專利名稱：形成用于襯底的凸起觸點(diǎn)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及形成用于襯底的凸起觸點(diǎn)的方法。
背景技術(shù)：
1965年，Gordon Moore首先發(fā)現(xiàn)在芯片的單位面積上的晶體管的數(shù)量大約每18個(gè)月增加一倍。自那時(shí)起，半導(dǎo)體工業(yè)就設(shè)法按計(jì)劃引進(jìn)新的設(shè)計(jì)和工藝，從而在器件密度方面提供由所謂Moore定律所反映的提高。具體地說(shuō)，在光學(xué)和光刻技術(shù)方面的重大進(jìn)步已經(jīng)減小了能夠成功地在芯片或其它襯底上進(jìn)行圖案化的構(gòu)造(feature)的臨界尺寸(CriticalDimension，CD)。同時(shí)，在摻雜、沉積以及蝕刻方面的顯著改進(jìn)已經(jīng)減小了可以精確達(dá)到的跨越襯底的厚度、深度以及濃度。
由于器件尺寸接近原子尺寸，在確定襯底上的器件的性能和可靠性方面，基本的物理限制將越來(lái)越起到更大的作用。過(guò)去，定標(biāo)(scaling)問(wèn)題一般已經(jīng)包括在半導(dǎo)體處理工藝前端的晶體管或者在半導(dǎo)體處理工藝的后端的布線。但是，越來(lái)越重要的是使襯底上的晶體管和互連的定標(biāo)與多個(gè)襯底之間的相互連接的定標(biāo)平衡。
因此，需要一種形成用于襯底之間的相互連接的凸起觸點(diǎn)(raisedcontact)的方法以及一種具有這種凸起觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)。


圖1(a)-(g)示出了本發(fā)明的形成用于襯底的凸起觸點(diǎn)的方法的不同實(shí)施例的橫截面視圖。
圖1(g)還示出了本發(fā)明的包括一個(gè)在襯底上的插栓的結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。
圖2示出了本發(fā)明的使襯底之間的凸起觸點(diǎn)相互連接的方法的實(shí)施例的橫截面視圖。
圖2還示出了本發(fā)明的包括兩個(gè)用凸起觸點(diǎn)相互連接的襯底的結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
在以下的描述中，為了提供對(duì)本發(fā)明的透徹理解，描述了許多具體細(xì)節(jié)如具體材料、尺寸和工藝等。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施本發(fā)明。在其它情況下，不對(duì)眾所周知的半導(dǎo)體設(shè)備和工藝的具體細(xì)節(jié)進(jìn)行描述，以避免使本發(fā)明難以理解。
通過(guò)重復(fù)地進(jìn)行例如摻雜、沉積、圖案化以及蝕刻等單元過(guò)程的某種組合，可以在襯底上形成器件。在在芯片或襯底上制作集成電路(integrated circuit，IC)期間，可以在半導(dǎo)體材料中形成晶體管，并且由電絕緣材料將這些晶體管分開(kāi)。然后，可以用互連系統(tǒng)將這些晶體管連接起來(lái)，該互連系統(tǒng)具有被電絕緣材料分開(kāi)的多個(gè)導(dǎo)電材料層。
通過(guò)疊放兩個(gè)或多個(gè)襯底，可以得到更高的每單位體積的器件密度?？梢杂?維互連對(duì)襯底進(jìn)行導(dǎo)線連接。3維互連可以包括襯底上的凸起觸點(diǎn)。本發(fā)明描述一種形成用于襯底之間的互連的凸起觸點(diǎn)的方法。
在圖1(g)和圖2中示出了按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的某些實(shí)施例。
在圖1(g)中示出了包括襯底100上的插栓(plug)135的結(jié)構(gòu)1000的實(shí)施例。插栓135可以形成一個(gè)凸起觸點(diǎn)，以便使信號(hào)能夠輸入到與襯底100的下襯層102中的器件的有源區(qū)域相連接的焊盤(bond pad)104，或者從焊盤104輸出。
圖2中示出了按照本發(fā)明的，包括兩個(gè)相互連接的襯底210、220的結(jié)構(gòu)2000的實(shí)施例。結(jié)構(gòu)2000包括用于第一襯底210的第一凸起觸點(diǎn)211，觸點(diǎn)211與用于第二襯底220的第二凸起觸點(diǎn)221相互連接。在一個(gè)實(shí)施例中，凸起觸點(diǎn)211使信號(hào)能夠輸入到與襯底210的下層202中的器件的有源區(qū)域相連接的焊盤204，或者從焊盤204輸出。
在圖1(a)-(g)以及圖2中示出了按照本發(fā)明的，形成用于襯底100的凸起觸點(diǎn)的方法的不同實(shí)施例。襯底100可以包括具有多個(gè)芯片的晶片、或者具有多個(gè)模片(die)的芯片、或者具有多個(gè)器件的模片。
可以使襯底100與外殼結(jié)合為一個(gè)整體。在某些情況下可以使用內(nèi)插器(interposer)。襯底100一般包括下襯層102。下襯層102包括使信號(hào)能夠輸入到器件的有源區(qū)域或者從器件的有源區(qū)域輸出的焊盤104。器件可以是有源的或無(wú)源的。焊盤104由導(dǎo)電材料構(gòu)成，其厚度從2500.0-12000.0埃的范圍中選擇。導(dǎo)電材料可以包括金屬，如鋁或銅。
下襯層102可以被由電絕緣材料構(gòu)成的絕緣體103覆蓋，其厚度從2500.0-24000.0埃的范圍中選擇?？梢酝ㄟ^(guò)對(duì)平行板電結(jié)構(gòu)進(jìn)行電容測(cè)量，確定電絕緣材料的介電常數(shù)(k)。電絕緣材料包括k值約為3.9-4.2的二氧化硅。在一個(gè)實(shí)施例中，可以將非摻雜石英玻璃(Undoped SilicaGlass，USG)用于設(shè)計(jì)規(guī)則大約為250納米(nm)的器件?？梢杂糜谛纬山^緣體103的工具包括來(lái)自Applied Materials的Ultima XTM系統(tǒng)。
絕緣體103可以起中間級(jí)、中間層或電介質(zhì)的作用，將焊盤104與可能出現(xiàn)在下襯層102的相同或不同級(jí)或?qū)又械钠渌鼘?dǎo)電材料分開(kāi)。鄰近導(dǎo)線之間的過(guò)大的電容可能使在下襯層102中的與這些線相連接的器件的性能下降。當(dāng)器件包括晶體管時(shí)，線間電容可能在晶體管運(yùn)行期間產(chǎn)生干擾(cross-talk)并且增加電阻-電容(RC)乘積延時(shí)，由此降低它們的開(kāi)關(guān)速度。
可以通過(guò)使用低k材料作為在導(dǎo)電材料之間的絕緣體103來(lái)減小在襯底100的線路中的線間電容。低k指的是低于二氧化硅的k值的k值。對(duì)于按照大約180nm的設(shè)計(jì)規(guī)則的器件，可以用氟對(duì)二氧化硅進(jìn)行摻雜，形成k值大約為3.3-3.7的氟化硅酸鹽玻璃(Fluorinated Silicate glass，F(xiàn)SG或SiOF)。FSG與二氧化硅具有許多相似的特性，因而工藝整合相對(duì)簡(jiǎn)單直接。
對(duì)于按照更小的設(shè)計(jì)規(guī)則的器件來(lái)說(shuō)，F(xiàn)SG的k值不夠低，因此必須使用其它低k材料。低k電介質(zhì)可以包括有機(jī)材料、硅酸鹽材料或者有機(jī)材料與硅酸鹽材料的混合物，如有機(jī)硅酸鹽玻璃(organosilicate glass，OSG)。對(duì)于按照大約130nm的設(shè)計(jì)規(guī)則的器件，可以用甲基(-CH3)對(duì)二氧化硅進(jìn)行摻雜，形成k值大約為2.4-3.3的碳摻雜二氧化硅(Carbon-doped Silicon Oxide，CDO或SiOC)。
對(duì)于按照大約90nm的設(shè)計(jì)規(guī)則的器件，可以由具有超低k值的低k材料構(gòu)成絕緣體103。超低k指的是大約小于2.2的k值。對(duì)于按照大約70nm到大約50nm的設(shè)計(jì)規(guī)則的器件，可以由k值大約低于1.5的材料構(gòu)成絕緣體103。具有超低k的材料通常是多孔的并且可以包括氣凝膠和干凝膠。在某些情況下，低k或超低k材料可能需要使用阻擋層，以防止擴(kuò)散、混合或者與其它材料反應(yīng)。在一個(gè)實(shí)施例中，可以形成在低k或超低k材料之上的壓蓋(capping)層，如氮化硅(SiN)或氮氧化硅(SiON)。
可以利用化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝形成絕緣體103?？梢岳玫入x子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝形成的低k材料包括來(lái)自AppliedMaterials的Black DiamondTM(k值大約為2.4-3.1的CDO)、來(lái)自Novellus Systems的CORALTM(k值大約為2.4-2.8的CDO)以及來(lái)自Trikon Technologies的Flowfill(k值大約為2.5-2.8的CDO)?？梢岳肞ECVD形成的超低k材料包括來(lái)自Trikon Technologies的OrionTM(k值大約為2.0-2.2的CDO)?？梢杂糜谛纬傻蚹或超低k材料的工具包括來(lái)自Applied Materials的Producer系統(tǒng)。也可以使用來(lái)自Novellus Systems的SEQUEL ExpressTM系統(tǒng)或VECTORTM系統(tǒng)。
或者，可以通過(guò)旋壓電介質(zhì)(spin-on dielectric，SOD)形成絕緣體103。在某些情況下，SOD可能需要使用附著層?？梢允褂眯龎汗に囆纬傻膩?lái)自液體源的低k材料包括來(lái)自Dow Chemical的SiLKTM(k值大約為2.65的芳烴聚合物)和來(lái)自Honeywell Electronic Materials(HEM)的HOSPTM(k值大約為2.5的混雜有機(jī)硅氧烷聚合物或OSG)?？梢孕龎旱某蚹材料包括來(lái)自HEM的NANOGLASS(k值大約為1.3-2.2的多孔氧化硅)?？梢杂糜谛纬傻蚹材料或超低k材料的工具包括來(lái)自TokyoElectron Ltd.(TEL)的spin track。
通過(guò)光刻工藝確定被稱為光刻膠101的輻射敏感材料的掩模。首先，將光刻膠101涂在襯底100的絕緣體103上。如圖1(a)中的實(shí)施例所示，當(dāng)由標(biāo)度線(reticle)進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)，通過(guò)暴露到適當(dāng)波長(zhǎng)和劑量的輻射，在光刻膠101中使構(gòu)造99圖案化，然后通過(guò)顯影形成掩模。曝光可以在成像工具中進(jìn)行，如步進(jìn)器(stepper)或掃描器(scanner)。
然后，通過(guò)蝕刻工藝可以將光刻膠101掩模中的構(gòu)造99轉(zhuǎn)變?yōu)樵诮^緣體103中的開(kāi)口105。形成開(kāi)口105的蝕刻工藝可以包括等離子體蝕刻工藝或反應(yīng)離子蝕刻(RIE)工藝。如圖1(b)中的實(shí)施例所示，開(kāi)口105暴露出在下襯層102中的器件的焊盤104的一部分。
開(kāi)口105可以包括由標(biāo)度線得到的形狀，如通道(via)、溝槽(trench)或者覆蓋在通道上的溝槽。開(kāi)口105可以具有大于1微米(um)的垂直尺寸或深度以及小于0.1um的橫向尺寸如寬度。對(duì)于蝕刻來(lái)說(shuō)，當(dāng)開(kāi)口105具有約6∶1或更大的深寬比(深度∶寬度)時(shí)，高方向性是理想的。在一個(gè)實(shí)施例中，可以使用高密度等離子體，如感應(yīng)耦合射頻(RF)等離子體(ICP)。
可以用氣體混合物進(jìn)行形成開(kāi)口105的蝕刻。氣體混合物可以包括蝕刻氣體如CF4，以及聚合氣體如CH2F2。蝕刻氣體是用于對(duì)絕緣體103進(jìn)行蝕刻的氟的主要來(lái)源，而聚合氣體使開(kāi)口105的側(cè)壁鈍化，以便提高選擇率?？梢允褂玫钠渌鼩怏w包括CHF3和C3F6。絕緣體103的蝕刻速度可以是約每分鐘1500.0-12000.0埃。
可以用于形成開(kāi)口105的工具包括來(lái)自Trikon Technologies的OmegaMORITM系統(tǒng)。如果需要，則可以在集成工具中，如來(lái)自LamResearch的Exelan系統(tǒng)或者來(lái)自Applied Materials的eMaxTMEnTekTMCentura系統(tǒng)，將絕緣體103的蝕刻、對(duì)任何下襯阻擋層或蝕刻終止層的清除以及對(duì)光刻膠101的剝離順序執(zhí)行。
絕緣體103對(duì)于光刻膠101掩模的蝕刻選擇率大約是2∶1到7∶1。如果絕緣體103對(duì)于光刻膠101掩模的蝕刻選擇率太低，則可以在絕緣體103與光刻膠101之間包括一個(gè)被稱為硬掩模的中間掩模。在這種情況下，用第一蝕刻工藝將在光刻膠101中被圖案化的第一構(gòu)造99轉(zhuǎn)變?yōu)樵谟惭谀Ｖ械牡诙?gòu)造。然后，第二蝕刻工藝將第二構(gòu)造從硬掩模轉(zhuǎn)變?yōu)樵诮^緣體103中的開(kāi)口105。絕緣體103對(duì)于硬掩模的蝕刻選擇率可能高于20∶1。硬掩模工藝可以包括諸如SiN或SiON等材料。在一個(gè)實(shí)施例中，可以使用包括兩個(gè)或多個(gè)硬掩模的堆疊(stack)。
如果絕緣體103對(duì)于下襯焊盤104的蝕刻選擇率太低，則在焊盤104與絕緣體103之間可以包括隱藏蝕刻終止(buried etch stop，BES)層。這個(gè)蝕刻終止層可以包括SiN或碳化硅(SiC)。但是，SiN的k值為6.5，這個(gè)值相對(duì)較高，因此可以使用替代材料，如來(lái)自Applied Materials的k值約為4.5-5.0的BLOkTM。如果需要，則可以使用k值更低的蝕刻終止層，以使整體電介質(zhì)堆疊結(jié)構(gòu)的電容最小。一個(gè)例子是來(lái)自HEM的k值約為2.6的HOSP BEStTM。
當(dāng)將某些材料用于晶種層(seed layer)120或?qū)w130時(shí)，可能需要阻擋層115來(lái)保護(hù)絕緣體103以及下襯層102，包括焊盤104。例如，銅的高擴(kuò)散性以及在銅中存在的中間間隙(mid-gap)狀態(tài)造成需要阻擋層115。另外，銅可以擴(kuò)散到絕緣體103或下襯層102中，并且縮短半導(dǎo)體材料如硅的載流子的壽命。
在開(kāi)口105中以及在絕緣體103上形成阻擋層115。阻擋層115的厚度可以從50.0-600.0埃的范圍中選擇。阻擋層115應(yīng)該對(duì)開(kāi)口115的里面和外面提供良好的覆蓋。在某些情況下，在開(kāi)口里面的阻擋層115的厚度可以與在開(kāi)口外面的阻擋層115的厚度不同。
阻擋層115應(yīng)該有效地阻擋從晶種層120或?qū)w130到絕緣體103或下襯層102的擴(kuò)散。為了起到墊層或內(nèi)襯的作用，阻擋層115應(yīng)該能夠很好地附著到晶種層120、導(dǎo)體130、絕緣體103以及下襯層102(包括焊盤104)上。但是，阻擋層115與晶種層120、導(dǎo)體130、絕緣體103以及下襯層102(包括焊盤104)之間，也應(yīng)該具有最小的相互作用，如化學(xué)或電化學(xué)反應(yīng)。
阻擋層115可以由金屬構(gòu)成，包括難熔金屬如鉭(Ta)，或者由合金構(gòu)成，如鈦鎢合金(TiW)，或者由陶瓷構(gòu)成，如氮化鉭(TaN)、氮化鉭硅(TaSiN)、氮化鈦(TiN)或者氮化鎢(WN)。
在一個(gè)實(shí)施例中，阻擋層115可以包括附著到下襯絕緣體103的TaN下層和附著到上覆晶種層120的Ta上層。這種雙層結(jié)構(gòu)的總厚度大約為150.0-350.0埃。
對(duì)于阻擋層115的沉積來(lái)說(shuō)，高方向性是理想的，尤其當(dāng)開(kāi)口105的深寬比(深度∶寬度)約為6∶1或更大時(shí)。離子化物理氣相沉積(I-PVD)技術(shù)能夠用比其它技術(shù)，例如準(zhǔn)直濺射(collimation sputtering)或長(zhǎng)拋濺射(long-throw sputtering，LTS)，更好的分步覆蓋來(lái)對(duì)材料進(jìn)行沉積?？梢杂糜贗-PVD的工具包括來(lái)自Novellus Systems的INOVATM系統(tǒng)、來(lái)自Trikon Technologies的Sigma系統(tǒng)以及來(lái)自Ulvac Technologies的Entron系統(tǒng)。
在某些情況下，可以利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝形成阻擋層115。在MOCVD中使用的前體在開(kāi)口105的暴露的表面上起反應(yīng)，而不是在如CVD的氣相中起反應(yīng)，因此，覆蓋通常是良好的。可以用于MOCVD的工具包括來(lái)自Veeco Instruments的NEXUSTM系統(tǒng)。
或者，當(dāng)需要100.0?；蚋〉暮穸葧r(shí)，可以利用原子層沉積(ALD)形成阻擋層115。即使在允許使用大約200.0-400.0攝氏度的低沉積溫度時(shí)，ALD也能夠提供良好的分步覆蓋和良好的均勻性?？梢杂糜贏LD的工具包括來(lái)自Veeco Instruments的NEXUSTM系統(tǒng)或者來(lái)自Genus的LYNX2或者LYNX3TM系統(tǒng)。
當(dāng)要通過(guò)電鍍形成導(dǎo)體130時(shí)，如圖1(c)中的實(shí)施例所示，首先形成在阻擋層115上的晶種層120。為了起到用于電鍍的基(base)的作用，晶種層120必須是導(dǎo)電的并且連續(xù)覆蓋在阻擋層115上。應(yīng)該防止晶種層120的附著損失或者與阻擋層115的界面反應(yīng)。
晶種層120可以包括金屬如銅，或者合金。晶種層120的典型厚度從大約20.0-2500.0埃的范圍中選擇。
晶種層120可以通過(guò)I-PVD進(jìn)行沉積，尤其是當(dāng)隨后要通過(guò)電鍍形成導(dǎo)體130時(shí)。如果需要，可以在真空下，在一個(gè)工具中，如來(lái)自AppliedMaterials的EnduraElectraTM系統(tǒng)中，順序沉積阻擋層115和晶種層120。
當(dāng)隨后要通過(guò)PVD形成導(dǎo)體130時(shí)，對(duì)于導(dǎo)體130來(lái)說(shuō)，如果利用CVD形成晶種層120，則可以實(shí)現(xiàn)更好的材料性能和表面特性。也可以用ALD或無(wú)電電鍍形成晶種層120。
如圖1(d)中的實(shí)施例所示，在晶種層120上形成導(dǎo)體130。導(dǎo)體130包括導(dǎo)電材料。晶種層120和導(dǎo)體130可以由相同的材料或不同的材料構(gòu)成。導(dǎo)體130應(yīng)該自下而上填充開(kāi)口105。當(dāng)完成填充時(shí)，開(kāi)口105應(yīng)該沒(méi)有缺陷如空隙、裂縫或者裂紋。應(yīng)該防止導(dǎo)體130的附著損失或者與晶種層120的界面反應(yīng)。
導(dǎo)體130可以包括金屬，例如銅，或合金。導(dǎo)體130的典型厚度約為0.2-2.8um。與鋁相比，銅的優(yōu)點(diǎn)包括更高的固有電導(dǎo)率，對(duì)電遷移的更低的磁化率以及對(duì)高寬比(高度∶寬度)約為3∶1或更大的開(kāi)口105的填充更好等。與鋁相比，銅的缺點(diǎn)包括難以利用RIE工藝進(jìn)行蝕刻，易被腐蝕以及在硅中的高擴(kuò)散率等。
導(dǎo)體130可以通過(guò)電化學(xué)工藝形成，如電鍍。對(duì)導(dǎo)體130的電鍍可以在電鍍液或者在包含要進(jìn)行沉積的材料的離子的溶液中進(jìn)行。晶種層120起電化學(xué)電池的負(fù)極的作用。根據(jù)需要的厚度和薄膜特性，可以在溶液中利用恒定電流、恒定電壓或者可變波形的電流或電壓進(jìn)行電鍍。當(dāng)接通電流時(shí)，電鍍?nèi)芤褐械恼x子與在晶種層120的表面產(chǎn)生的電子相結(jié)合。由此在晶種層120上將離子化學(xué)還原為導(dǎo)體130的原子?？梢杂糜陔婂兊墓ぞ甙▉?lái)自Applied Materials的Electra GuTM系統(tǒng)，來(lái)自Novellus Systems的SABRETMElectrofill系統(tǒng)以及來(lái)自SEMITOOL的ParagonTM系統(tǒng)。
成功地對(duì)導(dǎo)體130進(jìn)行電鍍需要使用各種具有表面活性的添加劑。對(duì)電鍍?nèi)芤旱奶砑觿┩ǔＪ怯袡C(jī)的并且可以包括硫或氮官能團(tuán)。對(duì)高寬比較大的開(kāi)口105進(jìn)行恰當(dāng)?shù)奶畛湫枰闺婂內(nèi)芤褐械淖柚箘?抑制劑)與加速劑的適當(dāng)平衡。否則，缺陷如空隙、裂縫或者裂紋等可能在導(dǎo)體130內(nèi)部形成并且在后面的平坦化期間暴露出來(lái)。從襯底到襯底的良好的厚度一致性以及導(dǎo)體130的平滑的表面光潔度也可能需要在電鍍?nèi)芤褐惺褂闷秸麆┖蛼伖鈩?br> 根據(jù)對(duì)諸如pH值、電導(dǎo)率以及在電磁波譜的可見(jiàn)部分的吸收率等參數(shù)的監(jiān)測(cè)，可以對(duì)電鍍?nèi)芤褐械母鞣N離子如銅、氯化物和氫的濃度進(jìn)行調(diào)節(jié)。循環(huán)伏安分離法(Cyclic Voltammetric Stripping，CVS)分析可以用于測(cè)量電鍍?nèi)芤褐械奶砑觿┑臐舛取?br> 在另一個(gè)實(shí)施例中，有時(shí)候可以在不首先形成晶種層120的情況下，利用PVD工藝或者CVD工藝形成導(dǎo)體130。當(dāng)對(duì)高寬比(高度∶寬度)約為6∶1或更大的開(kāi)口105進(jìn)行填充時(shí)，PVD工藝或者CVD工藝可能特別有利。在某些情況下，也可以使用MOCVD工藝。
在形成導(dǎo)體130期間或之后，可以使用一種處理方法來(lái)改變導(dǎo)體130的材料性能或表面特性。對(duì)導(dǎo)體130的處理包括在沉積之后的快速熱退火(rapid thermal anneal，RTA)工藝，以便改變或者穩(wěn)定導(dǎo)體130的晶粒大小(grain size)。根據(jù)厚度、沉積條件以及退火條件，通過(guò)電鍍形成的銅可以具有大約0.1-1.0毫米(mm)的晶粒大小。通常，導(dǎo)體130中的晶粒越大，對(duì)應(yīng)的電阻率越低。例如，銅可以具有1.0-4.0微歐厘米的電阻率。
通過(guò)對(duì)導(dǎo)體130進(jìn)行平坦化形成插栓135，接著使圍繞插栓135的絕緣體103下陷，可以形成用于襯底100的凸起觸點(diǎn)?？梢詢?yōu)化將磨損(機(jī)械力)與溶解(化學(xué)或電化學(xué)反應(yīng))相結(jié)合的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，以便使不同的材料平坦化或者下陷。
可以將襯底100固定在裝配在CMP系統(tǒng)的頭部的托架中。可以將一個(gè)墊板裝配在CMP系統(tǒng)的工作臺(tái)或臺(tái)板(platen)上。當(dāng)頭部和臺(tái)板移動(dòng)時(shí)，墊板可以將一個(gè)機(jī)械力施加在襯底100上的導(dǎo)體130上。頭部的運(yùn)動(dòng)和臺(tái)板的運(yùn)動(dòng)可以是旋轉(zhuǎn)的、環(huán)形的或直線的。或者，可以使墊板相對(duì)于臺(tái)板運(yùn)動(dòng)，如與拋光帶一起?？梢栽趬|板上提供漿液(slurry)，以產(chǎn)生與襯底100上的導(dǎo)體130的化學(xué)反應(yīng)。漿液中的研磨劑還可以與墊板一起將機(jī)械力施加到襯底100上的導(dǎo)體130上。
通過(guò)改變對(duì)不同材料的拋光速度，可以對(duì)CMP工藝的選擇率進(jìn)行調(diào)節(jié)。通過(guò)改變拋光墊板的性質(zhì)(如硬度、剛性、磨損性、孔隙率以及凹槽或溝道的布置)、拋光漿液的性質(zhì)(如化學(xué)成分、化學(xué)濃度、pH值、研磨劑類型、研磨劑數(shù)量以及研磨劑顆粒尺寸分布)以及拋光系統(tǒng)的參數(shù)(如托架相對(duì)于臺(tái)板的向下的壓力或壓強(qiáng)、托架相對(duì)于臺(tái)板的線速度、漿液流速以及臺(tái)板溫度)等，可以優(yōu)化拋光的選擇率。
跨越(across)襯底100，可以用適當(dāng)?shù)膫鞲衅鲗?duì)用于CMP工藝的臨界工藝參數(shù)，如拋光清除速度以及拋光選擇率，進(jìn)行監(jiān)控。然后通過(guò)用適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)器對(duì)相關(guān)的設(shè)備參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)來(lái)控制工藝參數(shù)。CMP系統(tǒng)可以包括一個(gè)控制單元以及一個(gè)操作員界面，控制單元包括計(jì)算機(jī)。當(dāng)需要時(shí)，可以對(duì)CMP工藝以及設(shè)備實(shí)施閉環(huán)控制。閉環(huán)控制可以包含使用比例、微分或積分等控制方法中的一個(gè)或多個(gè)的前饋或反饋控制。
對(duì)CMP工藝進(jìn)行在線、設(shè)備上、就地以及實(shí)時(shí)地計(jì)量的程度取決于可以接受的所有權(quán)成本(cost-of ownership，CoO)的水平。當(dāng)需要時(shí)，可以將計(jì)量工具與CMP工具集成在一起。例如，可以使用工具對(duì)凹陷和腐蝕的光學(xué)結(jié)果進(jìn)行測(cè)量，包括來(lái)自Nova Measuring Instruments的NovaScan系統(tǒng)或者來(lái)自NanoMetrics的NanoSpec系統(tǒng)。
用于CMP的獨(dú)立工具包括來(lái)自Applied Materials的Mirra系統(tǒng)?；蛘?，可以使用集成工具，如來(lái)自Applied Materials的Mirra MesaTM或ReflexionTM系統(tǒng)或者來(lái)自Lam Research的TeresTM系統(tǒng)。集成工具可以將CMP與相關(guān)的工藝步驟結(jié)合，如使襯底100干進(jìn)/干出(dry in/dry out)的預(yù)凈化和后凈化?？梢詮母鞣N來(lái)源，如Rodel和Cabot，得到用于CMP的消耗品，包括墊板和漿液。
按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以將第一CMP工藝與第二CMP工藝的組合用于形成用于襯底100的凸起觸點(diǎn)。第一CMP工藝進(jìn)行平坦化，而第二CMP工藝進(jìn)行下陷操作。
相對(duì)于下襯阻擋層115，第一CMP工藝對(duì)于導(dǎo)體130具有很高的拋光選擇率。由此，如圖1(e)中的實(shí)施例所示，第一CMP工藝可以去掉跨越襯底100的導(dǎo)體130并且暴露出阻擋層115的上表面108。由于導(dǎo)體130通常較軟，因此，阻擋層115可以起到拋光終止層的作用。通過(guò)減少跨越襯底100存在的任何大的或不一致的外形，拋光終止層使平坦化得到改善。
可以選擇合適的漿液以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)體130相對(duì)于阻擋層115的高拋光選擇率。導(dǎo)體130對(duì)阻擋層115的拋光選擇率的平均值約為50∶1-250∶1。更高的拋光選擇率允許使用更薄的阻擋層115。更薄的阻擋層115將使焊盤104與導(dǎo)體130之間的電阻少量增加。
在一個(gè)實(shí)施例中，漿液可以包括研磨劑，如氧化鋁或二氧化硅；氧化劑，如過(guò)氧化氫(H2O2)；鈍化劑或成膜劑(腐蝕抑制劑)，如苯并三唑(BTA)；以及絡(luò)合劑，絡(luò)合劑可以是氨基酸如甘氨酸，或有機(jī)酸/鹽系統(tǒng)如檸檬酸/檸檬酸鉀。
用于對(duì)導(dǎo)體130進(jìn)行平坦化的第一CMP工藝的典型參數(shù)包括約為5.0-9.0的漿液pH值、約為每分鐘100.0-350.0毫升的漿液流速、約為每分鐘15.0-100.0轉(zhuǎn)(rpm)的臺(tái)板轉(zhuǎn)速、15.0-100.0rpm的托架轉(zhuǎn)速以及約為每平方英寸1.0-7.0磅(psi)的拋光壓強(qiáng)。對(duì)導(dǎo)體130的清除速度可以大約是每分鐘1000.0-14000.0埃。
第一CMP工藝可以包括兩個(gè)或多個(gè)步驟。在一個(gè)實(shí)施例中，可以利用具有較高清除速度的第一步驟去掉大部分導(dǎo)體130的上部沉積。第一步驟可以是定時(shí)拋光或者可以通過(guò)就地監(jiān)控諸如厚度或渦電流的參數(shù)對(duì)其進(jìn)行控制。然后，可以利用具有較低清除速度(如大約每分鐘1000.0-2500.0埃)的第二步驟清除導(dǎo)體130，在不穿透絕緣體103的情況下，暴露阻擋層115的上表面108。第二步驟可以是定時(shí)拋光或終點(diǎn)拋光。在一個(gè)實(shí)施例中，在檢測(cè)到阻擋層115的終點(diǎn)之后，第二步驟可以包括過(guò)拋光(overpolish)時(shí)間或過(guò)拋光百分比如15.0％。如果需要，可以在單獨(dú)的臺(tái)板上或者在單獨(dú)的CMP系統(tǒng)上進(jìn)行每個(gè)步驟。
如圖1(e)中的實(shí)施例所示，去掉了大部分跨越襯底100的導(dǎo)體130并且暴露出阻擋層的上表面108將留下插入或嵌入開(kāi)口105的插栓135。該插栓包括導(dǎo)體130、晶種層120以及阻擋層115。插栓135的形狀受開(kāi)口105的形狀影響。例如，如果開(kāi)口105是通道，則插栓135可能是一個(gè)桿(post)或一個(gè)栓(stud)。如果開(kāi)口105是一個(gè)溝槽，則插栓135可能是一條線。
可能由第一CMP工藝引起的不希望的外形變化是插栓135的凹陷。凹陷使(在開(kāi)口105里面的)插栓135中的導(dǎo)體130的上表面107相對(duì)于(在開(kāi)口105外面的)周圍的絕緣體103下降。
對(duì)于橫向尺寸較大的插栓135，凹陷可能更嚴(yán)重。如圖1(e)中的實(shí)施例所示，對(duì)第一CMP工藝進(jìn)行適當(dāng)?shù)膬?yōu)化將產(chǎn)生插栓的第一拋光上表面107，它與已經(jīng)暴露的阻擋層115的上表面108近似相平或水平對(duì)齊。
可能由第一CMP工藝引起的另一個(gè)不希望的外形變化是在插栓群或陣列137中的插栓之間的間隔中的材料相對(duì)于在遠(yuǎn)離插栓群或陣列137的場(chǎng)效應(yīng)區(qū)中的材料的腐蝕。腐蝕引起(在群或陣列137中的)插栓之間的間隔相對(duì)于(在群或陣列137外的)場(chǎng)效應(yīng)區(qū)中的材料下陷。腐蝕可能導(dǎo)致將插栓之間的間隔中的阻擋層115部分或全部被除掉。在阻擋層115已經(jīng)被除掉的區(qū)域中，腐蝕還可能進(jìn)一步導(dǎo)致將插栓之間的間隔中的部分下襯絕緣體103被除掉。
對(duì)于插栓之間的間隔很小的密集插栓的群或陣列137，腐蝕可能更嚴(yán)重。對(duì)第一CMP工藝進(jìn)行適當(dāng)?shù)膬?yōu)化將使插栓群或陣列137內(nèi)的插栓之間的間隔中的材料的清除速度與插栓群或陣列137外的材料的清除速度之間的差異最小。
如圖1(g)中的實(shí)施例所示，在完成第一CMP工藝之后，利用第二CMP工藝除掉開(kāi)口105外面的阻擋層115，并且使絕緣體103的暴露部分下陷得低于插栓135的上表面109。在一個(gè)實(shí)施例中，還可以將阻擋層115從插栓135的部分側(cè)壁處除掉。
圖1(g)中還示出了按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)1000的實(shí)施例。結(jié)構(gòu)1000包括用于襯底100的插栓135。在一個(gè)實(shí)施例中，插栓135可以形成凸起觸點(diǎn)，它使信號(hào)能夠輸入到與襯底100的下襯層102中的器件的有源區(qū)域相連接的焊盤104，或從焊盤104輸出。
可以選擇合適的漿液以便實(shí)現(xiàn)阻擋層115和絕緣體103相對(duì)于導(dǎo)體130的較高的拋光選擇率。絕緣體103對(duì)導(dǎo)體130的拋光選擇率的平均值約為5∶1或更大。在一個(gè)實(shí)施例中，漿液可以包括研磨劑如二氧化硅和絡(luò)合劑。絡(luò)合劑可以是氫氧化銨(NH4OH)或有機(jī)酸/鹽系統(tǒng)，如檸檬酸/檸檬酸鉀。當(dāng)需要時(shí)，還可以包括殺菌劑。使用相對(duì)較軟的墊板可以使除掉的導(dǎo)體130最少并且防止產(chǎn)生缺陷。
用于使絕緣體103下陷的第二CMP工藝的典型參數(shù)包括約為6.0-12.0的漿液pH值、約為每分鐘100.0-350.0毫升的漿液流速、約為5.0-85.0rpm的臺(tái)板轉(zhuǎn)速、約為5.0-85.0rpm的托架轉(zhuǎn)速以及約為1.0-7.0psi的拋光壓強(qiáng)。臺(tái)板的線速度約為每分鐘20.0-350.0英尺。在一個(gè)實(shí)施例中，漿液pH值約為9.0-11.0，拋光壓強(qiáng)約為4.0-6.0psi，臺(tái)板的線速度約為每分鐘20.0-140.0英尺。當(dāng)由低k材料形成絕緣體103時(shí)，可以對(duì)第二CMP工藝進(jìn)行調(diào)節(jié)，以避免使形成絕緣體103的低k材料破裂或脫層。
在某些情況下，在第二CMP工藝之后可以進(jìn)行后凈化，如在非氧化環(huán)境中用有機(jī)酸或者有機(jī)酸緩沖液進(jìn)行清洗。其pH值可以從2.0-6.0的范圍中選擇。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)利用CMP使導(dǎo)體130平坦化以形成插栓135時(shí)，如圖1(f)所示的絕緣體103取代了如圖1(e)所示的阻擋層115，可以起拋光終止層的作用。然后，可以使絕緣體103直接下陷，以形成用于襯底100的凸起觸點(diǎn)。必須優(yōu)化漿液的化學(xué)組成和拋光條件以及參數(shù)，以達(dá)到理想的拋光選擇率和拋光清除速度。
在遠(yuǎn)離插栓群或陣列137的場(chǎng)效應(yīng)區(qū)中，絕緣體103的下陷速度約為每分鐘300.0-2500.0埃。在高度上，絕緣體103的內(nèi)部上表面110可以與絕緣體103的外部上表面112不同。內(nèi)部指的是插栓群或陣列137里面的位置。外部指的是插栓群或陣列137外面的位置。在多數(shù)情況下，絕緣體103的內(nèi)部上表面110高于絕緣體103的外部上表面112。
利用第二CMP工藝使絕緣體103下陷可以減小導(dǎo)體130的厚度。在插栓的第一拋光上表面107與插栓135的第二拋光上表面109之間的高度上的差異對(duì)應(yīng)于導(dǎo)體130變薄。除了直到使插栓群或陣列137中的插栓的上表面107平坦化所需要的程度以外，應(yīng)該避免導(dǎo)體130變薄。
將使絕緣體103下陷與使導(dǎo)體130變薄最小化相結(jié)合，使得最后的插栓135凸出在絕緣體103之上。插栓凸出量(relief)122是插栓135的第二拋光上表面109相對(duì)于絕緣體103的內(nèi)部上表面110凸出的量。內(nèi)部指的是插栓群或陣列137里面的位置。臺(tái)階高度124是插栓135的第二拋光上表面109相對(duì)于絕緣體103的外部上表面112凸出的量。外部指的是插栓群或陣列137外面的位置。場(chǎng)效應(yīng)區(qū)包括遠(yuǎn)離插栓群或陣列137的外部位置。氧化凸出量是臺(tái)階高度124與插栓凸出量122之間的差異。
插栓凸出量122和臺(tái)階高度124可能受到各種因素的影響，包括局部圖案密度(在每個(gè)插栓群或陣列137中的插栓之間的間隔)和總體圖案密度(跨越襯底100的不同的插栓群或陣列137之間的間隔)。通常，較窄的插栓135和插栓135之間的較窄的間隔使導(dǎo)體130的變薄減小并且產(chǎn)生較小的插栓凸出量122。
插栓凸出量122和臺(tái)階高度124可以通過(guò)原子力顯微鏡(atomic forcemicroscope，AFM)或者高分辨率表面光度儀(high-resolutionprofilometer，HRP)測(cè)量并可視化。可以使用工具，如來(lái)自Veeco Instruments的DimensionTM。
插栓凸出量122的標(biāo)稱值可以從300.0-3200.0埃的范圍中選擇，而臺(tái)階高度124的標(biāo)稱值可以從400.0-5700.0埃的范圍中選擇。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，插栓凸出量122約為700.0-2200.0埃，跨越襯底100的范圍小于8.0％；而臺(tái)階高度124約為1100.0-3800.0埃，跨越襯底100的范圍小于12.0％。
在多數(shù)情況下，對(duì)插栓凸出量122的控制應(yīng)該比臺(tái)階高度124更嚴(yán)格。通常，臺(tái)階高度124應(yīng)該不大于絕緣體103的原始厚度的50％。由此，使氧化凸出量(插栓凸出量122與臺(tái)階高度124之間的差異)最小化，就有可能用更薄的絕緣體103實(shí)現(xiàn)理想的插栓凸出量122。
在完成了襯底100上的CMP工藝之后，可以進(jìn)行缺陷檢查。可以使用工具，如來(lái)自KLA-Tencor的AIT系統(tǒng)。當(dāng)需要時(shí)，可以使用掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)具體缺陷進(jìn)行表征和識(shí)別。可以使用的工具包括來(lái)自Applied Materials的SEMVisionTM系統(tǒng)。通過(guò)后處理軟件可以提供自動(dòng)缺陷分類(automated defect classification，ADC)。
在進(jìn)行CMP之后發(fā)現(xiàn)的缺陷可能不是由CMP工藝直接引起的。相反，某些缺陷可能來(lái)自于前面的工藝，例如在形成絕緣體103、開(kāi)口105、阻擋層115、晶種層120或者導(dǎo)體130期間。
在完成第二CMP工藝之后，可以用凸出插栓形成用于襯底的凸起觸點(diǎn)。例如，如圖2所示，可以將用于第一襯底210的第一凸起觸點(diǎn)211與用于第二襯底220的第二凸起觸點(diǎn)221相互連接。
圖2中還示出了按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)2000的實(shí)施例。結(jié)構(gòu)2000包括用于第一襯底210的第一凸起觸點(diǎn)211，它與用于第二襯底220的第二凸起觸點(diǎn)221相互連接。在一個(gè)實(shí)施例中，凸起觸點(diǎn)211使信號(hào)能夠輸入到與襯底210的下襯層202中的器件的有源區(qū)域相連接的焊盤204，或者從焊盤204輸出。
外形變化可能引起兩個(gè)或多個(gè)襯底210、220的凸起觸點(diǎn)211、221之間的相互連接惡化。這種不希望的外形變化可能是由凹陷、腐蝕或者導(dǎo)體130變薄引起的。由凹陷和腐蝕引起的外形變化后果可以利用AFM或者HRP進(jìn)行測(cè)量并可視化?？梢允褂霉ぞ撸鐏?lái)自Veeco Instruments的DimensionTM系統(tǒng)。也可以對(duì)表面粗糙以及暴露的缺陷如殘?jiān)?、劃痕和空隙等外形變化后果進(jìn)行測(cè)量。
跨越襯底100的插栓凸出量122和臺(tái)階高度124的標(biāo)稱值和一致性可能受腐蝕影響。通過(guò)在插栓群或陣列137的外面添加假插栓(dummyplug)，可以使腐蝕最小。在尺寸、形狀或布局上，假插栓可以與(在凸起觸點(diǎn)211、221中的)功能插栓不同。在一個(gè)實(shí)施例中，假插栓比(在凸起觸點(diǎn)211、221中的)功能插栓更寬，因此可以通過(guò)下陷有意地使假插栓的高度減小。
可以有意地將假插栓群或陣列137插入場(chǎng)效應(yīng)區(qū)中的某些位置，以便對(duì)跨越襯底100的絕緣體103的下陷進(jìn)行控制。假插栓的位置取決于各種參數(shù)，包括襯底100的尺寸(如長(zhǎng)度、寬度、厚度)、襯底100的平整度、襯底100的同面性以及(在凸起觸點(diǎn)211、221中的)功能插栓的位置。
在第一實(shí)施例中，假插栓與(在凸起觸點(diǎn)211、221中的)功能插栓僅被包括在襯底100的最后層(頂層)中。在第二實(shí)施例中，假插栓與襯底100的一個(gè)或多個(gè)下襯層中的其它結(jié)構(gòu)和構(gòu)造連接，以產(chǎn)生理想的外形。在第三實(shí)施例中，可以將包括在兩個(gè)或多個(gè)層中的假插栓垂直疊放?？梢詫⒓俨逅ń拥?否則將處于懸浮狀態(tài))，以防止下襯層102中的器件在運(yùn)行期間的寄生電容。
為了提供對(duì)本發(fā)明的透徹理解，以上已經(jīng)對(duì)許多實(shí)施例和很多細(xì)節(jié)進(jìn)行了描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，在一個(gè)實(shí)施例中的許多特性同樣可以應(yīng)用于其它實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該具有對(duì)這里所描述的那些具體材料、工藝、尺寸和濃度等進(jìn)行各種等價(jià)物替換的能力。還應(yīng)該理解對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)描述是說(shuō)明性的而非限制性的，其中，應(yīng)該由所附的權(quán)利要求對(duì)本發(fā)明的范圍加以限定。
由此，我們已經(jīng)描述了形成用于襯底之間的相互連接的凸起觸點(diǎn)的方法以及具有這種凸起觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括提供第一襯底；在所述第一襯底之上形成絕緣體；在所述絕緣體中形成開(kāi)口；在所述絕緣體之上以及所述開(kāi)口中形成導(dǎo)體；用第一化學(xué)機(jī)械拋光工藝除掉在所述絕緣體之上的所述導(dǎo)體，以便留下在所述開(kāi)口中的所述導(dǎo)體；以及用第二化學(xué)機(jī)械拋光工藝減小所述絕緣體的厚度，以使在所述開(kāi)口中的所述導(dǎo)體凸出。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述絕緣體包括二氧化硅。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述絕緣體包括低k材料。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述絕緣體包括超低k材料。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)體包括銅。
6.一種方法，包括在第一襯底上提供焊盤；在所述焊盤之上形成電介質(zhì)；在所述電介質(zhì)中形成通道以暴露所述焊盤；在所述電介質(zhì)之上形成金屬以填充所述通道；用第一化學(xué)機(jī)械拋光工藝除掉在所述電介質(zhì)之上的所述金屬，以在所述通道中形成插栓；以及用第二化學(xué)機(jī)械拋光工藝使所述電介質(zhì)下陷，以便從所述插栓形成第一凸起觸點(diǎn)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括在形成所述通道之后且在形成所述金屬之前形成阻擋層；以及在除掉所述金屬之后且在使所述電介質(zhì)下陷之前除掉在所述電介質(zhì)之上的所述阻擋層。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一化學(xué)機(jī)械拋光工藝包括第一步驟，用于除掉在所述絕緣體之上的所述導(dǎo)體的大部分覆蓋層。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一步驟可以是定時(shí)拋光或者可以通過(guò)就地監(jiān)控一個(gè)諸如厚度或渦電流之類的參數(shù)對(duì)其進(jìn)行控制。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一化學(xué)機(jī)械拋光工藝還包括第二步驟，用于清除所述導(dǎo)體以暴露所述阻擋層。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第二步驟可以是定時(shí)拋光或者是終點(diǎn)拋光。
12.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括在形成所述阻擋層之后且在形成所述金屬之前形成晶種層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括使用電鍍法在所述晶種層之上形成所述金屬。
14.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第二化學(xué)機(jī)械拋光工藝包括約為每平方英寸4.0-6.0磅的拋光壓強(qiáng)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第二化學(xué)機(jī)械拋光工藝包括約為每分鐘20.0-140.0英尺的臺(tái)板線速度。
16.一種方法，包括提供第一襯底；在所述第一襯底之上形成電介質(zhì)；在所述電介質(zhì)中形成通道以暴露所述第一襯底；在所述電介質(zhì)之上形成金屬以填充所述通道；用第一化學(xué)機(jī)械拋光工藝除掉在所述電介質(zhì)之上的所述金屬，以便在所述通道中形成插栓；用第二化學(xué)機(jī)械拋光工藝使所述電介質(zhì)下陷，以便從所述插栓形成第一凸起觸點(diǎn)；以及將所述第一凸起觸點(diǎn)與在第二襯底上的第二凸起觸點(diǎn)相互連接。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，使所述電介質(zhì)下陷產(chǎn)生一個(gè)大約700.0-2200.0埃的插栓凸出量。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，使所述電介質(zhì)下陷產(chǎn)生一個(gè)大約1100.0-3800.0埃的臺(tái)階高度。
全文摘要
本發(fā)明包括一種方法，該方法包括如下步驟提供一個(gè)第一襯底；形成一個(gè)覆蓋第一襯底的絕緣體；在絕緣體中形成一個(gè)開(kāi)口；在開(kāi)口中以及絕緣體上形成一個(gè)導(dǎo)體；用第一化學(xué)機(jī)械拋光工藝除掉絕緣體上的導(dǎo)體，以便留下在開(kāi)口中的導(dǎo)體；以及用第二化學(xué)機(jī)械拋光工藝減小絕緣體的厚度，以使在開(kāi)口中的導(dǎo)體凸出。本發(fā)明還包括具有這種凸出導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L21/302GK1547769SQ03800474
公開(kāi)日2004年11月17日 申請(qǐng)日期2003年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月21日
發(fā)明者保羅·費(fèi)希爾, 保羅 費(fèi)希爾, 博德曼, 詹姆斯·博德曼, 安妮·米利埃, 米利埃 申請(qǐng)人:英特爾公司