專利名稱：發(fā)光顯示器、顯示屏及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光顯示器、顯示屏及其驅(qū)動(dòng)方法。特別是涉及一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光(electroluminescent，EL)顯示器。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)EL顯示器電激勵(lì)磷有機(jī)化合物以發(fā)光，并且其電壓或電流驅(qū)動(dòng)N×M有機(jī)發(fā)光單元(organic emitting cell)以顯示圖像。如圖1所示，有機(jī)發(fā)射單元包括ITO陽極(Indium Tin Oxide，氧化錫銦)、有機(jī)薄膜和金屬陰極層。有機(jī)薄膜具有包括發(fā)射層(EML，emission layer)、電子傳輸層(ETL，electron transport layer)和空穴傳輸層(HTL，hole transport layer)的多層結(jié)構(gòu)，以便平衡電子和空穴之間的平衡和增加發(fā)射效率，而且，它還包括電子注入層(EIL，electron injection layer)和空穴注入層(HIL，hole injection layer)。
用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光單元的方法包括無源矩陣法(passive matrix method)，和使用薄膜晶體管(TFT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的有源矩陣法(active matrix method)。無源矩陣法形成互相交叉的陰極和陽極，并選擇性地驅(qū)動(dòng)線路(line)。有源矩陣法使用每一ITO像素電極(pixel electrode)連接TFT和電容，從而根據(jù)電容值來維持預(yù)定電壓。根據(jù)為維持電容上的電壓而提供的信號(hào)形式將有源矩陣法分為電壓編程法和電流編程法。
將參照?qǐng)D2和圖3來說明傳統(tǒng)的電壓編程和電流編程有機(jī)EL顯示器。
圖2表示用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件的傳統(tǒng)電壓編程類型的像素電路，該圖表示N×M像素中的一個(gè)像素。參照?qǐng)D2，晶體管M1與有機(jī)EL器件(下文中稱為OLED)相連，從而為光發(fā)射提供電流。通過由開關(guān)晶體管M2提供的數(shù)據(jù)電壓控制晶體管M1的電流。在此情況下，用于維持所供電壓達(dá)預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)度的電容C1連接在晶體管M1的源極和柵極之間。掃描線Sn連接到晶體管M2的柵極，而數(shù)據(jù)線Dm連接到該晶體管的源極。
如上構(gòu)造的像素操作如下，當(dāng)晶體管M2根據(jù)施加于開關(guān)晶體管M2的柵極的選擇信號(hào)導(dǎo)通時(shí)，來自數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電壓被施加于晶體管M1。因此，與電容C1在柵極和源極之間所充的電壓VGS對(duì)應(yīng)的電流IOLED流經(jīng)晶體管M2，而OLED發(fā)射對(duì)應(yīng)于電流IOLED的光。
在該情況下，流經(jīng)OLED的電流由公式1給出。
公式1IOLED=β2(VGS-VTH)2=β2(VDD-VDATA-|VTH|)2--(1)]]>其中，IOLED是流經(jīng)有機(jī)EL器件OLED的電流，VGS是晶體管M1的柵極和源極之間的電壓，VTH是晶體管M1的門限電壓(threshold voltage)，而β是常量。
如公式1所示，根據(jù)圖2的像素電路，向OLED提供與所供數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的電流，且OLED發(fā)射與所供電流對(duì)應(yīng)的光。在該情況下，所提供的數(shù)據(jù)電壓具有在預(yù)定范圍之內(nèi)的多級(jí)值(multi-stage value)，以便表示灰度(gray)。
然而，遵循電壓編程法的傳統(tǒng)像素電路存在下列問題，由于集成過程的非均勻性(non-uniformity)導(dǎo)致的電子遷移(electron mobility)的偏差(deviation)和TFT的門限電壓VTH的偏差，使得難于獲得高灰度。例如，當(dāng)使用3伏(3V)電壓驅(qū)動(dòng)像素的TFT時(shí)，以每一間隔12mv(＝3V/256)向TFT的柵極提供電壓以便表示8比特(256)的灰度，如果由于集成過程的非均勻性導(dǎo)致TFT的門限電壓產(chǎn)生偏差，則很難表示高灰度。并且，由于電子遷移的偏差使得公式1中的數(shù)值β發(fā)生變化，從而，表示高灰度變得更加困難。
假定用于向像素電路提供電流的電流源在整個(gè)屏幕(panel)上是均勻的，則即使在每一像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管具有非均勻的電壓-電流特性，電流編程法的像素電路也能獲得均勻的顯示特性。
圖3表示用于驅(qū)動(dòng)OLED的傳統(tǒng)電流編程法的像素電路，該圖代表N×M像素中的一個(gè)像素。參照?qǐng)D3，晶體管M1連接至OLED以提供用于光發(fā)射的電流，且由通過晶體管M2提供的數(shù)據(jù)電流控制晶體管M1的電流。
首先，當(dāng)由于來自掃描線Sn的選擇信號(hào)，晶體管M2和M3被導(dǎo)通時(shí)，晶體管M1變成二極管連接(diode-connected)，且在電容C1中存儲(chǔ)與來自數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電流IDATA匹配的電壓。接著，來自掃描線Sn的選擇信號(hào)變成高電平以導(dǎo)通晶體管M4。然后，由電源電壓VDD供電，且與存儲(chǔ)在電容C1中的電壓匹配的電流流經(jīng)OLED以發(fā)光。在該情況下，流經(jīng)OLED的電流如下給出。
公式2IOLED=β2(VGS-VTH)2=IDATA]]>其中，VGS是晶體管M1的柵極和源極之間的電壓，VTH是晶體管M1的門限電壓，β是常量。
如公式2所示，在傳統(tǒng)像素電路中，由于流經(jīng)OLED的電流IOLED與數(shù)據(jù)電流IDATA相同，當(dāng)在整個(gè)屏幕上編程電流源被設(shè)為均勻時(shí)可以獲得均勻特性。然而，由于流經(jīng)OLED的電流IOLED是微電流(fine current)，所以由微電流IDATA控制像素電路需要很長(zhǎng)的時(shí)間來對(duì)數(shù)據(jù)線充電。例如，假設(shè)數(shù)據(jù)線的負(fù)載電容是30pF，它需要幾毫秒的時(shí)間來使用幾十～幾百納安(nA)的數(shù)據(jù)電流對(duì)數(shù)據(jù)線的負(fù)載充電?？紤]到幾十毫秒的線路時(shí)間(line time)，這將導(dǎo)致充電時(shí)間不充足的問題。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供一種發(fā)光顯示器，用于補(bǔ)償晶體管的門限電壓或電子遷移率，并充分地對(duì)數(shù)據(jù)線進(jìn)行充電。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種發(fā)光顯示器，在其上形成多個(gè)用于傳輸顯示視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)線、多個(gè)用于傳輸選擇信號(hào)的掃描線和多個(gè)形成在由所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線限定的多個(gè)像素上的像素電路。所述像素電路包括發(fā)光器件，用于發(fā)射相應(yīng)于所供電流的光；第一晶體管，具有第一主電極、第二主電極和控制電極，用于為發(fā)光器件提供驅(qū)動(dòng)電流；二極管連接的第二晶體管；第一開關(guān)，用于響應(yīng)來自所述掃描線的選擇信號(hào)，將來自所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流傳輸至所述第二晶體管；第一存儲(chǔ)器件，具有與所述第一晶體管的所述第一主電極和所述第二晶體管的所述第一主電極連接的第一端，和與所述第一晶體管的所述控制電極連接的第二端，所述第二端響應(yīng)第一控制信號(hào)的第一電平，與所述第二晶體管的柵極連接；第二存儲(chǔ)器件，響應(yīng)所述第一控制信號(hào)的第二電平，連接在所述第一存儲(chǔ)器件的所述第二端和所述第二晶體管的控制電極之間；和第二開關(guān)，用于響應(yīng)第二控制信號(hào)，連接所述第一晶體管和所述發(fā)光器件。所述發(fā)光顯示器以下列順序工作第一間隔，用于選擇所述第一控制信號(hào)和所述選擇信號(hào)的所述第一電平，第二間隔，用于選擇所述第一控制信號(hào)的所述第二電平，和第三間隔，用于選擇所述第二控制信號(hào)。在所述第一間隔中，將所述第二晶體管的所述控制電極的電壓確定為相應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電流的第一電壓；通過數(shù)據(jù)電流的截取，將所述第二晶體管的控制電極電壓從所述第一電壓變?yōu)榈诙妷?；在第二間隔中，通過所述第一和第二存儲(chǔ)器件的連接，將所述第一晶體管的控制電極電壓確定為第三電壓以在所述第一存儲(chǔ)器件中存儲(chǔ)第四電壓；在第三間隔中，將相應(yīng)于所述第四電壓的驅(qū)動(dòng)電流從所述第一晶體管傳輸至發(fā)光器件。該像素電路還包括連接在所述第一和第二晶體管的所述控制電極之間的第三開關(guān)。由所述第一控制信號(hào)的所述第一電平導(dǎo)通所述第三開關(guān)。所述第一控制信號(hào)是所述選擇信號(hào)。由除了所述掃描線之外的其它信號(hào)線提供所述第一控制信號(hào)，所述第一控制信號(hào)具有比所述選擇信號(hào)快的定時(shí)。所述第一晶體管的通道寬度(channel width)等于或窄于所述第二晶體管的通道寬度。所述第一晶體管的通道長(zhǎng)度(channel length)等于或長(zhǎng)于所述第二晶體管的通道長(zhǎng)度。所述第一存儲(chǔ)器件是形成在所述第一晶體管的所述第一主電極和所述控制電極之間的第一電容；所述第二存儲(chǔ)器件是形成在所述第一和第二晶體管的控制電極之間的第二電容；由分辨率和屏幕尺寸來確定所述第一電容的電容值和所述第二電容的電容值。所述第一晶體管和所述第二晶體管的所述門限電壓之間的均勻性(Uniformity)為高。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光顯示器的方法，所述發(fā)光顯示器具有像素電路，該像素電路包括第一開關(guān)，用于響應(yīng)來自掃描線的選擇信號(hào)，傳輸來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流，第一晶體管，具有第一和第二主電極以及控制電極，用于輸出相應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電流的驅(qū)動(dòng)電流，第一存儲(chǔ)器件，形成在所述第一晶體管的所述第一主電極和所述控制電極之間，和發(fā)光器件，用于發(fā)射相應(yīng)于來自所述第一晶體管的所述驅(qū)動(dòng)電流的光。將所述二極管連接的第二晶體管的控制電極連接至所述第一晶體管的所述控制電極。將所述數(shù)據(jù)電流從所述第一開關(guān)傳輸至所述第二晶體管以建立所述第二晶體管的控制電極電壓作為第一電壓。在所述第一和第二晶體管的所述控制電極之間形成第二存儲(chǔ)器件；截取所述數(shù)據(jù)電流以將所述第一電壓改為第二電壓，其中，所述第二電壓反映了所述第二晶體管的門限電壓。使用所述第二電壓和所述第一和第二存儲(chǔ)器件的連接來將所述第一晶體管的所述控制電極電壓從所述第一電壓改為第三電壓。由所述第一晶體管將相應(yīng)于所述第三電壓的驅(qū)動(dòng)電流輸出傳輸至所述發(fā)光器件。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種發(fā)光顯示器的顯示屏，其上形成多個(gè)用于傳輸顯示視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)線、多個(gè)用于傳輸選擇信號(hào)的掃描線、和多個(gè)形成在由所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線限定的多個(gè)像素上的像素電路。所述像素電路包括發(fā)光器件，用于發(fā)射相應(yīng)于所供電流的光；第一晶體管，具有第一和第二主電極以及控制電極，用于為發(fā)光器件發(fā)光提供驅(qū)動(dòng)電流；二極管連接的第二晶體管；第一開關(guān)，用于響應(yīng)來自所述掃描線的選擇信號(hào)，將來自所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流傳輸至所述第二晶體管；第一存儲(chǔ)器件，連接至所述第一晶體管的所述控制電極；和第二存儲(chǔ)器件。所述顯示屏以下列順序工作第一間隔，用于連接所述第一和第二晶體管的控制電極并在第一存儲(chǔ)器件中存儲(chǔ)相應(yīng)于來自所述第一開關(guān)的數(shù)據(jù)電流的電壓；第二間隔，用于在所述第一和第二晶體管的控制電極之間形成第二存儲(chǔ)器件，且截取所述數(shù)據(jù)電流以將相應(yīng)于所述第二晶體管的門限電壓的電壓分配給所述第一和第二存儲(chǔ)器件；和第三間隔，用于將由所述第一晶體管輸出的、相應(yīng)于存儲(chǔ)在所述第一存儲(chǔ)器件中的電壓的驅(qū)動(dòng)電流傳輸至所述發(fā)光器件。響應(yīng)第一電平的第一控制信號(hào)，連接所述第一和第二晶體管的控制電極。在所述第一間隔中，響應(yīng)所述選擇信號(hào)，傳輸數(shù)據(jù)電流至所述第二晶體管，響應(yīng)第二電平的第一控制信號(hào)，在所述第一和第二晶體管的所述控制電極之間連接所述第二存儲(chǔ)器件。在所述第二間隔中，所述選擇信號(hào)變成禁止電平(disable level)以截取所述數(shù)據(jù)電流。在所述第三間隔中，響應(yīng)第二控制信號(hào)，傳輸所述驅(qū)動(dòng)電流至所述發(fā)光器件。


圖1表示OLED的原理圖。
圖2表示遵循電壓編程法的傳統(tǒng)像素電路的等效電路。
圖3表示遵循電流編程法的傳統(tǒng)像素電路的等效電路。
圖4表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的簡(jiǎn)要平面圖。
圖5和圖7分別表示根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的像素電路的等效電路。
圖6和圖8分別表示用于驅(qū)動(dòng)圖5和圖7的像素電路的驅(qū)動(dòng)波形。
具體實(shí)施例方式
將參照附圖詳細(xì)地說明有機(jī)EL顯示器、相應(yīng)的像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法。
首先，參照?qǐng)D4說明有機(jī)EL顯示器。圖4表示OLED的簡(jiǎn)要平面圖。
如圖所示，有機(jī)EL顯示器包括有機(jī)EL顯示屏(organic EL displaypanel)10、掃描驅(qū)動(dòng)器20和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30。
有機(jī)EL顯示平面10包括在行方向上從D1至Dm的多個(gè)數(shù)據(jù)線、多個(gè)掃描線S1至Sn和E1至En、和多個(gè)像素電路11。數(shù)據(jù)線D1至Dm向像素電路11傳輸代表視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)，而掃描線S1至Sn向像素電路11傳輸選擇信號(hào)。像素電路11被形成在由D1至Dm中的兩個(gè)相鄰數(shù)據(jù)線和E1至En中的兩個(gè)相鄰掃描線所限定的像素區(qū)域上。同時(shí)，掃描線E1至En傳輸用于控制像素電路11的光發(fā)射的發(fā)射信號(hào)。
掃描驅(qū)動(dòng)器20順序地向掃描線S1至Sn和E1至En施加相應(yīng)選擇信號(hào)和發(fā)射信號(hào)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30向數(shù)據(jù)線D1至Dm提代表視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)電流。
掃描驅(qū)動(dòng)器20和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30可被連接至顯示屏10，或以芯片形式安裝在連接至顯示屏10的帶狀載體封裝(TCP，tape carrier package)。掃描驅(qū)動(dòng)器20和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30也可附在顯示屏10上，以及以芯片形式設(shè)安裝在與顯示屏10連接的薄膜或軟性印刷電路(FPC，flexible printed circuit)上，這被稱為軟性電路板覆晶(Chip on flexible board)、或薄膜覆晶法(Chip on film，CoF)。與此不同的是，掃描驅(qū)動(dòng)器20和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30也可設(shè)置在顯示屏的玻璃基片(glass substrate)上，并且，可以使用在玻璃基片上與掃描線、數(shù)據(jù)線和TFT相同的層中形成的，或直接安裝在玻璃基片上的驅(qū)動(dòng)電路來代替上述電路，這被稱為玻璃覆晶法(Chip on Glass，CoG)。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D5和圖6說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的像素電路11。圖5表示根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的等效電路圖，而圖6示出用于驅(qū)動(dòng)圖5的像素電路的驅(qū)動(dòng)波形圖。在該情況下，為了便于說明，圖5示出連接至第m數(shù)據(jù)線Dm和第n掃描線Sn的像素電路。
如圖5所示，像素電路11包括一個(gè)OLED、PMOS晶體管M1至M5、以及電容C1至C2。晶體管最好是具有形成在玻璃基片上作為控制電極和兩個(gè)主電極的柵電極、漏電極和源電極的晶體管。
晶體管M1具有連接至電源電壓VDD的源極和連接至電容C2的柵極，且電容C1連接在晶體管M1的柵極和源極之間。M2的柵極和漏極相互連接，即二極管連接，而晶體管M2的源極連接至電源電壓VDD。晶體管M5和電容C2并聯(lián)在晶體管M2的柵極和晶體管M1的柵極之間。
晶體管M3響應(yīng)來自掃描線Sn的選擇信號(hào)SEn，將數(shù)據(jù)電流IDATA從數(shù)據(jù)線Dm傳輸至晶體管M2。晶體管M5響應(yīng)來自掃描線Sn的選擇信號(hào)SEn，將晶體管M2的柵極連接至晶體管M1的柵極。晶體管M4連接在晶體管M1的漏極和OLED之間，并且響應(yīng)來自掃描線En的發(fā)射信號(hào)EMn，將晶體管M1的電流IOLED傳輸至OLED。OLED連接在晶體管M4和基準(zhǔn)電壓之間，并發(fā)射相應(yīng)于所供電流IOLED的光。
接著，將參照?qǐng)D6詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素電路的操作。
如圖所示，在間隔T1，由低電平選擇信號(hào)SEn導(dǎo)通晶體管M5以連接晶體管M1的柵極和晶體管M2的柵極。由選擇信號(hào)SEn導(dǎo)通晶體管M3以使得數(shù)據(jù)電流IDATA從數(shù)據(jù)線Dm流經(jīng)晶體管M2?？捎晒?給出數(shù)據(jù)電流IDATA，并且在間隔T1期間的晶體管M2上的柵極電壓VG3(T1)由公式3確定。由于晶體管M1的柵極和晶體管M2的柵極連接，晶體管M1上的柵極電壓VG1(T1)等于晶體管M2上的柵極電壓VG3(T1)。
公式3IDATA=12μ2Cox2W2L2(VGS-VTH2)2=12μ2Cox2W2L2(VDD-VG2(T1)-|VTH2|)2]]>其中，μ2是電子遷移率，Cox2是氧化物電容值，W2是通道寬度，L2是通道長(zhǎng)度，VTH2是晶體管M2的門限電壓，VDD是由電源電壓VDD提供給晶體管M2的電壓。
在間隔T2，選擇信號(hào)SEn變成高電平以斷開晶體管M3和M5。數(shù)據(jù)電流IDATA被斷開的晶體管(turn-off transistor)M3截取，并且由于晶體管M2是二極管連接，晶體管M2的柵極電壓VG2(T2)變成VDD-|VTH2|。因此，由公式4給出在間隔T1和T2之間晶體管M2柵極電壓的變化量ΔVG2。由于晶體管M1的柵極電壓VG1(T2)等于串聯(lián)的電容C1和C2的接點(diǎn)電壓(node voltage)，由公式5給出晶體管M1的柵極電壓變化量ΔVG1。即晶體管M1的柵極電壓VG1(T2)變成VG1(T1)+ΔVG1。
公式4ΔVG2＝VG2(T2)-VG2(T1)＝VDD-|VTH2|-VG2(T1)公式5
ΔVG1=C1C1+C2ΔVG2=C1C1+C2(VDD-|VTH2|-VG2(T1))]]>其中，C1和C2是電容C1和C2的電容值。
在間隔T3，響應(yīng)低電平發(fā)射信號(hào)EMn導(dǎo)通晶體管M4。流經(jīng)晶體管M1的電流IOLED通過導(dǎo)通的晶體管M4流經(jīng)OLED以發(fā)射光，并且，在該情況下的電流IOLED由公式6給出。
公式6IOLED=12μ1Cox1W1L1(VDD-VG1(T2)-|VTH1|)2]]>=12μ1Cox1W1L1{VDD-C1C1+C2(VDD-|VTH2|-VG2(T1))-VG2(T1)-|VTH1|}2]]>其中，μ1是電子遷移率，Cox1是氧化物電容值，W1是通道寬度，L1是通道長(zhǎng)度，VTH1是晶體管M1的門限電壓。
由于晶體管M1和M2被相鄰地形成在一個(gè)小像素中，所以提高了電子遷移率μ1和μ2、門限電壓VTH1和VTH2、以及氧化物電容量Cox1和Cox2之間的均勻性，并且因此它們實(shí)質(zhì)上是相同的(即μ1＝μ2、VTH1＝VTH2、以及Cox1＝Cox2)。因此，公式6可以表達(dá)為公式7，并且，采用公式3，公式7可以由公式8給出。
公式7IOLED=12μ1Cox1W1L1·C2C1+C2(VDD-VG2(T1)-|VTH2|)2]]>公式8IOLED=W1L1·L2W2(C2C1+C2)IDATA]]>在該情況下，如果電容C1的電容值C1是電容C2的電容值C2的n倍(即，C1＝n C2)，且晶體管M2的通道寬度和通道長(zhǎng)度的比值W2/L2是晶體管M1的通道寬度和通道長(zhǎng)度的比值W1/L1的M倍，公式8可如公式9那樣給出。特別是，最好晶體管M2的通道寬度W2等于或?qū)捰诰w管M1的通道寬度W1，且晶體管M2的通道長(zhǎng)度L2等于或短于晶體管M1的通道長(zhǎng)度L1。同時(shí)最好根據(jù)顯示屏的分辨率和尺寸來優(yōu)化電容C1的電容值C1和電容C2的電容值C2的比值。
公式9IOLED=1M(n+1)IDATA]]>
如公式9所示，由于提供給OLED的電流IOLED的確定與晶體管M1的門限電壓VTH1或電子遷移率μ1沒有關(guān)系，所以可以校正門限電壓或遷移率的偏差。同時(shí)，因?yàn)镮OLED由電流IDATA控制，其中IDATA是提供給OLED的電流IOLED的M(n+1)倍，所以可以表示高灰度。此外，由于向數(shù)據(jù)線D1至Dm提供大數(shù)據(jù)電流IDATA，因此可以充分地獲得用于對(duì)數(shù)據(jù)線充電的時(shí)間，且可以實(shí)現(xiàn)寬的OLED。而且，由于晶體管M1至M5是相同類型，因此可以容易地執(zhí)行在玻璃基片上形成TFT的處理。
在第一實(shí)施例中，使用PMOS晶體管實(shí)現(xiàn)晶體管M1至M5，也可采用NMOS晶體管。在通過PMOS晶體管實(shí)現(xiàn)晶體管M1至M5的情況中，在圖5的像素電路中，晶體管M1和M2的源極不是與電源電壓VDD連接，而是被連接至基準(zhǔn)電壓，OLED的陰極與晶體管M4連接，且其陽極與電源電壓VDD連接。選擇信號(hào)SEn和發(fā)射信號(hào)EMn的波形具有圖6中波形的反相形式。由于可以容易地從根據(jù)第一實(shí)施例的說明中了解采用NMOS晶體管對(duì)晶體管M1至M5的實(shí)現(xiàn)，將不提供進(jìn)一步的說明。同時(shí)，可以通過PMOS和NMOS或具有類似功能的開關(guān)的組合來實(shí)現(xiàn)晶體管M1至M5。
在第一實(shí)施例中，使用來自掃描線Sn的選擇信號(hào)SEn控制晶體管M5，但也可使用來自另一掃描線的控制信號(hào)來控制該晶體管，現(xiàn)在將參照?qǐng)D7和圖8來說明。
圖7示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的像素電路的等效電路，而圖8示出用于驅(qū)動(dòng)圖7的像素電路的驅(qū)動(dòng)波形。
如圖7所示，根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路還包括圖5的像素電路中的掃描線Cn。晶體管M5具有與掃描線Cn連接的柵極并響應(yīng)來自掃描線Cn的控制信號(hào)CSn，將晶體管M1的柵極連接至晶體管M2的柵極。
參照?qǐng)D8，由于在第一實(shí)施例中能產(chǎn)生晶體管M3和M5的導(dǎo)通和斷開定時(shí)問題，控制信號(hào)CSn先于選擇信號(hào)SEn被設(shè)置成低電平。在該情況下，可以將控制信號(hào)CSn的延遲信號(hào)用作選擇信號(hào)SEn。
具體地，晶體管M5先被控制信號(hào)CSn導(dǎo)通以連接晶體管M1的柵極和晶體管M2的柵極，且晶體管M3被選擇信號(hào)SEn導(dǎo)通以傳輸數(shù)據(jù)電流IDATA。由高電平控制信號(hào)CSn斷開晶體管M5以使用電壓對(duì)電容C1和C2充電，由高電平選擇信號(hào)SEn斷開晶體管M3以截取數(shù)據(jù)電流IDATA。由于根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的操作與第一實(shí)施例類似，所以將不提供其詳細(xì)說明。
根據(jù)本發(fā)明，由于流經(jīng)OLED的電流可以由大數(shù)據(jù)電流來控制，因此，數(shù)據(jù)線可以被充分充電達(dá)單個(gè)線路時(shí)間(single line time)，并校正門限電壓或電子遷移，且可以實(shí)現(xiàn)具有高分辨率和寬屏幕的發(fā)光顯示器。
雖然已結(jié)合實(shí)際實(shí)施例說明了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明不限于公開的實(shí)施例，而相反，它應(yīng)當(dāng)覆蓋包含在所附權(quán)利要求的范圍和精神之內(nèi)的各種修改和等效結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光顯示器，包括顯示屏，在其上形成多個(gè)用于傳輸顯示視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)線、多個(gè)用于傳輸選擇信號(hào)的掃描線和多個(gè)形成在由所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線限定的多個(gè)像素上的像素電路，其中至少一個(gè)像素電路包括發(fā)光器件，用于發(fā)射相應(yīng)于所供電流的光；第一晶體管，具有第一主電極、第二主電極和控制電極，用于為發(fā)光器件提供驅(qū)動(dòng)電流；二極管連接的第二晶體管；第一開關(guān)，用于響應(yīng)來自所述掃描線的選擇信號(hào)將來自所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流傳輸至所述第二晶體管；第一存儲(chǔ)器件，具有與所述第一晶體管的所述第一主電極和所述第二晶體管的所述第一主電極連接的第一端，和與所述第一晶體管的所述控制電極連接的第二端，該第二端響應(yīng)第一控制信號(hào)的第一電平與所述第二晶體管的柵極連接；第二存儲(chǔ)器件，其響應(yīng)所述第一控制信號(hào)的第二電平，連接在所述第一存儲(chǔ)器件的所述第二端和所述第二晶體管的控制電極之間；和第二開關(guān)，用于響應(yīng)第二控制信號(hào)，連接所述第一晶體管和所述發(fā)光器件。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中所述發(fā)光顯示器以下列順序工作第一間隔，用于選擇所述第一控制信號(hào)和所述選擇信號(hào)的所述第一電平，第二間隔，用于選擇所述第一控制信號(hào)的所述第二電平，和第三間隔，用于選擇所述第二控制信號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光顯示器，其中在所述第一間隔中，將所述第二晶體管的所述控制電極的電壓確定為相應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電流的第一電壓；通過數(shù)據(jù)電流的截取，將所述第二晶體管的控制電極電壓從所述第一電壓變?yōu)榈诙妷?；在第二間隔中，通過所述第一和第二存儲(chǔ)器件的連接，將所述第一晶體管的控制電極電壓確定為第三電壓以在所述第一存儲(chǔ)器件中存儲(chǔ)第四電壓；和在第三間隔中，將相應(yīng)于所述第四電壓的驅(qū)動(dòng)電流從所述第一晶體管傳輸至發(fā)光器件。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中所述像素電路還包括連接在所述第一晶體管和所述第二晶體管的控制電極之間的第三開關(guān)；和由所述第一控制信號(hào)的所述第一電平導(dǎo)通所述第三開關(guān)。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中所述第一控制信號(hào)是所述選擇信號(hào)。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中由除了所述掃描線之外的其它信號(hào)線提供所述第一控制信號(hào)，所述第一控制信號(hào)具有比所述選擇信號(hào)快的定時(shí)。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中所述第一晶體管的通道寬度等于或窄于所述第二晶體管的通道寬度。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中所述第一晶體管的通道長(zhǎng)度等于或長(zhǎng)于所述第二晶體管的通道長(zhǎng)度。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中所述第一存儲(chǔ)器件是形成在所述第一晶體管的所述第一主電極和所述控制電極之間的第一電容；所述第二存儲(chǔ)器件是形成在所述第一晶體管和所述第二晶體管的控制電極之間的第二電容；和由屏幕分辨率和尺寸之一來確定所述第一電容的電容值和所述第二電容的電容值。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管的所述門限電壓之間的均勻性為高。
11.一種用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光顯示器的方法，所述發(fā)光顯示器具有像素電路，該像素電路包括第一開關(guān)，用于傳輸來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流以響應(yīng)來自掃描線的選擇信號(hào)，第一晶體管，具有第一主電極、第二主電極和控制電極，用于輸出相應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電流的驅(qū)動(dòng)電流，第一存儲(chǔ)器件，形成在所述第一晶體管的所述第一主電極和所述控制電極之間，和發(fā)光器件，用于發(fā)射相應(yīng)于來自所述第一晶體管的所述驅(qū)動(dòng)電流的光，該方法包括將所述二極管連接的第二晶體管的控制電極連接至所述第一晶體管的所述控制電極；將所述數(shù)據(jù)電流從所述第一開關(guān)傳輸至所述第二晶體管以建立所述第二晶體管的控制電極電壓作為第一電壓；在所述第一晶體管和所述第二晶體管的所述控制電極之間形成第二存儲(chǔ)器件；截取所述數(shù)據(jù)電流以將所述第一電壓改為第二電壓，其中，所述第二電壓反映了所述第二晶體管的門限電壓；使用所述第二電壓和所述第一存儲(chǔ)器件及第二存儲(chǔ)器件的連接以將所述第一晶體管的所述控制電極電壓從所述第一電壓改為第三電壓；和將由所述第一晶體管輸出的、相應(yīng)于所述第三電壓的驅(qū)動(dòng)電流傳輸至所述發(fā)光器件。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管的所述第一主電極與用于供應(yīng)電源電壓的信號(hào)連接。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一晶體管的所述門限電壓實(shí)質(zhì)上等于所述第二晶體管的門限電壓。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述像素電路還包括連接在所述第一晶體管和所述第二晶體管的所述控制電極之間的第二開關(guān)，且該方法還包括響應(yīng)控制信號(hào)的使能電平，導(dǎo)通所述第二開關(guān)以連接所述第一晶體管和所述第二晶體管的所述控制電極；和響應(yīng)所述控制信號(hào)的禁止電平，斷開所述第二開關(guān)以把所述第二存儲(chǔ)器件連接在所述第一和第二晶體管的所述控制電極之間。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述控制信號(hào)是所述選擇信號(hào)。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一晶體管的通道寬度和通道長(zhǎng)度的比值等于或小于所述第二晶體管的通道寬度和通道長(zhǎng)度的比值。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一存儲(chǔ)器件的電容值和所述第二存儲(chǔ)器件的電容值的比值根據(jù)屏幕分辨率和尺寸之一來確定。
18.一種發(fā)光顯示器的顯示屏，包括多個(gè)用于傳輸顯示視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)線；多個(gè)用于傳輸選擇信號(hào)的掃描線；形成由所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線限定的多個(gè)像素；和形成在多個(gè)像素中的每一像素上的像素電路；其中至少一個(gè)像素電路包括發(fā)光器件，用于發(fā)射相應(yīng)于所供電流的光；第一晶體管，具有第一主電極、第二主電極和控制電極，用于為發(fā)光器件提供驅(qū)動(dòng)電流；二極管連接的第二晶體管；第一開關(guān)，用于響應(yīng)來自所述掃描線的選擇信號(hào)，將來自所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流傳輸至所述第二晶體管；第一存儲(chǔ)器件，與所述第一晶體管的所述控制電極連接；和第二存儲(chǔ)器件，和其中所述顯示屏以下列順序工作第一間隔，用于連接所述第一晶體管和所述第二晶體管的控制電極并在第一存儲(chǔ)器件中存儲(chǔ)相應(yīng)于來自所述第一開關(guān)的數(shù)據(jù)電流的電壓，第二間隔，用于在所述第一和第二晶體管的控制電極之間形成第二存儲(chǔ)器件，并且截取所述數(shù)據(jù)電流以將相應(yīng)于所述第二晶體管的門限電壓的電壓分配給所述第一和第二存儲(chǔ)器件，和第三間隔，用于將由所述第一晶體管輸出的、相應(yīng)于存儲(chǔ)在所述第一存儲(chǔ)器件中的電壓的驅(qū)動(dòng)電流傳輸至所述發(fā)光器件。
19.如權(quán)利要求18所述的顯示屏，其中響應(yīng)第一電平的第一控制信號(hào)，連接所述第一晶體管和所述第二晶體管的控制電極；在所述第一間隔中，響應(yīng)所述選擇信號(hào)，傳輸數(shù)據(jù)電流至所述第二晶體管；響應(yīng)第二電平的第一控制信號(hào)，在所述第一晶體管和所述第二晶體管的所述控制電極之間連接所述第二存儲(chǔ)器件；在所述第二間隔中，所述選擇信號(hào)變成禁止電平以截取所述數(shù)據(jù)電流；和在所述第三間隔中，響應(yīng)第二控制信號(hào)，傳輸所述驅(qū)動(dòng)電流至所述發(fā)光器件。
20.如權(quán)利要求19所述的顯示屏，其中所述第一控制信號(hào)是選擇信號(hào)。
21.如權(quán)利要求19所述的顯示屏，其中所述第一控制信號(hào)是具有比所述選擇信號(hào)的定時(shí)快的定時(shí)的信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光顯示器。其中，第一電容連接在第一晶體管的柵極和電源電壓之間。其柵極連接至第二晶體管的柵極，且將來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流傳輸至第二晶體管以將第一和第二晶體管的柵極電壓設(shè)為第一電壓。第二電容形成在第一和第二電容的柵極之間，且截取來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流。這里，通過連接第一和第二電容，第一電容存儲(chǔ)第二電壓。將由第一晶體管輸出的、相應(yīng)于第二電壓的驅(qū)動(dòng)電流傳輸至發(fā)光器件。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1534578SQ20031011884
公開日2004年10月6日 申請(qǐng)日期2003年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月1日
發(fā)明者權(quán)五敬 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社