專利名稱：液晶顯示裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示(“LCD”)裝置是最廣泛應(yīng)用的平板顯示裝置之一。LCD裝置包括兩塊面板(例如，下面板和上面板)，每一塊面板具有電場(chǎng)生成電極(如像素電極和公共電極)，以及插入兩面板之間的液晶(“LC”)層。LCD裝置通過(guò)向電場(chǎng)生成電極施加電壓以在LC層中形成電場(chǎng)，該電場(chǎng)確定LC層中的LC分子的取向來(lái)控制入射光的偏振。
在這種LCD裝置中，垂直取向(VA)模式LCD使得LC分子在沒(méi)有電場(chǎng)的情況下的取向?yàn)長(zhǎng)C分子的長(zhǎng)軸垂直于面板，由于VA模式LCD具有高對(duì)比度和寬基準(zhǔn)視角，從而得到高度關(guān)注。在此，基準(zhǔn)視角意味著對(duì)比度為1∶10的視角或者在灰度級(jí)之間的亮度反轉(zhuǎn)中的有效角度。
可以通過(guò)在電場(chǎng)生成電極之上的突起和/或之中的切口部分來(lái)實(shí)現(xiàn)VA模式LCD的寬視角。因?yàn)榭梢岳们锌诓糠趾屯黄鸫_定液晶分子傾斜的方向，所以可以通過(guò)切口部分和突起的不同排列以在不同的方向分散液晶分子的傾斜方向，來(lái)加寬基準(zhǔn)視角。
然而，和正面可視性相比，VA模式LCD的側(cè)面可視性較差。例如，在帶有具有切口部分的圖案化垂直取向(“PVA”)模式的LCD裝置的情況中，圖像在其邊緣較亮，并且在某些情況中，高灰度級(jí)之間的亮度差異可以消失，使圖像的輪廓模糊。
為了提高側(cè)面可視性，傳統(tǒng)的方法包括將一個(gè)像素分成兩個(gè)彼此電容耦合的子像素。給兩個(gè)子像素中的一個(gè)直接施加電壓，由于電容耦合另一個(gè)也受到影響而具有一個(gè)電壓降，從而兩個(gè)子像素具有不同的電壓，所以，入射到LC層上的光具有不同的透射性。
然而，傳統(tǒng)的方法不能控制兩個(gè)子像素的透射性。在高分辨率的LCD裝置中，傳統(tǒng)方法的一個(gè)水平周期(1H)縮短，因此，像素的充電余量減小。另外，當(dāng)幀頻率增加時(shí)，如當(dāng)幀頻率是120Hz時(shí)，一個(gè)水平周期(1H)相當(dāng)短，從而不能顯示圖像信號(hào)。
另外，如果兩個(gè)被劃分的子像素具有不同形狀的開(kāi)口，前面和側(cè)面的光學(xué)特性彼此不同，所以導(dǎo)致圖像質(zhì)量惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠提高側(cè)面或邊緣的可視性，即使在高分辨率和高幀頻時(shí)也能提高像素充電率并防止圖像質(zhì)量惡化的液晶顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，一種液晶顯示裝置包括多條數(shù)據(jù)線，具有多個(gè)直線部分和連接到該多個(gè)直線部分的多個(gè)彎曲部分；多條柵極線，與數(shù)據(jù)線交叉；薄膜晶體管，連接到數(shù)據(jù)線和柵極線；和像素電極，連接到薄膜晶體管，其中，將每條數(shù)據(jù)線的直線部分和彎曲部分實(shí)質(zhì)上沿著同一條線布置。
在本發(fā)明的上述示范性實(shí)施例中，可以在數(shù)據(jù)線的直線部分的延長(zhǎng)線上布置薄膜晶體管的溝道。
另外，彎曲部分可以構(gòu)成薄膜晶體管的源電極。液晶顯示裝置還可以包括連接到像素電極的漏電極，其中，彎曲部分包圍漏電極的端部。
漏極可以在像素中位于相同的位置，或者可以對(duì)稱設(shè)置。
可以將彎曲部分形成具有U-形的形狀，并且彎曲部分可以具有入口，該入口在每個(gè)交替的像素行中沿相對(duì)方向開(kāi)口。
液晶顯示裝置還可以包括遮蔽電極，其覆蓋數(shù)據(jù)線的直線部分，且至少部分與數(shù)據(jù)線的彎曲部分交迭。
另外，不同像素行的薄膜晶體管可以連接到不同側(cè)的數(shù)據(jù)線上，并且每一交替像素行，薄膜晶體管可以連接到不同側(cè)的數(shù)據(jù)線上。
相鄰的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的極性可以彼此相反，或者數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的極性可以彼此相同。
每個(gè)像素電極可以具有至少一個(gè)切口部分，并且每個(gè)像素電極可以包括連接到漏電極的第一子像素電極和與第一子像素電極電容耦合的第二子像素電極。在第一子像素電極中的充電電壓大于在第二子像素電極中的充電電壓。
根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例，一種液晶顯示裝置包括多條數(shù)據(jù)線，每條數(shù)據(jù)線具有多個(gè)第一直線部分、與第一直線部分交替地布置的多個(gè)第二直線部分，以及交替地連接在第一和第二直線部分之間的第一及第二彎曲部分；多對(duì)第一和第二柵極線，與數(shù)據(jù)線交叉；多對(duì)第一和第二薄膜晶體管，分別連接到第一和第二柵極線及數(shù)據(jù)線；和多個(gè)像素電極，連接到第一和第二薄膜晶體管。
在本發(fā)明上面的示范性實(shí)施例中，分別施加到第一和第二子像素電極的第一和第二數(shù)據(jù)電壓的大小可以彼此不同，且可以從單一圖像信息中獲得。
每條數(shù)據(jù)線的第一和第二直線部分及第一和第二彎曲部分可以基本上基本上沿同一條線，并且可以在數(shù)據(jù)線的第一和第二直線部分的延長(zhǎng)線上布置第一和第二薄膜晶體管的溝道。
另外，該液晶顯示裝置還可以包括分別連接到第一和第二子像素電極的第一和第二漏電極，其中，第一和第二彎曲部分分別包圍第一和第二漏電極的端部。
另外，第一和第二漏電極實(shí)質(zhì)上可以位于相對(duì)于每個(gè)像素相同的位置處，或者可以對(duì)稱地布置在像素陣列中。每隔一像素行，第一和第二薄膜晶體管可以連接到不同側(cè)的數(shù)據(jù)線上。
根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例，一種液晶顯示裝置包括多個(gè)像素，以矩陣狀排列，并具有像素電極；多條柵極線，連接到像素，并具有多個(gè)柵電極；多條數(shù)據(jù)線，與柵極線交叉，并具有多個(gè)源電極；和多個(gè)漏電極，與相應(yīng)的源電極相對(duì)，并連接到相應(yīng)的像素電極，其中，將由柵電極、源電極和漏電極構(gòu)成的開(kāi)關(guān)裝置布置在不同位置，并且其中，像素的開(kāi)口具有實(shí)質(zhì)上上相同的形狀。
在本發(fā)明上面的示范性實(shí)施例中，柵極線可以包括與柵電極具有基本上相同的形狀的偽柵電極。
另外，該液晶顯示裝置還可以包括偽漏極，其在每一像素中位于與漏電極相同的位置，或者對(duì)稱地設(shè)置在像素陣列中。在相鄰的兩條數(shù)據(jù)線之間可以布置兩個(gè)像素，開(kāi)關(guān)裝置和數(shù)據(jù)線可以基本上布置在相同的線上，并且相鄰的源電極可以相對(duì)于數(shù)據(jù)線以不同方向取向。


參考附圖詳細(xì)描述其示范性實(shí)施例，可以更加容易理解本發(fā)明的上面的和其它特征和優(yōu)點(diǎn)，其中圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的示范性實(shí)施例的框圖；圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的示范性實(shí)施例的等效示意電路圖；圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置中的開(kāi)關(guān)裝置陣列和像素極性的示范性實(shí)施例的示意平面圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的薄膜晶體管面板的示范性實(shí)施例的布局平面圖；圖5是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的公共電極面板的示范性實(shí)施例的布局平面圖；圖6是表示用圖4中的薄膜晶體管面板和圖5中的公共電極面板構(gòu)成的液晶顯示裝置的布局平面圖；圖7和8分別是表示沿圖6中的線VII-VII’和VIII-VIII’獲得的液晶顯示裝置的截面圖；圖9是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一示范性實(shí)施例的等效示意電路圖；圖10是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置中的開(kāi)關(guān)裝置陣列和像素極性的另一示范性實(shí)施例的示意平面圖；
圖11是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一示范性實(shí)施例的布局平面圖；圖12是表示沿圖11中的線VII-VII’獲得的液晶顯示裝置的截面圖；圖13是表示圖11中的液晶顯示裝置的一些層的布局平面圖；圖14A到14C是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)示范性實(shí)施例的框圖；圖15是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一示范性實(shí)施例的等效示意電路圖；圖16是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置中的開(kāi)關(guān)裝置陣列和像素極性的另一示范性實(shí)施例的示意平面圖；圖17是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一示范性實(shí)施例的布局平面圖；圖18是表示沿圖17中的線XVIII-XVIII’獲得的液晶顯示裝置的截面圖；圖19是表示圖17中的液晶顯示裝置的一些層的布局平面圖；圖20是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一示范性實(shí)施例的框圖；圖21和22是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素陣列的示范性實(shí)施例的平面圖；圖23是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示面板組件的薄膜晶體管顯示面板的另一示范性實(shí)施例的布局平面圖；圖24是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示面板組件的公共電極面板的另一示范性實(shí)施例的布局平面圖；圖25是表示用圖23中的薄膜晶體管西那是面板和圖24中的公共電極面板構(gòu)成的液晶顯示面板組件的布局平面圖；圖26是表示沿圖25中的線XXVI-XXVI’獲得的液晶顯示裝置的截面圖；圖27是表示圖25中的液晶顯示面板組件的像素陣列的布局平面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，在下文中參考附圖更加完全地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以包含多種不同的形式，不應(yīng)解釋為受限于在此所列出的實(shí)施例。更合適地說(shuō)，提供這些實(shí)施例是為了公開(kāi)的更為全面和完整，以及向本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地表述本發(fā)明的范圍。同樣的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。
應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個(gè)元件被稱為“在”另一個(gè)元件上時(shí)，它可以直接在其它元件上或者可以有居間元件處在它們之間。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱為“直接在”另一個(gè)元件上時(shí)，不存在居間元件。如在此所用的這樣，詞“和/或”包括相關(guān)的所列出項(xiàng)目的一個(gè)或多個(gè)的任意和全部組合。
應(yīng)當(dāng)理解，雖然第一、第二、第三等這些詞可以在此用于描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)由這些詞限制。這些詞只用于區(qū)別一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層和/或部分和另一個(gè)區(qū)域、層或部分。所以，將下面所討論的第一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分稱為第二元件、組件、區(qū)域、層和/或部分沒(méi)有離開(kāi)本發(fā)明的啟示。
在此應(yīng)用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述特定的實(shí)施例，并不是為了限定本發(fā)明。如在此所用的單數(shù)形式也應(yīng)包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地說(shuō)明不是這樣。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，詞“包括(comprises)”和/或“包括著(comprising)”、或者“包含(includes)”和/或“包含著(including)”在本說(shuō)明書(shū)使用時(shí)指定所聲明的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、和/或組件的存在，但是并不排除一個(gè)或者多個(gè)其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合的存在和附加。
此外，這里可以應(yīng)用相對(duì)的詞，如“下”或者“底”和“上”或“頂”來(lái)描述圖中所示的一個(gè)元件和另一個(gè)元件的相對(duì)關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，除了圖中所指示的取向之外，相對(duì)詞應(yīng)當(dāng)包含裝置的不同取向。例如，如果一個(gè)圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，描述成在其它元件“下”側(cè)的元件將取向在其它元件的“上”側(cè)。為此，根據(jù)圖的特定取向，示范性的詞“下”可以包含“下”和“上”兩個(gè)取向。類似的，如果一個(gè)圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述成在其它元件的下方或在其它元件下面的元件則取向?yàn)樵谄渌纳厦?。為此，示范性的詞“在...下方”或“在...下面”可以包含“在...下面”和“在...上面”兩個(gè)取向。
除非另外限定，在此所用的所有詞(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所共同理解的意義相同的意義。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，諸如那些在公共應(yīng)用的詞典中定義的詞，應(yīng)當(dāng)解釋為它們的意義在相關(guān)的領(lǐng)域的語(yǔ)境中和在本公開(kāi)中相一致，而不應(yīng)當(dāng)解釋為理想化的或者過(guò)于正式的意義，除非在此限定為如此表述。
這里參考本發(fā)明的理想化實(shí)施例的示意圖的截面圖，描述本發(fā)明的實(shí)施例。在這樣的情況下，期望包括例如由于制造技術(shù)和/或容差所產(chǎn)生的形狀的變化。從而，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)解釋為受限于這里示出區(qū)域的特定形狀，而應(yīng)當(dāng)包括例如制造所產(chǎn)生的形狀的偏差。例如，圖示或描述為平面的區(qū)域通常可以是粗糙不平的和/或非線性的。而且，圖示的尖銳的角可以是圓滑的角。因此，圖示的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不表示該區(qū)域的精確形狀，不是用來(lái)限制本發(fā)明的范圍的。
現(xiàn)在，參考附圖來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的示范性實(shí)施例。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的示范性實(shí)施例的方框圖。圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的一個(gè)像素的示范性實(shí)施例的等效電路示意圖。圖3是表示在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置中的開(kāi)關(guān)裝置陣列和像素極性的示范性實(shí)施例的示意性平面圖。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的示范性實(shí)施例包括液晶顯示面板組件300，連接到液晶顯示面板組件300的柵極驅(qū)動(dòng)器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500，連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500的灰度電壓生成器800，和用于控制部件的信號(hào)控制器600。
如等效電路示意圖所示，液晶顯示面板組件300包括多個(gè)像素PX，將它們連接到多條顯示信號(hào)線G1到Gn和D1到Dm，并且將它們基本上排列成矩陣。
顯示信號(hào)線G1到Gn和D1到Dm包括多條用于傳輸柵極信號(hào)(有時(shí)稱為掃描信號(hào))的柵極線G1到Gn和多條用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線D1到Dm。柵極線G1到Gn沿行方向基本上彼此平行地延伸，并且數(shù)據(jù)線D1到Dm沿列方向基本上彼此平行地延伸。
每個(gè)像素PX包括連接到顯示信號(hào)線G1到Gn和D1到Dm的開(kāi)關(guān)裝置Q、連接到開(kāi)關(guān)裝置Q的液晶電容器CLC和存儲(chǔ)電容器CST。當(dāng)需要時(shí)，可以省略存儲(chǔ)電容器CST。
開(kāi)關(guān)裝置Q(例如薄膜晶體管)置于下面板100上，且是三端口裝置。分別將開(kāi)關(guān)裝置Q的控制和輸入端口連接到柵極線G1-Gn和數(shù)據(jù)線D1到Dm，并將其輸出端口連接到液晶電容器CLC和存儲(chǔ)電容器CST。
正如參考圖2所示，液晶電容器CLC的兩端口是下顯示面板100的像素電極190和上顯示面板200的公共電極270。置于兩電極190和270之間的液晶層3充當(dāng)介電構(gòu)件。將像素電極190連接到開(kāi)關(guān)裝置Q，并且公共電極270置于上顯示面板200的正面以接收公共電壓Vcom。和圖2中的不同，可以將公共電極270置于下顯示面板100上，在這種情況下，可以將兩電極190和270中至少一個(gè)形成為線或者棒形。
通過(guò)交迭像素電極190和設(shè)置在下面板100上的分離信號(hào)線(未示出)并在其間插入絕緣構(gòu)件，來(lái)構(gòu)成對(duì)液晶電容器CLC具有輔助功能的存儲(chǔ)電容器CST。將預(yù)定的電壓(如公共電壓Vcom)施加到分離的信號(hào)線。然而，可選地，可以通過(guò)交迭像素電極190和正好布置在上面的面對(duì)的柵極線并在其間插入絕緣構(gòu)件，來(lái)構(gòu)成存儲(chǔ)電容器CST。
另一方面，為了實(shí)現(xiàn)彩色顯示，每個(gè)像素唯一地顯示基色之一(空間分離)，或者每一像素根據(jù)時(shí)間交替顯示基色(時(shí)間分離)。所希望的彩色可以通過(guò)基色的空間或者時(shí)間組合而得到。彩色的一個(gè)例子是如紅、綠和藍(lán)三色，也可以是基色。
圖2表示空間分離的一個(gè)例子，其中，在相應(yīng)于像素電極190的區(qū)域，每個(gè)像素具有一個(gè)表示三色之一的彩色濾光器230。
和在圖2中不同，可以在下顯示面板100的像素電極190的上方或下方設(shè)置彩色濾光器230。
如圖3所示，在根據(jù)示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置中，像素PX的開(kāi)關(guān)裝置的位置每一像素行發(fā)生改變。也就是說(shuō)，在相鄰的像素行中，開(kāi)關(guān)裝置Q交替地連接到不同側(cè)的數(shù)據(jù)線。在圖3所示的像素的四個(gè)像素行中，最上端的像素行和第三像素行的開(kāi)關(guān)裝置Q連接到左側(cè)的數(shù)據(jù)線，相反地，第二像素行和第四像素行的開(kāi)關(guān)裝置Q連接到右側(cè)的數(shù)據(jù)線。換句話說(shuō)，一個(gè)像素行的開(kāi)關(guān)裝置連接到一條柵極線，一個(gè)像素列的開(kāi)關(guān)裝置交替地連接到相鄰的數(shù)據(jù)線。
返回圖1，灰度電壓生成器800產(chǎn)生兩對(duì)與像素的透射性相關(guān)聯(lián)的灰度電壓值。兩對(duì)之一參照公共電壓Vcom具有正值，另一對(duì)參照公共電壓Vcom具有負(fù)值。
柵極驅(qū)動(dòng)器400連接到液晶顯示面板組件300的柵極線G1到Gn，以給柵極線G1到Gn施加?xùn)艠O信號(hào)(由外部供給的柵極-打開(kāi)電壓Von和柵極-關(guān)閉電壓Voff的組合形成)。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500連接到液晶顯示板面部件300的數(shù)據(jù)線D1到Dm，以從灰度電壓生成器800中選擇灰度電壓并把選擇的灰度電壓作為數(shù)據(jù)信號(hào)施加于像素。
可以將柵極驅(qū)動(dòng)器400或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500以多個(gè)驅(qū)動(dòng)IC芯片的形式直接裝配在液晶顯示面板組件300上。可選地，可以將柵極驅(qū)動(dòng)器400或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500以載帶封裝(“TCP”)的形式連接在液晶顯示面板組件300中的撓性印刷電路(“FPC”)膜(未示出)上。進(jìn)一步地，可以將柵極驅(qū)動(dòng)器400或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500直接裝配在液晶顯示面板組件300上。
信號(hào)控制器600控制柵極驅(qū)動(dòng)器400、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500等的操作。
現(xiàn)在，將詳細(xì)描述液晶顯示裝置的顯示操作。
信號(hào)控制器600從外部圖形控制器(未示出)接收輸入圖像信號(hào)R、G和B和用于控制其顯示的輸入控制信號(hào)。作為輸入控制信號(hào)的一個(gè)例子，接收垂直同步信號(hào)Vsync、水平同步信號(hào)Hsync、主時(shí)鐘信號(hào)MCLK和數(shù)據(jù)使能信號(hào)DE。信號(hào)控制器600基于輸入控制信號(hào)和輸入圖像信號(hào)R、G和B，根據(jù)液晶顯示面板組件300的工作條件，處理圖像信號(hào)R、G和B以生成柵極控制信號(hào)CONT1和數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2。此后，信號(hào)控制器600把生成的柵極控制信號(hào)CONT1傳輸給柵極驅(qū)動(dòng)器400，并把生成的數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2以及經(jīng)處理的圖像信號(hào)DAT傳輸給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500。
柵極控制信號(hào)CONT1包括用于指示柵極-打開(kāi)電壓Von的掃描開(kāi)始的同步起始信號(hào)STV、至少一個(gè)用于控制柵極-打開(kāi)電壓Von的輸出的柵極時(shí)鐘信號(hào)等。
數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2包括用于為一個(gè)像素行指示數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃酵狡鹗夹盘?hào)STH、用于命令向數(shù)據(jù)線D1到Dm施加相關(guān)的數(shù)據(jù)電壓的加載信號(hào)LOAD、用于反轉(zhuǎn)相對(duì)于公共電壓Vcom的數(shù)據(jù)電壓的極性的反轉(zhuǎn)信號(hào)RVS(此后，“相對(duì)于公共電壓Vcom的數(shù)據(jù)電壓的極性”被簡(jiǎn)稱為“數(shù)據(jù)信號(hào)極性”)和數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)HCLK。
響應(yīng)來(lái)自信號(hào)控制器600的數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500接收針對(duì)一個(gè)像素行的圖像數(shù)據(jù)DAT，并從灰度電壓生成器800選擇相應(yīng)于每個(gè)圖像數(shù)據(jù)DAT的灰度電壓，使圖像數(shù)據(jù)DAT轉(zhuǎn)變?yōu)橄嚓P(guān)的數(shù)據(jù)電壓，而后，將數(shù)據(jù)電壓施加到數(shù)據(jù)線D1到Dm。
響應(yīng)來(lái)自信號(hào)控制器600的柵極控制信號(hào)CONT1，柵極驅(qū)動(dòng)器400把柵極-打開(kāi)電壓Von施加到柵極線G1到Gn以打開(kāi)連接到柵極線G1到Gn的開(kāi)關(guān)裝置Q。結(jié)果，施加到數(shù)據(jù)線D1到Dm的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)已打開(kāi)的開(kāi)關(guān)裝置Q施加到相關(guān)聯(lián)的像素。
施加于像素的數(shù)據(jù)電壓和公共電壓Vcom的差成為液晶電容器CLC的充電電壓，也就是像素電壓。液晶分子的取向根據(jù)像素電壓的強(qiáng)度而變化。所以，通過(guò)液晶層3的光的偏振發(fā)生改變。由于貼附到顯示面板100和200的偏振器，偏振的改變導(dǎo)致光的透射率變化。
當(dāng)一個(gè)水平周期(或者1H，也就是，水平同步信號(hào)Hsync和數(shù)據(jù)使能信號(hào)DE的一個(gè)周期)過(guò)去，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500和柵極驅(qū)動(dòng)器400為下一像素行重復(fù)地執(zhí)行前述的操作。照這樣的方式，在一幀期間，柵極-打開(kāi)電壓Von相繼地施加到所有的柵極線G1到Gn，從而將數(shù)據(jù)電壓施加到所有的像素。當(dāng)一幀結(jié)束時(shí)，下一幀開(kāi)始，控制施加到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500的反轉(zhuǎn)信號(hào)RVS的狀態(tài)，使得施加到每個(gè)像素的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性與前一幀的極性相反(“幀反轉(zhuǎn)”)。
代替幀反轉(zhuǎn)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500反轉(zhuǎn)施加到一幀中相鄰數(shù)據(jù)線D1到Dm的數(shù)據(jù)電壓的極性，從而被施加了數(shù)據(jù)電壓的像素的像素電壓的極性也改變。另一方面，如圖3所示，因?yàn)橄袼睾蛿?shù)據(jù)線D1到Dm的連接每一像素行發(fā)生改變，所以在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500中的像素電壓的極性反轉(zhuǎn)圖案(驅(qū)動(dòng)器反轉(zhuǎn)圖案)與在液晶顯示面板組件300的屏幕上顯示的像素電壓的極性反轉(zhuǎn)圖案(外觀反轉(zhuǎn)圖案)不同。也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)器反轉(zhuǎn)成為列反轉(zhuǎn)，但是外觀反轉(zhuǎn)成為1×1的點(diǎn)反轉(zhuǎn)。
另一方面，如果開(kāi)關(guān)裝置Q的位置每?jī)蓚€(gè)像素行發(fā)生改變，外觀反轉(zhuǎn)成為2×1的點(diǎn)反轉(zhuǎn)。根據(jù)開(kāi)關(guān)裝置Q的位置可以實(shí)施不同的反轉(zhuǎn)類型。
這樣，如果外觀反轉(zhuǎn)變?yōu)辄c(diǎn)反轉(zhuǎn)，則亮度差異(當(dāng)像素電壓是正極性和當(dāng)像素電壓是負(fù)極性時(shí)，由回掃電壓引起)分散，所以消除橫向行閃爍成為可能。另外，如果驅(qū)動(dòng)器反轉(zhuǎn)成為列反轉(zhuǎn)，在一幀期間施加到數(shù)據(jù)線D1到Dm的數(shù)據(jù)電壓的極性彼此相同，所以分辨率或者幀頻率提高了。所以，即使在一個(gè)水平周期縮短的情況下，提高像素的充電率成為可能。
現(xiàn)在，參考圖4到8來(lái)詳細(xì)描述液晶顯示裝置的一個(gè)示例。
圖4是表示用于液晶顯示裝置的薄膜晶體管面板的示范性實(shí)施例的布局平面圖。圖5是表示用于液晶顯示裝置的公共電極面板的示范性實(shí)施例的布局平面圖。圖6是表示由圖4的薄膜晶體管面板和圖5的公共電極面板構(gòu)成的液晶顯示裝置的布局平面圖。圖7和8是分別表示沿圖6中的VII-VII’和VIII-VIII’線得到的液晶顯示裝置的截面圖。
參考圖4到8，根據(jù)示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置包括彼此面對(duì)的薄膜晶體管面板100和公共電極面板200。液晶層3插入在兩個(gè)面板100和200之間。
首先，參考圖4和圖6到8，詳細(xì)描述薄膜晶體管面板100。
將多條柵極線121和多條存儲(chǔ)電極線131布置在由透明玻璃等制成的介電基板110上。
柵極線121主要沿縱向延伸并彼此分離以傳輸柵極信號(hào)。每條柵極線121包括構(gòu)成多個(gè)柵電極124的多個(gè)突起，和具有用于連接到其它層或者外部設(shè)備的寬區(qū)域的末端部分129。
存儲(chǔ)電極線131主要沿縱向延伸并包括多個(gè)構(gòu)成存儲(chǔ)電極133的突起。存儲(chǔ)電極133基本上是矩形并相對(duì)于存儲(chǔ)電極線131對(duì)稱。將預(yù)定的電壓(諸如施加到液晶顯示裝置的公共電極面板200的公共電極270的公共電壓)施加到存儲(chǔ)電極線131。
例如，柵極線121和存儲(chǔ)電極線131可以由諸如鋁(Al)和鋁合金的鋁基金屬、諸如銀(Ag)和銀合金的銀基金屬、諸如銅(Cu)和銅合金的銅基金屬、諸如鉬(Mo)和鉬合金的鉬基金屬、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)來(lái)制成。然而，柵極線121和存儲(chǔ)電極線131可以具有包括兩層具有不同物理特性的傳導(dǎo)層(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。為了減小柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的信號(hào)延遲或壓降，兩層傳導(dǎo)層之一用具有低電阻率的金屬制成，例如鋁基金屬、銀基金屬和銅基金屬。另一傳導(dǎo)層由與其他材料，特別是ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)，具有良好的粘性的材料制成，例如鉬基金屬、鉻、鈦和鉭。組合的優(yōu)選范例包括下面為鉻層和上面為鋁層的組合和下面為鋁層和上面為鉬層的組合。然而，柵極線121和存儲(chǔ)電極線131可以由不同的金屬和傳導(dǎo)材料制成。
另外，使柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的側(cè)面傾斜或者相對(duì)于基板110的表面形成角度，優(yōu)選地，傾斜角度在大約30°到大約80°的范圍內(nèi)。
在柵極線121和存儲(chǔ)電極線131上形成由氮化硅SiNx等材料制成的柵極絕緣膜140。
在柵極絕緣膜140之上，在柵電極124上形成多個(gè)由氫化非晶硅(簡(jiǎn)寫(xiě)為a-Si)制成的島狀半導(dǎo)體154。
在半導(dǎo)體154之上形成由摻雜諸如磷(P)之類的n型雜質(zhì)的硅化物或者n+氫化非晶硅等制成的多個(gè)島狀歐姆接觸構(gòu)件163和165。歐姆接觸構(gòu)件163和165成對(duì)構(gòu)成并布置在半導(dǎo)體154上。
如圖7所示，半導(dǎo)體154和歐姆接觸構(gòu)件163和165的側(cè)面也是傾斜的或者相對(duì)于基板110的表面形成角度，優(yōu)選地，傾斜角度是在大約30°到大約80°的范圍內(nèi)。
在歐姆接觸構(gòu)件163和165和柵極絕緣膜140上形成多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175，其中多個(gè)漏電極175與多條數(shù)據(jù)線171分離。
數(shù)據(jù)線171主要沿縱向延伸(參見(jiàn)圖4和6)以提供數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)線171包括多個(gè)直線部分172、多個(gè)連接在直線部分172之間的彎曲部分173、和具有擴(kuò)大寬度以連接到其它層或外部設(shè)備的末端部分179。
正如參見(jiàn)圖4和6，直線部分172排列為直線，與存儲(chǔ)電極線131交叉。直線部分172與彎曲部分173一起與柵極線121交叉。彎曲部分173以順時(shí)針或者逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)90°的U字母形(如C形)布置在半導(dǎo)體154上并構(gòu)成源電極。直線部分172連接到U形彎曲部分173的兩分枝上。
漏電極175從由源電極173包圍的棒形端部縱向和橫向延伸，且具有擴(kuò)大的部分177，該部分177具有與存儲(chǔ)電極133交迭的寬區(qū)域，正如圖4所示。
一柵電極124、一源電極173和一漏電極175與一半導(dǎo)體154一起構(gòu)成一薄膜晶體管(“TFT”)Q。薄膜晶體管Q的溝道形成在源電極173和漏電極175之間的半導(dǎo)體154中。
如上所述，即使在驅(qū)動(dòng)器反轉(zhuǎn)是列反轉(zhuǎn)的情況下，為了形成作為點(diǎn)反轉(zhuǎn)的外觀反轉(zhuǎn)，一像素列的薄膜晶體管Q交替地連接到相鄰的數(shù)據(jù)線171。一條數(shù)據(jù)線171的源電極173的入口相對(duì)于數(shù)據(jù)線171交替地定向在右側(cè)和左側(cè)。
如此，沿著數(shù)據(jù)線171的直線部分172的延長(zhǎng)線設(shè)置源電極173，從而可能增加孔徑比。
優(yōu)選地，數(shù)據(jù)線171和漏電極175由鉻、鉬基金屬、或者諸如鉭和鈦這樣的難熔金屬制成，且可以具有多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)(未示出)是由難熔金屬制成的下層(未示出)和布置在其上的由低電阻材料制成的上層(未示出)構(gòu)成。作為多層結(jié)構(gòu)的例子，除了前面提到的下面為鉻或鉬層和上面為鋁層的兩層外，也有包括鉬層/鋁層/鉬層的三層結(jié)構(gòu)。
和柵極線121和存儲(chǔ)電極線131類似，數(shù)據(jù)線171和漏電極175的側(cè)面也是傾斜的或者形成大約30°到大約80°的范圍內(nèi)的角度。
歐姆接觸構(gòu)件163和165分別插入在下面的半導(dǎo)體154與上面的源電極173和漏電極175之間，且具有減小它們之間的接觸電阻的功能。在源電極173和漏電極175之間，半導(dǎo)體154具有暴露的部分，半導(dǎo)體154的暴露部分沿著數(shù)據(jù)線171的直線部分172的延長(zhǎng)線布置。另一方面，在柵極線121和數(shù)據(jù)線171之間，在存儲(chǔ)電極線131和數(shù)據(jù)線171之間的交叉點(diǎn)處以及在漏電極175和存儲(chǔ)電極133之間的交叉點(diǎn)處，可以進(jìn)一步提供半導(dǎo)體。這些半導(dǎo)體使交叉點(diǎn)處的輪廓變得平滑，從而可以防止數(shù)據(jù)線171和漏電極175之間的連接斷開(kāi)。
在數(shù)據(jù)線171、漏電極175和半導(dǎo)體154的暴露部分上形成保護(hù)膜(鈍化層)180。保護(hù)膜180是由諸如氮化硅和氧化硅這樣的無(wú)機(jī)材料、具有優(yōu)良平面化特性和光敏特性的有機(jī)材料、和通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(“PECVD”)形成的低介電常數(shù)的絕緣材料(諸如a-Si:C:O和a-Si:O:F)制成。然而，為了利用有機(jī)膜的優(yōu)良特性和保護(hù)半導(dǎo)體154的暴露部分，保護(hù)膜180可以具有下面為無(wú)機(jī)膜和上面為有機(jī)膜的兩層結(jié)構(gòu)。
在保護(hù)膜180中形成多個(gè)接觸孔182和185，它們使漏電極175的擴(kuò)大部分177和數(shù)據(jù)線171的末端部分179暴露。在保護(hù)膜180和柵極絕緣膜140中，形成多個(gè)接觸孔181，它們使柵極線121的末端部分129暴露。
在保護(hù)膜180上，形成多個(gè)像素電極190、多個(gè)遮蔽電極88和多個(gè)接觸輔助構(gòu)件81和82。像素電極190、遮蔽電極88和接觸輔助構(gòu)件81和82由諸如ITO和IZO這樣的透明導(dǎo)電材料或者諸如鋁之類的反射導(dǎo)電材料制成。
像素電極190經(jīng)接觸孔185與漏電極175物理和電連接到漏電極175，以從漏電極175接收數(shù)據(jù)電壓。
被施加了數(shù)據(jù)電壓的像素電極190和公共電極270一起產(chǎn)生電場(chǎng)，從而可以確定兩電極190和270之間的液晶層3中液晶分子的取向。
如上所述，即使當(dāng)薄膜晶體管Q關(guān)閉時(shí)，像素電極190和公共電極270構(gòu)成液晶電容器CLC以維持所施加的電壓。為了增加電壓存儲(chǔ)容量，通過(guò)交迭像素電極190和與其相連的漏電極175與存儲(chǔ)電極133來(lái)構(gòu)成與液晶電容器CLC并聯(lián)連接的存儲(chǔ)電容器CST。
每個(gè)像素電極190具有形成為基本上是矩形形狀的外部邊界。像素電極190具有中央切口部分91，上切口部分92a和93a和下切口部分92b和93b。由切口部分91到93b將像素電極190劃分成多個(gè)區(qū)域。切口部分91到93b相對(duì)于存儲(chǔ)電極線131近似反轉(zhuǎn)對(duì)稱。
參考圖4和6，上和下切口部分92a和92b從像素電極190的左側(cè)向右側(cè)以傾斜或成角度的方向延伸，且偏向彼此。上和下切口部分93a和93b從像素電極190的上方和下方向右側(cè)以傾斜或成角度的方向延伸，且偏向彼此。上切口部分92a和93a和下切口部分92b和93b分別位于由存儲(chǔ)電極133劃分的像素電極190的上半部和下半部區(qū)域，且相對(duì)于柵極線121形成大約45°角，彼此垂直延伸。
中央切口部分91從存儲(chǔ)電極133向左側(cè)以傾斜或者成角度的方向延伸，且具有一對(duì)與上切口部分92a和93a及下切口部分92b和93b基本上平行的傾斜分枝。中央切口部分91也相對(duì)于柵極線121形成大約45°角，且中央切口部分91也彼此垂直延伸。
因此，通過(guò)切口部分91到93b將像素電極190的上半部區(qū)域和下半部區(qū)域中的每個(gè)劃分為四個(gè)區(qū)域。這里，區(qū)域的數(shù)量或者切口部分的數(shù)量可以依據(jù)像素的大小、像素電極190的縱橫比、液晶層3的類型或特性或者其它設(shè)計(jì)因素而改變。
像素電極190與相鄰的柵極線121交迭，如此增加了其孔徑比。
遮蔽電極88沿著數(shù)據(jù)線171和柵極線121延伸。遮蔽電極88布置在數(shù)據(jù)線171上的部分覆蓋數(shù)據(jù)線171的直線部分172的全部和彎曲部分173的大部分。所以，遮蔽電極88覆蓋薄膜晶體管Q的大部分面積，特別是，它們基本上覆蓋了半導(dǎo)體154的暴露部分的大部分面積。遮蔽電極88布置在數(shù)據(jù)線121上的部分的寬度比柵極線121的寬度窄，并布置在柵極線121的界限內(nèi)。布置在兩個(gè)相鄰的像素電極190之間的數(shù)據(jù)線171的直線部分172完全被遮蔽電極88覆蓋。然而，其寬度可以調(diào)整到比數(shù)據(jù)線171的直線部分172的寬度窄，并且其界限可以定位于柵極線121的界限之外。為了給遮蔽電極88施加公共電壓，遮蔽電極88可以經(jīng)保護(hù)膜180和柵極絕緣膜140的接觸孔(未示出)連接到存儲(chǔ)電極線131或者短路點(diǎn)(未示出)，經(jīng)該短路點(diǎn)公共電壓從薄膜晶體管面板100傳輸?shù)焦搽姌O板200。在此，為了將孔徑比的減少降到最小，優(yōu)選地將遮蔽電極88和像素電極190之間的距離最小化。
如此，如果施加了公共電壓的遮蔽電極88布置在數(shù)據(jù)線171的上，遮蔽電極88阻擋數(shù)據(jù)線171和像素電極190之間以及數(shù)據(jù)線171和公共電極270之間生成的電場(chǎng)，因此，可以減小像素電極190的電壓失真以及通過(guò)數(shù)據(jù)線171傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓的信號(hào)延遲和失真。
另外，因?yàn)橄袼仉姌O190和遮蔽電極88彼此以一定距離分離以防止其間的短路，像素電極190可以進(jìn)一步與數(shù)據(jù)線171分離，從而減小其間的寄生電容。另外，因?yàn)橐壕?的介電常數(shù)比保護(hù)膜180的介電常數(shù)大，在不提供遮蔽電極180的情況下，數(shù)據(jù)線171和遮蔽電極88之間的寄生電容比數(shù)據(jù)線171和公共電極270之間的寄生電容高的不是很多。
進(jìn)一步，因?yàn)橄袼仉姌O190和遮蔽電極88在相同的層構(gòu)成，它們之間的距離可以保持均勻，從而它們之間的寄生電容是均勻的。
然而，如需要可以省略遮蔽電極88。
接觸輔助構(gòu)件81和82經(jīng)接觸孔181和182分別連接到柵極線121的末端部分129和數(shù)據(jù)線171的末端部分179。接觸輔助構(gòu)件81和82具有補(bǔ)償柵極線121的暴露末端部分129以及數(shù)據(jù)線171的暴露末端部分179與外部設(shè)備的粘附性的功能，和保護(hù)這些部分的功能。
在像素電極190、接觸輔助構(gòu)件81和82以及保護(hù)膜180上，涂覆用于對(duì)液晶層3進(jìn)行取向的取向膜11。取向膜11可以是垂直取向膜。
現(xiàn)在，參考圖5到8描述公共電極面板200。
在由透明玻璃等材料制成的介電基板210上，形成用于防止光泄露的光遮蔽構(gòu)件220，其被稱為黑色矩陣(圖7)。光遮蔽構(gòu)件220包括多個(gè)開(kāi)口部分225，它與像素電極190面對(duì)并具有與像素電極190基本上相同的形狀?？蛇x地，光遮蔽構(gòu)件220可以由相應(yīng)于數(shù)據(jù)線171的部分和相應(yīng)于薄膜晶體管Q的部分構(gòu)成。然而，為了阻擋像素電極190和薄膜晶體管Q附近的光泄露，光遮蔽構(gòu)件220可以有各種不同的形狀。
在基板210形成多個(gè)彩色濾光器230。彩色濾光器230布置在由光遮蔽構(gòu)件220包圍的大部分區(qū)域內(nèi)，并沿像素電極190在橫向延伸。彩色濾光器230可以顯示包括基色的三色之一，如紅色、綠色和藍(lán)色。
為了防止彩色濾光器230暴露并提供偏振化表面，在彩色濾光器230和光遮蔽構(gòu)件220上形成覆蓋膜250。在覆蓋膜250上形成由諸如ITO和IZO這種透明導(dǎo)電材料制成的公共電極270。
正如參考圖5所示，公共電極270包括多對(duì)切口部分71到74b。一對(duì)切口部分71到74b面對(duì)一個(gè)像素電極190，并包括中央切口部分71到72、上切口部分73a到74a、和下切口部分73b到74b。將切口部分71到74b布置在像素電極190的相鄰切口部分91到93b之間以及像素電極190的邊緣切口部分93a和93b和側(cè)面之間(圖6)。另外，每個(gè)切口部分71到74b至少包括一傾斜的或者成角度的部分，這些部分平行于像素電極190的相應(yīng)切口部分91到93b延伸。
每個(gè)上和下切口部分73a到74b包括傾斜的或者成角度的部分，該部分從像素電極190的右側(cè)向其下側(cè)和上側(cè)延伸；以及縱向的和橫向的部分，該部分從傾斜的或者成角度的部分的末端沿像素電極190的側(cè)面延伸，與傾斜的或者成角度的部分形成鈍角(見(jiàn)圖5和6)。
中央切口部分71包括一對(duì)傾斜的或者成角度的部分，該部分從存儲(chǔ)電極133向像素電極190的左側(cè)延伸，與存儲(chǔ)電極133形成傾斜角。末梢的縱向部分從傾斜的或者成角度的部分的端部沿像素電極190的左側(cè)延伸，與傾斜的或者成角度的部分形成鈍角，并與像素電極190的左側(cè)交迭。中央切口部分72包括縱向部分，該部分沿像素電極190的右側(cè)延伸并與像素電極190的右側(cè)交迭。一對(duì)傾斜的或者成角度的部分從縱向部分的端部向像素電極190的左側(cè)延伸，并且末梢的縱向部分從傾斜的或者成角度的部分的端部沿像素電極190的左側(cè)延伸，與傾斜的或者成角度的部分形成鈍角，并與像素電極190的左側(cè)交迭。
切口部分71到74b的數(shù)量可以根據(jù)設(shè)計(jì)的因素而變化，并且光遮蔽構(gòu)件220與切口部分71到74b交迭以阻擋切口部分71到74b附近的光泄露，正如圖7所示。
因?yàn)閷⑾嗤墓搽妷菏┘拥焦搽姌O270以及遮蔽電極88上，在它們之間沒(méi)有電場(chǎng)生成。所以，布置在公共電極270和遮蔽電極88之間的液晶分子維持最初的垂直取向狀態(tài)，從而入射到這些區(qū)域的光不能透過(guò)，而被阻擋。
將用于對(duì)液晶層3進(jìn)行取向的取向膜21涂覆在公共電極270和覆蓋膜250上。取向膜21可以是垂直取向膜。
在面板100和200的外表面提供偏振片12和22。兩偏振片12和22的透射軸彼此垂直，并且透射軸之一(或者吸收軸)平行于縱向。在反射型液晶顯示裝置的情況中，可以省略偏振片12和22中的一個(gè)。
液晶層3具有負(fù)的各向異性的介電常數(shù)，并且當(dāng)沒(méi)有向液晶分子施加電場(chǎng)時(shí)，液晶層3的液晶分子的取向?yàn)橹鬏S垂直于兩面板的表面。
當(dāng)向公共電極270和像素電極190施加公共電壓和數(shù)據(jù)電壓時(shí)，在基本上垂直于面板100和200表面的方向生成電場(chǎng)。電極190和270的切口部分91到93b和71到74b分別扭曲電場(chǎng)以生成水平的分量，該分量垂直于切口部分91到93b和71到74b的側(cè)面。
從而，電場(chǎng)的方向是相對(duì)垂直于面板100和200表面的方向傾斜或者成角度的方向。
響應(yīng)于電場(chǎng)，液晶分子具有改變主軸方向以垂直于電場(chǎng)方向的傾向。此時(shí)，因?yàn)榍锌诓糠?1到93b和71到74b以及像素電極190的側(cè)面附近的電場(chǎng)具有預(yù)定的角度，其與液晶分子的主軸方向不平行，液晶分子沿著某一方向旋轉(zhuǎn)，使得在由液晶分子的主軸方向和電場(chǎng)形成的表面上的移動(dòng)距離變短。所以，一組切口部分91到93b和71到74b以及像素電極190的側(cè)面將位于像素電極190上的液晶層3的區(qū)域劃分成多個(gè)區(qū)域，在這些區(qū)域中液晶分子具有不同的傾斜角，從而使增加基準(zhǔn)視角成為可能。
切口部分91到93b和71到74b中的至少一個(gè)可以由突起或者凹進(jìn)的部分代替，切口部分91到93b和71到74b的形狀和排列方式可以改變。
現(xiàn)在，參考圖9和10詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一示范性實(shí)施例。
圖9是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一示范性實(shí)施例的等效示意電路圖。圖10是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置中開(kāi)關(guān)裝置陣列和像素極性的另一示范性實(shí)施例的示意平面圖。
和前述液晶顯示裝置類似，根據(jù)本發(fā)明的本可選示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置包括液晶顯示面板組件300，柵極驅(qū)動(dòng)器400，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500，信號(hào)控制器600等。液晶顯示面板組件300包括多條柵極線G1到Gn、多條數(shù)據(jù)線D1到Dm和多個(gè)像素。所以，省略與以上所述的相同部件的描述，以下只描述不同的部件。
如圖9所示，根據(jù)該實(shí)施例的液晶顯示裝置的每個(gè)像素包括連接到柵極線G1到Gn和數(shù)據(jù)線D1到Dm的開(kāi)關(guān)裝置Q，第一液晶電容器CLCa和與之連接的存儲(chǔ)電容器CST，連接到第一液晶電容器CLCa的耦合電容器CCP及與之連接的第二液晶電容器CLCb。如需要時(shí)，可以省略存儲(chǔ)電容器CST。
每個(gè)第一和第二液晶電容器CLCa和CLCb的兩端口分別是下顯示面板100的第一和第二子像素電極190a和190b以及上顯示面板200的公共電極270。置于兩電極190a/190b和270之間的液晶層3作為介電構(gòu)件。將第一子像素電極190a連接到開(kāi)關(guān)裝置Q，并且在第一和第二子像素電極190a和190b之間形成耦合電容器CCP。
經(jīng)開(kāi)關(guān)裝置Q向第一子像素電極190a施加數(shù)據(jù)電壓，但是，第二子像素電極190b通過(guò)耦合電容器CCP與第一子像素電極190a電容耦合，以便向第二子像素電極190b施加電壓。在根據(jù)本可選示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置中，第二子像素電極190b的電壓總是低于第一子像素電極190a的電壓。也就是說(shuō)，假如第一和第二子電極190a和190b的電壓相對(duì)于公共電極270的電壓分別由Va和Vb表示，則根據(jù)分壓原理可得到下列公式
Vb＝Va×[CCP/(CCP+CLCb)]這里，因?yàn)镃CP/(CCP+CLCb)總是小于1，所以Vb總是小于Va。
這樣，在一個(gè)像素內(nèi)提供兩個(gè)子像素電極190a和190b，并且耦合電容CCP設(shè)置于兩個(gè)子像素電極190a和190b之間，從而這些子像素電極可以以不同的電壓充電。
因此，由于兩個(gè)子像素電極190a和190b，通過(guò)調(diào)整耦合電容器CCP等，側(cè)面的伽瑪曲線可以接近正面的伽瑪曲線，所以使提高側(cè)邊或者側(cè)面的可視性成為可能。
另一方面，和上面所述的實(shí)施例類似，如圖10所示，在根據(jù)本可選示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置中，像素PX的開(kāi)關(guān)裝置Q的位置每一像素行發(fā)生改變。也就是說(shuō)，在相鄰的像素行中，開(kāi)關(guān)裝置Q交替地連接到不同側(cè)的數(shù)據(jù)線。在圖10所示的像素的四個(gè)像素行中，最上端的像素行和第三像素行的開(kāi)關(guān)裝置Q連接到左側(cè)的數(shù)據(jù)線，相反地，第二像素行和第四像素行的開(kāi)關(guān)裝置Q連接到右側(cè)的數(shù)據(jù)線。所以，驅(qū)動(dòng)器反轉(zhuǎn)變?yōu)榱蟹崔D(zhuǎn)，而外觀反轉(zhuǎn)變?yōu)?×1的點(diǎn)反轉(zhuǎn)。
因此，消除橫向的行閃爍成為可能。另外，提高像素的充電率成為可能。
現(xiàn)在，參考圖11到13詳細(xì)描述該液晶顯示裝置的示例。
圖11是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一示范性實(shí)施例的布局平面圖。圖12是表示沿圖11中的線XII-XII’獲得的液晶顯示裝置的截面圖。圖13是表示圖11中的液晶顯示裝置的一些層的布局平面圖。
如圖11到12所示，因?yàn)楸臼痉缎詫?shí)施例的液晶顯示裝置的層結(jié)構(gòu)和圖4到8所示的液晶顯示裝置的層結(jié)構(gòu)基本上是相同的，省略相同部件的描述，以下只描述不同的部件。
首先，薄膜晶體管面板100中，在介電基板110上形成包括多個(gè)柵極124的多條柵極線121、多對(duì)存儲(chǔ)電極線131p和131q、和多個(gè)耦合電極126(見(jiàn)圖12)。
存儲(chǔ)電極線131p和131q主要沿橫向沿伸(圖11)，并包括多個(gè)存儲(chǔ)電極133p和133q，這些存儲(chǔ)電極133p和133q從存儲(chǔ)電極線131p和131q向上和向下延伸提供一個(gè)寬區(qū)域。存儲(chǔ)電極133p和133q還分別包括向下和向上突出的突起(見(jiàn)圖11和13)。
耦合電極126在存儲(chǔ)電極線131p和131q之間以預(yù)定的距離相隔，其也與柵極線121分離。耦合電極126基本上是矩形的形狀，但其形狀可以不同。
柵極絕緣膜140、多個(gè)半導(dǎo)體154和156、和多個(gè)島形的歐姆接觸構(gòu)件163和165順序形成在柵極線121、存儲(chǔ)電極線131p和131q及耦合電極126上。
在歐姆接觸構(gòu)件163和165及柵極絕緣膜140上形成多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175。
正如參考圖12和13所示，每條數(shù)據(jù)線171包括多條直線部分172、多條組成源電極的彎曲部分173和具有寬區(qū)域的末端部分179。
每個(gè)漏電極175包括擴(kuò)大部分177p、177q和176，它們分別與存儲(chǔ)電極133p和133q和耦合電極126交迭。另外，每個(gè)漏電極175包括縱向部分174p和174q，它們分別連接在擴(kuò)大部分177p和177q與擴(kuò)大部分176之間(圖11)。
參考圖12，漏電極175的擴(kuò)大部分176有開(kāi)口178。半導(dǎo)體156形成在存儲(chǔ)電極線131p和131q與數(shù)據(jù)線171之間的交叉點(diǎn)、以及存儲(chǔ)電極133p和133q、耦合電極126與漏電極175之間的交叉點(diǎn)處。
在數(shù)據(jù)線171、漏電極175和半導(dǎo)體154的暴露部分上形成保護(hù)膜180。在保護(hù)膜180中，形成多個(gè)接觸孔182、185p和185q，它們使數(shù)據(jù)線171的末端179以及漏電極175的擴(kuò)大部分177p和177q暴露，并且，在保護(hù)膜180和柵極絕緣膜140中，形成多個(gè)接觸孔181和186，它們使柵極線121的末端129以及耦合電極126暴露。
在保護(hù)膜180上形成多個(gè)包括第一和第二子像素電極190a和190b的像素電極190、遮蔽電極88、和多個(gè)接觸輔助構(gòu)件81和82。
正如參考圖11所示，第一子像素電極190a包括梯形部分190p和190q，它們布置在像素中相對(duì)于耦合電極126的上半?yún)^(qū)域和下半?yún)^(qū)域，并彼此對(duì)稱分離。第一子像素電極190a的梯形部分190p和190q經(jīng)接觸孔185p和185q物理和電連接到漏電極175的擴(kuò)大部分177p和177q，從而從漏電極175向第一子像素電極190a施加數(shù)據(jù)電壓。被施加了數(shù)據(jù)電壓的第一像素電極190a和公共電極270一起產(chǎn)生電場(chǎng)，如上面參考圖9所描述的一樣，兩電極190a和270構(gòu)成第一液晶電容器CLCa。
漏電極175的擴(kuò)大部分176與耦合電極126交迭構(gòu)成耦合電容器CCP。耦合電容器CCP向耦合電極126傳輸比來(lái)自漏電極175的數(shù)據(jù)電壓低的電壓。
第二子像素電極190b經(jīng)接觸孔186物理和電連接到耦合電極126，從而從耦合電極126向第二子像素電極190b施加比數(shù)據(jù)電壓低的電壓。被施加了這樣一個(gè)電壓的第二子像素電極190b與公共電極270一起生成電場(chǎng)，兩電極190b和270構(gòu)成第二液晶電容器CLCb。
構(gòu)成像素電極190的一對(duì)第一和第二子像素電極190a和190b彼此面對(duì)并在它們之間插入間隙94p和94q。像素電極190的外邊界基本上是矩形的形狀。第一子像素電極190a的梯形部分190p和190q的右側(cè)比其左側(cè)長(zhǎng)，并且每個(gè)梯形部分190p和190q具有相對(duì)于柵極線121形成約為45°角度的斜邊。第二子像素電極190b具有旋轉(zhuǎn)的等邊梯形的形狀，其具有長(zhǎng)于右邊的左邊，以及一對(duì)面對(duì)第一子像素電極190a的斜邊的上邊和下邊。第一和第二子像素電極190a和190b之間的間隙94p和94q具有基本上均勻的寬度。在下文中，為描述的方便，間隙94p和94q被稱為切口部分。
像素電極190具有中央切口部分92和93、下切口部分94p和95p及上切口部分94q和95q。通過(guò)切口部分92到95q將像素電極190劃分成多個(gè)區(qū)域。切口部分92到95q相對(duì)于耦合電極126近似反轉(zhuǎn)對(duì)稱。
上下切口部分94p和94q從像素電極190的左側(cè)向其右側(cè)以一個(gè)傾斜的方向延伸，且上下切口部分95p和95q從像素電極190的下側(cè)和上側(cè)向其右側(cè)以一個(gè)傾斜或成角度的方向延伸。下切口部分94p和95p和上切口部分94q和95q分別設(shè)置在由耦合電極126劃分的像素電極190的下半?yún)^(qū)域和上半?yún)^(qū)域，并相對(duì)于柵極線121形成一個(gè)約45°的角度以彼此垂直延伸。
中央切口部分92在第二子像素190b的左側(cè)有一個(gè)入口和一個(gè)橫向部分，該橫向部分從入口沿耦合電極126延伸。切口部分92的入口有一對(duì)相對(duì)于柵極線121成約為45°角度傾斜或成角度的部分。中央切口部分93具有中央橫向部分，該橫向部分基本上從第二子像素電極190b的右側(cè)沿橫向延伸；和一對(duì)傾斜的或者成角度的部分，該部分從中央橫向部分的端部以相對(duì)于中央橫向部分形成傾斜角的方向向像素電極190的左側(cè)延伸。
在像素電極190、遮蔽電極88、接觸輔助構(gòu)件81和82以及保護(hù)膜180上，涂覆取向膜11。
在公共電極面板200中，在介電基板210上形成遮蔽構(gòu)件220、多個(gè)彩色濾光器230、覆蓋膜250、具有多個(gè)切口部分73、74p、74q、75p、75q、76p和76q的公共電極270、以及取向膜21。
公共電極270的切口部分73到76q包括橫跨像素電極190的下半?yún)^(qū)域和上半?yún)^(qū)域的中央切口部分73，位于下半?yún)^(qū)域的切口部分74p、75p和76p，以及位于上半?yún)^(qū)域的切口部分74q、75q和76q。
圖4到8的液晶顯示裝置的前述特征可以應(yīng)用于圖11和12的液晶顯示裝置。
在圖13中，示意性地表示了包括圖11中所示的四像素的薄膜晶體管面板100。為了闡明本發(fā)明的特征，示出了柵極金屬層、數(shù)據(jù)金屬層等，沒(méi)有示出像素電極。
如圖13所示，例如，在第i個(gè)像素行中，把薄膜晶體管設(shè)置在像素的左側(cè)。數(shù)據(jù)線171的彎曲部分173的入口定位在右側(cè)。漏電極175從彎曲部分的入口沿縱向和橫向延伸，并具有擴(kuò)大部分177p，177q和176(見(jiàn)圖11)。另外，漏電極175具有一個(gè)擴(kuò)展部分175r，其從連接到擴(kuò)大的部分177p的縱向部分向下向相鄰數(shù)據(jù)線171的彎曲部分173延伸。
相對(duì)照地，在第(i+1)像素行，把薄膜晶體管設(shè)置在像素的右側(cè)。數(shù)據(jù)線171的彎曲部分173的入口定位在左側(cè)。然而，和第i像素行類似，漏電極175具有一個(gè)擴(kuò)展部分175r，其從連接到擴(kuò)大部分177p的縱向部分向下向相鄰數(shù)據(jù)線171的彎曲部分173延伸。
另一方面，在數(shù)據(jù)金屬層上形成的像素電極對(duì)于每一像素具有相同的切口部分。
通過(guò)以這種方式形成薄膜晶體管Q和漏電極175，即使在薄膜晶體管Q的位置每一像素行發(fā)生改變的情況下，像素區(qū)域的形狀和面積可以基本上一致。所以，根據(jù)本發(fā)明的反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方案可以應(yīng)用于具有多區(qū)域的PVA模式。
所以，獲得寬視角和提高側(cè)面和側(cè)邊的可視性成為可能。
現(xiàn)在，參考圖14A和16詳細(xì)描述本發(fā)明其它示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置。在本示范性實(shí)施例中，省略與上面所描述的實(shí)施例相同的部件的詳細(xì)描述。
圖14A到14C是表示根據(jù)本發(fā)明其他示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置的框圖。圖15是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一示范性實(shí)施例的等效示意電路圖。圖16是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置中的開(kāi)關(guān)裝置陣列和像素極性的另一示范性實(shí)施例的示意平面圖。
如圖14A到14C所示，根據(jù)本發(fā)明其它示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置包括液晶顯示面板組件300，連接到液晶顯示面板組件300的一對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器400a和400b或者一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器401和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500，連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500的灰度電壓生成器800，以及用于控制部件的信號(hào)控制器600。
如等效電路示意圖所示，液晶顯示面板組件300包括連接到多條顯示信號(hào)線G1a到Gnb和D1到Dm的多個(gè)像素PX，這些像素基本上排列成一個(gè)矩陣。
顯示信號(hào)線G1a到Gnb和D1到Dm包括多條用于傳輸柵極信號(hào)的柵極線G1a到Gnb和多條用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線D1到Dm。柵極線G1a到Gnb在行方向彼此基本上平行延伸，并且數(shù)據(jù)線D1到Dm在列方向彼此基本上平行延伸。
如顯示信號(hào)線Gia、Gib和Dj的等效電路示意圖所示，顯示信號(hào)線還包括基本上平行于柵極線Gia和Gib延伸的存儲(chǔ)電極線SL(只示出一條)。
每個(gè)像素PX包括一對(duì)子像素PXa和PXb。每個(gè)子像素PXa/PXb包括連接到各自的柵極線Gia/Gib和數(shù)據(jù)線Dj的開(kāi)關(guān)裝置Qa/Qb，連接到開(kāi)關(guān)裝置Qa/Qb的液晶電容器CLCa/CLCb，連接到開(kāi)關(guān)裝置Qa/Qb和存儲(chǔ)線SL的存儲(chǔ)電容器CSTa/CSTb。若需要，可以省略存儲(chǔ)電容器CSTa和CSTb。在這種情況下，不需要存儲(chǔ)線SL。
因?yàn)樽酉袼豍Xa和PXb與圖2中所示的像素基本上相同，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。
如圖16所示，在根據(jù)本示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置中，像素PX的開(kāi)關(guān)裝置Qa和Qb的位置每一像素行發(fā)生改變。也就是說(shuō)，在相鄰的像素行中，開(kāi)關(guān)裝置Qa和Qb交替地連接到不同側(cè)的數(shù)據(jù)線。在圖16所示的4行像素中，最上端的像素行和第三像素行的開(kāi)關(guān)裝置Qa和Qb連接到左側(cè)的數(shù)據(jù)線，并且第二像素行和第四像素行的開(kāi)關(guān)裝置Qa和Qb連接到右側(cè)的數(shù)據(jù)線。所以，驅(qū)動(dòng)器反轉(zhuǎn)成為列反轉(zhuǎn)，而外觀反轉(zhuǎn)成為1×1的點(diǎn)反轉(zhuǎn)。所以消除橫向行閃爍成為可能。另外，增加像素的充電率也成為可能。
參考圖14A到14C，柵極驅(qū)動(dòng)器400a、400b和401連接到柵極線G1a到Gnb以向柵極線G1a到Gnb施加?xùn)艠O信號(hào)(以外部輸入的柵極-打開(kāi)電壓Von和柵極-關(guān)閉電壓Voff的組合形成)。在圖14A中，一對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器400a和400b被分別設(shè)置在液晶顯示部件300的左側(cè)和右側(cè)，并且分別連接到柵極線G1a到Gnb的奇數(shù)行和偶數(shù)行。圖14B和14C所示的柵極驅(qū)動(dòng)器401設(shè)置在液晶顯示部件300的一側(cè)，并連接到所有的柵極線G1a到Gnb在圖14C所示的情況中，柵極驅(qū)動(dòng)器401中包括的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器電路401a和401b分別連接?xùn)艠O線G1a到Gnb的奇數(shù)行和偶數(shù)行。
灰度電壓生成器800形成兩個(gè)與像素的透射性相關(guān)的灰度電壓組(或者參考灰度電壓組)。將兩個(gè)灰度電壓組各自獨(dú)立施加于一個(gè)像素的兩個(gè)子像素。每個(gè)灰度電壓組包括相對(duì)于公共電壓Vcom為正值的一個(gè)電壓，和相對(duì)于公共電壓Vcom為負(fù)值的另一個(gè)電壓。然而，代替兩個(gè)(參考)灰度電壓組，可以生成一個(gè)(參考)灰度電壓組。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500連接到液晶顯示部件300的數(shù)據(jù)線D1到Dm以從灰度電壓生成器800中選擇兩個(gè)灰度電壓組之一，并將選擇的灰度電壓組中的一灰度電壓作為數(shù)據(jù)電壓施加到像素。然而，在灰度電壓生成器800沒(méi)有提供所有的灰度電壓而只有參考灰度電壓的情況中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500劃分參考灰度電壓以生成灰度電壓或者全部的灰度，并從灰度電壓中選擇數(shù)據(jù)電壓。
現(xiàn)在，詳細(xì)描述液晶顯示裝置的顯示操作。
信號(hào)控制器600接收從外部施加的輸入圖像信號(hào)R、G和B及輸入控制信號(hào)，并且生成柵極控制信號(hào)CONT1、數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2和已處理的圖像數(shù)據(jù)DAT。此后，信號(hào)控制器600向柵極驅(qū)動(dòng)器400a、400b和401以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500傳輸生成的控制信號(hào)和圖像信號(hào)。
響應(yīng)來(lái)自信號(hào)控制器600的數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500接收針對(duì)一對(duì)子像素PXa和PXb的圖像數(shù)據(jù)DAT，從灰度電壓生成器800選擇兩灰度電壓組之一，并從選擇的灰度電壓組中選擇相應(yīng)于圖像數(shù)據(jù)DAT的灰度電壓，從而使圖像數(shù)據(jù)DAT轉(zhuǎn)變?yōu)橄嚓P(guān)的數(shù)據(jù)電壓，而后，將數(shù)據(jù)電壓施加到相關(guān)的數(shù)據(jù)線D1到Dm。
可選地，代替數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500，獨(dú)立設(shè)置的外部選擇電路(未示出)可以選擇兩個(gè)灰度電壓組之一，并向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500傳輸選擇的那一個(gè)。另外，灰度電壓生成器800可以提供具有可變值的參考電壓，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500可以劃分該參考電壓，從而可生成灰度電壓。
響應(yīng)來(lái)自信號(hào)控制器600的柵極控制信號(hào)CONT1，柵極驅(qū)動(dòng)器400a、400b和401將柵極-打開(kāi)電壓Von施加給柵極線G1a到Gnb以接通連接到柵極線G1a到Gnb的開(kāi)關(guān)裝置Qa和Qb。結(jié)果，施加到數(shù)據(jù)線D1到Dm的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)已接通的開(kāi)關(guān)裝置Qa和Qb被施加到相關(guān)的子像素PXa和PXb。
兩個(gè)上述灰度電壓組表示不同的伽瑪曲線，并被施加到一個(gè)像素PX中的兩個(gè)子像素PXa和PXb，從而一個(gè)像素PX的伽瑪曲線是伽瑪曲線的復(fù)合曲線。在確定兩灰度電壓組時(shí)，確定復(fù)合的伽瑪曲線接近于正面的參考伽瑪曲線。例如，確定正面的復(fù)合伽瑪曲線等于最合適的正面的參考伽瑪曲線，并確定側(cè)面的復(fù)合伽瑪曲線最接近于正面的參考伽瑪曲線。通過(guò)這樣的做法，可能進(jìn)一步提高側(cè)面或側(cè)邊的可視性。
以半水平周期(或1/2H)為單位，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500和柵極驅(qū)動(dòng)器400a、400b和401重復(fù)執(zhí)行前述操作。用這種方式，在一幀期間，將柵極-打開(kāi)電壓Von順序地施加到所有的柵極線G1a到Gnb從而將數(shù)據(jù)電壓施加給所有的像素。當(dāng)一幀結(jié)束時(shí)，下一幀開(kāi)始，控制施加給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500的反轉(zhuǎn)信號(hào)RVS的狀態(tài)，使得施加給每一像素的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性與在前一幀中的極性相反。另外，如上所述，反轉(zhuǎn)在一幀中施加給相鄰數(shù)據(jù)線D1到Dm的數(shù)據(jù)電壓的極性，從而驅(qū)動(dòng)器反轉(zhuǎn)變?yōu)榱蟹崔D(zhuǎn)，而外觀反轉(zhuǎn)變?yōu)?×1的點(diǎn)反轉(zhuǎn)。
現(xiàn)在，參考圖17到19詳細(xì)描述該液晶顯示裝置的示例。
圖17是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一示范性實(shí)施例的布局平面圖。圖18是表示沿圖17中的線XVIII-XVIII’獲得的液晶顯示裝置的截面圖。圖19是表示圖17中的液晶顯示裝置的一些層的布局平面圖。
如圖17到19所示，因?yàn)楦鶕?jù)本示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置的層結(jié)構(gòu)和圖11到13所示的液晶顯示裝置的層結(jié)構(gòu)是基本上相同的，省略相同部件的描述，以下只描述不同的部件。
首先，在薄膜晶體管面板100中，在介電基板110上形成多條柵極線121a和121b及多條包括多個(gè)存儲(chǔ)電極133的存儲(chǔ)電極線131。
第一和第二柵極線121a和121b分別布置在上側(cè)和下側(cè)，并分別包括末端部分129a和129b，這些末端部分129a和129b具有寬區(qū)域，用于連接到多個(gè)分別向上和下方突出的第一和第二柵電極124a和124b、其它層或者外部的驅(qū)動(dòng)電路。
在柵極線121a和121b以及存儲(chǔ)電極線131上，相繼形成柵極絕緣膜140，多個(gè)島形的半導(dǎo)體154a、154b和156，以及多個(gè)島形的歐姆接觸構(gòu)件163b和165b。
在歐姆接觸構(gòu)件163a、163b、165a和165b以及柵極絕緣膜140上形成多條數(shù)據(jù)線171和多對(duì)第一和第二漏電極175a和175b。
數(shù)據(jù)線171包括多對(duì)第一和第二直線部分172p和172q、多對(duì)第一和第二彎曲部分173a和173b以及具有擴(kuò)大寬度的末端部分179。
第一和第二直線部分172p和172q沿一條直線交替布置，并且第二直線部分172q比第一直線部分172p長(zhǎng)，且與存儲(chǔ)電極線131交叉。第一和第二彎曲部分173a和173b交替地連接在第一和第二垂直線部分172p和172q之間，并布置在半導(dǎo)體154a和154b上。
第一和第二漏電極175a和175b具有面積擴(kuò)大的擴(kuò)大部分177a和177b，該擴(kuò)大區(qū)域從半導(dǎo)體154a和154b上的棒形末端部分延伸并與存儲(chǔ)電極133交迭，如圖19所示。構(gòu)成源電極的第一和第二彎曲部分173a和173b包圍第一和第二漏電極175a和175b的棒形的末端部分。第一/第二柵電極124a/124b、第一/第二源電極173a/173b、第一/第二漏電極175a/175b與半導(dǎo)體154a/154b一起構(gòu)成薄膜晶體管Qa/Qb。在第一/第二源電極173a/173b和第一/第二漏電極175a/175b之間的半導(dǎo)體154a/154b中形成薄膜晶體管Qa/Qb。
在數(shù)據(jù)線171、漏電極175a和175b及半導(dǎo)體154a和154b的暴露部分上形成保護(hù)膜180。在保護(hù)膜180中，形成多個(gè)接觸孔182、185a和185b，它們使數(shù)據(jù)線171的末端179以及漏電極175a和175b的擴(kuò)大部分177a和177b暴露。在保護(hù)膜180和柵極絕緣膜140中，形成多個(gè)接觸孔181，多個(gè)接觸孔181使柵極線121的末端129暴露。
在保護(hù)膜180上形成多個(gè)包括第一和第二子像素電極191a和191b的像素電極191、遮蔽電極88、和多個(gè)接觸輔助構(gòu)件81和82。
第一/第二子像素電極191a/191b通過(guò)接觸孔185a/185b物理和電連接到第一/第二漏電極175a/175b，從而，從第一/第二漏電極175a/175b向第一/第二子像素電極191a/191b施加數(shù)據(jù)電壓。將針對(duì)一個(gè)輸入圖像信號(hào)預(yù)定的不同數(shù)據(jù)電壓施加給一對(duì)子像素電極191a和191b，并且其強(qiáng)度可以依據(jù)子像素電極191a和191b的大小和形狀來(lái)確定。另外，子像素電極191a和191b的面積可以彼此不同。例如，可以向第二子像素電極191b施加比向第一子像素電極191a施加的電壓高的電壓，并且，第二子像素電極191b的面積可以比第一子像素電極191a的面積小。
將每個(gè)像素電極191的右上角切除，并且切口側(cè)相對(duì)于柵極線121a和121b成約45°的角。
構(gòu)成一個(gè)像素電極191的一對(duì)第一和第二子像素電極191a和191b彼此配合，之間具有間隙94，并且像素電極191的外邊界基本上是矩形的。第二子像素電極191b具有旋轉(zhuǎn)的等邊梯形的形狀，其底邊凹進(jìn)為梯形形狀，并且第二子像素電極191b的大部分由第一子像素電極191a包圍。第一子像素電極191a由上、下和中央的梯形部分構(gòu)成，它們彼此在左側(cè)彼此相連。第一子像素電極191a具在切口部分95a、95b和95c，它們從上梯形部分的上側(cè)和下梯形部分的下側(cè)向右側(cè)延伸。將柵極線121a布置在切口部分95a和95b之間。第一子像素電極191a的中央梯形部分與第二子像素電極191b的凹進(jìn)底邊配合。第一子像素電極191a具有切口部分92，它沿存儲(chǔ)電極線131延伸。切口部分92在第一子像素電極191a的左側(cè)具有入口和橫向部分，該橫向部分從該入口沿橫向延伸。切口部分92的入口具有一對(duì)相對(duì)于存儲(chǔ)電極線131成約45°角傾斜的或者成角度的邊。另外，第一子像素電極191a和第二子像素電極191b之間的間隙94包括具有均勻?qū)挾鹊纳虾拖聝A斜或者成角度的部分，它們相對(duì)于柵極線121a和121b成約45°的角，并具有基本上均勻?qū)挾鹊娜齻€(gè)縱向部分。在下文中，為描述方便，間隙94被稱為切口部分。
像素電極191具有切口部分92、94、95a和95b，并且通過(guò)切口部分92、94、95a和95b將像素電極191劃分成多個(gè)區(qū)域。切口部分92、94、95a和95b基本上從像素電極191的左側(cè)向其右側(cè)沿傾斜的或者成角度的方向延伸，并且相對(duì)于存儲(chǔ)電極131近似反轉(zhuǎn)對(duì)稱。切口部分92、94、95a和95b相對(duì)于柵極線121a和121b成約45°角，彼此垂直延伸。
在像素電極191、遮蔽電極88、接觸輔助構(gòu)件81和82以及保護(hù)膜180上，涂覆取向膜11。
在公共電極面板200中，在介電基板210上形成遮蔽構(gòu)件220、多個(gè)彩色濾光器230、覆蓋膜250、具有多個(gè)切口部分73、74、75a、75b、76a和76b的公共電極270及取向膜21。
公共電極270的切口部分73到76b包括橫跨像素電極191的上半?yún)^(qū)域和下半?yún)^(qū)域的中央切口部分73和74，位于下半?yún)^(qū)域的切口部分75a和76a，以及位于下半?yún)^(qū)域的切口部分75b和76b。
圖11到12的液晶顯示裝置的前述特征可以應(yīng)用于圖17和18的液晶顯示裝置。
在圖19中，示意性地表示包括在圖17中所示的四個(gè)像素的薄膜晶體管面板100。為了闡明本發(fā)明的特征，示出了柵極金屬層、數(shù)據(jù)金屬層等，沒(méi)有示出像素電極。
如圖19所示，例如，在第i像素行中，把薄膜晶體管Qa和Qb設(shè)置在像素的左側(cè)。數(shù)據(jù)線171的彎曲部分173a和173b的入口定位到右側(cè)。漏電極175a和175b從彎曲部分的入口沿縱向和橫向延伸，并具有擴(kuò)大部分177a和177b。另外，漏電極175a和175b具有擴(kuò)展部分175p和175q，其從連接到擴(kuò)大部分177a和177b的縱向部分向相鄰數(shù)據(jù)線171的彎曲部分173a和173b延伸。
相對(duì)照地，在第(i+1)像素行中，把薄膜晶體管Qa和Qb設(shè)置在像素的右側(cè)。數(shù)據(jù)線171的彎曲部分173a和173b的入口定位到左側(cè)。然而，和第i像素行類似，漏電極175a和175b具有擴(kuò)展部分175p和175q，其從連接到擴(kuò)大部分177a和177b的縱向部分向相鄰數(shù)據(jù)線171的彎曲部分173a和173b延伸。
現(xiàn)在，參考圖20到22詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一示范性實(shí)施例。
圖20是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一示范性實(shí)施例的框圖。圖21和22是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素陣列的其他示范性實(shí)施例的平面圖。
如圖20所示，根據(jù)本發(fā)明的本示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置包括液晶顯示面板組件300，連接到液晶顯示面板組件300的柵極驅(qū)動(dòng)器402和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器501，連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器501的灰度電壓生成器800，以及用于控制部件的信號(hào)控制器600。
如等效電路方框圖所示，液晶顯示面板組件300包括多條顯示信號(hào)線G1到G2n和D1到Dm及多個(gè)與之連接、并基本上排列成矩陣的像素PX。
顯示信號(hào)線G1到G2n和D1到Dm包括多條用于傳輸柵極信號(hào)(有時(shí)被稱為掃描信號(hào))的柵極線G1到G2n和多條用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線D1到Dm。柵極線G1到G2n沿行方向彼此基本上平行延伸，而數(shù)據(jù)線D1到Dm沿列方向彼此基本上平行延伸。
因?yàn)橄袼豍X與圖2中所示的像素基本上相同，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。
如圖21所示，在該液晶顯示裝置的像素陣列中，將成對(duì)的柵極線Gi和Gi+1、Gi+2和Gi+3、…(例如，在圖20中描述為G1、G2、G3和G4…)布置在一行像素電極192的上方和下方。另外，將每條數(shù)據(jù)線D1到Dm(例如，在圖21中描述為Dj、Dj+1、Dj+2、Dj+3…)布置在兩列像素電極192之間。也就是說(shuō)，將一條數(shù)據(jù)線布置在一對(duì)像素列之間?，F(xiàn)在，來(lái)詳細(xì)描述柵極線G1到G2n和數(shù)據(jù)線D1到Dm和像素電極192之間的連接。
連接到像素電極192上側(cè)和下側(cè)的多對(duì)柵極線G1到G2n通過(guò)布置在像素電極192上側(cè)和下側(cè)的開(kāi)關(guān)裝置Q連接到相關(guān)的像素電極192。
也就是說(shuō)，在奇數(shù)像素行中，布置在數(shù)據(jù)線D1到Dm左側(cè)的開(kāi)關(guān)裝置Q連接到布置在上側(cè)的柵極線G1、G5、G9…，布置在數(shù)據(jù)線D1到Dm右側(cè)的開(kāi)關(guān)裝置Q連接到布置在下側(cè)的柵極線G2、G6、G10…。相對(duì)照地，在偶數(shù)像素行中，上面的柵極線G3、G7、G11…，下面的柵極線G4、G8、G12…，和開(kāi)關(guān)裝置Q之間的連接與在奇數(shù)像素行中的連接相反。也就是說(shuō)，布置在數(shù)據(jù)線D1到Dm右側(cè)的開(kāi)關(guān)裝置Q連接到布置在上側(cè)的柵極線G3、G7、G11…，布置在數(shù)據(jù)線D1到Dm左側(cè)的開(kāi)關(guān)裝置Q連接到布置在下側(cè)的柵極線G4、G8、G12…。
在奇數(shù)像素行的像素電極192中，布置在數(shù)據(jù)線D1到Dm左側(cè)的像素電極192經(jīng)開(kāi)關(guān)裝置Q連接到相鄰的數(shù)據(jù)線D1到Dm，并且布置在數(shù)據(jù)線D1到Dm右側(cè)的像素電極192經(jīng)開(kāi)關(guān)裝置Q連接到下一相鄰數(shù)據(jù)線D1到Dm。在偶數(shù)像素行的像素電極192中，布置在數(shù)據(jù)線D1到Dm左側(cè)的像素電極192經(jīng)開(kāi)關(guān)裝置Q連接到前面的數(shù)據(jù)線D1到Dm，布置在數(shù)據(jù)線D1到Dm右側(cè)的像素電極192經(jīng)開(kāi)關(guān)裝置Q連接到相鄰的數(shù)據(jù)線D1到Dm。
將開(kāi)關(guān)裝置Q形成在適當(dāng)?shù)奈恢靡允蛊湟子谶B接到數(shù)據(jù)線D1到Dm，也就是說(shuō)，盡可能地縮短連接長(zhǎng)度。所以，在圖21所示的像素陣列中，開(kāi)關(guān)裝置Q的位置每一像素行發(fā)生改變。也就是說(shuō)，布置在奇數(shù)像素行中的一對(duì)像素中，在布置于數(shù)據(jù)線D1到Dm左側(cè)的像素的右上區(qū)域形成開(kāi)關(guān)裝置Q，而在布置于數(shù)據(jù)線D1到Dm右側(cè)的像素的右下區(qū)域形成開(kāi)關(guān)裝置Q。
相對(duì)照地，布置在奇數(shù)像素行的開(kāi)關(guān)裝置Q的位置與相鄰像素行中開(kāi)關(guān)裝置Q的位置相反。也就是說(shuō)，在布置在偶數(shù)像素行中的一對(duì)像素中，在布置于數(shù)據(jù)線D1到Dm左側(cè)的像素的左下區(qū)域形成開(kāi)關(guān)裝置Q，而在布置于數(shù)據(jù)線D1到Dm右側(cè)的像素的左上區(qū)域形成開(kāi)關(guān)裝置Q。
總結(jié)圖21所示的像素電極192和數(shù)據(jù)線D1到Dm之間的連接關(guān)系，在每一像素行中，布置在相鄰兩數(shù)據(jù)線之間的兩個(gè)像素的開(kāi)關(guān)裝置Q連接到相同的數(shù)據(jù)線。也就是說(shuō)，在奇數(shù)像素行中，布置在兩數(shù)據(jù)線之間的兩個(gè)像素的開(kāi)關(guān)裝置Q連接到布置在右側(cè)的數(shù)據(jù)線，而在偶數(shù)像素行中，布置在兩數(shù)據(jù)線之間的兩個(gè)像素的開(kāi)關(guān)裝置Q連接到布置在左側(cè)的數(shù)據(jù)線。
其次，與圖21類似，如圖22所示，將成對(duì)的柵極線Gi和Gi+1、Gi+2和Gi+3、…(例如，在圖20中描述為G1，G2，G3和G4…)布置在一行像素電極192的上方和下方。另外，將每條數(shù)據(jù)線D1到Dm(例如，在圖21中描述為Dj、Dj+1、Dj+2、Dj+3…)布置在兩列像素電極192之間。也就是說(shuō)，將一條數(shù)據(jù)線布置在一對(duì)像素列之間。
在圖22所示的像素電極192與柵極線G1到G2n和數(shù)據(jù)線D1到Dm之間的連接中，將數(shù)據(jù)線D1到Dm連接到布置在兩像素列中的像素的開(kāi)關(guān)裝置Q。布置在數(shù)據(jù)線D1到Dm左側(cè)和右側(cè)的兩像素的開(kāi)關(guān)裝置Q中的一個(gè)連接到布置在上側(cè)的柵極線，另外一個(gè)連接到布置在下側(cè)的柵極線。另外，布置在兩相鄰的數(shù)據(jù)線之間的開(kāi)關(guān)裝置連接到同一側(cè)的數(shù)據(jù)線。一個(gè)像素行的像素結(jié)構(gòu)和相鄰的像素行的像素結(jié)構(gòu)相對(duì)于柵極線對(duì)稱。
布置在像素上的開(kāi)關(guān)裝置Q的位置每一像素行發(fā)生改變。也就是說(shuō)，在布置在奇數(shù)像素行中的像素上，開(kāi)關(guān)裝置Q順序地在它的右上、左下、右下和左上的區(qū)域形成，而在布置在偶數(shù)像素行中的像素上，開(kāi)關(guān)裝置Q順序地在它的右下、左上、右上和左下的區(qū)域形成。
圖21和22所示的陣列僅僅是示例，像素電極192、數(shù)據(jù)線D1到Dm及柵極線G1到G2n之間的連接可以在它們之間改變，也可以使用其它的連接。
返回圖20，灰度電壓生成器800生成與像素的透射性相關(guān)的兩個(gè)灰度電壓組。兩個(gè)組中之一具有相對(duì)于公共電壓Vcom的正值，而另一個(gè)組具有負(fù)值。
柵極驅(qū)動(dòng)器402連接到液晶顯示面板組件300的柵極線G1到G2n，以向柵極線G1到G2n施加?xùn)艠O信號(hào)(由外部供給的柵極-打開(kāi)電壓Von和柵極-關(guān)閉電壓Voff組合形成)。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器501連接到液晶顯示面板組件300的數(shù)據(jù)線D1到Dm，以從灰度電壓生成器800中選擇灰度電壓，并把選擇的灰度電壓作為數(shù)據(jù)信號(hào)施加于像素。
信號(hào)控制器600控制柵極驅(qū)動(dòng)器402、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器501等的操作。
現(xiàn)在，將詳細(xì)描述根據(jù)本示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置的顯示操作。
信號(hào)控制器600接收外部施加的輸入圖像信號(hào)R、G和B及輸入控制信號(hào)，并向柵極驅(qū)動(dòng)器402和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器501傳輸柵極控制信號(hào)CONT1、數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2和經(jīng)處理的圖像數(shù)據(jù)DAT。在此，對(duì)于圖像信號(hào)R、G和B的處理包括根據(jù)圖21和22所示的液晶顯示面板組件300的像素陣列重新排列圖像數(shù)據(jù)R、G和B的操作。
響應(yīng)數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器501順序地接收一像素行的一半像素的圖像數(shù)據(jù)DAT，并從來(lái)自灰度電壓生成器800的選中灰度電壓中選擇相應(yīng)于圖像數(shù)據(jù)DAT的灰度電壓，從而使圖像數(shù)據(jù)DAT轉(zhuǎn)變?yōu)橄嚓P(guān)的數(shù)據(jù)電壓。而后，將數(shù)據(jù)電壓施加到數(shù)據(jù)線D1到Dm。
響應(yīng)來(lái)自于信號(hào)控制器600的柵極控制信號(hào)CONT1，柵極驅(qū)動(dòng)器401把柵極-打開(kāi)電壓Von施加到柵極線G1到G2n以打開(kāi)連接到柵極線G1到G2n的開(kāi)關(guān)裝置Q。結(jié)果，將施加到數(shù)據(jù)線D1到Dm的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)已打開(kāi)的開(kāi)關(guān)裝置Q施加到相關(guān)的像素。
以半水平周期(或者1/2H)為單位，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器501和柵極驅(qū)動(dòng)器402重復(fù)地執(zhí)行前述操作。照這樣的方式，在一幀期間，柵極-打開(kāi)電壓Von相繼地施加到所有的柵極線G1到G2n，從而將數(shù)據(jù)電壓施加到所有的像素。當(dāng)一幀結(jié)束時(shí)，下一幀開(kāi)始，控制施加到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器501的反轉(zhuǎn)信號(hào)RVS的狀態(tài)，使得施加到每個(gè)像素的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性與前一幀的極性相反(幀反轉(zhuǎn))。
另外，如上所述，在一幀中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器501反轉(zhuǎn)施加到相鄰數(shù)據(jù)線D1到Dm的數(shù)據(jù)電壓的極性，從而被施加了數(shù)據(jù)電壓的像素的像素電壓極性也發(fā)生改變。然而，因?yàn)橄袼睾蛿?shù)據(jù)線D1到Dm的連接可以以圖21和22所示的不同方式形成，在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器501中極性反轉(zhuǎn)圖案與在液晶顯示面板組件300的屏幕上顯示的像素電壓極性反轉(zhuǎn)圖案不同。在下文中，在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器501中的反轉(zhuǎn)稱為驅(qū)動(dòng)器反轉(zhuǎn)，并且，在屏幕上顯示的反轉(zhuǎn)稱為外觀反轉(zhuǎn)。
現(xiàn)在，參考圖21和22詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的反轉(zhuǎn)類型。
在圖21中，驅(qū)動(dòng)器反轉(zhuǎn)是列反轉(zhuǎn)，其中一條數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓總是具有相同極性，并且，相鄰的兩數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓具有相反的極性。外觀反轉(zhuǎn)是1×2的點(diǎn)反轉(zhuǎn)。
在圖22中，驅(qū)動(dòng)器反轉(zhuǎn)是行和列反轉(zhuǎn)，其中一條數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓總是每一行反轉(zhuǎn)極性，并且，相鄰兩數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓具有相反的極性。外觀反轉(zhuǎn)是1×1的點(diǎn)反轉(zhuǎn)。
照這樣的方式，如果外觀反轉(zhuǎn)變?yōu)辄c(diǎn)反轉(zhuǎn)，亮度差異(當(dāng)像素電壓是正極性和當(dāng)像素電壓是負(fù)極性時(shí)，由回掃電壓引起)得到分散，因而使減小橫向行缺陷成為可能。
現(xiàn)在，參考圖23到27詳細(xì)描述該液晶顯示面板組件300的薄膜晶體管顯示面板100和公共電極面板200的結(jié)構(gòu)。
圖23是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示面板組件的薄膜晶體管顯示面板的另一示范性實(shí)施例的布局平面圖。圖24是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示面板組件的公共電極面板的另一示范性實(shí)施例的布局平面圖。圖25是表示由圖23中的薄膜晶體管顯示面板和圖24中的公共電極面板構(gòu)成的液晶顯示面板組件的布局平面圖。圖26是表示沿圖25中的線XXVI-XXVI’獲得的液晶顯示裝置截面圖。圖27是表示圖25中的液晶顯示面板組件的像素陣列的布局平面圖。
如圖23到27所示，因?yàn)楦鶕?jù)本示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置的層結(jié)構(gòu)與圖17到19所示的液晶顯示裝置的層結(jié)構(gòu)基本上相同，省略相同部件的描述，只描述不同的部件。
首先，在薄膜晶體管面板100中，在介電基板110上形成多條柵極線121a和121b及多條存儲(chǔ)電極線131。
柵極線121a和121b主要沿橫向延伸。柵極線121a的一部分向下突出以構(gòu)成柵電極124a和偽柵電極126a。同樣地，柵極線121b的一部分向上突出以構(gòu)成柵電極124b和偽柵電極126b。兩條柵極線121a和121b彼此相鄰構(gòu)成一對(duì)。
存儲(chǔ)電極線131主要沿橫向延伸，并且包括多對(duì)由第一到第四存儲(chǔ)電極133a、133b、134a和134b構(gòu)成的分支組。
在柵極線121a和121b以及存儲(chǔ)電極線131上，順序形成柵極絕緣膜140，多個(gè)島形的半導(dǎo)體154a、154b、156a和156b，和多個(gè)島形的歐姆接觸構(gòu)件163a、163b、165a、165b和166。將半導(dǎo)體154a和154b分別布置在柵電極124a和124b上，并且將半導(dǎo)體156a和156b分別布置在偽柵電極126a和126b上。接觸構(gòu)件163a/163b和接觸構(gòu)件165a/165b構(gòu)成一對(duì)并布置在島形半導(dǎo)體154a/154b上。
在歐姆接觸構(gòu)件163b、165b和166以及柵極絕緣膜140上形成多條數(shù)據(jù)線171(見(jiàn)圖27)、多個(gè)漏電極175a和175b以及多個(gè)偽漏電極176a和176b。
數(shù)據(jù)線171主要沿縱向延伸以與柵極線121a和121b及存儲(chǔ)電極線131交叉。數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)電壓。在數(shù)據(jù)線171上，多個(gè)沿左和右方向向漏電極175a和175b延伸的分支分別構(gòu)成源電極173a和173b。漏電極175a和175b從由源電極173a和173b包圍的棒形末端部分沿橫向延伸。將源電極173a和173b形成彎曲結(jié)構(gòu)以包圍漏電極175a和175b的直線部分。像素中偽漏電極176a和176b的位置基本上與像素中漏電極175a和175b的位置相同。
柵電極124a/124b、源電極173a/173b、漏電極175a/175b與島形半導(dǎo)體154a/154b一起構(gòu)成薄膜晶體管。薄膜晶體管的溝道形成在源電極173a/173b和漏電極175a/175b之間的島形半導(dǎo)體154a/154b中。
在數(shù)據(jù)線171、漏電極175a和175b、偽漏電極176a和176b及半導(dǎo)體154a和154b的暴露部分上形成保護(hù)膜180。
在保護(hù)膜180中，形成多個(gè)接觸孔185a、185b、186a和186b，它們使漏電極175a和175b以及偽漏電極176a和176b暴露。接觸孔186a和186b是偽接觸孔，可將它們省略。
在保護(hù)膜180上形成多個(gè)像素電極192a和192b。像素電極192a和192b分別經(jīng)接觸孔185a和185b物理和電連接到漏電極175a和175b，從而，分別從漏電極175a和175b向像素電極192a和192b施加數(shù)據(jù)電壓。
沿柵極線121a和121b、柵電極124a和124b、偽柵電極126a和126b以及存儲(chǔ)電極133a、133b、134a和134b形成像素電極192a和192b的外邊界。像素電極192a和192b包括中央切口部分91a和91b、下切口部分94a和94b及上切口部分96a和96b。由切口部分91a到96b將像素電極192a和192b劃分成多個(gè)區(qū)域。切口部分91a到96b相對(duì)于存儲(chǔ)電極線131近似反轉(zhuǎn)對(duì)稱。
下和上切口部分94a、94b、96a和96b基本上從像素電極192a和192b的左側(cè)向其右側(cè)沿傾斜的或者成角度的方向延伸。下切口部分94a和94b和上切口部分96a和96b分別布置在由存儲(chǔ)電極線131劃分的像素電極192a和192b的下半?yún)^(qū)域和上半?yún)^(qū)域，并相對(duì)于柵極線121a和121b形成約45°角，彼此垂直延伸。
中央切口部分91a和91b從存儲(chǔ)電極線131向右側(cè)沿傾斜的或者成角度的方向延伸，并且包括一對(duì)基本上平行于相應(yīng)的下切口部分94a和94b和上切口部分96a和96b的斜邊。斜邊也相對(duì)于柵極線121a和121b形成約45°角，彼此垂直延伸。
因此，由切口部分91a到96a/91b到96b將像素電極192a/192b的上半?yún)^(qū)域和下半?yún)^(qū)域中的每一個(gè)劃分成三個(gè)區(qū)域。在此，區(qū)域的數(shù)量或者切口部分的數(shù)量可以依照像素的大小、像素電極192a/192b的縱橫比、液晶層3的類型或者特征或者其它設(shè)計(jì)因素而改變。
像素電極192a和192b具有基本上相同的開(kāi)口。也就是說(shuō)，偽柵電極126a和126b與柵電極124a和124b具有基本上相同的形狀。偽漏電極176a和176b的位置與漏電極175a和175b的位置相同。另外，像素電極192a和192b的切口部分91a到96a和91b到96b具有基本上相同的形狀。另外，在像素電極192a和192b的開(kāi)口內(nèi)的圖案基本上上下對(duì)稱。以這樣的方式，如果像素電極192a和192b的形狀及其開(kāi)口是相同的，即使像素的開(kāi)關(guān)裝置的位置彼此不同，所有像素的光學(xué)特性彼此相等，使得防止圖像質(zhì)量的惡化成為可能。
現(xiàn)在，描述公共電極面板200。正如參考圖24到26所示，在介電基板210上形成具有多個(gè)面對(duì)像素電極192a和192b并與像素電極192a和192b具有基本上相同形狀的開(kāi)口225a和225b的遮蔽構(gòu)件220?？蛇x地，遮蔽構(gòu)件220可以以相應(yīng)于數(shù)據(jù)線171的部分和相應(yīng)于薄膜晶體管Q的部分形成。然而，為了防止像素電極192a和192b及薄膜晶體管Q附近的光泄露，遮蔽構(gòu)件220可以具有不同的形狀。
在基板210及遮蔽構(gòu)件220上，相繼形成多個(gè)彩色濾光器230、覆蓋膜250和公共電極270。
公共電極270具有多組切口71a、72a、77a、78a、71b、72b、77b和78b。因?yàn)榍锌诓糠?1b到78b和切口部分71a到78a具有相同的形狀，因此只描述切口部分71a到78a。
一組切口部分71a到78a面對(duì)一個(gè)像素電極192a，并且包括中央切口部分71a和72a、下切口部分77a和上切口部分78a。將切口部分71a到78a布置在相鄰的像素電極192a的切口部分91a到96a之間以及邊緣切口部分94a和96a與像素電極192a的頂角之間(見(jiàn)圖25)。另外，每個(gè)切口部分71a到78a至少有一個(gè)傾斜的或者成角度的部分，該部分平行于像素電極192a的相應(yīng)切口部分91a到96a延伸。
每個(gè)上和下切口部分72a和77a包括一傾斜的或者成角度的部分，該部分從像素電極192a的右側(cè)向它的下側(cè)或者上側(cè)延伸；和縱向和橫向部分，該部分從傾斜的或者成角度的部分的末端沿像素電極192a的側(cè)面延伸，相對(duì)于傾斜的或者成角度的部分形成鈍角，并與像素電極192a交迭。
中央切口部分71a包括縱向部分，該部分沿像素電極192a的左側(cè)延伸，并與其左側(cè)交迭；一對(duì)傾斜的或者成角度的部分，該部分從縱向部分的末端延伸并延伸向像素電極192a的右側(cè)；和一末梢縱向部分，該部分從每個(gè)傾斜或者成角度部分的末端沿像素電極192a的右側(cè)延伸，相對(duì)于傾斜或者成角度部分形成鈍角，并與右側(cè)交迭。中央切口部分72a包括一對(duì)傾斜或者成角度的部分，該部分基本上從存儲(chǔ)電極線131延伸并延伸向像素電極192a的右側(cè)，相對(duì)于存儲(chǔ)電極線131形成傾斜角；和一末端部分，該部分從每個(gè)傾斜或成角度部分的末端沿像素電極192a的右側(cè)延伸，相對(duì)于傾斜部分形成鈍角，并與其右側(cè)交迭。
在切口部分71a、77和78a的相對(duì)側(cè)上的傾斜的或者成角度的部分中形成“V”形或者三角形槽口。槽口可以是矩形、梯形或者半圓形，還可以是凸形或者凹形。位于與切口部分71a、77和78a相對(duì)應(yīng)的區(qū)域邊界內(nèi)的液晶分子的取向由于槽口而確定。
在另一方面，通過(guò)將圖25所示的像素布置成圖22所示的像素陣列，得到圖27所示的多個(gè)像素。在此，四個(gè)上部和下部像素的薄膜晶體管的形狀及柵極線和數(shù)據(jù)線的位置彼此不同。四個(gè)上部像素的薄膜晶體管依次位于右上、左下、右下和右上區(qū)域。因此，柵電極和漏電極處于不同的位置。然而，由于偽柵電極和偽漏電極，像素的開(kāi)口基本上彼此相等。結(jié)果，由于像素的光學(xué)特性彼此相等，防止圖像質(zhì)量的惡化成為可能。
圖14A到19的液晶顯示裝置的前述特征可以應(yīng)用到圖20和27的液晶顯示裝置中。
在示范性實(shí)施例中描述的本發(fā)明可以應(yīng)用在布置于液晶顯示面板組件之內(nèi)的具有不同形狀的像素的情況中。特別是，本發(fā)明可以應(yīng)用到諸如VA模式LCD之類的結(jié)構(gòu)中，其中形成多個(gè)區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)交替地將薄膜晶體管布置在像素的左側(cè)和右側(cè)，驅(qū)動(dòng)器反轉(zhuǎn)成為列反轉(zhuǎn)，而外觀反轉(zhuǎn)成為點(diǎn)反轉(zhuǎn)。因此，消除橫向的行閃爍和增加像素的充電率成為可能。
另外，通過(guò)沿?cái)?shù)據(jù)線提供源電極并將漏電極向相鄰像素的源電極延伸，即使薄膜晶體管交替地布置在像素的左側(cè)和右側(cè)，仍能保持像素的一致性。另外，根據(jù)本發(fā)明的反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方案可以應(yīng)用到PVA模式。由此，可能得到寬視角。
另外，通過(guò)將一個(gè)像素劃分成一對(duì)子像素并向給子像素施加不同的數(shù)據(jù)電壓，提高側(cè)面或者側(cè)邊的可視性成為可能。
進(jìn)一步地，通過(guò)形成多個(gè)偽柵電極和多個(gè)偽漏電極，防止圖像質(zhì)量惡化成為可能。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的示范性實(shí)施例和修改的示例，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例和示例，而是在不脫離本發(fā)明所附權(quán)利要求、詳細(xì)說(shuō)明和附圖的范圍的前提下，可以進(jìn)行各種修改。所以，屬于本發(fā)明保護(hù)范圍的這種修改是自然的。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括多條數(shù)據(jù)線，具有多個(gè)直線部分和連接到該多個(gè)直線部分的多個(gè)彎曲部分；多條柵極線，與數(shù)據(jù)線交叉；薄膜晶體管，連接到數(shù)據(jù)線和柵極線；和像素電極，連接到薄膜晶體管，其中，將每條數(shù)據(jù)線的直線部分和彎曲部分實(shí)質(zhì)上沿著同一條線布置。
2.據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，在數(shù)據(jù)線的直線部分的延長(zhǎng)線上布置薄膜晶體管的溝道。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，彎曲部分構(gòu)成薄膜晶體管的源電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，還包括連接到像素電極的漏電極，其中，每個(gè)彎曲部分包圍相應(yīng)的漏電極的端部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中，漏電極至少以如下方式之一布置在每一像素中實(shí)質(zhì)上位于相同位置，及實(shí)質(zhì)上對(duì)稱地布置在像素陣列矩陣中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，彎曲部分是U-形的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，其中彎曲部分具有入口，該入口在每個(gè)像素行中沿相對(duì)方向開(kāi)口。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，還包括遮蔽電極，其覆蓋數(shù)據(jù)線的直線部分，且至少部分與數(shù)據(jù)線的彎曲部分交迭。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，不同像素行的薄膜晶體管連接到不同側(cè)的數(shù)據(jù)線。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，在每一像素行中，薄膜晶體管交替地連接到不同側(cè)的數(shù)據(jù)線。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其中，相鄰數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的極性彼此相反。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其中，相鄰數(shù)據(jù)線之一到在其間的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的極性相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，每個(gè)像素電極具有有至少一個(gè)切口部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，每個(gè)像素電極包括連接到漏電極的第一子像素電極和與第一子像素電極電容耦合的第二子像素電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其中，在第一子像素電極中的充電電壓大于在第二子像素電極中的充電電壓。
16.一種液晶顯示裝置，包括多條數(shù)據(jù)線，每條數(shù)據(jù)線具有多個(gè)第一直線部分、與第一直線部分交替地線性布置的多個(gè)第二直線部分，以及交替地連接在第一和第二直線部分之間的第一及第二彎曲部分；多對(duì)第一和第二柵極線，與數(shù)據(jù)線交叉；多對(duì)第一和第二薄膜晶體管，分別連接到第一和第二柵極線和及數(shù)據(jù)線；和多個(gè)像素電極，連接到第一和第二薄膜晶體管。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示裝置，其中，分別施加到第一和第二子像素電極的第一和第二數(shù)據(jù)電壓的大小彼此不同，并且是從單一圖像信息中獲得的。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示裝置，其中，每條數(shù)據(jù)線的第一和第二直線部分和相應(yīng)的第一和第二彎曲部分基本上沿同一條線布置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，其中，在數(shù)據(jù)線的第一和第二直線部分的延長(zhǎng)線上布置第一和第二薄膜晶體管的溝道。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，還包括分別連接到第一和第二子像素電極的第一和第二漏電極，其中，第一和第二彎曲部分分別包圍第一和第二漏電極的端部。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的液晶顯示裝置，其中，第一和第二漏電極至少以如下方式之一布置在相應(yīng)的像素中實(shí)質(zhì)上位于相同位置，及實(shí)質(zhì)上對(duì)稱地布置在像素陣列矩陣中。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，其中，在每一像素行中，第一和第二薄膜晶體管交替地連接到不同側(cè)的數(shù)據(jù)線。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其中，相鄰數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓極性彼此相反。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其中，相鄰數(shù)據(jù)線中之一到其間的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓極性相同。
25.一種液晶顯示裝置，包括多個(gè)像素，以矩陣狀排列，并具有像素電極；多條柵極線，連接到像素，并具有多個(gè)柵電極；多條數(shù)據(jù)線，與柵極線交叉，并具有多個(gè)源電極；和多個(gè)漏電極，與相應(yīng)的源電極相對(duì)，并連接到相應(yīng)的像素電極，其中，將具有柵電極、源電極和漏電極并且位于相鄰的像素中的開(kāi)關(guān)裝置布置在相鄰像素的不同位置，并且其中，像素的開(kāi)口具有實(shí)質(zhì)上上相同的形狀。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，其中，柵極線包括與柵電極具有實(shí)質(zhì)上相同形狀的偽柵電極。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，還包括偽漏電極，偽漏極至少以如下方式之一布置實(shí)質(zhì)上位于與漏電極相同的位置上，及實(shí)質(zhì)上對(duì)稱地布置在像素陣列矩陣中。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，其中，在兩條相鄰的數(shù)據(jù)線之間布置兩個(gè)像素。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，其中，開(kāi)關(guān)裝置和數(shù)據(jù)線相對(duì)于彼此實(shí)質(zhì)上是線性排列。
30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，其中，相鄰的源電極以相對(duì)于數(shù)據(jù)線以不同的方向取向。
全文摘要
一種液晶顯示裝置包括多條數(shù)據(jù)線，每條數(shù)據(jù)線具有多個(gè)直線部分和連接到多個(gè)直線部分的多個(gè)彎曲部分；多條柵極線，與數(shù)據(jù)線交叉；薄膜晶體管，連接到數(shù)據(jù)線和柵極線；和像素電極，連接到薄膜晶體管。因此，即使在驅(qū)動(dòng)反轉(zhuǎn)成為列反轉(zhuǎn)的情況下，外觀反轉(zhuǎn)也可以成為點(diǎn)反轉(zhuǎn)。由此，消除橫向行閃爍并增加像素的充電率成為可能。另外，可以保持像素的均勻性，從而可以將反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方案應(yīng)用到PVA模式。由此，獲得寬視角和提高側(cè)面或者邊緣的可視性成為可能。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1866117SQ20061009165
公開(kāi)日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2006年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月9日
發(fā)明者白承洙, 金東奎 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社