專利名稱:電纜填料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及用于通訊電纜如電纜與光纜的填料。特別地,所述填料具有低的介電常數(shù)并可在高溫下進行加工。
背景技術(shù):
目前許多通訊電纜被埋于地下。在這些應(yīng)用中,因為水可以嚴重影響電纜的性能,所以通訊電纜要能防止水向電纜中的滲透。例如,在電纜中,水破壞電導(dǎo)線的電容平衡。在光纜中,水可以損害光纜的整體性。
本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員為盡量減少水向電纜內(nèi)的滲透而采取的一種解決辦法包括用干空氣對電纜內(nèi)部加壓。雖然干空氣加壓的電纜可用于防止水向電纜內(nèi)滲透,但是這種電纜的維護成本高,因此對于埋在地下的電纜,其并不是廣為適用的解決方案。
另一個廣為實施的解決方案包括用不溶于水的填料如密封劑來填充電纜的內(nèi)部空隙,該填料塞滿電纜從而阻止水的進入。當使用填料時,通常需要考慮幾個因素,例如,填料的介電常數(shù)、密度、老化穩(wěn)定性與溫度穩(wěn)定性、組分的憎水特性、加工與處理特性、填料的遇冷收縮、毒性,以及成本。
上述技術(shù)雖然可以是有用的,但仍需要具有較低介電常數(shù)并同時兼顧到上段所列因素的不同填料。
發(fā)明概述本文公開了可用于電學(xué)系統(tǒng)或光學(xué)系統(tǒng)如電纜或光纜中的填料。在一個示例性實施方案中,所述填料包括(a)約60至95重量%的礦物油;(b)小于約10重量%的嵌段共聚物,選自由苯乙烯-乙烯/丁烯、苯乙烯-乙烯/丙烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯以及其組合組成的組;(c)小于約10重量%的石油蠟;(d)小于約20重量%的空心玻璃微球;以及(e)小于約10重量%的觸變劑,選自由粘土、膠體金屬氧化物、煅制金屬氧化物(fumed metal oxide)以及其組合組成的組。在另一示例性實施方案中,使用表面改性的煅制金屬氧化物,特別是表面改性的煅制二氧化硅。在本申請文件中,術(shù)語“約”被認為是修改了所有的數(shù)值。
在另一個示例性實施方案中,所述填料包括(a)約80.0至85.0重量%的礦物油;(b)約2.5重量%的苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯嵌段共聚物;(c)約3.0重量%的石油蠟;(d)約6.0%至11.5重量%的空心玻璃微球;(e)約3.0重量%的表面改性的煅制二氧化硅;以及(f)約0.2重量%的防老化劑(antioxidant)或穩(wěn)定劑。
如本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員所知,通過在高于1000℃下在氣相中水解四氯化硅來制備高純度精細無孔的無定形二氧化硅。參見例如Encyclopedia of Polymer Science and Engineering,Volume 7,John Wileyand Sons,1987,p.57。術(shù)語“表面改性的煅制二氧化硅”通常表示通過化學(xué)反應(yīng)或其它機理來改性煅制二氧化硅。本發(fā)明的范圍也包括原位改性煅制二氧化硅的工藝,如下面詳述地在填料的生產(chǎn)過程中原位改性煅制二氧化硅。
本發(fā)明的示例性實施方案的一個優(yōu)點在于,因為填料的介電常數(shù)低,即介電常數(shù)小于或等于1.85,所以可降低用于電纜的導(dǎo)線絕緣層的厚度并同時保持所需的互電容。由于所用絕緣材料的量較少,因此電纜將更小且更輕。由于這個優(yōu)點,所以可以生產(chǎn)低成本電纜并且不損害其性能。
在本發(fā)明中,空心玻璃微球有助于減小填料的介電常數(shù)。但是微球也可能造成問題。因為空心玻璃微球的密度小于填料中所用的其它成分的密度,所以尤其是在高溫條件下,空心玻璃微球可以相分離。本文中所用的術(shù)語“高溫”指填料經(jīng)受超過90℃,通常為約110℃的溫度。本發(fā)明的一個實施方案的一個優(yōu)點在于,由于使用觸變劑例如粘土、膠體金屬氧化物、煅制金屬氧化物及其組合,所述填料將不會相分離。
當用于電纜時,填料的滴熔點(melt drop temperature)應(yīng)足夠高以防止填料流出電纜。本發(fā)明的一個實施方案的一個優(yōu)點在于填料的滴熔點高。根據(jù)ASTM D-127所測,高滴熔點通常指滴熔點高于90℃。本發(fā)明的一個實施方案的另一優(yōu)點是在高溫條件下填料的粘度低。根據(jù)ASTM D-3236所測,粘度低是指在110℃和40秒-1(sec-1)的剪切速率下粘度小于200cP(0.2Pa·s)。低粘度材料的優(yōu)點是易處理和易加工。例如,低粘度填料可以更容易地填滿電纜中存在的空隙。低粘度還使填料可在高溫下加工。在電纜的生產(chǎn)過程中,可以冷卻本發(fā)明的填料,但這不是必須的。本發(fā)明的一個實施方案的還一個優(yōu)點是填料的密度低。密度低是指密度低于0.8g/cm3,并且在一些應(yīng)用中可以低于0.5g/cm3。密度的變化取決于空心玻璃微球的含量。希望使用低密度填料,因為當其用于電纜時,其對電纜重量的貢獻較少,因而所得電纜較輕。
本發(fā)明的填料可用于各種電學(xué)、光電(即,光學(xué)器件與電學(xué)器件的組合)以及光學(xué)的用途。這些用途的說明性例子包括電纜、接頭和封器(closure)。接頭的說明性例子包括,但不限于,分離接頭(discreteconnectors)、標準接頭、接頭盒(connector boxes)以及滑脂盒。封器的說明性例子包括,但不限于,引入線(drop wire)封器、填充(filled)封器、包埋(buried)封器以及接線板。
以上本發(fā)明概述的目的不是描述本發(fā)明的每個公開的實施方案。附圖以及后面的詳細描述將更具體地說明本發(fā)明的實施方案。
附圖簡要說明參考下面的附圖可更好地理解本發(fā)明,其中
圖1是本發(fā)明的示例性電纜的示意截面圖,和圖2顯示了對觸變性材料而言溶液粘度與剪切速率之間的相互作用。
附圖不是按比例尺繪制的,因此僅用于說明性目的。
詳細描述圖1顯示了使用本發(fā)明填料的示例性電纜。電纜10包括兩條電導(dǎo)線12如銅線,其通常絞合在一起形成雙股電導(dǎo)線。聚合物絕緣材料如聚乙烯包覆每條電導(dǎo)線。電纜外部結(jié)構(gòu)18包覆雙股絞合的電導(dǎo)線以及填料16。雖然圖1顯示了雙股電導(dǎo)線,本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員將理解可以使用任意數(shù)量的電導(dǎo)線。本發(fā)明的核心是填料,其包括下述材料或基本由下述材料組成(i)礦物油,(ii)嵌段共聚物,選自二嵌段共聚物、三嵌段共聚物及其組合組成的組,(iii)石油蠟,(iv)空心玻璃微球,以及(v)觸變劑。非必須地,可向填料中添加防老化劑或穩(wěn)定劑或功能性聚合物。填料具有本體相和非連續(xù)相。本體相在總體積中占最高50%體積比,并且包括礦物油、嵌段共聚物、石油蠟和觸變劑。非連續(xù)相在總體積中占最高50%體積比,并且包括空心玻璃微球。上述每一成分都將在下面詳細討論。在下述說明中,所有重量百分比都是以填料的總重量為基準。
礦物油是最主要的組成成分,其最少占60重量%,最多占95重量%。礦物油可以是鏈烷(paraffinic)礦物油或環(huán)烷(naphthenic)礦物油。礦物油中的芳族含量低于15%。根據(jù)ASTM D-2501,環(huán)烷礦物含有環(huán)烷(naphthene)基團(更確切地應(yīng)稱作環(huán)鏈烷(cycloparaffin)),并且環(huán)烷含量多于35%且鏈烷含量少于65%。可用于本發(fā)明的工業(yè)礦物油是Crompton Corp.,Middleburg,Connecticut生產(chǎn)的KAYDOLWhite Mineral Oil。根據(jù)Crompton網(wǎng)址www.cromptoncorp.com,KAYDOLWhite Mineral Oil是由飽和脂肪烴與非極性脂環(huán)烴組成的精制油,其性質(zhì)是憎水、無色、無味、無嗅并且化學(xué)穩(wěn)定。另一種可用的工業(yè)礦物油也是Crompton Corporation生產(chǎn)的SEMTOL40WhiteMineral Oil。
所述填料含有嵌段共聚物,其選自二嵌段共聚物、三嵌段共聚物及其組合組成的組。嵌段共聚物最多占10重量%。適合的二嵌段共聚物包括,但不限于,苯乙烯-乙烯/丁烯和苯乙烯-乙烯/丙烯。適合的三嵌段共聚物包括,但不限于,苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯(SIS)、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯(SEBS)以及苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯(SEPS)??捎糜诒景l(fā)明的適合的工業(yè)SEBS嵌段共聚物包括KRATONTMG-1650 Block Copolymer和KRATONTMG-1652 Block Copolymer,兩者都來自Kraton Polymers,Houston,Texas。根據(jù)網(wǎng)址www.kraton.com,兩種聚合物均為線性SEBS嵌段共聚物,其中通過質(zhì)譜測得苯乙烯嵌段的含量為30%。對于KRATONTMG-1650Block Copolymer,根據(jù)該網(wǎng)址的報道,在25℃下當該嵌段共聚物在甲苯中占25%質(zhì)量比時,溶液粘度為8Pa·s,并且熔流速率小于1g/10分鐘。對于KRATONTMG-1652 Block Copolymer,根據(jù)該網(wǎng)址的報道,在25℃下和當該嵌段共聚物在甲苯中占25%質(zhì)量比時,溶液粘度為1.35Pa·s,并且熔流速率為5g/10分鐘。另一種可用的工業(yè)嵌段共聚物是KRATONTMG-1726 Block Copolymer。
所述填料含有最高10重量%的石油蠟。石油蠟的一個作用是改善即提高填料的滴熔點。石油蠟的熔點高于90℃。適合的石油蠟是熔點高于90℃的聚乙烯蠟??捎糜诒景l(fā)明的適合的工業(yè)石油蠟包括PARAFLINTC105 Paraffin Wax,據(jù)報道其熔點為97.8℃;以及PARAFLINTH1 Paraffin Wax,據(jù)報道其熔點為107.8℃。上述兩種PARAFLINTParaffin Waxes均被認為是通過Fischer-Tropsch工藝生產(chǎn)的合成蠟,并且可從Moore&Munger,Inc.,Shelton,Conneticut購得。
所述填料含有最高20重量%的空心玻璃微球。可用的空心玻璃微球的粒度(按體積計算并在有效最大尺寸下(95%))為10至140微米并且真密度為0.1g/cm3至0.4g/cm3。可用于本發(fā)明的適合的工業(yè)空心玻璃微球包括3M Company,St.Paul,Minnesota生產(chǎn)的3MTMSCOTCHLITETMGlass Bubbles的S Series、K Series以及A Series。例如,可以使用S22、K1、K15、K20和A16型空心玻璃微球,表1列出了它們的真密度和粒度。術(shù)語“真密度”是物質(zhì)的濃度,其計量單位是每單位體積的質(zhì)量(重量)。功能性空心玻璃微球的使用也包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
表1
因為本發(fā)明所用的空心玻璃微球含有較大體積分數(shù)的介電常數(shù)為1.0的空氣(例如,90%至95%的空氣),所以其起到減小填料的總介電常數(shù)的作用。與填料的其它成分相比,因為空心玻璃微球的密度較低,所以當在加工溫度下熔化填料時微球易于相分離。如本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員所知,當填料為熔融態(tài)時,空心玻璃微球從填料中相分離將帶來加工問題,并將導(dǎo)致填料性能不均勻。已知使用觸變劑可以幫助將空心玻璃微球的相分離問題減到最小甚至消除該問題。
可用下面稱作Stokes’Law的公式描述顆粒例如空心微球的沉降或漂浮(即,相分離)。
V0=[d3(ρb-ρm)]÷(18ηm)其中“V0”是在重力場中通過流體介質(zhì)的單個空心球體的漂浮終速,所述的流體介質(zhì)的粘度為“ηm”且密度為“ρm”,所述的空心球體的直徑為“d”且密度為“ρb”。雖然Stokes’Law是用于預(yù)測空心球體在稀釋分散體中抵抗沉降或漂浮的穩(wěn)定性,該概念也可以擴展用于本發(fā)明的填料。對于給定的空心球體的直徑與密度,使用Stokes’Law可以估計為了防止空心球體相分離所需的最低流體速度。可通過使用觸變劑來控制填料的流速。
所述填料含有最高10重量%的觸變劑??捎糜诒景l(fā)明的觸變劑選自粘土、膠體金屬氧化物、煅制金屬氧化物以及其組合組成的組。膠質(zhì)的或火成的可用金屬氧化物包括,但不限于,二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯和二氧化鈦。適合的觸變劑應(yīng)產(chǎn)生與圖2所示相似的剪切粘度與剪切速率的關(guān)系曲線。即,對于給定溫度,低剪切速率下填料的粘度大于高剪切速率下的粘度。這種類型相互作用的優(yōu)點在于,在低剪切速率下,粘度應(yīng)足夠高以在溶液中保留空心玻璃微球使它們不致相分離;在高剪切速率下,粘度應(yīng)足夠低從而填料溶液可以流動以用于加工目的,例如,可以泵送(pump)填料。如本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員所知,可在給定溫度下用恒應(yīng)力流變儀(例如,TA Instruments,New Castle,Delware生產(chǎn)的Advanced Rheometer 2000)連續(xù)測量作為剪切速率函數(shù)的填料粘度,從而得出圖2所示的曲線。
下列稱作冪律流體(Power Law Fluid)的公式表達了圖2所示的剪切粘度與剪切速率的關(guān)系曲線V=kS-(n-1)其中“k”是常數(shù)且表示在1sec-1時的粘度,并且“n”被稱作冪律指數(shù)(Power Law Index)(PLI)且表示剪切速率對粘度影響的指征。由圖2的曲線可以確定具體的觸變劑對流變能力的影響,即,填料的流動性。如果填料的剪切粘度(V)不隨剪切速率(S)的變化而變化,例如在牛頓流體中,那么PLI為1。粘度隨剪切速率的增加而降低的填料是非牛頓性的并被稱為“觸變性”。觸變性材料的PLI的范圍為0<n<1。
在本發(fā)明的填料中,隨著觸變劑的量增加,填料的“k”值增大且“n”值減小。當“n”值為0.8且“k”值為0.25Pa·s時,根據(jù)冪律流體參數(shù)的限定,本發(fā)明填料的粘度最小。當“n”值為0.2且“k”值為7.0Pa·s時,根據(jù)冪律流體參數(shù)的限定,本發(fā)明填料的粘度最大。應(yīng)當指出一些因素如粒度、表面的親液性/憎液性、以及具體的觸變性填充料的濃度會影響填料的粘度(“k”值)與剪切變稀的程度(“n”值)。在一個實施方案中,觸變劑為煅制金屬氧化物,例如煅制二氧化硅。
雖然不同類型的煅制二氧化硅將不同程度地使空心玻璃微球的相分離最小化,但已知表面處理的煅制二氧化硅可對本發(fā)明特別有用。除其它原因之外,表面處理的煅制二氧化硅是吸濕性的,并且與未處理的煅制二氧化硅相比,其導(dǎo)致粘度隨剪切速率的增加而迅速降低??蛇m用于本發(fā)明的表面處理的工業(yè)煅制二氧化硅包括Cabot Corporatonof Tuscola,Illinois生產(chǎn)的CAB-O-SILTS-530Treated Fumed Silica(已甲基二硅烷基胺處理的憎水性煅制二氧化硅),CAB-O-SIL TS-610Treated Fumed Silica(二甲基二氯硅烷處理的憎水性煅制二氧化硅),和CAB-O-SILTS-720 Treated Fumed Silica(二甲基硅氧烷流體處理的憎水性煅制二氧化硅)。其它適合的表面處理的工業(yè)煅制二氧化硅包括Degussa Corporation of Allendale,New Jersey生產(chǎn)的AEROSILR-104和AEROSILR-106 Fumed Silica(八甲基環(huán)四硅氧烷處理的憎水性煅制二氧化硅),以及AEROSILR-972和AEROSILR-974 FumedSilica(二甲基二氯硅烷處理的憎水性煅制二氧化硅)。上述煅制二氧化硅經(jīng)表面處理后基本是憎水性的。
非必須地,所述填料可以含有重量比小于1%的防老化劑或穩(wěn)定劑,以改善加工或防止加熱造成的環(huán)境老化。適合的防老化劑或穩(wěn)定劑包括酚、亞磷酸酯、磷灰石(phosphorite)、含硫協(xié)同劑(thiosynergist)、胺、苯甲酸酯,以及其組合??捎玫姆踊I(yè)防老化劑包括CibaSpecialty Chemicals Corp.,Tarrytown,New York生產(chǎn)的IRGANOX1035、IRGANOX1010、IRGANOX1076 Antioxidant以及用于電線和電纜的Heat Stabilizer。
在一個實施方案中,所述填料具有下列功能/性質(zhì)。根據(jù)ASTMD-150所測,在1兆赫下,填料的介電常數(shù)小于2.0且耗散因數(shù)小于0.001。在另一實施例中,在1兆赫下填料的介電常數(shù)小于1.65。根據(jù)ASTM D-257所測,在500伏特下填料的體積電阻率大于1013ohm-cm。根據(jù)ASTM D-127所測,填料的滴熔點高于90℃。在110℃與40sec-1的剪切速率下填料的最高溶液粘度為200cP(0.2Pa·s)。在另一實施例中,在110℃與40sec-1的剪切速率下填料的最高溶液粘度為75cP(0.075Pa·s)??筛鶕?jù)ASTM D-2326使用具有SC 4-27軸(spindle)且轉(zhuǎn)速為100rpm的Brookfield RVT Thermocel粘度計來測量溶液粘度。
可通過下列示例性工藝來制備所述填料。在加熱到至少110℃的容器中使礦物油、嵌段共聚物與石油蠟混合直至各成分充分分散。在保持溶液溫度為110℃的同時,添加觸變劑并勻化直至觸變劑在溶液中充分分散。為除去勻化過程中可能存留的空氣,將溶液置于加熱到110至120℃的真空烘箱中。真空度為30英寸Hg(102kPa)。之后,在保持溶液的溫度為110℃的同時,向溶液中添加空心玻璃微球。
已發(fā)現(xiàn)可在至少110℃的溫度下使本發(fā)明的填料保持溶液形式至少1小時且不發(fā)生空心玻璃微球的相分離。在一個示例性實施方案中,可在至少110℃的溫度下使所述填料保持溶液形式24小時且不發(fā)生相分離??捎酶鞣N方法確定空心玻璃微球的相分離。一個示例性方法包括收集溶液形式的填料并在110℃下儲存在容器如管瓶中。經(jīng)過一段時間后,例如1小時、4小時、8小時、12小時等,從烘箱中移走管瓶并在室溫下冷卻。然后把凝固的填料切成兩半,把上半部的密度與下半部的密度進行比較。上半部與下半部的密度差小于0.01密度單位的視為沒有相分離。
在一個應(yīng)用中,在電纜中使用本發(fā)明的填料。一種示例性的電纜包含25條金屬(例如銅)雙絞線(pairs of twisted metal wire)。在一個示例性的電纜生產(chǎn)工藝中,將單獨的雙絞線輸送到含本發(fā)明填料的料斗(hopper)中。當雙絞線經(jīng)過料斗時,所述填料填滿線間的空隙。在料斗的出口,使雙絞線相互緊靠并用聚合物外皮(sheath)把雙絞線捆扎在一起。此時,所述填料不僅充滿了線間的空隙而且還充滿了雙絞線間的空隙。
權(quán)利要求
1.一種填料,包括(a)約60%至95重量%的礦物油;(b)小于約10重量%的嵌段共聚物,選自苯乙烯-乙烯/丁烯、苯乙烯-乙烯/丙烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯以及其組合組成的組;(c)小于約10重量%的石油蠟;(d)小于約20重量%的空心玻璃微球;以及(e)小于約10重量%的觸變劑,其選自由粘土、膠體金屬氧化物、煅制金屬氧化物及其組合組成的組。
2.如權(quán)利要求1所述的填料,其中所述的礦物油為鏈烷礦物油或環(huán)烷礦物油。
3.如權(quán)利要求2所述的填料,其中所述的鏈烷礦物油或環(huán)烷礦物油中的芳族含量小于約15%。
4.如權(quán)利要求1所述的填料,其中所述的石油蠟的熔點高于約90℃。
5.如權(quán)利要求1所述的填料,其中所述的石油蠟為熔點高于約90℃的聚乙烯蠟。
6.如權(quán)利要求1所述的填料,其中所述的石油蠟為熔點高于約90℃的合成蠟。
7.如權(quán)利要求1所述的填料,其中所述的空心玻璃微球的粒度為約10至140微米。
8.如權(quán)利要求1所述的填料,其中所述的空心玻璃微球的真密度為約0.1至0.4g/cm3。
9.如權(quán)利要求1所述的填料,其中所述的煅制金屬氧化物為表面改性的煅制二氧化硅。
10.如權(quán)利要求9所述的填料,其中所述的表面改性的煅制二氧化硅具有基本憎水性的表面。
11.如權(quán)利要求1所述的填料,其中根據(jù)ASTM D-3236所測,在110℃和40sec-1的剪切速率下所述填料的粘度小于0.2Pa·s。
12.如權(quán)利要求1所述的填料,其中根據(jù)ASTM D-150所測,在1兆赫下所述填料的介電常數(shù)小于或等于2.0。
13.如權(quán)利要求1所述的填料,其中根據(jù)ASTM D-127所測,所述填料的滴熔點高于90℃。
14.如權(quán)利要求1所述的填料,其中根據(jù)ASTM D-150所測,在1兆赫下所述填料的耗散因數(shù)小于0.001。
15.如權(quán)利要求1所述的填料,其中根據(jù)ASTM D-257所測,在500伏特下所述填料的體積電阻率大于1013ohm-cm。
16.如權(quán)利要求1所述的填料,其中當“n”值為0.8且“k”值為0.25Pa·s時,根據(jù)冪律流體參數(shù)的限定,所述填料的粘度最小。
17.如權(quán)利要求1所述的填料,其中當“n”值為0.2且“k”值為7.0Pa·s時,根據(jù)冪律流體參數(shù)的限定,本發(fā)明填料的粘度最大。
18.一種包括權(quán)利要求1所述填料的電纜。
19.一種填料,包括(a)約80.0%至85.0重量%的礦物油;(b)約2.5重量%的苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯嵌段共聚物;(c)約3.0重量%的石油蠟;(d)約6.0%至11.5重量%的空心玻璃微球;(e)約3.0重量%的表面改性的煅制二氧化硅;以及(f)約0.2重量%的防老化劑或穩(wěn)定劑。
20.如權(quán)利要求19所述的填料,其中所述的空心玻璃微球的真密度為約0.125至0.220g/cm3。
21.如權(quán)利要求19所述的填料,其中所述的空心玻璃微球的粒度為65至120微米。
22.如權(quán)利要求19所述的填料,其中所述的防老化劑或穩(wěn)定劑選自酚、亞磷酸酯、磷灰石、含硫協(xié)同劑、胺、苯甲酸酯以及其組合組成的組。
23.一種包括權(quán)利要求19所述填料的電纜。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于通訊電纜如電纜與光纜的填料。在一個實施方案中,所述填料包括(a)約60至95重量%的礦物油;(b)小于約10重量%的嵌段共聚物,選自由苯乙烯-乙烯/丁烯、苯乙烯-乙烯/丙烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯以及其組合組成的組;(c)小于約10重量%的石油蠟;(d)小于約20重量%的空心玻璃微球;以及(e)小于約10重量%的觸變劑,選自由粘土、膠體金屬氧化物、煅制金屬氧化物及其組合組成的組。
文檔編號H01B3/44GK1875435SQ200480031925
公開日2006年12月6日 申請日期2004年10月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月28日
發(fā)明者內(nèi)森·K·哈根, 大衛(wèi)·R·黑格, 沙德·D·米斯特勒, 馬克·E·納皮耶臘拉, 馬里奧·A·佩雷斯, 巴斯卡爾·V·韋拉馬坎尼, 詹姆士·K·揚 申請人:3M創(chuàng)新有限公司