專利名稱：隔熱壁體、發(fā)熱體保持構(gòu)造體、加熱裝置及基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及隔熱壁體、發(fā)熱體的保持構(gòu)造體、加熱裝置及基板處理裝置，例如在組裝有半導(dǎo)體集成電路裝置(以下稱作IC)的半導(dǎo)體晶片(以下稱作晶片)上沉積(deposition)了絕緣膜、金屬制膜以及半導(dǎo)體膜的CVD裝置、氧化膜形成裝置、擴(kuò)散裝置、在用于進(jìn)行離子注入后的載體活性化和平坦化的回流(reflow)和退火等熱處理(thermal treatment)中使用的熱處理裝置(furnace)等半導(dǎo)體裝置中有效使用的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在IC的制造方法中，在對(duì)晶片實(shí)施成膜處理和擴(kuò)散處理時(shí)，廣泛使用著間歇式直立型的熱壁型擴(kuò)散CVD裝置。
一般，間歇式直立型的熱壁型擴(kuò)散CVD裝置(以下稱作CVD裝置)具備反應(yīng)管，由形成送入晶片的處理室的內(nèi)管和包圍該內(nèi)管的外管構(gòu)成，設(shè)置成直立型；晶舟，保持作為被處理基板的多片晶片，并送入到內(nèi)管的處理室中；氣體導(dǎo)入管，將原料氣體導(dǎo)入到內(nèi)管內(nèi)；排氣管，將反應(yīng)管內(nèi)排氣；加熱器單元，設(shè)在反應(yīng)管外，將反應(yīng)管內(nèi)加熱。
并且，在通過晶舟將多片晶片沿垂直方向排列并保持的狀態(tài)下，從下端的爐口送入(晶舟裝載)到內(nèi)管內(nèi)之后，將原料氣體從氣體導(dǎo)入管導(dǎo)入到內(nèi)管內(nèi)，并且反應(yīng)管內(nèi)通過加熱器單元被加熱。由此，將CVD膜沉積在晶片上，而且實(shí)施擴(kuò)散處理。
在以往的這種CVD裝置中，作為加熱裝置的加熱器單元具有如下結(jié)構(gòu)，即具備隔熱壁體，使用氧化鋁或二氧化硅等隔熱材料(heatinsulating material)，通過真空形成(真空吸附形成)法形成整體覆蓋反應(yīng)管的長(zhǎng)圓筒形狀；發(fā)熱體，使用鐵鉻鋁(Fe-Cr-Al)合金或二硅化鉬(MoSi2)而形成得較長(zhǎng)大；以及殼體，覆蓋隔熱壁體；并且，發(fā)熱體被設(shè)在隔熱壁體的內(nèi)周上。
在這樣的加熱器單元中，在實(shí)施例如30℃/分以上的急速加熱的情況下，為了加大發(fā)熱有效面積而使用形成為板狀的發(fā)熱體。
作為將該板狀的發(fā)熱體設(shè)置在隔熱壁體的內(nèi)周的以往的發(fā)熱體的保持構(gòu)造，有在設(shè)于隔熱壁體的內(nèi)周上的多個(gè)安裝槽中分別以離開槽底面的狀態(tài)設(shè)置發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)。例如參照專利文獻(xiàn)1。
專利文獻(xiàn)1日本特開2004-39967號(hào)公報(bào)在上述的隔熱壁體中，由于發(fā)熱體被分別設(shè)置在安裝槽內(nèi)，所以能夠防止上下相鄰的發(fā)熱體彼此的接觸。
但是，為了應(yīng)付發(fā)熱體的熱膨脹及熱收縮的需要，發(fā)熱體能夠在半徑方向上移動(dòng)。
因而，在熱膨脹時(shí)，發(fā)熱體在安裝槽內(nèi)向半徑方向外側(cè)移動(dòng)，在熱收縮時(shí)，發(fā)熱體在安裝槽內(nèi)向半徑方向內(nèi)側(cè)移動(dòng)而返回原位置。
但是，發(fā)熱體在熱膨脹時(shí)卡在安裝槽的側(cè)壁面上，該被卡住的部位成為固定端，通過這樣的作用，發(fā)熱體會(huì)變形。同樣，發(fā)熱體在熱膨脹時(shí)卡在安裝槽的側(cè)壁面上，如果在該卡住的狀態(tài)下發(fā)熱體降溫而收縮，則該被卡住的部位成為固定端，通過這樣的作用，發(fā)熱體會(huì)變形。
在這種變形積累的情況下、或變形大的情況下，存在會(huì)導(dǎo)致發(fā)熱體斷裂的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的是，提供一種能夠防止發(fā)熱體的卡掛、防止發(fā)熱體的變形于未然的隔熱壁體。
本發(fā)明的第二目的是，提供一種能夠防止發(fā)熱體的卡掛、防止發(fā)熱體的變形于未然的發(fā)熱體的保持構(gòu)造體。
本發(fā)明的第三目的是，提供一種能夠防止發(fā)熱體的卡掛、防止發(fā)熱體的變形于未然的加熱裝置。
本發(fā)明的第四目的是，提供一種能夠防止發(fā)熱體的卡掛、防止發(fā)熱體的變形于未然的基板處理裝置。
用來解決上述課題的機(jī)構(gòu)中的具有代表性的技術(shù)方案如下。
(1)一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其形成如下結(jié)構(gòu)具有用于將發(fā)熱體收納在該圓筒形狀的內(nèi)周面上的安裝槽；形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁的間隔，隨著接近槽底而變小。
(2)一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其形成如下結(jié)構(gòu)具有用于將發(fā)熱體收納在該圓筒形狀的內(nèi)周面上的安裝槽；形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁的間隔，從上述安裝槽的底部朝著該側(cè)壁的頂部逐漸變大。
(3)一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其形成如下結(jié)構(gòu)具有用于將發(fā)熱體收納在該圓筒形狀的內(nèi)周面上的安裝槽形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁的間隔，從上述安裝槽的底部朝著上述圓筒形狀的半徑方向中心側(cè)逐漸變大。
(4)一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其形成如下結(jié)構(gòu)具有用于將發(fā)熱體收納在該圓筒形狀的內(nèi)周面上的安裝槽形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁中的、比上述發(fā)熱體位于垂直方向上側(cè)的側(cè)壁，朝著上述圓筒形狀的半徑方向中心側(cè)逐漸向垂直方向上側(cè)變大；形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁中的、比上述發(fā)熱體位于垂直方向下側(cè)的側(cè)壁，朝著上述圓筒形狀的半徑方向中心側(cè)逐漸向垂直方向下側(cè)變大。
(5)一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其形成如下結(jié)構(gòu)具有用于將發(fā)熱體收納在該圓筒形狀的內(nèi)周面上的安裝槽上述安裝槽的垂直方向的寬度形成為至少比上述發(fā)熱體的垂直方向的上下端大，該寬度朝著上述圓筒形狀的半徑方向中心側(cè)逐漸變大。
(6)一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其形成如下結(jié)構(gòu)層疊有多個(gè)圓筒形狀的隔熱塊，該隔熱塊具有用于將發(fā)熱體收納在內(nèi)周面上的安裝槽；在上述隔熱塊中的一個(gè)上形成有第一側(cè)壁，該第一側(cè)壁成為形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁中的一個(gè)；在與形成有上述第一側(cè)壁的隔熱塊相鄰地層疊的隔熱塊上，形成有與上述第一側(cè)壁對(duì)置、并成為形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁中的另一個(gè)的第二側(cè)壁；上述第一側(cè)壁與上述第二側(cè)壁的間隔，從上述安裝槽的底部朝著該安裝槽的頂部逐漸變大。
(7)一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其形成如下結(jié)構(gòu)層疊有多個(gè)圓筒形狀的隔熱塊，該隔熱塊具有用于將發(fā)熱體收納在內(nèi)周面上的安裝槽；在上述隔熱塊的下端部，以將上述隔熱塊的內(nèi)周的一部分切開成圓環(huán)形狀的狀態(tài)形成有結(jié)合凸部；
在上述隔熱塊的上端部，以將上述隔熱塊的外周的一部分切開成圓環(huán)形狀的狀態(tài)形成有結(jié)合凹部；在上述隔熱塊的內(nèi)周面的上端和與該隔熱塊鄰接的隔熱塊的內(nèi)周面的上端之間，形成有上述安裝槽；形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁的間隔，從上述安裝槽的底部朝著該側(cè)壁的頂部逐漸變大。
(8)一種加熱裝置，具有上述(1)～(7)中任一種隔熱壁體。
(9)一種基板處理裝置，具有上述(8)的加熱裝置。
(10)一種發(fā)熱體的保持構(gòu)造體，用于基板處理裝置，其形成如下結(jié)構(gòu)在形成為圓筒形狀的隔熱壁體的內(nèi)周面上形成有安裝槽，在該安裝槽內(nèi)設(shè)置著上述發(fā)熱體，形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁的間隔隨著接近槽底而變小。


圖1是表示作為本發(fā)明的一實(shí)施方式的CVD裝置的正面剖視圖。
圖2是表示作為本發(fā)明的一實(shí)施方式的加熱器單元的主要部分的平面剖視圖。
圖3表示作為本發(fā)明的一實(shí)施方式的發(fā)熱體的保持構(gòu)造體主要部分，圖3(a)是從內(nèi)側(cè)觀察的展開圖，圖3(b)是沿圖3(a)的b-b線的剖視圖，圖3(c)是沿圖3(a)的c-c線的剖視圖。
圖4(a)是表示外側(cè)絕緣子的立體圖，圖4(b)是表示相同機(jī)構(gòu)中的內(nèi)側(cè)絕緣子的立體圖。
圖5是加熱器單元的立體圖。
圖6是表示防止變形的作用的各外部概略平面剖視圖，圖6(a)表示比較例的情況，圖6(b)表示本實(shí)施方式的情況。
具體實(shí)施例方式
以下，參照

本發(fā)明的一實(shí)施方式。
在本實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及的隔熱壁體在設(shè)置于作為本發(fā)明涉及的基板處理裝置的一實(shí)施方式的CVD裝置(間歇式直立型的熱壁型擴(kuò)散CVD裝置)中的本發(fā)明涉及的加熱裝置的一實(shí)施方式的加熱器單元中使用。
作為本發(fā)明的基板處理裝置的一實(shí)施方式的CVD裝置如圖1所示，具備垂直配設(shè)并被固定地支撐的直立型的反應(yīng)管11，反應(yīng)管11包括外管12和內(nèi)管13。
外管12使用石英(SiO2)而一體成形為圓筒形狀，內(nèi)管13使用石英(SiO2)或碳化硅(SiC)一體成形為圓筒形狀。
外管12形成為其內(nèi)徑比內(nèi)管13的外徑大、上端封閉而下端開口的圓筒形狀，呈同心圓地覆蓋內(nèi)管13，包圍內(nèi)管13的外側(cè)。
內(nèi)管13形成為上下兩端開口的圓筒形狀，內(nèi)管13的筒中空部形成多片晶片被送入的處理室14，該多片晶片通過晶舟22被保持成沿垂直方向排列的狀態(tài)。內(nèi)管13的下端開口構(gòu)成用于送入送出晶片的爐口15。
外管12與內(nèi)管13之間的下端部由形成為圓環(huán)形狀的岐管16氣密封閉，為了進(jìn)行內(nèi)管13和外管12的更換等，岐管16分別拆裝自如地被安裝在內(nèi)管13及外管12上。
通過岐管16被支撐在CVD裝置的加熱器基座19上，反應(yīng)管11成為垂直裝配的狀態(tài)。
在岐管16的側(cè)壁的上部連接著排氣管17，排氣管17構(gòu)成為，與排氣裝置(未圖示)連接，能夠?qū)⑻幚硎?4真空排氣成規(guī)定的真空度。排氣管17成為與形成在外管12和內(nèi)管13之間的間隙連通的狀態(tài)，由外管12和內(nèi)管13的間隙構(gòu)成排氣通路18。排氣通路18的橫截面形狀成為一定寬度的圓環(huán)形狀。
由于排氣管17與岐管16連接，所以排氣管17成為被配置在形成圓筒形狀的中空體、并沿垂直方向較長(zhǎng)地形成的排氣通路18的最下端的狀態(tài)。
在岐管16上，從垂直方向下側(cè)抵接著閉塞下端開口的密封蓋20。密封蓋20形成為具有與外管12的外徑大致相等的直徑的圓盤形狀，可通過設(shè)置在反應(yīng)管11外部的晶舟升降機(jī)21(僅圖示了一部分)在垂直方向上升降。
在密封蓋20的中心線上垂直地豎立并支撐著用于保持作為被處理基板的晶片1的晶舟22。晶舟22能夠使多片晶片1以水平且相互中心對(duì)齊的狀態(tài)排列并保持。
在密封蓋20上連接著氣體導(dǎo)入管23，該氣體導(dǎo)入管23與內(nèi)管13的爐口15連通，在氣體導(dǎo)入管23上連接著原料氣體裝置和載體氣體供給裝置(都未圖示)。從氣體導(dǎo)入管23被導(dǎo)入到爐口15的氣體，在內(nèi)管13的處理室14內(nèi)流通，通過排氣通路18后從排氣管17排放。
在外管12的外部，加熱反應(yīng)管11的內(nèi)部的加熱裝置即加熱器單元30，包圍著外管12的周圍并以同心圓設(shè)置著。
加熱器單元30具備使用不銹鋼(SUS)并形成為上端閉塞下端開口的圓筒形狀的殼體31，殼體31的內(nèi)徑及全長(zhǎng)設(shè)定為比外管12的外徑及全長(zhǎng)大。
在殼體31的內(nèi)部設(shè)置有作為本發(fā)明的一實(shí)施方式的發(fā)熱體的保持構(gòu)造體。本實(shí)施方式涉及的發(fā)熱體的保持構(gòu)造體具備發(fā)熱體和隔熱壁體33。
作為本發(fā)明的一實(shí)施方式的隔熱壁體33形成為比外管12的外徑大的圓筒形狀，被設(shè)置成與外管12成同心圓狀。隔熱壁體33與殼體31的內(nèi)周面之間的間隙32是用來氣冷的空間。
隔熱壁體33具備圓盤形狀的頂壁部34，具有比殼體31的內(nèi)徑小的外徑；以及圓筒形狀的側(cè)壁部35，具有比外管12的外徑大的內(nèi)徑和比殼體31的內(nèi)徑小的外徑。
頂壁部34覆蓋側(cè)壁部35上端的開口而將其封閉，頂壁部34的上端面被設(shè)置成與殼體35的頂壁的下表面接觸。
另外，也可以構(gòu)成為，設(shè)置貫通頂壁部34及殼體31的頂壁的排氣口，使隔熱壁體33與外管12之間的環(huán)境氣體強(qiáng)制風(fēng)冷。
通過將側(cè)壁部35的外徑設(shè)定得比殼體31的內(nèi)徑小，在側(cè)壁部35與殼體31之間形成作為風(fēng)冷空間的間隙32。
另外，也可以構(gòu)成為，在隔熱壁體33的側(cè)壁部35設(shè)置貫通孔，以使間隙32、隔熱壁體33和外管12之間的空間貫通，并且，使隔熱壁體33與外管12之間的環(huán)境氣體強(qiáng)制風(fēng)冷。
并且，隔熱壁體33的側(cè)壁部35通過在垂直方向上層疊多個(gè)隔熱塊36而構(gòu)筑為一個(gè)筒體。
如圖1及圖2所示，隔熱塊36具備較短的圓筒形狀的環(huán)形的主體37，主體37采用纖維狀或球狀的氧化鋁或二氧化硅等還具有絕緣材功能的隔熱材料，通過真空形成法一體成形。
另外，隔熱塊36及主體37也可以在沿圓筒形狀的圓周方向分割成多個(gè)、例如以規(guī)定的角度將圓筒形狀分割成多個(gè)的狀態(tài)下成形，然后組裝成圓筒形狀。
如果這樣，因?yàn)樵诟魺釅K36中也形成游隙(易動(dòng)度)，所以即使向隔熱塊36施加了應(yīng)力也難以分開。優(yōu)選的是，如果進(jìn)行四分割，則在尺寸方面也較好。
在主體37的下端部，以將主體37內(nèi)周的一部分切開成圓環(huán)形狀的狀態(tài)形成有結(jié)合凸部38。在主體37的上端部，以將主體37外周的一部分切開成圓環(huán)形狀的狀態(tài)形成有結(jié)合凹部39。
此外，在主體37上端的內(nèi)周側(cè)形成有向內(nèi)側(cè)方向突出的突出部37a(參照?qǐng)D3(c))。
在相鄰的上下的隔熱塊36的突出部37a之間，以一定的深度、一定的高度形成有用于安裝發(fā)熱體的安裝槽(凹部)40，以使其成為將側(cè)壁部35的內(nèi)周面切開成圓環(huán)形狀的狀態(tài)。對(duì)于各個(gè)隔熱塊36各形成有一個(gè)安裝槽40，成為一個(gè)封閉的圓形。
在安裝槽40的內(nèi)周面，如圖3(b)所示，沿周向大致等間隔地安裝有多個(gè)用于將發(fā)熱體定位保持的U字釘形狀的保持用具41。
安裝槽40形成為，其上下方向的寬度隨著接近圓筒形狀的側(cè)壁部35的外徑方向(與圓筒的中心相反的方向)即槽底40a而逐漸變窄。即，在安裝槽40的上下一對(duì)側(cè)壁上形成有錐面40b、40c，兩個(gè)錐面40b、40c間的距離越接近槽底40c越小。
此外，換一種說法，安裝槽40的垂直方向的一對(duì)側(cè)壁的間隔，從側(cè)壁的頂部(突出部37a的內(nèi)周面上)開始越接近安裝槽40的底部(槽底40a的內(nèi)周面上)就變得越小。
另外，如圖3(c)所示，錐面40b形成在安裝槽40的垂直方向的一對(duì)側(cè)壁中的上側(cè)側(cè)壁上，比收納在安裝槽40中的發(fā)熱體42位于垂直方向上側(cè)，朝著安裝槽40的圓筒形狀半徑方向中心側(cè)逐漸向垂直方向上側(cè)變大。
此外，錐面40c形成在安裝槽40的垂直方向的一對(duì)側(cè)壁中的下側(cè)側(cè)壁上，比收納在安裝槽40中的發(fā)熱體42位于垂直方向下側(cè)，朝著安裝槽40的圓筒形狀半徑方向中心側(cè)逐漸向垂直方向下側(cè)變大。
在發(fā)熱體42中采用Fe-Cr-Al合金或MoSi2及SiC等電阻發(fā)熱材料。發(fā)熱體42如圖3(a)所示，為波浪形的平板形狀。此外，上側(cè)波部42a和上側(cè)間隙43a、及下側(cè)波部42b和下側(cè)間隙43b分別交替地形成。它們通過沖壓加工或激光切割加工等一體成形。
發(fā)熱體42沿著隔熱塊36的內(nèi)周設(shè)置成圓環(huán)形狀。發(fā)熱體42所形成的圓環(huán)形狀的外徑比隔熱塊36的安裝槽40的內(nèi)徑(內(nèi)周面的直徑)小一些。發(fā)熱體42沿著隔熱塊36的內(nèi)周設(shè)置成圓環(huán)形狀。發(fā)熱體42所形成的圓環(huán)形狀的外徑比隔熱塊36的安裝槽40的內(nèi)徑(內(nèi)周面的直徑)小一些。
此外，發(fā)熱體42所形成的圓環(huán)形狀的內(nèi)徑比隔熱塊36的突出部37a的內(nèi)徑稍大一些。
如上所述，形成了呈圓環(huán)形狀的發(fā)熱體42的圓筒部51。
如圖1～圖3所示，發(fā)熱體42的圓筒部51被設(shè)置在隔熱塊36的每個(gè)安裝槽40中。在其上下段隔離地設(shè)置著相鄰的其他發(fā)熱體42的圓筒部51。
如圖3(a)、圖3(b)所示，多個(gè)保持用具41、41被分別配置在從上側(cè)間隙43a的下端到下側(cè)間隙43b的上端的位置，并插入隔熱塊36中。這樣，以從安裝槽40的內(nèi)周面離開的狀態(tài)保持發(fā)熱體42。
如圖2及圖3所示，在發(fā)熱體42的圓筒部51的兩端部44、44，一對(duì)供電部45、46分別與圓環(huán)形狀的圓周方向呈直角、且向半徑方向外側(cè)彎曲地形成。在一對(duì)供電部45、46的前端部，一對(duì)連接部47、48分別與供電部45、46呈直角地彎曲而形成，且相互為相反方向。
為了抑制一對(duì)供電部45、46的發(fā)熱量的降低，一對(duì)供電部45、46的間隔設(shè)定得較小。
優(yōu)選的是，將一對(duì)供電部45、46從圓環(huán)形狀的圓周方向朝半徑方向外側(cè)的分別彎曲成直角的部位，設(shè)為發(fā)熱體42的上側(cè)波部42a的最上部附近或下側(cè)波部42b的最下部附近。
通過這樣，能夠進(jìn)一步?jīng)]有間隙地將發(fā)熱體鋪設(shè)在一對(duì)供電部45、46上。
在與一對(duì)供電部45、46的位置對(duì)應(yīng)的圓筒形狀的隔熱塊36上，分別形成有一對(duì)插通槽49、50。兩個(gè)插通槽49、50從安裝槽40側(cè)沿圓筒形狀的半徑方向達(dá)到主體37的外周側(cè)而形成。兩個(gè)供電部45、46分別插通在兩個(gè)插通槽49、50中。
另外，兩個(gè)插通槽49、50也可以是，在插通兩個(gè)供電部45、46之前，包含兩個(gè)插通槽49、50之間在內(nèi)，兩個(gè)插通槽49、50形成為一個(gè)插通槽，在插通兩個(gè)供電部45、46后，通過在兩個(gè)供電部45、46間埋設(shè)纖維狀或球狀的氧化鋁或二氧化硅等還具有絕緣材功能的隔熱材料，來形成隔熱壁體33及插通槽49、50。
在主體37的外周面的兩個(gè)插通槽49、50部分，設(shè)有絕緣子(以下，稱作外側(cè)絕緣子)52。
外側(cè)絕緣子52使用氧化鋁或二氧化硅等具有耐熱性的作為絕緣材料的陶瓷，通過燒結(jié)法等適當(dāng)制法，能夠使硬度、彎曲強(qiáng)度及密度比隔熱塊36高。
如圖4(a)所示，外側(cè)絕緣子52為大致正方形，一體成形為具有一點(diǎn)曲面R1的平盤形狀，并被固定在主體37的外周面上，該曲面R1與隔熱塊36的外周面的曲面對(duì)應(yīng)，。
外側(cè)絕緣子52具有至少與隔熱塊36同等以上的硬度、同等以上的彎曲強(qiáng)度及同等以上的密度。
另外，優(yōu)選的是，如果外側(cè)絕緣子52的硬度比隔熱塊36的硬度高，則能夠有效地抑制發(fā)熱體42的翹曲。
此外，優(yōu)選的是，如果外側(cè)絕緣子52的彎曲強(qiáng)度及/或密度比隔熱塊36的彎曲強(qiáng)度及/或密度高，則能夠有效地抑制發(fā)熱體42的翹曲。
在外側(cè)絕緣子52的上部，分別形成有用于插通一對(duì)供電部的作為插通部的一對(duì)保持槽53、54。兩個(gè)保持槽53、54的位置對(duì)應(yīng)于兩個(gè)插通槽49、50的位置，大體為相同位置。在兩個(gè)保持槽53、54中分別插通并保持著插通在兩個(gè)插通槽49、50中的兩個(gè)供電部45、46。
優(yōu)選的是，如圖4(a)所示，保持槽53、54可以切開到外側(cè)絕緣子52的最上部而形成。這是因?yàn)椋谠O(shè)置了一對(duì)供電部后，能夠安裝、更換外側(cè)絕緣子52。但是，保持槽53、54也可以不切開到外側(cè)絕緣子52的最上部，而是形成孔狀。
通過外側(cè)絕緣子52的兩個(gè)保持槽53、54保持發(fā)熱體42的供電部45、46，能夠抑制發(fā)熱體42的翹曲。兩個(gè)保持槽53、54的間隔對(duì)應(yīng)于主體37的兩個(gè)插通槽49、50的間隔，為相同的間隔。
這里，所謂的發(fā)熱體42的翹曲，是指通過對(duì)發(fā)熱體42供電而使發(fā)熱體42發(fā)生熱膨脹、或通過停止供電而發(fā)生熱收縮，從原來配置的位置偏移、或移動(dòng)、或扭轉(zhuǎn)而運(yùn)動(dòng)的現(xiàn)象。
在安裝槽40的內(nèi)周面的對(duì)應(yīng)于兩個(gè)插通槽49、50的部位，抵接固定有絕緣子(以下，稱作內(nèi)側(cè)絕緣子)55。
內(nèi)側(cè)絕緣子55使用氧化鋁或二氧化硅等的具有耐熱性的作為絕緣材料的陶瓷，通過燒結(jié)法等適當(dāng)制法，能夠使硬度、彎曲強(qiáng)度及密度比隔熱塊36高。例如，使內(nèi)側(cè)絕緣子55的氧化鋁成分的含有率比隔熱塊36高，能夠提高硬度、彎曲強(qiáng)度及密度。
如圖4(b)所示，內(nèi)側(cè)絕緣子55為大致正方形，一體成形為具有一點(diǎn)曲面R2的平盤形狀，并被固定在主體37的外周面上，該曲面R2與隔熱塊36的內(nèi)周面的曲面相對(duì)應(yīng)。
內(nèi)側(cè)絕緣子55至少具備與隔熱塊36同等以上的硬度。
另外，優(yōu)選的是，如果使內(nèi)側(cè)絕緣子55的硬度比隔熱塊36的硬度高，則能夠有效地抑制發(fā)熱體42的翹曲。
此外，優(yōu)選的是，如果使內(nèi)側(cè)絕緣子55的彎曲強(qiáng)度及/或密度比隔熱塊36的彎曲強(qiáng)度及/或密度高，則能夠有效地抑制發(fā)熱體42的翹曲。
在內(nèi)側(cè)絕緣子55的上部，分別形成有用于插通一對(duì)供電部的作為插通部的一對(duì)保持槽56、57。兩個(gè)保持槽56、57的位置對(duì)應(yīng)于兩個(gè)插通槽49、50的位置，大體為相同位置。在兩個(gè)保持槽56、57中分別插通并保持著插通在兩個(gè)插通槽49、50中的兩個(gè)供電部45、46。
優(yōu)選的是，如圖4(b)所示，保持槽56、57可以切開到內(nèi)側(cè)絕緣子55的最上部而形成。這是因?yàn)?，在設(shè)置了一對(duì)供電部后，能夠安裝、更換內(nèi)側(cè)絕緣子55。但是，保持槽56、57也可以不切開到內(nèi)側(cè)絕緣子55的最上部，而是形成孔狀。
通過內(nèi)側(cè)絕緣子55的兩個(gè)保持槽56、57保持發(fā)熱體42的供電部45、46，能夠抑制發(fā)熱體42的翹曲。兩個(gè)保持槽56、57的間隔對(duì)應(yīng)主體37的兩個(gè)插通槽49、50的間隔，為相同的間隔。
在內(nèi)側(cè)絕緣子55的內(nèi)側(cè)端面(與隔熱塊36的相反側(cè)的端面、即發(fā)熱體42的圓筒部51側(cè)的端面)上，在兩個(gè)保持槽56、57之間，設(shè)有隔開發(fā)熱體42的一對(duì)供電部45、46及圓筒部51的隔壁部58。隔壁部58的厚度(t)是，在其抵接于安裝槽40的內(nèi)周面上固定時(shí)，使其至少可設(shè)置到發(fā)熱體42的圓筒部51的內(nèi)周面上的位置。
優(yōu)選的是，如圖2所示，隔壁部58的厚度(t)可以是，在其抵接于安裝槽40的內(nèi)周面上固定時(shí)，應(yīng)越過發(fā)熱體42的圓筒部51的內(nèi)周面上而設(shè)置到圓筒部51的內(nèi)側(cè)。通過這樣，能夠有效地隔開發(fā)熱體42的一對(duì)供電部45、46及圓筒部51。
此外，隔壁部58的高度(h)是如下的尺寸(h)，即在其抵接于安裝槽40的內(nèi)周面上固定時(shí)，至少與發(fā)熱體42的板寬度同等以上的值。此外，隔壁部58被設(shè)置在與兩個(gè)保持槽56、57相同高度的位置，以使其能夠?qū)⒁粚?duì)供電部45、46設(shè)置在相同高度的位置，從而隔開發(fā)熱體42的一對(duì)供電部45、46。
優(yōu)選的是，隔壁部58的高度(h)如圖3(a)所示，可以設(shè)為在抵接于安裝槽40的內(nèi)周面上設(shè)置固定時(shí)，比發(fā)熱體42的圓筒部51的上側(cè)波部42a的最上部的高度和下側(cè)波部42b的最下部的高度之間的值(h1)大。通過這樣，能夠有效地隔開一對(duì)供電部45、46及圓筒部51。
隔壁部58從內(nèi)側(cè)絕緣子55的內(nèi)側(cè)端面向兩側(cè)形成并設(shè)有彎曲部R3。通過設(shè)置該彎曲部R3，能夠容易形成內(nèi)側(cè)絕緣子55，并且增加內(nèi)側(cè)絕緣子55的強(qiáng)度，即使發(fā)熱體42的圓筒部51膨脹、伸長(zhǎng)，與隔壁部58接觸，內(nèi)側(cè)絕緣子55也不易破裂。
另外，彎曲部R3不僅可以做成曲面形狀，也可以做成由平坦面構(gòu)成的錐狀。
如圖2及圖3所示，在上段側(cè)的發(fā)熱體42的一個(gè)連接部(以下稱作正側(cè)連接部)47上焊接著供電端子61，在另一個(gè)連接部(以下稱作負(fù)側(cè)連接部)48上焊接著搭接線62的上端部。搭接線62的下端部與下段側(cè)的發(fā)熱體42的正側(cè)連接部47連接。
因而，下段側(cè)的發(fā)熱體42的正側(cè)連接部47位于上段側(cè)的發(fā)熱體42的負(fù)側(cè)連接部48的正下方附近，成為下段側(cè)的發(fā)熱體42的圓筒部51的兩端部44、44比上段側(cè)的發(fā)熱體42的圓筒部51的兩端部44、44向周向偏移這部分距離的狀態(tài)。
搭接線62為了將來自搭接線62表面的散熱抑制為較小，采用Fe-Cr-Al合金或MoSi2及SiC等電阻發(fā)熱材料，剖面形成為圓形的圓棒形狀。但是，根據(jù)搭接線的電流容量的情況，搭接線62也可以將剖面形成為四邊形的角棒形狀。
如圖2及圖5所示，在加熱器單元30的殼體31的外周面上與供電端子51的設(shè)置場(chǎng)所對(duì)應(yīng)的位置，覆蓋著包覆兩個(gè)連接部47、48及搭接線62的端子殼體63，在端子殼體63的內(nèi)部填充有玻璃纖維等隔熱材料64。在端子殼體63中經(jīng)由絕緣子65插入有多個(gè)供電端子61。
接著，簡(jiǎn)單地說明利用有關(guān)上述結(jié)構(gòu)的CVD裝置來制造IC等半導(dǎo)體裝置的制造方法的成膜工序。
如圖1所示，如果將多片薄片1裝填在晶舟22上(晶片裝料)，則保持了多片晶片1的晶舟22被晶舟升降機(jī)21提起而送入到處理室11中(晶舟裝載)。
在該狀態(tài)下，密封蓋20成為將岐管16的下端開口密封的狀態(tài)。
反應(yīng)管11的內(nèi)部通過排氣管17被真空排氣，成為規(guī)定的壓力(真空度)。
此外，反應(yīng)管11的內(nèi)部被加熱器單元30加熱，成為規(guī)定的溫度。此時(shí)，根據(jù)溫度傳感器24所檢測(cè)到的溫度信息，反饋控制向加熱器單元30的發(fā)熱體42的通電狀況，以使處理室14內(nèi)成為規(guī)定的溫度分布。
接著，晶舟22通過旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)25被旋轉(zhuǎn)，由此晶片1旋轉(zhuǎn)。
接著，通過氣體導(dǎo)入管23將控制為規(guī)定流量的原料氣體向處理室14內(nèi)導(dǎo)入。
被導(dǎo)入的原料氣體在處理室14內(nèi)上升，從內(nèi)管13的上端開口流出到排氣通路18，然后從排氣管17被排放。
原料氣體在通過處理室14內(nèi)時(shí)與晶片1的表面接觸，此時(shí)，通過熱CVD反應(yīng)將薄膜沉積在晶片1的表面上。
如果經(jīng)過了預(yù)先設(shè)定的處理時(shí)間，則從惰性氣體供給源(未圖示)供給惰性氣體，處理室14內(nèi)被置換為惰性氣體，并且使處理室14內(nèi)的壓力恢復(fù)到常壓。
然后，通過晶舟升降機(jī)21使密封蓋20下降，將岐管16的下端開口，并且在將處理后的晶片1保持在晶舟22上的狀態(tài)下，從岐管16的下端送出到反應(yīng)管11的外部(晶舟卸載)。
然后，將處理后的晶片1從晶舟22中取出(晶片卸料)。
但是，加熱器單元30的發(fā)熱體42如果溫度上升，則因熱膨脹而伸長(zhǎng)，所以整體上圓環(huán)形狀的發(fā)熱體42的圓筒部51的直徑變大。如果發(fā)熱體42的直徑變大，則發(fā)熱體42被保持用具41僅限制了向隔熱壁體33的中心方向的移動(dòng)，所以發(fā)熱體42在安裝槽40內(nèi)成為向半徑方向外側(cè)移動(dòng)的狀態(tài)。
例如，如圖6(a)所示，在上下的側(cè)壁相互平行地形成的安裝槽40’的情況下，在安裝槽40’內(nèi)向半徑方向外側(cè)移動(dòng)時(shí)，有可能發(fā)熱體42卡在安裝槽40’的側(cè)壁面上，被卡住的部位成為固定端，通過這樣的作用發(fā)熱體會(huì)變形。
此外，同樣地，如果發(fā)熱體在熱膨脹時(shí)卡在安裝槽40’的側(cè)壁面上，在該卡住的狀態(tài)下發(fā)熱體42降溫而收縮，則卡住的部分成為固定端，通過這樣的作用發(fā)熱體會(huì)變形。在這種變形積累的情況下、或變形大的情況下，有可能導(dǎo)致發(fā)熱體42斷裂。此外，因熱膨脹而使上側(cè)波部42a向上側(cè)、下側(cè)波部42b向下側(cè)分別伸長(zhǎng)，所以安裝槽40的兩側(cè)壁與發(fā)熱體42的距離變窄，所以上述的問題更為顯著。但是，在本實(shí)施方式中，由于在安裝槽40的兩側(cè)壁上形成有錐面40b、40c，所以如圖6(b)所示，當(dāng)在安裝槽40內(nèi)向半徑方向外側(cè)移動(dòng)時(shí)，能夠防止發(fā)熱體42卡在安裝槽40的側(cè)壁面上。此外，即使發(fā)熱體42在熱膨脹時(shí)向一個(gè)側(cè)壁側(cè)偏移，發(fā)熱體42也會(huì)在錐面上滑動(dòng)，能夠收容在規(guī)定的上下位置上。
因此，即使發(fā)熱體42降溫而收縮，發(fā)熱體42也會(huì)在安裝槽40內(nèi)向半徑方向內(nèi)側(cè)移動(dòng)而返回到原位置。即，能夠?qū)殡S著發(fā)熱體42的熱膨脹及熱收縮的變形、劣化、斷裂防止于未然。
另外，優(yōu)選的是，安裝槽40的槽底40a的垂直方向(上下方向)的寬度，可以設(shè)為至少比發(fā)熱體42的圓筒部51的上側(cè)波部42a的最上部的高度和下側(cè)波部42b的最下部的高度之間的值(h1)大的寬度。通過這樣，不會(huì)一直到安裝槽40的槽底40a，發(fā)熱體42被卡在側(cè)壁面上，而能夠熱膨脹。
根據(jù)上述實(shí)施方式，能夠得到下面的效果。
(1)通過使安裝了發(fā)熱體的安裝槽的側(cè)壁傾斜，以使側(cè)壁間的距離越接近槽底越小，在隨著熱膨脹而發(fā)熱體在安裝槽內(nèi)向半徑方向外側(cè)移動(dòng)時(shí)，能夠防止發(fā)熱體卡在安裝槽的側(cè)壁面上。其結(jié)果，即使發(fā)熱體降溫而收縮，發(fā)熱體也能夠在安裝槽內(nèi)朝著半徑方向內(nèi)側(cè)移動(dòng)而返回到原位置。
(2)通過防止伴隨發(fā)熱體的熱膨脹及熱收縮的發(fā)熱體的變形及應(yīng)力負(fù)荷，能夠?qū)㈦S著發(fā)熱體的熱膨脹及熱收縮而發(fā)生的發(fā)熱體的劣化及斷裂防止于未然，所以能夠延長(zhǎng)發(fā)熱體的壽命。
(3)通過使伴隨發(fā)熱體的熱膨脹及熱收縮的發(fā)熱體的上下方向(垂直方向)的移動(dòng)在期望的范圍內(nèi)，將反應(yīng)管內(nèi)的晶舟上沿上下方向(垂直方向)鋪設(shè)的晶片加熱時(shí)的上下方向的晶片間的溫度向發(fā)熱體的上下方向的移動(dòng)，能夠防止對(duì)晶片的溫度分布劣化、或產(chǎn)生了再調(diào)整為適當(dāng)?shù)臏囟确植嫉男枰?，所以能夠提高加熱器單元及CVD裝置的性能。
另外，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，當(dāng)然可以在不脫離其主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種改變。
例如，隔熱壁體并不限于將多個(gè)隔熱塊在垂直方向上層疊而構(gòu)筑成一個(gè)筒體的結(jié)構(gòu)，也可以一體地形成。
外側(cè)絕緣子及內(nèi)側(cè)絕緣子并不限于使用上述實(shí)施方式的部件，也可以省略。
本發(fā)明涉及的隔熱壁體并不限于適用于CVD裝置的加熱器單元中的發(fā)熱體的保持構(gòu)造體，也能夠普遍適用于氧化膜形成裝置、擴(kuò)散裝置及退火裝置的加熱器單元等的加熱裝置的所有隔熱壁體。
再者，本發(fā)明涉及的基板處理裝置并不限于適用于CVD裝置，也能夠普遍適用于氧化膜形成裝置、擴(kuò)散裝置及退火裝置等所有基板處理裝置。
權(quán)利要求
1.一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其特征在于，其形成如下結(jié)構(gòu)具有用于將發(fā)熱體收納在該圓筒形狀的內(nèi)周面上的安裝槽；形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁的間隔，隨著接近槽底而變小。
2.一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其特征在于，其形成如下結(jié)構(gòu)具有用于將發(fā)熱體收納在該圓筒形狀的內(nèi)周面上的安裝槽；形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁的間隔，從上述安裝槽的底部朝著該側(cè)壁的頂部逐漸變大。
3.一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其特征在于，其形成如下結(jié)構(gòu)具有用于將發(fā)熱體收納在該圓筒形狀的內(nèi)周面上的安裝槽形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁的間隔，從上述安裝槽的底部朝著上述圓筒形狀的半徑方向中心側(cè)逐漸變大。
4.一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其特征在于，其形成如下結(jié)構(gòu)具有用于將發(fā)熱體收納在該圓筒形狀的內(nèi)周面上的安裝槽形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁中的、比上述發(fā)熱體位于垂直方向上側(cè)的側(cè)壁，朝著上述圓筒形狀的半徑方向中心側(cè)逐漸向垂直方向上側(cè)變大；形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁中的、比上述發(fā)熱體位于垂直方向下側(cè)的側(cè)壁，朝著上述圓筒形狀的半徑方向中心側(cè)逐漸向垂直方向下側(cè)變大。
5.一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其特征在于，其形成如下結(jié)構(gòu)具有用于將發(fā)熱體收納在該圓筒形狀的內(nèi)周面上的安裝槽上述安裝槽的垂直方向的寬度形成為至少比上述發(fā)熱體的垂直方向的上下端大，該寬度朝著上述圓筒形狀的半徑方向中心側(cè)逐漸變大。
6.一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其特征在于，其形成如下結(jié)構(gòu)層疊有多個(gè)圓筒形狀的隔熱塊，該隔熱塊具有用于將發(fā)熱體收納在內(nèi)周面上的安裝槽；在上述隔熱塊中的一個(gè)上形成有第一側(cè)壁，該第一側(cè)壁成為形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁中的一個(gè)；在與形成有上述第一側(cè)壁的隔熱塊相鄰地層疊的隔熱塊上，形成有與上述第一側(cè)壁對(duì)置、并成為形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁中的另一個(gè)的第二側(cè)壁；上述第一側(cè)壁與上述第二側(cè)壁的間隔，從上述安裝槽的底部朝著該安裝槽的頂部逐漸變大。
7.一種隔熱壁體，是用于基板處理裝置中的加熱裝置的圓筒形狀的隔熱壁體，其特征在于，其形成如下結(jié)構(gòu)層疊有多個(gè)圓筒形狀的隔熱塊，該隔熱塊具有用于將發(fā)熱體收納在內(nèi)周面上的安裝槽；在上述隔熱塊的下端部，以將上述隔熱塊的內(nèi)周的一部分切開成圓環(huán)形狀的狀態(tài)形成有結(jié)合凸部；在上述隔熱塊的上端部，以將上述隔熱塊的外周的一部分切開成圓環(huán)形狀的狀態(tài)形成有結(jié)合凹部；在上述隔熱塊的內(nèi)周面的上端和與該隔熱塊鄰接的隔熱塊的內(nèi)周面的上端之間，形成有上述安裝槽；形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁的間隔，從上述安裝槽的底部朝著該側(cè)壁的頂部逐漸變大。
8.如權(quán)利要求1所述的隔熱壁體，其特征在于，上述安裝槽在垂直方向上形成有多個(gè)。
9.如權(quán)利要求1所述的隔熱壁體，其特征在于，由絕緣材料形成。
10.如權(quán)利要求1所述的隔熱壁體，其特征在于，上述發(fā)熱體具有波形的平板形狀，包括沿上述安裝槽的內(nèi)周面設(shè)置成圓筒狀的圓筒部、和設(shè)置于該圓筒部的兩端部的一對(duì)供電部；具有至少收納上述發(fā)熱體的上述圓筒部的上述安裝槽。
11.如權(quán)利要求10所述的隔熱壁體，其特征在于，具有插通槽，該插通槽從用于插通上述一對(duì)供電部的上述安裝槽側(cè)朝著圓筒形狀的半徑方向到達(dá)上述隔熱壁體的外周側(cè)而形成。
12.如權(quán)利要求1所述的隔熱壁體，其特征在于，上述發(fā)熱體具有波形的平板形狀，上側(cè)波部和上側(cè)間隙部以及下側(cè)波部和下側(cè)間隙分別交替地形成著，具有至少收納上述發(fā)熱體的圓筒部的上述安裝槽。
13.如權(quán)利要求1所述的隔熱壁體，其特征在于，上述發(fā)熱體具有波形的平板形狀，上側(cè)波部和上側(cè)間隙部以及下側(cè)波部與下側(cè)間隙分別交替地形成著；具有收納上述發(fā)熱體的圓筒部的上述安裝槽，上述安裝槽由成為形成該安裝槽的上述一對(duì)側(cè)壁中的一個(gè)且比上述上側(cè)波部位于垂直方向上側(cè)的側(cè)壁、和成為上述一對(duì)側(cè)壁中的另一個(gè)且比上述下側(cè)波部位于垂直方向下側(cè)的側(cè)壁形成。
14.如權(quán)利要求6所述的隔熱壁體，其特征在于，上述發(fā)熱體具有波形的平板形狀，上側(cè)波部和上側(cè)間隙部以及下側(cè)波部與下側(cè)間隙分別交替地形成著；具有收納上述發(fā)熱體的圓筒部的上述安裝槽，上述安裝槽由成為形成該安裝槽的上述一對(duì)側(cè)壁中的一個(gè)且比上述上側(cè)波部位于垂直方向上側(cè)的上述第一側(cè)壁、和成為上述一對(duì)側(cè)壁中的另一個(gè)且比上述下側(cè)波部位于垂直方向下側(cè)的上述第二側(cè)壁形成。
15.如權(quán)利要求1所述的隔熱壁體，其特征在于，具有以一個(gè)封閉的圓形形成的上述安裝槽。
16.如權(quán)利要求1所述的隔熱壁體，其特征在于，在上述圓筒形狀的圓周方向上被分割成多個(gè)。
17.如權(quán)利要求1所述的隔熱壁體，其特征在于，上述槽底的寬度設(shè)置為與上述發(fā)熱體的板寬度同等以上的值。
18.如權(quán)利要求1所述的隔熱壁體，其特征在于，為了將具有波形的平板形狀、并具有上側(cè)波部和上側(cè)間隙部以及下側(cè)波部與下側(cè)間隙分別交替地形成著的上述圓筒部的上述發(fā)熱體隔離，上述槽底的高度設(shè)置成比上述發(fā)熱體的上側(cè)波部的最上部的高度和下側(cè)波部的最下部的高度之間的值h1大。
19.一種加熱裝置，其特征在于，具有上述權(quán)利要求1、8～18中任一項(xiàng)所述的隔熱壁體。
20.一種加熱裝置，其特征在于，具有上述權(quán)利要求14所述的隔熱壁體。
21.一種基板處理裝置，其特征在于，具有上述權(quán)利要求19所述的加熱裝置；并具備處理室，被該加熱裝置加熱，處理被處理基板；氣體導(dǎo)入管，將氣體導(dǎo)入到上述處理室；以及排氣管，將上述處理室排氣。
22.一種基板處理裝置，其特征在于，具有上述權(quán)利要求20所述的加熱裝置；并具備處理室，被該加熱裝置加熱，處理被處理基板；氣體導(dǎo)入管，將氣體導(dǎo)入到上述處理室；以及排氣管，將上述處理室排氣。
23.一種發(fā)熱體的保持構(gòu)造體，用于基板處理裝置，其特征在于，其形成如下結(jié)構(gòu)在形成為圓筒形狀的隔熱壁體的內(nèi)周面上形成有安裝槽，在該安裝槽內(nèi)設(shè)置著上述發(fā)熱體，形成上述安裝槽的一對(duì)側(cè)壁的間隔隨著接近槽底而變小。
全文摘要
一種隔熱壁體，防止發(fā)熱體的卡掛，將發(fā)熱體的變形防止于未然。在設(shè)有發(fā)熱體(42)的安裝槽(40)的側(cè)壁上設(shè)有傾斜的錐面(40b、40c)，該錐面(40b、40c)是朝著隔熱壁體(33)的中心方向而遠(yuǎn)離發(fā)熱體(42)。在隨著熱膨脹而發(fā)熱體(42)在安裝槽(40)內(nèi)向半徑方向外側(cè)移動(dòng)時(shí)，能夠防止發(fā)熱體(42)被卡在安裝槽(40)的錐面(40b、40c)上，所以即使發(fā)熱體(42)降溫而收縮，發(fā)熱體(42)也能夠在安裝槽(40)內(nèi)向半徑方向內(nèi)側(cè)移動(dòng)而返回到原位置。通過防止發(fā)熱體的伴隨著熱膨脹及熱收縮的變形，能夠?qū)殡S著發(fā)熱體的熱膨脹及熱收縮而發(fā)生的發(fā)熱體的斷裂防止于未然，所以能夠延長(zhǎng)發(fā)熱體的壽命。
文檔編號(hào)H01L21/67GK1941287SQ200610071079
公開日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2006年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月26日
發(fā)明者杉浦忍, 立野秀人, 村田等 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立國(guó)際電氣