專利名稱:封裝、其制造方法及其應用的制作方法
封裝、其制造方法及其應用本發(fā)明涉及一種封裝,其包括用于外部耦合的裝置、芯片、以及 密封芯片和所述用于外部耦合的裝置的封裝體,所述芯片的接觸焊盤 電耦合到所述用于外部耦合的裝置。本發(fā)明還涉及其制造方法。本發(fā)明進一步涉及具有這種封裝的箔以及包括這種具有封裝的 箔的物品,特別是安全紙。例如,可以由DE19630648A1獲知這種封裝以及這種物品。公知 的這種物品是鈔票。在這里用于外部耦合的裝置是天線。在這里箔是 具有金屬圖案的箔或金屬箔,通常為了安全目的將其結合在鈔票中。 優(yōu)選組裝這種箔,因為其能夠在鈔票制造期間適當?shù)亟Y合到紙體中。 另外,優(yōu)選使用金屬箔,這是因為其比較硬并且保護芯片不致破裂。 在這里封裝體為堅韌且耐沖擊的物質(zhì)。注意到還提到天線的其它可能 性;可以將天線設置在芯片上,或者金屬箔本身可以用作天線。已知封裝的缺點是結合到鈔票中相對比較困難。封裝體通常為環(huán) 氧樹脂,其在固化之后是硬的且具有相當?shù)亩栊?。于是適當?shù)卣澈系?金屬箔上并不容易。僅在將芯片組裝到箔之后提供封裝體的備選方案 看起來也不是很有效,因為通常在轉移模塑工藝中提供環(huán)氧樹脂,該 工藝不能與這種箔一起有效地執(zhí)行;即與箔的尺寸相比,封裝體的尺 寸相對較小。此外,模塑工藝要求處在150-200°C或更高的數(shù)量級上 的溫度,并且不清楚箔能否經(jīng)受住在這種溫度下的處理。因此,本發(fā)明的第一個目的是提供一種封裝,其能夠以改進的、 更為適當?shù)姆绞浇M裝到這種箔上。本發(fā)明的第二個目的是提供一種制造這種封裝的方法。 第一個目的是通過柔性封裝來實現(xiàn)的,該封裝包括用于電耦合到 外部部件的耦合裝置,并包括具有面向耦合裝置且電耦合到其的接觸 焊盤的芯片,且包括密封芯片且附著到耦合裝置的電絕緣封裝體,所 述封裝體和所述耦合裝置構成用于芯片的基板,并且所述柔性封裝還 包括用于處理的裝置,其僅通過封裝體機械連接到用于外部耦合的裝 置。第二目的之所以能夠?qū)崿F(xiàn),是因為該方法包括如下步驟 提供具有載體層和限定耦合裝置的導電跡線的圖案的載體; 將芯片組裝到載體,其中所述芯片的接觸焊盤電耦合到所述載體 的耦合裝置;提供密封芯片并在載體的至少一個表面上延伸的封裝體,以及部分除去載體層,使得耦合裝置可以用于將封裝電耦合到外部部 件,并且使得保留用于處理封裝的裝置,該裝置僅通過封裝體機械附 著到所述導電跡線。根據(jù)本發(fā)明,封裝是柔性的,并且該組裝只所以能夠?qū)崿F(xiàn),是因 為封裝設有處理裝置。具體地,根據(jù)該方法,載體包括在封裝期間被 部分除去的載體層,而其部分用作處理裝置。柔性允許封裝按照疊置柔性箔的工藝來進行組裝,該工藝比在箔 上提供堅硬部分更容易。本發(fā)明的封裝可以被看作為連續(xù)的或半連續(xù) 的箔。因為在形成封裝體之后除去載體層,所以由封裝體形成封裝的 主體。該封裝體不堅硬且通常包括有機材料,且以此與箔類似等。相 反地,現(xiàn)有技術的封裝僅為微小的分立部件。在現(xiàn)有技術中需要小尺 寸,因為大尺寸的堅硬的現(xiàn)有技術的封裝在以其它方式而柔軟的鈔票 中是不利的。可以注意到,本發(fā)明的封裝甚至可以是箔的原因在于單獨的封裝 不彼此分離。在一個實施例中,甚至能夠按照基于具有相同形式的兩個連續(xù)箔的巻軸到巻軸工藝來執(zhí)行封裝與箔的組裝。明顯的缺點是對于柔性封裝,對準更加困難。然而,當將封裝與 箔組裝時,通常不需要這種高分辨率。此外,處理裝置允許對箔上的 封裝進行處理并且還允許進行定位。沒有這種處理裝置,集成電路或 封裝體用作處理裝置。然而,如果封裝體完全是一個主體且芯片在其 內(nèi)部,則其是柔性體。這里,施加力可能導致封裝體與芯片或耦合裝 置分層,或可能導致芯片上的意外的力。如果以其它方式使得使用芯 片作為處理裝置更容易,則施加到芯片的力也會施加在耦合裝置與芯 片之間的連接上。這可以為粘合層,但通常包括焊球,由于它們的小 尺寸,其固有地比較脆弱。此外可以注意到,處理裝置在引線框架領域是公知的,事實上作 為引線框架的框架部分。然而,該框架不是任何單獨封裝的部件。還可以注意到,制造其中載體層被全部或部分除去的封裝的方法本身是公知的,例如從JP-A59-208756中獲知。然而,其中沒有建議 封裝是柔性的或設有處理裝置。為了清楚起見,可以注意到,在本申 請的文本中,可以將術語'柔性'理解為允許在不需要施加大應力的 情況下使封裝彎曲。允許柔性的封裝體本身是公知的,適當?shù)牟牧侠鐬榫埘啺贰?在一個實施例中,封裝體僅僅是密封層。作為厚度減小的結果,這提 供了良好的柔性。另外,可以在對封裝進行組裝之后切割密封層,以 便除去處理裝置。此外,這種密封層不會使封裝增加額外的高度。用于密封層的優(yōu)選材料是派拉綸(parylene)。派拉綸是特定系列 的熱塑性聚合物的通用名,所述熱塑性聚合物是通過使用對二甲苯的 二聚物(二對二甲苯或DPXN)來沉積的??梢栽谑覝叵掠蓺庀嘣谡?空條件下沉積派拉綸。有三種類型的可在商業(yè)上獲得的派拉綸,但是 能夠想到更多的類型?;镜囊环N是聚對二甲苯(還被稱為派拉綸 N),線性且高度結晶的聚合物,該聚合物展現(xiàn)出低損耗和高電介質(zhì)強度。第二種類型,派拉綸C,具有對二甲苯單體,該單體具有替換派拉綸N中的芳香氫原子中的一個的氯原子。派拉綸還具有對濕氣 和其它腐蝕性氣體的低滲透性。派拉綸D,該系列的第三種類型,也 具有對二甲苯單體,但其具有替換派拉綸N的單體中的兩個芳香氫 原子的兩個氯原子。派拉綸D具有與派拉綸C相似的特性,具有承 受更高溫度的能力。耦合裝置優(yōu)選包括用于無線傳送能量和數(shù)據(jù)的天線。這種天線可 以是偶極天線或電感器,如本身所公知的那樣。外部部件則特別是讀 出裝置。可選擇地或附加地,耦合裝置可以包括用于與外部部件電流 接觸的接觸焊盤。這通??梢允侨魏晤愋偷碾娐钒寤虿遄?yōu)選地,處理裝置至少存在于封裝的兩個相對側上,即在截面圖 中芯片的左側和右側。可以將處理裝置實施為柵,但可選擇地將其實 施為立方塊。在后一種情況下,看來適合應用多個塊。例如可以在封 裝的每一個角中設置塊。如果需要,當然可以使用不同形狀的處理裝 置,例如星形、十字形、三角形、L-形、T-形等等。處理裝置的尺寸取決于使用中的處理設備。通常,塊的最短尺寸 例如為大約IO微米,但橫向方向上的最短尺寸還可以是100微米或 甚至更大。特別在與本發(fā)明的方法的結合中,厚度取決于載體層的厚 度。當使用金屬箔時,該厚度適合處在30至!n00微米的數(shù)量級上。 當使用聚合物箔時,其可以更大。然而,優(yōu)選金屬,這是因為金屬具 有相對較大的質(zhì)量且其是硬的。因此,其非常適合用作載體層并且還 適合用作處理裝置。此外,處理裝置的金屬主要允許使用用于處理的 先進工具,例如真空、電磁力等。在本發(fā)明的另一實施例中,將處理裝置限定為存在于箔的相對側 上,其中需要將封裝附著到所述箔上。這里,處理裝置為有效的定位 裝置。關于相對側,這里特別是指側表面。因此,處理裝置在組裝后 位于箔的左側和右側。或者,箔可以設有處理裝置安裝在其中的空腔或通孑L在與箔組裝之后,可以除去處理裝置。然而,這并非絕對必要, 而且在處理裝置位于空腔或通孔中的情況下甚至可能是難處理的。在 將多個封裝附著到一張箔上使得處理裝置在左側和右側的情況下,可 以在單個切割操作中將這些處理裝置除去。其中限定處理裝置使其位于箔的左側和右側的實施例特別優(yōu)選 與耦合裝置僅限定在載體層的頂部上的情況相結合。當使用金屬載體 層時,基本上有兩個不同的利用可除去的載體層的封裝制造的實施例。在一個實施例中,例如由JP-A59-208756獲知,導電跡線的圖案 —且因此耦合裝置一僅僅存在于載體層的頂部上。然后除處理裝置以 外將全部的載體層除去。在這種情況下,處理裝置從封裝體突出超過 耦合裝置。如果將處理裝置設置成與箔相鄰,則封裝基本上平坦地位 于箔上。在可選實施例中,例如由US 6451627獲知,僅部分除去載體層。 對其進行有效的構圖以構成耦合裝置的部分。在該實施例中,處理裝 置不會突出超過耦合裝置。然而,由于耦合裝置與處理裝置之間的足 夠的橫向距離,可以彎折封裝體以便平坦地位于箔上。然而該實施例 不是優(yōu)選的,因為封裝的總厚度將增加。在另一實施例中,封裝體在耦合裝置之間的孔中延伸使得其在耦 合裝置背對芯片的一側上暴露出來。這種延伸具有的第一個優(yōu)點是, 實現(xiàn)了將耦合裝置適當?shù)馗街椒庋b體。第二個優(yōu)點是,這為箔與封 裝體之間的附著提供了附加位置。通常地,有機材料的彼此附著好于 金屬與有機材料箔之間的附著。因此,在附著不太強的較大區(qū)域之間 的附加附著位置對于整個附著是有益的。可以注意到適當?shù)叵蚝鬁p薄芯片以減小總的厚度并增加柔性。從 WO-A2005/29578中獲知一個非常薄的芯片的實例。在減薄和部分除 去基板之后,該芯片可以在其正面和其背面上都設有樹脂層。這種芯片可以有效地與本發(fā)明的密封層實施例結合使用。芯片己經(jīng)設有保護 層,且因此整個封裝體是多余的并僅導致不希望有的厚度增加。雖然 在半導體襯底(例如硅)的基礎上適當?shù)刂圃煨酒?,但是不排除在?機半導體材料的基礎上對其進行限定。本發(fā)明還涉及封裝與箔的組裝,涉及封裝與箔的最終組件,并且 涉及其中結合有這種具有封裝的箔的物品。該物品的優(yōu)點是最終的封 裝可以非常薄且適當?shù)馗街教幚聿?。因此,可以將箔巻起就好?沒有封裝附著到其上。如果該物品是安全紙,例如鈔票、護照、支票或票證,則箔適合 為安全絲,如本身為安全紙領域的普通技術人員所公知的那樣?;蛘撸?箔可以是用于光學有源元件的承載箔。優(yōu)選對安全線進行構圖以便耦 合裝置與該線的金屬電絕緣。可選擇地或附加地,可以施加電絕緣材 料層以覆蓋暴露出來的耦合裝置。例如可以在除去載體層之后施加這 種層。電絕緣材料層可以是箔。于是之后該箔將僅與安全線結合。對于標簽應用,更為優(yōu)選的是使用柔性封裝體而不僅僅是密封 層。然后可以利用封裝體將封裝組裝到箔上,使得耦合裝置將背對箔。 這會產(chǎn)生略微較厚的封裝,但其中將芯片嵌入在封裝體中。將參考附圖進一步說明這些和其它方案,其中圖l-6通過截面圖示出在本發(fā)明的封裝的制造中的幾個階段。附圖完全是概略性的且未按比例繪制。不同附圖中的相同參考標 記表示相同或相應的部件。附圖旨在示例性的目的,并且備選方案在 說明書的基礎上對于技術人員而言是清楚的。
圖1示出具有載體層11和頂層12的載體10。載體層11在這種情況下包括鋁且具有大約30微米的厚度。頂層12包括厚度大約為 l-20微米的銅,并且在該例中厚度大約為2微米。圖2示出在對頂層12進行構圖以產(chǎn)生耦合裝置20之后的載體 10。例如耦合裝置構成天線。在該例中,這些耦合裝置還將暴露出來 且用作用于電流耦合的接觸焊盤。對于頂層12的構圖,可以使用由 構成可焊接的界面的材料制成的掩模,所述材料例如為NiAu、 NiPd、 NiAuPd、 Au等。圖3示出其中在載體層11中執(zhí)行蝕刻處理的附加步驟之后的載 體。這產(chǎn)生耦合裝置20之下的一些鉆蝕(underetoh),以及限定在頂 層12中的任何其它圖案。雖然例子示出了以Al-Cu為基礎的載體10,其中通過蝕刻限定 頂層12中的圖案,但眾所周知的是存在幾種可選方案。如果存在中 間阻擋層,例如由Ni、 Mb、 Ti或甚至Al制成,則頂層12和載體層 11可以由Cu限定。如果載體層10經(jīng)受得住在鍵合和封裝期間使用 的溫度和條件,則載體層10還可以由適當?shù)姆墙饘俨牧现瞥?。這些 條件不必很嚴格??梢栽陔婂児に囍卸皇窃谖g刻工藝中提供耦合裝 置20和頂層12中的任何其它導電圖案。另外,載體10可以在其底 側上設有分離的掩模,例如由適當?shù)慕饘贅嫵桑沟迷谛酒慕M裝之 后不需要額外的光刻步驟的情況下可以對載體層11進行構圖。實際 上,已經(jīng)對載體層IO進行構圖以限定環(huán)繞處理裝置的溝槽。這允許 在剝離工藝中而不是在蝕刻工藝中除去載體層10。圖4示出在將芯片30組裝到載體10之后的階段中的封裝100。 在該例中,利用在芯片30的接觸焊盤32與限定為耦合裝置20的一 部分或連接到其的接觸焊盤22之間延伸的焊球31沿倒裝片的方向?qū)?芯片30組裝到載體10。然而,可以使用各向異性導電膠。另一種選 擇是使用電介質(zhì)膠。然后利用電容耦合確立耦合裝置20與芯片30之 間的電耦合。雖然在這里沒有示出,但是可以使用底填材料來填充芯 片30與載體10之間的間隙。盡管的確不是優(yōu)選的,但是也并不排除 將芯片30面朝上地組裝到載體10,并且耦合設有鍵合引線或分離的箔。圖5示出提供封裝體40之后的封裝100。在該實施例中封裝體為由派拉綸構成的密封層。通過化學汽相沉積且之后在增高的溫度下進行固化來提供該密封層。這里,密封層40不僅在芯片的背面33上 延伸,而且還在其正面34上和焊球31周圍延伸。圖6示出選擇性除去載體層11之后的封裝100。這里,提供處 理裝置50,其僅通過封裝體40連接到封裝100的其余部分。現(xiàn)在封 裝體與耦合裝置20構成用于芯片30的基板。由于僅在頂層中限定耦 合裝置20,所以處理裝置50有效地形成突出。當組裝到箔時,處理 裝置50優(yōu)選存在于箔的兩個相對側表面上。然后可以除去處理裝置 50,并且可以將箔結合在任何物品中或附著到任何物品上,所述物品 例如為安全紙。
權利要求
1、一種柔性封裝,包括用于電耦合到外部部件的耦合裝置;具有面向所述耦合裝置且電耦合到其的接觸焊盤的芯片;以及密封所述芯片且附著到所述耦合裝置的電絕緣封裝體,所述封裝體和所述耦合裝置構成用于所述芯片的基板,其中存在用于處理所述封裝的裝置,其僅通過所述封裝體機械連接到所述耦合裝置。
2、 如權利要求1所述的封裝,其中所述封裝體為密封層。
3、 如權利要求1所述的封裝,其中所述用于外部耦合的裝置包 括用于無線傳輸?shù)奶炀€。
4、 如權利要求1所述的封裝,其中所述用于處理的裝置至少存 在于所述封裝的兩個相對側上。
5、 如權利要求4所述的封裝,其中將所述處理裝置限定為存在 于箔的相鄰側上,需要將所述封裝附著到所述箔上。
6、 如權利要求1或2所述的封裝,其中所述封裝體在所述耦合 裝置之間的孔中延伸,使得其在所述耦合裝置背對所述芯片的一側上 暴露出來。
7、 一種制造用于芯片的柔性封裝的方法,包括以下步驟 提供具有載體層和限定耦合裝置的導電跡線的圖案的載體; 將所述芯片組裝到所述載體,其中所述芯片的接觸焊盤電耦合到所述載體的所述耦合裝置;提供密封所述芯片并在所述載體的至少一個表面上延伸的封裝 體,以及部分除去所述載體層,使得所述耦合裝置可以用于將所述封裝電 耦合到外部部件,并且使得保留用于處理所述封裝的裝置,該裝置僅 通過所述封裝體機械附著到所述導電跡線。
8、 如權利要求7所述的方法,其中所述封裝體為密封層。
9、 如權利要求7所述的方法,其中附著所述芯片,使該芯片的 接觸焊盤面向所述載體的接觸焊盤。
10、 如權利要求8所述的方法,其中所述密封層包括派拉綸。
11、 一種將封裝組裝到柔性箔的方法,包括 提供如權利要求1-6中任意一項所述的封裝,以及 將所述封裝附著到所述箔上。
12、 如權利要求11所述的方法,其中在附著步驟之后除去所述 用于處理所述封裝的裝置。
13、 一種如權利要求1-6中任意一項所述的封裝和箔的組件。
14、 一種封裝和箔的組件,所述封裝包括具有用于外部耦合的 裝置的載體;附著到所述載體的芯片,該芯片的接觸焊盤面向所述載 體并電耦合到所述載體;以及密封所述芯片且附著到所述載體的封裝 體,所述封裝體在所述載體中的孔中延伸,所述箔附著到所述載體和 在其孔中延伸的所述封裝體。
15、 一種包括如權利要求14和15中任意一項所述的組件的物品。
16、 如權利要求15所述的物品,其中所述物品為安全紙。
全文摘要
一種柔性封裝(100),包括用于電耦合到外部部件的耦合裝置(20)、具有面向耦合裝置(20)且電耦合到其的接觸焊盤(32)的芯片(30)、以及密封芯片(30)且附著到耦合裝置(20)的電絕緣封裝體(40),所述封裝體(40)和所述耦合裝置(20)構成用于芯片(30)的基板。封裝(100)還包括用于處理封裝(100)的裝置(50)。該裝置(50)僅通過封裝體(40)機械連接到耦合裝置(20)。封裝(100)適合組裝到箔上,其可以附著到諸如安全紙的物品上或結合在該物品中。
文檔編號H01L23/498GK101218674SQ200680024511
公開日2008年7月9日 申請日期2006年7月4日 優(yōu)先權日2005年7月7日
發(fā)明者J·W·威克普, N·J·A·范費恩 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司