專利名稱：多線片狀電阻的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在一片基板上形成的具有多個電阻體的多線片狀電阻的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的多線片狀電阻的制造方法如圖30～圖32所示，在實開平3-30409號公報上被公開。其制造方法是在煅燒前的未處理板狀態(tài)下的陶瓷等制造的基板120的兩面上，形成縱槽線122用于使基板斷裂成為相互連接的片狀部121的長方片、和橫槽線123用于從長方片斷裂出片狀部121。而且在縱橫槽線122、123的交叉部和/或縱槽線122的中途部形成有大致長圓形的孔128?；?20煅燒后首先沿縱槽線122斷裂成長方狀，然后在沿縱槽線122的端面和長方片側(cè)部的上下兩面上形成一對電極端子127。然后在片狀部的上面印刷煅燒電阻膜124、其兩端部分重疊在電極端子127上，然后把各電阻膜124進(jìn)行激光調(diào)整。然后形成玻璃鍍層覆蓋電阻膜124。
所述現(xiàn)有的多線片狀電阻的制造方法中基板120是以未處理板的狀態(tài)在形成縱槽線122和橫槽線123和大致長圓形的孔128之后煅燒形成的。因此縱槽線122、橫槽線123和孔128由基板120微小的組成偏差和煅燒時的微小溫度偏差而產(chǎn)生尺寸偏差。為解決此事、在制造微小的多線片狀電阻時把基板120的單片狀基板的尺寸在縱向和橫向分別分類成非常細(xì)的尺寸級別，然后需要準(zhǔn)備相應(yīng)于各個尺寸級別的電極端子127、電阻膜124、玻璃鍍層的濾網(wǎng)印刷掩膜。且根據(jù)單片狀基板的尺寸級別需要更換掩膜、其結(jié)果是電阻的制造工序非常煩雜。

發(fā)明內(nèi)容
電阻用下面的方法制造。在基板的第一面上形成多個第一電極層、并在基板的第一面上形成與第一電極層分別電連接多個電阻體。在基板上形成分離第一電極層的多個槽，并形成端面電極、其形成在基板的槽的端面上并連接在與多個第一電極層的槽相接的端面上?；逵啥鄠€槽切斷而分離成部分基板。把端面電極的部分除去以使多個電阻體相互間不導(dǎo)通。


圖1是通過本發(fā)明實施例1制造方法得到的多線片狀電阻的立體圖；圖2是實施例1電阻的剖面圖；圖3是實施例1的制造方法中所用板狀基板的上面立體圖；圖4A和圖4B是表示實施例1多線片狀電阻制造方法的俯視圖；圖5A和圖5B是表示實施例1電阻制造方法的剖面圖；圖6A和圖6B是表示實施例1電阻制造方法的俯視圖；圖7A和圖7B是表示實施例1電阻制造方法的剖面圖；圖8A和圖8B是表示實施例1電阻制造方法的俯視圖；圖9A和圖9B是表示實施例1電阻制造方法的剖面圖；圖10A和圖10B是表示實施例1電阻制造方法的俯視圖；圖11A和圖11B是表示實施例1電阻制造方法的剖面圖；圖12是實施例1的制造方法中所用基板的背面立體圖；圖13是表示實施例1電阻制造方法的剖面圖；圖14是實施例1的制造方法中所用基板的背面立體圖；圖15是表示實施例1電阻制造方法的剖面圖；圖16是實施例1的制造方法中所用基板的上面立體圖；圖17是實施例1的制造方法中所用長方狀基板的側(cè)視圖；圖18是實施例1的制造方法中所用長方狀基板的上面立體圖；圖19是實施例1的制造方法中所用長方狀基板的背面立體圖；圖20是表示實施例1電阻制造方法的俯視圖；圖21是表示實施例1電阻制造方法的剖面圖；圖22是表示實施例1電阻制造方法的剖面圖；圖23是表示實施例1電阻制造方法的剖面圖；圖24是本發(fā)明實施例2多線片狀電阻的制造方法中所用板狀基板的側(cè)視圖；圖25是實施例2的制造方法中所用基板的上面立體圖；圖26是實施例2的制造方法中所用基板的背面立體圖；
圖27是表示實施例2電阻制造方法的俯視圖；圖28是表示實施例2電阻制造方法的剖面圖；圖29是表示實施例2電阻制造方法的剖面圖；圖30是表示實施例2電阻制造方法的剖面圖；圖31是表示現(xiàn)有多線片狀電阻制造方法的立體圖；圖32是現(xiàn)有的電阻的立體圖；圖33是表示現(xiàn)有電阻制造方法的剖面圖。
具體實施例方式
(實施例1)圖1是用本發(fā)明實施例1的制造方法得到的多線片狀電阻的立體圖，圖2是電阻的剖面圖。把由煅燒完的96％純度的氧化鋁構(gòu)成的板狀基板用槽狀的第一分割部和與第一分割部正交的第二分割部分割、得到單片化的基板1。在基板1的上面形成有以銀為主成分的多對上面電極層2。氧化釕系的多個電阻體3形成在基板1的上面、其部分重疊在上面電極層2上即電連接。以玻璃為主成分的第一保護(hù)層4形成為把電阻體3完全覆蓋。調(diào)整槽5設(shè)在第一保護(hù)層4和電阻體3上、用于修正上面電極層2間電阻體3的電阻值。由銀系導(dǎo)電性樹脂構(gòu)成的多對貼緊層6形成為重疊在上面電極層2的部分上并與上面電極層2與基板1的端面成為一個面。以樹脂為主成分的第二保護(hù)層7形成得覆蓋第一保護(hù)層4并重疊在貼緊層6的部分上。多對端面電極8設(shè)在基板1的端部并且與上面電極層2電連接。端面電極8大致形成L字形重疊在基板1的端面、上面電極層2的端面和貼緊層6的端面上，同時覆蓋基板1的背面。由鎳鍍層構(gòu)成的第一鍍膜9大致形成コ字形覆蓋端面電極8和貼緊層6露出的上面。由錫鍍層構(gòu)成的第二鍍膜10大致形成コ字形覆蓋第一鍍膜9。
說明實施例1的所述電阻的制造方法。
圖3是實施例1多線片狀電阻的制造方法中所用板狀基板的上面立體圖。圖4A～圖11B是表示實施例1制造方法的剖面圖和俯視圖。圖12是其制造方法中所用基板的背面立體圖。圖13是表示其制造方法的剖面圖。圖14是其制造方法中所用基板的背面立體圖。圖15是表示其制造方法的剖面圖。圖16是其制造方法中所用基板的上面立體圖。圖17～圖19是其制造方法中所用長方狀基板的側(cè)視圖和立體圖。圖20是表示其制造方法的俯視圖。圖21～圖23是表示其制造方法的剖面圖。
首先如圖3、圖4A、圖5A所示準(zhǔn)備由煅燒完的96％純度的氧化鋁構(gòu)成的厚度0.2mm具有絕緣性的板狀基板11。如圖3所示，板狀基板11在整個周圍的端部具有最終不成為電阻的大致口字狀的不要區(qū)域部11a。
接著如圖3、圖4B、圖5B所示，在板狀基板11的上面通過濾網(wǎng)印刷法形成以銀為主成分的多對上面電極層12。然后通過用峰值溫度850℃的煅燒靠模煅燒上面電極層12使其穩(wěn)定。
接著如圖3、圖6A、圖7A所示，通過濾網(wǎng)印刷法形成氧化釕系的多個電阻體13跨騎上面電極層12，通過用峰值溫度850℃的煅燒靠模煅燒電阻體13使其穩(wěn)定。
接著如圖6B、圖7B所示，通過濾網(wǎng)印刷法形成以玻璃為主成分的多個第一保護(hù)層14，以覆蓋多個電阻體13，通過用峰值溫度600℃的煅燒靠模煅燒第一保護(hù)層14使其穩(wěn)定。
接著如圖8A、圖9A所示，通過激光調(diào)整法調(diào)整形成多個調(diào)整槽15，以把上面電極層12間的電阻體13的電阻值修正到規(guī)定的值。
接著如圖8B、圖9B所示，通過濾網(wǎng)印刷法形成由銀系導(dǎo)電性樹脂構(gòu)成的多對貼緊層16，以重疊在上面電極層12的部分上，通過用峰值溫度200℃的硬化靠模硬化貼緊層16使其穩(wěn)定。
接著如圖10A、圖11A所示，通過濾網(wǎng)印刷法形成以樹脂為主成分的多個第二保護(hù)層17，以覆蓋圖面上縱向多線的多個第一保護(hù)層14并重疊在貼緊層16的部分上，通過用峰值溫度200℃的硬化靠模硬化第二保護(hù)層17使其穩(wěn)定。
接著如圖3、圖10B、圖11B所示，把在形成有第二保護(hù)層17的板狀基板11的整個周圍端部形成的不要區(qū)域部11a除去，分離上面電極層12和貼緊層16，用切割法形成多個作為上下方向貫通的第一分割部，并用于把基板11分割成多個長方狀的部分基板的長方狀基板11b的槽18。除去不要區(qū)域部11a、通過用切割法形成多個槽18，在形成槽18后，多個長方狀基板11b還連在不要區(qū)域部11a上，所以基板11為板狀態(tài)。
接著如圖12、圖13所示，使用噴鍍法從基板11背面開始在基板11的整個背面和位于多個槽18內(nèi)面的基板11的端面、上面電極層12的端面和貼緊層16的端面上通過薄膜技術(shù)形成對基板11付著性良好的由鎳鉻薄膜構(gòu)成的端面電極19。
接著如圖14、圖15所示，把在板狀基板11的整個背面上形成的端面電極19的不要部分即基板11背面的大致中央部分通過具有0.3mm直徑點徑的激光照射使其以0.3mm的寬度蒸發(fā)而剝離除去。這樣在與基板11背面槽18相接的部分形成有構(gòu)成端面電極19部分的背面電極20。
接著如圖16所示，把用切割法形成上下方向貫通槽18的基板11放在不要區(qū)域部除去臺板(未圖示)上，把圖16的多個槽18的兩端部沿各自連接線18a切斷。這樣把不要區(qū)域部11a的部分除去的同時把基板11分離成多個長方狀基板11b。
接著如圖17所示，把多個長方狀基板11b橫向排列、使端面電極19上下且第二保護(hù)層17朝下地傾斜。把在基板11b一邊的端面和與該一邊端面鄰接的背面部分上形成的端面電極19和背面電極20的位于多個相鄰電阻體13間的部分從第二保護(hù)層17的相反一邊用激光L1除去。這時激光L1以與長方狀基板11b表面不平行的角度向長方狀基板11b照射。這樣相鄰電阻體13之間不導(dǎo)通。然后把在長方狀基板11b另一邊的端面和與該另一邊端面鄰接的背面部分上形成的端面電極19和背面電極20的位于多個相鄰電阻體13間的部分與上述同樣地用激光除去。
這樣如圖18、圖19所示，位于端面電極19和背面電極20的多個電阻體13間的部分形成有間隙21。間隙21把端面電極19和背面電極20在電阻體13上分離成各自對應(yīng)的多對。這樣多個電阻體13相互之間不導(dǎo)通。
接著用圖18、圖19所示的第二分割部22把長方狀基板11b分割成如圖20、圖21所示的具有四個電阻體13的單片狀基板11c。
第二分割部22用激光劃線器形成。首先用激光形成分割槽，然后用一般的分割設(shè)備分割分割槽部分而分割成單片狀基板11c。即每次形成分割部22并不把長方狀基板11b單片化、而是用兩個階段單片化。第二分割部22也可用切割法形成，這時每次形成分割部22就把長方狀基板11b單片化。
接著如圖22所示，用電鍍法形成第一鍍膜23，其厚度約2～6μm、且由防止焊錫擴散或耐熱性優(yōu)良的鎳鍍層構(gòu)成、覆蓋單片狀基板11c的端面電極19和露出的貼緊層16的上面和背面電極20。然后如圖23所示，再用電鍍法形成第二鍍膜24，其厚度約3～8μm、且由焊接性良好的錫鍍層構(gòu)成、覆蓋由鎳鍍層構(gòu)成的第一鍍膜23。通過以上的制造方法制造實施例1的多線片狀電阻。
所述制造方法中第二鍍膜24由錫鍍層構(gòu)成。但并不限定于此，也可是由錫合金系材料構(gòu)成的鍍層，這時在回流焊接時穩(wěn)定、能進(jìn)行電阻的焊接。
所述制造方法中覆蓋電阻體13等的保護(hù)層是由覆蓋電阻體13的以玻璃為主成分的第一保護(hù)層14和覆蓋第一保護(hù)層14與調(diào)整槽15的以樹脂為主成分的第二保護(hù)層17所構(gòu)成。因此用第一保護(hù)層14能防止激光調(diào)整時裂紋的發(fā)生、減小電流噪音，而用以樹脂為主成分的第二保護(hù)層17覆蓋了整個電阻體13、所以能確保電阻優(yōu)良的耐濕性。
所述制造方法中上面電極層12和貼緊層16在形成于板狀基板11上的槽18的內(nèi)面上形成為一個面。因此在槽18的內(nèi)面用薄膜法形成端面電極19時，能把由薄膜構(gòu)成的端面電極19連續(xù)穩(wěn)定地形成在槽18內(nèi)面上的板狀基板11的端面和上面電極層12的端面和貼緊層16的端面上。
所述制造方法中形成有由導(dǎo)電性樹脂構(gòu)成的貼緊層16，以重疊在上面電極層12的部分上。因此在形成于板狀基板11上的槽18的內(nèi)面上用薄膜法形成端面電極19時，由貼緊層16的存在能增加上面電極層12與由薄膜構(gòu)成的端面電極19的接觸面積。這樣能提高上面電極層12與端面電極19電連接的可靠性。
所述制造方法中使用噴鍍法把端面電極19形成一層鎳鉻薄膜。但并不限定于此，端面電極19也可用鉻系、銅系、鎳系等的多個薄膜形成，這時鍍膜能容易形成在端面電極19的上面、鍍膜的貼緊力增強。
通過所述制造方法制造的多線片狀電阻，其用切割法構(gòu)成的形成第一分割部的槽18和用激光劃線器形成的第二分割部22的間隔正確(±0.005mm以內(nèi))，同時端面電極19、第一鍍膜23、第二鍍膜24的厚度也正確。因此完成了的四連多線片狀電阻的全長和全寬是正確的長度0.6mm×寬度1.2mm。而且不需要對上面電極層12和電阻體13的圖形精度進(jìn)行單片狀基板的尺寸級別分類，同時不需要考慮單片狀基板一個尺寸級別內(nèi)的尺寸偏差。因此電阻體13的有效面積可以比現(xiàn)有的電阻大。即相對于現(xiàn)有電阻產(chǎn)品的電阻體是長度約0.20mm×寬度0.19mm、實施例1電阻的電阻體13是長度約0.25mm×寬度0.24mm，面積是現(xiàn)有的約1.6倍以上。
所述制造方法中把構(gòu)成第一分割部的多個槽18用切割法形成，同時使用不需要單片狀基板尺寸分類的板狀基板11。因此不需要現(xiàn)有這樣的單片狀基板尺寸分類，這樣能消除工序的繁雜、用半導(dǎo)體等一般的切割設(shè)備就能容易分割板狀基板11。
所述制造方法中板狀基板11上形成有分離上面電極層12用的多個貫通的槽18，分割板狀基板11得到具有多個電阻體13的單片狀基板11c。因此不需要現(xiàn)有制造方法這樣的單片狀基板尺寸分類，從而能消除現(xiàn)有制造方法中對應(yīng)于單片狀基板尺寸分類的更換掩膜的工序，能簡化電阻的制造工序。
所述制造方法中通過噴鍍法在板狀基板11的整個背面用薄膜技術(shù)形成端面電極19后，把接近槽18部分以外的地方即板狀基板11背面的大致中央部分用具有約0.3mm直徑點徑的激光照射、使其以0.3mm的寬度蒸發(fā)剝離除去。這樣在接近板狀基板11背面的槽18的部分上形成構(gòu)成端面電極19部分的背面電極20。因此能提高位于單片狀基板11c背面的是端面電極19部分的背面電極20的尺寸精度，這樣也能確保是成對端面電極19部分的背面電極20間的絕緣距離。從而也能降低把多線片狀電阻用其背面向安裝基板安裝時的安裝不良。
所述制造方法中用樹脂形成第二保護(hù)層17。而且從形成有分離上面電極層12用的多個貫通槽18的板狀基板11的背面開始，在板狀基板11背面接近槽18的部分和位于槽18內(nèi)面的板狀基板11的端面、上面電極層12的端面、貼緊層16的端面上用薄膜技術(shù)形成構(gòu)成端面電極19部分的背面電極20和端面電極19。然后用槽18部分切斷板狀基板11而分離成長方狀基板11b。然后把在長方狀基板11b上形成的背面電極20和端面電極19的不要部分從有樹脂制的第二保護(hù)層17的相反一邊用激光除去、以使相鄰的電阻體13之間不導(dǎo)通。這時通過使長方狀基板11b傾斜、用長方狀基板11b與激光間的角度使樹脂制的第二保護(hù)層17不由激光受損傷，能用激光可靠地除去長方狀基板11b上背面電極20和端面電極19的不要部分。這樣能確保多個端面電極19間的絕緣距離和多個背面電極20間的絕緣距離。
實施例1中把多個長方狀基板11b傾斜，使第二保護(hù)層17朝下，并從第二保護(hù)層17的相反一邊用激光除去。但也可分別把每個長方狀基板11b使第二保護(hù)層17朝下地傾斜而把位于背面電極20和端面電極19的相鄰電阻體13間的部分從有第二保護(hù)層17的相反一邊用激光除去，這時也與實施例1一樣樹脂制的第二保護(hù)層1 7不由激光受損傷。且與上述同樣地能確保多個端面電極19間的絕緣距離和構(gòu)成端面電極19部分的多個背面電極20間的絕緣距離。
實施例1中把形成有背面電極20和端面電極19的多個長方狀基板11b橫向多線的同時把長方狀基板11b傾斜，使第二保護(hù)層17朝下。但第二保護(hù)層17若不是樹脂制的話、也可把多個長方狀基板11b垂直豎立橫向多線。且長方狀基板11b不必要橫向多線、把長方狀基板11b縱向一個個豎立也可。
實施例1中把形成有背面電極20和端面電極19的多個長方狀基板11b橫向多線的同時并傾斜，使樹脂制的第二保護(hù)層17朝下。付與長方狀基板11b的表面與激光以不平行的角度，把位于背面電極20和端面電極19的多個電阻體13間的部分從第二保護(hù)層17的相反一邊用激光除去。此外也可例如如圖18所示把多個形成有背面電極20和端面電極19的長方狀基板11b上下方向地多線、或把各長方狀基板11b橫向放置、或把多個長方狀基板11b垂直豎立橫向多線、或把各長方狀基板11b一個個縱向豎立地用激光把位于背面電極20和端面電極19的多個電阻體13間的部分除去、以使多個電阻體13之間不導(dǎo)通。這時用激光也能可靠除去在長方狀基板11b的背面和端面形成的背面電極20和端面電極19的不要部分，所以能確保多個端面電極19間的絕緣距離和構(gòu)成端面電極19部分的多個背面電極20間的絕緣距離。因此能降低把多線片狀電阻向安裝基板安裝時的安裝不良。
實施例1中通過把長方狀基板11b傾斜，使第二保護(hù)層17朝下，而付與長方狀基板11b的表面與激光以不平行的角度，但與此相反也可通過使激光的照射方向?qū)﹂L方狀基板11b的背面傾斜來付與長方狀基板11b與激光間的角度，這時也具有與實施例1同樣的作用效果。
實施例1中對四連的多線片狀電阻作了說明，但通過改變激光劃線器的第二分割部22的設(shè)定部位、能容易制造二連以上的多線片狀電阻。
實施例1中在長方狀基板11b的相對邊上形成有電極，但即使在一邊上形成、實施例1的分離電極技術(shù)也能適用，具有同樣的效果。
(實施例2)下面參照

本發(fā)明實施例2的多線片狀電阻的制造方法。實施例2的制造方法與所述實施例1的制造方法僅部分不同，省略相同部分的說明而僅說明不同點。即實施例2的多線片狀電阻的制造方法與實施例1中到圖14、圖15所示的形成背面電極20的工序是相同的。在此以后的工序中對與實施例1相同的部件付與相同的號碼進(jìn)行說明。
如實施例1圖14、圖15所示形成背面電極20之后，如圖24所示把形成有第二保護(hù)層17和端面電極19和背面電極20的板狀基板11傾斜，使第二保護(hù)層17朝下。且付與板狀基板11的表面與激光L2不平行的角度，把位于多個電阻體(未圖示)13間的部分從第二保護(hù)層17相反的一邊用激光L2除去、以使多個電阻體(未圖示)之間不導(dǎo)通，該多個電阻體13位于在處于槽18內(nèi)面的板狀基板11的端面、上面電極層12的端面及貼緊層16的端面上形成的端面電極19的一邊和在與基板11背面的槽18接近的部分上形成的背面電極20的一邊。然后把位于端面電極19另一邊及背面電極20另一邊的多個電阻體(未圖示)間的部分與上述同樣地用激光除去。這樣如圖25、圖26所示，在位于端面電極19和背面電極20的多個電阻體(未圖示)間的部分上形成有間隙21a。因此端面電極19和背面電極20通過間隙21a在電阻體(未圖示)上被分離成各自對應(yīng)的多對。通過該分離、多個電阻體(未圖示)之間不導(dǎo)通。
接著如圖25所示把在板狀基板11的整個周圍端部形成的不要區(qū)域部11a除去，在板狀基板11的與構(gòu)成第一分割部的槽18正交的方向上形成多個第二分割部22a。板狀基板11在多個長方狀基板11b上把多個電阻體13每四個電阻體地分別分離、分割成如圖27、圖28所示的具有四個電阻體13的單片狀基板11c。
第二分割部22a用激光劃線器與實施例1同樣地形成。
然后如圖29所示，用電鍍法形成第一鍍膜23，其厚度約2～6μm、且由防止焊錫擴散或耐熱性優(yōu)良的鎳鍍層構(gòu)成、覆蓋單片狀基板11c的端面電極19和露出的貼緊層16的上面和背面電極20。然后如圖30所示，再用電鍍法形成第二鍍膜24，其厚度約3～8μm、且由焊接性良好的錫鍍層構(gòu)成、覆蓋由鎳鍍層構(gòu)成的第一鍍膜23。通過以上的制造工序能得到實施例2的多線片狀電阻。
實施例2的制造方法中把從形成有分離上面電極層12用的多個貫通槽18的板狀基板11的背面開始形成有背面電極20和端面電極19的板狀基板11傾斜，使樹脂制的第二保護(hù)層17朝下。付與板狀基板11的表面與激光不平行的角度、用激光從第二保護(hù)層17相反的一邊把在板狀基板11上形成的背面電極20和端面電極19的不要部分除去。因此樹脂制的第二保護(hù)層17不由激光而受損傷，能把槽18內(nèi)面的端面電極19的不要部分和在與板狀基板11背面槽18接近的部分上形成的背面電極20的不要部分用激光一并可靠地除去。這樣能確保多個端面電極19間的絕緣距離和構(gòu)成端面電極19部分的多個背面電極20間的絕緣距離。
實施例2中把形成有端面電極19和背面電極20的板狀基板11傾斜，使第二保護(hù)層17朝下。也可板狀基板11縱向豎立、把背面電極20和端面電極19的不要部分用激光除去，這時能提高單片狀基板11c的多個構(gòu)成端面電極19部分的背面電極20和端面電極19的尺寸精度。這樣由于也能確保多個背面電極20間的絕緣距離和多個端面電極19間的絕緣距離，所以也能降低把多線片狀電阻向安裝基板安裝時的安裝不良。
實施例2中通過把板狀基板11傾斜，使第二保護(hù)層17朝下，而付與板狀基板11的表面與激光以不平行的角度。但與此相反也可通過使激光的照射方向?qū)Π鍫罨?1的背面傾斜來付與板狀基板11與激光間的角度，這時也能得到與實施例2同樣的作用效果。
實施例2的多線片狀電阻的制造方法與實施例中到1圖14、圖15所示的形成背面電極20的工序是相同的，所以與實施例1具有同樣發(fā)作用效果。
實施例2中在長方狀基板11b的相對邊上形成有電極，但即使在一邊上形成、實施例2的分離電極技術(shù)也能適用，具有同樣的效果。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性根據(jù)本發(fā)明的多線片狀電阻的制造方法能提高長方狀基板的多個端面電極的尺寸精度，這樣還能確保端面電極間的絕緣距離。因此能降低把多線片狀電阻向安裝基板安裝時的安裝不良。
權(quán)利要求
1.一種多線片狀電阻的制造方法，其中，包括在基板的第一面上形成多個第一電極層的工序；在所述基板的所述第一面上形成與所述第一電極層分別電連接的多個電阻體的工序；在所述基板上形成分離所述第一電極層的多個槽的工序；形成端面電極工序，該端面電極形成于所述基板的所述槽的端面上、并連接在與所述多個第一電極層的所述槽相接的端面上；把所述基板用所述多個槽切斷、分離成部分基板的工序；把所述端面電極的部分除去以使所述多個電阻體相互之間不導(dǎo)通的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的多線片狀電阻的制造方法，其中，還包括在與所述基板第二面的所述槽相接的部分上形成與所述端面電極連接的第二電極層的工序。
3.如權(quán)利要求2所述的多線片狀電阻的制造方法，其中，還包括把與所述端面電極的所述部分連接的所述第二電極層的部分除去的工序。
4.如權(quán)利要求1所述的多線片狀電阻的制造方法，其中，把所述端面電極的所述部分除去的工序包括用激光把所述部分除去的工序。
5.如權(quán)利要求4所述的多線片狀電阻的制造方法，其中，還包括形成保護(hù)層工序，其覆蓋所述多個電阻體至少一個的上方，把所述端面電極的所述部分除去的工序包括把所述激光以與所述基板的第二面不平行的角度從所述第二面一邊向所述部分照射的工序。
6.如權(quán)利要求5所述的多線片狀電阻的制造方法，其中，還包括在與所述基板第二面的所述槽相接的部分上形成與所述端面電極連接的第二電極層的工序；把與所述端面電極的所述部分連接的所述第二電極層的部分用所述激光除去的工序。
7.如權(quán)利要求5所述的多線片狀電阻的制造方法，其中，所述保護(hù)層由樹脂制成。
8.如權(quán)利要求1所述的多線片狀電阻的制造方法，其中，還包括形成保護(hù)層工序、覆蓋所述多個電阻體至少一個的上方。
9.如權(quán)利要求8所述的多線片狀電阻的制造方法，其中，所述保護(hù)層由樹脂制成。
10.如權(quán)利要求1所述的多線片狀電阻的制造方法，其中，形成所述多個槽的工序包括用切割法形成所述槽的工序。
11.如權(quán)利要求1所述的多線片狀電阻的制造方法，其中，還包括把所述部分基板分割成分別具有所述多個電阻體中的多個電阻體的單片狀基板的工序。
12.如權(quán)利要求11所述的多線片狀電阻的制造方法，其中，把所述端面電極的所述部分除去的工序在把所述基板分割成所述部分基板的工序之后進(jìn)行。
13.如權(quán)利要求11所述的多線片狀電阻的制造方法，其中，把所述端面電極的所述部分除去的工序在把所述基板分割成所述部分基板的工序之前進(jìn)行。
全文摘要
多線片狀電阻用如下的方法制造。在基板的第一面上形成多個第一電極層，在基板的第一面上形成與第一電極層分別電連接多個電阻體。在基板上形成分離第一電極層的多個槽，并形成端面電極、其形成在基板的槽的端面上并連接在與多個第一電極層的槽相接的端面上?；逵枚鄠€槽切斷、分離成長方狀基板。把端面電極的部分除去、以使多個電阻體相互之間不導(dǎo)通。該制造方法能提高長方狀基板的多個端面電極的尺寸精度，這樣能確保端面電極間的絕緣距離。因此能降低把該電阻向安裝基板安裝時的安裝不良。
文檔編號H01C17/06GK1507635SQ0380018
公開日2004年6月23日 申請日期2003年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月15日
發(fā)明者松川俊樹, 木下泰治, 星德圣治, 高橋正治, 安東良典, 典, 治 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社