專利名稱：功率蕭特基整流裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種蕭特基半導(dǎo)體及其制造方法，尤指一種功率蕭特基整流裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
蕭特基(Schottky)半導(dǎo)體是一種重要的功率裝置，廣泛使用于交換式功率供應(yīng)器的輸出整流器部分，及其它高速功率交換的應(yīng)用，如馬達(dá)，通訊用的交換機(jī)，工業(yè)上自動(dòng)化機(jī)械及電子類的自動(dòng)化機(jī)械等等。一般功率裝置具備有較大的順向電流，較高的逆向偏壓阻抗電壓，比如大于100伏特，以及較小的逆向偏壓漏電流的特性。
多數(shù)的功率整流器被使用于提供大電流及具有逆向阻抗的特性。有關(guān)Schottky阻障功率整流器的制造工藝，典型的實(shí)施例可參照由Chang et.al.揭露于美國(guó)第6,404,033號(hào)專利。其制造工藝如圖1A到圖1C所示。參考圖1A，一半導(dǎo)體基板具有一n+重?fù)诫s層10與一n-漂移層(磊晶層)12延伸至第一表面13。一場(chǎng)氧化層14形成于第一表面13上。之后將場(chǎng)氧化層圖案化用以定義護(hù)環(huán)區(qū)域(guard ring)22于終止區(qū)(termination region)。護(hù)環(huán)區(qū)域系藉由B+與BF2+的雙布植作為導(dǎo)電雜質(zhì)下埋于n-漂移層12內(nèi)。隨后，進(jìn)行退火制造工藝用以進(jìn)行雜質(zhì)驅(qū)入并活化雜質(zhì)。其后，將第二光阻圖案24涂布于前述步驟所完成的表面上用以定義陽(yáng)極范圍。其結(jié)果如圖所示于圖1B。
參照?qǐng)D1C，利用一濕式蝕刻除去暴露出的場(chǎng)氧化層14。待移除光阻圖案24后，再將另一含有開(kāi)口的光阻圖案28形成于前述步驟所完成的表面用以主動(dòng)區(qū)(active region)定義溝渠。采用光阻圖案28做為罩幕進(jìn)行蝕刻步驟的目的在使漂移層12產(chǎn)生向下凹陷溝渠29。另外，B+或BF2+離子布植則用來(lái)形成p型區(qū)域30并擴(kuò)散，以驅(qū)入溝渠底部。
參照?qǐng)D1D，再移除光阻圖案28后再形成Schottky阻障金屬層32于于前述所完成的表面。隨后，再覆蓋一頂部金屬層于其上。此金屬層再覆蓋第四光阻(未顯示于圖中)并進(jìn)行蝕刻制造工藝用以定義陽(yáng)極36。于n+重?fù)诫s層34的底部背面進(jìn)行一研磨制造工藝以除去于前述制造工藝中所累積的各層材料，并濺鍍一金屬層60作為電極。
揭露于美國(guó)第6,404,033號(hào)專利的Schottky阻障整流器其中描述到多條溝渠可增加表面積并提高順向電流量、于溝渠底部埋入p層30所形成p-n接面可以提高崩潰電壓。但這需要經(jīng)過(guò)四到六次罩幕的復(fù)雜制造工藝。當(dāng)處于順向偏壓時(shí)所埋入的p-n接面會(huì)引起許多少數(shù)載子電流，其結(jié)果與典型Schottky阻障整流器相比較則需要較多的反向恢復(fù)時(shí)間。而本發(fā)明的目的系在于提高崩潰電壓值，增加順向電流量，及簡(jiǎn)化生產(chǎn)過(guò)程。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭露一功率蕭特基(Schottky)整流裝置的制造工藝方法。包含下列幾個(gè)步驟首先，提供一n+重?fù)诫s半導(dǎo)體基板及一n-漂移層形成于其上的半導(dǎo)體基板，接著形成一ONO硬式罩幕層以定義多個(gè)第一溝渠與終止區(qū)溝渠，其中終止區(qū)溝渠在該半導(dǎo)體基板外圍。接著，進(jìn)行高溫制造工藝以形成一內(nèi)襯層并修補(bǔ)上述蝕刻造成的損傷(這一步驟是選擇性的)，再沉積一硅層以填滿第一溝渠及至高出硬式罩幕達(dá)一預(yù)設(shè)厚度后。隨后，進(jìn)行一熱氧化制造工藝，以氧化第一溝渠外部及終止區(qū)溝渠的硅層以形成熱氧化層。
隨后，通過(guò)微影及干式蝕刻制造工藝定義主動(dòng)區(qū)以移除部分的熱氧化層、ONO硬式罩幕層。緊接著，一金屬化制造工藝則接著進(jìn)行，用以在主動(dòng)區(qū)內(nèi)形成金屬硅化物層。最后，再形成頂部金屬層，并定義之以形成陽(yáng)極，而最后陰極則是在移除基板背面的沉積層后再形成金屬層。
于第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中，主動(dòng)區(qū)的范圍較小，而終止區(qū)更包含兩個(gè)在最外圍的第一溝渠。
于第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中，其制造工藝與第一實(shí)施例類似，但由橫截面示意圖來(lái)看，其主動(dòng)區(qū)則包含全部的第一溝渠。再者，一頂部金屬層形成于全部區(qū)域。頂部金屬層的圖案化用以定義陽(yáng)極電極。陽(yáng)極電極覆蓋住全部的第一溝渠及部分的終止區(qū)溝渠。
于第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相似，但第一溝渠與終止區(qū)溝渠，都含有一內(nèi)襯層，內(nèi)襯層的形成步驟是在移除硬式罩幕之后形成多晶硅層之前。
于第四實(shí)施例，其制造工藝與二實(shí)施例相似，但第一溝渠與終止區(qū)溝渠，都含有一內(nèi)襯層。
本發(fā)明的Schottky半導(dǎo)體屬于溝渠型的，相較于平面型的Schottky半導(dǎo)體可提供較高的崩潰電壓。
未摻雜多晶硅填充于第一溝渠內(nèi)可提高阻抗，因此降低順向少數(shù)載子電流及減少反向的恢復(fù)時(shí)間。因而Schottky半導(dǎo)體具有高速開(kāi)關(guān)切換的性能。


圖1A至1D為公知技藝的Schottky阻障半導(dǎo)體制造工藝，包含形成多條溝渠、形成位于溝渠底部的p-區(qū)域、及p+護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)于終止區(qū)處。
圖2A為依據(jù)本發(fā)明的方法形成一硬式罩幕于n-磊晶層的一橫截面示意圖。
圖2B為依據(jù)本發(fā)明的方法圖案化n-磊晶層用以形成第一溝渠及終止區(qū)溝渠，并進(jìn)行離子布植以形成p-區(qū)域的一橫截面示意圖。
圖2C為依據(jù)本發(fā)明的方法形成硅層的的一橫截面示意圖。
圖2D為依據(jù)本發(fā)明的方法進(jìn)行熱氧化以氧化位于第一溝渠外部硅層的一橫截面示意圖。
圖2E為依據(jù)本發(fā)明的方法定義一主動(dòng)區(qū)的一橫截面示意圖。
圖2F為依據(jù)本發(fā)明的方法形成阻障金屬層后再退火形成硅化物的一橫截面示意圖。
圖2G為依據(jù)本發(fā)明的方法的第一實(shí)施例Schottky半導(dǎo)體的一橫截面示意圖。
圖2H為依據(jù)本發(fā)明的方法之第二實(shí)施例Schottky半導(dǎo)體的一橫截面示意圖。
圖3A為依據(jù)本發(fā)明的方法圖案化n-磊晶層用以形成第一溝渠與終止區(qū)溝渠。以氧化層為硬式罩進(jìn)行離子布植產(chǎn)生p-區(qū)域的一橫截面示意圖。
圖3B為依據(jù)本發(fā)明的方法移除硬式罩幕再形成熱氧化物內(nèi)襯層的一橫截面示意圖。
圖3C為依據(jù)本發(fā)明的方法形成硅層的一橫截面示意圖。
圖3D為依據(jù)本發(fā)明的方法進(jìn)行熱氧化以氧化位于第一溝渠外部硅層的一橫截面示意圖。
圖3E為依據(jù)本發(fā)明的方法定義一主動(dòng)區(qū)的一橫截面示意圖。
圖3F為依據(jù)本發(fā)明的方法形成阻障金屬層后再退火形成硅化物以完成第三實(shí)施例Schottky半導(dǎo)體的一橫截面示意圖。
圖3G為依據(jù)本發(fā)明的方法的第四實(shí)施例Schottky半導(dǎo)體的一橫截面示意圖。
具體實(shí)施例方式
由先前技藝所描述，傳統(tǒng)技術(shù)制作功率整流裝置與其終止區(qū)結(jié)構(gòu)需要四到六次的罩幕制造工藝。而本發(fā)明可簡(jiǎn)單化制造工藝且僅需三次罩幕制造工藝。將于后文做一詳盡描述。
首先形成n-漂移層(一磊晶層)101于n+摻雜基板100上。為定義溝渠，請(qǐng)參考圖2A，接著，一由墊氧化層110，一氮化物層120，一薄氧化層130堆棧的ONO堆棧層形成于n-漂移層101上。各層110、120、及130厚度分別約為5到100nm，50到300nm，以及0到1000nm。通過(guò)微影技術(shù)及蝕刻制造工藝圖案化ONO堆棧層并定義一硬式罩幕用來(lái)制造開(kāi)口135及135A。
如圖2B，一蝕刻步驟接著實(shí)施以形成溝渠135，及終止區(qū)溝渠135A并深入ONO堆棧層110、120、130以及n-漂移層101。第一溝渠135位于基板的核心部分，而終止區(qū)溝渠135A位在基板的外圍部分。之后，利用B+與BF2+離子布值p型雜質(zhì)于n-磊晶層101內(nèi)以形成位于溝渠135及135A底部下方的p區(qū)域140。布植的離子劑量及能量，就硼離子的劑量約為5×1010至5×1014/cm2，能量約為10keV到1000keV之間，而B(niǎo)F2+劑量約為5×1011到5×1015/cm2，能量約于30keV到300keV之間。
如圖2C，通過(guò)低壓氣相化學(xué)沉積法(LPCVD)沉積一未摻雜多晶硅、或非晶硅層145并填滿第一溝渠130及終止區(qū)溝渠135A直到未摻雜多晶硅、或非晶硅層145完全覆蓋住第一溝渠130并覆蓋剩余的氧化層130達(dá)一預(yù)設(shè)厚度。
參考圖2D，一熱氧化制造工藝熱氧化位于第一溝渠外的將多晶硅、或非晶硅層145，同時(shí)也使p區(qū)域140藉由橫向或縱向?qū)㈦x子擴(kuò)散進(jìn)入n-磊晶層101而擴(kuò)大。位于第一溝渠135內(nèi)的非晶硅層則轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼印?br> 如圖2E，接著，涂布一光阻圖案155于熱氧化層150上以定義一主動(dòng)區(qū)與終止區(qū)。于第一實(shí)施例中，主動(dòng)區(qū)起始于第一個(gè)與第二個(gè)溝渠之間的區(qū)間到第三與第四溝渠之間的區(qū)間止。一干式或濕式的蝕刻依序地暴露出熱氧化層150，ONO層130，120，與110直到多晶硅層145與n-漂移層101都被暴露出來(lái)。特別注意的是，于本文中所揭露之第一溝渠其總數(shù)四條是為了便利于圖例上的說(shuō)明。實(shí)際的情形，第一溝渠的總數(shù)則遠(yuǎn)大于這個(gè)數(shù)目。因此真實(shí)情況下的主動(dòng)區(qū)起始于第一與第二個(gè)溝渠的區(qū)間到第n-1個(gè)與第n個(gè)的區(qū)間，且n大于4。
參照?qǐng)D2F，去除光阻圖案155后，一阻障金屬層160沉積于整個(gè)區(qū)域。阻障金屬的材料可選擇使用Al、AlCu、AlSiCu、Ti、Ni、Cr、Mo、Pt、Zr、W等等。實(shí)施一退火制造工藝通過(guò)位于主動(dòng)區(qū)的金屬層與硅層再反應(yīng)形成金屬硅化物層165。而未發(fā)生再反應(yīng)的金屬層160可藉由濕示蝕刻作選擇性的移除。
參照?qǐng)D2G，形成一頂部金屬層于整個(gè)區(qū)域。金屬層180可以使用Al、AlCu、AlSiCu、Ti/Ni/Ag等其中之一種材料。隨后，定義一陽(yáng)極電極180即先圖案化再進(jìn)行蝕刻以移除未被覆蓋的頂部金屬層180，以及金屬層160(若先前未發(fā)生再反應(yīng)的金屬層160未移除)。陽(yáng)極電極180接觸金屬硅化物層165并延伸以覆蓋全部的第一溝渠135直至終止區(qū)溝渠135A之前。于材料背面進(jìn)行研磨至裸露出n+基板100，并形成一金屬層190做為陰極電極。
主動(dòng)區(qū)的范圍可被適當(dāng)?shù)难由?，正如同第二?shí)施例所示。例如，主動(dòng)區(qū)可包含全部的第一溝渠，如圖2H所示。其制造工藝與第一實(shí)施例中圖2E及圖.2F所描述的部份相同。于此情形，位于主動(dòng)區(qū)的陽(yáng)極電極180則延伸覆蓋到部份的終止區(qū)溝渠135A。
圖3A到圖3E為第三實(shí)施例的圖標(biāo)。參考圖3A，Schottky半導(dǎo)體基板的材質(zhì)與第一實(shí)施例相同，包含有n+摻雜基板100與n-漂移層101形成于其上。為定義溝渠，一薄氧化層110形成于n-漂移層101上，通過(guò)微影及蝕刻技術(shù)進(jìn)行圖案化以形成開(kāi)口135及135A。隨后以氧化層110作為硬式罩幕進(jìn)行一蝕刻制造工藝用以形成第一溝渠135于基板的核心區(qū)域，及終止區(qū)溝渠135A于基板的邊緣區(qū)域。接者進(jìn)行p-型雜質(zhì)布值，將B+或離子注入n-磊晶層101以形成溝渠135及135A底部的p區(qū)域140。
參考圖3B，移除剩余的氧化層110再進(jìn)行氧化制造工藝以形成氧化物內(nèi)襯層125用以修復(fù)在蝕刻過(guò)程中受損的部分。同時(shí)擴(kuò)展p區(qū)域140并活化離子。由圖3C，利用低壓氣相化學(xué)沉積法(LPCVD)沉積一未摻雜多晶硅或非晶硅層145并填滿第一溝渠130及終止區(qū)溝渠135A直到多晶硅或非晶硅層145完全填滿住第一溝渠130及覆蓋住剩余的氧化層130，達(dá)一預(yù)設(shè)的厚度。
參考圖3D。熱氧化氧化第一溝渠135外的多晶硅或非晶硅層145以形成熱氧化層150。在此步驟同時(shí)，p區(qū)域140進(jìn)一步的延伸而第一溝渠135內(nèi)的非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅。
如圖3E一光阻圖案155涂布于熱氧化層150用以定義主動(dòng)區(qū)。主動(dòng)區(qū)的范圍起始于第一個(gè)溝渠與第二個(gè)溝渠間到第三及第四之間止。接著進(jìn)行一干式或濕式蝕刻以依序暴露出熱氧化層150，ONO層130，120，與110直到多晶硅層145與n-漂移層101被暴露出來(lái)。
參考圖3F去除光阻圖案155后沉積一阻障金屬層160于整個(gè)區(qū)域。金屬材料可選擇使用Al、AlCu、AlSiCu、Ti、Ni、Cr、Mo、Pt、Zr、及W等等。而退火的制造工藝則是用以形成于主動(dòng)區(qū)內(nèi)的硅化物層165。而未發(fā)生再反應(yīng)的金屬層160可通過(guò)濕示蝕刻方式選擇性移除。
仍請(qǐng)參考圖3F，再形成一頂部金屬層于所有區(qū)域。一陽(yáng)極電極180定義其步驟經(jīng)由圖案化與蝕刻頂部金屬層180不需要的部份以及金屬層160，若金屬層160有存在的話而完成。陽(yáng)極電極180接觸主動(dòng)區(qū)內(nèi)的金屬硅化物層165，并延伸至第一溝渠135，但終止于終止區(qū)溝渠135A之前。于背面進(jìn)行金屬研磨至裸露出n+基板100，形成一金屬層190于該半導(dǎo)體基板背面做為陰極電極。
第四實(shí)施例則類似于第二實(shí)施例，其主動(dòng)區(qū)包含全部的第一溝渠135及形成于金屬硅化物層上的陽(yáng)極電極180與部分的終止區(qū)溝渠135A。第四實(shí)施例最后結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖請(qǐng)參考圖3G。
實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)如下本發(fā)明之Schottky半導(dǎo)體屬于溝渠型的，相較于平面型的Schottky半導(dǎo)體可提供較高的崩潰電壓。
未摻雜多晶硅填充于第一溝渠內(nèi)可提高阻抗，因此降低順向少數(shù)載子電流及減少反向的恢復(fù)時(shí)間。因而Schottky半導(dǎo)體具有高速開(kāi)關(guān)切換的性能。
本發(fā)明雖以較佳實(shí)例闡明如上，然其并非用以限定本發(fā)明之精神與發(fā)明實(shí)體僅止于上述實(shí)施例爾。是以，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)所作的修改，均應(yīng)包括在權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種功率蕭特基整流裝置的制造方法，其特征在于，至少包含以下步驟提供一第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的半導(dǎo)體基板，包含一摻有該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的磊晶層形成于其上；形成一硬式罩幕于磊晶層上；以硬式罩幕圖案化半導(dǎo)體基板，以形成第一溝渠及位于邊緣的終止區(qū)溝渠；進(jìn)行離子布植于第一溝渠及終止區(qū)溝渠的底部以形成一摻雜第二導(dǎo)電型雜質(zhì)的區(qū)域；沉積一未摻雜硅層于所有區(qū)域直到填滿第一溝渠并超出硬式罩幕達(dá)一預(yù)設(shè)高度；進(jìn)行熱氧化過(guò)程氧化第一溝渠外的硅層以形成一熱氧化層；通過(guò)硬式罩幕圖案化熱氧化層，以定義一主動(dòng)區(qū)及一終止區(qū)；形成一阻障金屬層于主動(dòng)區(qū)及熱氧化層上；進(jìn)行一退火制造工藝以形成一金屬硅化物層于主動(dòng)區(qū)內(nèi)；形成一頂部金屬層于金屬硅化物層與阻障金屬層上；圖案化頂部金屬層用以定義一陽(yáng)極電極；進(jìn)行化學(xué)研磨去除半導(dǎo)體基板背部于上述步驟所堆棧的各層材料并使其薄化；及形成一陰極電極于半導(dǎo)體基板的背部表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的功率蕭特基整流裝置的制造方法，其特征在于，所述的第二型摻雜區(qū)，是由B+、BF2+或兩者的離子布植所形成的，所述的硅層為一多晶硅層或非晶硅層的其中的一種。
3.如權(quán)利要求1所述的功率蕭特基整流裝置的制造方法，其特征在于，所述的阻障金屬層的構(gòu)成材料為Al、AlCu、AlSiCu、Ti、Ni、Cr、Mo、Pt、Zr、Co、W、Ti/TiN及其組合所組成的族群的其中之一，所述頂部金屬層由Al、AlCu、AlSiCu或由Ti/Ni/Ag堆棧層所形成。
4.一種功率蕭特基整流裝置的制造方法，其特征在于，至少包含以下步驟提供一第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的半導(dǎo)體基板，包含一摻有該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的磊晶層形成于其上；形成一硬式罩幕于磊晶層上；以硬式罩幕圖案化該半導(dǎo)體基板，以形成第一溝渠及位于邊緣的終止區(qū)溝渠；進(jìn)行離子布植于第一溝渠及終止區(qū)溝渠的底部以形成一摻雜第二導(dǎo)電型雜質(zhì)的區(qū)域；移除硬式罩幕；形成一熱氧化物內(nèi)襯層，于所有表面，以修復(fù)蝕刻所造成的損傷；沉積一硅層于所有區(qū)域，并填滿至溢出第一溝渠達(dá)一預(yù)定厚度；進(jìn)行一熱氧化制造工藝以氧化第一溝渠外部的硅層以形成熱氧化層；圖案化熱氧化層及熱氧化物內(nèi)襯層，以定義主動(dòng)區(qū)；形成一阻障金屬層于主動(dòng)區(qū)及熱氧化層上；進(jìn)行一退火制造工藝形成金屬硅化物層于主動(dòng)區(qū)內(nèi)；形成一頂部金屬層于金屬硅化物層及阻障金屬層上；圖案化頂部金屬層以定義陽(yáng)極電極；進(jìn)行化學(xué)研磨除去由前述步驟所累積于基板背部上的各層，使基板背部裸露并使其薄化；形成一陰極電極于基板背部。
5.一功率蕭特基整流裝置，其特征在于，包含一n+基板及一n-漂移層形成于其上；一陰極金屬層，形成于n+基板之上與n-漂移層相對(duì)；一主動(dòng)區(qū)，包含二個(gè)相間隔且填滿未摻雜多晶硅層的主動(dòng)區(qū)溝渠深達(dá)n-漂移層內(nèi)，及一金屬硅化物層形成于n-漂移層及多晶硅層上；一第一絕緣層形成于主動(dòng)區(qū)的外圍的n-漂移層上以定義終止區(qū)；兩個(gè)第一終止區(qū)溝渠穿越第一絕緣層，并深達(dá)n-漂移層內(nèi)，且分別在基板主動(dòng)區(qū)的外圍；一第二絕緣層覆蓋第一絕緣層并沿伸以覆蓋第一終止區(qū)溝渠的側(cè)壁及底部；一頂部金屬層形成于金屬硅化物層之上且延伸以覆蓋部分的第二絕緣層。
6.如權(quán)利要求5所述的功率蕭特基整流裝置，其特征在于，更包含兩個(gè)第二終止區(qū)溝渠，穿越該第一絕緣層深達(dá)n-漂移層內(nèi)且分別位于第一終止區(qū)溝渠與主動(dòng)區(qū)溝渠之間，該兩個(gè)第二終止區(qū)溝渠被未摻雜多晶硅層填滿，該第二絕緣層覆并蓋于該第二終止區(qū)溝渠的未摻雜多晶硅層。
7.如權(quán)利要求5所述的功率蕭特基整流裝置，其特征在于，所述第一終止區(qū)溝渠、主動(dòng)區(qū)溝渠更包含氧化物內(nèi)襯層形成于其內(nèi)壁及底部。
8.如權(quán)利要求5所述的功率蕭特基整流裝置，其特征在于，所述陽(yáng)極電極為一層金屬層，為Al、AlCu、AlSiCu及Ti/Ni/Ag堆棧層其中的一種。
9.一功率蕭特基整流裝置，其特征在于，包含一n+基板及一n-漂移層形成于其上；一陰極金屬層，形成于該n+基板之上與該n-漂移層相對(duì)；一主動(dòng)區(qū)，包含二個(gè)相間隔的主動(dòng)區(qū)溝渠深達(dá)該n-漂移層內(nèi)，并包含一氧化物內(nèi)襯層形成于其內(nèi)壁及底部，再填滿未摻雜多晶硅層，及一金屬硅化物層形成于n-漂移層及多晶硅層上；兩個(gè)第一終止區(qū)溝渠，形成于n-漂移層內(nèi)且分別在基板主動(dòng)區(qū)的外圍；該氧化物內(nèi)襯層并形成于主動(dòng)區(qū)外的n-漂移層上表面，并與形成于所述的兩個(gè)第一終止區(qū)溝渠的側(cè)壁及底部連續(xù)；一熱氧化層形成于主動(dòng)區(qū)外圍的氧化物內(nèi)襯層上；及一頂部金屬層形成于金屬硅化物層之上且延伸以覆蓋部分的第二絕緣層。
10.如權(quán)利要求9所述的功率蕭特基整流裝置，其特征在于，更包含兩個(gè)第二終止區(qū)溝渠，位于第一終止區(qū)溝渠與主動(dòng)區(qū)溝渠之間，該兩個(gè)第二終止區(qū)溝渠的側(cè)壁及底部包含所述的氧化物內(nèi)襯層于其上，同時(shí)包含所述的未摻雜多硅層形成于該第二終止區(qū)溝渠內(nèi)，而使得第二終止區(qū)溝渠內(nèi)的未摻雜多硅層形成于熱氧化層下。
11.如權(quán)利要求9所述的功率蕭特基整流裝置，其特征在于，所述的陽(yáng)極電極為一層金屬層，為Al、AlCu、AlSiCu及Ti/Ni/Ag堆棧層其中的一種。
全文摘要
一種功率蕭特基(Schottky)整流裝置，包括多個(gè)填滿未摻雜多晶硅層的溝渠，其各個(gè)溝渠底部皆有一p區(qū)域，當(dāng)逆向偏壓發(fā)生時(shí)用以阻抗逆向電流，并減少順向偏壓時(shí)的少數(shù)載子電流。因此功率Schottky整流裝置可提供高速開(kāi)關(guān)切換的速度。功率Schottky整流裝置形成于基板邊緣的終止區(qū)區(qū)域，本發(fā)明也提供制造方法。
文檔編號(hào)H01L29/872GK1738010SQ20051006606
公開(kāi)日2006年2月22日 申請(qǐng)日期2005年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月19日
發(fā)明者吳協(xié)霖 申請(qǐng)人:竹懋科技股份有限公司, 吳協(xié)霖