專利名稱：用于鄰接在處理元件上的相鄰覆層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于在處理元件上形成保護(hù)阻擋層的方法，并且更具體地涉及一種用于在處理元件上鄰接相鄰的保護(hù)阻擋層的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工業(yè)中制造集成電路(IC)時(shí)，典型地使用等離子體來(lái)在等離子體反應(yīng)器中產(chǎn)生和幫助表面化學(xué)反應(yīng)，這對(duì)于從基底上去除材料和在該基底上淀積材料來(lái)說(shuō)是必要的。一般地，通過(guò)將電子加熱到足以維持與供應(yīng)的處理氣體發(fā)生電離碰撞的能量，而在真空條件下在等離子體反應(yīng)器中形成等離子體。此外，加熱的電子可以具有足以維持游離碰撞的能量，并且因此選擇在預(yù)定條件下(例如，腔室壓力、氣體流動(dòng)速率等)的一組特定的氣體，以產(chǎn)生適合于所述腔室中進(jìn)行的特定過(guò)程(例如，蝕刻過(guò)程，其中從基底上去除材料，或者淀積過(guò)程，其中將材料加到了所述基底上)的大量帶電的粒種和化學(xué)活性粒種。
盡管形成大量的帶電粒種(離子等)和化學(xué)活性粒種是在基底表面完成等離子體處理系統(tǒng)的功能(即，材料蝕刻，材料淀積等)所必須的，但是在處理腔室內(nèi)部的其它組件表面被暴露在物理和化學(xué)活性等離子體中，并且會(huì)腐蝕。在等離子體處理系統(tǒng)中暴露組件的腐蝕可能導(dǎo)致等離子體處理性能的逐漸的降級(jí)，并且最終導(dǎo)致該系統(tǒng)的完全失效。
為了減少由于暴露于處理等離子體而受到的損害，已知的暴露于處理等離子體的等離子體處理系統(tǒng)的組件被覆蓋保護(hù)阻擋層。例如，由鋁制成的組件可以作陽(yáng)極化處理，以產(chǎn)生氧化鋁的表面層，該表面層抗等離子體。在另一個(gè)例子中，例如由硅、石英、氧化鋁、碳或者碳化硅制成的自耗或者可替換組件可以被插入所述加工腔室中，以保護(hù)更有價(jià)值的組件的表面，所述更有價(jià)值的組件在頻繁的替換時(shí)會(huì)產(chǎn)生更大的成本。另外，希望選擇這樣的表面材料，所述材料會(huì)使有害的污染物、雜質(zhì)等引入到處理等離子體的風(fēng)險(xiǎn)最小化，并且使引入到在所述基底上形成的器件上的可能最小化。
在兩種情況下，或者由于保護(hù)阻擋層的整體性，或者由于保護(hù)阻擋層制造的整體性造成的保護(hù)覆層的不可避免的失效，和可替換組件的消耗特性要求頻繁地維護(hù)等離子體處理系統(tǒng)。該頻繁的維護(hù)能夠產(chǎn)生與等離子體處理停機(jī)和新等離子體加工腔室組件的成本，該成本可能過(guò)高。

發(fā)明內(nèi)容
描述了一種用于在處理元件上形成保護(hù)阻擋層的方法。
一種用于在處理元件鄰接兩個(gè)或更多個(gè)保護(hù)阻擋層的方法，包括在所述處理元件上限定一個(gè)過(guò)渡區(qū)域，其中所述過(guò)渡區(qū)域包括第一保護(hù)阻擋層和第二保護(hù)阻擋層的重疊部分；將所述第一保護(hù)阻擋層施加于所述處理元件的第一區(qū)域，所述第一區(qū)域包括所述過(guò)渡區(qū)域；處理所述處理元件的第二區(qū)域，以提高所述第二保護(hù)阻擋層的附著力，所述第二區(qū)域包括所述過(guò)渡區(qū)域；和施加所述第二保護(hù)阻擋層于所述第二區(qū)域。
用于處理系統(tǒng)的處理元件，包括與所述處理元件上的第一區(qū)域結(jié)合的第一保護(hù)阻擋層；和與所述處理元件上的第二區(qū)域結(jié)合的第二保護(hù)阻擋層，其中所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域相互重疊以形成一個(gè)過(guò)渡區(qū)域。


結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明舉例的實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯和更加容易理解；其中圖1表示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)等離子體處理系統(tǒng)的示意簡(jiǎn)圖；圖2A表示了如圖1所示的等離子體處理系統(tǒng)中的一個(gè)處理元件的一部分的放大的橫剖視圖；圖2B表示了如圖1所示的等離子體處理系統(tǒng)中的一個(gè)處理元件的一部分的另一個(gè)放大的橫剖視圖；圖2C表示了如圖1所示的等離子體處理系統(tǒng)中的一個(gè)處理元件的一部分的另一個(gè)放大的橫剖視圖；圖2D表示了如圖1所示的等離子體處理系統(tǒng)中的一個(gè)處理元件的一部分的另一個(gè)放大的橫剖視圖；圖3表示在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的等離子體處理系統(tǒng)中的一個(gè)處理元件上形成保護(hù)阻擋層的方法。
具體實(shí)施例方式
一個(gè)等離子體處理系統(tǒng)1，例如一個(gè)能夠進(jìn)行等離子體蝕刻的等離子體處理系統(tǒng)1在圖1中進(jìn)行了表示。所述等離子體處理系統(tǒng)1包括一個(gè)加工腔室10、一個(gè)上部組件20、一個(gè)上壁24、一個(gè)用于支撐基底35的基底支座30、和一個(gè)聯(lián)接于用于在所述加工腔室10中提供負(fù)壓氣氛11的一個(gè)真空泵(未示出)的吸氣管40。加工腔室10能夠例如方便在與基底35相鄰的處理空間12中形成處理等離子體。所述等離子體處理系統(tǒng)1可以構(gòu)造成處理各種基底(即，200mm基底，300mm基底，或更大)。
在圖示的實(shí)施例中，上部組件20可以包括蓋、氣體噴射組件、上部電極阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(impedance match network)中的至少一個(gè)。例如，上壁24可以例如構(gòu)造成包括一個(gè)電極，所述電極具有一個(gè)電極板，所述電極板與一個(gè)射頻(RF)源聯(lián)接，并且由此形成一個(gè)用于所述等離子體處理系統(tǒng)1的上部電極。在另一個(gè)變換的實(shí)施例中，所述上部組件20包括一個(gè)蓋和一個(gè)上壁24，其中所述上壁24保持在與加工腔室10的電位相等的電位。例如，所述加工腔室10、上部組件20、和上壁24能夠電連接到接地電位，并且形成了用于等離子體處理系統(tǒng)1的接地壁。
加工腔室10可以例如進(jìn)一步包括一個(gè)淀積罩14，用于保護(hù)所述等離子體加工腔室10防止其受到處理空間12中的處理等離子體的影響，并且還包括一個(gè)光學(xué)觀察口16。光學(xué)觀察口16可以包括一個(gè)光學(xué)視窗17，所述光學(xué)視窗17與一個(gè)光學(xué)視窗淀積罩18的后側(cè)聯(lián)接，并且一個(gè)光學(xué)視窗凸緣19可以構(gòu)造成將所述光學(xué)視窗17聯(lián)接于所述光學(xué)視窗淀積罩18。密封元件，例如O形環(huán)，可以設(shè)置在所述光學(xué)視窗凸緣19和所述光學(xué)視窗17之間，設(shè)置在光學(xué)視窗17和光學(xué)視窗淀積罩18之間，設(shè)置在光學(xué)視窗淀積罩18和加工腔室10之間。光學(xué)視窗淀積罩18可以延伸穿過(guò)淀積罩14內(nèi)的一個(gè)開(kāi)口70。所述光學(xué)觀察口16，例如，可以允許對(duì)處理空間12中的處理等離子體的發(fā)射光進(jìn)行監(jiān)視。
基底支座30，可以例如，進(jìn)一步包括一個(gè)豎直移位裝置50，所述豎直移位裝置50被一個(gè)聯(lián)接于所述基底支座30和所述加工腔室10的波紋管52包圍著，所述波紋管構(gòu)造成將所述豎直移位裝置50與所述加工腔室10中的負(fù)壓氣氛11密封隔開(kāi)。另外，波紋管罩54可以例如聯(lián)接于基底支座30，并且構(gòu)造成用于保護(hù)所述波紋管52，防止其受到處理等離子體的影響。基底支座30可以另外聯(lián)接到聚焦環(huán)60，并且可選擇地，可以聯(lián)接到罩環(huán)56。此外，擋板58可以例如靠近所述基底支座30的外周延伸。
基底35可以例如借助于一個(gè)自動(dòng)化基底轉(zhuǎn)移系統(tǒng)通過(guò)一個(gè)槽閥(slot valve)(未圖示)和腔室穿通裝置(chamber feedthrough)(未圖示)傳送到加工腔室10中和從中出來(lái)，在該自動(dòng)化基底轉(zhuǎn)移系統(tǒng)中，所述基底由容納在基底支座30中的基底頂桿(未圖示)接收，并且通過(guò)容納在該基底支座30中的裝置機(jī)械地傳送。一旦基底35由所述基底轉(zhuǎn)移系統(tǒng)接收，該基底將下降到基底支座30的一個(gè)上表面上。
基底35可以，例如，通過(guò)一個(gè)靜電夾持系統(tǒng)被固定到所述基底支座30上。此外，基底支座30可以，例如，進(jìn)一步包括一個(gè)冷卻系統(tǒng)，所述冷卻系統(tǒng)包括再循環(huán)冷卻劑流，后者從基底支座30接收熱量并且將該熱量傳遞到熱交換系統(tǒng)(未圖示)，或者當(dāng)加熱時(shí)，將熱量從熱交換系統(tǒng)傳遞到基底支座30。此外，例如，可以通過(guò)背面氣體系統(tǒng)將氣體輸送到所述基底35背面，以提高基底35和基底支座30之間的氣隙熱傳導(dǎo)。當(dāng)需要將基底溫度控制在較高或者較低溫度時(shí)可以使用這種系統(tǒng)。在其它實(shí)施例中，加熱元件，例如電阻加熱元件或者熱電加熱裝置/冷卻裝置可以包括在內(nèi)。
在圖1所示的實(shí)施例中，基底支座30可以包括一個(gè)電極，RF能量通過(guò)該電極被結(jié)合到所述處理空間12中的處理等離子體。例如，通過(guò)從一個(gè)RF發(fā)生器(未圖示)經(jīng)一個(gè)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(未圖示)而將RF能量輸送到基底支座30，由此在RF電壓下可以使基底支座30受到電偏壓。RF偏壓可以用于加熱電子以形成和維持等離子體。在這種構(gòu)造中，所述系統(tǒng)可以作為一個(gè)反應(yīng)離子蝕刻(RIE)反應(yīng)器而工作，其中所述腔室和上部氣體噴射電極用作接地表面。用于RF偏壓的典型的頻率可以在1MHz至100MHz的范圍內(nèi)，例如13.56MHz。用于等離子體處理工藝的RF系統(tǒng)對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)已經(jīng)眾所周知。
或者，可以使用平行板、電容耦合等離子體(CCP)源、電感耦合等離子體(ICP)源、變壓器耦合等離子體(TCP)源及它們?nèi)我獾慕M合，并且在設(shè)有或者沒(méi)有DC磁體系統(tǒng)的情況下形成在處理空間12中的處理等離子體。或者，所述處理空間12中的處理等離子體可以使用電子回旋加速器諧振(ECR)形成。在另一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)發(fā)射螺旋型波而形成處理空間12中的處理等離子體。在再一個(gè)實(shí)施例中，由傳播的表面波而形成處理空間12中的處理等離子體。
仍參照?qǐng)D1，等離子體處理裝置1包括一個(gè)或多個(gè)等離子體處理元件，每個(gè)等離子體處理元件可以暴露于處理空間12中的處理等離子體中，并且因此在處理過(guò)程中受到潛在的腐蝕作用。例如，所述一個(gè)或多個(gè)處理元件可以包括電極板、淀積罩、腔室襯墊、波紋管罩、擋板、光學(xué)視窗淀積罩、罩環(huán)、聚焦環(huán)等。為了減輕暴露的處理元件由于處理等離子體的作用而腐蝕和隨后對(duì)基底的污染，所述處理元件覆蓋了保護(hù)阻擋層。
在一個(gè)實(shí)施例中，如圖2A所示，處理元件100包括一個(gè)過(guò)渡區(qū)域110，其中第一保護(hù)阻擋層120與第二保護(hù)阻擋層130鄰接。例如，所述過(guò)渡區(qū)域可以限定第一保護(hù)阻擋層120和第二保護(hù)阻擋層130之間相互重疊的范圍。如圖2A所示，所述過(guò)渡區(qū)域110可以包括一個(gè)邊緣，其中所述邊緣的特征在于具有至少一個(gè)邊緣半徑112。此外，在該例子中，所述過(guò)渡區(qū)域110可以在所述邊緣的半徑弧的0至100％的范圍內(nèi)延伸。
任一個(gè)保護(hù)阻擋層120、130可以例如，包括表面陽(yáng)極處理層、用等離子體電解氧化而形成的覆層或者噴涂覆層例如熱噴涂覆層中的一個(gè)。在一個(gè)實(shí)施例中，任一個(gè)保護(hù)阻擋層120、130可以包括Al2O3和Y2O3至少之一。在另一個(gè)實(shí)施例中，任一個(gè)保護(hù)阻擋層120、130包括第III-欄元素(周期表中第III欄的元素)和稀土元素中的至少一種元素。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述第III-欄元素包括釔、鈧和鑭中的至少一種。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述稀土元素包括鈰、鏑和銪中的至少一種。在另一個(gè)實(shí)施例中，形成保護(hù)阻擋層的化合物包括氧化釔(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。在另一個(gè)實(shí)施例中，任一個(gè)保護(hù)阻擋層120、130可以包括Keronite(表面覆層處理，可以從Keronite先進(jìn)表面技術(shù)有限公司獲得，具體地址為PO Box 700，Granta Park，Great Abington，Cambridge CB1 6ZY，UK)。在另一個(gè)實(shí)施例中，任一個(gè)保護(hù)阻擋層120、130可以包括硅、碳化硅、氧化鋁、Teflon、Vespel、或Kapton中的至少一種。例如，所述第一保護(hù)阻擋層120可以包括表面陽(yáng)極處理層，第二保護(hù)阻擋層130可以包括噴涂覆層。
如圖2A所示，所述過(guò)渡區(qū)域110可以包括處理元件100的一個(gè)邊緣，并且該邊緣可以機(jī)加工成包括一個(gè)邊緣半徑112。所述邊緣半徑112可以超過(guò)0.5mm，并且例如在0.5mm至2mm的范圍內(nèi)?；蛘?，邊緣半徑112可以超過(guò)2mm?；蛘撸吘壈霃娇梢赃_(dá)到無(wú)限值半徑(即，平直表面)。如圖2B所示，所述第一保護(hù)阻擋層120可以施加于所述處理元件的第一區(qū)域140，以在所述過(guò)渡區(qū)域110的至少一部分上延伸。例如，當(dāng)所述過(guò)渡區(qū)域110包括一個(gè)邊緣時(shí)，第一保護(hù)阻擋層120在所述過(guò)渡區(qū)域110上的延伸范圍應(yīng)當(dāng)包括所述邊緣半徑弧的至少50％，并且理想的是，所述延伸范圍在所述邊緣半徑弧的90％至110％。第一保護(hù)阻擋層的應(yīng)用可以包括遮蓋處理元件的某些區(qū)域或者表面，以防止將所述第一保護(hù)阻擋層120施加于這些區(qū)域/表面。此外，第一保護(hù)阻擋層120的應(yīng)用還可以包括隨后對(duì)處理元件100不希望應(yīng)用第一保護(hù)覆層120的區(qū)域或表面再進(jìn)行機(jī)加工。
在施加第一保護(hù)阻擋層120之后，可以對(duì)處理元件100的第二區(qū)域142進(jìn)行改變，以使該第二區(qū)域142的表面層變粗糙。對(duì)第二區(qū)域142的改變可以例如，包括噴砂處理。如圖2C所示，第二區(qū)域142(由粗虛線顯著表示)包括所述第一區(qū)域140的一部分，并且在所述處理元件的過(guò)渡區(qū)域110的至少一部分延伸。例如，當(dāng)所述過(guò)渡區(qū)域110包括一個(gè)邊緣時(shí)，所述第二區(qū)域142的延伸范圍應(yīng)當(dāng)包括所述邊緣半徑弧的至少50％，如圖2C所示。
在改變第二區(qū)域142之后，可以將第二保護(hù)阻擋層130施加于處理元件的第三區(qū)域144，以在所述過(guò)渡區(qū)域110延伸，并且部分地覆蓋第一保護(hù)阻擋層120。例如，當(dāng)過(guò)渡區(qū)域110包括一個(gè)邊緣時(shí)，第二保護(hù)阻擋層130在過(guò)渡區(qū)域110的延伸范圍應(yīng)當(dāng)包括所述邊緣半徑弧的至少50％，并且理想的是，該延伸范圍在所述邊緣半徑弧的90％至110％，如圖2D所示。第二保護(hù)阻擋層130的應(yīng)用可以包括遮蓋處理元件的某些區(qū)域或者表面，以防止將第二保護(hù)阻擋層130施加于這些區(qū)域/表面。
圖3表示鄰接根據(jù)上面描述的相鄰的覆層的方法。所述方法以流程圖500表示，并且從步驟510開(kāi)始，其中在處理元件的至少一部分上限定了一個(gè)過(guò)渡區(qū)域。例如，所述過(guò)渡區(qū)域可以包括一個(gè)邊緣的至少一部分，所述邊緣在所述處理元件上具有一個(gè)邊緣半徑。所述處理元件可以例如使用機(jī)加工、拋光或者研磨中的至少一種工藝制造。例如，如上所述的處理元件可以根據(jù)機(jī)械圖紙?jiān)O(shè)定的規(guī)格機(jī)加工，并且使用傳統(tǒng)的技術(shù)包括銑床等。使用例如銑床來(lái)機(jī)加工元件的技術(shù)對(duì)于機(jī)加工類似材料的領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是眾所周知的。處理元件可以例如包括鋁。
在步驟520，在所述處理元件的第一區(qū)域形成了第一保護(hù)阻擋層。其中所述第一區(qū)域包括處理元件的過(guò)渡區(qū)域。第一保護(hù)阻擋層可以例如包括表面陽(yáng)極處理層?？梢圆扇≌谏w或者再機(jī)加工中的至少一種來(lái)確保第一保護(hù)阻擋層與所述第一區(qū)域的一致。
在步驟530，也占據(jù)所述過(guò)渡區(qū)域的處理元件的第二區(qū)域可以被改變，以提高第二保護(hù)阻擋層的附著力，特別是在過(guò)渡區(qū)域上。對(duì)第二區(qū)域進(jìn)行改變可以例如包括噴砂。
在步驟540，在所述處理元件的第二區(qū)域形成了一個(gè)第二保護(hù)阻擋層。所述第二保護(hù)阻擋層可以例如包括表面噴涂覆層。可以采取遮蓋或者再機(jī)加工中的至少一種來(lái)確保第二保護(hù)阻擋層與所述第二區(qū)域的一致。
盡管如上所述只對(duì)本發(fā)明的某些舉例的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)描述，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員顯然會(huì)理解，在示例的實(shí)施方式的基礎(chǔ)上可以有很多改進(jìn)而不會(huì)從實(shí)質(zhì)上脫離本發(fā)明的新穎構(gòu)思和優(yōu)點(diǎn)。因此，所有類似的改進(jìn)都應(yīng)當(dāng)包括在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于在處理元件上鄰接至少兩個(gè)保護(hù)阻擋層的方法，包括在所述處理元件上限定一個(gè)過(guò)渡區(qū)域，其中所述過(guò)渡區(qū)域包括第一保護(hù)阻擋層和第二保護(hù)阻擋層的重疊部分；將所述第一保護(hù)阻擋層施加于所述處理元件的第一區(qū)域，所述第一區(qū)域包括所述過(guò)渡區(qū)域；處理所述處理元件的第二區(qū)域，以提高所述第二保護(hù)阻擋層的附著力，所述第二區(qū)域包括所述過(guò)渡區(qū)域；和施加所述第二保護(hù)阻擋層于所述第二區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述過(guò)渡區(qū)域包括至少一部分邊緣。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述邊緣的特征在于具有至少一個(gè)邊緣半徑。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，還包括形成所述邊緣，其特征在于，所述邊緣包括一個(gè)邊緣半徑，并且所述邊緣半徑的范圍為0.5mm至5mm。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述邊緣半徑的范圍為0.5mm至2mm。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一保護(hù)阻擋層和所述第二保護(hù)阻擋層包括表面陽(yáng)極處理層、用等離子體電解氧化而形成的覆層和噴涂覆層中的至少一種。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一保護(hù)阻擋層和所述第二保護(hù)阻擋層包括氧化鋁、碳、碳化硅、硅、石英、Teflon、Vespel和Kapton中的至少一種。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一保護(hù)阻擋層和所述第二保護(hù)阻擋層包括第III-欄元素和稀土元素中的至少一種元素。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一保護(hù)阻擋層和所述第二保護(hù)阻擋層包括氧化釔(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一保護(hù)阻擋層包括表面陽(yáng)極處理層，所述第二保護(hù)阻擋層包括噴涂覆層。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述處理方法包括噴砂工藝。
12.用于一種處理系統(tǒng)的處理元件，包括與所述處理元件上的第一區(qū)域結(jié)合的第一保護(hù)阻擋層；和與所述處理元件上的第二區(qū)域結(jié)合的第二保護(hù)阻擋層，其中所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域相互重疊以形成一個(gè)過(guò)渡區(qū)域。
13.如權(quán)利要求12所述的處理元件，其特征在于，所述第二區(qū)域被處理，以提高所述第二保護(hù)阻擋層的附著力。
14.如權(quán)利要求13所述的處理元件，其特征在于，所述處理方法包括噴砂工藝。
15.如權(quán)利要求12所述的處理元件，其特征在于，所述過(guò)渡區(qū)域包括邊緣的至少一部分。
16.如權(quán)利要求15所述的處理元件，其特征在于，所述邊緣的特征在于至少一個(gè)邊緣半徑。
17.如權(quán)利要求16所述的處理元件，其特征在于，所述邊緣包括一個(gè)邊緣半徑，并且所述邊緣半徑的范圍為0.5mm至5mm。
18.如權(quán)利要求17所述的處理元件，其特征在于，所述邊緣半徑的范圍為0.5mm至2mm。
19.如權(quán)利要求12所述的處理元件，其特征在于，所述第一保護(hù)阻擋層和所述第二保護(hù)阻擋層包括表面陽(yáng)極處理層、用等離子體電解氧化而形成的覆層和噴涂覆層中的至少一種。
20.如權(quán)利要求12所述的處理元件，其特征在于，所述第一保護(hù)阻擋層和所述第二保護(hù)阻擋層包括氧化鋁、碳、碳化硅、硅、石英、Teflon、Vespel和Kapton中的至少一種。
21.如權(quán)利要求12所述的處理元件，其特征在于，所述第一保護(hù)阻擋層和所述第二保護(hù)阻擋層包括第III-欄元素和稀土元素中的至少一種元素。
22.如權(quán)利要求12所述的處理元件，其特征在于，所述第一保護(hù)阻擋層和所述第二保護(hù)阻擋層包括氧化釔(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。
23.如權(quán)利要求12所述的處理元件，其特征在于，所述第一保護(hù)阻擋層包括表面陽(yáng)極處理層，所述第二保護(hù)阻擋層包括噴涂覆層。
24.如權(quán)利要求12所述的處理元件，其特征在于，所述第一和第二保護(hù)阻擋層包括相同的材料。
25.如權(quán)利要求12所述的處理元件，其特征在于，所述第一和第二保護(hù)阻擋層包括不同的材料。
全文摘要
被施加于一個(gè)等離子體處理系統(tǒng)的處理元件上的兩個(gè)或更多個(gè)覆層用保護(hù)阻擋層或者覆層處理。描述了一種用于鄰接在所述處理元件上的兩個(gè)或更多個(gè)覆層的方法。施加第一保護(hù)阻擋層之后，對(duì)所述第一保護(hù)阻擋層的一部分進(jìn)行處理。然后將第二保護(hù)阻擋層施加于一個(gè)區(qū)域的至少一部分上，該區(qū)域即是施加了所述第一保護(hù)阻擋層的區(qū)域。
文檔編號(hào)H01R24/00GK1768341SQ200480008608
公開(kāi)日2006年5月3日 申請(qǐng)日期2004年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月31日
發(fā)明者G·埃舍爾, M·A·艾倫, 工藤恭久 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社