專利名稱：前體溶液及其制備和使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于含有鉛、鈮和第三金屬的氧化物的結(jié)晶層的前體溶液。
本發(fā)明還涉及制備這種前體溶液的方法。
本發(fā)明還涉及一種制造電子器件的方法，包括以下步驟將所述前體溶液施加到襯底上，然后將其結(jié)晶成鈮鎂酸鉛層，并由此可得到電子器件。
這種前體溶液和這種方法從US-A 6066581中可知。其例7公開了一種溶膠-凝膠型前體溶液，其中存在幾種金屬的前體化合物，包括鉛、鎂和鈮。該前體溶液是通過混合去離子蒸餾水中的硝酸鉛、去離子蒸餾水和甲氧基乙醇中的硝酸鎂、以及甲氧基乙醇和乙酰丙酮中的乙醇鈮的溶液而制備的。將溶膠-凝膠型前體溶液施加在襯底上，然后通過在350到400℃下烘干(fire)該膜，將其轉(zhuǎn)換成鈣鈦礦層。之后，優(yōu)選在含氧氣氛中，以100℃/sec斜線上升到600-800℃的形式進(jìn)行快速退火處理，從而進(jìn)行結(jié)晶。得到的結(jié)晶層主要是鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，盡管形成不希望的鈮酸鉛燒綠石結(jié)構(gòu)。使用有機(jī)陰離子，例如鈮和鎂的丙氧化物和異丙氧化物，而提供鉛作為無機(jī)鹽，例如，硝酸鉛，或者高氯酸鉛。該膜被轉(zhuǎn)換成所需的結(jié)晶相。
這種已知方法的缺點(diǎn)是不能抑制燒綠石結(jié)構(gòu)的形成，導(dǎo)致這樣一個(gè)事實(shí)結(jié)晶層具有比所希望的介電常數(shù)低的介電常數(shù)。
因此，本發(fā)明的第一個(gè)目的是提供一種利用鈣鈦礦相的結(jié)晶層制造開篇段落所述類型的電子器件的方法。
因此，本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種開篇段落所述類型的前體溶液，它可以結(jié)晶成鈣鈦礦相，而不形成不希望的燒綠石雜相(sidephase)。
本發(fā)明的第三個(gè)目的是提供一種制備開篇段落所述類型的前體溶液從而得到改進(jìn)的溶液的方法。
實(shí)現(xiàn)第三個(gè)目的在于它包括以下步驟-提供在選自烷氧基醇組的溶劑中與大環(huán)化合物螯合的鉛鹽的第一溶液；-提供第二溶液，其包括以醇化物和/或β-二酮的形式絡(luò)合的鈮；以及-混合第一和第二溶液。
第二個(gè)目的是通過利用本發(fā)明的方法可獲得的溶液實(shí)現(xiàn)的。實(shí)現(xiàn)第一目的在于使用本發(fā)明的前體溶液。
根據(jù)本發(fā)明，第一含鉛溶液包括作為螯合劑的具有與鉛離子的大小相對(duì)應(yīng)的空腔的大環(huán)化合物和醇或烷氧基醇溶劑。包括這種第一溶液的前體溶液在作為層施加到襯底上之后呈現(xiàn)有利的特性。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)其結(jié)晶成所希望的鈣鈦礦相，而沒有任何大量的不想要的燒綠石結(jié)晶相。這種燒綠石相實(shí)際上只是鉛和鈮的氧化物。由于用做螯合劑的大環(huán)化合物，該前體溶液證明是穩(wěn)定的，并且如所希望的那樣形成膠體。已成為膠體的前體溶液的穩(wěn)定性保證了可以很容易地使所得到的層結(jié)晶化(crystallinize)，在所述已成為膠體的前體溶液中已經(jīng)使不同金屬化合物成為網(wǎng)絡(luò)。
從US-A 5894064可以知道一種制備前體溶液的方法，其中第一溶液包括乙酸鋇和18-冠-6-醚在水中的絡(luò)合物。這種冠-醚用于防止溶液中的前體低聚的目的，并且由此防止BaCO3的形成。這種低聚意味著Ba-離子通過乙酸橋聯(lián)偶合。這種機(jī)理在本發(fā)明中無效。烷氧基醇溶劑使鉛離子的配位穩(wěn)定，并且由此防止這種低聚。沒有冠-醚可以防止任何不希望的燒綠石相形成的跡象和暗示。這些燒綠石相對(duì)于含鉛鈣鈦礦是特別不利的。主要燒綠石相具有Pb3Nb4O13的成分，但是有幾種其他成分，包括也含有第三元素的一些成分。燒綠石相具有的共同點(diǎn)是它們含有較少的鉛。除了純燒綠石相之外，在現(xiàn)有技術(shù)方法中形成燒綠石相和鈣鈦礦相的任何混合晶體，但是在本發(fā)明的方法中不是這樣。
特別地第三金屬是堿土金屬，例如鍶、鈣、鎂、鋇，但也可以是鐵。特別優(yōu)選的是選擇鎂，導(dǎo)致PbMg0.33Nb0.67O3的鈣鈦礦層。這些層與其它鈣鈦礦層相比具有高介電常數(shù)。最優(yōu)選的是包括PbMg0.33Nb0.67O3和諸如鈦酸鉛、鋯酸鉛或鈦酸鉛鋯的其它鈣鈦礦的固態(tài)溶液。本發(fā)明的方法特別適合于這些層，因?yàn)榻Y(jié)晶溫度可以相對(duì)低，在550至700℃的數(shù)量級(jí)上。很多現(xiàn)有技術(shù)的方法，例如從EP-A676384中知道的那些方法，采用800℃的結(jié)晶溫度。如果這里使用較低的溫度，則材料將不會(huì)只結(jié)晶成鈣鈦礦相。
低結(jié)晶溫度和只結(jié)晶成鈣鈦礦相的結(jié)合對(duì)于將該層集成到多層薄膜結(jié)構(gòu)中是特別有利的，特別是也包括諸如襯底中的二極管和/或晶體管的有源元件以及電阻器的結(jié)構(gòu)。低溫有利于防止第二相的形成并且有利于與器件中的其它元件的工藝兼容性。
優(yōu)選地烷氧基醇溶劑是具有一個(gè)或多個(gè)羥基官能團(tuán)的芳香和/或脂肪醇，此外，其醚具有短鏈烷醇?？梢允勾疾糠只蛲耆孛鸦??；蛘呖梢允褂敏然岷头枪倌芑枷阕寤衔?。最優(yōu)選的是雙官能的、單醚化(例如甲氧基、丙氧基、丁氧基)短鏈醇，例如1-甲氧基-2-乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-乙醇。特別優(yōu)選的是溶劑1-甲氧基-2-丙醇，其具有無毒的優(yōu)點(diǎn)。優(yōu)選地第二溶液的溶劑與第一溶液的溶劑相同。然而，這不是必須的。
優(yōu)選地，鉛鹽含有與鈮化合物的醇化物一同形成酯的化合物作為陰離子。羧酸陰離子同烷酸鹽/酯的當(dāng)量數(shù)之間的比例在0.75至1.33的范圍內(nèi)。以更大或更小的化學(xué)計(jì)量比存在的醇化物和羧化物在加熱步驟期間可以彼此反應(yīng)，這通常先于結(jié)晶步驟。得到的酯是易揮發(fā)性化合物，它在加熱時(shí)將汽化。這導(dǎo)致低含量的有機(jī)物，這些有機(jī)物在結(jié)晶處理期間必須除去，這一般是在較高溫度下進(jìn)行的。合適的陰離子包括羧酸鹽和硝酸鹽。
大環(huán)化合物的優(yōu)選例子是18-冠-6-醚。15-冠-5-醚不會(huì)導(dǎo)致鉛鹽在醇溶劑中的良好溶解度。其它合適的化合物包括大小與鉛離子相對(duì)應(yīng)的空腔的spherands和calixarenes。具有合適空腔大小的其它大環(huán)化合物例如是二環(huán)己基-18-冠-6-醚；4，10-二氮雜-15-冠-5-醚；4，10-二氮雜-18-冠-6-醚；以及穴狀配體[211]、[221]和[222]。這些大環(huán)化合物與Pb2+離子的絡(luò)合物在H.-J.Buschmann和E.Schollmeyer，J.Coord.Chem55(3)(2202)，287-291的公報(bào)中有介紹。沒有理由排除具有合適空腔大小、并且因此具有同樣大或更大的絡(luò)合常數(shù)的其它大環(huán)化合物。
該前體溶液可以含有任何其它添加劑，例如甲酰胺(foramide)或聚乙二醇，以便控制粘性。其還可以含有任何其它絡(luò)合劑，以便使特定的金屬離子穩(wěn)定。
用于第一溶液的優(yōu)選添加劑是軟化水。如果每當(dāng)量的鉛化合物使用小于1當(dāng)量的冠醚，則添加水導(dǎo)致形成的任何沉淀物的分解。
在制造電子器件的方法的優(yōu)選實(shí)施例中，將該層施加到籽晶層上。籽晶層的使用導(dǎo)致具有更高介電常數(shù)的更致密材料。此外，它增加了薄膜電容器的產(chǎn)量。厚度為10-100nm的籽晶層工作良好。優(yōu)選的厚度是30至60nm。特別優(yōu)選的是鈦酸鋯酸鉛的籽晶層。
在另外的實(shí)施例中，其上施加前體溶液的襯底表面設(shè)有第一電極；根據(jù)所希望的圖形構(gòu)造所述層，并且在所述層的頂部設(shè)置第二電極。通過這種方式，結(jié)晶層用作薄膜電容器?？梢酝ㄟ^例如利用HNO3、HCl、醋酸和HF的混合物進(jìn)行濕化學(xué)蝕刻，然后進(jìn)行稀釋的HNO3的后處理來實(shí)現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地構(gòu)造該層以便能在襯底上將其設(shè)置為薄膜結(jié)構(gòu)，在所述襯底中和在所述襯底上提供其它元件。
特別優(yōu)選的是電子器件，其中襯底包括有源元件，例如二極管和晶體管。這種器件可以有利地用于集成ESD保護(hù)、去耦合和其它濾波。本應(yīng)用作為條件規(guī)定了高擊穿電壓，這是通過以下手段實(shí)現(xiàn)的通過子層的重復(fù)施加和結(jié)晶來提供結(jié)晶層。通過提供交叉梳狀形式的電極可以進(jìn)一步提高擊穿電壓。對(duì)于本應(yīng)用高度優(yōu)選的是也存在電阻器和其它電容器。這些其它電容器可以設(shè)有其它電介質(zhì)。在用于ESD保護(hù)的這種應(yīng)用中，具有鈣鈦礦電介質(zhì)的電容器用作濾過器(passfilter)?？梢詫⑵涫┘釉谛盘?hào)通路中，但是也與信號(hào)通路和地之間的二極管并聯(lián)。
使用介電常數(shù)比鈦酸鉛鋯層高的電介質(zhì)是有利的，因?yàn)槠淇梢詰?yīng)用于具有大電容值的存儲(chǔ)電容器和去耦電容器。
本發(fā)明還涉及可利用本發(fā)明的制造方法獲得的電子器件。在本發(fā)明的器件中的結(jié)晶層中不存在任何第二相(secondary phase)。這導(dǎo)致介電常數(shù)是相當(dāng)?shù)母?。而現(xiàn)有技術(shù)提及500-550的值，在本發(fā)明中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了大于1500的相對(duì)介電常數(shù)。
下面參照附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明的這些和其它方案，其中

圖1示意性地示出可以利用本發(fā)明的方法制造的器件的剖面圖；以及圖2示出利用本發(fā)明的前體溶液可獲得的層的X射線衍射圖。
圖1示出利用本發(fā)明的方法制造的典型器件。在任何情況下都不意味著是限制性的，而只是示意性的。為了制造圖1所示的電子器件，利用與實(shí)施例2相同的方式，半導(dǎo)體襯底1設(shè)有第一半導(dǎo)體區(qū)2和第二半導(dǎo)體區(qū)3。用B作為第一摻雜類型的摻雜劑摻雜襯底1。用B以更高的摻雜密度摻雜第一半導(dǎo)體區(qū)2。用P作為第二摻雜類型的摻雜劑摻雜第二半導(dǎo)體區(qū)3。
例如SiO2、Si3N4或SiO2和Si3N4的組合的絕緣層4設(shè)置在半導(dǎo)體襯底1上。在絕緣層4的頂部，設(shè)置電阻層18，在本例中是多晶硅。絕緣層4和電阻層18用阻擋層5覆蓋，該阻擋層例如包括SiO2、Si3N4或者SiO2和Si3N4或TiO2或Al2O3或MgO的組合、或者Si3N4和TiO2的組合。在其上，設(shè)置構(gòu)圖的第一導(dǎo)電層6，其例如包括層厚為50nm到1μm的Pt。或者可以使用其它金屬。還可以存在附加層，例如Ti，用于提高附著力。電容器的電極限定在該第一電極層6中。在第一導(dǎo)電層6上以及在不存在第一導(dǎo)電層6的阻擋層5上存在絡(luò)合氧化物層7，在本例中為PbMg0.77Nb0.33O3的鐵電層。根據(jù)本發(fā)明，用于包括螯合物的鐵電層的前體溶液是通過作為前體進(jìn)行旋涂來提供的，如將在實(shí)施例中更加詳細(xì)解釋的那樣。使用濕化學(xué)蝕刻來蝕刻絡(luò)合氧化物層7。在蝕刻絡(luò)合氧化物層7之后，利用專用于這些層的常規(guī)蝕刻劑制成向下到達(dá)半導(dǎo)體襯底1的接觸孔。用導(dǎo)電材料例如Al、Cu、Pt、或Al和Cu的合金或者Al和Si的合金或者Ti和Al或Ti和Cu或Ti與Al和Cu的合金或Ti和Al和Si的合金的組合物或者TiW和Al或TiW和Cu或TiW與Al和Cu的合金或Al和Si的合金的組合物或者TiW(N)和Al或TiW(N)和Cu或TiW(N)與Al和Cu的合金或Al和Si的合金的組合物或者TiN和Al或TiN和Cu或TiN與Al和Cu的合金或Al和Si的合金的組合物填充接觸孔，從而提供第一、第二和第三電源引線(supply lead)8、9、19。該導(dǎo)電材料還設(shè)置在絡(luò)合氧化物層7的頂部，從而形成第二導(dǎo)電層10，其中限定電容器的第二電極。特別是在Cu用作導(dǎo)電材料的情況下，可以在絡(luò)合氧化物層7和第二導(dǎo)電層10之間設(shè)置附加阻擋層，例如TaN或TiN。在其上，存在鈍化層11，在這種情況下為氮化硅。鈍化層11設(shè)有電路的接觸孔12、13和地接觸15，其中入口接觸孔是12，出口接觸孔是13。金屬或焊料塊以公知的方式連接到該接觸上。
實(shí)施例將包括溶解在1-甲氧基-2-丙醇中的乙酸鉛、異丙醇鋯和異丙醇鈦的0.05ml的前體溶液旋涂到4”(60mm)硅晶片上，其在Ti附著層上已經(jīng)設(shè)有熱氧化物層和鉑電極。使用2500rpm的旋轉(zhuǎn)速度。在熱板上在150℃下對(duì)晶片進(jìn)行加熱，之后轉(zhuǎn)移到爐子中，在該爐子中以100℃/s的加熱速度將其加熱到550℃。將晶片保持在這個(gè)溫度下4分鐘，得到大約50nm厚的成分為Pb1.1Zr0.65Ti0.35O3的鈣鈦礦籽晶層。
如下提供用于用鑭(lanthane)摻雜的鈮鎂酸鉛鈦酸鉛(PMN PT)的前體溶液。在平緩加熱下將大環(huán)化合物以等摩爾量溶解在1-甲氧基-2-丙醇中，在這種情況下大環(huán)化合物是18-冠-6-醚和乙酸鉛。將乙醇鈮溶解在第二批1-甲氧基-2-丙醇中，由此產(chǎn)生第二溶液。然后在增加的溫度下將乙醇鎂和異丙醇鈦溶解在這種第二溶液中。之后，將兩種溶液冷卻到室溫并添加。隨后，將乙酰丙酮鑭溶解在該溶液中。這些步驟是在沒有氧和水分的氣氛中進(jìn)行的。
將0.2ml的所得到的前體溶液旋涂到晶片上的籽晶層上。使用2500rpm的旋轉(zhuǎn)速度。在熱板上在350℃下對(duì)晶片進(jìn)行加熱，之后轉(zhuǎn)移到爐子中，在該爐子中以100℃/s的加熱速度下將其加熱到700℃。將晶片保持在這個(gè)溫度下4分鐘，得到大約70nm厚的絡(luò)合氧化物層。
在重復(fù)該過程直到得到所希望的厚度之后，最終的結(jié)晶層準(zhǔn)備完畢。結(jié)晶結(jié)構(gòu)是鈣鈦礦，并且存在非常少量的不想要的燒綠石的第二相。這可以從圖2中清楚看到。最后得到的層具有大約1800的相對(duì)介電常數(shù)，在1kHz和100mV下的介電損失為2-3％。
圖2示出根據(jù)本實(shí)施例獲得的層的X射線衍射圖。這里強(qiáng)度(為每秒的數(shù)量)是相對(duì)于de d-間隔(埃)來設(shè)置的。顯示出有幾個(gè)峰值。所有這些峰值都?xì)w因于鈣鈦礦鎂鈮酸鉛。
例1a)將0.36g的冠醚(18-冠-6-醚，由Merck提供)溶解在2mL的1M2P中。向該冷溶液中添加0.44g的Pb(OAc)2，在短時(shí)間攪拌之后固體溶解。2天之后，溶液仍然是清澈的。
b)將192μL的Nb(OEt)5溶解在2mL的1M2P中，并添加43mg的Mg(OEt)2。對(duì)該混合物進(jìn)行加熱和攪拌，直到固體幾乎完全溶解為止。添加18μL的Ti(OiPr)4。得到清澈的黃色溶液。
c)在室溫下混合溶液a)和b)并攪拌。向清澈溶液中添加少量的乙酰乙酸鑭。得到清澈溶液，這種清澈溶液在幾天內(nèi)都保持穩(wěn)定。
例2將3.58g的18-冠-6-醚溶解在20mL的1M2P(a)中，將1.82g(b)、1.74g(c)和1.66(d)的18-冠-6-醚溶解在10mL的1M2P中。向該冷溶液中分別添加4.41g(a)、2.24g(b)、2.15g(c)和2.05g(d)的Pb(OAc)2。最初溶解固體，但是緩慢地形成細(xì)白沉淀物。向每種懸浮液中添加500μL的軟化水，這導(dǎo)致沉淀物的溶解。此外，試驗(yàn)表明1、如果使用小于1當(dāng)量的冠醚，則附加的水導(dǎo)致溶解。2、添加乙醇和二乙二醇單甲醚(1mL)不會(huì)使沉淀物溶解。
在10mL的1M2P中溶解1.01mL的Nb(OEt)5，然后在加熱中溶解0.23g的Mg(OEt)2。如果將這種溶液添加到任何a-d溶液中，則發(fā)生非常快速的膠凝作用。
例3a)將3.58g的18-冠-6-醚溶解在20mL的1M2P中，向該溶液添加4.41g的Pb(OAc)2。對(duì)該混合物進(jìn)行攪拌和加熱，直到獲得清澈溶液為止。
b)在20mL的1M2P中溶解1.92mL的Nb(OEt)5，并添加0.43g的Mg(OEt)2。對(duì)該混合物進(jìn)行攪拌和加熱，直到溶解鎂鹽為止。向該溶液添加0.18mL的Ti(OiPr)4。
I)將a)添加到熱溶液b)中，形成白色油性沉淀物，加熱導(dǎo)致額外的沉淀物。
II)在室溫下結(jié)合a)和b)，這產(chǎn)生清澈溶液，其中溶解了0.052g的乙酰乙酸鑭。
對(duì)比例1秤量5.14g的Pb(OAc)2*3H2O并添加10mL的1-甲氧基-2-丙醇(1M2P)。對(duì)該漿料進(jìn)行加熱(＜100℃)和攪拌。隨后添加另一10mL的1M2P，固體不溶解。向溫?zé)岬幕旌衔镏形〈蠹s1.8mL的三乙醇胺(Pb∶三乙醇胺～1∶1)，這導(dǎo)致清澈的黃色溶液。在冷卻時(shí)，形成細(xì)白沉淀物，其在加熱時(shí)再溶解。向冷的懸浮液中進(jìn)一步添加10mL的1M2P，并且另外添加3mL的乙醇。溶解仍然只是在加熱中實(shí)現(xiàn)，通過添加20滴的三乙醇胺和少量的Pb(OAc)3*3H2O不會(huì)改變這一點(diǎn)。
b)用10mL的1M2P攪拌0.43g的乙醇鎂(Mg(OEt)2)，并加該熱混合物，進(jìn)一步添加10mL的1M2P。向懸浮液中吸取～1.5mL的三乙醇胺，這導(dǎo)致細(xì)白沉淀物的形成。添加1.92mL的乙醇鈮(Nb(OEt)5)導(dǎo)致部分的溶解，因此添加3mL的乙醇。另外添加20滴的三乙醇胺并且加熱混濁的溶液。幾個(gè)小時(shí)之后，獲得清澈的溶液，向其添加0.18mL的Ti(OIPr)4。最后得到的溶液是清澈的并且是黃顏色的。
結(jié)合和加熱溫?zé)岬暮U溶液和Nb/Mg/Ti溫?zé)崛芤?。最初清澈的溶液在加?小時(shí)之后變混濁。重新加熱導(dǎo)致大量細(xì)白沉淀物的形成。
對(duì)比例2向4.41g的乙酸鉛(Pb(OAc)2)添加25mL的二乙二醇甲醚。加熱和攪拌不會(huì)導(dǎo)致溶解。連續(xù)添加總共100滴的三乙醇胺，以及另外添加少量的Pb(OAc)2。添加三乙醇胺導(dǎo)致鉛化合物在加熱時(shí)溶解，在冷卻時(shí)形成細(xì)白沉淀物。最初，可以通過加熱再溶解沉淀物，但是在冷卻和加熱的幾個(gè)循環(huán)之后，溶解不完全。
對(duì)比例3a)向5.14g的Pb(OAc)2*3H2O添加20mL的丁氧基乙醇，并對(duì)該混合物進(jìn)行攪拌和加熱(～120℃)。向熱懸浮液添加50滴的三乙醇胺。在加熱中得到清澈的黃色溶液。
b)用20mL的丁氧基乙醇攪拌1.92mL的Nb(OEt)5并添加0.43g的Mg(OEt)2；攪拌和加熱導(dǎo)致清澈的溶液。向該溶液添加0.18mL的Ti(OiPr)4，這導(dǎo)致清澈的黃色溶液。
c)結(jié)合這些溫?zé)岬娜芤?。所得到的混合物最初是清澈的，但是短時(shí)間之后形成細(xì)白沉淀物，通過添加50滴的三乙醇胺并加熱不能再溶解該沉淀物。
對(duì)比例4向1.92mL的Nb(OEt)5添加30mL的1M2P。將0.43g的Mg(OEt)2加入到(weigh to)該混合物。攪拌該懸浮液并將其加熱到～120℃持續(xù)2.5小時(shí)，之后固體幾乎完全溶解。向該溶液吸取0.18mL的Ti(OiPr)4。向該清澈溶液添加5.14g的Pb(OAc)2*3H2O，并在冷卻熱板上攪拌該懸浮液。固體沒有溶解，因此再次加熱該混合物，并添加總共10mL的乙醇。由于沒有溶解，因此在N2中在140-150℃下將該混合物回流到?jīng)]有視覺效果。其余固體是非常細(xì)粒的。在添加變性乙醇時(shí)不發(fā)生膠凝作用。
對(duì)比例5在20mL的1M2P中溶解2.69mL的15-冠-5-醚，并向該溶液添加4.41g的Pb(OAc)2。甚至在加熱(～100℃)時(shí)，鉛化合物也不會(huì)溶解。添加更多的冠醚，達(dá)到總共的5mL(包括初始量)。最終得到的混合物中的冠醚和Pb2+的摩爾比大約為2∶1。加熱和延長(＞1d)攪拌并不導(dǎo)致鉛化合物的溶解。
權(quán)利要求
1.一種制備用于結(jié)晶層的前體溶液的方法，所述結(jié)晶層包括鉛、鈮和第三金屬的氧化物，該方法包括以下步驟-提供在選自烷氧基醇組的溶劑中與大環(huán)化合物螯合的鉛鹽的第一溶液，所述大環(huán)化合物具有與鉛離子的大小相對(duì)應(yīng)的空腔；-提供第二溶液，其包括采用醇化物形式的鈮；-混合所述第一溶液和所述第二溶液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于如此選擇所述鉛鹽使得在混合所述第一溶液和所述第二溶液時(shí)將形成至少一種酯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第三金屬是鎂，其存在于所述第二溶液中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述鉛鹽選自羧酸鹽和硝酸鹽組成的組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述大環(huán)化合物是18-冠-6醚。
6.一種通過權(quán)利要求1至5所述的方法獲得的用于結(jié)晶層的前體溶液，所述結(jié)晶層包括鉛、鈮和第三金屬的氧化物。
7.一種制備電子器件的方法，包括以下步驟將用于結(jié)晶層的前體溶液施加到襯底上，所述結(jié)晶層包括鉛、鈮和第三金屬的氧化物，并使其結(jié)晶成所述層，其特征在于使用根據(jù)權(quán)利要求6所述的前體溶液。
8.一種根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于-其上施加所述前體溶液的襯底表面設(shè)有第一電極；根據(jù)所希望的圖形構(gòu)造所述層；并且在所述層的頂部設(shè)置第二電極。
9.一種根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述襯底是半導(dǎo)體襯底，其中限定第一有源元件。
10.一種根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述有源元件、電容器和至少一個(gè)電阻器彼此互連，以便提供組合的ESD保護(hù)和去耦功能。
11.一種通過權(quán)利要求7至10中任一項(xiàng)所述的方法獲得的電子器件，其包括在襯底上的鉛、鈮和第三金屬的氧化物的結(jié)晶層。
全文摘要
通過使用包括大環(huán)絡(luò)合劑的前體溶液制備結(jié)晶的PbMg
文檔編號(hào)H01L41/16GK1816903SQ200480018942
公開日2006年8月9日 申請(qǐng)日期2004年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月4日
發(fā)明者約爾格·邁爾, 梅雷克·K·克萊, 賴納·基維特 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司