專利名稱：通孔的形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種通孔的形成方法。
背景技術：
半導體集成電路芯片的工藝制作利用批量處理技術，在同一硅襯底 上形成大量各種類型的復雜器件，并將其互相連接以具有完整的電子功 能。隨著超大規(guī)模集成電路的迅速發(fā)展，芯片的集成度越來越高，元器 件的尺寸越來越小，因器件的高密度、小尺寸引發(fā)的各種效應對半導體 工藝制作結果的影響也日益突出。其中一個典型的例子是小孔徑通孔的
制作隨著器件尺寸的縮小，芯片制作中需要形成的各種孔的尺寸也進 一步縮小，然而，曝光機由于曝光極限難以定義出小于110nm的小孔徑的 孔圖案，制作出小孔徑的通孔非常困難。
為制作小尺寸的通孔，現(xiàn)有的一種方法是通過對光刻膠的熱處理， 使其產生熱回流，發(fā)生變形，使得由光刻膠定義出的孔的孔徑縮小，形 成尺寸突破曝光極限的小孔徑的通孔。
圖1 A至1C為說明現(xiàn)有的小孔徑通孔的形成方法的器件剖面圖，其 中，圖1A為光刻后的器件剖面圖，如圖1A所示，為在襯底101上的介質 層102內形成小孔徑的通孔，先利用光刻膠103定義了一個孔104,由于受 光刻曝光尺寸的限制，該光刻膠內的孔104的孔徑比設定的要在介質層 102內形成的孔的孔徑略大。為使該104孔的孔徑縮小，直至與設定的孔 徑相同，對光刻膠進行了加熱處理，使其產生熱回流。
圖1B為光刻膠熱回流后的器件剖面圖，如圖1B所示，經過加熱處理 后，光刻膠發(fā)生了形變，在水平方向上有一定的擴展，變形后的光刻膠 103-1內的孑U04-1的孔徑相應地變小了 。
圖1C為刻蝕后的器件剖面圖，如圖1C所示，以變形后的光刻膠103-1 為掩膜對介質層102進行刻蝕，在其內形成了小孔徑的通孔IIO，該孔的 孔徑與變形后的光刻膠孔104-1的孔徑相同，也就實現(xiàn)了孔徑小于光刻啄 光尺寸的通孔的制作。然而，該種方法存在以下缺點
1、 熱回流后的光刻膠的形狀取決于其圖案的大小，芯片中圖案大小 的不一致會導致光刻膠回流的程度不同，結果由其保護進行刻蝕而形成 各孔的孔徑也不會均勻一致；
2、 熱回流后的光刻膠在水平尺寸的擴展有限，因此，能由其形成的 通孔的孔徑與光刻時的曝光尺寸相比縮小的也有限，即可調整的孔徑尺
寸有限；
3、 熱回流后的光刻膠形狀會不規(guī)則，導致形成的小孔徑通孔的邊緣 形狀及側壁形狀不好(圖中未示出)。
4、 光刻膠的熱回流情況不易精確控制，孔徑調整的可控性較差。
為改善傳統(tǒng)熱回流方法形成小孔徑通孔時的不足，申請?zhí)枮?200510135720.X的中國專利申請公開了 一種改進后的方法，該方法在光 刻形成較大孔徑的孔后，按該大孔徑的孔對介質層進行初步刻蝕，該步 刻蝕形成較淺的第一孔，然后，再對光刻膠進行熱回流處理，使得光刻 膠流至所述較淺的第一孔的側壁處，接著，以該光刻膠圖形為掩膜再次 對介質層進行刻蝕，形成開口尺寸較小的通孔。因光刻膠熱回流的不可 定性，該方法形成的通孔同樣存在著尺寸不均勻、調整范圍有限、形狀 較差、可控性較差等問題，形成的孔質量較差。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種通孔的形成方法，該方法可以提高小孔 徑通孔的形成質量。
本發(fā)明提供的一種通孔的形成方法，包括步驟
提供襯底；
對所述襯底進行光刻處理，形成具有第 一孔徑的孔圖案；
沉積附加介質層；
刻蝕所述襯底，在所述村底上形成具有第二孔徑的通孔。
其中，所述附加介質層的厚度由所述第一孔徑與所述第二孔徑的差 值決定。
其中，所述附加介質層可以為氧化硅層，其沉積溫度可以在210。C 至230。C之間。
本發(fā)明具有相同或相應技術特征的另一種通孔的形成方法，包括步
驟
提供襯底，且所述村底上包含第一介質層和位于第一介質層之上的 第二介質層；
在所述襯底上形成具有第 一孔徑的光刻圖案； 刻蝕所述第二介質層，在所述第二介質層上形成具有第一孔徑的孔
開口；
沉積附加介質層；
刻蝕所述孔開口內的附加介質層和第一介質層，在所述第一介質層 內形成具有第二孔徑的通孔。
其中，所述附加介質層的厚度由所述第一孔徑與第二孔徑的差值決定。
其中，所述附加介質層可以為氧化硅層，其沉積溫度可以設置在 210。C至230。C之間。
本發(fā)明具有相同或相應技術特征的另 一種通孔的形成方法，包括步
驟
提供表面包含第一介質層的襯底；
在所述第一介質層上沉積刻蝕輔助層；
在所述刻蝕輔助層上形成具有第 一孔徑的光刻圖案；
刻蝕所述刻蝕輔助層，在所述刻蝕輔助層上形成具有第一孔徑的孔
開口；
沉積附加介質層；
刻蝕所述孔開口內的附加介質層和第一介質層，在所述第一介質層 內形成具有第二孔徑的通孔。
其中，所述附加介質層的厚度由所述第一孔徑與第二孔徑的差值決定。
其中，所述刻蝕輔助層和附加介質層為氮化硅或氧化硅層。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點
本發(fā)明的通孔的形成方法，在光刻形成較大孔徑的孔圖案后，先沉 積一層附加介質層，然后再進行刻蝕形成通孔，這樣，在原來光刻形成 的大孔徑的光刻膠孔的側壁上就覆蓋了一層附加介質層，以其為掩膜刻 蝕形成的通孔的孔徑可以顯著縮小，利用本發(fā)明方法可以簡單方便地制 作成尺寸均勻、形狀規(guī)則的小孔徑通孔。
本發(fā)明的通孔的形成方法中，通過改變附加介質層沉積的厚度，可 以方便靈活地調整最終刻蝕形成的通孔的孔徑，且可調整的孔徑范圍較 大，孔徑尺寸的可控性也較強。
本發(fā)明的通孔的形成方法不僅可以制作出高質量的小孔徑通孔，還 具有操作簡單、實現(xiàn)方便的優(yōu)點，對生產周期和生產成本的影響不大。


圖1A至1C為說明現(xiàn)有的小孔徑通孔的形成方法的器件剖面圖； 圖2A至2D為說明本發(fā)明第一實施例的通孔的形成方法的器件剖 面圖3為本發(fā)明第一實施例的通孔的形成方法的流程圖4A至4G為說明本發(fā)明第二實施例的通孔的形成方法的器件剖
面圖5為本發(fā)明第二實施例的通孔的形成方法的流程圖6A至6E為說明本發(fā)明第三實施例的通孔的形成方法的器件剖 面圖7為本發(fā)明第三實施例的通孔的形成方法的流程圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合 附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。
本發(fā)明的處理方法可被廣泛地應用到許多應用中，并且可利用許多 適當?shù)牟牧现谱鳎旅媸峭ㄟ^較佳的實施例來加以說明，當然本發(fā)明并 不局限于該具體實施例，本領域內的普通技術人員所熟知的一般的替換 無疑地涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內。
其次，本發(fā)明利用示意圖進行了詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時， 為了便于說明，表示器件結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，不 應以此作為對本發(fā)明的限定，此外，在實際的制作中，應包含長度、寬 度及深度的三維空間尺寸。
當半導體工藝進入90nm以下技術后，芯片中的各種孔的孔徑也相 應地縮小，但是，由于光刻曝光機在曝光尺寸方面的限制，難以通過光 刻定義出孔徑小于110nm的微孔?，F(xiàn)有技術中利用光刻膠熱回流形成的 小孔徑的通孔形成質量則較差。為此，本發(fā)明提出了一種小孔徑通孔的 形成方法，制作出了高質量的小孔徑通孔。
圖2A至2D為說明本發(fā)明第一實施例的通孔的形成方法的器件剖 面圖，圖3為本發(fā)明第一實施例的通孔的形成方法的流程圖，下面結合 圖2A至2D和圖3對本發(fā)明的第一實施例進行詳細介紹。
首先，提供襯底(S301),然后，對村底進行光刻，形成具有第一
孔徑的孔圖案(S302)。圖2A為光刻后的器件剖面圖，如圖2A所示， 在襯底201上涂布一層光刻膠202，并在該光刻膠層上形成孔圖案，由 于受光刻時曝光尺寸的限制，該孔圖案的孔徑不能作得太小。本實施例 中，設定在襯底內形成的小通孔的孔徑為100nm，但僅利用光刻技術無 法直接形成該孔徑大小的孔圖案，因此，在本步中，先光刻形成具有第 一孔徑al的光刻孔203，這一孔徑al比設定的孔徑要大，如為120nm， 這一尺寸對于光刻而言是易于實現(xiàn)的。
在形成上述具有較大孔徑的孔圖案后，在該襯底上沉積一層附加介 質層(S303)。圖2B為形成附加介質層后的器件剖面圖，如圖2B所示， 利用化學氣相沉積的方法在襯底的光刻圖案上依其形貌沉積了 一層附 加介質層210，該附加介質層附著在光刻圖案的孔側壁上，使得該孔圖 案的孔徑有所減小，縮小至第二孔徑a2，本發(fā)明正是利用這一點制作出 了孔徑小于曝光極限通孔。該附加介質層的厚度由光刻孔與設定孔的孔 徑差值決定。本實施例中，光刻孔的孔徑(120nm)與i殳定孔(100nm) 的孔徑相差20nm，即在光刻孔的孔壁上要附著10nm厚的附加介質層 才能最終形成設定的100nm的孔，因此，理想中本步中沉積的附加介 質層的厚度為10nm，即IOOA，考慮到側壁處的厚度可能會比沉積厚度 略小，也可以在此1^5出上根據(jù)沉積情況略作調整，如可以沉積110 A等。 該附加介質層的厚度最好不要太厚，否則可能會使增大刻蝕的難度，使 通孔變形，其較優(yōu)的厚度范圍可以在5至200A之間。
注意該附加介質層的生長溫度要低于與其相鄰的光刻膠層可容忍 的高溫。本實施例中，光刻膠可容忍的高溫大約在250。C左右，因此， 最好選擇該介質層的生長溫度在210。C至230。C之間，如220。C。本實 施例中，為了便于去除，選取了在220。C下生長的氧化硅層來形成附加 介質層，其質地較為疏松，與光刻膠的刻蝕速率基本一致，在去除光刻 膠時便于一起去除。
接著，進行刻蝕處理，在襯底內形成具有第二孔徑的通孔(S304)。 圖2C為刻蝕后的器件剖面圖，如圖2C所示，由于附加介質層的刻蝕 速率與光刻膠的一致，在刻蝕后，形成了圖2C所示的結構。刻蝕通孔 時，雖然在光刻孔底部有IOOA左右的附加介質層，但這一薄層很快就 可以被刻蝕去除，接著就會向下刻蝕襯底以形成通孔。但在這一刻蝕過 程中，由于光刻孔的側壁上附著有附加介質層210，光刻孔內位于側壁 的附加介質層210下的襯底不會被刻蝕，因此，最終在襯底上形成的具 有第二孔徑的通孔的孔徑a2明顯要小于光刻后形成的光刻孔的孔徑 al。本實施例中，刻蝕后在襯底內形成的通孔220的孔徑a2為100nm， 形成了孔徑突破曝光限制的小通孔。
刻蝕后就可以去除襯底上殘余的光刻膠和附加介質層(S305 ),本 實施例中附加介質層是在低溫下生長的氧化硅層，其易于去除，在進行 正常的光刻膠去除時，該殘余的附加介質層也就會被同時去除，不需要 額外地增加工藝步驟。圖2D為去除殘余的光刻膠和附加介質層后的器 件剖面圖，如圖2D所示，在襯底201內形成了具有第二孔徑a2的通孔 220。
本發(fā)明的第 一 實施例是直接在襯底內形成小孔徑的通孔，在本發(fā)明 的其他實施例中，也可以是在襯底上所沉積的材料層內形成小孔徑的通 孑L，如氧化硅層、氮化硅層或金屬層等，其制作過程與第一實施例的相 同，在此不再贅述。
本發(fā)明的第二實施例是在層間介質層內形成小孔徑的通孔(接觸 孔)，圖4A至4G為說明本發(fā)明第二實施例的通孔的形成方法的器件剖 面圖，圖5為本發(fā)明第二實施例的通孔的形成方法的流程圖，下面結合 圖4A至4G和圖5對本發(fā)明的第二實施例進行詳細介紹。
圖4A為形成光刻圖案后的器件剖面圖，如圖4A所示，首先，提 供了襯底401，且該襯底上至少包含第一介質層402和第二介質層403
(5501) 。本實施例中，是在層間介質層內形成小孔徑的通孔，因此， 所用介質層為低K值的氧化硅，其中，第一介質層402為摻磷的氧化硅， 第二介質層為由TEOS沉積而成的氧化硅，二者在刻蝕速率上有明顯的 差異。此外，作為層間介質層，其下通常會有一層作為刻蝕停止層的氮 化硅或氮氧化硅材料(本圖中未示出)。
然后，對上述襯底進行光刻，在其上形成具有第一孔徑的孔圖案
(5502) 。在第二介質層403上涂布一層光刻膠404，并通過光刻在該 光刻膠層上形成孔圖案。本實施例中，設定在層間介質層內形成的小接 觸孔的孔徑為llOnm，但僅利用光刻技術難以直接形成該孔徑大小的孔 圖案，因此，在本步中，在光刻膠內形成的是孔徑尺寸較大、光刻易于 實現(xiàn)的光刻孔405，其孔徑尺寸al可稱為第一孔徑，該第一孔徑比設定 的通孔(接觸孔)的孔徑要大，如為120nm。
接著，以光刻圖案為掩膜，對第二介質層進行刻蝕，在第二介質層 內形成孔開口 (S503 )。圖4B為形成孔開口后的器件剖面圖，如圖4B 所示，在第二介質層403內形成了孔徑為al的孔開口，該開口的孔徑 尺寸同樣也大于接觸孔孔徑的設定尺寸。由于第二介質層403與第一介 質層402的刻蝕速率不同，本步刻蝕可以較為準確地停止于第 一介質層 402上。
再接著，沉積一層附加介質層(S504),圖4C為形成附加介質層后 的器件剖面圖，如圖4C所示，利用化學氣相沉積的方法在襯底的光刻 圖案上依其形貌沉積了一層附加介質層410,該附加介質層的厚度最好 不要太厚，否則可能會使增大刻蝕的難度，使通孔變形，其較優(yōu)的厚度 范圍可以在5至200A之間，具體厚度可由光刻孔與設定孔的孔徑差值 決定。本實施例中，光刻孔的孔徑(120nm)與i殳定孔(110nm)的孔徑 相差10nm，即需要在光刻孔的孔壁上要附著5nm厚的附加介質層。因 此，將本步中沉積的附加介質層的厚度設置為5nm，即50A。由圖中可
以看到，沉積附加介質層后，光刻孔的孔徑已減小至a2，即110nm。
為不損傷光刻膠，本步附加介質層的生長溫度最好在210°C至 230。C之間，如220。C。本實施例中，選取的是在220°C下生長的氧化 硅層，其質地較為疏松，與光刻膠的刻蝕速率基本一致，在去除光刻膠 時便于一起去除。
然后，對第一介質層進行刻蝕，形成具有第二孔徑的通孔(S505 )。 圖4D為刻蝕后的器件剖面圖，如圖4D所示，在刻蝕通孔時，雖然在 孔開口的底部有50A左右的附加介質層，但這一薄層很快就可以被刻蝕 去除，接著就會向下刻蝕第一介質層以形成通孔。在這一刻蝕過程中， 由于光刻孔及孔開口的側壁上附著有附加介質層410，最終在第一介質 層402內形成了具有第二孔徑的通孔420，其孔徑a2明顯要小于光刻后 形成的光刻孔的孔徑al。本實施例中，刻蝕后在第一介質層內形成的通 孔420的孔徑a2為110nm，形成了突破曝光限制的小孔徑的通孔。
刻蝕后就可以去除襯底上殘余的光刻膠和附加介質層(S506),通 常在進行正常的光刻膠去除時，刻蝕后殘余的附加介質層也就會被同時 去除，不需要額外地增加工藝步驟，即使還略有殘留，在后面去除第二 介質層時也可以被同時去除。圖4E為去除殘余的光刻膠和附加介質層 后的器件剖面圖，如圖4E所示，在第一介質層402內形成了具有第二 孔徑a2的通孔420。
接著，在通孔內填充金屬(S507)，圖4F為填充金屬后的器件剖面 圖，如圖4F所示，在通孔內填充了金屬430,通常可以為銅金屬，為 提高填充性能，在填充金屬前還可以先沉積一層粘附/阻擋層(圖中未 示出)，該填充過程為本領域的普通技術人員所熟知，在此不再贅述。
再接著，進行化學機械研磨，去除通孔外的金屬和第二介質層 (S508),圖4G為研磨后的器件剖面圖，如圖4G所示，形成了孔徑小于 光刻曝光尺寸的通孔(接觸孔)。
本發(fā)明的第二實施例是先在第二介質層上刻蝕形成孔徑較大的孔 開口后，再沉積附加介質層，形成具有小孔徑的通孔，在本發(fā)明的其他 實施例中，也可以在光刻圖案后，直接沉積附加介質層，然后再刻蝕第 二介質層和第 一介質層，即形成的第二介質層內的孔開口的孔徑與第一 介質層內的通孔的孔徑相同。
本發(fā)明的上述實施例的附加介質層都是直接沉積在光刻膠上的，其 生長溫度要受到光刻膠耐高溫特性的限制，在本發(fā)明的其他實施例中， 還可以在光刻前先生長一層刻蝕輔助層，然后，通過光刻刻蝕將光刻圖 形轉移到該輔助層上，再去除光刻膠，以此輔助層為掩膜進行通孔的刻 蝕。本發(fā)明的第三實施例以此為例進行說明。
圖6A至6E為說明本發(fā)明第三實施例的通孔的形成方法的器件剖 面圖，圖7為本發(fā)明第三實施例的通孔的形成方法的流程圖，下面結合 圖6A至6E和圖7對本發(fā)明的第三實施例進行介紹。
圖6A為形成光刻圖案后的器件剖面圖，如圖6A所示，首先，提 供了襯底601，且該襯底上包含一層第一介質層602 (S701 )。本實施例 中，該第一介質層為未摻雜的氧化硅(USG)，需要在其內形成小孔徑 的通孔。
然后，在該第一介質層602上生長一層刻蝕輔助層603 (S702)。 該刻蝕輔助層的刻蝕速率與位于其下的第 一介質層602相比要有明顯差 異，如可以用摻雜的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等材料，本實施例中， 選用該層為氮化硅層，其生長厚度由其下層的第一介質層602的刻蝕深 度及二者的刻蝕速率差決定。
接著，進行光刻，在刻蝕輔助層上形成具有第一孔徑的孔圖案 (S703 )。在刻蝕輔助層603上涂布一層光刻膠604,并在該光刻膠層 上形成孔圖案。本實施例中，設定在第一介質層602內形成的通孔的孔 徑為90nm，但本步中，光刻形成的可以是孔徑尺寸較大、光刻易于實現(xiàn)的光刻孔605,其孔徑尺寸al可以稱為第一孔徑，該第一孔徑比設定 的通孔(接觸孔)的孔徑要大，如為120nm。
接著，以光刻圖案為掩膜，對刻蝕輔助層603進行刻蝕，在其內形 成孔開口 (S704)。圖6B為形成孔開口后的器件剖面圖，如圖6B所示， 在刻蝕輔助層603內形成了孔徑與光刻孔的孔徑相同的孔開口，即，該 開口的孔徑al同樣也大于接觸孔孔徑的設定尺寸，為120nm。
在刻蝕輔助層603上形成孔開口后，將其表面的光刻膠604去除 (S705 ),然后，在已形成孔開口的刻蝕輔助層603上沉積一層附加介 質層(S706),圖6C為形成附加介質層后的器件剖面圖，如圖6C所示， 利用化學氣相沉積的方法在襯底的光刻圖案上依其形貌沉積了 一層附 加介質層610，該附加介質層較優(yōu)的厚度范圍可以在5至200A之間， 具體厚度可由光刻孔(刻蝕輔助層603的孔開口 )與設定孔的孔徑差值 決定。本實施例中，光刻孔的孔徑(120nm)與設定孔(90nm)的孔徑 相差30nm，即需要在光刻孔的孔壁上要附著15nm厚的附加介質層。 因此，將本步中沉積的附加介質層的厚度i殳置為15nm,即150A。由圖 中可以看到，沉積附加介質層后，刻蝕輔助層603的孔開口孔徑已減小 至a2,即90nm。
本步附加介質層的生長溫度不用再受光刻膠耐高溫特性的限制，可 以較高，其材料選擇上也更為靈活，如可以選擇與刻蝕輔助層相同的材 料一—氮化硅，或者仍選用較為疏松的氧化硅材料。本實施例中，選用 了后者。
再接著，進行刻蝕，在第一介質層602內形成具有第二孔徑的通孔 (S707)。圖6D為刻蝕后的器件剖面圖，如圖6D所示，在刻蝕后，刻 蝕通孔時，雖然在孔開口的底部有150A左右的附加介質層，但這一薄 層很快就可以被刻蝕去除，接著就會向下刻蝕第一介質層602以形成通 孔。在這一刻蝕過程中，由于刻蝕輔助層603的孔開口的側壁上附著有附加介質層610，最終在第一介質層602上形成的了具有第二孔徑的通 孔620，其孔徑a2明顯要小于光刻后形成的光刻孔的孔徑al。本實施 例中，選用的附加介質層610的刻蝕速率要快于刻蝕輔助層603,因此， 在刻蝕后在孔開口側壁處殘留下的附加介質層要低于刻蝕輔助層，注 意，通過綜合考慮孔開口深度(刻蝕輔助層厚度)、附加介質層610與 第一介質層602的刻蝕速率差，可以令本步刻蝕后仍余有部分附加介質 層，以確保第一介質層602內的通孔邊緣不會受損。由圖中可以看到， 本步刻蝕后，在第一介質層602內形成了孔徑a2為90nm的通孔620, 其尺寸突破了曝光限制。
刻蝕后就可以去除殘余的刻蝕輔助層和附加介質層(S708 )，本實 施例中，可以用熱磷酸溶液去除由氮化硅形成的刻蝕輔助層，由于附加 介質層的刻蝕速率較氮化硅快，其僅在孔開口的角落處略有殘留，會隨 之一起漂去。另外，如果附加介質層選用的也是氮化硅材料，雖然其殘 留物會與刻蝕輔助層高度基本相同，但其在熱磷酸中也會被快速腐蝕去 除，不會對后續(xù)工藝有影響。圖6E為去除殘余的刻蝕輔助層和附加介 質層后的器件剖面圖，如圖6E所示，在第一介質層602內形成了具有 第二孔徑a2的通孔620。
本發(fā)明中所說的通孔是指在半導體制作中需刻蝕形成的各種孔，如 連接孔、接觸孔、隔離孔等等，應理解為只要是利用附加介質層形成比 光刻孔的孔徑小的孔，無論該孔制作于哪種/些材料內，用于作什么， 都落入了本發(fā)明所保護的范圍之內。
采用本發(fā)明的形成方法形成的小孔徑通孔，尺寸均勻、形狀規(guī)則， 且孔徑的可調整范圍較大，可控性也較強，具有較高的質量。
此外，本發(fā)明的通孔的形成方法還具有操作簡單、實現(xiàn)方便的優(yōu)點，對生產周期和生產成本的影響不大。
本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，
任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以做出可能 的變動和修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以本發(fā)明權利要求所界定的 范圍為準。
權利要求
1. 一種通孔的形成方法，包括步驟提供襯底；對所述襯底進行光刻處理，形成具有第一孔徑的孔圖案；沉積附加介質層；刻蝕所述襯底，在所述襯底上形成具有第二孔徑的通孔。
2、 如權利要求1所述的形成方法，其特征在于所述附加介質層 的厚度由所述第一孔徑與所述第二孔徑的差值決定。
3、 如權利要求1所述的形成方法，其特征在于所述附加介質層 為氧化硅層。
4、 如權利要求1.所述的形成方法，其特征在于所述附加介質層 的沉積溫度在210°C至230°C之間。
5、 一種通孔的形成方法，包括步驟提供襯底，且所述襯底上包含第一介質層和位于第一介質層之上的 第二介質層；在所述襯底上形成具有第 一孔徑的光刻圖案；刻蝕所述第二介質層，在所述第二介質層上形成具有第一孔徑的孔 開口；沉積附加介質層；刻蝕所述孔開口內的附加介質層和第一介質層，在所述第一介質層 內形成具有第二孔徑的通孔。
6、 如權利要求5所述的形成方法，其特征在于所述附加介質層 的厚度由所述第 一孔徑與第二孔徑的差值決定。
7、 如權利要求5所述的形成方法，其特征在于所述附加介質層 為氧化硅層。
8、 如權利要求5所述的形成方法，其特征在于所述附加介質層的沉積溫度在210°C至230°C之間。
9、 一種通孔的形成方法，包括步驟 提供表面包含第一介質層的襯底； 在所述第一介質層上沉積刻蝕輔助層；在所述刻蝕輔助層上形成具有第 一孔徑的光刻圖案； 刻蝕所述刻蝕輔助層，在所述刻蝕輔助層上形成具有第 一孔徑的孔 開口；沉積附加介質層；刻蝕所述孔開口內的附加介質層和第一介質層，在所述第一介質層 內形成具有第二孔徑的通孔。
10、 如權利要求9所述的形成方法，其特征在于所述附加介質層 的厚度由所述第一孔徑與第二孔徑的差值決定。
11、 如權利要求9所述的形成方法，其特征在于所述刻蝕輔助層 和附加介質層為氮化硅或氧化硅層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種通孔的形成方法，包括步驟提供襯底；對所述襯底進行光刻處理，形成具有第一孔徑的孔圖案；沉積附加介質層；刻蝕所述襯底，在所述襯底上形成具有第二孔徑的通孔。采用本發(fā)明的形成方法形成的通孔，尺寸均勻、形狀規(guī)則，且孔徑的可調整范圍較大，可控性較強，形成質量較高。
文檔編號H01L21/70GK101207069SQ200610147808
公開日2008年6月25日 申請日期2006年12月22日 優(yōu)先權日2006年12月22日
發(fā)明者張世謀, 杜珊珊, 韓秋華 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司