì)不當(dāng)?shù)靥岣咴摻饘倩瘔|/焊料凸塊系統(tǒng)的整體電阻之厚度及指定電阻。此外，該凸塊下金屬化將擔(dān)任該焊料凸塊材料電鍍期間的電流分布層。電鍍?yōu)槟壳拜^佳的沉積技術(shù)，因?yàn)楹噶贤箟K材料的物理氣相沉積，其在此技藝中也有使用，需要復(fù)雜的掩模技術(shù)以避免當(dāng)掩模接觸到熱金屬蒸氣時(shí)該掩模的熱膨脹所引起的任何失準(zhǔn)(misalignment)。再者，在該沉積工藝完成以后很難去除該金屬掩模而不損及該等焊墊(solderbad)，特別是當(dāng)加工大片芯片或相鄰焊墊之間的間距(pitch)減小時(shí)。盡管掩模亦用于電鍍沉積方法中，但是此技術(shù)與氣化(evapomtion)方法不同之處在于該掩模系使用光微影法(photolithography)產(chǎn)生，藉以避免由物理氣相沉積技術(shù)引發(fā)之以上確認(rèn)的問(wèn)題。然而，電鍍需要黏附于(除了其上必須形成焊料凸塊的墊以外)主要為絕緣性的基片之連續(xù)及均勻的電流分布層。由此，該凸塊下金屬化也必須符合有關(guān)均勻電流分布的嚴(yán)苛設(shè)定束縛，因?yàn)樵谠撳兏补に嚨钠陂g任何不均勻度都可能影響焊料凸塊及回焊該等焊料凸塊之后所得焊球的最終結(jié)構(gòu)就例如高度不均勻性來(lái)看，其遂可轉(zhuǎn)變成最終獲得的電連接及其機(jī)械整合度的波動(dòng)。在該等焊料凸塊形成之后，該凸塊下金屬化必須被圖案化以便電性絕緣個(gè)別的焊料凸塊彼此。凸塊下金屬化所得的島(island)，典型地藉由高度復(fù)雜的等向性(isotropic)刻蝕工藝獲得(該等刻蝕工藝包括利用復(fù)雜化學(xué)的濕式化學(xué)及/或電化學(xué)刻蝕程序)，也顯著地決定該等焊球的功能性及結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵摽涛g化學(xué)可能導(dǎo)致該等焊料凸塊的底刻蝕(under-etching),該等焊料凸塊在該濕式化學(xué)刻蝕工藝的期間作為掩模。因此，不同程度的底刻蝕可能導(dǎo)致與各焊料凸塊相關(guān)聯(lián)之所得凸塊下金屬化島的不同大小，藉以顯著地影響回焊之后的焊球結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵摳叨瓤蓾裥?highlywettable)凸塊下金屬化實(shí)質(zhì)上決定該焊料的流動(dòng)性質(zhì)，并且從而決定該焊球之最終獲得的大小及因而其高度。再者，用于圖案化該凸塊下金屬化之一個(gè)或多個(gè)次層(sub-layer)，例如鈦鎢(TiW)層(由于就阻障及黏著的觀點(diǎn)來(lái)看有優(yōu)異的特性所以其經(jīng)常用作為形成于該介電材料上的第一層)，的濕式化學(xué)刻蝕工藝可展現(xiàn)與凸塊圖案有關(guān)的刻蝕速率。也就是說(shuō)，該刻蝕速率可取決于各晶粒內(nèi)的凸塊配置方式及在該基片上的個(gè)別晶粒之間的X-方向與Y-方向的距離。由此，有關(guān)實(shí)際上可用的凸塊配置方式，該與圖案有關(guān)的刻蝕速率可能加諸嚴(yán)苛的限制，藉以可能限制有關(guān)實(shí)際上可用的晶粒面積之晶粒的I/O能力及/或散熱。再者，有些濕式化學(xué)刻蝕工藝傾向與凸塊材料發(fā)生顯著地交互作用，其中該凸塊材料可能被去除及/或化學(xué)反應(yīng)可能使凸塊材料轉(zhuǎn)變成不欲的化合物。因而，在該濕式化學(xué)刻蝕工藝之后、在該濕式化學(xué)刻蝕工藝的期間、或在用于去除任何不欲化合物的后繼清潔工藝的期間，可能損失顯著量的凸塊材料，此可能造成提高的制造成本，尤其是在使用昂貴的焊料時(shí)，例如具有低a衰變速率的錫/鉛。再者，由于該濕式刻蝕化學(xué)及刻蝕調(diào)制法(recipe)的復(fù)雜度，在該凸塊下金屬化之圖案化的期間可能需要先進(jìn)的終點(diǎn)(endpoint)探測(cè)程序，因此額外地造成工藝復(fù)雜度。在有些例子中，該化學(xué)與該濕式化學(xué)刻蝕工藝所需的添加物之提供，及該濕式化學(xué)副產(chǎn)物的處理，也可能使整個(gè)圖案化工藝增加相當(dāng)多成本，其中專(zhuān)用工藝工具的保養(yǎng)及占地面積(floorspace)也可能代表重要的成本因子。綜觀以上說(shuō)明的情況，就形成包括焊料凸塊的接觸層來(lái)說(shuō)需要改良的技術(shù)，其中避免以上確認(rèn)的問(wèn)題之一者或多者或至少顯著地降低其效應(yīng)。
發(fā)明內(nèi)容下列代表本發(fā)明的簡(jiǎn)化概要，為的是提供本發(fā)明部分形態(tài)的基本認(rèn)識(shí)。此概要并非本發(fā)明的徹底概觀。其并非意欲確認(rèn)本發(fā)明的關(guān)鍵或重要組件或描敘本發(fā)明的范圍。其唯一的目的在于以簡(jiǎn)化的形態(tài)呈現(xiàn)一些概念，當(dāng)作后續(xù)討論的更詳細(xì)說(shuō)明的開(kāi)頭。一般而言，本發(fā)明系關(guān)于形成微電子芯片的接觸層之技術(shù)，其適于藉由回焊(reflowing)形成于該接觸層上及中的凸塊，例如焊料凸塊(solderbiimp)，而直接地附接于對(duì)應(yīng)的載體基片，其中用于圖案化凸塊下金屬化的工藝包含干式刻蝕工藝，藉以提供用以避免經(jīng)常用于傳統(tǒng)工藝流程的濕式化學(xué)刻蝕工藝中涉及的問(wèn)題之一者或多者的潛力(potential)。再者，用于設(shè)計(jì)該接觸層的彈性的提高程度系藉由獨(dú)創(chuàng)性技術(shù)來(lái)提供，因?yàn)樵搱D案化工藝對(duì)于該等凸塊之圖案密度的依賴(lài)性由于基于等離子體之干式刻蝕工藝所提供的優(yōu)點(diǎn)而顯著地降低。因此，本發(fā)明提供用于節(jié)省制造成本及/或提高生產(chǎn)量及/或增進(jìn)裝置效能的潛力。根據(jù)本發(fā)明之一個(gè)例示性具體例，一種方法包含在凸塊下金屬化層堆棧上所形成的多數(shù)凸塊存在的情況下，藉由電化學(xué)刻蝕工藝圖案化該凸塊下金屬化層堆棧的第一層。再者，藉由干式刻蝕工藝圖案化該凸塊下金屬化層堆棧的第二層。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)例示性具體例，一種方法包含提供基片，該基片具有形成于其上之至少有第一層與第二層的凸塊下金屬化層堆棧及形成于該凸塊下金屬化層堆棧上方.的多數(shù)凸塊。再者，圖案化該凸塊下金屬化層堆棧的該第一層以暴露出該第二層，并且接著清潔該暴露的第二層。最后，該方法包含干式刻蝕該暴露的第二層，同時(shí)用該等凸塊當(dāng)作刻蝕掩模。本發(fā)明可參照下列說(shuō)明加上隨附的圖式而得到理解，其中相似的組件符號(hào)識(shí)別相似組件，而且其中第la至lf圖概略地顯示根據(jù)本發(fā)明的例示性具體例之用于圖案化凸塊下金屬化層的不同制造階段中的半導(dǎo)體裝置之?dāng)嗝鎴D；及圖lg概略地顯示其上形成有多數(shù)晶粒的基片之頂視圖，彼等晶粒各自包含根據(jù)提高的設(shè)計(jì)彈性所引致的裝置特定要求而設(shè)置之多數(shù)焊料凸塊，該提高的設(shè)計(jì)彈性系由根據(jù)本發(fā)明的例示性具體例的干式刻蝕工藝為基礎(chǔ)的圖案化工藝提供。盡管本發(fā)明易于實(shí)施各種不同的修飾及替代性形態(tài)，但是其具體例已藉由實(shí)例方式顯示于該等圖式中并且在本文中詳細(xì)地加以說(shuō)明。然而，要了解特定具體例在此的說(shuō)明'并非意欲將本發(fā)明限于所揭示的特定形態(tài)，而是相對(duì)地，本發(fā)明在于涵蓋落在后附申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所界定之本發(fā)明的精神與范圍以?xún)?nèi)的所有修飾、等效例及替代例。具體實(shí)施方式本發(fā)明的例示性具體例說(shuō)明于下。為求明確起見(jiàn)，本說(shuō)明書(shū)中并未說(shuō)明實(shí)際實(shí)施方式的所有特征。當(dāng)然咸明白在任何此實(shí)際具體例的發(fā)展過(guò)程中，必須做許多特定實(shí)施的決定以達(dá)到開(kāi)發(fā)者的指定目標(biāo)，例如遵守系統(tǒng)相關(guān)及商業(yè)相關(guān)的限制，彼等都將隨一個(gè)個(gè)實(shí)施方式而改變。再者，咸明白此開(kāi)發(fā)的努力成果可能復(fù)雜并且耗時(shí)，盡管如此也都是單方面認(rèn)知本揭示內(nèi)容之普通熟悉此技藝者的日常工作?，F(xiàn)在本發(fā)明將參照隨附的圖式加以說(shuō)明。該等圖式中概略地描述各種的結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)及裝置僅為了達(dá)到解釋的目的且以便不致混淆本發(fā)明與熟于此技藝者眾所周知的細(xì)節(jié)。盡管如此，包括隨附的圖式系為了說(shuō)明并且解釋本發(fā)明的例示性實(shí)施例。本文所用的單字及詞組應(yīng)理解并且解釋為具有與熟悉相關(guān)技藝者所理解的那些單字及詞組一致的意義。本文中的術(shù)語(yǔ)及詞組前后一致的用途意欲暗示術(shù)語(yǔ)或詞組沒(méi)有特殊定義，亦即，與熟于此技藝者所了解的普通及慣用意義不同的定義。要是術(shù)語(yǔ)或片語(yǔ)意欲具有特殊的意義，亦即，熟于此技藝者所了解以外的意義，此特殊的意義將以直接地且明確地提供該術(shù)語(yǔ)或詞組的特殊意義的定義方式在本說(shuō)明書(shū)中做明確地說(shuō)明。大體上，本發(fā)明預(yù)期接觸層的形成，也就是說(shuō)，在其中及上形成有多數(shù)凸塊(例如焊料凸塊)的層，該多數(shù)凸塊用于直接連接到適當(dāng)?shù)妮d體基片，藉由適當(dāng)設(shè)計(jì)的干式刻蝕工藝來(lái)代替凸塊下金屬化層圖案化期間的復(fù)雜濕式化學(xué)刻蝕工藝，藉以增進(jìn)裝置效能并且降低制造成本。參照第la至lg圖，現(xiàn)在將更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的進(jìn)一步例示性具體例。圖la概略地顯示進(jìn)步制造階段中的半導(dǎo)體裝置100。該半導(dǎo)體裝置100包括基片101，其可代表主體(bulk)硅基片、絕緣體上覆硅(SOI)基片、或其上已形成有用于在其中及其上形成電路組件之一個(gè)或多個(gè)適當(dāng)半導(dǎo)體層的任何其它載體。舉例來(lái)說(shuō)，該基片101可代表其上已形成有硅/鍺層的適當(dāng)載體、在指定位置具有不同結(jié)晶順向(crystallineorientation)的硅層，或該基片101可包含任何類(lèi)型的II-VI族或m-v族半導(dǎo)體化合物。在特定的具體例中，該基片ioi可代表基于硅(silicon-based)的基片，因?yàn)槠淇捎糜诟叨葟?fù)雜集成電路的形成，例如進(jìn)步的微處理器、儲(chǔ)存裝置、ASIC(特殊應(yīng)用IC)及可能包括用于電力應(yīng)用的電路之組合式數(shù)字與模擬電路等。為求方便起見(jiàn)，圖la中并未顯示任何此等電路組件或其它微結(jié)構(gòu)特征。該基片101可包含接觸墊102，其可由任何適合金屬形成，例如銅、銅合金、鋁或任何彼等的組合。該接觸墊102代表提供電性及/或熱接觸給該基片101內(nèi)設(shè)在下方的裝置區(qū)域之導(dǎo)熱及電區(qū)域。也就是說(shuō)，該半導(dǎo)體裝置100可包含一個(gè)或多個(gè)「配線(wiring)」層或金屬化層，該等層提供個(gè)別電路組件的電與熱互連，其中設(shè)置該接觸墊102以扮作該一個(gè)或多個(gè)金屬化層與載體基片之間的「界面(interface)」，該界面提供連到該半導(dǎo)體裝置100之周邊的電性連接。形成于基片101及接觸墊102上分的為接觸層108，在此制造階段中該接觸層108包含可形成在該金屬化層的介電覆蓋層104上之圖案化的鈍化層103。該鈍化層103與該覆蓋層104可由任何適當(dāng)?shù)慕殡姴牧闲纬?，其中在一特定具體例中，該鈍化層103可包含聚醯亞胺(polyimide)，然而，在其它例示性具體例中，可使用例如苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene)等的其它介電材料。形成于鈍化層103上方的為凸塊下金屬化層堆棧105，其在凸塊106(例如焊料凸塊、及導(dǎo)電性或非導(dǎo)電性黏著劑之凸塊等)存在的情況下被圖案化。為求方便起見(jiàn)，將該等凸塊106稱(chēng)之為焊料凸塊，因?yàn)樵谠S多例子中，該等凸塊106包含焊料。由此，在該凸塊下金屬化層堆棧105圖案化之后，將設(shè)置形成在個(gè)別凸塊下金屬化島上的多數(shù)電性絕緣焊料凸塊106。該凸塊下金屬化層堆棧105可包含具有不同材料組成的多數(shù)個(gè)別層，其中該層堆棧105至少包含形成在第二層105b上的第一層105a，該第二層105b依序地至少形成在該鈍化層103、該覆蓋層104及該接觸墊102的暴露部分上。如先前解釋的，就黏著力、擴(kuò)散阻障效應(yīng)、導(dǎo)熱性及導(dǎo)電性來(lái)看，該層堆棧105可包含多數(shù)個(gè)別層以提供所需的特性。因此，包括金、銀、銅、鉻、鈀、鉑及鴿等各式各樣的材料組成物可用于各種不同的組合中并且設(shè)置于不同的化合物中，其中個(gè)別層厚度也適當(dāng)?shù)剡m于裝置要求。在一個(gè)特定具體例中，該凸塊下金屬化層堆棧105的第二層105b包含鈦與鎢的組成物，就其優(yōu)異的黏著力與擴(kuò)散阻斷特性來(lái)看經(jīng)常選用該組成物。在其它例示性具體例中，該第二層105b可包含鈦、鉭、鎢及這些金屬的任何合金，或這些金屬及其合金與氮及/或硅的任何化合物。該第一層105a可包括二個(gè)或更多個(gè)次層，該等次層具有結(jié)合該凸塊106的焊料而提供預(yù)期效應(yīng)之材料組成物。在先進(jìn)的應(yīng)用中，經(jīng)?？墒褂勉~或銅合金(例如銅/鉻)充當(dāng)一層或多層個(gè)別層以提供高的導(dǎo)熱性及導(dǎo)電性，然而，在一例示性具體例中，可額外地于該層105a中設(shè)置實(shí)質(zhì)上純的銅層，以便在該焊料凸塊106當(dāng)包括鉛與錫的混合物時(shí)回焊之后形成銅/錫相(phase:)。然而，要明白該第一層105a可由任何其它適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電性材料形成，取決于該焊料凸塊106的組成以提供預(yù)期的熱與電性特性。例如，金與其合金、銀與其合金、鉑與其合金、及其與氮及/或硅的化合物也都可使用。如圖la所示用于形成該半導(dǎo)體裝置100的典型工藝流程可包含下列工藝。根據(jù)己被接受的(well-established)工藝技術(shù)形成任何電路組件及其微結(jié)構(gòu)特征之后，可形成任何金屬化層以提供至各自個(gè)別的電路組件所需的層間(inter-level)與層內(nèi)(intra-level)連接。在先進(jìn)的應(yīng)用中，可以埋在用于降低寄生電容的低-k介電材料中的高導(dǎo)電性金屬，例如銅或銅合金，為基礎(chǔ)來(lái)形成一個(gè)或多個(gè)金屬化層。接下來(lái)，可以已被接受的工藝技術(shù)為基礎(chǔ)在對(duì)應(yīng)介電層中形成接觸墊102，例如充當(dāng)最后金屬化層的組件，其中如先前解釋的，可使用眾所周知用于金屬化層之形成的相似工藝技術(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，可以己被接受的金屬鑲嵌(damascene)技術(shù)為基礎(chǔ)形成該接觸墊102，當(dāng)該接觸墊102實(shí)質(zhì)上包含銅或銅合金時(shí)。之后，可在該銅或銅合金之頂部上形成最終或最后的金屬層(未顯示)，例如鋁。之后，該覆蓋層104可以已被接受的等離子體強(qiáng)化化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)為基礎(chǔ)而沉積并且可被圖案化，接著沉積及圖案化該最后金屬。然后，該鈍化層103的沉積可以旋涂(spin-on)技術(shù)及化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)等為基礎(chǔ)而執(zhí)行。之后，該鈍化層103可藉由使用已被接受的光微影及刻蝕技術(shù)加以圖案化而形成暴露該接觸墊102的開(kāi)口。接下來(lái)，該凸塊下金屬化層堆棧105可以已被接受的濺鍍沉積技術(shù)為基礎(chǔ)而形成。例如，該第二層105b可沉積為鈦鎢組成物，因?yàn)榘伡版u之合金已被廣泛地用作為阻障層以保護(hù)各式各樣應(yīng)用中的芯片部件。由于鈦鎢的性質(zhì)，亦即，其導(dǎo)電性及有關(guān)例如鉛(Pb)及錫(Sn)原子擴(kuò)散至該鈦鎢層下方區(qū)域的優(yōu)異阻障性質(zhì)，所以其為形成于該鈍化層103上的第二層105b之可行的候選物。在其它的具體例中，如以上解釋的其它材料可藉由濺鍍沈積或任何其它適當(dāng)?shù)某练e技術(shù)，例如CVD，而形成。之后，該第一層105a可例如以濺鍍沉積及電化學(xué)沉積(例如無(wú)電鍍覆)等為基礎(chǔ)而沉積。舉例來(lái)說(shuō)，該第一層105a可包含形成于該第二層105b上的鉻/銅層，接著為實(shí)質(zhì)上純的銅層。然而，應(yīng)明白任何其它層組成及各種其它材料都可選用于該第一層105a。在凸塊下金屬化層堆棧105形成之后，藉由施加光阻層并且藉由己被接受的光微影及刻蝕技術(shù)圖案化該光阻層以形成開(kāi)口而形成阻劑掩模(未顯示)，該開(kāi)口的尺寸實(shí)質(zhì)上相當(dāng)于該焊料凸塊106的大小及形狀。之后，對(duì)該基片101進(jìn)行電化學(xué)沉積工藝以形成具有指定材料組成的焊料凸塊106。舉例來(lái)說(shuō)，可使用以含有硫酸鉛及硫酸錫的電解浴為基礎(chǔ)的電鍍工藝而在該阻劑掩模的開(kāi)口中沉積鉛及錫。應(yīng)明白該阻劑掩模中的開(kāi)口內(nèi)沉積的焊料量實(shí)質(zhì)上決定最終獲得的焊球大小，所以在該凸塊下金屬化層堆棧105之后繼圖案化的期間此材料的任何去除都可能由于傳統(tǒng)濕式化學(xué)刻蝕工藝之橫跨基片的不均勻性而負(fù)面地影響最終獲得的焊球之均勻性。再者，在先進(jìn)的應(yīng)用中，可使用昂貴的鉛材料，其展現(xiàn)減少的放射性同位素(radioactiveisotope)數(shù)目，其可能導(dǎo)致敏感半導(dǎo)體裝置(例如儲(chǔ)存芯片及微處理器等)中非所欲的軟性錯(cuò)誤(softerror)。因此，在后繼濕式化學(xué)工藝期間的顯著材料去除也可能造成制造成本，因?yàn)閭鹘y(tǒng)技術(shù)中該焊料凸塊106之電化學(xué)沉積的期間最初提供的材料量可能必須列入考慮。以下將解釋?zhuān)鶕?jù)本發(fā)明藉由基于等離子體的干式刻蝕技術(shù)之圖案化工藝，尤其是該第二層105b的圖案化工藝，可顯著地緩和傳統(tǒng)圖案化機(jī)構(gòu)中焊料凸塊106之任何材料損失所加諸的任何限制。在該焊料凸塊106沉積之后，去除該阻劑掩模并且對(duì)該裝置100進(jìn)行圖案化工藝107，在一個(gè)例示性具體例中，該圖案化工藝107系設(shè)成在該焊料凸塊106存在的情況下用于圖案化該第一層105a的電化學(xué)去除工藝。舉例來(lái)說(shuō)，該第一層105a，其可包含二個(gè)或更多個(gè)次層，可由銅、鉻或其任何組成物形成，可用于彼之己被認(rèn)可的電化學(xué)刻蝕工藝為此技藝中眾所周知者。為達(dá)此目的，可使該裝置100與適當(dāng)?shù)碾娊庖航佑|，該電解液包括，除了其它成分及添加物以外，第一層105a的對(duì)應(yīng)金屬硫酸根離子，以便在該第一層105a的暴露部分(扮作陽(yáng)極)到陰極(未顯示)之間建立電流，同時(shí)實(shí)質(zhì)上避免焊料凸塊106的材料去除，因?yàn)榇私饘俦仍摰谝粚?05a的金屬更不貴重。在其它的具體例中，該圖案化工藝107可以適當(dāng)?shù)臐袷交瘜W(xué)為基礎(chǔ)而執(zhí)行為濕式化學(xué)刻蝕工藝。在又其它的具體例中，該圖案化工藝107可包括基于等離子體的刻蝕工藝，該基于等離子體的刻蝕工藝?yán)眠m用于去除該第一層105a的材料或諸材料的化學(xué)來(lái)執(zhí)行。圖lb概略地顯示在制造階段中的半導(dǎo)體裝置100，其中該圖案化工藝107可已從該裝置100的暴露部分去除該第一層105a的重要部分，其中，取決于該工藝107，個(gè)別的底刻蝕(under-etch)區(qū)域105u可能已形成為該第二層105b與在其周?chē)暮噶贤箟K106之間的間隙(gap)。再者，在該圖案化工藝107的期間，呈粒子等形式的污染物可形成或沉積在該層105a及/或105b上，取決于該圖案化工藝107的過(guò)程。如圖lb所示，該第一層105a的暴露部分系實(shí)質(zhì)上被去除，同時(shí)粒子109可能已形成或可能己沉積在暴露的第二層105b之部分上。該等粒子109，其可能例如包含鉛或錫及其可能典型地在該第一層105a圖案化完成之后仍留在該第二層105b上，可能導(dǎo)致后繼干式刻蝕工藝中的陰影效應(yīng)(shadowingeffect)。因?yàn)檫@些粒子109的去除可能在用于圖案化第二層105b的后繼干式刻蝕圖案化工藝之基于等離子體的刻蝕化學(xué)中不被有效地達(dá)成，所以執(zhí)行額外的清潔工藝110以去除該等粒子109或至少顯著地降低其數(shù)目。否則，相鄰焊料凸塊106之間的絕緣距離可能被縮減，因而提高該裝置100之凸塊短缺及功能失效之可能性。再者，當(dāng)該裝置100系以該等焊料凸塊106為基礎(chǔ)附接于對(duì)應(yīng)的載體基片且其余空間系實(shí)質(zhì)上用底部填充(underfm)材料填充時(shí)，該等粒子109可能不利地影響任何底部填充材料對(duì)該鈍化層103的黏著力。然而，該個(gè)別的底部填充材料對(duì)該下方鈍化層103的黏著力降低可能造成該等焊料凸塊106的疲乏裂損(fatiguecrack)并且因此導(dǎo)致該裝置100的功能失效。再者，如圖lb可見(jiàn)到的，該等底刻蝕區(qū)域105u可能己在該圖案化工藝107的期間形成，由于例如電化學(xué)刻蝕工藝的等向性本質(zhì)，所以任何殘余物，例如在此間隙中第二層105b上的粒子109，都可在該凸塊106形成為對(duì)應(yīng)焊球的回焊工藝期間扮作用于該焊料凸塊材料的額外潤(rùn)濕區(qū)域(wettingarea)，其中該第一層105a，亦即，其未被去除的部分，扮作實(shí)質(zhì)上決定要形成的焊球的最終尺寸之潤(rùn)濕層(wettinglayer)。由此，該等底刻蝕區(qū)域105u中的任何殘余物都可能導(dǎo)致不均勻性并且從而導(dǎo)致個(gè)別焊球的非圓形形狀，因而危害個(gè)別晶粒區(qū)域內(nèi)及橫跨整個(gè)基片101的共平面及凸塊高度分布。該等焊球的高度的任何顯著不均勻性都可能造成對(duì)該載體基片的對(duì)應(yīng)接觸墊降低的接觸，或降低高度的焊球可能甚至無(wú)法形成與個(gè)別接觸墊的接觸。因此，清潔工藝110系設(shè)計(jì)以有效地去除或至少顯著地降低該等粒子109的數(shù)目。為達(dá)此目的，在二個(gè)例示性具體例中，該清潔工藝110可包含呈原地清潔程序的方式在該圖案化工藝107期間或結(jié)束時(shí)執(zhí)行的一個(gè)或多個(gè)次步驟。舉例來(lái)說(shuō)，在例示性具體例中，該圖案化工藝107系設(shè)計(jì)成電化學(xué)刻蝕工藝，并且該圖案化工藝107可接著對(duì)應(yīng)地被修飾而包括藉由個(gè)別手段，如傳統(tǒng)電鍍及電刻蝕工具中經(jīng)常設(shè)置的，例如刷子等，之橫跨該基片表面的快速清掃(sweep)。該快速清掃操作可在維持用于去除該第一層105a的材料之電化學(xué)刻蝕工藝之電流的情況下執(zhí)行。再者，可利用不連續(xù)的電流流動(dòng)執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)清掃操作，藉以亦有效地去除可能已沉積在相鄰焊料凸塊106之間的粒子109。在一個(gè)例示性具體例中，額外地或替代性地，執(zhí)行至少一個(gè)進(jìn)一步的清潔步驟，其中去離子水在適當(dāng)高壓下導(dǎo)向該裝置100以進(jìn)一步增進(jìn)該清潔工藝110的效率。應(yīng)明白任何其它的清潔步驟，例如在任何適當(dāng)液體(例如去離子水等)存在的情況下刷洗或清掃該裝置100的暴露表面，都可使用。再者，施加去離子水可藉由加入適當(dāng)設(shè)計(jì)配置的噴嘴(jet)之任何適當(dāng)?shù)难b置來(lái)執(zhí)行，以便以高效率的方式釋放及/或去除該等粒子109。在一個(gè)例示性具體例中，該清潔工藝110可包含可在原地與該圖案化工藝107的一個(gè)或多個(gè)清潔步驟，例如有及沒(méi)有電流的清掃操作，并且也可包含一個(gè)或多個(gè)進(jìn)一步的清潔步驟，例如高壓去離子水程序，其可在單獨(dú)的工藝工具中執(zhí)行。圖lc概略地顯示在該清潔工藝110的此種單獨(dú)清潔步驟期間的半導(dǎo)體裝置100，在彼期間將去離子水供應(yīng)至該裝置100的暴露表面部分。在此制造階段中，執(zhí)行高壓去離子水沖洗程序110a，所以，結(jié)合例如在前述圖案化工藝107的期間可能已經(jīng)視需要地執(zhí)行的任何前述清潔步驟，該等粒子109系實(shí)質(zhì)上被去除，藉以制備用于第二層105b的基于等離子體的圖案化工藝之裝置100。圖ld概略地顯示在更進(jìn)步的制造階段中(亦即，在第二層105b的圖案化期間)的半導(dǎo)體裝置100。在此制造階段中，對(duì)該裝置100進(jìn)行干式刻蝕工藝lll，其系設(shè)成有效地去除第二層105b的材料，在一個(gè)例示性具體例中，該第二層105b的材料包含鈦及鎢，而在其它的具體例中，可使用如上指定的其它材料組成物。該基于等離子體的刻蝕工藝111可以含氟的化學(xué)為基礎(chǔ)而執(zhí)行，其中可使用前驅(qū)物氣體，例如SF6、CF4、CHF3及NF3等以提供用于與該第二層105b的材料起反應(yīng)之刻蝕工藝111的個(gè)別化學(xué)成分。在一個(gè)例示性具體例中，該工藝111的刻蝕環(huán)境(ambient)系建立以亦包含物理成分，亦即與該層105b的材料產(chǎn)生交互作用的成分及/或與實(shí)質(zhì)上由離子轟擊及濺鍍效應(yīng)弓I發(fā)之基于氟的化學(xué)反應(yīng)之任何副產(chǎn)物，藉以實(shí)質(zhì)上避免該第二層105b的任何自身鈍化作用，若該圖案化工藝111中只使用化學(xué)成分，亦即基于氟的化學(xué)，就可能發(fā)生該作用。在一個(gè)例示性具體例中，添加氧至該反應(yīng)性基于氟的氣氛以提供該圖案化工藝111的物理成分。舉例來(lái)說(shuō)，該圖案化工藝111的適合環(huán)境可在使用流速分別地為大約50至200seem及100至300seem之基于氧及氟的前驅(qū)物，例如以上確認(rèn)的氣體中之一者，配合流速為大約700至1500seem之例如氫及氮等的載體氣體之任何適當(dāng)?shù)膫鹘y(tǒng)刻蝕工具中建立。在此，可使用標(biāo)準(zhǔn)工藝室設(shè)計(jì)用之大約300至2000瓦的射頻功率，其中該基片101的溫度可維持在大約100至30(TC而且該刻蝕環(huán)境的總壓可在大約0.1至5.0托爾(Torr)的范圍。然而，其它工藝參數(shù)可依以上的教導(dǎo)為基礎(chǔ)，根據(jù)該第二層105b的指定材料組成，而建立。應(yīng)明白該基于等離子體的圖案化工藝111與用于圖案化該第二層105b的傳統(tǒng)濕式化學(xué)刻蝕工藝相比，顯然與焊料凸塊106的圖案密度及幾何配置較不相關(guān)。因此，在去除該層105b時(shí)獲得該工藝111之高度橫跨基片的均勻性，藉以緩和與該接觸層108的設(shè)計(jì)有關(guān)而且與該配置(亦即在該基片101上形成的整個(gè)晶粒區(qū)域之x與y方向的距離)有關(guān)的任何限制，如將參照?qǐng)Dlg所作的更詳細(xì)解釋。再者，由于該基于等離子體的刻蝕工藝111的適度地高方向性，所以獲得高的刻蝕精確度(fidelity)并且圖案化該第二層105b至實(shí)質(zhì)上對(duì)應(yīng)于該焊料凸塊106，該焊料凸塊106扮作刻蝕掩模藉以避免該焊料凸塊106的過(guò)度底刻蝕。此外，該圖案化工藝111對(duì)該焊料凸塊106的材料展現(xiàn)顯著降低的去除速率，如同先前參照該清潔工藝110所指示的，因?yàn)樵摶诜幕瘜W(xué)可能無(wú)法有效地去除基于鉛及錫的焊料。因此，與傳統(tǒng)技術(shù)相比可增進(jìn)回焊之后該焊料凸塊106的高度均勻性，因而改良該裝置100的可靠度及生產(chǎn)量。在該圖案化工藝111的最后階段時(shí)，該鈍化層103逐漸地暴露出來(lái)，其中在該工藝111的沉積氣氛中可能逐漸地遇到從該鈍化層103釋放的副產(chǎn)物。在一個(gè)例示性具體例中，該鈍化層103可包含聚醯亞胺，其可能導(dǎo)致?lián)]發(fā)性成分產(chǎn)生，例如氰化物(CN)，其可作為有效的終點(diǎn)探測(cè)指示劑，因?yàn)榧ぐl(fā)的(excited)氰化物分子具有在386/388奈米(nm)顯著的放射波長(zhǎng)。這些波長(zhǎng)可藉由如傳統(tǒng)刻蝕工具中典型裝設(shè)的光學(xué)終點(diǎn)探測(cè)系統(tǒng)(未顯示)而有效地加以探測(cè)且監(jiān)視。因此，該圖案化工藝111可根據(jù)從氰化物分子獲得的終點(diǎn)探測(cè)訊號(hào)而予以停止，藉以實(shí)質(zhì)上避免從該鈍化層103之任何過(guò)度的材料去除。在其它的具體例中，該鈍化層103可使用不同的材料，例如苯并環(huán)丁烯，所以可識(shí)別其它的光學(xué)波長(zhǎng)來(lái)用于適當(dāng)?shù)慕K點(diǎn)探測(cè)訊號(hào)。對(duì)應(yīng)的光學(xué)終點(diǎn)探測(cè)訊號(hào)可以多數(shù)試驗(yàn)(testmn)為基礎(chǔ)而加以識(shí)別，其中可藉由該工藝111刻蝕一個(gè)或多個(gè)材料層，并且可監(jiān)視光學(xué)訊號(hào)的特定帶寬(bandwidth)，其可能包括紅外線及紫外線波長(zhǎng)，以便從彼識(shí)別一個(gè)或多個(gè)適當(dāng)?shù)膫€(gè)別波長(zhǎng)或識(shí)別適當(dāng)?shù)牟ㄩL(zhǎng)范圍。在其它的具體例中，在該工藝111的期間可監(jiān)視指定的波長(zhǎng)區(qū)域，例如大約500至800奈米的區(qū)域，其中在此波長(zhǎng)間隔中顯著的強(qiáng)度下降可能指示該鈍化層103逐漸暴露出來(lái)。在其它的例子中，可識(shí)別且可追蹤在以上指定的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的顯著射線(line)，以便可靠地探測(cè)強(qiáng)度的顯著下降，然后可使用彼來(lái)判定該圖案化工藝lll的適當(dāng)終點(diǎn)。如圖ld所示，在該工藝lll的期間及之后，該鈍化層103的暴露區(qū)域上可形成一層或多數(shù)區(qū)域的碳霧(carbonhaze)112。圖le概略地顯示在用于去除該碳霧112的等離子體處理113期間的半導(dǎo)體裝置100。該等離子體處理113可被設(shè)計(jì)成基于氧的等離子體處理，其可根據(jù)用于在鈦鉤凸塊下金屬化層的濕式化學(xué)圖案化之后去除碳霧的傳統(tǒng)工藝流程中所使用的工藝調(diào)制法。在一個(gè)例示性具體例中，該等離子體處理113可結(jié)合該圖案化工藝111，所以這兩個(gè)工藝步驟可在原地執(zhí)行，其中在探測(cè)并且判定該圖案化工藝111的終點(diǎn)之后，修改對(duì)應(yīng)的刻蝕環(huán)境以便呈現(xiàn)該等離子體處理113的環(huán)境。也就是說(shuō)，在判定該圖案化工藝lll的終點(diǎn)之后，就可中斷不再需要的那些前驅(qū)物氣體的供應(yīng)，同時(shí)伴隨適當(dāng)?shù)纳漕l功率而提供例如氧及任何載體氣體等的其它氣體。再者，可調(diào)整其它的工藝參數(shù)，例如基片溫度及壓力等，以可靠地去除該碳霧112，同時(shí)避免在該焊料凸塊106與該鈍化層103處的過(guò)度材料去除。為達(dá)此目的，在一個(gè)例示性具體例中，可導(dǎo)入進(jìn)一步的終點(diǎn)探測(cè)程序以可靠地識(shí)別用于中斷該等離子體處理113的適當(dāng)點(diǎn)。例如，可使用一氧化碳或二氧化碳的一個(gè)或多個(gè)顯著的放射波長(zhǎng)來(lái)識(shí)別該等離子體處理113的終點(diǎn)。例如，只要從該裝置100的暴露區(qū)域有效地去除碳霧，在氧等離子體處理的期間就可形成碳氧化物。在一個(gè)或多個(gè)指定波長(zhǎng)的強(qiáng)度有顯著的下降之后，就可選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)間點(diǎn)來(lái)終止該等離子體處理113。然而，在其它的例子中，可識(shí)別其它的揮發(fā)性材料，其使得可進(jìn)行該等離子體處理113的有效光學(xué)終點(diǎn)探測(cè)。舉例來(lái)說(shuō)，用于有效地去除該碳霧112之利用氧或任何其它物種的轟擊期間所產(chǎn)生的其它揮發(fā)性副產(chǎn)物可以對(duì)應(yīng)的放射射線為基礎(chǔ)而加以識(shí)別，然后可以該放射射線當(dāng)作適當(dāng)?shù)慕K點(diǎn)探測(cè)訊號(hào)。對(duì)應(yīng)的終點(diǎn)探測(cè)訊號(hào)可以就該鈍化層103及/或就該等離子體處理113的不同工藝條件，利用不同材料執(zhí)行的試驗(yàn)為基礎(chǔ)而加以識(shí)別。在圖If中，顯示在更進(jìn)步的制造階段中的半導(dǎo)體裝置100。在此，對(duì)該裝置100進(jìn)行進(jìn)一步的清潔程序114，其系設(shè)計(jì)以便去除來(lái)自利用基于氟的化學(xué)而執(zhí)行的前述圖案化工藝111之殘余物。為達(dá)此目的，該裝置100可利用適當(dāng)?shù)臐袷交瘜W(xué)品化學(xué)而洗凈，例如稀釋的酸等，其中在一個(gè)例示性具體例中，該工藝114可執(zhí)行為在任何適當(dāng)傳統(tǒng)工藝工具的濕式剝斷strip)工藝室中在原地的工藝，而在其它的具體例中可在用于施加一種或多種適當(dāng)化學(xué)品的噴灑或浸漬工具中執(zhí)行對(duì)應(yīng)的工藝順序，其中可執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)沖洗工藝。之后，可依傳統(tǒng)的方式持續(xù)進(jìn)行進(jìn)一步的加工，也就是說(shuō)，必要的話，該焊料凸塊106可藉由回焊該焊料而形成為焊球，其中該焊料凸塊106的材料可藉由在該第一層105a上的表面張力而縮回(retract)，該層也可與該回焊的焊料形成化合物或合金。因?yàn)榍笆龅膱D案化工藝，也就是說(shuō)，特別是該基于等離子體的圖案化工藝lll，對(duì)于該焊料凸塊106的材料展現(xiàn)顯著降低的去除速率，-所以可顯著地降低制造成本，特別是在使用非常昂貴的輻射降低的鉛(lead)時(shí)，同時(shí)另一方面可達(dá)成所得焊料凸塊的改良高度均勻性。圖lg概略地顯示該基片101的頂視圖，其包含多數(shù)晶粒120，彼等各自可包括一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體裝置100，該半導(dǎo)體裝置100的形成參照第la至lf圖加以說(shuō)明。由此，該等晶粒區(qū)域120，以格柵狀數(shù)組(grid-likearray)配置并且標(biāo)示在x-方向與y-方向具有相鄰晶粒區(qū)域120之間的對(duì)應(yīng)距離，各自包含多數(shù)焊料凸塊106。該多數(shù)焊料凸塊106可根據(jù)裝置特定要求而非濕式化學(xué)圖案化工藝加諸的任何限制而分布于各晶粒區(qū)域120上，如同以上說(shuō)明的傳統(tǒng)技術(shù)之例子一樣。如先前解釋的，該基于等離子體的圖案化工藝113實(shí)質(zhì)上與該多數(shù)焊料凸塊106配置所用的圖案類(lèi)型無(wú)關(guān)，并且實(shí)質(zhì)上與該等焊料凸塊106的指定大小及形狀無(wú)關(guān)。因此，該多數(shù)焊料凸塊106的配置可根據(jù)有關(guān)電性、熱及機(jī)械考量的限制而選擇，所以就設(shè)計(jì)該接觸層108的結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)獲得增進(jìn)的彈性。因此，除了增進(jìn)的設(shè)計(jì)彈性以外還可獲得增進(jìn)的裝置效能，因?yàn)樵O(shè)計(jì)者可配置該等焊料凸塊，所以，例如，訊號(hào)出錯(cuò)可被改善及/或在高開(kāi)關(guān)活動(dòng)部分的散熱得藉由提供提高密度的焊料凸塊等而增進(jìn)。再者，在x-方向與y-方向個(gè)別晶粒區(qū)域120之間的距離可根據(jù)其它裝置及工藝的要求而選擇，藉以可能能提高每個(gè)基片的晶粒數(shù)目。結(jié)果，本發(fā)明提供用于圖案化凸塊下金屬化層堆棧的改良技術(shù)，其中至少藉由干式刻蝕工藝來(lái)圖案化接觸該鈍化層的層，藉以避免用于圖案化該對(duì)應(yīng)凸塊下金屬化層的高度復(fù)雜濕式化學(xué)刻蝕工藝中涉及的許多問(wèn)題。在例示性具體例中，此層經(jīng)常以鈦鎢層的形式設(shè)置，其可能需要高度復(fù)雜的濕式化學(xué)刻蝕工藝，該工藝由于刻蝕殘余物(例如傳統(tǒng)濕式化學(xué)刻蝕工藝所產(chǎn)生的分離鈦鎢環(huán))而導(dǎo)致提高的制造成本并且普通的生產(chǎn)量，該刻蝕殘余物遂可能造成降低的焊球高度均勻性。用于最后凸塊下金屬化層之基于等離子體的圖案化工藝對(duì)于圖案密度及凸塊大小展現(xiàn)顯著降低的相依性，藉以能有增進(jìn)的設(shè)計(jì)彈性而更有效地將裝置的特定要求列入考量，例如該等焊料凸塊的電性、熱及機(jī)械特性。另一方面，該基于等離子體的刻蝕工藝的任何面積相依效應(yīng)(areadependenteffect),例如暴露的鈦/轉(zhuǎn)材料或該最后凸塊下金屬化層之任何其它材料的量，都可藉由對(duì)應(yīng)地調(diào)整該基于等離子體的刻蝕調(diào)制法(例如藉由對(duì)應(yīng)地調(diào)整總工藝時(shí)間)而輕易地列入考量，其中可使用高效率終點(diǎn)探測(cè)程序來(lái)可靠地終止該基于等離子體的圖案化工藝。由此，就通?？刂萍氨O(jiān)視傳統(tǒng)刻蝕工藝所涉及的分析程序來(lái)看，結(jié)合降低效力有關(guān)之高度復(fù)雜濕式化學(xué)刻蝕工藝習(xí)慣上所需的化學(xué)品可獲得顯著的成本節(jié)省。再者，藉由使用該基于等離子體的圖案化工藝獲得大體上減短的工藝時(shí)間。再者，由于在傳統(tǒng)技術(shù)中可能取決于凸塊結(jié)構(gòu)及凸塊大小之刻蝕速率變化的降低，一般可更精確地形成焊料凸塊，因而最終導(dǎo)致焊球?qū)τ诰ЯＳ懈刹倏氐酿ぶΑＴ僬?，因?yàn)樵摶诘入x子體的圖案化工藝實(shí)質(zhì)上與凸塊大小、配置及凸塊間距無(wú)關(guān)，所以可達(dá)成進(jìn)一步的裝置尺寸縮放(scaling)，其中該凸塊間距及該凸塊大小可被縮小，以便適用于未來(lái)的裝置世代。以上所揭示的特定具體例僅為例示性，因?yàn)楸景l(fā)明可以對(duì)單方面認(rèn)知本文教導(dǎo)之熟于此藝者為顯而易見(jiàn)之不同但等效的方式作修改并實(shí)施。舉例來(lái)說(shuō)，以上說(shuō)明的工藝步驟可依不同的順序而執(zhí)行。再者，除了以下申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所說(shuō)明的以外、不欲限制本文所示的結(jié)構(gòu)或設(shè)計(jì)之細(xì)節(jié)。因此顯然地以上所揭示的特定具體例可加以改變或修飾，而且所有此等變化都視為在本發(fā)明的范圍與精神以?xún)?nèi)。因此，本文尋求保護(hù)的部分如以下申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所提出。權(quán)利要求1、一種方法，包含在凸塊下金屬化層堆疊(105)上所形成的多個(gè)凸塊(106)存在的情況下，通過(guò)電化學(xué)刻蝕工藝(107)圖案化所述的凸塊下金屬化層堆疊(105)的第一層(105A)；及通過(guò)干式刻蝕工藝(111)圖案化所述的凸塊下金屬化層堆疊(105)的第二層(105B)。2、如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含在圖案化所述的第二層(105B)之前先清潔(110)所述的第二層(105B)。3、如權(quán)利要求2所述的方法，其中清潔(110)所述的第二層(105B)包含從所述的第二層(105B)去除粒子(109)。4、如權(quán)利要求3所述的方法，其中清潔(110)所述的第二層(105B)至少包含在所述的電化學(xué)刻蝕工藝(107)的期間執(zhí)行的第一清潔工藝(110)及在所述的電化學(xué)刻蝕工藝(107)之后執(zhí)行的第二濕式清潔工藝(110A)。5、如權(quán)利要求l所述的方法，其中圖案化所述的第二層(105B)包含建立等離子體環(huán)境，所述的等離子體環(huán)境包含用于轟擊所述的第二層的化學(xué)反應(yīng)性成分及物理成分。6、如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含在圖案化所述的第二層(105B)之后執(zhí)行等離子體清潔工藝(113)，以從所述的凸塊下金屬化層堆疊(105)下方的鈍化層(103)去除碳?xì)堄辔?112)。7、如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包含光學(xué)地探測(cè)所述的等離子體清潔工藝(113)的終點(diǎn)。8、如權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一步包含執(zhí)行用于去除前述干式刻蝕工藝(111)的副產(chǎn)物的濕式化學(xué)清潔工藝(114)。9、如權(quán)利要求1所述的方法，其中，圖案化所述的第二層(105B)，進(jìn)一步包括當(dāng)使用所述的凸塊(106)作為刻蝕掩模時(shí)，干式刻蝕(111)所述的暴露的第二層(105B)。10、如權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一步包含干式刻蝕(111)的光學(xué)探測(cè)。11、如權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包含確定通過(guò)刻蝕進(jìn)入下方鈍化層(103)所形成的至少一個(gè)揮發(fā)性成分的適當(dāng)監(jiān)視波長(zhǎng)。全文摘要藉由以干式刻蝕工藝(111)為基礎(chǔ)圖案化凸塊下金屬化層(underbumpmetallizationlayer)堆棧(105)，與涉及高度復(fù)雜的濕式化學(xué)刻蝕工藝之傳統(tǒng)技術(shù)相比可達(dá)到顯著的優(yōu)點(diǎn)。在特定的具體例中，凸塊下金屬化層堆棧(105)的鈦鎢層或任何其它適當(dāng)最后層(lastlayer)(105B)可以使用基于氟(fluorine-based)的化學(xué)及作為物理成分的氧之等離子體刻蝕工藝(107)為基礎(chǔ)加以刻蝕。再者，適當(dāng)?shù)那鍧嵐に?110、113)可在該基于等離子體(107)的圖案化工藝之前或之后執(zhí)行以去除粒子(109)及殘余物(112)。文檔編號(hào)H01L23/485GK101248521SQ200680027850公開(kāi)日2008年8月20日申請(qǐng)日期2006年7月20日優(yōu)先權(quán)日2005年7月29日發(fā)明者A·普拉茨,F·屈興邁斯特,G·容尼克爾,K·修瑞申請(qǐng)人:先進(jìn)微裝置公司